JP2013177270A - 単結晶ダイヤモンド製造方法及び単結晶ダイヤモンド製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、原料ガスを供給し、電極間に発生するプラズマを用いて一方の電極の基板上に単結晶ダイヤモンドを成長させる単結晶ダイヤモンド製造方法において、磁場発生手段により形成される磁場によって前記プラズマの位置を調整する単結晶ダイヤモンド製造方法及び単結晶ダイヤモンド製造装置である。
【選択図】図1
Description
しかしながら、マイクロ波プラズマCVD法は、投入電力の消費効率の高さ、成長速度の速さに関し、直流プラズマCVD法の方が優れているという結果が得られている。特開2010−95408号公報(特許文献4)には、Moのような高融点金属から形成された平行平板型対向電極を用いて、電極間により均一な電場を印加し、反応ガスを供給して直流プラズマを発生させ、単結晶に近いエピタキシャルダイヤモンド膜を成長させる直流プラズマCVD法が記載されている。
しかしながら、特許文献4に記載されるような直流プラズマCVD法では、プラズマを発生させ、基材表面の所定位置に長時間、均一に且つ安定にプラズマを照射させることが比較的困難であり、マイクロ波プラズマCVD法に比べ、成長する単結晶ダイヤモンドの品質が低下する傾向にあった。
更に、プラズマCVDにより、基板の種ダイヤモンド上に単結晶ダイヤモンドを成長させる過程においては、長時間連続運転が不可欠である。安定したプラズマ下にあっては、電極表面にメタンガス等の原料ガス中の炭素種が着膜した場合、徐々に単結晶ダイヤモンドが成長して、赤熱スポットとなり、そこを起点にしてプラズマが不安定になり、ついにはアーク放電に至り、成長を停止させていた。
本発明者らの鋭意研究の結果、マイクロ波によるプラズマの発生機構より簡単なプラズマ発生用電源を用いて、電極と単結晶ダイヤモンド成長用基板の間にプラズマを発生させ、原料ガスから単結晶ダイヤモンドを成長させる場合、前記プラズマをより安定に又は周期的な揺動を付与することにより良質な単結晶ダイヤモンドを成長させ、且つ長時間に亘って製造装置を稼働させることができることを発見し、本発明を完成させるに到った。特に、交流磁場によりプラズマを揺動し、種ダイヤモンドがある基板側の電極表面を前記プラズマが揺動しながら照射されると、炭素種が着膜して部分成長することを抑制し、長時間安定した多単結晶ダイヤモンド製造用装置の運転が可能になり、12時間〜24時間以上の連続運転が達成できる。成長速度を30μm/h〜50μm/h以上とすることができ、24時間の成長で1mm厚以上の単結晶ダイヤモンドの成長が可能である。
よって、本発明の第1の形態によれば、前記プラズマを基板上の所定位置や中心位置に調整することができ、又は前記プラズマに所定の揺らぎを付与することができる磁場を形成する磁場発生手段を用いて、安定して良質の単結晶ダイヤモンドを比較的長時間に亘って連続的又は間欠的に製造することができる。
<実施例1>
図1は、本発明に係る単結晶ダイヤモンド製造装置2の構成概略図である。図1の(1A)に示した単結晶ダイヤモンド製造装置2の実施例1では、真空チャンバ4に成長部6と電極部8が設けられ、更に、X方向磁場Bxを発生させるX方向磁場発生器10とX方向磁場Byを発生させるY方向磁場発生器(図示せず)が設けられている。X方向磁場BxとX方向磁場Byの合成磁場により、真空チャンバ4内に発生させたプラズマの位置や揺動を調整する。このような磁場によるプラズマの制御については後述する。
前記電極部8は、平板電極16と平板電極支持部38からなり、真空チャンバ4に取付けられ、前記平板電極16は、平板電極側導線20を介して前記パルス電源18に接続されている。前記平板電極支持部38には内部供給管28aが設けられ、原料ガス供給管28を介して原料ガス供給装置26に接続されている。前記原料ガス供給装置26は、水素、アルゴン、メタン、酸素、窒素などのボンベを有し、原料となるメタンを他のガスと混合した原料ガスを供給することができる。前記原料ガスは、内部供給管28aを介して電極表面の供給口から供給される。
(1)排気、(2)原料ガスの供給、(3)パルス電圧の印加、(4)プラズマの発生、(5)単結晶ダイヤモンドの成長
前記「(1)排気」では、上述のように、真空チャンバ4から排気され、到達圧力は1×10−4程度である。前記「(2)原料ガスの供給」では、原料となるメタンを含む水素、窒素、アルゴン及び酸素の混合ガスが原料ガスとして供給され、プラズマCVDにより単結晶ダイヤモンドを成長させるとき、真空チャンバ4の内部は10〜30kPa程度に保持される。水素量が500CC/分で供給されるとき、メタンは約60cc/分、その他のガスは適量で供給されることが好ましい。
前記「(4)プラズマの発生」では、上述のように、パルス電圧が平板電極16と基板電極12の間に印加され、前記原料ガスが供給されることにより、平板電極16と成長基板14の間にプラズマが発生する。パルス電圧を用いた場合、高電圧で電流も大きなグロー・アーク遷移域や異常グロー放電のプラズマを利用することができ、比較的短時間で単結晶ダイヤモンドを成長させることが可能である。前記「(5)単結晶ダイヤモンドの成長」工程では、プラズマが発生している間、単結晶ダイヤモンドが成長する。尚、プラズマCVDにおける単結晶ダイヤモンドの成長条件では、基板電極12が950℃〜1500℃、より好ましくは950℃〜1150℃に加熱され、プラズマによる加熱以外に前記補助ヒータ40を用いることが可能である。
とY方向磁場Byを発生させ、それらの合成磁場によりプラズマの位置を調整することが可能である。例えば、X方向磁場Bxの強さや向きは、X方向磁場発生器に印加する電圧や電流の大きさや正負を変更して調整することができ、Y方向磁場Byも同様であることから、合成磁場の強さや向きを変更し、プラズマの位置を調整することが可能である。特に、電極温度は950℃〜1500℃に上昇するが、温度上昇過程では、プラズマの位置が温度上昇のバラツキ等に支配され、電子放出の良い高温領域に集中し、プラズマに偏りが生じる。よって、前記合成磁場によりプラズマの位置を中心位置に調整することが可能である。更に、後述のように、単結晶ダイヤモンドの成長中、プラズマは所定周期の揺動(又は、「揺らぎ」と称する)を有することが好ましく、前記合成磁場の向きを周期的に変更し、プラズマを揺動させることが可能である。尚、プラズマは、プラズマ計測用ラングミューアプローブや放射温度計が設けられて観測され、目視用の窓が設けられることがより望ましい。
図1の(1B)には、本発明に係る単結晶ダイヤモンド製造装置2の実施例2を示している。以下、同一の機能を有する部材には同一符号を付しており、同様の説明は省略する。(1B)の単結晶ダイヤモンド製造装置2では、イオン衝突壁42が絶縁材料からなる設置部44の上部に設けられ、成長基板14の外部に飛散してきた正イオンを衝突させ吸着させることができる。前記イオン衝突壁42には、導線48及びバイアス抵抗50を介して直流電源46が接続されている。前記イオン衝突壁42は、負極に設定され、正イオンを吸着する。前記イオン衝突壁42は、真空チャンバ4や基板電極12とは絶縁されている。よって、高効率にプラズマを発生させ、良質な単結晶ダイヤモンドを成長させることができる。
図2の(2B)には、本発明に係る単結晶ダイヤモンド製造装置の実施例3を示している。(2B)に示した実施例2では、第1回転用磁場発生器15と第2磁場発生器17が付設されている。例えば、第1回転用磁場発生器15に余弦波位相を有する交流電圧を印加し、第2回転用磁場発生器17に第1回転用磁場発生器15とは位相が異なる余弦波の交流電圧を印加すれば、第1回転用磁場発生器15と第2回転用磁場発生器17により発生する磁場は、合成回転磁場となる。即ち、交流磁場を加え、位相を前後に90°ずらせば良い。よって、発生したプラズマを成長基板上で揺動させながら回転させることができる。合成回転磁場が形成されれば良く、その磁場ベクトルの先端が楕円形を描いても良く、より正円形に近いことが望ましい。このとき、磁場発生器10、11により発生させる合成磁場は、プラズマの偏り調整することに利用され。合成回転磁場は、そのまま印加され続ける。
図2の(2C)には、本発明に係る単結晶ダイヤモンド製造装置の実施例4を示している。実施例4は、実施例3の変形例であり、第1回転用磁場発生器15と第2磁場発生器17の付設位置が異なっている。実施例4では、実施例3と同様に、合成回転磁場を形成し、成長基板上でプラズマを回転させて揺動する(「揺動回転」とも称している)ことが可能である。
(3A)では、図2の(2B)及び(2C)に示したように、一対の回転用磁場発生器により合成回転磁場が形成され、回転揺動プラズマ51、52となり、2点破線の矢印で示したように成長基板14上を回転揺動する。即ち、実線で示した回転揺動プラズマ51や1点破線で示した回転揺動プラズマ52の状態を経て回転揺動する。従って、前記炭素種の付着や成長が抑制され、アーク放電の発生を防止することができる。
図3の(3C)は、パルス電圧にパルス周期より大きな周期の揺らぎを与え、プラズマを膨張・収縮させたときの説明図である。後述するように、パルス電圧がパルス周期より大きな周期の揺らぎを有する場合、付与される電圧によるエネルギーが大きな場合、実線で示した膨張プラズマが形成され、エネルギーが小さいと1点破線で示した収縮プラズマ56が形成される。即ち、膨張と収縮を繰り返し、プラズマが揺動する。この場合においても、前記炭素種の付着や成長が抑制され、アーク放電の発生を防止することができる。
図4の(4B)には、パルス電力の出力が略一定なパルス形状の概略図を示している。この場合、前述のように、高電圧で電流も大きなグロー・アーク遷移域や異常グロー放電のプラズマを利用することができ、アフターグロー放電等の利用も可能であり、(4A)の場合も同様である。また、パルス電圧V0が−100V〜−5kVであり、パルス電圧の繰り返しfpはfp=1/Tpが10kHz〜200kHzであれば、プラズマを十分に発生させることができる。
4 真空チャンバ
6 成長部
8 電極部
10 X方向磁場発生器
11 Y方向磁場発生器
12 基板電極
14 成長基板
15 第1回転用磁場発生器
16 平板電極
17 第2回転用磁場発生器
18 パルス電源
20 平板電極側導線
22 基板側導線
24 排気口
26 原料ガス供給装置
28 原料ガス供給管
28a 内部供給管
30 抵抗
32 基板側導線
32a 内部導線
34 アース側導線
36 基板支持部
38 電極支持部
40 補助ヒータ
42 イオン衝突壁
44 設置部
46 直流電源
48 導線
50 バイアス抵抗
51 回転揺動プラズマ
52 回転揺動プラズマ
53 揺動プラズマ
54 揺動プラズマ
55 膨張プラズマ
56 収縮プラズマ
57 プラズマ
58 炭素堆積物
Bx X方向磁場
By Y方向磁場
Tp パルス周期
Tf 揺らぎ周期
Claims (12)
- 原料ガスを供給し、電極間に発生するプラズマを用いて一方の電極の基板上に単結晶ダイヤモンドを成長させる単結晶ダイヤモンド製造方法において、磁場発生手段により形成される磁場によって前記プラズマの位置を調整することを特徴とする単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記磁場を発生させる前記磁場発生手段が2個以上配設され、前記磁場発生手段により形成される各々の磁場の強さと向きを調整して合成磁場の方向を自在に変更する請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記単結晶ダイヤモンドを成長させる前記基板上の表面に略平行に作用する前記合成磁場により、前記プラズマの位置調整をするよう前記磁場発生手段が配設される請求項2に記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 回転用磁場発生手段が付設され、前記回転用磁場発生手段が周期的に磁場が変化する一対の磁場コイルからなり、前記一対の磁場コイルによって形成される各々の磁場の位相をずらして前記プラズマが前記基板上を回転揺動するよう回転磁場を形成する請求項1、2又は3に記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記磁場発生手段が磁場コイルである請求項1〜4のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記電極間に印加するプラズマ発生用電圧がパルス電圧である請求項1〜5のいずれかに記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記パルス電圧の出力にパルス周波数より小さな周波数を有する揺らぎを与え、前記基板上の前記プラズマの大きさに揺らぎを与える請求項6に記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 前記パルス電圧のパルス幅が1μs〜10μs、パルス周波数が10kHz〜200kHzである請求項6又は7に記載の単結晶ダイヤモンド製造方法。
- 真空容器と、前記真空容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給装置と、前記真空容器内に配設された電極対と、前記電極対にプラズマ発生用電圧を印加する電源から少なくとも構成される単結晶ダイヤモンド製造装置において、磁場を発生してプラズマの位置を調整する磁場発生器が前記真空容器の外周に設けられることを特徴とする単結晶ダイヤモンド製造装置。
- 前記磁場発生器が2個以上配設され、前記磁場発生器により形成される各々の直流磁場及び/又は交流磁場の強さと向きを調整して合成磁場及び/又は合成回転磁場を形成し、前記合成磁場の強さや向き及び/又は前記合成回転磁場の回転速度や強さを自在に調整する請求項9に記載の単結晶ダイヤモンド製造装置。
- 前記磁場発生器が磁場コイルである請求項9又は10に記載の単結晶ダイヤモンド製造装置。
- 前記電極間に印加するプラズマ発生用電圧電源がパルス電圧電源である請求項9、10又は11に記載の単結晶ダイヤモンド製造装置。
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