JP2013175680A - スピン注入磁化反転素子および磁気抵抗ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピン注入磁化反転素子1は、磁化固定層11およびフェリ磁性体を備えた磁化自由層13を中間層12を挟んで積層して備え、電流の大きさを変化させて一方向に供給されることにより、前記電流の大きさに応じて磁化自由層13の磁化方向が変化する。このようなスピン注入磁化反転素子1は、ダイオード2を素子選択用の素子としてメモリセルとすることができる。
【選択図】図3
Description
かかる構成により、スピン注入磁化反転素子は、平行および反平行へのそれぞれのスピン注入磁化反転が安定し、誤書込みを防ぐことができる。
本発明に係るスピン注入磁化反転素子は、図1に示す磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)40のメモリセル4の1ビットの記憶装置として用いられる。なお、図1において、ビット線52(上部電極32)の一部を切り欠いて、その下に配置されたスピン注入磁化反転素子1を示す。
磁化固定層11は磁性体であり、磁化方向を固定されている。このような磁化固定層11は、CPP−GMR素子やTMR素子に用いられる公知の磁性材料にて構成することができ、特に垂直磁気異方性材料を適用することが好ましい。具体的には、Fe,Co,Ni等の遷移金属とPd,Ptのような貴金属とを繰り返し積層したCo/Pd多層膜のような多層膜、Tb−Fe−Co,Gd−Fe等の希土類金属と遷移金属との合金(RE−TM合金)のようなフェリ磁性体、L10系の規則合金としたFePt, FePd等が挙げられる。
中間層12は、磁化固定層11と磁化自由層13との間に設けられる。スピン注入磁化反転素子1がTMR素子であれば、中間層12は、MgO,Al2O3,HfO2のような絶縁体や、Mg/MgO/Mgのような絶縁体を含む積層膜からなり、その厚さは0.1〜2nmとすることが好ましい。また、スピン注入磁化反転素子1がCPP−GMR素子であれば、中間層12は、Cu,Ag,Alのような非磁性金属からなり、その厚さは1〜10nmとすることが好ましい。前記した通り、スピン注入磁化反転素子1はTMR素子であることが好ましいため、中間層12は絶縁体を備えることが好ましい。
磁化自由層13は、CPP−GMR素子やTMR素子に用いられる公知の磁性材料の中でも、フェリ磁性体を適用される。具体的には、Tb−Fe−Co,Gd−Fe等の希土類金属と遷移金属との合金(RE−TM合金)、Mn−Ga合金等が挙げられ、特にGd−Fe合金(以下、GdFe合金)が好ましい。また、磁化自由層13は、容易に磁化反転するように、保磁力Hcfを抑えるために、磁化固定層11よりも薄く形成され、具体的には、厚さは1〜20nmの範囲において設計されることが好ましい。
保護層14は、スピン注入磁化反転素子1の製造時におけるダメージから磁化自由層13等を保護するために、また特に磁化自由層13が酸化し易いRE−TM合金を含む場合に表面(上面)の酸化を防止するために最上層に設けられている。保護層14は、Ta,Ru,Cuの単層、またはCu/Ta,Cu/Ruの2層等から構成される。なお、前記の2層構造とする場合は、いずれもCuを内側(下層)とする。保護層14の厚さは、1nm未満であると連続した膜を形成し難く、一方、10nmを超えて厚くしても、製造工程において磁化自由層13等を保護する効果がそれ以上には向上しない。したがって、保護層14の厚さは1〜10nmとすることが好ましい。
次に、本実施形態におけるスピン注入磁化反転素子の磁化反転の動作を、図3を参照して説明する。なお、図3において保護層14は図示を省略する。スピン注入磁化反転素子1において、磁化固定層11は上向きに磁化が固定されている。また、磁化固定層11(下部電極31)にはダイオード2が接続されて、スピン注入磁化反転素子1は電流を下向きにのみ供給される。
次に、前記の本発明に係るスピン注入磁化反転素子をメモリセルに備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリについて、図面を参照してその実施形態を説明する。
図1に示すように、本発明に係る磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)40は、基板7上に2次元アレイ状に配列されたメモリセル4からなり、制御部90と共に記録装置10を構成する部品である。
スピン注入磁化反転素子1は、既に説明した構成であり、説明を省略する。なお、MRAM40に設けられたすべてのスピン注入磁化反転素子1は、磁化固定層11を同じ磁化方向に統一され、ここでは上向きに固定されている(図3参照)。
下部電極31および上部電極32(ビット線52)、ならびにワード線51は、例えば、Cu,Al,Au,Ag,Ta,Cr等の金属やその合金のような一般的な金属電極材料で形成される。そして、スパッタリング法等の公知の方法により成膜、フォトリソグラフィ、およびエッチングまたはリフトオフ法等によりストライプ状等の所望の形状に加工される。
ダイオード2は、例えば、シリコン(Si)ダイオード等の一般的なものが適用され、スピン注入磁化反転素子1の書込み電流および読出し電流に対応した構成であればよい。図2では、下にn層21、上にp層22の順に積層されているため、電流は下向きにのみ流れ、すなわちビット線52が「+」、ワード線51が「−」のときに電流が流れてスピン注入磁化反転素子1に供給される(図3参照)。n層21とp層22を入れ替えて、上向きに電流が供給される構成としてもよい。また、ワード線51との間に、Ti−N等の半導体で障壁(バリア)層23を設けて、ワード線51のCu等の金属が拡散されないようにすることが好ましい。なお、図2では、スピン注入磁化反転素子1と同じ平面視形状としているが、これに限られない。
基板7は、メモリセル4を2次元配列するための土台であり、配線51,52や、ダイオード2およびスピン注入磁化反転素子1を製造するための広義の基板である。このような基板7として、公知の基板材料が適用でき、具体的には表面を熱酸化してSiO2膜を形成されたSi基板が好適である。あるいは、透明な基板材料として公知の、GGG(ガドリニウムガリウムガーネット)基板、SiC(シリコンカーバイド)基板、MgO(酸化マグネシウム)基板、Ge(ゲルマニウム)単結晶基板等の絶縁性の基板を適用することができる。このように、本発明に係るMRAMはトランジスタを設けないため、基板7はSi等に限定されない。また、基板7は、少なくとも表面は絶縁体として、上に形成されるワード線51,51間が短絡しないようにする。
絶縁層6は、隣り合うワード線51,51間、ビット線52,52間、およびワード線51とビット線52との層間、すなわちスピン注入磁化反転素子1,1間やダイオード2,2間を、それぞれ絶縁するために設けられる。絶縁層6は、例えばSiO2やAl2O3等の酸化膜やSi−N等の公知の絶縁材料を適用することができるが、スピン注入磁化反転素子1に接触する領域においては、フェリ磁性体として酸化し易いRE−TM合金を含む場合に、Si−N等の非酸化物を適用することが好ましい。
メモリセル4におけるスピン注入磁化反転素子1の動作について、書込みすなわち磁化反転動作は図3を参照して説明した通りである。図3では電極31,32から電流を供給していたが、メモリセル4(MRAM40)においては、ビット線52およびワード線51からの電流供給により、スピン注入磁化反転素子1を駆動する。一方、データの読出しにおいては、ビット線52とワード線51との間に所定の大きさの電流を供給して、公知のMRAMと同様に、スピン注入磁化反転素子1を流れる電圧を計測すればよい。このとき、非選択のメモリセル4には逆向きの電流を供給して、すなわちワード線51にビット線52よりも高い電圧を印加して、スピン注入磁化反転素子1に電流が漏れないようにしてもよい。
本発明に係る磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)は、公知の製造方法と同様に製造される。一例としては、まず、基板7上にスパッタリングやエッチング等でワード線51を形成し、ワード線51,51間に絶縁層6を埋め込む。次に、ワード線51上のメモリセル4の平面視位置に、障壁層23、n層21、p層22、下部電極31、磁化固定層11、中間層12、磁化自由層13、保護層14の各層を形成する材料を連続的に成膜し、図1に示すようにメモリセル4毎の形状に加工して、スピン注入磁化反転素子1およびダイオード2、ならびにその間の下部電極31を形成する。そして、スピン注入磁化反転素子1,1間等に絶縁層6を埋め込む。最後に、ビット線52と、ビット線52,52間の絶縁層6を形成して、MRAM40が製造される。
1 スピン注入磁化反転素子
11 磁化固定層
12 中間層
13 磁化自由層
14 保護層
2 ダイオード
31 下部電極(電極)
32 上部電極(電極)
40 MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)
4 メモリセル
51 ワード線(電極)
52 ビット線(電極)
6 絶縁層
7 基板
90 制御部
Claims (4)
- 磁化固定層および磁化自由層を中間層を挟んで積層して備えるスピン注入磁化反転素子であって、
前記磁化自由層がフェリ磁性体を備え、
前記磁化固定層と前記磁化自由層とに一対の電極を接続して、電流の大きさを変化させて一方向に供給されることにより、前記電流の大きさに応じて前記磁化自由層の磁化方向が変化することを特徴とするスピン注入磁化反転素子。 - 前記フェリ磁性体が、Tb−Fe−Co合金、Gd−Fe合金、Mn−Ga合金から選択されるいずれか一種であることを特徴とする請求項1に記載のスピン注入磁化反転素子。
- 前記フェリ磁性体が、Fe:78〜81at%のGd−Fe合金であることを特徴とする請求項1に記載のスピン注入磁化反転素子。
- 2次元配列された複数のメモリセルを備える磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記メモリセルは、一対の電極と、前記一対の電極間に直列に接続された請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のスピン注入磁化反転素子およびダイオードと、を備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ。
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