JP2013175628A - Peeling device of jig for semiconductor wafer and handling method of semiconductor wafer - Google Patents

Peeling device of jig for semiconductor wafer and handling method of semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
JP2013175628A
JP2013175628A JP2012039767A JP2012039767A JP2013175628A JP 2013175628 A JP2013175628 A JP 2013175628A JP 2012039767 A JP2012039767 A JP 2012039767A JP 2012039767 A JP2012039767 A JP 2012039767A JP 2013175628 A JP2013175628 A JP 2013175628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
jig
peeling
base material
wafer jig
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012039767A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5912656B2 (en
Inventor
Noriyoshi Hosono
則義 細野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Polymer Co Ltd
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Polymer Co Ltd, Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Polymer Co Ltd
Priority to JP2012039767A priority Critical patent/JP5912656B2/en
Publication of JP2013175628A publication Critical patent/JP2013175628A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5912656B2 publication Critical patent/JP5912656B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a peeling device of a jig for semiconductor wafer which can enhance rigidity of a semiconductor wafer while reducing manufacturing facility and cost, and can peel the jig for semiconductor wafer automatically from the peripheral edge of the semiconductor wafer.SOLUTION: The peeling device of a jig for semiconductor wafer comprises: a jig 10 for semiconductor wafer adhering to a semiconductor wafer 1; and a peeling device 30 for peeling the jig 10 for semiconductor wafer. The jig 10 for semiconductor wafer is formed of a base material layer 11 facing the peripheral edge on the rear surface of the semiconductor wafer 1, and an adhesive layer 15 laminated on the opposing surface 13 of the base material layer 11 and adhering peelably to the peripheral edge on the rear surface of the semiconductor wafer 1. The adhesive layer 15 adheres to the majority of the opposing surface, and the remainder 14 of the opposing surface is a peeling opportunity part 16 not having the adhesive layer 15. The peeling device 30 consists of a slide mechanism 34 which inserts a through terminal 39 into the peeling opportunity part 16, and a holding mechanism 40 for holding and raising the through terminal 39 projecting from the peeling opportunity part 16.

Description

本発明は、半導体の製造工程で使用される半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法に関するものである。   The present invention relates to a peeling device for a semiconductor wafer jig used in a semiconductor manufacturing process and a semiconductor wafer handling method.

従来における半導体ウェーハは、バックグラインド工程で図示しない薄い半導体パッケージに適合させるため、裏面がバックグラインドされ、ダイシング工程でキャリア治具の粘着テープに粘着支持された後、ダイシングブレードで個々の半導体チップに分離されることにより、多数の半導体チップを形成する(特許文献1、2、3、4参照)。半導体ウェーハのバックグラインド工程においては、半導体ウェーハが回転砥石により100μm以下、時には30〜50μm程度の厚みに薄く削られるが、そうすると、半導体ウェーハが非常に薄く脆く撓みやすくなるので、ハンドリングや搬送に支障を来たすおそれがある。   In order to adapt a conventional semiconductor wafer to a thin semiconductor package (not shown) in the back grinding process, the back surface is back grinded and supported on the adhesive tape of the carrier jig in the dicing process, and then the individual semiconductor chips are formed with a dicing blade. By separating, a large number of semiconductor chips are formed (see Patent Documents 1, 2, 3, and 4). In the semiconductor wafer back grinding process, the semiconductor wafer is thinly cut to a thickness of 100 μm or less, sometimes 30 to 50 μm by a rotating grindstone. However, this makes the semiconductor wafer very thin and brittle, which hinders handling and conveyance. There is a risk of coming.

係る点に鑑み、従来においては、(1)半導体ウェーハをバックグラインドする際、半導体ウェーハの周縁部を残しながらその内側領域をバックグラインドし、残存する周縁部により半導体ウェーハの剛性を確保して撓みを抑制する方法、(2)半導体ウェーハの周縁部に剛性確保リングを密着し、この剛性確保リングにより半導体ウェーハに剛性を付与して撓みを抑制防止する方法が提案されている(特許文献5参照)。   In view of this, in the past, (1) when a semiconductor wafer is back-ground, the inner region is back-ground while leaving the peripheral edge of the semiconductor wafer, and the remaining peripheral edge ensures the rigidity of the semiconductor wafer and bends. (2) A method for tightly attaching a rigidity securing ring to the peripheral edge of a semiconductor wafer and imparting rigidity to the semiconductor wafer by this rigidity securing ring to suppress and prevent bending has been proposed (see Patent Document 5). ).

特開2009‐260219号公報JP 2009-260219 A 特開2009‐164476号公報JP 2009-164476 A 特開2005‐191039号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-191039 特許第4239974号公報Japanese Patent No. 4239974 特開2011‐159864号公報JP 2011-159864 A

しかしながら、(1)の方法を採用する場合には、半導体ウェーハの強度を向上させて反りを低減することができるものの、半導体ウェーハの周縁部を残存させるため、専用の装置が必要になり、製造設備やコストの削減を図ることができないという問題が新たに生じることとなる。   However, when the method (1) is adopted, the strength of the semiconductor wafer can be improved and the warpage can be reduced. There will be a new problem that equipment and costs cannot be reduced.

また、(2)の方法の場合には、(1)の問題を解決することができ、実に便利ではあるが、剛性確保リングが剛性付与を重視して製造されているので、半導体ウェーハの周縁部から密着状態の剛性確保リングを取り外す作業が予想外に困難で、作業の遅延や煩雑化を招く事態が考えられる。さらに、半導体ウェーハの周縁部から剛性確保リングを取り外す場合、専用の剥離装置を使用して自動的・画一的に処理することが望ましいが、そのような剥離装置は何ら存在せず、既存の装置の流用も困難である。   In the case of the method (2), although the problem (1) can be solved and it is very convenient, the rigidity securing ring is manufactured with an emphasis on imparting rigidity. It is unexpectedly difficult to remove the rigid securing ring in the close contact state from the part, and there may be a situation in which the work is delayed or complicated. Furthermore, when removing the rigidity securing ring from the peripheral edge of the semiconductor wafer, it is desirable to perform processing automatically and uniformly using a dedicated peeling device. However, there is no such peeling device. It is difficult to divert the equipment.

本発明は上記に鑑みなされたもので、半導体ウェーハの剛性を向上させ、製造設備やコストの削減を図ることができ、しかも、半導体ウェーハの周縁部から半導体ウェーハ用治具を自動的に取り外すことのできる半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above, and can improve the rigidity of the semiconductor wafer, reduce the manufacturing equipment and cost, and automatically remove the semiconductor wafer jig from the peripheral portion of the semiconductor wafer. An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer jig peeling apparatus and a semiconductor wafer handling method.

本発明においては上記課題を解決するため、半導体ウェーハに剥離可能に粘着して剛性を付与する半導体ウェーハ用治具と、この半導体ウェーハ用治具を剥離する剥離装置とを備えた装置であって、
半導体ウェーハ用治具は、半導体ウェーハの片面周縁部に対向するエンドレスの基材層と、この基材層の対向面に設けられて半導体ウェーハの片面周縁部に剥離可能に粘着する粘着層とを含み、基材層の対向面の大部分に粘着層を積層し、対向面の残部を粘着層の存在しない剥離契機部に形成し、
剥離装置は、半導体ウェーハの片面周縁部に粘着した半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に貫通端子を挿入するスライド機構と、半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から突出した貫通端子の突出部を保持して引き上げる保持機構とを含んでなることを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is an apparatus comprising a semiconductor wafer jig that removably adheres to a semiconductor wafer to give rigidity, and a peeling device that peels the semiconductor wafer jig. ,
The semiconductor wafer jig includes an endless base material layer facing the peripheral edge of one surface of the semiconductor wafer, and an adhesive layer that is provided on the opposing surface of the base material layer and adheres detachably to the peripheral surface of the one surface of the semiconductor wafer. Including, laminating the adhesive layer on most of the opposing surface of the base material layer, and forming the remainder of the opposing surface in a peeling trigger part where the adhesive layer does not exist,
The peeling device includes a slide mechanism that inserts a through terminal into a peeling trigger part of a semiconductor wafer jig adhered to a peripheral edge of one surface of a semiconductor wafer, and a protruding part of a through terminal protruding from the peeling trigger part of the semiconductor wafer jig. And a holding mechanism for holding and pulling up.

なお、剥離契機部を、基材層の対向面残部と粘着層の端部との間に区画形成することができる。
また、粘着層を略C字形に形成し、この粘着層の両端部を対向面の残部を介して対向させることができる。
また、粘着層を複数に分割し、これら複数の粘着層の両端部を対向面の残部を介して対向させることもできる。
In addition, a peeling opportunity part can be dividedly formed between the opposing surface remaining part of a base material layer, and the edge part of an adhesion layer.
Moreover, an adhesion layer can be formed in a substantially C shape, and the both ends of this adhesion layer can be made to oppose through the remainder of an opposing surface.
Moreover, an adhesive layer can be divided | segmented into plurality and the both ends of these some adhesive layers can also be made to oppose through the remainder of an opposing surface.

また、剥離装置は、半導体ウェーハに接近する場合には下方向に回転し、半導体ウェーハから離隔する場合には上方向に回転するアームを含み、
スライド機構は、アームに設置される第一のアクチュエータと、この第一のアクチュエータに接続されて半導体ウェーハの片面に対向可能なスライド子と、このスライド子に支持されて半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に対向可能な可撓性の貫通端子とを含み、半導体ウェーハにアームが接近した場合に第一のアクチュエータを駆動し、半導体ウェーハ片面の幅方向内側から外側にかけてスライド子をスライドさせることができる。
Further, the peeling device includes an arm that rotates downward when approaching the semiconductor wafer and rotates upward when separated from the semiconductor wafer,
The slide mechanism includes a first actuator installed on the arm, a slide connected to the first actuator and capable of facing one side of the semiconductor wafer, and a semiconductor wafer jig peeled off supported by the slide. A flexible through-terminal that can face the trigger part, and when the arm approaches the semiconductor wafer, the first actuator is driven to slide the slider from the inner side to the outer side in the width direction of one side of the semiconductor wafer. it can.

また、保持機構は、半導体ウェーハにアームが接近した場合にアームから下方向に指向する支柱と、この支柱に沿って昇降する第二のアクチュエータと、この第二のアクチュエータに取り付けられて半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から突出した貫通端子の突出部に挟持部を対向させるブラケットと、このブラケットに設置される第三のアクチュエータと、この第三のアクチュエータの駆動により、ブラケットの挟持部との間に貫通端子の突出部を挟む挟持子とを含むことが好ましい。   In addition, the holding mechanism includes a support that is directed downward from the arm when the arm approaches the semiconductor wafer, a second actuator that moves up and down along the support, and a semiconductor actuator that is attached to the second actuator. A bracket that makes the clamping part face the protruding part of the penetrating terminal protruding from the peeling trigger part of the jig, a third actuator installed in the bracket, and a driving part of the third actuator, It is preferable to include a sandwiching element that sandwiches the protruding portion of the penetrating terminal therebetween.

また、第一、第三のアクチュエータをそれぞれエアシリンダとし、第一のエアシリンダをアームに横向きに設置してそのピストンロッドを保持機構方向に向け、この第一のエアシリンダのピストンロッドに、半導体ウェーハの片面に上方から隙間を介して対向するスライド子を接続し、第三のエアシリンダをブラケットに縦向きに設置してそのピストンロッドをブラケットの挟持部方向に向け、この第三のエアシリンダのピストンロッドに、ブラケットの挟持部に上方から対向する挟持子を接続することが可能である。   In addition, each of the first and third actuators is an air cylinder, the first air cylinder is installed sideways on the arm, and its piston rod is directed toward the holding mechanism. The piston rod of this first air cylinder is connected to the semiconductor Connect the opposite slider to the one side of the wafer via a gap from above, install the third air cylinder vertically on the bracket, and point the piston rod toward the clamping part of the bracket. It is possible to connect a holding element facing the holding part of the bracket from above to the piston rod.

また、本発明においては上記課題を解決するため、半導体ウェーハに半導体ウェーハ用治具を剥離可能に粘着し、半導体ウェーハに所定の処理を施した後、半導体ウェーハ用治具を剥離する半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
半導体ウェーハ用治具は、半導体ウェーハの片面周縁部に対向するエンドレスの基材層と、この基材層の対向面に設けられて半導体ウェーハの片面周縁部に剥離可能に粘着する粘着層とを含み、基材層の対向面の大部分に粘着層を積層し、対向面の残部を粘着層の存在しない剥離契機部に形成し、
半導体ウェーハ用治具を、請求項1ないし4いずれかに記載の半導体ウェーハ用治具の剥離装置により剥離することを特徴としている。
Further, in the present invention, in order to solve the above problems, a semiconductor wafer jig is peelably adhered to a semiconductor wafer, and after the semiconductor wafer is subjected to a predetermined treatment, the semiconductor wafer jig is peeled off. A handling method,
The semiconductor wafer jig includes an endless base material layer facing the peripheral edge of one surface of the semiconductor wafer, and an adhesive layer that is provided on the opposing surface of the base material layer and adheres detachably to the peripheral surface of the one surface of the semiconductor wafer. Including, laminating the adhesive layer on most of the opposing surface of the base material layer, and forming the remainder of the opposing surface in a peeling trigger part where the adhesive layer does not exist,
The semiconductor wafer jig is peeled off by the semiconductor wafer jig peeling device according to any one of claims 1 to 4.

ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハは、φ150、200、300、450mmタイプ等やその一部を特に問うものではない。この半導体ウェーハの片面は、半導体ウェーハの表面でも良いし、裏面でも良い。また、基材層と粘着層とは、同じ厚さや幅でも良いし、異なる厚さ・幅でも良い。これら基材層と粘着層とは、一体成形しても良いし、別々に形成することもできる。基材層は、主にリング形に形成されるが、半導体ウェーハの周縁部にフラットなオリフラが形成されている場合には、半導体ウェーハの周縁部に沿う形状に形成される。   Here, the semiconductor wafer in the claims is not particularly limited to the φ150, 200, 300, 450 mm type or the like. One side of the semiconductor wafer may be the front surface or the back surface of the semiconductor wafer. The base material layer and the adhesive layer may have the same thickness or width, or may have different thicknesses and widths. The base material layer and the adhesive layer may be formed integrally or separately. The base material layer is mainly formed in a ring shape, but when a flat orientation flat is formed on the peripheral edge of the semiconductor wafer, the base material layer is formed in a shape along the peripheral edge of the semiconductor wafer.

基材層は、透明、不透明、半透明、着色、可撓性の有無を特に問うものではない。粘着層や剥離契機部は、単数複数を問うものではない。また、剥離装置には、半導体ウェーハを着脱自在に保持する吸着テーブルを備えることができる。この剥離装置のスライド機構と保持機構とは、カム機構、リンク機構、各種の歯車機構や螺子機構、モータ、シリンダ等を用いて作動させることができる。保持機構の挟持部と挟持子の相対向する対向面には、弱粘着性をそれぞれ付与することが可能である。さらに、半導体ウェーハに施す所定の処理には、少なくともストレスリリーフ、PVD、CVD、バックグラインド、ダイシング等が該当する。   The base material layer does not particularly ask whether transparent, opaque, translucent, colored, or flexible. The adhesive layer and the peeling trigger part do not ask a plurality. Further, the peeling apparatus can be provided with a suction table that detachably holds the semiconductor wafer. The slide mechanism and holding mechanism of the peeling device can be operated using a cam mechanism, a link mechanism, various gear mechanisms, a screw mechanism, a motor, a cylinder, and the like. Weak adhesion can be imparted to opposing surfaces of the holding mechanism and the holding element which face each other. Furthermore, the predetermined processing applied to the semiconductor wafer corresponds to at least stress relief, PVD, CVD, back grinding, dicing, and the like.

本発明によれば、半導体ウェーハの片面から半導体ウェーハ用治具を剥離装置で剥離する場合には、半導体ウェーハの片面にスライド機構の貫通端子が接近して対向し、半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に貫通端子が内側から挿入されて貫通し、この貫通端子が半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から突出する。こうして半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から貫通端子の突出部が突出すると、保持機構が貫通端子の突出部を挟んで上昇し、貫通端子が引き上げられて半導体ウェーハから半導体ウェーハ用治具の剥離契機部等を部分的に剥離し、その後、半導体ウェーハから半導体ウェーハ用治具が完全に剥離される。   According to the present invention, when the semiconductor wafer jig is peeled off from one side of the semiconductor wafer by the peeling device, the through terminal of the slide mechanism approaches and faces the one side of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer jig is peeled off. A penetration terminal is inserted into the trigger part from the inside and penetrates, and the penetration terminal protrudes from the peeling trigger part of the semiconductor wafer jig. When the protruding portion of the through terminal protrudes from the peeling trigger portion of the semiconductor wafer jig, the holding mechanism rises across the protruding portion of the through terminal, and the through terminal is pulled up to peel the semiconductor wafer jig from the semiconductor wafer. The trigger part and the like are partially peeled, and then the semiconductor wafer jig is completely peeled from the semiconductor wafer.

本発明によれば、半導体ウェーハの剛性を向上させ、製造設備やコストの削減を図ることができ、しかも、半導体ウェーハの周縁部から半導体ウェーハ用治具を自動的に取り外すことができるという効果がある。   According to the present invention, the rigidity of a semiconductor wafer can be improved, manufacturing equipment and cost can be reduced, and the semiconductor wafer jig can be automatically removed from the peripheral portion of the semiconductor wafer. is there.

また、請求項2記載の発明によれば、アームにスライド機構と保持機構とを設置すれば、半導体ウェーハに対し、スライド機構と保持機構とを一括して接近させたり、引き離したりすることができる。また、半導体ウェーハにアームが接近すると、第一のアクチュエータが駆動してスライド子を半導体ウェーハ片面の内方向から外方向にかけてスライドさせるので、半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に貫通端子を挿入し、この貫通端子の突出部を半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から外部に突出させて剥離作業の便宜を図ることができる。   According to the second aspect of the present invention, if the slide mechanism and the holding mechanism are installed on the arm, the slide mechanism and the holding mechanism can be brought close to each other and separated from the semiconductor wafer. . In addition, when the arm approaches the semiconductor wafer, the first actuator is driven to slide the slider from the inside to the outside of one side of the semiconductor wafer, so a through terminal is inserted into the peeling trigger part of the semiconductor wafer jig. The projecting portion of the penetrating terminal can be projected outward from the peeling trigger portion of the semiconductor wafer jig to facilitate the peeling operation.

また、請求項3記載の発明によれば、保持機構の第三のアクチュエータが駆動し、挟持子がスライド機構の貫通端子をブラケットの挟持部との間に挟持し、第二のアクチュエータが上昇して拘束した貫通端子を引き上げるので、半導体ウェーハから半導体ウェーハ用治具の剥離契機部やその周辺を部分的に剥離した後、半導体ウェーハから半導体ウェーハ用治具を自動的に剥離することができる。   According to the third aspect of the present invention, the third actuator of the holding mechanism is driven, and the clamper clamps the penetrating terminal of the slide mechanism with the clamping part of the bracket, and the second actuator is raised. Since the through terminals restrained in this manner are pulled up, the semiconductor wafer jig can be automatically peeled from the semiconductor wafer after the peeling trigger part of the semiconductor wafer jig and its periphery are partially peeled from the semiconductor wafer.

さらに、請求項4記載の発明によれば、第一、第三のアクチュエータをそれぞれエアシリンダとするので、出力を簡単に調整したり、スライドや挟持に関する速度を無段階に調整することができ、高速作動も実現できる。また、装置周辺の温度や湿度等の影響が少なく、剥離機構を簡素化することもでき、しかも、半導体ウェーハ周辺の環境汚染の低減を図ることも可能となる。   Furthermore, according to the invention of claim 4, since each of the first and third actuators is an air cylinder, the output can be easily adjusted, and the speed relating to sliding and clamping can be adjusted steplessly. High-speed operation can also be realized. In addition, the influence of the temperature and humidity around the apparatus is small, the peeling mechanism can be simplified, and environmental pollution around the semiconductor wafer can be reduced.

本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態を模式的に示す全体説明図である。1 is an overall explanatory view schematically showing an embodiment of a semiconductor wafer jig peeling apparatus and a semiconductor wafer handling method according to the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における半導体ウェーハと半導体ウェーハ用治具との関係を模式的に示す斜視説明図である。It is a perspective explanatory view showing typically the relation between the semiconductor wafer and the semiconductor wafer jig in the embodiment of the semiconductor wafer jig peeling apparatus and the semiconductor wafer handling method according to the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における半導体ウェーハと半導体ウェーハ用治具との関係を模式的に示す正面説明図である。It is front explanatory drawing which shows typically the relationship between the semiconductor wafer and the jig | tool for semiconductor wafers in embodiment of the peeling apparatus of the jig | tool for semiconductor wafers concerning this invention, and the handling method of a semiconductor wafer. 本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における半導体ウェーハ用治具を模式的に示す裏面説明図である。It is a back surface explanatory view showing typically the semiconductor wafer jig in the embodiment of the semiconductor wafer jig peeling device and the semiconductor wafer handling method according to the present invention. 本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置の実施形態における保持機構を模式的に示す要部説明図である。It is principal part explanatory drawing which shows typically the holding mechanism in embodiment of the peeling apparatus of the jig | tool for semiconductor wafers concerning this invention.

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハ用治具の剥離装置は、図1ないし図5に示すように、薄い半導体ウェーハ1に剥離可能に粘着して剛性を付与する半導体ウェーハ用治具10と、この粘着した半導体ウェーハ用治具10を自動的に剥離する剥離装置30とを備えるようにしている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. A semiconductor wafer jig peeling apparatus in this embodiment adheres to a thin semiconductor wafer 1 in a peelable manner as shown in FIGS. The semiconductor wafer jig 10 for providing rigidity and the peeling device 30 for automatically peeling the adhered semiconductor wafer jig 10 are provided.

半導体ウェーハ1は、図1ないし図3に示すように、例えばφ200mmの平面円形のシリコンウェーハからなり、表面に回路パターンが形成されており、裏面が図示しない汎用のバックグラインド装置でバックグラインドされることにより、100μm以下の厚さに薄化される。この半導体ウェーハ1は、周縁部に、結晶方向の判別や整列を容易にする平面略半円形あるいはV字形のノッチ2が切り欠かれ、裏面がバックグラインド処理され、真空ポンプ21に接続された多孔質の吸着テーブル20に水平に吸着保持された後、半導体ウェーハ用治具10が剥離される。   As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor wafer 1 is made of, for example, a planar circular silicon wafer having a diameter of 200 mm, a circuit pattern is formed on the surface, and the back surface is back-ground by a general-purpose back-grinding device (not shown). Thus, the thickness is reduced to 100 μm or less. This semiconductor wafer 1 has a substantially semi-circular or V-shaped notch 2 for facilitating discrimination and alignment of the crystal direction at the peripheral edge, a back grind treatment on the back surface, and a porous hole connected to a vacuum pump 21. The semiconductor wafer jig 10 is peeled after being horizontally sucked and held on the quality suction table 20.

半導体ウェーハ用治具10は、図1ないし図4に示すように、薄い半導体ウェーハ1に対向する基材層11と、この基材層11の対向面13に積層されて半導体ウェーハ1の裏面周縁部に粘着する一対の粘着層15とを二層構造に備え、基材層11の対向面13の大部分に一対の粘着層15が積層され、対向面13の大部分以外の残部14が非粘着を有する一対の剥離契機部16に形成される。基材層11と一対の粘着層15とは、基材層11と各粘着層15とが同じ幅に形成されたり、基材層11の幅が各粘着層15の幅よりもやや広く形成される。   As shown in FIGS. 1 to 4, the semiconductor wafer jig 10 is laminated on the base layer 11 facing the thin semiconductor wafer 1 and the facing surface 13 of the base layer 11, and the back surface periphery of the semiconductor wafer 1. A pair of adhesive layers 15 that adhere to the two portions are provided in a two-layer structure, the pair of adhesive layers 15 are laminated on most of the facing surface 13 of the base material layer 11, and the remaining portion 14 other than most of the facing surface 13 is not It forms in a pair of peeling trigger part 16 which has adhesion. The base material layer 11 and the pair of adhesive layers 15 are formed so that the base material layer 11 and each adhesive layer 15 have the same width, or the width of the base material layer 11 is slightly wider than the width of each adhesive layer 15. The

基材層11は、所定の材料により薄い平面リング形に形成され、加工時に半導体ウェーハ1を位置決め固定する複数の固定孔12が周方向に所定の間隔で穿孔されており、半導体ウェーハ1の裏面周縁部に対向する。この基材層11の材料としては、特に限定されるものではないが、例えばシリコン、ガラスエポキシ樹脂やガラスクロス複合材、カーボン繊維強化プラスチック、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、金属(アルミニウム、SUS、タングステン、鉄‐ニッケル合金(42アロイ等))、その他の合金等があげられる。   The base material layer 11 is formed in a thin planar ring shape with a predetermined material, and a plurality of fixing holes 12 for positioning and fixing the semiconductor wafer 1 during processing are formed at predetermined intervals in the circumferential direction. Opposite the periphery. The material of the base material layer 11 is not particularly limited. For example, silicon, glass epoxy resin, glass cloth composite material, carbon fiber reinforced plastic, liquid crystal polymer, polyether ether ketone, polyether imide, polyimide, Examples include metals (aluminum, SUS, tungsten, iron-nickel alloys (42 alloy, etc.)), other alloys, and the like.

基材層11は、半導体ウェーハ1と同径か、あるいは僅かに拡径に形成される。基材層11は、半導体ウェーハ1と同径の場合には、外周縁が半導体ウェーハ1の周縁部に整合するよう揃えられ、半導体ウェーハ1よりも僅かに拡径の場合には、外周縁が半導体ウェーハ1の裏面周縁部から3mm以内で外側の箇所に沿うよう対向する。基材層11が半導体ウェーハ1よりも僅かに拡径に形成される場合、薄く削られて脆くなった半導体ウェーハ1の周縁部を有効に保護し、後のハンドリングや搬送の円滑化を図ることができる。   The base material layer 11 is formed to have the same diameter as the semiconductor wafer 1 or a slightly larger diameter. When the base layer 11 has the same diameter as the semiconductor wafer 1, the outer peripheral edge is aligned with the peripheral edge of the semiconductor wafer 1, and when the diameter is slightly larger than the semiconductor wafer 1, the outer peripheral edge is The semiconductor wafer 1 is opposed so as to follow the outer portion within 3 mm from the peripheral edge of the back surface. When the base material layer 11 is formed to have a diameter slightly larger than that of the semiconductor wafer 1, the peripheral edge of the semiconductor wafer 1 that has been thinly cut and becomes brittle is effectively protected, and subsequent handling and transportation are facilitated. Can do.

一対の粘着層15は、弱粘着性を有する所定の材料により厚さ200μm以下(例えば、100μm程度)の薄い平面略半円弧形にそれぞれ形成され、半導体ウェーハ1の裏面周縁部に対向する基材層11の平坦な対向面13に積層粘着されており、半導体ウェーハ1の裏面周縁部に着脱自在に粘着する。   The pair of adhesive layers 15 are each formed in a thin planar substantially semicircular arc shape having a thickness of 200 μm or less (for example, about 100 μm) with a predetermined material having weak adhesiveness, and are opposed to the rear peripheral edge of the semiconductor wafer 1. It is laminated and adhered to the flat facing surface 13 of the material layer 11 and detachably adhered to the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1.

各粘着層15の材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、60℃程度で剥離強度が低下し、しかも、耐熱性等に優れるシリコーンゴムやフッ素ゴム等の粘着剤があげられる。各粘着層15の半導体ウェーハ1の裏面周縁部に粘着する粘着面は、必要に応じ、金型による転写法やフィラーの添加等により粗く形成することができる。   The material of each pressure-sensitive adhesive layer 15 is not particularly limited, and examples thereof include pressure-sensitive adhesives such as silicone rubber and fluororubber, which have a peel strength that decreases at about 60 ° C. and is excellent in heat resistance. The pressure-sensitive adhesive surface that adheres to the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1 of each pressure-sensitive adhesive layer 15 can be roughly formed by a transfer method using a mold, addition of a filler, or the like as necessary.

係る粘着面の平均表面粗さ(算術表面粗さ)Raは、半導体ウェーハ1に対する位置決め作業の容易化や確実な粘着を図るため、0.5〜5μmの範囲であることが好ましい。このような一対の粘着層15は、基材層11の対向面13の大部分に積層粘着され、両端部が対向面13の大部分以外の残部14において隙間を介し対向する。   The average surface roughness (arithmetic surface roughness) Ra of the pressure-sensitive adhesive surface is preferably in the range of 0.5 to 5 μm in order to facilitate the positioning operation with respect to the semiconductor wafer 1 and ensure reliable adhesion. Such a pair of adhesive layers 15 is laminated and adhered to most of the facing surface 13 of the base material layer 11, and both end portions face each other through a gap in the remaining portion 14 other than most of the facing surface 13.

各剥離契機部16は、図3や図4に示すように、対向面13の残部14と一対の粘着層15の両端部との間に空隙として区画形成され、半導体ウェーハ1から粘着した半導体ウェーハ用治具10を剥離する際のきっかけとなる。各剥離契機部16には、基材層11の固定孔12が作業用の目印として選択的に位置する。   As shown in FIG. 3 and FIG. 4, each peeling trigger part 16 is partitioned and formed as a gap between the remaining part 14 of the facing surface 13 and both ends of the pair of adhesive layers 15, and adheres from the semiconductor wafer 1. This is a trigger when the jig 10 is peeled off. In each peeling trigger part 16, the fixing hole 12 of the base material layer 11 is selectively positioned as a working mark.

剥離装置30は、図1や図5に示すように、吸着テーブル20にセットされた半導体ウェーハ1に対して接近あるいは離隔する上下方向に揺動可能なアーム31と、固定された半導体ウェーハ1にアーム31が接近した場合に半導体ウェーハ1の裏面周縁部に粘着した半導体ウェーハ用治具10の一方の剥離契機部16に貫通端子39を挿通するスライド機構34と、一方の剥離契機部16から突出した貫通端子39を挟持して引き上げる保持機構40とを備えて構成される。   As shown in FIG. 1 and FIG. 5, the peeling device 30 includes an arm 31 that can be moved up and down to approach or separate from the semiconductor wafer 1 set on the suction table 20, and a fixed semiconductor wafer 1. When the arm 31 approaches, the slide mechanism 34 for inserting the through-terminal 39 into one peeling trigger part 16 of the semiconductor wafer jig 10 adhered to the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1 and the one protruding trigger part 16 project from the one peeling trigger part 16 And a holding mechanism 40 that holds and pulls up the penetrating terminal 39.

剥離装置30のアーム31は、図1に示すように、例えば倒L字形に屈曲形成されてその短辺部32が吸着テーブル20の近傍に隣接して回転可能に軸支され、長辺部33が吸着テーブル20の上方に空間をおいて位置しており、半導体ウェーハ1に接近する場合には下方向に揺動するとともに、半導体ウェーハ1から離隔(離れ隔てる)する場合には上方向の基準位置に揺動復帰する。   As shown in FIG. 1, the arm 31 of the peeling device 30 is bent, for example, in an inverted L shape, and its short side portion 32 is rotatably supported adjacent to the vicinity of the suction table 20, and the long side portion 33. Is positioned above the suction table 20 and swings downward when approaching the semiconductor wafer 1, and upward reference when separating from the semiconductor wafer 1. Swing back to position.

アーム31は、少なくとも上下方向に回転可能に軸支され、必要に応じ、横方向(例えば、図1の奥方向)にスライド可能、あるいは回転可能に軸支される。アーム31の長辺部33中央付近にはスライド機構34が設置され、アーム31の長辺部33先端付近には保持機構40が設置される。   The arm 31 is pivotally supported so as to be rotatable at least in the vertical direction, and is supported so as to be slidable or rotatable in the lateral direction (for example, the back direction in FIG. 1) as necessary. A slide mechanism 34 is installed near the center of the long side 33 of the arm 31, and a holding mechanism 40 is installed near the tip of the long side 33 of the arm 31.

スライド機構34は、図1に示すように、アーム31に設置されるスライド用エアシリンダ35と、このスライド用エアシリンダ35に接続されて半導体ウェーハ1の裏面に対向可能なスライド子38と、このスライド子38に支持される貫通端子39とを備えて構成される。   As shown in FIG. 1, the slide mechanism 34 includes a slide air cylinder 35 installed on the arm 31, a slide 38 connected to the slide air cylinder 35 and capable of facing the back surface of the semiconductor wafer 1, A through terminal 39 supported by the slider 38 is provided.

スライド用エアシリンダ35は、アーム31の長辺部33中央下面付近に横向きに設置されてその往復動可能なピストンロッド36を保持機構40方向に向け、ピストンロッド36の先端部にL字形の取付具37が装着されており、この取付具37の下部には、半導体ウェーハ1の裏面に上方から僅かな隙間を介して対向するスライド子38が接続される。   The sliding air cylinder 35 is installed in the lateral direction near the lower surface of the center of the long side portion 33 of the arm 31, and the reciprocating piston rod 36 is directed toward the holding mechanism 40. A tool 37 is mounted, and a slider 38 facing the back surface of the semiconductor wafer 1 from above via a slight gap is connected to the lower part of the mounting tool 37.

スライド子38は、例えばブロック形に形成され、下面に可撓性を有する貫通端子39が水平に支持されており、この貫通端子39が半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16に内周面側から対向する。貫通端子39は、例えば粘着層15よりも薄い屈曲可能な板バネ等により細長い平坦な舌片に形成され、半導体ウェーハ用治具10の半径内方向から外方向に向けて剥離契機部16を水平に貫通する。   The slider 38 is formed in a block shape, for example, and a flexible through terminal 39 is horizontally supported on the lower surface, and the through terminal 39 is connected to the peeling trigger portion 16 of the semiconductor wafer jig 10 on the inner peripheral surface. Opposite from the side. The through terminal 39 is formed in a long and slender flat tongue piece by a bendable leaf spring or the like that is thinner than the adhesive layer 15, for example. To penetrate.

保持機構40は、図1や図5に示すように、半導体ウェーハ1にアーム31が接近した場合にアーム31から下方向に伸びて吸着テーブル20に隣接する支柱41と、この支柱41に沿って昇降するアクチュエータ43と、このアクチュエータ43に装着されるブラケット45と、このブラケット45に設置されるチャック用エアシリンダ48と、このチャック用エアシリンダ48の駆動により、ブラケット45の挟持部47との間に貫通端子39の突出部である先端を挟持する挟持子50とを備えて構成される。   As shown in FIGS. 1 and 5, the holding mechanism 40 includes a support column 41 that extends downward from the arm 31 and is adjacent to the suction table 20 when the arm 31 approaches the semiconductor wafer 1. An actuator 43 that moves up and down, a bracket 45 attached to the actuator 43, a chuck air cylinder 48 installed in the bracket 45, and the chucking air cylinder 48 are driven between the clamping portion 47 of the bracket 45. And a pinching element 50 for pinching the tip, which is a protruding portion of the through terminal 39.

支柱41は、アーム31の長辺部33先端から下方向に伸長され、下側部に支持板42が吸着テーブル20方向に向けて張り出し形成されており、この支持板42とアーム31の長辺部33との間にアクチュエータ43が配設される。アクチュエータ43は、例えば支持板42とアーム31の長辺部33との間に縦に軸架されるボールネジ44を備え、この固定されたボールネジ44に図示しないナットが回転可能に螺嵌されており、このナットが中空モータ等の駆動で回転することにより、支柱41の上下長手方向に沿って昇降するよう機能する。   The support column 41 extends downward from the distal end of the long side portion 33 of the arm 31, and a support plate 42 projects from the lower side toward the suction table 20, and the long side of the support plate 42 and the arm 31 is formed. An actuator 43 is disposed between the unit 33 and the actuator 33. The actuator 43 includes, for example, a ball screw 44 that is vertically supported between the support plate 42 and the long side portion 33 of the arm 31, and a nut (not shown) is rotatably fitted to the fixed ball screw 44. The nut functions by moving up and down along the vertical direction of the column 41 by rotating with a drive of a hollow motor or the like.

ブラケット45は、例えばL字形に屈曲形成されてその長辺部46がアクチュエータ43に装着され、下方の短辺部が吸着テーブル20方向に向けて張り出しており、この短辺部が挟持部47を形成して半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16から突出した貫通端子39の先端に下方から対向する。   The bracket 45 is bent, for example, in an L shape, and its long side portion 46 is attached to the actuator 43, and the lower short side portion projects toward the suction table 20, and this short side portion defines the clamping portion 47. The tip of the penetrating terminal 39 that is formed and protrudes from the peeling trigger part 16 of the semiconductor wafer jig 10 faces from below.

ブラケット45の長辺部46には、必要に応じ、図示しない複数のガイドバーがスライド可能に挿通され、このガイドバーがアーム31の長辺部33と支柱41の支持板42との間に縦に軸架される。また、挟持部47の貫通端子39に対向する対向面には、弱粘着性を有するゴムシートや粘着シート等が必要に応じて積層される。   If necessary, a plurality of guide bars (not shown) are slidably inserted into the long side portion 46 of the bracket 45, and the guide bars are vertically disposed between the long side portion 33 of the arm 31 and the support plate 42 of the support column 41. It is pivoted on. Further, a rubber sheet, an adhesive sheet, or the like having weak adhesiveness is laminated on the facing surface of the sandwiching portion 47 facing the through terminal 39 as necessary.

チャック用エアシリンダ48は、ブラケット45の長辺部46に縦向きに設置されてその往復動可能なピストンロッド49をブラケット45の挟持部47方向に向け、ピストンロッド49の先端部に、ブラケット45の挟持部47に上方から対向する挟持子50が接続される。この挟持子50は、各種形状の平坦な板等に形成され、挟持部47に対向する対向面に、弱粘着性のゴムシートや粘着シート等が必要に応じて積層される。   The chucking air cylinder 48 is installed vertically on the long side portion 46 of the bracket 45, and the reciprocating piston rod 49 is directed toward the clamping portion 47 of the bracket 45. The sandwiching element 50 facing from above is connected to the sandwiching part 47. The sandwiching element 50 is formed on a flat plate or the like of various shapes, and a weak adhesive rubber sheet, an adhesive sheet, or the like is laminated on an opposing surface facing the sandwiching portion 47 as necessary.

上記構成において、バックグラインドされた厚さ100μm以下の薄い半導体ウェーハ1に剛性を付与する場合には、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ1の裏面を上面とし、この半導体ウェーハ1の裏面周縁部に半導体ウェーハ用治具10の粘着層15をローラ等により加圧して隙間なく着脱自在に粘着する(図2参照)。この際、半導体ウェーハ1の周縁部に半導体ウェーハ用治具10の外周縁を位置決めし、半導体ウェーハ1のノッチ2に半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16を対向させることができる。   In the above configuration, when rigidity is given to the back-ground thin semiconductor wafer 1 having a thickness of 100 μm or less, the back surface of the thin semiconductor wafer 1 that has been back-ground is used as the upper surface, and the semiconductor is formed on the periphery of the back surface of the semiconductor wafer 1. The pressure-sensitive adhesive layer 15 of the wafer jig 10 is pressed by a roller or the like and is detachably adhered without a gap (see FIG. 2). At this time, the outer peripheral edge of the semiconductor wafer jig 10 can be positioned on the peripheral edge of the semiconductor wafer 1, and the peeling trigger part 16 of the semiconductor wafer jig 10 can be opposed to the notch 2 of the semiconductor wafer 1.

次に、半導体ウェーハ1の裏面周縁部から半導体ウェーハ用治具10を剥離装置30で剥離したい場合には、先ず、剥離装置30のアーム31が基準位置から下方向に揺動してその長辺部33を半導体ウェーハ1に上方から接近させ、半導体ウェーハ用治具10に包囲された半導体ウェーハ1の裏面にスライド機構34のスライド子38と貫通端子39とを僅かな隙間を介して対向させる(図1参照)。   Next, when the semiconductor wafer jig 10 is to be peeled off from the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1 with the peeling device 30, first, the arm 31 of the peeling device 30 swings downward from the reference position and its long side The portion 33 is brought close to the semiconductor wafer 1 from above, and the slider 38 and the through terminal 39 of the slide mechanism 34 are opposed to the back surface of the semiconductor wafer 1 surrounded by the semiconductor wafer jig 10 with a slight gap ( (See FIG. 1).

この際、スライド機構34のスライド子38と貫通端子39とは、半導体ウェーハ1裏面の中心部と半導体ウェーハ用治具10との間に位置し、貫通端子39が半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16に隙間をおいた状態で対峙する。   At this time, the slider 38 and the through terminal 39 of the slide mechanism 34 are located between the center of the back surface of the semiconductor wafer 1 and the semiconductor wafer jig 10, and the through terminal 39 peels off the semiconductor wafer jig 10. Face the opportunity 16 with a gap.

また、保持機構40は、吸着テーブル20の横方向に位置し、ブラケット45の挟持部47と挟持子50とが空隙をおいて対向し、この空隙が剥離契機部16の延長線上に位置する。剥離契機部16の延長線上にブラケット45の挟持部47と挟持子50との空隙が適切に対向しない場合には、図示しないセンサの検出により、保持機構40のアクチュエータ43が駆動して昇降し、ブラケット45の位置が微調整される。   The holding mechanism 40 is positioned in the lateral direction of the suction table 20, and the holding portion 47 and the holding element 50 of the bracket 45 are opposed to each other with a gap, and this gap is located on the extension line of the peeling trigger portion 16. When the gap between the holding part 47 and the holding element 50 of the bracket 45 is not properly opposed to the extension line of the peeling trigger part 16, the actuator 43 of the holding mechanism 40 is driven up and down by detection of a sensor (not shown), The position of the bracket 45 is finely adjusted.

次いで、スライド用エアシリンダ35が駆動してそのピストンロッド36を水平に突出させ、スライド子38が半導体ウェーハ1裏面の半径内方向から外方向にかけて水平にスライドし、半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16に貫通端子39が徐々に挿通されて貫通する。貫通端子39の先端は、半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16から外部に突出し、ブラケット45の挟持部47と挟持子50との間に空隙を介して挟持される。   Next, the slide air cylinder 35 is driven to cause the piston rod 36 to protrude horizontally, and the slider 38 slides horizontally from the radial inner side to the outer side of the back surface of the semiconductor wafer 1 to peel off the semiconductor wafer jig 10. The penetration terminal 39 is gradually inserted into the trigger part 16 and penetrates. The tip of the through terminal 39 protrudes outside from the peeling trigger part 16 of the semiconductor wafer jig 10 and is sandwiched between the sandwiching part 47 of the bracket 45 and the sandwiching element 50 via a gap.

ブラケット45の挟持部47と挟持子50との空隙に貫通端子39が進入したのを図示しないセンサが検出すると、保持機構40のチャック用エアシリンダ48が駆動してそのピストンロッド49を下方に突出させ、挟持子50が下降して貫通端子39の先端をブラケット45の挟持部47との間に圧接挟持する(図5参照)。   When a sensor (not shown) detects that the penetrating terminal 39 has entered the gap between the holding portion 47 and the holding element 50 of the bracket 45, the chuck air cylinder 48 of the holding mechanism 40 is driven to project the piston rod 49 downward. Then, the holding element 50 is lowered and the tip of the penetrating terminal 39 is pressed and held between the holding part 47 of the bracket 45 (see FIG. 5).

次いで、アクチュエータ43が駆動してブラケット45を上昇させ、貫通端子39の先端が撓みつつ引き上げられ、剥離契機部16を区画する対向面13の残部14に貫通端子39が圧接して半導体ウェーハ1から半導体ウェーハ用治具10の剥離契機部16やその周辺を徐々に剥離する。この際、ボールネジ44に螺嵌したナットが回転してブラケット45を上昇させるので、高い送り精度を実現することができる。   Next, the actuator 43 is driven to raise the bracket 45, the tip of the penetrating terminal 39 is bent and pulled up, and the penetrating terminal 39 comes into pressure contact with the remaining portion 14 of the facing surface 13 that defines the peeling trigger part 16. The peeling trigger part 16 of the semiconductor wafer jig 10 and its periphery are gradually peeled off. At this time, the nut screwed to the ball screw 44 rotates to raise the bracket 45, so that high feed accuracy can be realized.

そしてその後、アーム31が元の上方向に揺動復帰して半導体ウェーハ1から離隔し、このアーム31の離隔に伴い、半導体ウェーハ1から半導体ウェーハ用治具10が完全に剥離されることとなる。この際、60℃程度で剥離強度が低下する粘着層15の特性を利用すれば、半導体ウェーハ用治具10の取り外しが実に容易となる。   After that, the arm 31 swings and returns to the original upward direction and is separated from the semiconductor wafer 1, and the semiconductor wafer jig 10 is completely separated from the semiconductor wafer 1 with the separation of the arm 31. . At this time, if the characteristic of the adhesive layer 15 whose peel strength decreases at about 60 ° C., the semiconductor wafer jig 10 can be easily removed.

上記構成によれば、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ1の周縁部に半導体ウェーハ用治具10を沿わせて粘着することにより、半導体ウェーハ1の強度を増大させることができるので、半導体ウェーハ1の反りや撓みを有効に抑制防止し、後のハンドリングや搬送の円滑化を図ることができる。したがって、半導体ウェーハ1の周縁部を残しながらその内側領域をバックグラインドする必要がなく、専用の装置を確実に省略することができるので、製造設備やコストの大幅な削減が期待できる。   According to the above configuration, the strength of the semiconductor wafer 1 can be increased by adhering the semiconductor wafer jig 10 along the periphery of the back-ground thin semiconductor wafer 1. Warping and bending can be effectively suppressed and prevented, and subsequent handling and transportation can be facilitated. Therefore, it is not necessary to back grind the inner region while leaving the peripheral portion of the semiconductor wafer 1, and a dedicated device can be reliably omitted, so that significant reduction in manufacturing equipment and cost can be expected.

また、剥離契機部16に障害となる粘着層15が何ら存在せず、貫通端子39の貫通を容易にする空隙のみが存在するので、半導体ウェーハ1の周縁部から密着状態の半導体ウェーハ用治具10を簡単、かつ安全に取り外すことができ、作業の遅延や煩雑化のおそれを有効に排除することができる。この効果は、半導体ウェーハ1と半導体ウェーハ用治具10とが同径の場合に実に有意義である。   Further, since there is no adhesive layer 15 that obstructs the peeling trigger part 16 and there is only a gap that facilitates the penetration of the through terminal 39, the semiconductor wafer jig that is in close contact with the peripheral edge of the semiconductor wafer 1. 10 can be removed easily and safely, and the risk of work delays and complications can be effectively eliminated. This effect is very significant when the semiconductor wafer 1 and the semiconductor wafer jig 10 have the same diameter.

また、専用の剥離装置30を使用するので、多数の半導体ウェーハ1の周縁部から半導体ウェーハ用治具10を安全を確保しながら自動的・画一的に順次取り外すことができる。また、エアシリンダを用いるので、剥離に要する出力を簡単に調整したり、速度を無段階に調整することができ、高速作動が期待できる。また、温度や湿度等の影響が少なく、機構を簡略化することもでき、環境汚染が実に少ない。   Further, since the dedicated peeling device 30 is used, the semiconductor wafer jig 10 can be automatically and uniformly removed from the peripheral portions of the semiconductor wafers 1 while ensuring safety. Moreover, since an air cylinder is used, the output required for peeling can be easily adjusted, the speed can be adjusted steplessly, and high speed operation can be expected. In addition, there is little influence of temperature, humidity, etc., the mechanism can be simplified, and environmental pollution is very low.

また、半導体ウェーハ1の裏面周縁部に半導体ウェーハ用治具10を接着剤により剥離不能に固着するのではなく、弱粘着性の粘着層15を利用して着脱自在に粘着するので、接着剤を塗布する作業が不要となり、作業の遅延や煩雑化を招くこともない。さらに、作業毎に半導体ウェーハ用治具10を廃棄することなく、再利用等することも可能となる。   In addition, the semiconductor wafer jig 10 is not fixed to the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1 with an adhesive so that it cannot be peeled off. The application | coating operation | work becomes unnecessary and it does not lead to a delay and complication of an operation | work. Furthermore, the semiconductor wafer jig 10 can be reused without being discarded for each operation.

なお、上記実施形態では半導体ウェーハ1の裏面周縁部に半導体ウェーハ用治具10の粘着層15を粘着したが、半導体ウェーハ1の表面周縁部に半導体ウェーハ用治具10の粘着層15を粘着し、半導体ウェーハ1の裏面に回路パターン等を形成しても良い。また、基材層11の残部14表面を着色したり、残部14の内周縁を切り欠いて剥離契機部16の視覚的な把握を容易にしても良い。   In the above embodiment, the adhesive layer 15 of the semiconductor wafer jig 10 is adhered to the peripheral edge of the back surface of the semiconductor wafer 1, but the adhesive layer 15 of the semiconductor wafer jig 10 is adhered to the peripheral edge of the semiconductor wafer 1. A circuit pattern or the like may be formed on the back surface of the semiconductor wafer 1. Further, the surface of the remaining portion 14 of the base material layer 11 may be colored, or the inner peripheral edge of the remaining portion 14 may be cut out to facilitate visual recognition of the peeling trigger portion 16.

また、粘着層15を複数に分割(例えば、三分割や四分割等)してこれら複数の粘着層15を隙間を介して突き合わせ、この複数の粘着層15間の隙間をそれぞれ剥離契機部16としても良い。また、剥離装置30のアーム31を上下方向に揺動可能としたが、上下方向に昇降させることができる。また、スライド用エアシリンダ35とチャック用エアシリンダ48とをそれぞれ油圧シリンダに置き換え、出力や速度制御の容易化を図ることができる。   Further, the adhesive layer 15 is divided into a plurality of parts (for example, divided into three parts, four parts, etc.), and the plurality of adhesive layers 15 are abutted via gaps. Also good. Further, although the arm 31 of the peeling device 30 can swing in the vertical direction, it can be moved up and down. Further, the slide air cylinder 35 and the chuck air cylinder 48 can be replaced with hydraulic cylinders, respectively, so that output and speed control can be facilitated.

また、上記実施形態ではスライド用エアシリンダ35の駆動によりスライド子38をスライドさせたが、ラックとピニオン、あるいはリニアモータを活用してスライド子38をスライドさせることが可能である。また、上記実施形態では保持機構40の固定のボールネジ44にナットを回転可能に嵌合させたが、ボールネジ44をモータ等の駆動で回転させることにより、保持機構40のブラケット45を昇降させることも可能である。さらに、ボールネジ44やナットの代わりに、ラックとピニオン又はリニアモータを活用して保持機構40のブラケット45を昇降させても良い。   In the above embodiment, the slide 38 is slid by driving the slide air cylinder 35. However, the slide 38 can be slid using a rack and pinion or a linear motor. In the above embodiment, the nut is rotatably fitted to the fixed ball screw 44 of the holding mechanism 40. However, the bracket 45 of the holding mechanism 40 may be moved up and down by rotating the ball screw 44 by driving a motor or the like. Is possible. Furthermore, the bracket 45 of the holding mechanism 40 may be moved up and down by using a rack and pinion or a linear motor instead of the ball screw 44 and the nut.

本発明に係る半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハの取り扱い方法は、例えば半導体製造の分野等で使用することができる。   The semiconductor wafer jig peeling apparatus and the semiconductor wafer handling method according to the present invention can be used, for example, in the field of semiconductor manufacturing.

1 半導体ウェーハ
10 半導体ウェーハ用治具
11 基材層
13 対向面
14 残部
15 粘着層
16 剥離契機部
20 吸着テーブル
30 剥離装置
31 アーム
34 スライド機構
35 スライド用エアシリンダ(第一のアクチュエータ、エアシリンダ)
36 ピストンロッド
38 スライド子
39 貫通端子
40 保持機構
41 支柱
42 支持板
43 アクチュエータ(第二のアクチュエータ)
44 ボールネジ
45 ブラケット
47 挟持部
48 チャック用エアシリンダ(第三のアクチュエータ、エアシリンダ)
49 ピストンロッド
50 挟持子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 10 Semiconductor wafer jig | tool 11 Base material layer 13 Opposing surface 14 Remaining part 15 Adhesive layer 16 Peeling trigger part 20 Suction table 30 Peeling device 31 Arm 34 Slide mechanism 35 Air cylinder for a slide (1st actuator, air cylinder)
36 piston rod 38 slider 39 penetrating terminal 40 holding mechanism 41 column 42 support plate 43 actuator (second actuator)
44 Ball screw 45 Bracket 47 Clamping part 48 Air cylinder for chuck (third actuator, air cylinder)
49 Piston rod 50

Claims (5)

半導体ウェーハに剥離可能に粘着して剛性を付与する半導体ウェーハ用治具と、この半導体ウェーハ用治具を剥離する剥離装置とを備えた半導体ウェーハ用治具の剥離装置であって、
半導体ウェーハ用治具は、半導体ウェーハの片面周縁部に対向するエンドレスの基材層と、この基材層の対向面に設けられて半導体ウェーハの片面周縁部に剥離可能に粘着する粘着層とを含み、基材層の対向面の大部分に粘着層を積層し、対向面の残部を粘着層の存在しない剥離契機部に形成し、
剥離装置は、半導体ウェーハの片面周縁部に粘着した半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に貫通端子を挿入するスライド機構と、半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から突出した貫通端子の突出部を保持して引き上げる保持機構とを含んでなることを特徴とする半導体ウェーハ用治具の剥離装置。
A semiconductor wafer jig peeling apparatus comprising a semiconductor wafer jig that attaches to a semiconductor wafer in a peelable manner to give rigidity, and a peeling device that peels the semiconductor wafer jig,
The semiconductor wafer jig includes an endless base material layer facing the peripheral edge of one surface of the semiconductor wafer, and an adhesive layer that is provided on the opposing surface of the base material layer and adheres detachably to the peripheral surface of the one surface of the semiconductor wafer. Including, laminating the adhesive layer on most of the opposing surface of the base material layer, and forming the remainder of the opposing surface in a peeling trigger part where the adhesive layer does not exist,
The peeling device includes a slide mechanism that inserts a through terminal into a peeling trigger part of a semiconductor wafer jig adhered to a peripheral edge of one surface of a semiconductor wafer, and a protruding part of a through terminal protruding from the peeling trigger part of the semiconductor wafer jig. A peeling device for a semiconductor wafer jig comprising a holding mechanism for holding and pulling up.
剥離装置は、半導体ウェーハに接近する場合には下方向に回転し、半導体ウェーハから離隔する場合には上方向に回転するアームを含み、
スライド機構は、アームに設置される第一のアクチュエータと、この第一のアクチュエータに接続されて半導体ウェーハの片面に対向可能なスライド子と、このスライド子に支持されて半導体ウェーハ用治具の剥離契機部に対向可能な可撓性の貫通端子とを含み、半導体ウェーハにアームが接近した場合に第一のアクチュエータを駆動し、半導体ウェーハ片面の幅方向内側から外側にかけてスライド子をスライドさせる請求項1記載の半導体ウェーハ用治具の剥離装置。
The peeling device includes an arm that rotates downward when approaching the semiconductor wafer and rotates upward when separated from the semiconductor wafer,
The slide mechanism includes a first actuator installed on the arm, a slide connected to the first actuator and capable of facing one side of the semiconductor wafer, and a semiconductor wafer jig peeled off supported by the slide. A flexible through-terminal that can face the trigger part, and when the arm approaches the semiconductor wafer, the first actuator is driven to slide the slider from the inner side to the outer side in the width direction of one side of the semiconductor wafer. 2. A peeling apparatus for a semiconductor wafer jig according to 1.
保持機構は、半導体ウェーハにアームが接近した場合にアームから下方向に指向する支柱と、この支柱に沿って昇降する第二のアクチュエータと、この第二のアクチュエータに取り付けられて半導体ウェーハ用治具の剥離契機部から突出した貫通端子の突出部に挟持部を対向させるブラケットと、このブラケットに設置される第三のアクチュエータと、この第三のアクチュエータの駆動により、ブラケットの挟持部との間に貫通端子の突出部を挟む挟持子とを含んでなる請求項2記載の半導体ウェーハ用治具の剥離装置。   When the arm approaches the semiconductor wafer, the holding mechanism includes a support column that is directed downward from the arm, a second actuator that moves up and down along the support column, and a semiconductor wafer jig that is attached to the second actuator. Between the bracket holding portion facing the protruding portion of the penetrating terminal protruding from the peeling trigger portion, the third actuator installed on the bracket, and the holding portion of the bracket by driving the third actuator 3. A semiconductor wafer jig peeling apparatus according to claim 2, further comprising a sandwiching element for sandwiching the protruding portion of the through terminal. 第一、第三のアクチュエータをそれぞれエアシリンダとし、第一のエアシリンダをアームに横向きに設置してそのピストンロッドを保持機構方向に向け、この第一のエアシリンダのピストンロッドに、半導体ウェーハの片面に上方から隙間を介して対向するスライド子を接続し、第三のエアシリンダをブラケットに縦向きに設置してそのピストンロッドをブラケットの挟持部方向に向け、この第三のエアシリンダのピストンロッドに、ブラケットの挟持部に上方から対向する挟持子を接続した請求項2又は3記載の半導体ウェーハ用治具の剥離装置。   Each of the first and third actuators is an air cylinder, and the first air cylinder is installed sideways on the arm and the piston rod is directed toward the holding mechanism. The piston rod of the first air cylinder is placed on the piston rod of the semiconductor wafer. Connect the opposite slider from above to one side through a gap, install the third air cylinder vertically on the bracket and point its piston rod toward the clamping part of the bracket. 4. The semiconductor wafer jig peeling apparatus according to claim 2, wherein a holding element facing the holding part of the bracket from above is connected to the rod. 半導体ウェーハに半導体ウェーハ用治具を剥離可能に粘着し、半導体ウェーハに所定の処理を施した後、半導体ウェーハ用治具を剥離する半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
半導体ウェーハ用治具は、半導体ウェーハの片面周縁部に対向するエンドレスの基材層と、この基材層の対向面に設けられて半導体ウェーハの片面周縁部に剥離可能に粘着する粘着層とを含み、基材層の対向面の大部分に粘着層を積層し、対向面の残部を粘着層の存在しない剥離契機部に形成し、
半導体ウェーハ用治具を、請求項1ないし4いずれかに記載の半導体ウェーハ用治具の剥離装置により剥離することを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。
The semiconductor wafer jig is peelably adhered to the semiconductor wafer, and after the semiconductor wafer is subjected to a predetermined treatment, the semiconductor wafer jig is peeled off.
The semiconductor wafer jig includes an endless base material layer facing the peripheral edge of one surface of the semiconductor wafer, and an adhesive layer that is provided on the opposing surface of the base material layer and adheres detachably to the peripheral surface of the one surface of the semiconductor wafer. Including, laminating the adhesive layer on most of the opposing surface of the base material layer, and forming the remainder of the opposing surface in a peeling trigger part where the adhesive layer does not exist,
A semiconductor wafer handling method, wherein the semiconductor wafer jig is peeled off by the semiconductor wafer jig peeling device according to claim 1.
JP2012039767A 2012-02-27 2012-02-27 Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer handling method Expired - Fee Related JP5912656B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012039767A JP5912656B2 (en) 2012-02-27 2012-02-27 Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer handling method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012039767A JP5912656B2 (en) 2012-02-27 2012-02-27 Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer handling method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013175628A true JP2013175628A (en) 2013-09-05
JP5912656B2 JP5912656B2 (en) 2016-04-27

Family

ID=49268276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012039767A Expired - Fee Related JP5912656B2 (en) 2012-02-27 2012-02-27 Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer handling method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5912656B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112234020A (en) * 2020-09-02 2021-01-15 江苏盐芯微电子有限公司 Integrated circuit packaging equipment
JP2021048306A (en) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社東芝 Support substrate, peeling method of support substrate, and manufacturing method of semiconductor device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001819A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method and ring-shaped reinforcing member
JP2006059861A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp Transferring and bonding device of brittle member
US20070117351A1 (en) * 2004-04-15 2007-05-24 Stephan Bradl Method for machining a workpiece on a workpiece support
JP2010205817A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd Electronic component holder
JP2010283098A (en) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp Support member for plate-like member

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004001819A1 (en) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method and ring-shaped reinforcing member
US20070117351A1 (en) * 2004-04-15 2007-05-24 Stephan Bradl Method for machining a workpiece on a workpiece support
JP2006059861A (en) * 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp Transferring and bonding device of brittle member
JP2010205817A (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Shin Etsu Polymer Co Ltd Electronic component holder
JP2010283098A (en) * 2009-06-04 2010-12-16 Lintec Corp Support member for plate-like member

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021048306A (en) * 2019-09-19 2021-03-25 株式会社東芝 Support substrate, peeling method of support substrate, and manufacturing method of semiconductor device
JP7184722B2 (en) 2019-09-19 2022-12-06 株式会社東芝 SUPPORTING SUBSTRATE, SUPPORTING SUBSTRATE SEPARATING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
CN112234020A (en) * 2020-09-02 2021-01-15 江苏盐芯微电子有限公司 Integrated circuit packaging equipment
CN112234020B (en) * 2020-09-02 2024-01-30 江苏盐芯微电子有限公司 Integrated circuit packaging equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP5912656B2 (en) 2016-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4215998B2 (en) Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer transfer apparatus therefor
WO2006057376A1 (en) Treatment device for fragile member
JP6473359B2 (en) Sheet peeling device
JP6152275B2 (en) Sheet peeling apparatus and peeling method
JP2001085360A (en) Pasting method for electronic part and formation method for ditching on adhesive tape
JP5912656B2 (en) Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer handling method
JP3200938U (en) Sheet peeling device
WO2006123508A1 (en) Brittle member processing apparatus
JP2017050364A (en) Sheet peeling device and peeling method
JP6438795B2 (en) Sheet peeling apparatus and peeling method
JP6216583B2 (en) Sheet sticking device and sticking method
JP6438796B2 (en) Sheet peeling apparatus and peeling method
JP2015154033A (en) Sheet sticking device and sticking method
JP6476027B2 (en) Sheet peeling apparatus, peeling method, and sheet transfer apparatus
JP6216606B2 (en) Sheet pasting device
JP5822768B2 (en) Semiconductor wafer jig peeling apparatus and semiconductor wafer jig peeling method
JP4746012B2 (en) Pasting device and pasting method
JP6431794B2 (en) Sheet peeling apparatus and peeling method
JP6315784B2 (en) Sheet peeling apparatus and peeling method
JP2018129322A (en) Sheet sticking device and sticking method
JP2015035452A (en) Sheet sticking apparatus and sheet sticking method
JP6397780B2 (en) Transfer apparatus and transfer method
JP5975669B2 (en) Semiconductor wafer jig and method for handling semiconductor wafer
JP2015012138A (en) Sheet sticking device and sticking method
JP2011023606A (en) Protection tape peeling apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141008

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5912656

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees