JP2013171735A - 転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】転写用材料の劣化を防ぎ、性能の高いデバイスを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された光熱変換層と、前記光熱変換層上に形成された転写層を含む転写用ドナー基板の製造方法であって、前記光熱変換層上に、特定の一般構造式で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、前記積層工程で積層された転写材料中の前記アントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、特定の一般構造式で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、を含む。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機ＥＬ素子をはじめとするデバイスのパターニングに用いる転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法に関する。

有機ＥＬ素子は陰極と陽極の間に有機発光材料を挟んだ構造の発光素子であり、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が有機層で再結合することで生じるエネルギーを発光エネルギーとして外部に取り出す原理を適用した素子である。

現在、有機ＥＬ素子に代表される有機デバイスに含まれる有機層の作製方法は、真空蒸着などのドライプロセスによる成膜が一般的であり、画素のパターニングにはシャドーマスクなどが用いられている。しかしこのような手法は、材料の利用効率が低いことや、大面積デバイスの作製が困難であることなどの問題があった。

一方、低コスト・大面積化が可能なフォトリソ法、インクジェット法や印刷法などのウェットプロセスも検討されている。しかし有機ＥＬ素子などの有機薄膜の多層構造からなるデバイスでは、上層を塗布した際に下地層が膜質変化する懸念があり、また膜厚均一性などを制御することが難しいことから、ディスプレイとしての性能が低下するという課題がある。

そこで、材料をまずドナー基板上に用意してからデバイス基板に転写する方法が開発されている。ドナー基板上への有機薄膜の形成方法としては、有機ＥＬ素子においてホスト材料として用いられるナフタセン誘導体やルブレン誘導体をウェットプロセスで直接成膜する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、一般に有機ＥＬ材料等に用いられる有機材料は難溶性のものが多く、直接成膜できないものが多いため、可溶性の前駆体の状態でドナー基板へ塗布し、その後にドナー基板上で変換処理を加えて目的とする有機ＥＬ材料として用いる方法などが開示されている（例えば、特許文献２および３参照）。

特開２００９−４９０９４号公報 特開２００４−１６６１５７号公報 国際公開２０１１／０６８０８３号

上述のようなドナー基板を用いた有機薄膜の作製方法において、安定性の低い有機材料を転写用材料に用いる場合、ドナー基板を経由するプロセスを経ることにより有機材料が部分的に劣化する可能性がある。このため、劣化した有機材料が転写によってデバイス中に混入し、デバイス性能が低下する懸念がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、転写用材料の劣化を防ぎ、性能の高いデバイスを提供することができる転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の転写用ドナー基板の製造方法は、基板と、該基板上に形成された光熱変換層と、該光熱変換層上に形成された転写層を含む転写用ドナー基板の製造方法であって、前記光熱変換層上に、下記一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、前記積層工程で積層された転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、を含むことを特徴とする。

（一般式（１）および（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（１）中、Ｘは−（Ｃ＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−または−ＣＨＲ^１１−から選ばれる原子または原子団である。Ｒ^１１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）

本発明によれば、転写用ドナー基板、および転写法によって作製された有機ＥＬ素子をはじめとするデバイスにおいて、有機薄膜中の不純物濃度を低減でき、デバイス性能の低下を抑制することができる。

図１は、実施の形態１にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。 図２は、実施の形態１における光熱変換層の一例を説明する断面図である。 図３は、実施の形態１で使用するドナー基板の別の一例を示す断面図である。 図４は、実施の形態１における区画パターンの別の一例を示す断面図である。 図５は、実施の形態１における撥液処理層を有するドナー基板の一例を示す断面図である。 図６は、実施の形態１における撥液処理層を有するドナー基板の一例を示す斜視図である。 図７は、実施の形態１におけるドナー基板への光照射方法の一例を示す断面図である。 図８は、実施の形態１における有機ＥＬ素子の発光層パターニング方法の一例を示す断面図である。 図９は、図８における光照射方法の一例を示す平面図である。 図１０は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。 図１１は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。 図１２は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。 図１３は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。 図１４は、実施の形態１におけるオーバーラップ光照射方法の一例を示す断面図である。 図１５は、実施の形態１における一括転写のパターニング方法の別の一例を示す断面図である。 図１６は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す平面図である。 図１７は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す平面図である。 図１８は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す平面図である。 図１９は、実施の形態１における光照射方法の別の一例を示す斜視図である。 図２０は、実施の形態２にかかるドナー基板の一例を示す断面図である。 図２１は、実施の形態２における不活性層の別の例を示す断面図である。

以下に、本実施の形態にかかる転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

（実施の形態１）
実施の形態１にかかる転写用ドナー基板は、アントラセン前駆体化合物を含む転写材料を光熱変換層上に積層した後、該アントラセン前駆体化合物を特定条件化、すなわち減圧条件下でアントラセン誘導体に変換することにより製造される。本実施の形態１によれば、転写用ドナー基板の転写層内のみならず、該転写用ドナー基板を使用して製造した基板の有機層中の不純物の発生を抑制することができる。転写材料であるアントラセン誘導体は劣化しやすいため、アントラセン前駆体化合物からの変換工程においても、アントラセン誘導体の劣化を抑制する条件、すなわち、減圧条件下で変換を行うことにより、不純物の発生を抑制するものである。

図１に本発明の実施の形態１にかかるドナー基板の構成の一例を示す。ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４および転写層３７からなる。

支持体３１は、光の吸収率が小さく、その上に光熱変換層３３と転写層３７を安定に形成できる材料であれば特に限定されない。樹脂フィルムを使用することも可能である。具体的な樹脂材料としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエポキシ、ポリプロピレン、ポリオレフィン、アラミド樹脂、シリコーン樹脂などを利用することができる。

化学的・熱的安定性、寸法安定性、機械的強度、透明性の面で、好ましい支持体としては、ガラス板を挙げることができる。ソーダライムガラス、無アルカリガラス、含鉛ガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、低膨張ガラス、石英ガラスなどから適宜選択することができる。本実施の形態１の転写プロセスを真空中で実施する場合には、支持体３１からのガス放出が少ないことが要求されるので、ガラス板は特に好ましい支持体３１である。

光熱変換層３３が高温に加熱されても、支持体３１自体の温度上昇（熱膨張）を許容範囲内に収める必要があるので、支持体３１の熱容量は光熱変換層３３のそれより十分大きいことが好ましい。従って、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの１０倍以上であることが好ましい。熱膨張の許容範囲は転写領域の大きさやパターニングの要求精度などに依存するために一概には示せないが、例えば、光熱変換層３３が室温から３００℃上昇し、支持体３１の温度上昇をその１／１００である３℃以下に抑制したい場合には、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの１００倍以上であることが好ましく、支持体３１の温度上昇を３００℃の１／３００である１℃以下に抑制したい場合には、支持体３１の厚さは光熱変換層３３の厚さの３００倍以上であることが好ましい。このようにすることで、ドナー基板３０を大型化しても熱膨張による寸法変位量が少なく、高精度のパターニングが可能になる。

光熱変換層３３は、支持体３１上に形成された層であり、効率よく光を吸収して熱を発生し、発生した熱に対して安定である材料・構成であれば特に限定されない。しかし、急激な温度上昇を防止して、区画パターン３４への熱拡散による局所的な温度低下を防ぐためには、熱容量が大きいことが望ましい。

なぜなら熱容量が小さいと、熱しやすく冷めやすいので、転写層３７をゆっくり転写させることができなくなるからである。なお、熱容量は体積と体積比熱の積であり、体積比熱そのものが大きい材料が望ましい。具体的に光熱変換層３３の体積比熱は２Ｊ／ｃｍ^３Ｋ以上であるのが好ましい。また、光熱変換層３３の熱伝導率は、大きい方が均一な加熱が可能であり、局所的な温度低下が軽減されるのでより望ましい。具体的に光熱変換層３３の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫ以上であるのが好ましい。光熱変換層３３は、単一の材料からなる層でも合金からなる層でもよく、単一層または複数の材料を積層した複数の層であってもよい。

ここで、光熱変換層３３が異なる材料の複数の層あるいは合金からなる場合は、前記熱伝導率および体積比熱は、光熱変換層全体としての値をいうものとする。この全体としての値は、異なる材料の複数の積層薄膜からなる場合は、材料単独の熱伝導率や体積比熱の値をそれぞれの膜厚で重み付け平均した計算値を用いる。また、合金のように計算が困難な場合は、レーザーフラッシュ法やスキャニングレーザーＡＣ加熱法、示差法、３ω法などの公知手法により測定できる。

このような材料としては、カーボンブラックや黒鉛、チタンブラック、有機顔料、金属粒子などを樹脂に分散させた薄膜を利用することができる。また、本実施の形態１では、光熱変換層３３が３００℃程度に加熱されることがあるので、光熱変換層３３は耐熱性に優れ、熱伝導率と体積比熱の高い無機薄膜からなることが好ましい。従って、光吸収や成膜性の面で、金属薄膜からなることが特に好ましい。具体的には、金属材料としては、タングステン、タンタル、モリブデン、チタン、クロム、金、銀、銅、白金、鉄、亜鉛、アルミニウム、コバルト、ニッケル、マグネシウム、バナジウム、ジルコニウム、シリコン、カーボンなどの単体や合金の薄膜、それらの積層薄膜を使用できる。

また、光熱変換層３３の形状は平滑でなくてもよく、図２に示すようなスパイク状であったり、多孔質状であってもかまわない。このような形状をとることで、転写材料を塗布法により成膜する際の表面改質を行うことができ、また、転写層３７が比較的厚い場合でも均一に加熱することができる。

光熱変換層３３の形成方法としては、真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなど、材料に応じて公知技術を利用できる。パターニングする場合にはレーザーアブレーション法など公知の方法を利用できる。

区画パターン３４は、後述する転写層３７の大きさ（区画）を定めるものであり、光熱変換層３３上に形成される。区画パターン３４を形成する材料としては、転写層３７の境界を規定し、光熱変換層３３で発生した熱に対して安定である材料・構成であれば特に限定されない。無機物では酸化ケイ素や窒化ケイ素をはじめとする酸化物、窒化物、ガラス、セラミックスなどを、有機物ではポリビニル、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリスチレン、アクリル、ノボラック、シリコーンなどの樹脂を利用することができる。プラズマテレビにおける隔壁をガラスペースト法により製造する公知技術を使用することもできる。区画パターン３４の熱導電性は特に限定されないが、区画パターン３４を介して対向するデバイス基板に熱が拡散するのを防ぐ観点から、熱伝導率が小さい方が好ましい。

区画パターン３４の成膜方法は特に限定されず、無機物を用いる場合には真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ、レーザーアブレーションなどの公知技術を、有機物を用いる場合には、スピンコート、スリットコート、ディップコートなどの公知技術を利用できる。区画パターン３４のパターニング方法は特に限定されず、公知のフォトリソ法が利用できる。フォトレジストを使用したエッチング（あるいはリフトオフ）法によって区画パターン３４をパターニングしてもよいし、例示した上記樹脂材料に感光性を付加させた材料を用いて、区画パターン３４を直接露光、現像することでパターニングしてもよい。さらに、全面形成した区画パターン層に型を押しつけるスタンプ法やインプリント法、樹脂材料を直接パターニング形成するインクジェット法やノズルジェット法、各種印刷法などを利用することもできる。

区画パターン３４の形状としては、格子状（マトリクス状）構造に限定されるのではなく、例えば、図３で例示するように、ドナー基板３０上に３種類の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが形成されている場合には、区画パターン３４の平面形状がｙ方向に伸びるストライプであってもよい。なお、図３に示す転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂは例示であり、転写層３７の種類は２種類でも４種類以上であってもよい。本実施の形態１において、ドナー基板３０が複数種類の転写層３７を有する場合、少なくとも１種類の転写層３７を形成する際、式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、後述する方法で式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換すればよい。

また、図４に示すように、転写層３７よりも幅の広い区画パターン３４を形成することもできる。Ｒ、Ｇ、Ｂの３色に対して１色ずつ転写するためである。この場合は、３種類の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂがそれぞれ形成された３枚のドナー基板３０を用意して、１枚のデバイス基板にそれぞれを対向させて本発明により転写する工程を３回繰り返すことで、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを１枚のデバイス基板上にパターニングすることができる。転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂのピッチあるいは間隙を小さくする必要がある高精細パターニングにおいて有効な形状の一例である。

区画パターン３４の厚さについては特に限定されない。例えば、区画パターン３４が転写層３７と同じ厚さであるか、あるいはより薄いとしても、ドナー基板３０とデバイス基板との間隙を保持すれば、転写時に蒸発した転写材料がやや広がって堆積する程度なので、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ間の混合を起こさずに転写することができる。

区画パターン３４の断面形状は、蒸発した転写層３７がデバイス基板に均一に堆積することを容易にするために、順テーパー形状であることが好ましい。ここで「順テーパー形状」とは区画パターン３４の光熱変換層３３側での断面幅が上面側の幅より長い形状をいう。後述する図８で例示するように、デバイス基板に絶縁層のようなパターンが存在する場合には区画パターン３４の幅よりも絶縁層の幅（ｘ方向の長さ）の方が広いことが好ましい。また、位置合わせの際には、区画パターン３４の幅が絶縁層の幅に収まるように配置することが好ましい。この場合には、区画パターン３４が薄くても、絶縁層を厚くすることで、ドナー基板３０とデバイス基板とを所望の間隙に保持することができる。区画パターン３４の典型的な幅は５〜５０μｍ、ピッチは２５〜３００μｍであるが、用途に応じて最適な値に設計すればよく、特に限定はされない。

区画パターン３４内に転写材料を配置する際に、後述する塗布法を利用する場合には、溶液が他の区画へ混入したり、区画パターン３４の上面に乗りあげたりすることを防ぐために、区画パターン３４上面に撥液処理（表面エネルギー制御）を施すことができる。撥液処理としては、区画パターン３４を形成する樹脂材料へフッ素系材料などの撥液性材料を混合する方法や、さらに撥液性材料の高濃度領域を、区画パターン３４の表面あるいは上面へ選択形成する方法などがある。

後者の場合の一例を図５に示す。（ａ）は区画パターン３４よりも広く撥液処理層３５を設計した場合であり、塗布後の溶剤が区画パターン３４内でとどまり区画パターン３４上には塗られないため転写材料を有効に使うことができる。（ｂ）は区画パターン３４よりも狭く撥液処理層３５を設計した場合であり、区画パターン３４上のエッジ部にも転写材料がぬれ広がるため転写材料を多めに使用するが、区画パターン３４内のぬれの均一性を上げることができるため、デバイス基板に転写後の発光層の膜厚均一性を向上することができる。これらのどちらの場合も状況により選択できる。

また、図６では撥液処理層３５を斜線で表し、区画パターン３４上面の一部に撥液処理層３５を形成する様子を示したが、区画パターン３４上面全体にわたって撥液処理層３５を形成してもよい。

光熱変換層３３の支持体３１側には必要に応じて反射防止層を形成することができる。さらに、支持体３１の光入射側の表面にも反射防止層を形成してもよい。これらの反射防止層は屈折率差を利用した光学干渉薄膜が好適に使用され、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタンなどの単体や混合薄膜、それらの積層薄膜を使用できる。

転写層３７は、光熱変換層３３上に、下記一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、前記積層工程で積層された転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、により作製される。

一般式（１）および（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれるものが好ましい。また、一般式（１）中のＸは、−（Ｃ＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−または−ＣＨＲ^１１−から選ばれる原子または原子団であることが好ましい。Ｒ^１１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。

これらの置換基のうち、水素は重水素であってもよい。アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。置換されている場合の追加の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基およびヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。

シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基およびアダマンチル基などの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキル基部分の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。

複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。

アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。

シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。

アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。

アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基およびプロポキシ基などのエーテル結合を介して脂肪族炭化水素基が結合した官能基を示し、この脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。

アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アルキルチオ基の炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。

アリールエーテル基とは例えば、フェノキシ基など、エーテル結合を介した芳香族炭化水素基が結合した官能基を示し、芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。

アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アリールチオエーテル基における芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールチオエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。

アリール基とは、例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、アントラセニル基およびピレニル基などの芳香族炭化水素基、もしくはこれらが複数連結した基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。このようなアリール基が有していても良い置換基はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールエーテル基、アルキルチオ基、ハロゲン、シアノ基、アミノ基（アミノ基はさらにアリール基やヘテロアリール基で置換されていてもよい）、シリル基およびボリル基などである。

ヘテロアリール基とは、例えば、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を環内に有する芳香族基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上３０以下の範囲である。このようなヘテロアリール基が有していても良い置換基は、アリール基が有していても良い置換基と同様である。

ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。

カルボニル基とはアシル基やホルミル基など炭素−酸素二重結合を含む置換基を示す。アシル基はホルミル基の水素がアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基に置換した置換基を示す。オキシカルボニル基とはｔ−ブチルオキシカルボニル基やベンジルオキシカルボニル基のようにカルボニル基の炭素上にエーテル結合を含む置換基を示す。

カルバモイル基とはカルバミン酸の水酸基を外した置換基を示し、置換基を有していても有していなくてもよい。アミノ基とは、例えばジメチルアミノ基などの窒素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１〜６である。ホスフィンオキサイド基とはリン−酸素二重結合を含む置換基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。

隣接置換基との間に形成される縮合環とは、前記一般式（２）で説明すると、Ｒ^１〜Ｒ^１０の中から選ばれる任意の隣接２置換基が互いに結合して共役または非共役の縮合環を形成するものである。このような縮合環の一例として例えばＲ^３とＲ^４が共役系の縮合環を形成したナフタセン、Ｒ^３とＲ^４およびＲ^８とＲ^９が共役系の縮合環を形成したペンタセンなどのポリアセン系化合物や、Ｒ^２とＲ^３が縮合環を形成したベンゾ［a］アントラセンなどのようなオルト縮合型化合物も挙げられる。さらにこれら縮合環は環内構造に窒素、酸素、硫黄原子を含んでいてもよいし、さらに別の環と結合していてもよい。この説明から分かるように、本明細書において「一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物」とは、ナフタセン前駆体化合物、ペンタセン前駆体化合物などのポリアセン前駆体化合物などを含む概念であり、「一般式（２）で表されるアントラセン誘導体」とは、ナフタセン誘導体化合物、ペンタセン誘導体などのポリアセン誘導体などを含む概念である。

例えば、前記ナフタセン前駆体化合物は、下記一般式（３）で表される構造であり、同様に、前記ナフタセン誘導体は、下記一般式（４）で表される構造を有する。

ここで、一般式（３）および（４）中、Ｒ^１２〜Ｒ^２３はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（３）中、Ｙは−（Ｃ＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨＲ^２４−から選ばれる原子または原子団である。Ｒ^２４はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。

これらの置換基の説明は上記Ｒ^１〜Ｒ^１１の説明と同様である。

なお、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物の例としては、以下のようなものが挙げられる。

また、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体の例としては、以下のようなものが挙げられる。

一般式（２）で表されるアントラセン誘導体の例は上記に限られず、特許第４３０８３１７号公報（特に００３３〜００５７）、国際公開ＷＯ２００７／０９７１７８号パンフレット（特に００１５〜００２４）、特許第３７１２７６０号公報（特に００１１〜００３９）等に挙げられる上記以外のアントラセン誘導体も好ましく用いることができる。また、そのようなアントラセン誘導体のなかでもナフタセン、ペンタセンなどの場合は、構造異性体を有するものをより好ましく用いることができる。その中でも特に２置換ナフタセン、４置換ナフタセン、２置換ペンタセンなどが特に好ましい。ここで、２置換ナフタセンはナフタセン骨格の５位と１２位が置換されたものであることが好ましい。また、４置換ナフタセンはナフタセン骨格の５位、６位、１１位および１２位が置換されたものであることが好ましい。また、２置換ペンタセンはペンタセン骨格の６位と１３位が置換されたものであることが好ましい。

また、本実施の形態１で用いられるアントラセン誘導体およびアントラセン前駆体化合物は公知の方法により合成することができる。アントラセン誘導体を合成するには、例えば、アントラセンのハロゲン化物にアリールボロン酸をパラジウム触媒などを用いてクロスカップリングさせる方法などが挙げられる。また、ナフタセンの５位および１２位をアリール基と連結する方法として、ハロゲン化アリールと５，１２−ナフタセンキノンをｎ−ブチルリチウムを用いて連結した後、スズ触媒で還元する方法などが挙げられる。また、アントラセン前駆体化合物を合成するには、対応するアントラセン誘導体を利用する方法が挙げられる。例えば、２位および６位にアリール基を連結したアントラセン誘導体の９位および１０位にＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応で炭酸ビニレンを付加させた後、加水分解を行い、さらにこれをＳｗｅｒｎ酸化することでジケト架橋構造を形成することができる。また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ、１９６５年、８７巻、２０号、４６４９−４６５１頁等に挙げられる方法により、エチレン架橋構造を形成することができる。

本実施の形態１で用いられるアントラセン誘導体およびアントラセン前駆体化合物は、これらの合成過程で使用した原料や副生成物などの不純物を除去しておくことが好ましい。不純物の除去方法として、例えば、シリカゲルカラムグラフィー法、再結晶法、再沈澱法、ろ過法、昇華精製法などを用いることができる。これらの方法を２種以上組み合わせてもよい。

一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を、光熱変換層３３上に積層する積層工程は、特に限定されず、真空蒸着やスパッタリングなどのドライプロセスを利用して、ドナー基板３０上に全面形成する方法が挙げられる。大型化に対応が容易な方法として、転写材料と溶媒を含有する溶液をドナー基板３０の光熱変換層３３上に塗布し、前記溶媒を乾燥させて転写層３７を形成することが好ましい。塗布法としては、インクジェット、ノズル塗布、電界重合や電着、オフセットやフレキソ、平版、凸版、グラビア、スクリーンなどの各種印刷などを例示できる。

転写材料と溶媒とからなる溶液を塗布法で用いる場合、溶媒としては、アルコール、炭化水素、芳香族化合物、複素環化合物、エステル、エーテル、ケトンなど公知の材料を使用することができ、具体的には、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、トリメチルベンゼン、γ−ブチロラクトン、ｎ−メチルピロリドン、テトラリン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、安息香酸エチル、などの汎用溶媒が挙げられ、使用する塗布方法に見合った沸点、粘性のものを選択することができる。また、これらの溶媒は単独で用いてもよいし、複数の溶媒を混合して用いてもよい。また、超音波照射や加熱処理を加えて溶解してもよく、溶解後、ろ過の工程を加えてもかまわない。

特に、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物は、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体よりも一般的に溶解性が高いため、塗布法による転写層３７の形成に好適に用いることができる。

また、本実施の形態１において、積層工程で積層する転写材料は、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を１種以上含有していてもよく、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体を１種以上含有していてもよい。

また、作製するデバイスの種類に応じてそれ以外の化合物を含有していてもよく、例えば、転写層３７を有機ＥＬ素子の発光層として用いる場合は、ドーパントとしての性能を示す材料を含有していてもかまわない。ドーパント材料としては公知のものを用いることができ、例えば、インデノペリレン、ピロメテンおよびそれらの誘導体などが挙げられる。

上記のようにして積層された転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物は、減圧条件下で、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換される。ここで、減圧条件とは、圧力が１．０×１０^２Ｐａ以下であることが好ましく、１．０Ｐａ以下であることがさらに好ましく、１．０×１０^−２Ｐａ以下であることが特に好ましい。

一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で変換処理を施すことで、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体へと構造変換することができる。本明細書において、変換処理とは、加熱や光照射などによってアントラセン前駆体化合物の構造変化を引き起こし、アントラセン誘導体へと変換する処理である。この場合、構造変化を引き起こす因子としては、デバイスの特性を低下させないために、デバイスの構成材料の内部に残存しないものが好ましい。光照射および／または加熱処理が好ましい。

加熱にはホットプレートやイナートオーブン、赤外線ヒーターなどを用いることができる。また、光照射により構造を変換させる場合には、紫外光〜可視光を用いるのが好ましい。ただし、用いる前駆体化合物によっては紫外光による望まない光反応が生じる場合もあるため、可視光を用いることがより好ましい。減圧条件下で、光照射または加熱することにより、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換することができるが、変換工程は、加熱しながら光照射するようにしてもよい。

前記変換反応において、例えば、Ｒｅｔｒｏ Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応、キレトロピー反応、脱炭酸反応、カルボニル化合物からの脱カルボニル反応、脱酸素反応などの反応により、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換することができる。使用するアントラセン前駆体化合物に応じて最適な変換処理を選択することができる。例えば、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物において、Ｘが−（Ｃ＝Ｏ）−である場合は、光照射により脱カルボニル反応が生じて、式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換することができる。また、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物において、Ｘが−ＣＨ_２−の場合は、加熱によりエチレンを脱離して、式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換することができる。脱カルボニル反応やエチレンの脱離反応は脱離基が気体であり、転写層中に残らないことから好ましく用いることができる。例えば、前述の化合物［１２］、化合物［１４］、化合物［１６］は、光照射によって一酸化炭素が２分子脱離し、それぞれ化合物［５８］、化合物［５９］、化合物［６０］へと変換される。また、前述の化合物［１３］、化合物［１５］、化合物［１７］は、加熱によってエチレンが脱離し、それぞれ化合物［５８］、化合物［５９］、化合物［６０］へと変換される。

本実施の形態１では、上記のようにして転写層３７を形成するが、形成する転写層３７の厚さは、その機能や転写回数により調整すればよい。本実施の形態１の好適なパターニング薄膜である有機ＥＬ発光層の場合は、１回転写分の転写材料の厚さは１０〜１００ｎｍが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍである。

本実施の形態１では、光熱変換層３３上に積層された転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で光照射および／または加熱して、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体への変換工程を行うことにより、変換工程により生じた一般式（２）で表されるアントラセン誘導体の劣化を抑制することが可能となる。

ドナー基板３０上の転写層３７中のアントラセン誘導体の劣化の程度は、高速液体クロマトグラフィー−紫外吸光光度計法にて分析することで判断することができる。

この分析方法における具体的な分析条件を述べる。充填材にはシリカゲルを用い、中でもオクタデシル基結合型シリカゲル、オクチル基結合型シリカゲル、フェニル基結合型シリカゲルが好適に用いられ、これらはアントラセン誘導体およびアントラセン前駆体化合物の種類によって選択することができる。移動相にはアセトニトリル、テトラヒドロフラン、蒸留水、リン酸水溶液、メタノールなどを用いることができ、これらを組み合わせて用いてもよい。中でも、アセトニトリルのみ、もしくはアセトニトリル−リン酸水溶液混合溶媒を用いることで、高い分離能にて検出することができる。またこのときの移動相の送液圧力は３５ＭＰａから５０ＭＰａ程度とすることが好ましい。

なお、本実施の形態１にかかる転写用ドナー基板３０は、有機ＥＬ素子の発光材料の転写基板として好適に用いられるが、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどのデバイスを構成する薄膜を形成する材料として用いてもかまわない。

次に、本実施の形態１において、ドナー基板の転写層をデバイス基板に転写する方法について説明する。図７は本実施の形態１におけるドナー基板への光照射方法の一例を示す断面図である。図７（ａ）において、ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４、区画パターン３４内に存在する１種類の転写層３７からなり、デバイス基板２０は支持体２１のみからなる。

転写層３７はデバイス基板２０の被転写面に直接接しない方が好ましく、また、ドナー基板３０の転写層３７とデバイス基板２０の被転写面との間隙は、１〜１００μｍ、さらに２〜２０μｍの範囲に保つことが好ましい。したがって、区画パターン３４の厚さは、転写層３７の厚さより厚く、かつ、１〜１００μｍであることが好ましく、２〜２０μｍの厚さであることがさらに好ましい。このような厚さの区画パターン３４をデバイス基板２０に対向させることで、ドナー基板３０の転写材料とデバイス基板２０の被転写面との間隙を一定値に保つことが容易になり、また、蒸発した転写材料が他の区画へ侵入する可能性を低減できる。

デバイス基板２０への転写層３７の転写は、転写層３７が存在する部分のみを狙ってレーザーに代表される光を照射しても良いが、図７（ｂ）に示すように、ドナー基板３０の支持体３１側から光を入射して、転写層３７の少なくとも一部と区画パターン３４の少なくとも一部とが同時に加熱されるように光を光熱変換層３３に照射することができる。このような配置をとることで、区画パターン３４と転写層３７との境界での温度低下が抑制されるので、境界に存在する転写材料を十分に加熱して転写し、均一な転写膜２７を得ることができる。

図７（ｂ）では、転写層３７が加熱されて蒸発し、デバイス基板２０の支持体２１に転写膜２７として堆積している課程を模式的に示している。この時点で光照射を止める（光照射部分の移動により、この部分の光照射を終了する）こともできるし、このまま光照射を継続して、転写層３７の右側部分全てを転写し、その後、左側部分を転写することもできる。本実施の形態１では、材料や光照射条件を選べば、転写層３７が膜形状を保持した状態でデバイス基板２０の支持体２１に到達するアブレーションモードを使用することもできる。しかし、材料へのダメージを低減する観点からは、転写層３７が１〜１００個の分子（原子）にほぐれた状態で蒸発し、転写される蒸着モードを使用する方が好ましい。

図７（ｃ）は、本実施の形態１において光照射の好ましい態様の１つであり、転写層３７の幅よりも広い光を、転写層３７の全幅と区画パターン３４の幅の一部とが同時に加熱されるように光を光熱変換層３３に照射する。この配置によれば目的とする転写膜２７のパターンを１回の転写で効率よく得ることができる。あるいは、１回目の光照射で転写層３７の膜厚の半分を転写し、２回目の光照射で残りの半分を転写することで、転写層３７への負荷をより低減することもできる。

１枚のドナー基板３０に対して光を光熱変換層３３に複数回に分けて照射することで、転写層３７を膜厚方向に複数回に分割して転写することは、本実施の形態１の特に好ましい転写方法である。これにより、転写層３７だけでなく区画パターン３４やデバイス基板２０上に成膜された下地層などの最高到達温度を低下させられるので、ドナー基板３０の損傷やデバイス基板２０の性能低下を防止することができる。分割する場合、その回数ｎは限定されないが、少なすぎると上記の低温下効果が十分に発揮されず、多すぎると累積の加熱時間が長くなることによる弊害が生じるので、５回以上５０回以下の範囲が好ましい。

１画素に対応する転写材料のみを部分的に転写する従来方式において、膜厚方向にｎ回に分割して転写しても、材料劣化を抑制する効果は得られるが、基板１枚あたりの処理時間が概略ｎ倍になるために、生産性が大きく低下するという問題があった。しかし、本発明では、ｍ個（ｍは２以上の整数）の転写材料を一括して転写することもできるから、生産性を維持することができる。特に、ｍ≧ｎの条件を満たす幅の広い光を用いると、従来方式と同等以上の高い生産性を確保できるため好ましい。ディスプレイの製造では大型基板でも１枚あたり２分前後で処理する必要がある。レーザーのスキャン速度を標準的な０．６ｍ／ｓ、基板の一辺が３ｍと仮定した場合には、２４回（１２往復）のスキャンで２分を要することを考慮すると、分割回数ｎは１５回以上３０回以下の範囲が特に好ましい。

図３に示すように、ドナー基板３０が複数の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを有する場合、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂは、それぞれ異なる蒸発速度の温度特性をもつことが珍しくない。したがって、図３のようなドナー基板３０において、例えば後述する図８に示すように幅の広い均一光を照射した場合に、蒸発速度の違いにより転写層３７Ｂは１回目の照射で全膜厚が転写されるが、３７Ｒと３７Ｇはそれぞれ半分の膜厚だけが転写されることがある。この場合には、２回目の照射によって３７Ｒと３７Ｇの残りの転写を完了させることが可能である。このとき、１回目の照射後にはドナー基板３０上に転写層３７Ｂは存在しないが、１回目と同じ配置で２回目の照射をすることができる。同様の考え方で、例えば、３７Ｒを１０回、３７Ｇを７回、３７Ｂを５回などに分割して転写することができる。また、初めから転写層３７Ｂが形成されておらず、３７Ｒと３７Ｇのみが形成されたドナー基板３０を用いることもできる。

転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが有機ＥＬ素子の発光材料である場合には、転写材料がホスト材料とドーパント材料との混合物であり、それらが異なる蒸発速度の温度特性をもつことが珍しくない。例えば、ホスト材料と比較してドーパント材料の蒸発温度が低い場合に、低温かつ長時間の加熱ではドーパント材料が先に全て蒸発してしまうという現象が起こりやすい。一方、ある程度以上の高温加熱では、ホスト材料とドーパント材料が実質的に同じ比率のまま蒸発するフラッシュ蒸発と呼ばれる現象を利用できるようになる。本発明では、光照射時間と光照射強度だけでなく転写回数も制御することができるので、材料劣化を抑制しつつ、フラッシュ蒸発に準ずる適度な高速蒸発条件を探し出すことが比較的容易になる。したがって、転写前後でホスト材料とドーパント材料比率の変わらない転写を実現することが可能である。

また、１回の光照射で転写層３７の膜厚の約半分をあるデバイス基板２０に転写し、残りの約半分を別のデバイス基板２０に転写するなど、１枚のドナー基板３０を用いて２枚のデバイス基板２０への転写を行うこともできる。各デバイス基板２０へ転写する転写材料の膜厚を調整すれば、１枚のドナー基板３０から３枚以上のデバイス基板２０への転写も可能である。

さらに、図７（ｃ）で例示した光照射の配置において、図７（ｄ）に示すように光照射の位置がδだけｘ方向に変位したとしても、転写層３７の全幅と区画パターン３４の幅の一部とが同時に加熱されることに変わりないので、同様に均一な転写膜２７を得ることができる。

本実施の形態１では、転写工程を、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を減圧条件下で、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程後に行うほか（方法Ｉ）、変換工程と転写工程とを同時に行うことも可能である（方法ＩＩ）。方法Ｉの場合には、ドナー基板３０上に一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を塗布した後に、前記の方法により一般式（２）で表されるアントラセン誘導体への変換を行ってから、デバイス基板２０への転写を行う。方法ＩＩの場合には、ドナー基板３０上に一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を塗布した後に、ドナー基板３０とデバイス基板２０を重ね合わせ、デバイス基板２０への転写を行う。転写時の加熱や光照射によるエネルギーを利用して、前駆体化合物を一般式（２）で表されるアントラセン誘導体へと変換しながら転写を行うことができる。転写を近赤外光のレーザー光で行う場合は、転写用のレーザー光と変換用の光を同時に照射することも可能である。これらの方法の中でも、方法Ｉのほうが、前駆体材料からアントラセン誘導体への変換を均一かつ高い変換率で行うことができるため好ましい。

次に、本実施の形態１において、ドナー基板３０を用いてデバイスを製造する方法について説明する。本明細書において、デバイスとは有機ＥＬ素子をはじめとし、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどをいう。有機ＴＦＴでは有機半導体層や絶縁層、ソース、ドレイン、ゲートの各種電極などを、有機太陽電池では電極などを、センサーではセンシング層や電極などを本発明によりパターニングすることができる。以下では、有機ＥＬ素子を例に挙げてその製造方法について説明する。

図８は、本実施の形態１にかかる有機ＥＬ素子の発光層パターニング方法の一例を示す断面図および平面図である。なお、本明細書中で使用する図は、カラーディスプレイにおける多数の画素を構成するＲＧＢ副画素の最小単位を抜き出して説明している。また、理解を助けるために、横方向（基板面内方向）に比較して縦方向（基板垂直方向）の倍率を拡大している。

図８において、ドナー基板３０は、支持体３１、光熱変換層３３、区画パターン３４、および区画パターン３４内に存在する転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ（有機ＥＬのＲＧＢ各発光材料の塗布膜）からなり、この転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの少なくとも一部に一般式（２）で表されるアントラセン誘導体を含む。該アントラセン誘導体は、上記の方法により式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物から変換したものである。

デバイスの一態様である有機ＥＬ素子１０は、支持体１１、その上に形成されたＴＦＴ（取出電極込み）１２と平坦化膜１３、絶縁層１４、第一電極１５、正孔輸送層１６からなる。なお、これらは例示であるため、後述のように各基板の構成はこれらに限定されない。

ドナー基板３０の区画パターン３４と、デバイス基板１０の絶縁層１４との位置を合わせた状態で、両基板は対向するように配置される。ドナー基板３０の支持体３１側からレーザーを入射して光熱変換層３３に吸収させ、光熱変換層３３で発生した熱により転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを同時に加熱・蒸発させ、それらをデバイス基板１０の正孔輸送層１６上に堆積させることで、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂを一括して転写、形成するものである。転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに挟まれる区画パターン３４の全域と、転写層３７Ｒ、３７Ｂの外側に位置する区画パターン３４の一部の領域が転写層３７と同時に加熱されるようにレーザーを照射することが可能である。

さらに、本実施の形態１において、区画パターン３４の厚さを転写層３７の厚さより厚くすることが好ましい。区画パターン３４を転写層３７より厚くする場合、区画パターン３４のうち転写層３７より厚い部分の温度がそれほど上昇しないためである。区画パターン３４は支持体３１側から加熱されるので、区画パターン３４の上部は、加熱源からの距離があるので暖まりにくいからである。そのため、区画パターン３４を通じて有機ＥＬ素子１０が高温に加熱されることもなく、区画パターン３４からの脱ガスの影響などもほとんどなく、デバイス性能が悪化しない。

また、本実施の形態１によれば、区画パターン３４に隔てられて存在する異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに対して、区画パターン３４を跨ぐようにして同時に光を照射して加熱できるので、異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括して転写できる。したがって、有機ＥＬ素子１０の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを本実施の形態１によりパターニングする場合は、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一組としてまとめて転写することができるので、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに順次光を照射する必要があった従来法と比べてパターニング時間の短縮が可能になる。

光は光熱変換層３３で十分に吸収されるために、異なる光吸収スペクトルをもつ転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂでも同一の光源を用いて同程度の温度に加熱することができ、透過光により有機ＥＬ素子１０が加熱される心配もない。区画パターン３４が存在することで、隣接する異なる転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂ同士が混合したり、その境界位置の揺らぎがある部分の転写を排除できるので、一括転写してもデバイス性能を損なうことがない。

また、区画パターン３４はフォトリソグラフィ法などにより高精度にパターニングすることができるために、異なる転写層３７の転写パターンの隙間を最小にすることができる。これは、より開口率を高めて耐久性に優れた有機ＥＬ素子１０を作製できるという効果につながる。

図９は、図８におけるレーザー照射の様子をドナー基板３０の支持体３１側から見た模式図である。全面に形成された光熱変換層３３があるために、支持体３１（ガラス板）側から区画パターン３４、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂは実際には見えないが、レーザーとの位置関係を説明するために点線にて図示している。レーザービームは矩形をしており、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを跨ぐようにして照射され、かつ、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの並びに対して垂直方向にスキャンされる。なお、レーザービームは相対的にスキャンされればよく、レーザーを移動させても、ドナー基板３０とデバイス基板２０とのセットを移動させても、その両方でもよい。

ディスプレイ用途でよく見られるように、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの組がその並びのｘ方向にｋ回、その垂直のｙ方向にｈ回繰り返し形成されている場合は、例えば、ｍ組（ｍは２以上ｋ以下の数）の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂに光を同時照射しながら、ｙ方向に光をスキャンすることで、転写時間を１／ｍ程度に短縮することができる。

ｍ＝ｋの場合には、図１０（ａ）に示すように、ドナー基板３０の転写領域３８の全幅を覆うような光を照射することで、１回のスキャンで全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括転写することもできる。この配置では、ドナー基板３０に対する光照射の位置合わせを大幅に軽減できる。図１０（ｂ）に示すように、基板上に転写領域３８が複数存在する場合には、それらを一括転写することも可能である。デルタ配列と呼ばれるように、ＲＧＢの各副画素が一直線に並んでいない場合でも、照射光を直線的にスキャンできるために、容易に転写を実施できる。

ｍ＜ｋの場合は、例えば図１１（ａ）に示すようにドナー基板３０の転写領域３８の半分程度の幅を覆うような光を照射し、図１１（ｂ）に示すように次のスキャンで残りの半分に光を照射し、２回のスキャンで全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを転写することができる（ｍ≒ｋ／２の場合）。さらに、図１２に示すように、スキャン方向に段違いの位置関係にある２つの光を同時にスキャンすることで、上記２回のスキャンと同様に全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを転写することもできる。光源の最大出力や光の均一性などの制約から転写領域３８の全幅を覆う１つの光を得ることが難しい場合でも、このようにすることで、擬似的に１回のスキャン（ｍ＝ｋ）と同様に全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを一括転写することができる。もちろん、図１３に示すように、光の幅をさらに狭くして、数を増やすことでも同様の効果を得ることができる。

複数の光は、図１４（ａ）および１４（ｂ）に示すように、オーバーラップさせることもできる。光が全転写領域３８を最終的に照射すればよく、照射光の幅や、照射の順番、オーバーラップの度合いなどは、多様な転写条件から最適なものを選択することができる。中でも、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂのうち特定の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの位置で光をオーバーラップさせることが好ましい。図１４に模式的に示したように、光の境界位置では不可避的に温度勾配が生じて、その影響は転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂを構成する転写材料の種類によって少しずつ異なる。ランダムな位置で光をオーバーラップさせると、異なるムラの状態をもつ発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂが生じることになるので、それらを同時に抑制することが難しくなる。一方、温度勾配の影響が特定の発光層１７に限定されれば、ムラが発生しにくい転写層３７を選択し、さらにそのムラを最小限にする光照射条件を選択することができるので、影響を最小限に抑制することが可能になる。

特定の転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの選択方法は特に限定されない。最終的に得られるデバイスにおいてムラが最小化されるように、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの中で転写温度が最低（または最高）のものや、熱分解温度が最高（または最低）のもの、あるいは膜厚が最も薄い（または最も厚い）ものなど、目的に応じて選択すればよい。

転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂがそれぞれ、ホスト材料とドーパント材料のような２種類以上の材料の混合物からなる場合は、該２種類以上の材料の昇華温度の差が最も小さい組み合わせの転写材料を含む転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの位置で光をオーバーラップさせることが好ましい。有機ＥＬ素子１０では特にホスト材料とドーパント材料との組成比が発光性能に大きく影響することが知られているが、上記の方法によれば、オーバーラップ位置における温度勾配の影響で発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂの組成比が変化する割合を最も小さくして、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂに生じるムラを抑制し、良好な発光特性を保つことができる。

また、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが、１種類の材料からなる転写層３７と、２種類以上の材料からなる転写層３７とを含む場合は、該１種類の材料からなる転写層３７の位置で光をオーバーラップさせることが好ましい。この場合、この転写層３７では組成比の変化を考慮しなくてもよいので、オーバーラップ位置における温度勾配の影響が極めて小さくなる。

上記の一括転写の例において、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂが異なる蒸発温度（蒸気圧の温度依存性）を有する場合は、最高の蒸発温度をもつ転写材料に合わせて、１回の光照射で一括転写をしてもよい。逆に、例えば、転写層３７Ｒが最低の蒸発温度をもつ場合には、１回の光照射で転写層３７Ｒは全部、３７Ｇ、３７Ｂは一部を転写しておき、再度の光照射により３７Ｇ、３７Ｂの残りを転写してもよく、さらに、３回以上の転写に分けてもよい。転写時間を１／ｍ程度に短縮できるので、同じ時間をかけてｍ回の転写に分けることで、転写層３７へのダメージをより軽減することが可能になる。転写プロセスに割ける時間と転写材料へのダメージを考慮しながら、多様な転写条件から最適なものを選択することができる。

図１５は、本実施の形態１の一括転写の別の例を示すものである。転写層３７Ｇの幅と区画パターン３４の幅との合計に相当する幅の光を、転写層３７Ｒ、３７Ｇに跨るように照射することで、転写層３７Ｒおよび３７Ｇのそれぞれ一部を一括転写する。照射光の幅の分だけ次の照射光の位置をシフトさせながら、この転写方法を何回も繰り返すことによって、最終的に全転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの転写を完了する。この方法では、照射光とドナー基板３０との位置関係を厳密に制御する必要がない。さらに、次の照射光の位置を厳密に前の照射光の幅の分だけずらす必要はなく、オーバーラップさせてもよい。光が全転写領域を最終的に照射すればよく、照射光の幅や、照射の順番、オーバーラップの度合いなどは特に限定されるものではない。前述のデルタ配列でも照射光を直線的にスキャンすることができる。

上記一括転写の大きな効果は、既に述べたとおり、光を照射する位置を従来法ほど厳密に制御する必要がなくなる点である。例えば、大気中に置かれた光源から真空中に置かれたドナー基板３０に光を照射する場合には、従来法では、大気と真空とを隔てる透明窓によって生じる微小な光路変化が無視できないので、光源や光のスキャン機構を全て真空中に入れる必要があり、大きな装置上の負担を強いるという問題があった。一方、本実施の形態１の方法では上記の光路変化は無視でき得るので、光照射装置だけでなく、転写プロセス装置全体の機構も簡素化できる。

また、上記一括転写には別の効果がある。幅の広い光の照射範囲内では、レーザー転写で問題となってきた横方向の熱拡散が起きないので、レーザーを比較的低速でスキャンするなどして、光を比較的長時間照射することが可能になる。そのため、転写材料の最高到達温度の制御がより容易となり、転写時に転写材料にダメージを与えることなく高精度パターニングできるので、デバイス性能の低下を最小限に抑制できる。また、転写材料へのダメージが低減されることは、同時に区画パターン３４へのダメージも低減されることになり、区画パターン３４を有機材料で形成しても劣化が起こりにくくなる。そのため、ドナー基板３０を複数回に渡って再利用でき、パターニングに掛かるコストを低減できる。

上記では、矩形の光をｙ方向にスキャンする例を挙げたが、図１６に示すように、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの並びのｘ方向にスキャンすることもできる。また、スキャン速度や光強度は一定である必要はなく、ｘ方向へのスキャンでは、例えば、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの各蒸発温度に最適な条件になるように、スキャン速度や光強度をスキャン中に変調することもできる。スキャン方向は、ｘ方向あるいはｙ方向の区画パターン３４に沿う方向が好ましいが、特に限定されるものではなく、斜め方向にスキャンすることもできる。

スキャン速度は特に限定されないが、０．０１〜２ｍ／ｓの範囲が一般的に好ましく使用される。光の照射強度が比較的小さく、より低速でスキャンすることで転写材料へのダメージを低減する場合には、スキャン速度は０．６ｍ／ｓ以下、さらに０．３ｍ／ｓ以下であることが好ましい。上記の分割転写のように、分割回数を増やすことで全体の低温下を図る場合には、１回のスキャン当たりの投入熱量を減らすために、スキャン速度は比較的高速の０．３ｍ／ｓ以上であることが好ましい。

照射光の光源としては、容易に高強度が得られ、照射光の形状制御に優れるレーザーを好ましい光源として例示できるが、赤外線ランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、フラッシュランプなどの光源を利用することもできる。レーザーでは、半導体レーザー、ファイバーレーザー、ＹＡＧレーザー、アルゴンイオンレーザー、窒素レーザー、エキシマレーザーなど公知のレーザーが利用できる。本発明における目的の１つは、転写材料へのダメージを低減することであるから、短時間に高強度の光が照射される間欠発振モード（パルス）レーザーより、連続発信モード（ＣＷ）レーザーの方が好ましい。

照射光の波長は、照射雰囲気とドナー基板３０の支持体３１における吸収が小さく、かつ、光熱変換層３３において効率よく吸収されれば特に限定されない。従って、可視光領域だけでなく紫外光から赤外光まで利用できる。ドナー基板３０の好適な支持体３１の材料を考慮すると、好ましい波長領域として、３００ｎｍ〜５μｍを、更に好ましい波長領域として、３８０ｎｍ〜２μｍを例示することができる。

照射光の形状は上記で例示した矩形に限定されるものではない。線状、楕円形、正方形、多角形など転写条件に応じて最適な形状を選択できる。複数の光源から重ね合わせにより照射光を形成してもよいし、逆に、単一の光源から複数の照射光に分割することもできる。図１７に示すように、スキャン方向の幅が階段状の光をスキャンすることで転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂへの各照射時間（加熱時間）を調整し、転写層３７Ｒ、３７Ｇ、３７Ｂの各蒸発温度に最適化した一括転写を実施することができる。照射光の強度ムラに対応して光のスキャン方向の幅を変調して、照射エネルギー密度（照射強度×照射時間）を一定にすることもできる。また、図１８に示すように、矩形の光を斜めに照射する配置でｙ方向にスキャンしてもよい。照射光の形状（幅）が固定されている場合に、光学系の大きな変更を必要とせずに、多様なピッチを有する転写に対応することができる。

また、図１９（ａ）に示すように、ドナー基板３０の転写領域３８の全領域を覆う光を照射することもできる。この場合には、照射光をスキャンさせることなく全転写材料を一括転写することができる。さらに、図１９（ｂ）に示すように、ドナー基板３０の転写領域３８を部分的に覆う光を照射し、次に未照射の部分を照射するステップ照射を使用してもよい。この場合も、照射光の前後の位置をオーバーラップさせてもよいので、光照射の位置合わせを大幅に軽減できる。

照射強度や転写材料の加熱温度の好ましい範囲は、照射光の均一性、照射時間（スキャン速度）、ドナー基板３０の支持体３１や光熱変換層３３の材質や厚さ、反射率、区画パターンの材質や形状、転写材料の材質や厚さなど様々な条件に影響される。本発明では、光熱変換層３３に吸収されるエネルギー密度が０．０１〜１０Ｊ／ｃｍ^２ の範囲となり、転写層３７が２２０〜４００℃の範囲に加熱される程度の照射条件を整えることが目安となる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２は、ドナー基板３０が、不活性層３６を有している。図２０に本実施の形態２のドナー基板３０の構成の一例を示す。

不活性層３６は光熱変換層３３の上に形成される。本実施の形態２において、不活性層３６とは、光熱変換層３３からの熱による変質や、接触する化合物との化学反応を起こしにくい層のことをいう。本発明に用いられるアントラセン誘導体やアントラセン前駆体化合物は比較的劣化しやすく、また、光熱変換層３３を構成する材料には、他の化合物と反応をおこすものや、触媒作用を有するものが多い。したがって、光熱変換層３３上にアントラセン誘導体やアントラセン前駆体化合物を含む転写層３７を直接作製することは、アントラセン誘導体やアントラセン前駆体化合物の劣化や不純物の増加を伴い、デバイス性能を低下させる原因となる恐れがある。本実施の形態２によれば、不活性層３６を光熱変換層３３と転写層３７との間に設けることで、アントラセン誘導体やアントラセン前駆体化合物の劣化や不純物の増加を防ぐことができる。また、光熱変換層３３と転写層３７との間に不活性層３６があることで転写層３７との界面が安定化されるため、転写の際の熱による転写層３７およびデバイス基板２０のダメージを低減することもできる。

不活性層３６の材料としては、熱に対して安定であり、光熱変換層や本発明のアントラセン誘導体やアントラセン前駆体化合物との反応性が極めて小さい材料であれば特に制限はない。例えば、酸化物、窒化物、炭化物、シリコン、ガラス、セラミックス、グラファイトなどを用いることができ、その中でも特に安定である酸化物、窒化物、炭化物を好ましく用いることができる。酸化物、窒化物、炭化物の例としては、酸化ケイ素、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、窒化ホウ素、窒化ガリウム、窒化モリブデン、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化バナジウム、窒化クロム、炭化チタン、炭化ケイ素、炭化タンタル、炭化ニオブ、炭化タングステンなどが挙げられる。中でも金属酸化物、金属窒化物または金属炭化物が好ましい。

また不活性層３６は単層でも複数層でもかまわず、複数層の場合は上記の複数の不活性層材料を積層してもかまわない。

不活性層３６の厚さは、光熱変換層３３で発生した熱を効率よく転写層３７へ伝導できるよう、転写層３７の劣化を防ぐことができる範囲でできるだけ薄くなるようにすることが好ましい。好ましい厚さは５０ｎｍ以下であり、より好ましくは２０ｎｍ以下である。また、厚さの下限は特に制限はないが、不活性層３６による材料劣化抑制の効果を十分に得るためには、１ｎｍ以上であることが好ましい。

不活性層３６の種類と膜厚はＸ線光電子分光分析法（ＥＳＣＡ）を用いて分析することができる。

不活性層３６の作製方法は特に限定されず、真空蒸着、ＥＢ蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ、レーザーアブレーションなどの公知技術を利用できる。

また、不活性層３６上に区画パターン３４を設けてもかまわない。区画パターン３４を設けることで、ドナー基板３０上でパターニングされた転写層３７が転写時に混合することを防ぐことができる。区画パターン３４を形成する材料としては、実施の形態１と同様の材料を使用することができる。

実施の形態２において、区画パターン３４は光熱変換層３３上に設けてもよい。区画パターン３４を光熱変換層３３上に設ける場合の一例を図２１に示す。（ａ）は区画パターン３４形成後、区画パターン３４と光熱変換層３３の両方に不活性層３６を積層した場合を示す。また（ｂ）は光熱変換層３３の部分のみに不活性層３６をパターニングして形成した場合を示す。この際、（ｃ）に示すように光熱変換層３３の一部に不活性層３６が形成されていない箇所があっても、光熱変換層３３が不活性層３６で覆われている領域が広いことにより転写層３７の劣化がほとんど生じないのであれば、かまわない。ただし、転写層３７と接する光熱変換層３３はできるだけ少ないほうが好ましい。不活性層３６をパターニングする方法としてはレーザーアブレーション法などの公知の技術を利用することができる。

実施の形態２では、上記のようにして区画パターン３４および不活性層３６を形成した後、不活性層３６上に、実施の形態１と同様にして、一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層し、積層した転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、光照射および／または加熱することにより、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換して、所望のアントラセン誘導体を含む転写層３７を形成する。

実施の形態２では、不活性層３６上に一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層した後、減圧条件下で、一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換するため、不活性層３６によりアントラセン誘導体の劣化をさらに抑制することができる。

以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。

ＨＰＬＣ（（株）島津製作所製）の充填材にはオクチル基結合型シリカゲル、移動相にアセトニトリルを用いて測定を行った。

不活性膜の膜厚はＸ線光電子分光装置（（株）アルバック・ファイ製）を用い、深さ方向のイオンエッチングを行いながら分析することで確認した。
光照射時の圧力は電離真空計（（株）アルバック製、ＧＩ−ＴＬ３）を用いて確認した。

（実施例１）
ドナー基板３０を以下のとおり作製した。支持体３１として無アルカリガラス基板を用い、洗浄／ＵＶオゾン処理後に、光熱変換層３３として厚さ０．２μｍのチタンをスパッタリング法により全面形成した。次に、光熱変換層３３をＵＶオゾン処理した後に、上にポジ型ポリイミド系感光性コーティング剤（東レ株式会社製、ＤＬ−１０００）をスピンコート塗布し、プリベーキング、ＵＶ露光した後に、現像液（東レ株式会社製、ＥＬＭ−Ｄ）により露光部を溶解・除去した。

このようにパターニングしたポリイミド前駆体膜をホットプレートで３５０℃、１０分間ベーキングして、ポリイミド系の区画パターン３４を形成した。この区画パターン３４の高さは２μｍで、断面は順テーパー形状であった。区画パターン３４内部には幅８０μｍ、長さ２８０μｍの光熱変換層を露出する開口部が、それぞれ１００、３００μｍのピッチで配置されていた。このドナー基板３０上に、化合物［１６］を０．４質量％含むクロロホルム溶液をインクジェット法により塗布・乾燥し、区画パターン３４内（開口部）に化合物［１６］からなる平均厚さ４０ｎｍの薄膜を形成した。得られたドナー基板３０を真空チャンバー中に静置した後、チャンバー内を減圧し、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を１．０時間照射し、化合物［１６］を化合物［６０］へと変換した。このときの真空チャンバー内の圧力は５．０×１０^−２Ｐａであった。
次いでドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析した。検出されたピークのうち、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピークのピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．１８であった。結果を表１に示す。

（実施例２）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を４．５×１０^−４Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対し０．０８であった。結果を表１に示す。

（実施例３）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を９．０×１０^−３Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．０７であった。結果を表１に示す。

（実施例４）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．０×１０^−２Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．１０であった。結果を表１に示す。

（実施例５）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．５×１０^−１Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．４１であった。結果を表１に示す。

（実施例６）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を５．０×１０^−１Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．７７であった。結果を表１に示す。

（実施例７）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を８．５×１０^−１Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．９１であった。結果を表１に示す。

（実施例８）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．２×１０^０Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して１．０２であった。結果を表１に示す。

（実施例９）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を５．０×１０Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して１．５６であった。結果を表１に示す。

（実施例１０）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を８．５×１０Ｐａとした以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して１．７８であった。結果を表１に示す。

（比較例１）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．０×１０^３Ｐａに変更した以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して５．００であった。結果を表１に示す。

（比較例２）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．２×１０^２Ｐａに変更した以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して３．４１であった。結果を表１に示す。

（比較例３）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．０×１０^５Ｐａ（大気圧）に変更した以外は実施例１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して７１．５であった。結果を表１に示す。

（実施例１１）
実施例１と同様にして区画パターン３４を形成したドナー基板３０に、化合物［１４］を０．４重量％含むクロロホルム溶液をインクジェット法により塗布・乾燥し、区画パターン３４内（開口部）に化合物［１４］からなる平均厚さ４０ｎｍの薄膜を形成した。得られたドナー基板３０を真空チャンバー中に静置した後、チャンバー内を減圧し、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を１．０時間照射し、化合物［１４］を化合物［５９］へと変換した。このときの真空チャンバー内の圧力は５．０×１０^−２Ｐａであった。
次いでドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析した。検出されたピークのうち、変換されずに残った化合物［１４］および化合物［５９］以外の不純物のピーク面積は、化合物［５９］のピーク面積１００に対して０．３３であった。結果を表１に示す。

（実施例１２）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を８．５×１０^−１Ｐａに変更した以外は実施例１１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１４］および化合物［５９］以外の不純物のピーク面積は、化合物［５９］のピーク面積１００に対して１．００であった。結果を表１に示す。

（比較例４）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．０×１０^３Ｐａに変更した以外は実施例１１と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１４］および化合物［５９］以外の不純物のピーク面積は、化合物［５９］のピーク面積１００に対して８．１０であった。結果を表１に示す。

（実施例１３）
光熱変換層３３として厚さ０．２μｍの金をスパッタリング法により支持体３１全面形成した以外は、実施例１と同様にして区画パターン３４内（開口部）に化合物［１６］からなる平均厚さ４０ｎｍの薄膜を有するドナー基板３０を作製した。得られたドナー基板３０を真空チャンバー中に静置した後、チャンバー内を減圧し、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を１．０時間照射し、化合物［１４］を化合物［５９］へと変換した。このときの真空チャンバー内の圧力は５．０×１０^−２Ｐａであった。
次いでドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析した。検出されたピークのうち、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．１２であった。結果を表１に示す。

（比較例５）
光照射時の真空チャンバー内の圧力を１．０×１０^３Ｐａに変更した以外は実施例１３と同様にドナー基板３０を作製した。ドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析し、検出ピークの面積を比較したところ、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して４．３０であった。結果を表１に示す。

（実施例１４）
光熱変換層３３として厚さ０．２μｍのチタンをスパッタリング法により全面形成した無アルカリガラス基板の支持体３１に、厚さ２０ｎｍの窒化チタンの不活性層３６を積層した以外は実施例１と同様にして区画パターン３４内（開口部）に化合物［１６］からなる平均厚さ４０ｎｍの薄膜を有するドナー基板３０を作製した。得られたドナー基板３０を真空チャンバー中に静置した後、チャンバー内を減圧し、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を１．０時間照射し、化合物［１４］を化合物［５９］へと変換した。このときの真空チャンバー内の圧力は５．０×１０^−２Ｐａであった。
次いでドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析した。検出されたピークのうち、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．１６であった。結果を表１に示す。

（実施例１５）
光熱変換層３３として厚さ０．２μｍのチタンをスパッタリング法により全面形成した無アルカリガラス基板の支持体３１に、厚さ２０ｎｍの窒化ケイ素の不活性層３６を積層した以外は実施例１と同様にして区画パターン３４内（開口部）に化合物［１６］からなる平均厚さ４０ｎｍの薄膜を有するドナー基板３０を作製した。得られたドナー基板３０を真空チャンバー中に静置した後、チャンバー内を減圧し、青色発光ダイオード（中心波長：４６０ｎｍ、半値幅：２０ｎｍ）の光を１．０時間照射し、化合物［１４］を化合物［５９］へと変換した。このときの真空チャンバー内の圧力は５．０×１０^−２Ｐａであった。
次いでドナー基板３０上の転写材料の純度をＨＰＬＣにて分析した。検出されたピークのうち、変換されずに残った化合物［１６］および化合物［６０］以外の不純物のピーク面積は、化合物［６０］のピーク面積１００に対して０．１８であった。結果を表１に示す。

本発明にかかる転写用ドナー基板の製造方法およびデバイス基板の製造方法は、有機ＥＬ素子をはじめとし、有機ＴＦＴや光電変換素子、各種センサーなどのデバイスを構成する薄膜のパターニングに有用であり、携帯電話やパソコン、テレビ、画像スキャナなどに使用されるディスプレイパネルや、タッチパネル、撮像素子などの製造に利用可能である。

１０ 有機ＥＬ素子（デバイス基板）
１１ 支持体
１２ ＴＦＴ（取り出し電極含む）
１３ 平坦化膜
１４ 絶縁層
１５ 第一電極
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
２０ デバイス基板
２１ 支持体
２７ 転写膜
３０ ドナー基板
３１ 支持体
３３ 光熱変換層
３４ 区画パターン
３５ 撥液処理層
３６ 不活性層
３７ 転写層

Claims (4)

1. 基板と、該基板上に形成された光熱変換層と、該光熱変換層上に形成された転写層とを含む転写用ドナー基板の製造方法であって、
   前記光熱変換層上に、下記一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を含む転写材料を積層する積層工程と、
   前記積層工程で積層された転写材料中の一般式（１）で表されるアントラセン前駆体化合物を、減圧条件下で、下記一般式（２）で表されるアントラセン誘導体に変換する変換工程と、
   を含むことを特徴とする転写用ドナー基板の製造方法。
   

   

   （一般式（１）および（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、シアノ基、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、ホスフィンオキサイド基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。一般式（１）中、Ｘは−（Ｃ＝Ｏ）−、−ＣＨ_２−、−Ｏ−または−ＣＨＲ^１１−から選ばれる原子または原子団である。Ｒ^１１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアシル基から選ばれる置換基であり、互いに結合を有して環を形成しても良い。）
2. 前記減圧条件は１．０×１０^２Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の転写用ドナー基板の製造方法。
3. 前記変換工程は、光照射および／または加熱処理であることを特徴とする請求項１または２に記載の転写用ドナー基板の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法により転写用ドナー基板を製造する転写用ドナー製造工程と、
   前記転写用ドナー基板とデバイス基板とを位置合わせする位置合わせ工程と、
   前記光熱変換層に光を照射することにより前記転写層を前記デバイス基板上に転写する転写工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス基板の製造方法。

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