JP2013168396A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、静電型の荷電粒子線レンズであって、間隔規定部材により、光軸方向へ互いに離間して配置される第一の電極と第二の電極とを有すると共に、前記第一の電極、前記第二の電極、前記間隔規定部材により囲まれた空隙を有し、前記第一の電極と前記第二の電極は、荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔を有すると共に、少なくとも前記第二の電極は、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成されている領域の外側に、荷電粒子ビームが通過しない第二の貫通孔を有し、前記第一の貫通孔及び前記第二の貫通孔は、それぞれ前記空隙に連通していることを特徴とする。
Claims (7)
- 静電型の荷電粒子線レンズであって、
間隔規定部材により、光軸方向へ互いに離間して配置される第一の電極と第二の電極とを有すると共に、
前記第一の電極、前記第二の電極、前記間隔規定部材により囲まれた空隙を有し、
前記第一の電極と前記第二の電極は、荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔を有すると共に、
少なくとも前記第二の電極は、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成されている領域の外側に、荷電粒子ビームが通過しない第二の貫通孔を有し、
前記第一の貫通孔及び前記第二の貫通孔は、それぞれ前記空隙に連通していることを特徴とする荷電粒子線レンズ。 - 前記空隙から前記第二の電極に設けられた貫通孔を通じて、前記第二の電極外へ通じる排気コンダクタンスの総量に対し、
前記空隙から前記第一の電極に設けられた貫通孔を通じて、前記第一の電極外へ通じる排気コンダクタンスの総量が小さいことを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線レンズ。 - 前記第一の電極と前記第二の電極とを、前記光軸方向へ貫通し、
前記空隙の外側であって、前記空隙と連通しないように配置された、第三の貫通孔を、さらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の荷電粒子線レンズ。 - 前記第一の電極は、照射対象物に最も近い電極であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の荷電粒子線レンズ。
- 前記第一の電極と前記第二の電極とは、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成された領域に、
前記電極を構成する部材以上にプラズマ耐性を備えた導電性を維持する部材による膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の荷電粒子線レンズ。 - 前記第一の電極と前記第二の電極の帯電を防止する帯電防止膜が、前記空隙の内壁に形成されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の荷電粒子線レンズ。
- 請求項1〜6の何れか1項に記載の荷電粒子線レンズによって、少なくとも静電対物レンズが構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
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WO2001075950A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille electronique multiaxe, procede de fabrication de ladite lentille, et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur |
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JP5005087B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | マトリックス型冷陰極電子源装置 |
CN102232237B (zh) * | 2008-10-01 | 2014-09-24 | 迈普尔平版印刷Ip有限公司 | 静电透镜构件 |
DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
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