JP2010519681A5 - - Google Patents

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Claims (9)

  1. 可動マウントに取り付けられた少なくとも1つの電極を備え、
    前記可動マウントは、
    前記少なくとも1つの電極の半径方向の拡大を可能にするように構成されている、イオンビーム加速装置。
  2. 複数の電極を備え、該電極の少なくとも1つが可動マウントに支持されている、請求項1に記載の装置。
  3. 少なくとも1つの開口を有する第1の電極と、
    前記第1の電極に隣接するとともに該第1の電極から間隔をあけて配置され、少なくとも1つの開口を有する第2の電極と、
    前記第2の電極に隣接するとともに該第2の電極から間隔をあけて配置され、少なくとも1つの開口を有する第3の電極と、を備え、
    各電極の前記少なくとも1つの開口は、他の電極の対応する開口に対して一列に並んでおり、かつ、前記第1の電極、第2の電極、および第3の電極のうち少なくとも1つの電極が可動マウントに取り付けられている、請求項1に記載の装置。
  4. 各電極が可動マウントに取り付けられている、請求項3に記載の装置。
  5. 前記可動マウントが、前記各開口のアライメントに利用できるように構成されている、請求項4に記載の装置。
  6. 前記マウントが熱的に分離されているマウントである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
  7. 前記マウントがラジアルキネマチックマウントである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の装置。
  8. 胴体部をさらに備え、
    前記可動マウントが該胴体部に取り付けられ、かつ、そこから熱的に分離されている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
  9. プラズマチャンバ、
    該プラズマチャンバ内で、第1の極性の粒子と第2の極性の逆の帯電粒子とを含むプラズマを発生する手段、
    前記プラズマチャンバ内で前記第1の極性の粒子を抑制する手段、および、
    請求項1〜のいずれか1項に記載の前記加速装置を含み、
    前記第1の電極が前記プラズマと接触している、帯電粒子ビーム生成装置。
JP2009549482A 2007-02-16 2008-02-15 可動マウントに取り付けられた電極を備えるイオンビーム加速装置 Pending JP2010519681A (ja)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA030379B1 (ru) 2008-08-04 2018-07-31 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты)
DE102009048400A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-14 Siemens Aktiengesellschaft HF-Resonatorkavität und Beschleuniger
JP2013098003A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム引出し用電極およびこれを備えたイオン源
JP6508746B2 (ja) 2014-12-05 2019-05-08 エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッドAgc Flat Glass North America,Inc. マクロ粒子低減コーティングを利用したプラズマ源ならびにマクロ粒子低減コーティングを用いたプラズマ源を薄膜コーティングおよび表面改質に使用する方法
EP3228160B1 (en) 2014-12-05 2021-07-21 AGC Glass Europe SA Hollow cathode plasma source
US9721765B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US9721764B2 (en) 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of producing plasma by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
WO2017105673A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source and method of extracting and accelerating ions
US9807864B1 (en) * 2016-08-04 2017-10-31 Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Electrode, accelerator column and ion implantation apparatus including same

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4149055A (en) * 1977-05-02 1979-04-10 Hughes Aircraft Company Focusing ion accelerator
JPS6043620B2 (ja) * 1982-11-25 1985-09-28 日新ハイボルテージ株式会社 マイクロ波イオン源
JPS59207553A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Hitachi Ltd 荷電粒子線軸合せ装置
JPH0746588B2 (ja) * 1986-09-09 1995-05-17 日本電信電話株式会社 マイクロ波イオン源
JPH01204341A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Japan Steel Works Ltd:The イオンビーム装置
US4933551A (en) * 1989-06-05 1990-06-12 The United State Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Reversal electron attachment ionizer for detection of trace species
US5365070A (en) * 1992-04-29 1994-11-15 The Regents Of The University Of California Negative ion beam injection apparatus with magnetic shield and electron removal means
JPH0668806A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Japan Steel Works Ltd:The イオン源
US5608773A (en) * 1993-11-30 1997-03-04 Canon Kabushiki Kaisha Mask holding device, and an exposure apparatus and a device manufacturing method using the device
JP3243168B2 (ja) * 1996-02-06 2002-01-07 キヤノン株式会社 原版保持装置およびこれを用いた露光装置
DE19851097A1 (de) * 1997-11-05 1999-05-06 Ims Ionen Mikrofab Syst Mechanisch einstellbare, elektrostatische Linse
JPH11283552A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Tadamoto Tamai イオン注入装置、イオン注入方法、イオンビーム源、及び可変スリット機構
US6458723B1 (en) * 1999-06-24 2002-10-01 Silicon Genesis Corporation High temperature implant apparatus
EP1245036B1 (en) * 1999-12-13 2013-06-19 Semequip, Inc. Ion implantation ion source
US6501078B1 (en) * 2000-03-16 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Ion extraction assembly
US6838677B2 (en) * 2000-11-20 2005-01-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Extraction and deceleration of low energy beam with low beam divergence
US6768120B2 (en) * 2001-08-31 2004-07-27 The Regents Of The University Of California Focused electron and ion beam systems
US6936981B2 (en) * 2002-11-08 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Retarding electron beams in multiple electron beam pattern generation
JP3858092B2 (ja) 2002-11-14 2006-12-13 独立行政法人航空宇宙技術研究所 イオン抽出装置
US7145157B2 (en) * 2003-09-11 2006-12-05 Applied Materials, Inc. Kinematic ion implanter electrode mounting
JP4316394B2 (ja) * 2004-01-21 2009-08-19 株式会社東芝 荷電ビーム装置
JP5068928B2 (ja) * 2004-11-30 2012-11-07 株式会社Sen 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置
US7279687B2 (en) * 2005-08-26 2007-10-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for implementing a variable aperture lens in an ion implanter
US8471452B2 (en) 2006-06-30 2013-06-25 Nordiko Technical Services Limited Apparatus

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