JP2013165117A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013165117A JP2013165117A JP2012026337A JP2012026337A JP2013165117A JP 2013165117 A JP2013165117 A JP 2013165117A JP 2012026337 A JP2012026337 A JP 2012026337A JP 2012026337 A JP2012026337 A JP 2012026337A JP 2013165117 A JP2013165117 A JP 2013165117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor device
- heat radiation
- dcb
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体チップ1をマウントしたセラミックス絶縁基板(DCB基板)2を放熱用銅ベース3に搭載して両者間を半田接合したパッケージ構造になる半導体装置において、放熱用銅ベース3における前記セラミックス絶縁基板2の搭載面域に沿ってその外周側に、熱応力緩和用のディンプル3aを分散形成する。
【選択図】図1
Description
(1)DCB基板の裏面側金属板に形成したディンプル,凹溝は、ヒートヒンクとの間の非接合領域となってDCB基板/ヒートヒンク間の伝熱面積が減少する。このために、トータル的にDCB基板にマウントしたパワー半導体チップとヒートヒンクとの間の伝熱経路の熱抵抗が増加してパッケージの放熱性,熱分散性が低下する。
(2)かかる点、DCB基板の裏面側金属板(銅箔)の厚さを厚くすれば放熱用金属ベースへの放熱性が改善されるものの、この銅箔を厚くすると見かけ上の熱膨張係数が増加して熱応力がセラミックス基板との間に集中する問題もあって実用的には前記銅箔の厚み増加には制約がある。
(3)そのほか、DCB基板の導体パターン(厚さ:0.2〜0.6mm程度)にレーザー加工などの手法を用いてディンプル(ハーフディンプル)を凹設形成するには高度な加工技術と加工設備を要するなど加工工程上の問題もある。
前記放熱用金属ベースにおける前記セラミックス絶縁基板の搭載面域に沿ってその外周側に、熱応力緩和用のディンプルを分散形成する(請求項1)。
2 セラミックス絶縁基板(DCB基板)
2a セラミックス基板
2b 表面側銅箔
2c 裏面側銅箔
3 放熱用銅ベース
4 ヒートヒンク
5 半田層
Claims (2)
- 半導体チップをマウントしたセラミックス絶縁基板を放熱用金属ベースに搭載して両者間を半田接合したパッケージ構造になる半導体装置において、
前記放熱用金属ベースにおける前記セラミックス絶縁基板の搭載面域に沿ってその外周側に、熱応力緩和用のディンプルを分散形成したことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、セラミックス絶縁基板がセラミックス基板の両面に銅箔を直接接合したDCB基板であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026337A JP2013165117A (ja) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026337A JP2013165117A (ja) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013165117A true JP2013165117A (ja) | 2013-08-22 |
Family
ID=49176313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012026337A Pending JP2013165117A (ja) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013165117A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016122831A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
CN109075082A (zh) * | 2016-05-12 | 2018-12-21 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
WO2019087920A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
JP2021012907A (ja) * | 2019-07-04 | 2021-02-04 | 株式会社小糸製作所 | 発光素子実装用の基板及び車両用灯具 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012725A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007299798A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Furukawa Sky Kk | ヒートシンク付きセラミック基板 |
JP2007329362A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Hitachi Ltd | パワーモジュール |
-
2012
- 2012-02-09 JP JP2012026337A patent/JP2013165117A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007012725A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007299798A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Furukawa Sky Kk | ヒートシンク付きセラミック基板 |
JP2007329362A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Hitachi Ltd | パワーモジュール |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016122831A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
CN109075082A (zh) * | 2016-05-12 | 2018-12-21 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
CN109075082B (zh) * | 2016-05-12 | 2022-03-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
WO2019087920A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
JPWO2019087920A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2020-04-02 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
CN111316408A (zh) * | 2017-10-30 | 2020-06-19 | 三菱电机株式会社 | 电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法 |
US11342281B2 (en) | 2017-10-30 | 2022-05-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and manufacturing method for power semiconductor device |
US11842968B2 (en) | 2017-10-30 | 2023-12-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and substrate with dimple region |
JP2021012907A (ja) * | 2019-07-04 | 2021-02-04 | 株式会社小糸製作所 | 発光素子実装用の基板及び車両用灯具 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4867793B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI621226B (zh) | 電源模組用基板、附散熱片之電源模組用基板及電源模組 | |
JP6199397B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008294280A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014036033A (ja) | 半導体装置 | |
JP7047895B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2018146933A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4989552B2 (ja) | 電子部品 | |
JP6293043B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2008060172A (ja) | 半導体装置 | |
WO2011121779A1 (ja) | マルチチップモジュール、プリント配線基板ユニット、マルチチップモジュールの製造方法およびプリント配線基板ユニットの製造方法 | |
JP5163199B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール | |
TW201640627A (zh) | 電子裝置及其製法 | |
JP2013165117A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013055218A (ja) | 放熱装置 | |
JP2008251671A (ja) | 放熱基板およびその製造方法および電子部品モジュール | |
JP2002289750A (ja) | マルチチップモジュールおよびその放熱構造 | |
JP5957866B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI522032B (zh) | 散熱模組 | |
TWI693684B (zh) | Igbt模組散熱結構改良 | |
TWM590780U (zh) | 具有不同銅厚之igbt模組散熱結構 | |
TWI660471B (zh) | 晶片封裝 | |
JP2017117927A (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
JP2011018807A (ja) | パワーモジュール | |
JP5278011B2 (ja) | 半導体の冷却構造及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150114 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160229 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160906 |