JP2013153084A - Production method of pattern structure and base material for patterning used therein - Google Patents

Production method of pattern structure and base material for patterning used therein Download PDF

Info

Publication number
JP2013153084A
JP2013153084A JP2012013488A JP2012013488A JP2013153084A JP 2013153084 A JP2013153084 A JP 2013153084A JP 2012013488 A JP2012013488 A JP 2012013488A JP 2012013488 A JP2012013488 A JP 2012013488A JP 2013153084 A JP2013153084 A JP 2013153084A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
group
layer
organic
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012013488A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5891814B2 (en
Inventor
Yasuo Okawa
泰央 大川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2012013488A priority Critical patent/JP5891814B2/en
Publication of JP2013153084A publication Critical patent/JP2013153084A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5891814B2 publication Critical patent/JP5891814B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method capable of producing a pattern structure having a fine pattern with high precision, and a base material for patterning which can be used in such a production method.SOLUTION: In an adhesion layer formation step, a base material 31 for patterning is created by forming an adhesion layer 33 on a substrate 32. In a patterning step, an organic resist layer 35 is formed on the adhesion layer 33, and the organic resist layer 35 is patterned. The adhesion layer 33 is formed using an adhesive agent containing an organic compound which includes, in one molecule, a heterocycle containing nitrogen and having an unsaturated bond, a thiol group bonded to the heterocycle, and a reactive functional group bonded to the heterocycle and forming a chemical bond to an organic material.

Description

本発明は、所望のパターン（線、模様等の図形であり、平坦面も含む）を有するパターン構造体の製造方法と、このようなパターン構造体の製造に使用するパターン形成用基材に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a pattern structure having a desired pattern (a figure such as a line or a pattern, including a flat surface), and a pattern forming substrate used for manufacturing such a pattern structure.

微細加工技術として、基板上に感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法でパターニングして、所望のパターンを有する樹脂層を基板上に備えたパターン構造体を製造することが従来から行われている。また、近年、微細加工技術としてインプリント方法が用いられており、このインプリント方法は、凹凸構造を備えるモールド（型部材）を用いて、基板上の樹脂層に凹凸構造を等倍転写してパターンを形成する技術である。
一方、基板上の感光性の有機レジストをフォトリソグラフィー法でパターニングしてレジストパターン形成し、このレジストパターンをマスクとして基板をエッチングしてパターン構造体を製造する方法が従来から用いられている。このようなパターン構造体の製造方法にてナノオーダーの微細なパターンを形成するためには、感光性の有機レジストの露光に使用するエネルギー線を、例えば、波長２００ｎｍ以下のエネルギー線とする必要がある。しかし、このようなエネルギー線の波長域に感光域を有する有機レジストは、ドライエッチング耐性が劣るため、レジストパターンを直接ドライエッチング用のマスクとして使用し基板をパターニングすることは困難であった。このため、微細なパターンを形成する場合、基板の表面にハードマスク用の材料層を配設しておき、この上に形成したレジストパターンをマスクとして材料層をドライエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して基板をドライエッチングしてパターンを形成することが行われている。このようなハードマスクを用いたドライエッチング方法は、ハードマスクと基板のエッチング選択性を利用して高精度なパターン形成を可能とするものであり、種々のパターン構造体の製造に用いられている。 As a microfabrication technique, a photosensitive resin layer is formed on a substrate, and this photosensitive resin layer is patterned by a photolithography method to produce a pattern structure having a resin layer having a desired pattern on the substrate. Has traditionally been done. In recent years, an imprint method has been used as a microfabrication technique. This imprint method uses a mold (mold member) having a concavo-convex structure to transfer the concavo-convex structure to the resin layer on the substrate at an equal magnification. This is a technique for forming a pattern.
On the other hand, a method is conventionally used in which a photosensitive organic resist on a substrate is patterned by a photolithography method to form a resist pattern, and the substrate is etched using this resist pattern as a mask to manufacture a pattern structure. In order to form a nano-order fine pattern by such a method for producing a pattern structure, it is necessary to use, for example, an energy ray having a wavelength of 200 nm or less as an exposure to the photosensitive organic resist. is there. However, since an organic resist having a photosensitive region in the wavelength region of such energy rays is inferior in dry etching resistance, it has been difficult to pattern a substrate using a resist pattern directly as a mask for dry etching. For this reason, when forming a fine pattern, a hard mask material layer is provided on the surface of the substrate, and the hard mask is formed by dry etching the material layer using the resist pattern formed thereon as a mask. The substrate is dry-etched through this hard mask to form a pattern. Such a dry etching method using a hard mask enables high-precision pattern formation using the etching selectivity between the hard mask and the substrate, and is used in the manufacture of various pattern structures. .

また、基板をドライエッチングすることによりパターン構造体を製造する方法として、インプリント方法を用いたリソグラフィ技術に注目が集まっている。このインプリントリソグラフィー法による微細加工は、例えば、基板上の有機レジストにモールドで所望の凹凸構造を転写し、硬化させた後、モールドと硬化後のレジストとを引き剥がして基板上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして基板に対してドライエッチング処理を施すものである。さらに、ナノオーダーの微細加工を行うために、基板に比べてドライエッチング耐性の高い材料層を基板の表面に配設しておき、ナノインプリント方法で形成したレジストパターンをマスクとして材料層をドライエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して基板にドライエッチング処理を施すことも行われている。
上記のようなパターン構造体の製造では、パターンが形成される樹脂層と基板との密着性、あるいは、ハードマスク用の材料層とレジストとの密着性が重要である。この密着性が不十分であると、パターン構造体を構成する基板から、パターンが形成されている樹脂層が剥離したり、パターンの倒れやスライドを生じることがある。また、フォトリソグラフィー法で形成したレジストパターンの倒れやスライドが生じたり、インプリントリソグラフィー法でのレジストパターンの形成段階で、硬化した有機レジストからモールドを引き離す際に、有機レジストがモールドに付着して、レジストパターンの欠陥、破損、あるいは、モールドの破損等を生じるという問題がある。 Further, as a method for producing a pattern structure by dry etching a substrate, attention is focused on lithography technology using an imprint method. The microfabrication by this imprint lithography method, for example, is to transfer a desired uneven structure to an organic resist on a substrate with a mold and cure it, and then peel off the mold and the cured resist to form a resist pattern on the substrate. Then, the substrate is dry-etched using the resist pattern as a mask. Furthermore, in order to perform nano-order microfabrication, a material layer having higher dry etching resistance than the substrate is disposed on the surface of the substrate, and the material layer is dry-etched using the resist pattern formed by the nanoimprint method as a mask. A hard mask is formed, and a dry etching process is performed on the substrate through the hard mask.
In the production of the pattern structure as described above, the adhesion between the resin layer on which the pattern is formed and the substrate, or the adhesion between the hard mask material layer and the resist is important. If the adhesion is insufficient, the resin layer on which the pattern is formed may peel from the substrate constituting the pattern structure, or the pattern may fall or slide. In addition, the resist pattern formed by the photolithographic method falls down or slides, or the organic resist adheres to the mold when the mold is separated from the cured organic resist at the stage of forming the resist pattern by the imprint lithography method. In addition, there is a problem that a resist pattern is defective or damaged, or a mold is damaged.

従来から、インプリント時のモールドと硬化した樹脂層（レジスト）との引き離し時の付着防止を目的として、転写基材上にシランカップリング剤を用いて密着層を形成することにより、インプリント用の転写基材と硬化した樹脂層との密着性を向上させることが提案されている。例えば、転写基材として、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、タンタル、アルミニウム、石英、溶融石英等の、表面に酸化ケイ素や酸化膜が存在する基材を使用し、この転写基材の表面と架橋可能な第１官能基と、硬化した樹脂層と架橋可能な第２官能基を有するシランカップリング剤を用いて、転写基材と樹脂層との間に密着層を形成して両者の密着性を向上させる方法（特許文献１）等が提案されている。   Conventionally, for the purpose of imprinting, an adhesion layer is formed on a transfer substrate using a silane coupling agent for the purpose of preventing adhesion between the mold and the cured resin layer (resist) during imprinting. It has been proposed to improve the adhesion between the transfer substrate and the cured resin layer. For example, as a transfer substrate, a substrate such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, tantalum, aluminum, quartz, fused quartz, etc., on which a silicon oxide or oxide film exists is used, and the transfer substrate surface is crosslinked. An adhesive layer is formed between the transfer substrate and the resin layer by using a silane coupling agent having a possible first functional group and a second functional group capable of cross-linking with the cured resin layer. A method (Patent Document 1) and the like have been proposed.

特表２０１０−５２６４２６号公報Special table 2010-526426

しかし、パターン構造体を構成する基板が金属等のように、表面に酸素原子、ＯＨ基等のアルコキシシリル基と化学結合し得る官能基を含まない場合、シランカップリング剤からなる密着層と基板との密着が不十分なものとなり、パターンが形成された樹脂層が剥離したり、パターンの倒れやスライドを生じることがある。また、ハードマスク用の材料層が表面に酸素原子、ＯＨ基等のアルコキシシリル基と化学結合し得る官能基を含まない場合も、上記のようなシランカップリング剤からなる密着層とハードマスク用の材料層との密着が不十分なものとなり、形成したレジストパターンの倒れやスライドが生じたり、硬化した有機レジストからモールドを引き離す際に、有機レジストの一部がモールドに付着して転写欠陥を生じることがあり、安定したパターン形成を行うことができないという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、微細なパターンを有するパターン構造体を高い精度で製造可能な製造方法と、このような製造方法に使用できるパターン形成用基材を提供することを目的とする。 However, when the substrate constituting the pattern structure does not contain a functional group capable of chemically bonding to an alkoxysilyl group such as an oxygen atom or OH group on the surface, such as a metal, the adhesion layer and the substrate made of a silane coupling agent The resin layer on which the pattern is formed peels off, or the pattern collapses or slides. In addition, even when the hard mask material layer does not contain a functional group that can chemically bond with an alkoxysilyl group such as an oxygen atom or OH group on the surface, the adhesion layer made of the silane coupling agent and the hard mask Adhesion with the material layer becomes insufficient, causing the resist pattern to fall or slide, and when the mold is pulled away from the cured organic resist, part of the organic resist adheres to the mold and causes transfer defects. There is a problem that a stable pattern cannot be formed.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a manufacturing method capable of manufacturing a pattern structure having a fine pattern with high accuracy, and a substrate for pattern formation that can be used in such a manufacturing method. The purpose is to provide.

上記のような目的を達成するために、本発明のパターン形成方法は、基板上に密着層を形成する密着層形成工程と、該密着層上に有機レジスト層を形成するとともに、該有機レジスト層をパターニングするパターニング工程と、有し前記密着層形成工程では、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を１分子中に具備する有機化合物を含有する密着剤を用いて密着層を形成するような構成とした。   In order to achieve the above object, the pattern forming method of the present invention includes an adhesion layer forming step of forming an adhesion layer on a substrate, an organic resist layer on the adhesion layer, and the organic resist layer. In the patterning step of patterning, and in the adhesion layer forming step, a heterocyclic ring containing nitrogen and having an unsaturated bond, a thiol group bonded to the heterocyclic ring, and a chemical bond with an organic substance bonded to the heterocyclic ring It was set as the structure which forms an adhesion layer using the adhesion agent containing the organic compound which comprises the reactive functional group which can be formed in 1 molecule.

本発明の他の態様として、前記複素環がトリアジン環である有機化合物を使用するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、下記構造式（１）で表される有機化合物であるような構成とした。 In another embodiment of the present invention, an organic compound in which the heterocyclic ring is a triazine ring is used.
As another aspect of the present invention, the organic compound is configured to be an organic compound represented by the following structural formula (1).

Figure 2013153084
［構造式（１）中、Ｘは水素原子もしくは反応性官能基であり、反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１〜９の整数を示す。］
Figure 2013153084
 [In the structural formula (1), X is a hydrogen atom or a reactive functional group, and examples of the reactive functional group include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group. Represents a group selected from the group consisting of: n represents an integer of 1 to 9. ]

本発明の他の態様として、前記パターニング工程では、基体の表面に凹凸構造を形成したモールドと前記有機レジスト層とを押し当て、その状態で前記有機レジスト層を硬化させ、次いでモールドを引き剥がしてパターニングするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程では、エネルギー線感応性の有機レジスト層を形成し、該有機レジスト層にエネルギー線を照射し、その後、現像してパターニングするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記密着層形成工程では、前記基板上にハードマスク材料層を介して前記密着層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される１種または２種以上の材料からなるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、該ハードマスクを介して前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有するような構成とした。 As another aspect of the present invention, in the patterning step, the mold having an uneven structure formed on the surface of the substrate and the organic resist layer are pressed, the organic resist layer is cured in that state, and then the mold is peeled off. It was set as the structure which patterns.
As another aspect of the present invention, in the patterning step, an energy ray-sensitive organic resist layer is formed, the organic resist layer is irradiated with energy rays, and then developed and patterned.
As another aspect of the present invention, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer is formed on the substrate via a hard mask material layer.
As another aspect of the present invention, the hard mask material layer is made of chromium, gold, aluminum, molybdenum, titanium, tantalum, zirconium, tungsten, copper, tin, nickel, beryllium, alloys of these metals, oxides, nitrides The composition is made of one or more materials selected from the group consisting of oxynitrides.
As another aspect of the present invention, the structure further includes an etching step of etching the substrate using the organic resist layer patterned in the patterning step as a mask.
As another aspect of the present invention, a hard mask forming step of forming a hard mask by etching the hard mask material layer using the organic resist layer patterned in the patterning step as a mask, and the substrate through the hard mask. The structure further includes an etching step for etching.

本発明のパターン形成用基材は、基板と、該基板上に位置する密着層を備え、該密着層は、１分子中に、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を具備する有機化合物を含有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、前記複素環がトリアジン環であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、下記構造式（１）で表される有機化合物であるような構成とした。 The substrate for pattern formation of the present invention includes a substrate and an adhesion layer located on the substrate, and the adhesion layer includes a heterocyclic ring containing nitrogen and an unsaturated bond in one molecule, and the heterocyclic ring. And an organic compound having a reactive functional group capable of forming a chemical bond with an organic substance by binding to the heterocyclic ring.
In another embodiment of the present invention, the organic compound is configured such that the heterocyclic ring is a triazine ring.
As another aspect of the present invention, the organic compound is configured to be an organic compound represented by the following structural formula (1).

Figure 2013153084
［構造式（１）中、Ｘは水素原子もしくは反応性官能基であり、反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１〜９の整数を示す。］
Figure 2013153084
 [In the structural formula (1), X is a hydrogen atom or a reactive functional group, and examples of the reactive functional group include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group. Represents a group selected from the group consisting of: n represents an integer of 1 to 9. ]

本発明の他の態様として、前記基板と前記密着層との間にハードマスク材料層が介在するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される１種または２種以上の材料からなるような構成とした。 In another aspect of the present invention, a hard mask material layer is interposed between the substrate and the adhesion layer.
As another aspect of the present invention, the hard mask material layer is made of chromium, gold, aluminum, molybdenum, titanium, tantalum, zirconium, tungsten, copper, tin, nickel, beryllium, alloys of these metals, oxides, nitrides The composition is made of one or more materials selected from the group consisting of oxynitrides.

本発明のパターン構造体の製造方法では、密着層が、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を１分子中に具備する有機化合物を含有する密着剤を用いて形成されるので、チオール基を介して基板に密着層が結合し、密着層の反応性官能基と有機レジスト層とが反応して結合を生じて、パターニングされた有機レジスト層が密着層を介して基板に確実に保持された状態となり、これにより、微細なパターンを有するパターン構造体を高い精度で製造することができる。   In the method for producing a patterned structure of the present invention, the adhesion layer forms a chemical bond with an organic substance by binding to the heterocyclic ring containing nitrogen and having an unsaturated bond, a thiol group bonded to the heterocyclic ring, and the heterocyclic ring. And a reactive functional group that can be bonded to the substrate via a thiol group, and the reactive functional group of the adhesive layer. And the organic resist layer react to form a bond, so that the patterned organic resist layer is securely held on the substrate via the adhesion layer, thereby enabling a highly accurate pattern structure having a fine pattern to be obtained. Can be manufactured.

また、本発明のパターン形成用基材は、１分子中に、窒素を含む複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を具備する有機化合物を含有する密着層を備えており、この密着層はチオール基を介して基板に結合しているとともに、反応性官能基が密着層上に配設される有機レジスト層を確実に結合保持することができるので、微細なパターンを有するパターン構造体の製造を可能とする。   Moreover, the substrate for pattern formation of the present invention has a nitrogen-containing heterocycle, a thiol group bonded to the heterocycle, and a reactivity capable of forming a chemical bond with an organic substance by binding to the heterocycle. And an adhesion layer containing an organic compound having a functional group, and the adhesion layer is bonded to the substrate via a thiol group, and the reactive functional group is disposed on the adhesion layer. Since the resist layer can be securely bonded and held, a pattern structure having a fine pattern can be manufactured.

図１は、本発明のパターン形成用基材の一実施形態を示す部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of the pattern forming substrate of the present invention. 図２は、本発明のパターン形成用基材の他の実施形態を示す部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the pattern forming substrate of the present invention. 図３は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 3 is a process diagram for explaining an embodiment of a method for producing a patterned structure according to the present invention. 図４は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process diagram for explaining another embodiment of the pattern structure manufacturing method of the present invention. 図５は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining another embodiment of the method for producing a patterned structure of the present invention. 図６は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining another embodiment of the method for producing a patterned structure of the present invention. 図７は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。FIG. 7 is a process diagram for explaining another embodiment of the pattern structure manufacturing method of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、以下の説明において、図示される層構造の各層の厚み比率、凹凸構造の形状、寸法等は便宜的に記載したものであり、本発明はこれらに限定されるものではない。
［パターン形成用基材］
図１は、本発明のパターン形成用基材の一実施形態を示す部分断面図である。図１において、パターン形成用基材１１は、基板１２と、この基板１２の一方の面１２ａに位置する密着層１３とを備えている。
パターン形成用基材１１を構成する基板１２は、例えば、石英ガラスやソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンや酸化シリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、クロム、タンタル、アルミニウム、ニッケル、チタン、銅、鉄、コバルト、スズ、ベリリウム、金、銀、白金、パラジウム、アマルガム等の金属基板、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合体等を使用することができる。これらの中で、金属基板、あるいは、表面に金属もしくは合金を有する基板が好ましい。これは、後述する密着層１３のチオール基との共有結合が形成されやすいからである。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものを基板１２としてもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the thickness ratio of each layer in the illustrated layer structure, the shape and dimensions of the concavo-convex structure are described for convenience, and the present invention is not limited to these.
[Pattern forming substrate]
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of the pattern forming substrate of the present invention. In FIG. 1, the pattern forming substrate 11 includes a substrate 12 and an adhesion layer 13 positioned on one surface 12 a of the substrate 12.
The substrate 12 constituting the substrate 11 for pattern formation includes, for example, glass such as quartz glass, soda lime glass, borosilicate glass, semiconductors such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, gallium arsenide, gallium nitride, chromium, tantalum, From metal substrates such as aluminum, nickel, titanium, copper, iron, cobalt, tin, beryllium, gold, silver, platinum, palladium, amalgam, resin substrates such as polycarbonate, polypropylene, polyethylene, or any combination of these materials And the like can be used. Among these, a metal substrate or a substrate having a metal or alloy on the surface is preferable. This is because a covalent bond with a thiol group of the adhesion layer 13 described later is easily formed. Further, for example, the substrate 12 may be a substrate on which a desired pattern structure such as a fine wiring used in a semiconductor or a display, a photonic crystal structure, an optical waveguide, or an optical structure such as holography is formed.

また、パターン形成用基材１１を構成する密着層１３は、１分子中に、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、この複素環に結合したチオール基と、この複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を具備する有機化合物を含有している。このような密着層１３は、基板１２が該表面に酸素原子、ＯＨ基等のアルコキシシリル基と化学結合し得る官能基を含まないものであっても、基板１２に結合している。このような結合機構としては、密着層１３が含有する有機化合物が有する複素環の環内π電子による基板１２表面への複素環の化学吸着、および、密着層１３が含有する有機化合物が有するチオール基と基板１２表面との共有結合が考えられる。そして、これら２つの吸着作用により相乗的に密着性が高められていると考えられる。
尚、密着層１３は、基板１２の一方の面１２ａの全面に位置してもよく、また、所望の部位に位置してもよく、さらに、基板１２の他方の面にも、その全面、あるいは、所望の部位に位置してもよい。
上記の有機化合物の一例として、複素環がトリアジン環である有機化合物が挙げられ、例えば、下記構造式（１）で表される有機化合物を挙げることができる。 The adhesion layer 13 constituting the substrate 11 for pattern formation is bonded to a heterocyclic ring containing nitrogen and an unsaturated bond in one molecule, a thiol group bonded to the heterocyclic ring, and the heterocyclic ring. It contains an organic compound having a reactive functional group capable of forming a chemical bond with an organic substance. Such an adhesion layer 13 is bonded to the substrate 12 even if the substrate 12 does not contain a functional group capable of chemically bonding to an alkoxysilyl group such as an oxygen atom or an OH group on the surface. As such a binding mechanism, the chemical adsorption of the heterocyclic ring to the surface of the substrate 12 by the π electrons in the heterocyclic ring of the organic compound contained in the adhesion layer 13 and the thiol contained in the organic compound contained in the adhesion layer 13 A covalent bond between the group and the surface of the substrate 12 is conceivable. And it is thought that adhesiveness is synergistically improved by these two adsorption actions.
The adhesion layer 13 may be located on the entire surface of the one surface 12a of the substrate 12, or may be positioned on a desired portion. Further, the other surface of the substrate 12 may be disposed on the entire surface, , It may be located at a desired site.
As an example of the above organic compound, an organic compound in which the heterocyclic ring is a triazine ring can be given, and examples thereof include an organic compound represented by the following structural formula (1).

Figure 2013153084
上記の構造式（１）において、Ｘは水素原子もしくは反応性官能基であり、反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１〜９の整数を示す。
Figure 2013153084
 In the structural formula (1), X is a hydrogen atom or a reactive functional group, and examples of the reactive functional group include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon. The group selected from the group which consists of groups is shown, n shows the integer of 1-9.

反応性官能基Ｘは、密着層１３上に配設される有機レジスト層の有機成分を考慮して適宜選択することができ、例えば、有機レジスト層が酸、エステル、エポキシ、ケトン、ハロゲン化物を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｘとしてアミノ基を選択することができ、有機レジスト層がアミノ基やカルボキシル基を含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｘとしてエポキシ基を選択することができ、有機レジスト層がチオールを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｘとしてメルカプト基を選択することができ、有機レジスト層がアクリルモノマーを含有する有機成分であれば、反応性官能基Ｘとして不飽和炭化水素基を選択することができる。   The reactive functional group X can be appropriately selected in consideration of the organic components of the organic resist layer disposed on the adhesion layer 13. For example, the organic resist layer can be selected from acids, esters, epoxies, ketones, and halides. If it is an organic component, an amino group can be selected as the reactive functional group X. If the organic resist layer is an organic component containing an amino group or a carboxyl group, an epoxy group is used as the reactive functional group X. If the organic resist layer is an organic component containing a thiol, a mercapto group can be selected as the reactive functional group X, and if the organic resist layer is an organic component containing an acrylic monomer, An unsaturated hydrocarbon group can be selected as the reactive functional group X.

また、トリアジン環と反応性官能基Ｘとのリンカー基である−（ＣＨ2）n−は、直鎖であっても、側鎖を有するものであってもよく、反応性官能基Ｘは、リンカー基のトリアジン環と結合していない方の末端に位置してもよく、リンカー基が側鎖を有する場合には、側鎖に位置してもよい。リンカー基である−（ＣＨ2）n−の炭素数ｎが９を超えると、構造式（１）で表される有機化合物に離型性が発現することがあり好ましくない。また、トリアジン環と結合するリンカー基の元素が炭素でなく窒素である場合、後述するパターン構造体の製造方法において密着層が受ける光履歴、あるいは、熱履歴によりトリアジン環とリンカー基との結合が切れるおそれがあり好ましくない。
上記の構造式（１）で表される有機化合物の具体例としては、下記構造式（１〜Ａ）〜（１−Ｐ）で表される化合物が挙げられる。尚、ｎは１〜９の整数を示す。 In addition, — (CH 2 ) n —, which is a linker group between the triazine ring and the reactive functional group X, may be a straight chain or a side chain, and the reactive functional group X is It may be located at the end of the linker group that is not bonded to the triazine ring, and when the linker group has a side chain, it may be located in the side chain. When the carbon number n of — (CH 2 ) n — which is a linker group exceeds 9, the organic compound represented by the structural formula (1) may exhibit releasability, which is not preferable. Further, when the element of the linker group bonded to the triazine ring is nitrogen instead of carbon, the bond between the triazine ring and the linker group is caused by the light history received by the adhesion layer or the thermal history in the method for producing a pattern structure described later. There is a risk of cutting, which is not preferable.
Specific examples of the organic compound represented by the structural formula (1) include compounds represented by the following structural formulas (1 to A) to (1-P). In addition, n shows the integer of 1-9.

Figure 2013153084
Figure 2013153084

Figure 2013153084
また、上記の構造式（１）で表される有機化合物以外の有機化合物として、例えば、下記構造式（２〜Ａ）〜（２−Ｈ）で表されるピロール類が挙げられる。尚、ｎは１〜９の整数を示す。
Figure 2013153084
 Moreover, as organic compounds other than the organic compound represented by said structural formula (1), the pyrroles represented by the following structural formula (2-A)-(2-H) are mentioned, for example. In addition, n shows the integer of 1-9.

Figure 2013153084
また、下記構造式（３〜Ａ）〜（３−Ｏ）で表されるピリジン類が挙げられる。尚、ｎは１〜９の整数を示す。
Figure 2013153084
 Moreover, pyridines represented by the following structural formulas (3-A) to (3-O) can be given. In addition, n shows the integer of 1-9.

Figure 2013153084
Figure 2013153084

Figure 2013153084
また、下記構造式（４〜Ａ）〜（４−Ｈ）で表されるピラゾール類が挙げられる。尚、ｎは１〜９の整数を示す。
Figure 2013153084
 Moreover, pyrazoles represented by the following structural formulas (4-A) to (4-H) can be given. In addition, n shows the integer of 1-9.

Figure 2013153084
さらに、下記構造式（５〜Ａ）〜（５−Ｈ）で表されるイミダゾール類が挙げられる。尚、ｎは１〜９の整数を示す。
Figure 2013153084
 Furthermore, imidazoles represented by the following structural formulas (5-A) to (5-H) are exemplified. In addition, n shows the integer of 1-9.

Figure 2013153084
Figure 2013153084

図２は、本発明のパターン形成用基材の他の実施形態を示す部分断面図である。図２において、パターン形成用基材２１は、基板２２と、この基板２２の一方の面２２ａにハードマスク材料層２４を介して位置する密着層２３とを備えている。
パターン形成用基材２１を構成する基板２２は、上述のパターン形成用基材１１を構成する基板１２と同様とすることができる。また、パターン形成用基材２１を構成する密着層２３も、上述のパターン形成用基材１１を構成する密着層１３と同様とすることができる。尚、密着層２３は、ハードマスク材料層２４の全面に位置してもよく、また、所望の部位に位置してもよく、さらに、ハードマスク材料層２４が形成されていない基板２２の面２２ａにも位置してもよい。 FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing another embodiment of the pattern forming substrate of the present invention. In FIG. 2, the pattern forming substrate 21 includes a substrate 22 and an adhesion layer 23 positioned on one surface 22 a of the substrate 22 with a hard mask material layer 24 interposed therebetween.
The substrate 22 constituting the pattern forming substrate 21 can be the same as the substrate 12 constituting the pattern forming substrate 11 described above. Further, the adhesion layer 23 constituting the pattern forming substrate 21 may be the same as the adhesion layer 13 constituting the pattern forming substrate 11 described above. The adhesion layer 23 may be located on the entire surface of the hard mask material layer 24, may be located at a desired site, and further, the surface 22a of the substrate 22 on which the hard mask material layer 24 is not formed. May also be located.

パターン形成用基材２１を構成するハードマスク材料層２４は、基板２１とのエッチング選択性を利用したドライエッチングが可能な材料で形成することができ、例えば、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム等の金属、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物、および、カーボンからなる群から選択される１種または２種以上の材料を挙げることができるが、好ましくは金属、合金、金属化合物である。このようなハードマスク材料層２４の厚みは、基板２１の材質、基板２１に対して施されるドライエッチング条件、基板２１とのエッチング選択比（基板のエッチング速度／ハードマスク材料層のエッチング速度）を考慮して適宜選定することができ、例えば、１〜５００ｎｍの範囲で適宜設定することができる。
上述のパターン形成用基材の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。 The hard mask material layer 24 constituting the pattern forming substrate 21 can be formed of a material that can be dry-etched using the etching selectivity with the substrate 21. For example, chromium, gold, aluminum, molybdenum, titanium One or more selected from the group consisting of metals such as tantalum, zirconium, tungsten, copper, tin, nickel, beryllium, alloys of these metals, oxides, nitrides, oxynitrides, and carbon Of these materials, metals, alloys, and metal compounds are preferable. The thickness of the hard mask material layer 24 depends on the material of the substrate 21, the dry etching conditions applied to the substrate 21, and the etching selectivity with the substrate 21 (substrate etching rate / hard mask material layer etching rate). Can be selected as appropriate, and can be set as appropriate within a range of 1 to 500 nm, for example.
The above-described embodiment of the substrate for pattern formation is an exemplification, and the present invention is not limited to this.

［パターン構造体の製造方法］
次に、本発明のパターン構造体の製造方法について説明する。尚、本発明においてパターン構造体とは、基板に所望のパターンを有する有機樹脂層を備えた構造体、あるいは、基板に所望の凹凸構造パターンが形成された構造体であり、また、このパターン構造体を構成する基板は、特に限定されず、種々の材質の基板、あるいは、２種以上の材質からなる複合基板、あるいは、所望のパターン構造物を表面や内部に備えている基板等であってよい。 [Pattern Structure Manufacturing Method]
Next, the manufacturing method of the pattern structure of this invention is demonstrated. In the present invention, the pattern structure is a structure having an organic resin layer having a desired pattern on a substrate, or a structure having a desired concavo-convex structure pattern formed on a substrate, and this pattern structure. The substrate constituting the body is not particularly limited, and may be a substrate made of various materials, a composite substrate made of two or more materials, or a substrate having a desired pattern structure on the surface or inside thereof. Good.

図３は、本発明のパターン構造体の製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。この実施形態は、インプリントリソグラフィー法を用いる例を示している。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板３２上に密着層３３を形成する（図３（Ａ））。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材１１と同じ層構成のパターン形成用基材３１が作製される。
この基板３２は、上述の本発明のパターン形成用基材１１を構成する基板１２として挙げたものと同様のものを使用することができ、例えば、石英ガラスやソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンや酸化シリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、クロム、タンタル、アルミニウム、ニッケル、チタン、銅、鉄、コバルト、スズ、ベリリウム、金、銀、白金、パラジウム、アマルガム等の金属基板、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合体等を使用することができる。これらの中で、金属基板、あるいは、表面に金属もしくは合金を有する基板が好ましい。これは、後工程で形成される密着層３３のチオール基との共有結合が形成されやすいからである。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものを基板３２として使用することができる。 FIG. 3 is a process diagram for explaining an embodiment of a method for producing a patterned structure according to the present invention. This embodiment shows an example using an imprint lithography method.
In the present embodiment, first, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer 33 is formed on the substrate 32 (FIG. 3A). Thereby, the pattern forming substrate 31 having the same layer configuration as the above-described pattern forming substrate 11 of the present invention is produced.
The substrate 32 can be the same as those mentioned as the substrate 12 constituting the pattern forming substrate 11 of the present invention described above, for example, quartz glass, soda lime glass, borosilicate glass, etc. Semiconductors such as glass, silicon, silicon oxide, silicon nitride, gallium arsenide, gallium nitride, chromium, tantalum, aluminum, nickel, titanium, copper, iron, cobalt, tin, beryllium, gold, silver, platinum, palladium, amalgam, etc. A metal substrate, a resin substrate such as polycarbonate, polypropylene, or polyethylene, or a composite made of any combination of these materials can be used. Among these, a metal substrate or a substrate having a metal or alloy on the surface is preferable. This is because a covalent bond with the thiol group of the adhesion layer 33 formed in a later step is easily formed. In addition, for example, a substrate on which a desired pattern structure such as a fine wiring used in a semiconductor or a display, a photonic crystal structure, an optical waveguide, or an optical structure such as holography is formed may be used as the substrate 32. it can.

また、密着層３３は、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、この複素環に結合したチオール基と、この複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を１分子中に具備する有機化合物を含有する密着剤を用いて形成することができる。密着層３３の形成方法は、例えば、ドライプロセス、ウェットプロセス等により行うことができる。ドライプロセスとしては、真空蒸着、化学蒸着、スパッタリング法等を挙げることができる。また、ウェットプロセスとしては、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等を挙げることができ、このようなウェットプロセスは、簡便にできる方法として好ましい。尚、ウェットプロセスにより密着層３３を形成する場合、形成後にメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルセロソルブ等の極性溶媒を使用して洗浄することができる。洗浄方法としては、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等を挙げることができる。   The adhesion layer 33 includes a heterocyclic ring containing nitrogen and having an unsaturated bond, a thiol group bonded to the heterocyclic ring, and a reactive functional group capable of forming a chemical bond with an organic substance by bonding to the heterocyclic ring. Can be formed using an adhesive containing an organic compound having 1 in a molecule. The formation method of the adhesion layer 33 can be performed by, for example, a dry process, a wet process, or the like. Examples of the dry process include vacuum deposition, chemical vapor deposition, and sputtering. Further, examples of the wet process include a spin coating method, a dip coating method, a dipping method, and the like, and such a wet process is preferable as a method that can be easily performed. When the adhesion layer 33 is formed by a wet process, a polar solvent such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, benzene, toluene, xylene, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl cellosolve is formed after the formation. Can be used and cleaned. Examples of the cleaning method include spin coating, dip coating, and dipping.

上記の有機化合物は、上述の本発明のパターン形成用基材１１を構成する密着層１３に含有される有機化合物として挙げたものと同様のものを使用することができる。この場合、後工程であるパターニング工程で使用する有機レジスト層の有機成分に適した反応性官能基を具備した有機化合物を含有する密着剤を適宜選択することが好ましい。上述したように、例えば、有機レジスト層が酸、エステル、エポキシ、ケトン、ハロゲン化物を含有する有機成分であれば、反応性官能基としてアミノ基を具備した有機化合物を含有する密着剤が好ましく、有機レジスト層がアミノ基やカルボキシル基を含有する有機成分であれば、反応性官能基としてエポキシ基を具備した有機化合物を含有する密着剤が好ましく、有機レジスト層がチオールを含有する有機成分であれば、反応性官能基としてメルカプト基を具備した有機化合物を含有する密着剤が好ましく、有機レジスト層がアクリルモノマーを含有する有機成分であれば、反応性官能基として不飽和炭化水素基を具備した有機化合物を含有する密着剤が好ましい。   As the organic compound, the same organic compounds as those described as the organic compound contained in the adhesion layer 13 constituting the pattern forming substrate 11 of the present invention can be used. In this case, it is preferable to appropriately select an adhesive containing an organic compound having a reactive functional group suitable for the organic component of the organic resist layer used in the patterning step which is a subsequent step. As described above, for example, if the organic resist layer is an organic component containing an acid, ester, epoxy, ketone, halide, an adhesive containing an organic compound having an amino group as a reactive functional group is preferable, If the organic resist layer is an organic component containing an amino group or a carboxyl group, an adhesive containing an organic compound having an epoxy group as a reactive functional group is preferable, and the organic resist layer is an organic component containing a thiol. For example, an adhesive containing an organic compound having a mercapto group as a reactive functional group is preferable. If the organic resist layer is an organic component containing an acrylic monomer, an unsaturated hydrocarbon group is provided as the reactive functional group. An adhesive containing an organic compound is preferred.

次に、パターニング工程にて、密着層３３上に有機レジスト層３５を形成し、基材の表面に凹凸構造を形成したモールド１００を有機レジスト層３５に押し付け（図３（Ｂ））、その状態で有機レジスト層３５を硬化させ、次いで、モールド１００と硬化後の有機レジスト層３５とを引き剥がす。これにより有機レジスト層がパターニングされて、パターン３６ａが形成された有機樹脂層３６が密着層３３を介して基板３２上に位置するパターン構造体３１′が製造される（図３（Ｃ））。
有機レジスト層３５は、光硬化性、熱硬化性、あるいは、熱可塑性の樹脂材料を用いて形成することができ、例えば、密着層３３上に樹脂材料の液滴を供給し、パターン形成用基材３１とモールド１００を近接させて樹脂材料の液滴を押し広げることにより有機レジスト層３５を形成することができる。 Next, in the patterning step, the organic resist layer 35 is formed on the adhesion layer 33, and the mold 100 having the concavo-convex structure formed on the surface of the substrate is pressed against the organic resist layer 35 (FIG. 3B), and the state Then, the organic resist layer 35 is cured, and then the mold 100 and the cured organic resist layer 35 are peeled off. As a result, the organic resist layer is patterned, and a pattern structure 31 ′ in which the organic resin layer 36 on which the pattern 36 a is formed is located on the substrate 32 through the adhesion layer 33 is manufactured (FIG. 3C).
The organic resist layer 35 can be formed using a photocurable, thermosetting, or thermoplastic resin material. For example, a droplet of the resin material is supplied onto the adhesion layer 33 to form a pattern forming substrate. The organic resist layer 35 can be formed by bringing the material 31 and the mold 100 close to each other and spreading the droplets of the resin material.

モールド１００は、有機レジスト層３５が光硬化性の樹脂材料である場合に、有機レジスト層３５を硬化させるための照射光を透過可能な透明基材を用いて形成することができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。モールド１００が有する凹凸構造は、図示例では凹部が形成されたものであるが、これに限定されるものではなく、形状、寸法は任意に設定することができる。また、使用するモールド１００は、凹凸構造が位置する部位が周囲に対して凸構造となった、いわゆるメサ構造であってもよい。   The mold 100 can be formed using a transparent base material that can transmit irradiation light for curing the organic resist layer 35 when the organic resist layer 35 is a photocurable resin material. Glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, or any of these laminated materials can be used. The concave-convex structure of the mold 100 is formed with concave portions in the illustrated example, but is not limited to this, and the shape and dimensions can be arbitrarily set. Further, the mold 100 to be used may have a so-called mesa structure in which a portion where the concavo-convex structure is located has a convex structure with respect to the surroundings.

有機レジスト層３５の硬化は、有機レジスト層３５が光硬化性の樹脂材料からなる場合、モールド１００側から光照射を行って硬化処理を施すことができる。尚、基板３２が照射光を透過可能である場合には、パターン形成用基材３１側から光照射を行って有機レジスト層３５を硬化させてもよい。また、有機レジスト層３５が熱硬化性の樹脂材料からなる場合、モールド１００を押し当てた状態で有機レジスト層３５に加熱硬化処理を施すことができ、有機レジスト層３５が熱可塑性の樹脂材料からなる場合には、モールド１００を押し当てた状態で放冷、あるいは、冷却することにより硬化させることができる。
上記のモールド１００と硬化後の有機レジスト層３５との引き剥がしでは、有機レジスト層３５が密着層３３を介して基板３２に確実に保持されているので、モールド１００への有機レジスト層３５の付着による転写欠陥が防止され、パターン３６ａが形成された有機樹脂層３６を高い精度で形成することが可能である。 When the organic resist layer 35 is made of a photocurable resin material, the organic resist layer 35 can be cured by irradiating light from the mold 100 side. In addition, when the board | substrate 32 can permeate | transmit irradiation light, you may harden the organic resist layer 35 by performing light irradiation from the base material 31 for pattern formation. When the organic resist layer 35 is made of a thermosetting resin material, the organic resist layer 35 can be heat-cured with the mold 100 being pressed, and the organic resist layer 35 is made of a thermoplastic resin material. In this case, the mold 100 can be allowed to cool in a pressed state or can be cured by cooling.
In peeling off the mold 100 and the cured organic resist layer 35, the organic resist layer 35 is securely held on the substrate 32 through the adhesion layer 33, so that the organic resist layer 35 adheres to the mold 100. Therefore, the organic resin layer 36 on which the pattern 36a is formed can be formed with high accuracy.

図４は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。この実施形態は、フォトリソグラフィー法を用いてパターンを形成する例を示している。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板４２上に密着層４３を形成する（図４（Ａ））。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材１１と同じ層構成のパターン形成用基材４１が作製される。この密着層形成工程は、図３を参照して説明した実施形態の密着層形成工程と同様とすることができる。 FIG. 4 is a process diagram for explaining another embodiment of the pattern structure manufacturing method of the present invention. This embodiment shows an example in which a pattern is formed using a photolithography method.
In the present embodiment, first, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer 43 is formed on the substrate 42 (FIG. 4A). Thereby, the pattern forming substrate 41 having the same layer configuration as the above-described pattern forming substrate 11 of the present invention is manufactured. This adhesion layer forming step can be the same as the adhesion layer forming step of the embodiment described with reference to FIG.

次に、パターニング工程にて、例えば、ポジ型のエネルギー線感応性の樹脂材料を用いて密着層４３上に有機レジスト層４５を形成する（図４（Ｂ））。次いで、この有機レジスト層４５の所望の部位に電子線描画装置、レーザ描画装置、ステッパー、スキャナー等の装置を用いて電子線、紫外線等のエネルギー線を照射し（図４（Ｃ））、その後、現像する。これにより有機レジスト層４５がパターニングされて、パターン４６ａが形成された有機樹脂層４６が密着層４３を介して基板４２上に位置するパターン構造体４１′が製造される（図４（Ｄ））。
上記の例ではポジ型のエネルギー線感応性の樹脂材料を使用しているが、使用するエネルギー線感応性の樹脂材料は、ポジ型、ネガ型いずれであってもよい。また、有機レジスト層４５の形成は、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の方法を用いて成膜してもよく、また、エネルギー線感応性の樹脂材料からなるフィルムをラミネートしてもよい。 Next, in a patterning step, for example, an organic resist layer 45 is formed on the adhesion layer 43 using a positive energy ray sensitive resin material (FIG. 4B). Next, an energy beam such as an electron beam or an ultraviolet ray is irradiated onto a desired portion of the organic resist layer 45 using an electron beam drawing apparatus, a laser drawing apparatus, a stepper, a scanner, or the like (FIG. 4C), and thereafter ,develop. As a result, the organic resist layer 45 is patterned, and a pattern structure 41 ′ in which the organic resin layer 46 on which the pattern 46 a is formed is located on the substrate 42 through the adhesion layer 43 is manufactured (FIG. 4D). .
In the above example, a positive energy beam sensitive resin material is used. However, the energy beam sensitive resin material used may be either a positive type or a negative type. The organic resist layer 45 may be formed by using a spin coating method, a dip coating method, a dipping method or the like, or by laminating a film made of an energy ray sensitive resin material. Good.

図５は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
この実施形態では、まず、図３を参照して説明した実施形態と同様にして、有機レジスト層３５をパターニングして、パターン３６ａが形成された有機樹脂層３６を密着層３３上に形成する（図５（Ａ））。
次に、この有機樹脂層３６をマスクとして、基板３２をエッチングする（図５（Ｂ））。この基板３２のエッチングは、基板３２の材質、有機樹脂層３６の材質を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
その後、密着層３３および有機樹脂層３６を除去することにより、基板３２に所望の凹凸構造パターン３７を備えたパターン構造体３１″が製造される（図５（Ｃ））。
また、図４を参照して説明した実施形態と同様にして、有機レジスト層４５をパターニングして、パターン４６ａが形成された有機樹脂層４６を密着層４３上に形成し、この有機樹脂層４６をマスクとして、基板４２をエッチングすることにより、基板４２に所望の凹凸構造を備えたパターン構造体（図示せず）を製造することができる。 FIG. 5 is a process diagram for explaining another embodiment of the method for producing a patterned structure of the present invention.
In this embodiment, first, similarly to the embodiment described with reference to FIG. 3, the organic resist layer 35 is patterned to form the organic resin layer 36 on which the pattern 36 a is formed on the adhesion layer 33 ( FIG. 5 (A)).
Next, the substrate 32 is etched using the organic resin layer 36 as a mask (FIG. 5B). The etching of the substrate 32 can be performed by dry etching using, for example, a fluorine-based gas or a chlorine-based gas in consideration of the material of the substrate 32 and the material of the organic resin layer 36.
Thereafter, by removing the adhesion layer 33 and the organic resin layer 36, a pattern structure 31 ″ having a desired concavo-convex structure pattern 37 on the substrate 32 is manufactured (FIG. 5C).
Similarly to the embodiment described with reference to FIG. 4, the organic resist layer 45 is patterned to form the organic resin layer 46 on which the pattern 46 a is formed on the adhesion layer 43, and this organic resin layer 46. As a mask, the substrate 42 is etched, whereby a pattern structure (not shown) having a desired uneven structure on the substrate 42 can be manufactured.

図６は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板５２上にハードマスク材料層５４を介して密着層５３を形成する（図６（Ａ））。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材２１と同じ層構成のパターン形成用基材５１が作製される。
この基板５２は、上述の本発明のパターン形成用基材１１，２１を構成する基板１２，２２として挙げたものと同様のものを使用することができる。
ハードマスク材料層５４は、上述の本発明のパターン形成用基材２１を構成するハードマスク材料層２４で挙げた材料を用いてスパッタリング法等により形成することができ、その厚みは、基板５２の材質、基板５２のエッチング条件、基板５２とのエッチング選択比（基板のエッチング速度／ハードマスク材料層のエッチング速度）を考慮して適宜選定することができ、例えば、１〜５００ｎｍの範囲で適宜設定することができる。
また、密着層５３は、上述の図３を参照して説明した実施形態における密着層３３の形成と同様とすることができる。この密着層５３の形成においても、後工程であるパターニング工程で使用する有機レジスト層の有機成分に適した反応性官能基を具備した有機化合物を含有する密着剤を適宜選択することが好ましい。 FIG. 6 is a process diagram for explaining another embodiment of the method for producing a patterned structure of the present invention.
In the present embodiment, first, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer 53 is formed on the substrate 52 via the hard mask material layer 54 (FIG. 6A). Thereby, the pattern forming substrate 51 having the same layer configuration as that of the above-described pattern forming substrate 21 of the present invention is produced.
The substrate 52 may be the same as those mentioned as the substrates 12 and 22 constituting the pattern forming base materials 11 and 21 of the present invention described above.
The hard mask material layer 54 can be formed by a sputtering method or the like using the materials mentioned in the hard mask material layer 24 constituting the pattern forming base material 21 of the present invention described above, and the thickness thereof is the same as that of the substrate 52. The material, the etching conditions of the substrate 52, and the etching selectivity with the substrate 52 (substrate etching rate / hard mask material layer etching rate) can be selected as appropriate, for example, set appropriately in the range of 1 to 500 nm. can do.
Further, the adhesion layer 53 can be the same as the formation of the adhesion layer 33 in the embodiment described with reference to FIG. Also in the formation of the adhesion layer 53, it is preferable to appropriately select an adhesion agent containing an organic compound having a reactive functional group suitable for an organic component of an organic resist layer used in a patterning process which is a subsequent process.

次に、パターニング工程にて、密着層５３上に有機レジスト層５５を形成し、基材の表面に凹凸構造を形成したモールド１１０を有機レジスト層５５に押し付け（図６（Ｂ））、その状態で有機レジスト層５５を硬化させ、次いで、モールド１１０と硬化後の有機レジスト層５５とを引き剥がす。これにより有機レジスト層がパターニングされて、パターン５６ａが形成された有機樹脂層５６が密着層５３上に形成される（図６（Ｃ））。
有機レジスト層５５、モールド１１０は、上述の図３を参照して説明した実施形態における有機レジスト層３５、モールド１００と同様とすることができ、また、有機レジスト層５５の硬化も、上述の図３を参照して説明した実施形態における有機レジスト層３５の硬化と同様とすることができる。このモールド１１０と硬化後の有機レジスト層５５との引き剥がしでは、有機レジスト層５５が密着層５３を介してハードマスク材料層５４に確実に保持されているので、モールド１１０への有機レジスト層５５の付着による転写欠陥が防止され、パターン５６ａが形成された有機樹脂層５６を高い精度で形成することが可能である。 Next, in a patterning step, an organic resist layer 55 is formed on the adhesion layer 53, and a mold 110 having a concavo-convex structure formed on the surface of the substrate is pressed against the organic resist layer 55 (FIG. 6B), and the state Then, the organic resist layer 55 is cured, and then the mold 110 and the cured organic resist layer 55 are peeled off. Thereby, the organic resist layer is patterned, and the organic resin layer 56 in which the pattern 56a is formed is formed on the adhesion layer 53 (FIG. 6C).
The organic resist layer 55 and the mold 110 can be the same as the organic resist layer 35 and the mold 100 in the embodiment described with reference to FIG. 3 described above, and the curing of the organic resist layer 55 is also performed as described above. 3 may be the same as the curing of the organic resist layer 35 in the embodiment described with reference to FIG. In peeling off the mold 110 and the cured organic resist layer 55, the organic resist layer 55 is securely held by the hard mask material layer 54 via the adhesion layer 53. It is possible to prevent the transfer defect due to the adhesion of the organic resin layer and to form the organic resin layer 56 on which the pattern 56a is formed with high accuracy.

次に、この有機樹脂層５６をマスクとして、ハードマスク材料層５４をエッチングしてハードマスク５４′を形成する（図６（Ｄ））。ハードマスク材料層５４のエッチングは、ハードマスク材料、あるいは、エッチング選択比（ハードマスク材料層５４のエッチング速度／有機樹脂層５６のエッチング速度）を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
次に、ハードマスク５４′を介して基板５２をエッチングすることにより、基板５２に所望の凹凸構造パターン５７を備えたパターン構造体５１′が製造される（図６（Ｅ））。この基板５２のエッチングは、エッチング選択比（基板のエッチング速度／ハードマスクのエッチング速度）を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。 Next, using the organic resin layer 56 as a mask, the hard mask material layer 54 is etched to form a hard mask 54 '(FIG. 6D). The etching of the hard mask material layer 54 takes into account the hard mask material or the etching selectivity (the etching rate of the hard mask material layer 54 / the etching rate of the organic resin layer 56), for example, fluorine gas or chlorine gas. Etc. can be used for dry etching.
Next, by etching the substrate 52 through the hard mask 54 ', a pattern structure 51' having a desired concavo-convex structure pattern 57 on the substrate 52 is manufactured (FIG. 6E). The etching of the substrate 52 can be, for example, dry etching using a fluorine-based gas, a chlorine-based gas, or the like in consideration of an etching selection ratio (substrate etching rate / hard mask etching rate).

図７は、本発明のパターン構造体の製造方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板６２上にハードマスク材料層６４を介して密着層６３を形成する（図７（Ａ））。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材２１と同じ層構成のパターン形成用基材６１が作製される。この密着層形成工程は、図６を参照して説明した実施形態の密着層形成工程と同様とすることができる。
次に、パターニング工程にて、密着層６３上に、例えば、ポジ型のエネルギー線感応性の樹脂材料を用いて有機レジスト層６５を形成し、この有機レジスト層６５の所望の部位に電子線描画装置、レーザ描画装置、ステッパー、スキャナー等の装置を用いて電子線、紫外線等のエネルギー線を照射する（図７（Ｂ））。その後、現像することにより有機レジスト層６５がパターニングされて、パターン６６ａが形成された有機樹脂層６６が密着層６３上に形成される（図７（Ｃ））。
エネルギー線を用いた有機レジスト層６５のパターニングは、上述の図４を参照して説明した実施形態における有機レジスト層４５のパターニングと同様とすることができる。このパターニングでは、有機レジスト層６５が密着層６３を介してハードマスク材料層６４に確実に保持されているので、パターン６６ａが形成された有機樹脂層６６を高い精度で形成することが可能である。 FIG. 7 is a process diagram for explaining another embodiment of the pattern structure manufacturing method of the present invention.
In the present embodiment, first, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer 63 is formed on the substrate 62 via the hard mask material layer 64 (FIG. 7A). Thereby, the pattern forming substrate 61 having the same layer structure as the above-described pattern forming substrate 21 of the present invention is manufactured. This adhesion layer forming step can be the same as the adhesion layer forming step of the embodiment described with reference to FIG.
Next, in the patterning step, an organic resist layer 65 is formed on the adhesion layer 63 using, for example, a positive energy ray sensitive resin material, and electron beam drawing is performed on a desired portion of the organic resist layer 65. An energy beam such as an electron beam or an ultraviolet ray is irradiated using a device such as a device, a laser drawing device, a stepper, or a scanner (FIG. 7B). Thereafter, the organic resist layer 65 is patterned by development, and the organic resin layer 66 in which the pattern 66a is formed is formed on the adhesion layer 63 (FIG. 7C).
The patterning of the organic resist layer 65 using energy rays can be the same as the patterning of the organic resist layer 45 in the embodiment described with reference to FIG. 4 described above. In this patterning, since the organic resist layer 65 is securely held on the hard mask material layer 64 via the adhesion layer 63, the organic resin layer 66 on which the pattern 66a is formed can be formed with high accuracy. .

次に、この有機樹脂層６６をマスクとして、ハードマスク材料層６４をエッチングしてハードマスク６４′を形成する（図７（Ｄ））。ハードマスク材料層６４のエッチングは、ハードマスク材料、あるいは、エッチング選択比（ハードマスク材料層６４のエッチング速度／有機樹脂層６６のエッチング速度）を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
次に、ハードマスク６４′を介して基板６２をエッチングすることにより、基板６２に所望の凹凸構造パターン６７を備えたパターン構造体６１′が製造される（図７（Ｅ））。この基板６２のエッチングは、エッチング選択比（基板のエッチング速度／ハードマスクのエッチング速度）を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
上述のパターン構造体の製造方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。 Next, using this organic resin layer 66 as a mask, the hard mask material layer 64 is etched to form a hard mask 64 '(FIG. 7D). The hard mask material layer 64 is etched in consideration of the hard mask material or the etching selectivity (the etching rate of the hard mask material layer 64 / the etching rate of the organic resin layer 66), for example, fluorine gas or chlorine gas. Etc. can be used for dry etching.
Next, by etching the substrate 62 through the hard mask 64 ', a pattern structure 61' having a desired concavo-convex structure pattern 67 on the substrate 62 is manufactured (FIG. 7E). The etching of the substrate 62 can be, for example, dry etching using a fluorine-based gas, a chlorine-based gas, or the like in consideration of an etching selection ratio (substrate etching rate / hard mask etching rate).
The above-described embodiment of the manufacturing method of the pattern structure is an exemplification, and the present invention is not limited to this.

基板上に、あるいは、基板自体に所望のパターンを具備するパターン構造体の製造に利用可能であり、特にナノインプリント方法を用いたパターン構造体の製造に好適である。   It can be used for manufacturing a pattern structure having a desired pattern on a substrate or the substrate itself, and is particularly suitable for manufacturing a pattern structure using a nanoimprint method.

１１，２１，３１，４１，５１，６１…パターン形成用基材
１２，２２，３２，４２，５２，６２…基板
１３，２３，３３，４３，５３，６３…密着層
２４，５４，６４…ハードマスク材料層
１００，１１０…モールド 11, 21, 31, 41, 51, 61 ... pattern forming base material 12, 22, 32, 42, 52, 62 ... substrate 13, 23, 33, 43, 53, 63 ... adhesion layer 24, 54, 64 ... Hard mask material layer 100, 110 ... mold

Claims (14)

基板上に密着層を形成する密着層形成工程と、
該密着層上に有機レジスト層を形成するとともに、該有機レジスト層をパターニングするパターニング工程と、有し
前記密着層形成工程では、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を１分子中に具備する有機化合物を含有する密着剤を用いて密着層を形成することを特徴とするパターン構造体の製造方法。 An adhesion layer forming step of forming an adhesion layer on the substrate;
Forming an organic resist layer on the adhesion layer, and patterning the organic resist layer; and in the adhesion layer formation step, a heterocycle containing nitrogen and having an unsaturated bond; and Forming an adhesion layer using an adhesion agent containing an organic compound having a bonded thiol group and a reactive functional group capable of forming a chemical bond with an organic substance by bonding to the heterocyclic ring. A method for producing a featured pattern structure. 前記有機化合物として、前記複素環がトリアジン環である有機化合物を使用することを特徴とする請求項１に記載のパターン構造体の製造方法。   The method for producing a pattern structure according to claim 1, wherein an organic compound in which the heterocyclic ring is a triazine ring is used as the organic compound. 前記有機化合物は、下記構造式（１）で表される有機化合物であることを特徴とする請求項２に記載のパターン構造体の製造方法。
Figure 2013153084
 ［構造式（１）中、Ｘは水素原子もしくは反応性官能基であり、反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１〜９の整数を示す。］ The said organic compound is an organic compound represented by following Structural formula (1), The manufacturing method of the pattern structure of Claim 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 2013153084
 [In the structural formula (1), X is a hydrogen atom or a reactive functional group, and examples of the reactive functional group include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group. Represents a group selected from the group consisting of: n represents an integer of 1 to 9; ] 前記パターニング工程では、基体の表面に凹凸構造を形成したモールドと前記有機レジスト層とを押し当て、その状態で前記有機レジスト層を硬化させ、次いでモールドを引き剥がしてパターニングすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。   In the patterning step, the mold having a concavo-convex structure formed on the surface of the substrate and the organic resist layer are pressed, the organic resist layer is cured in that state, and then the mold is peeled off to perform patterning. The manufacturing method of the pattern structure in any one of Claims 1 thru | or 3. 前記パターニング工程では、エネルギー線感応性の有機レジスト層を形成し、該有機レジスト層にエネルギー線を照射し、その後、現像してパターニングすることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。   4. The patterning step includes forming an energy ray-sensitive organic resist layer, irradiating the organic resist layer with energy rays, and thereafter developing and patterning. The manufacturing method of the pattern structure as described in any one of. 前記密着層形成工程では、前記基板上にハードマスク材料層を介して前記密着層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。   6. The pattern structure manufacturing method according to claim 1, wherein, in the adhesion layer forming step, the adhesion layer is formed on the substrate via a hard mask material layer. 前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される１種または２種以上の材料からなることを特徴とする請求項６に記載のパターン構造体の製造方法。   The hard mask material layer is made of a group consisting of chromium, gold, aluminum, molybdenum, titanium, tantalum, zirconium, tungsten, copper, tin, nickel, beryllium, alloys of these metals, oxides, nitrides, and oxynitrides. It consists of 1 type, or 2 or more types of materials selected, The manufacturing method of the pattern structure of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有する請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。   The method for manufacturing a pattern structure according to claim 1, further comprising an etching step of etching the substrate using the organic resist layer patterned in the patterning step as a mask. 前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、該ハードマスクを介して前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有する請求項６または請求項７に記載のパターン構造体の製造方法。   The method further comprises a hard mask forming step of forming a hard mask by etching the hard mask material layer using the organic resist layer patterned in the patterning step as a mask, and an etching step of etching the substrate through the hard mask. The manufacturing method of the pattern structure of Claim 6 or Claim 7. 基板と、該基板上に位置する密着層を備え、該密着層は、１分子中に、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を具備する有機化合物を含有することを特徴とするパターン形成用基材。   A substrate, and an adhesion layer positioned on the substrate, wherein the adhesion layer includes a heterocycle containing nitrogen and an unsaturated bond in one molecule, a thiol group bonded to the heterocycle, and the heterocycle And a reactive functional group capable of forming a chemical bond with an organic substance by bonding to an organic compound. 前記有機化合物は、前記複素環がトリアジン環であることを特徴とする請求項１０記載のパターン形成用基材。   The substrate for pattern formation according to claim 10, wherein the heterocyclic ring is a triazine ring in the organic compound. 前記有機化合物は、下記構造式（１）で表される有機化合物であることを特徴とする請求項１１に記載のパターン形成用基材。
Figure 2013153084
 ［構造式（１）中、Ｘは水素原子もしくは反応性官能基であり、反応性官能基としては、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、スルフィド基、アシル基、イソシアネート基、不飽和炭化水素基からなる群から選択される基を示し、ｎは１〜９の整数を示す。］ The substrate for pattern formation according to claim 11, wherein the organic compound is an organic compound represented by the following structural formula (1).
Figure 2013153084
 [In the structural formula (1), X is a hydrogen atom or a reactive functional group, and examples of the reactive functional group include an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a sulfide group, an acyl group, an isocyanate group, and an unsaturated hydrocarbon group. Represents a group selected from the group consisting of: n represents an integer of 1 to 9. ] 前記基板と前記密着層との間にハードマスク材料層が介在することを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載のパターン形成用基材。   The base material for pattern formation according to claim 10, wherein a hard mask material layer is interposed between the substrate and the adhesion layer. 前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される１種または２種以上の材料からなることを特徴とする請求項１３に記載のパターン形成用基材。   The hard mask material layer is made of a group consisting of chromium, gold, aluminum, molybdenum, titanium, tantalum, zirconium, tungsten, copper, tin, nickel, beryllium, alloys of these metals, oxides, nitrides, and oxynitrides. It consists of 1 type, or 2 or more types of selected materials, The base material for pattern formation of Claim 13 characterized by the above-mentioned.
JP2012013488A 2012-01-25 2012-01-25 Pattern structure manufacturing method and pattern forming substrate used therefor Expired - Fee Related JP5891814B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012013488A JP5891814B2 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Pattern structure manufacturing method and pattern forming substrate used therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012013488A JP5891814B2 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Pattern structure manufacturing method and pattern forming substrate used therefor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013153084A true JP2013153084A (en) 2013-08-08
JP5891814B2 JP5891814B2 (en) 2016-03-23

Family

ID=49049217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012013488A Expired - Fee Related JP5891814B2 (en) 2012-01-25 2012-01-25 Pattern structure manufacturing method and pattern forming substrate used therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5891814B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006190A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
WO2016098314A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, methods for forming adhesion layer and cured product pattern, and methods for manufacturing optical component, circuit board, imprinting mold and device component
JP2016115921A (en) * 2014-12-15 2016-06-23 キヤノン株式会社 Adhesion layer formation composition, manufacturing method of adhesion layer, manufacturing method of curable composition pattern, manufacturing method of optical component, manufacturing method of circuit board, manufacturing method of mold for imprinting, and device component
WO2016120944A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component
JP2016146468A (en) * 2015-01-30 2016-08-12 キヤノン株式会社 Adhesion layer formation composition, manufacturing method hardened pattern, manufacturing method of optical component, manufacturing method of circuit board, manufacturing method of imprint mold and device component
JP2018067718A (en) * 2017-11-16 2018-04-26 大日本印刷株式会社 Transfer substrate for imprint
WO2018159575A1 (en) * 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Composition for forming imprint adhesive film, adhesive film, laminate, method for producing cured material pattern, and method of manufacturing circuit board
US10153174B2 (en) 2014-09-11 2018-12-11 Toshiba Memory Corporation Method of manufacturing semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203462A (en) * 2000-01-18 2001-07-27 Toa Denka:Kk Manufacturing method for printed wiring board and multilayer printed wiring board
JP2007035972A (en) * 2005-07-27 2007-02-08 Fujitsu Ltd Adhesion layer for wiring board, wiring board and its manufacturing method
JP2008235629A (en) * 2007-03-22 2008-10-02 Fujitsu Ltd Circuit board and its manufacturing method
WO2011155602A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Hoya株式会社 Substrate with adhesion promoting layer, method for producing mold, and method for producing master mold

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203462A (en) * 2000-01-18 2001-07-27 Toa Denka:Kk Manufacturing method for printed wiring board and multilayer printed wiring board
JP2007035972A (en) * 2005-07-27 2007-02-08 Fujitsu Ltd Adhesion layer for wiring board, wiring board and its manufacturing method
JP2008235629A (en) * 2007-03-22 2008-10-02 Fujitsu Ltd Circuit board and its manufacturing method
WO2011155602A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Hoya株式会社 Substrate with adhesion promoting layer, method for producing mold, and method for producing master mold

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016006190A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
JP2016028419A (en) * 2014-07-08 2016-02-25 キヤノン株式会社 Cohesive layer composition, film manufacturing method by nanoimprint, manufacturing method of optical part, manufacturing method of circuit board, and manufacturing method of electronic device
KR101900629B1 (en) * 2014-07-08 2018-09-19 캐논 가부시끼가이샤 Adhesion layer composition, method for forming photo-cured product pattern, methods for manufacturing optical component, circuit board, electronic apparatus and imprint mold, and device component
US10073341B2 (en) 2014-07-08 2018-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
EP3158578A4 (en) * 2014-07-08 2018-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
TWI567150B (en) * 2014-07-08 2017-01-21 佳能股份有限公司 Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
KR20170030579A (en) 2014-07-08 2017-03-17 캐논 가부시끼가이샤 Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
CN106537557A (en) * 2014-07-08 2017-03-22 佳能株式会社 Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, and methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus
US10153174B2 (en) 2014-09-11 2018-12-11 Toshiba Memory Corporation Method of manufacturing semiconductor device
KR20170095282A (en) 2014-12-15 2017-08-22 캐논 가부시끼가이샤 Adhesion layer composition, methods for forming adhesion layer and cured product pattern, and methods for manufacturing optical component, circuit board, imprinting mold and device component
JP2016115921A (en) * 2014-12-15 2016-06-23 キヤノン株式会社 Adhesion layer formation composition, manufacturing method of adhesion layer, manufacturing method of curable composition pattern, manufacturing method of optical component, manufacturing method of circuit board, manufacturing method of mold for imprinting, and device component
WO2016098314A1 (en) * 2014-12-15 2016-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer composition, methods for forming adhesion layer and cured product pattern, and methods for manufacturing optical component, circuit board, imprinting mold and device component
JP2020109858A (en) * 2014-12-15 2020-07-16 キヤノン株式会社 Adhesion layer forming composition, adhesion layer manufacturing method, cured product pattern manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, imprint mold manufacturing method, and device component
TWI593769B (en) * 2015-01-30 2017-08-01 佳能股份有限公司 Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component
KR20170108137A (en) * 2015-01-30 2017-09-26 캐논 가부시끼가이샤 A composition for forming an adhesion layer, a method for producing a cured product, a method for producing an optical component, a method for producing a circuit board, a method for manufacturing an imprint mold, and a device part
JP2016146468A (en) * 2015-01-30 2016-08-12 キヤノン株式会社 Adhesion layer formation composition, manufacturing method hardened pattern, manufacturing method of optical component, manufacturing method of circuit board, manufacturing method of imprint mold and device component
WO2016120944A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component
KR101965095B1 (en) * 2015-01-30 2019-04-02 캐논 가부시끼가이샤 A composition for forming an adhesion layer, a method for producing a cured product, a method for producing an optical component, a method for producing a circuit board, a method for manufacturing an imprint mold, and a device part
WO2018159575A1 (en) * 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 Composition for forming imprint adhesive film, adhesive film, laminate, method for producing cured material pattern, and method of manufacturing circuit board
JPWO2018159575A1 (en) * 2017-02-28 2019-12-19 富士フイルム株式会社 Composition for forming adhesion film for imprint, adhesion film, laminate, method for producing cured product pattern, and method for producing circuit board
US11441053B2 (en) 2017-02-28 2022-09-13 Fujifilm Corporation Composition for forming adhesive film for imprinting, adhesive film, laminate, method for producing cured product pattern, and method for manufacturing circuit substrate
JP2018067718A (en) * 2017-11-16 2018-04-26 大日本印刷株式会社 Transfer substrate for imprint

Also Published As

Publication number Publication date
JP5891814B2 (en) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5891814B2 (en) Pattern structure manufacturing method and pattern forming substrate used therefor
TW201209520A (en) Substrate with adhesive auxiliary layer, manufacturing method of mold and manufacturing method of master mold
JP5909046B2 (en) Near-field exposure method
JP2008137387A (en) Soft template with alignment mark
JP5761320B2 (en) Manufacturing method of stamp for micro contact printing
JP5899585B2 (en) Mask manufacturing method
JP5235155B2 (en) Fine resin structure and method for manufacturing photoelectric circuit board, fine resin structure and photoelectric circuit board
TW201829310A (en) Method of manufacturing a graphene film and method of manufacturing a pellicle using the same
JP5218521B2 (en) Imprint method and transfer substrate and adhesive used therefor
US8945798B2 (en) Near-field exposure mask and pattern forming method
JP2011206981A (en) Method for manufacturing nano imprint mold, method for manufacturing pattern-formed body, and nano imprint mold
JP2015115384A (en) Pattern formed body
JP6965969B2 (en) Imprint mold
JP2019087678A (en) Functional substrate and method of manufacturing the same, and imprint mold
JP2011005768A (en) Master plate used for manufacturing of stamp for micro contact print, method of manufacturing the same, stamp for micro contact print, method of manufacturing of the same and pattern forming method using stamp for micro contact print
CN111679549B (en) Adhesive suitable for pellicle for EUV lithography and pellicle using the adhesive
JP5428449B2 (en) Method for producing master plate for producing stamp for micro contact printing, and master plate for producing stamp for micro contact printing
JP2016012635A (en) Template manufacturing method and template
KR102201321B1 (en) Method of fabricating aligned pattern on pattern formation area using imprint process
JP6996333B2 (en) Blanks base material, imprint mold, imprint mold manufacturing method and imprint method
JP2017034236A (en) Manufacturing method of wiring board, and wiring board
JP2011054686A (en) Method for manufacturing electromagnetic wave control material and electromagnetic wave control material
JP2008091681A (en) Thin-film support substrate and its manufacturing method
JP4858030B2 (en) Imprint mold, imprint mold manufacturing method, and pattern forming method
JP2008201020A (en) Imprint mold, method for producing imprint mold, and optical imprint method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160208

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5891814

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees