JP2013151760A - Method for replacing shadow mask - Google Patents

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Masa Wakabayashi
雅 若林
Nobuhiro Nirasawa
信広 韮沢
Kenji Yumiba
賢治 弓場
Mikio Asada
幹夫 浅田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for replacing a shadow mask used for an organic EL device production apparatus or a deposition apparatus, which enables downsizing of a carrier chamber and has high productivity or a high operation rate.SOLUTION: A method for replacing a shadow mask includes the respective steps of: carrying a first shadow mask for replacement into a shadow mask-replacement chamber in the atmosphere; carrying a used shadow mask out of the shadow mask-replacement chamber in the atmosphere; carrying a second shadow mask for replacement out of the shadow mask-replacement chamber having a predetermined degree of vacuum into a vacuum processing-chamber which has the predetermined degree of vacuum and in which a substrate is processed; carrying the used shadow mask out of the vacuum processing-chamber having the predetermined degree of vacuum into the shadow mask-replacement chamber having the predetermined degree of vacuum; reducing the pressure of the shadow mask-replacement chamber to the predetermined degree of vacuum; and maintaining the predetermined degree of vacuum of the vacuum processing-chamber and opening the shadow mask-replacement chamber to the atmosphere.

Description

本発明は、有機ELデバイス製造装置や成膜装置に用いられるシャドウマスク交換方法に関する。   The present invention relates to a shadow mask replacement method used in an organic EL device manufacturing apparatus or a film forming apparatus.

表示デバイスとして有機ELデバイスが注目され、その製造する有力な方法として真空蒸着法がある。真空蒸着法では、図4に示すように蒸着したい場所に孔の開いたシャドウマスクを処理対象である基板に密着させて行なう。このシャドウマスクは、蒸着材の付着により孔の形状が変わるために半日乃至1日度に交換する必要がある。従来は、図10に示すように真空蒸着を行なう処理チャンバSを有するクラスタCに、交換用及び使用済みシャドウマスクMを保管する真空チャンバであるシャドウマスク保管室Hを設け、基板搬送を行なう搬送ロボットRで処理チャンバSまで搬送しセットしていた(特許文献1)。   An organic EL device has attracted attention as a display device, and there is a vacuum deposition method as an effective method for manufacturing the device. In the vacuum vapor deposition method, as shown in FIG. 4, a shadow mask having a hole at a position where vapor deposition is desired is brought into close contact with a substrate to be processed. This shadow mask needs to be replaced every half day to one day because the shape of the hole changes due to the adhesion of the vapor deposition material. Conventionally, as shown in FIG. 10, a shadow mask storage chamber H, which is a vacuum chamber for storing replacement and used shadow masks M, is provided in a cluster C having a processing chamber S for performing vacuum deposition, and the substrate is transported. It was transported and set to the processing chamber S by the robot R (Patent Document 1).

また、特許文献2には、マスク寸法を所望範囲に収めるために、予めシャドウマスクを加温する加温室を処理チャンバに隣接して設け、必要なときに処理チャンバのシャドウマスクを交換することが開示されている。しかしながら、加温室には加温設備しか記載されておらず、その搬入出は特許文献2の第1の実施形態に記載されているように、特許文献1と同様に基板搬送を行なう搬送ロボット等を用いて行なっていると考えられる。   Further, in Patent Document 2, in order to keep the mask size within a desired range, a heating chamber for preheating the shadow mask is provided adjacent to the processing chamber, and the shadow mask of the processing chamber is replaced when necessary. It is disclosed. However, only the heating equipment is described in the heating chamber, and the carrying-in / out of the heating / cooling chamber is as described in the first embodiment of Patent Document 2, for example, a transport robot that transports the substrate in the same manner as Patent Document 1. It is thought that it is done using.

特開2003-027213号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-027213 特開2006-196360号公報JP 2006-196360 A

近年の表示デバイスの大型化にともない、基板サイズも大型化し第6世代では1500mm×1850mm、その重量は5Kgにも及ぶ。当然基板サイズが大型化すると、前述したシャドウマスクも大型化し、そのサイズは図4に示すように1700〜1800mm×2000mmになり、その重量は200Kgを超えることが予想される。   With the recent increase in the size of display devices, the substrate size has also increased, and the sixth generation has 1500 mm × 1850 mm and its weight reaches 5 kg. Naturally, when the substrate size is increased, the above-described shadow mask is also increased, the size is 1700-1800 mm × 2000 mm as shown in FIG. 4, and the weight is expected to exceed 200 kg.

従って、従来の方法では、シャドウマスクを可搬できる搬送ロボットが必要になるが、前記要求を満たす搬送ロボットを収める処理チャンバの大きさに対応した現実的な大きさ、例えば、5m角の搬送チャンバを製作することは困難な課題である。   Therefore, in the conventional method, a transfer robot that can carry the shadow mask is required. However, a realistic size corresponding to the size of the processing chamber that accommodates the transfer robot that satisfies the above requirements, for example, a transfer chamber of 5 m square. Making is a difficult task.

また、従来では、搬送ロボットはシャドウマスクを搬送するともに基板も搬送する。従って、基板を交換中は基板を搬送できず、シャドウマスクの交換の必要な処理チャンバは勿論のこと、その下流に存在する処理チャンバにおいても処理ができず、稼働率が低下し、生産性が低下するという課題がある。   Conventionally, the transfer robot transfers the shadow mask and also the substrate. Therefore, the substrate cannot be transported during the replacement of the substrate, and the processing cannot be performed not only in the processing chamber that needs to be replaced by the shadow mask but also in the downstream processing chamber. There is a problem of lowering.

従って、本発明の第一の目的は、搬送チャンバを小型化できる有機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することである。
また、本発明の第二の目的は、生産性の高い機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することである。
さらに、本発明の第三の目的は、稼働率の高い機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することである。
Accordingly, a first object of the present invention is to provide an organic EL device manufacturing apparatus or film forming apparatus, a shadow mask exchanging apparatus, or an exchanging method thereof that can reduce the size of a transfer chamber.
A second object of the present invention is to provide a highly productive machine EL device manufacturing apparatus or film forming apparatus, shadow mask exchanging apparatus or exchanging method.
Furthermore, a third object of the present invention is to provide an EL device manufacturing apparatus or a film forming apparatus, a shadow mask exchanging apparatus or an exchanging method with a high operating rate.

本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、基板の処理に必要な第1の交換用シャドウマスクを大気雰囲気中のシャドウマスク交換室に搬入する搬入第1工程と、基板の処理に必要な使用済みシャドウマスクを大気雰囲気中の前記シャドウマスク交換室から搬出する搬出第1工程と、基板の処理に必要な第2の交換用シャドウマスクを所定の真空度を有する前記シャドウマスク交換室から前記所定の真空度を有し、基板を処理する真空処理チャンバに搬入する搬入第2工程と、前記使用済みシャドウマスクを前記所定の真空度を有する前記真空処理チャンバから前記所定の真空度を有する前記シャドウマスク交換室に搬出する搬出第2工程と、前記シャドウマスク交換室を前記所定の真空度まで減圧する減圧工程と、前記真空処理チャンバを前記所定の真空度に維持し、前記シャドウマスク交換室を大気中に開放する大気開放工程とを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention has at least the following features.
The present invention includes a first carrying-in step of carrying a first replacement shadow mask necessary for processing a substrate into a shadow mask exchange chamber in an air atmosphere, and a used shadow mask necessary for processing a substrate in an air atmosphere. A first step of unloading from the shadow mask exchange chamber, and a second replacement shadow mask necessary for processing the substrate having the predetermined vacuum degree from the shadow mask exchange chamber having a predetermined degree of vacuum; A second carrying-in step for carrying in the vacuum processing chamber for treating the second shadow; and a second carrying-out step for carrying out the used shadow mask from the vacuum processing chamber having the predetermined degree of vacuum to the shadow mask exchange chamber having the predetermined degree of vacuum. Two steps, a depressurizing step of depressurizing the shadow mask exchange chamber to the predetermined degree of vacuum, and maintaining the vacuum processing chamber at the predetermined degree of vacuum, The Yadoumasuku exchange chamber and having a air release step for releasing to the atmosphere.

また、本発明は、前記第1の交換用シャドウマスクと前記第2の交換用シャドウマスクとは異なり、前記各工程を、前記搬出第2工程、前記搬入第2工程、前記大気開放工程、前記搬出第1工程と、前記搬入第1工程、前記減圧工程との順に行ってもよい。
さらに、本発明は、前記蒸着する場所において前記第1の交換用シャドウマスク又は前記第2の交換用シャドウマスクシャドウマスクを着脱する着脱工程を有してもよい。
Further, the present invention is different from the first replacement shadow mask and the second replacement shadow mask, and each of the steps includes the carry-out second step, the carry-in second step, the air release step, You may carry out in order of the carrying-out 1st process, the said carrying-in 1st process, and the said pressure reduction process.
Furthermore, this invention may have the attachment / detachment process which attaches / detaches the said 1st replacement shadow mask or the said 2nd replacement shadow mask shadow mask in the said vapor deposition place.

また、本発明は、前記シャドウマスク交換室は、複数の前記真空処理チャンバに隣接し、隣接する前記蒸着チャンバのいずれにも前記搬入第2工程及び前記搬出第2工程を行えるようにしてもよい。
さらに、本発明は、1つの前記蒸着処理チャンバ内に、蒸着材料を基板に蒸着する蒸着位置を複数備え、複数の前記蒸着位置のうちの一つの蒸着位置のシャドウマスクを交換中に、他の蒸着位置で蒸着を行うようにしてもよい。
Further, according to the present invention, the shadow mask exchange chamber may be adjacent to a plurality of the vacuum processing chambers, and the carry-in second step and the carry-out second step may be performed in any of the adjacent vapor deposition chambers. .
Furthermore, the present invention includes a plurality of vapor deposition positions for vapor deposition of a vapor deposition material on a substrate in one vapor deposition processing chamber, and during replacement of a shadow mask at one of the plurality of vapor deposition positions, Vapor deposition may be performed at the vapor deposition position.

本発明によれば、搬送ロボットを有する搬送チャンバを小型化できる有機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することができる。
また、本発明によれば、生産性の高い有機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、稼働率の高い有機ELデバイス製造装置または成膜装置あるいはシャドウマスク交換装置または同交換方法を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus, a film forming apparatus, a shadow mask exchanging apparatus, or an exchanging method that can reduce the size of a transport chamber having a transport robot.
In addition, according to the present invention, it is possible to provide a highly productive organic EL device manufacturing apparatus or film forming apparatus, shadow mask exchanging apparatus or exchanging method.
Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus or a film forming apparatus, a shadow mask exchanging apparatus, or an exchanging method with a high operating rate.

本発明の実施形態である有機ELデバイス製造装置を示す図である。It is a figure which shows the organic EL device manufacturing apparatus which is embodiment of this invention. 本発明の実施形態である搬送チャンバ2と処理チャンバ1の構成の概要を示す 図である。It is a figure which shows the outline | summary of a structure of the conveyance chamber 2 and the processing chamber 1 which are embodiment of this invention. 本発明の実施形態である搬送チャンバと処理チャンバの構成の模式図と動作説 明図である。FIG. 2 is a schematic diagram and an operation explanatory diagram of configurations of a transfer chamber and a processing chamber according to an embodiment of the present invention. シャドウマスクの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a shadow mask. 本発明の実施形態である処理チャンバ1の処理フローを示した図である。It is the figure which showed the processing flow of the processing chamber 1 which is embodiment of this invention. 本発明の実施形態であるシャドウマスク交換機構部の構成の模式図と動作説 明図である。FIG. 2 is a schematic diagram and an operation explanatory diagram of a configuration of a shadow mask exchange mechanism unit according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態であるシャドウマスク交換機構部の主要部を示す図である。 (a):本発明の実施形態である内部交換部の載置台を示す図である。 (b):本発明の実施形態である外部交換部の保持固定部を示す図である。 (c): 本発明の実施形態である外部交換部の保持固定部駆動部を示す図である。 (d): 本発明の実施形態のシャドウマスク保持部を示す図である。It is a figure which shows the principal part of the shadow mask exchange mechanism part which is embodiment of this invention. (a): It is a figure which shows the mounting base of the internal replacement part which is embodiment of this invention. (b): It is a figure which shows the holding | maintenance fixing | fixed part of the external exchange part which is embodiment of this invention. (c): It is a figure which shows the holding | maintenance fixing | fixed part drive part of the external exchange part which is embodiment of this invention. (d): It is a figure which shows the shadow mask holding | maintenance part of embodiment of this invention. 本発明の実施形態であるシャドウマスク交換機構部の処理フローを示した図であ る。FIG. 5 is a diagram showing a processing flow of a shadow mask exchange mechanism unit that is an embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施形態の処理チャンバを示す図である。It is a figure which shows the processing chamber of the 2nd Embodiment of this invention. 従来技術を説明する図である。It is a figure explaining a prior art.

発明の第1の実施形態を図1から図5を用いて説明する。有機ELデバイス製造装置は、単に発光材料層(EL層)を形成し電極で挟むだけの構造ではなく、陽極の上に正孔注入層や輸送層、陰極の上に電子注入層や輸送層など様々な材料が薄膜としてなる多層構造を形成したり、基板を洗浄したりする。図1はその製造装置の一例を示したものである。   A first embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. Organic EL device manufacturing equipment is not simply a structure in which a light emitting material layer (EL layer) is formed and sandwiched between electrodes, but a hole injection layer or transport layer on the anode, an electron injection layer or transport layer on the cathode, etc. A multilayer structure in which various materials are formed as a thin film is formed, and a substrate is cleaned. FIG. 1 shows an example of the manufacturing apparatus.

本実施形態における有機ELデバイス製造装置100は、大別して処理対象の基板6(以下、単に基板という)を搬入するロードクラスタ3、基板6を処理する4つのクラスタ(A〜D)、各クラスタ間又はクラスタとロードクラスタ3あるいは次工程(封止工程)との間の設置された5つの受渡室4、及びクラスタ間あるいはクラスタに隣接して設けられた10のシャドウマスク交換チャンバ20から構成されている。   The organic EL device manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment is roughly divided into a load cluster 3 that carries a substrate 6 to be processed (hereinafter simply referred to as a substrate), four clusters (A to D) that process the substrate 6, and between each cluster. Or, it is composed of five delivery chambers 4 installed between the cluster and the load cluster 3 or the next process (sealing process), and ten shadow mask exchange chambers 20 provided between or adjacent to the clusters. Yes.

ロードクラスタ3は、前後に真空を維持するためにゲート弁10を有するロード室31と、ロード室31から基板6を受取り、旋回して受渡室4aに基板6を搬入する搬送ロボット5Rからなる。各ロード室31及び各受渡室4は前後にゲート弁10を有し、当該ゲート弁10の開閉を制御し真空を維持しながらロードクラスタ3あるいは次のクラスタ等へ基板6を受渡する。   The load cluster 3 includes a load chamber 31 having a gate valve 10 in order to maintain a vacuum in the front-rear direction, and a transfer robot 5R that receives the substrate 6 from the load chamber 31 and turns to carry the substrate 6 into the delivery chamber 4a. Each load chamber 31 and each delivery chamber 4 have a gate valve 10 in the front and rear, and deliver the substrate 6 to the load cluster 3 or the next cluster while controlling the opening and closing of the gate valve 10 and maintaining a vacuum.

各クラスタ(A〜D)は、一台の搬送ロボット5を有する搬送チャンバ2と、搬送ロボット5から基板6を受取り、所定の処理をする図面上で上下に配置された2つの処理チャンバ1(第1の添え字a〜dはクラスタを示し、第2の添え字u、dは上側下側を示す。以下英文字である添え字において、小文字は場所を、大文字は構成要素を示す)を有する。搬送チャンバ2と処理チャンバ1の間には、ゲート弁10が設けてある。   Each cluster (A to D) includes a transfer chamber 2 having a single transfer robot 5 and two processing chambers 1 (up and down) arranged on the drawing for receiving a substrate 6 from the transfer robot 5 and performing a predetermined process. The first subscripts a to d indicate clusters, the second subscripts u and d indicate the upper and lower sides, and in the subscripts that are English letters, lowercase letters indicate places and uppercase letters indicate components) Have. A gate valve 10 is provided between the transfer chamber 2 and the processing chamber 1.

図2は、搬送チャンバ2と処理チャンバ1の構成の概要を示す。処理チャンバ1の構成は処理内容によって異なるが、真空で発光材料を蒸着しEL層を形成する真空蒸着チャンバ1buを例にとって説明する。図3は、搬送チャンバ2bと真空蒸着チャンバ1buの構成の模式図と動作説明図である。図2における搬送ロボット5は、全体を上下に移動可能(図3の矢印53参照)で、左右に旋回可能な3リンク構造のアーム51を有し、その先端には基板搬送用の櫛歯状ハンド52を上下二段に2本有する。1本ハンドの場合は、基板を次の工程に渡すための回転動作、前の工程から基板を受取るための回転動作、及びこれに付随するゲート弁の開閉動作が搬入出処理の間に必要だが、上下二段にすることによって、片方のハンドに搬入する基板を持たせ、基板を保持していない方のハンドで真空蒸着チャンバから基板の搬出動作をさせた後、連続して搬入動作を行なうことができる。
2本ハンドにするか1本ハンドにするかは、要求される生産能力によって決める。以後の説明では、説明を簡単にするために1本ハンドで説明する。
FIG. 2 shows an outline of the configuration of the transfer chamber 2 and the processing chamber 1. Although the configuration of the processing chamber 1 varies depending on the content of processing, a vacuum deposition chamber 1bu in which a light emitting material is deposited in vacuum to form an EL layer will be described as an example. FIG. 3 is a schematic diagram and an operation explanatory diagram of the configuration of the transfer chamber 2b and the vacuum deposition chamber 1bu. The transfer robot 5 in FIG. 2 has a three-link structure arm 51 that can move up and down as a whole (see arrow 53 in FIG. 3) and can turn left and right. Two hands 52 are provided in two upper and lower stages. In the case of a single hand, a rotation operation for transferring the substrate to the next process, a rotation operation for receiving the substrate from the previous process, and an accompanying gate valve opening / closing operation are necessary during the loading / unloading process. By making the upper and lower two stages, the substrate to be carried into one hand is held, the substrate is carried out from the vacuum deposition chamber with the other hand not holding the substrate, and then the carrying-in operation is continuously performed. be able to.
Whether to use two hands or one hand depends on the required production capacity. In the following description, a single hand is used for the sake of simplicity.

前述した搬送ロボット5、5Rはシャドウマスクを搬送しない、基本的には基板を搬送するロボットである。前述したように第6世代の基板の重量は約5Kgである。一方、第4世代のシャドウマスクの重量は約50Kgである。従って、搬送ロボット5は、第4世代と比べても小型にでき、搬送ロボット5が設置されている搬送チャンバの大きさを真空蒸着チャンバ1buで規定される以内にすることができる。   The above-described transfer robots 5 and 5R are basically robots that do not transfer the shadow mask and transfer the substrate. As described above, the weight of the sixth generation substrate is about 5 kg. On the other hand, the weight of the fourth generation shadow mask is about 50 kg. Therefore, the transfer robot 5 can be made smaller than the fourth generation, and the size of the transfer chamber in which the transfer robot 5 is installed can be set within the range defined by the vacuum deposition chamber 1bu.

上記実施形態によれば、搬送ロボットを小型にでき、それに伴い搬送チャンバも小型化できる有機ELデバイス製造装置または同製造方法を提供できる。   According to the embodiment, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus or a manufacturing method that can reduce the size of the transfer robot and reduce the transfer chamber accordingly.

一方、真空蒸着チャンバ1buは、大別して発光材料を蒸発させ基板6に蒸着させる蒸着部7と、基板6の必要な部分に蒸着させるアライメント部8と、搬送ロボット5と基板6の受渡しを行い、蒸着部7へ基板6を移動させる処理受渡部9からなり、アライメント部8と処理受渡部9は、右側Rラインと左側Lラインの2系統設ける。その結果、1チャンバで2枚の基板を処理できる。処理受渡部9は、搬送ロボット5の櫛歯状ハンド52と干渉することなく基板6を受渡し可能で、基板6を固定する手段94を有する櫛歯状ハンド91と、櫛歯状ハンド91を旋回させて基板6を直立させアライメント部8に移動するハンド旋回駆動手段92を有する。基板6を固定する手段94としては、真空中であることを考慮して静電吸着や機械的クランプ等の手段を用いる。   On the other hand, the vacuum deposition chamber 1bu is roughly divided into a deposition unit 7 for evaporating the luminescent material and depositing it on the substrate 6, an alignment unit 8 for depositing the necessary part of the substrate 6, and the transfer robot 5 and the substrate 6 on delivery. The process delivery part 9 which moves the board | substrate 6 to the vapor deposition part 7 consists of, and the alignment part 8 and the process delivery part 9 are provided with two systems, the right side R line and the left side L line. As a result, two substrates can be processed in one chamber. The processing delivery unit 9 can deliver the substrate 6 without interfering with the comb-like hand 52 of the transport robot 5, and the comb-like hand 91 having means 94 for fixing the substrate 6 and the comb-like hand 91 are swung. Thus, hand swivel drive means 92 for moving the substrate 6 upright to the alignment unit 8 is provided. As the means 94 for fixing the substrate 6, means such as electrostatic adsorption or mechanical clamping are used in consideration of being in a vacuum.

アライメント部8は、図4に示すマスク81M、フレーム81Fからなるシャドウマスク81と基板6上のアライメントマーク84によって基板6とシャドウマスク81とを位置合せするアライメント駆動部83とを有する。   The alignment unit 8 includes a shadow mask 81 including the mask 81M and the frame 81F shown in FIG. 4 and an alignment driving unit 83 that aligns the substrate 6 and the shadow mask 81 with the alignment mark 84 on the substrate 6.

蒸着部7は、蒸発源71をレール76上に沿って上下方向に移動させる上下駆動手段72、蒸発源71をレール75上に沿って左右のアライメント部間移動する左右駆動ベース74を有する。蒸発源71は、内部に蒸着材料である発光材料を有し、前記蒸着材料を加熱制御(図示せず)することによって安定した蒸発速度が得られ、図3の引出し図に示すように、蒸発源71に並んだ複数の穴73から蒸発する構造となっている。必要によっては、蒸着膜の特性を向上させるために添加剤も同時に加熱して蒸着する。この場合、蒸発源と一対若しくは複数の蒸発源と上下に平行に並べて蒸着する。   The vapor deposition unit 7 includes a vertical drive unit 72 that moves the evaporation source 71 in the vertical direction along the rail 76, and a left-right drive base 74 that moves the evaporation source 71 along the rail 75 between the left and right alignment units. The evaporation source 71 has a light emitting material as an evaporation material inside, and a stable evaporation rate can be obtained by heating control (not shown) of the evaporation material. As shown in the drawing of FIG. The structure evaporates from a plurality of holes 73 arranged in the source 71. If necessary, in order to improve the properties of the deposited film, the additive is also heated and deposited at the same time. In this case, the evaporation source and the pair or a plurality of evaporation sources are deposited in parallel vertically.

図5は、このような構成によって処理チャンバ1の処理フローを示した図である。本実施形態での処理の基本的な考え方は、基板の蒸着面を上面にして搬送し、上面搬送された基板6を垂直にたてて、アライメント部8に搬送し、蒸着する。搬送時基板6の下面が蒸着面であるならば反転する必要があるが、上面が蒸着面であるので垂直にたてるだけでよい。   FIG. 5 is a diagram showing a processing flow of the processing chamber 1 with such a configuration. The basic concept of processing in the present embodiment is that the substrate is transported with the deposition surface on the top surface, the substrate 6 transported on the top surface is vertically set, transported to the alignment unit 8 and deposited. If the lower surface of the substrate 6 is a vapor deposition surface at the time of conveyance, it is necessary to invert it.

また、蒸着する工程と、処理チャンバ1への基板搬入出工程等のその他工程とは所要時間が略同じであり、本実施形態ではそれぞれ約1分である。そこで、本実施形態での処理の他の基本的な考え方は、一方のラインで蒸着して間に、他方のラインでは基板を搬入出し、位置合せをし、蒸着する準備を完了させることである。この処理を交互に行なうことによって、蒸発源中の材料が無駄に蒸発している時間を減少させることができる。   In addition, the time required for the vapor deposition process and the other processes such as the substrate carrying-in / out process for the processing chamber 1 are substantially the same, and in this embodiment each is approximately 1 minute. Therefore, another basic idea of the processing in this embodiment is to perform deposition on one line, carry in and out the substrate on the other line, align, and complete preparation for deposition. . By alternately performing this process, the time during which the material in the evaporation source is evaporated wastefully can be reduced.

その処理フローを、図3を参照しながら図5を用いて詳細に説明する。図3において、基板6が存在するところは実線で示す。
まず、Rラインにおいて、基板6Rを搬入し、基板6Rを垂直に立ててアライメント部8Rに移動し、位置合せを行なう(StepR1からStepR3)。このとき、垂直に立てて直ぐに位置合せを行なうために、蒸着面を上にして基板6を搬送する。位置合せは、図3の引出し図に示すように、CCDカメラ86で撮像し、基板6に設けられたアライメントマーク84がマスク81M設けられた窓85の中心にくるように、シャドウマスク81Rをアライメント駆動部83で制御することによって行なう。本蒸着が赤(R)を発光させる材料であるならば、図4に示すようにマスク81MのRに対応する部分に窓があいており、その部分が蒸着されることになる。その窓の大きさは色によって異なるが、平均して幅50μm、高さ150μm程度である。マスク81Mの厚さは40μmであり、今後さらに薄くなる傾向がある。
The processing flow will be described in detail using FIG. 5 with reference to FIG. In FIG. 3, the place where the substrate 6 exists is indicated by a solid line.
First, in the R line, the substrate 6R is loaded, the substrate 6R is vertically set up, moved to the alignment unit 8R, and alignment is performed (Step R1 to Step R3). At this time, the substrate 6 is transported with the vapor deposition surface facing upward in order to perform vertical alignment immediately. As shown in the drawing of FIG. 3, the alignment is performed by aligning the shadow mask 81R so that the image is taken by the CCD camera 86 and the alignment mark 84 provided on the substrate 6 is at the center of the window 85 provided with the mask 81M. This is performed under the control of the drive unit 83. If the main vapor deposition is a material that emits red (R), as shown in FIG. 4, there is a window in a portion corresponding to R of the mask 81M, and this portion is vapor deposited. The size of the window varies depending on the color, but on average it is about 50 μm wide and 150 μm high. The thickness of the mask 81M is 40 μm and tends to become thinner in the future.

位置合せが終了したら、蒸発源71をRライン側に移動させ(StepR4)、その後ライン状の蒸発源71を上又は下に移動させて蒸着する(StepR5)。Rライン蒸着中に、LラインではRラインと同様にStepL1からStepL3の処理を行なう。すなわち、他の基板6Lを搬入し、当該基板6Lを垂直に立ててアライメント部8Lに移動し、基板6Lとシャドウマスク81Lとの位置合せを行なう。Rラインの基板6Rの蒸着を完了すると、蒸発源71はLラインに移動し(StepL4)、Lラインにある基板6Lを蒸着する(StepL5)。このとき蒸発源71がRラインの蒸着領域から完全に出る前に、基板6Rがアライメント部8Rから離れると、不必要に蒸着される可能性があるので、完全に出た後に、基板6Rの処理チャンバ1からの搬出動作を開始し、その後新たな基板6Rの準備に入る。前記不必要な蒸着を避けるために、ラインの間に仕切り板11を設ける。なお、図3は、StepR5及びStepL1の状態を示している。即ち、Rラインでは蒸着を開始し、Lラインでは真空蒸着チャンバ1buに基板を搬入した状態である。   When the alignment is completed, the evaporation source 71 is moved to the R line side (Step R4), and then the line-shaped evaporation source 71 is moved up or down to perform deposition (Step R5). During the R line deposition, the processing from StepL1 to StepL3 is performed on the L line in the same manner as the R line. That is, another substrate 6L is carried in, the substrate 6L is set up vertically, moved to the alignment unit 8L, and alignment between the substrate 6L and the shadow mask 81L is performed. When the deposition of the substrate 6R on the R line is completed, the evaporation source 71 moves to the L line (Step L4) and deposits the substrate 6L on the L line (Step L5). At this time, if the substrate 6R is separated from the alignment portion 8R before the evaporation source 71 completely exits the deposition area of the R line, there is a possibility that deposition may be unnecessarily performed. The carrying-out operation from the chamber 1 is started, and then preparation for a new substrate 6R is started. In order to avoid the unnecessary deposition, a partition plate 11 is provided between the lines. FIG. 3 shows the state of StepR5 and StepL1. That is, vapor deposition is started on the R line, and the substrate is loaded into the vacuum vapor deposition chamber 1bu on the L line.

その後、上記フローを連続して行なうことにより、本実施形態によれば、蒸着部7の移動時間を除いて、無駄に蒸着材料を使用することなく蒸着することができる。前述したように必要な蒸着時間とその他処理時間は約1分であり、蒸発源71の移動時間を5秒とすれば、従来は1分の無駄な蒸着時間が本実施形態では5秒に短縮できる。   Thereafter, by continuously performing the above-described flow, according to the present embodiment, it is possible to perform vapor deposition without wasteful use of the vapor deposition material, except for the movement time of the vapor deposition unit 7. As described above, the necessary vapor deposition time and other processing time are about 1 minute. If the moving time of the evaporation source 71 is 5 seconds, the wasteful vapor deposition time of 1 minute is shortened to 5 seconds in the present embodiment. it can.

また、上記本実施形態によれば、図5に示すように真空蒸着チャンバ1buの処理基板1枚の処理サイクルは、実質的に蒸着時間+蒸発源71の移動時間となり、生産性を向上させることができる。前述の条件で処理時間を評価すれば、従来の2分に対し、本発明では1分5秒となり、チャンバひとつあたりの生産性を約2倍に向上できる。   Further, according to the present embodiment, as shown in FIG. 5, the processing cycle of one processing substrate in the vacuum deposition chamber 1bu is substantially the deposition time + the movement time of the evaporation source 71, thereby improving productivity. Can do. If the processing time is evaluated under the above-mentioned conditions, it will be 1 minute 5 seconds in the present invention compared to the conventional 2 minutes, and the productivity per chamber can be improved about twice.

上記実施形態では、一つの処理装置の中に一つの蒸着部7に対してアライメント部8、処理受渡部9からなる2系統の処理ラインを設けた。例えば、蒸着時間30秒で、その他の処理時間が1分ならば、一つの処理装置の中に一つの蒸着部7に対して処理ラインを3系統設けても、同様に大きな効果を得ることができる。   In the embodiment described above, two processing lines including the alignment unit 8 and the processing delivery unit 9 are provided for one vapor deposition unit 7 in one processing apparatus. For example, if the vapor deposition time is 30 seconds and the other treatment time is 1 minute, even if three treatment lines are provided for one vapor deposition unit 7 in one treatment apparatus, the same effect can be obtained. it can.

最後に、本実施形態の大きな特徴であるシャドウマスクチャンバ20の構成と、シャドウマスク交換フローを図1、図6乃至図8を用いて説明する。   Finally, the configuration of the shadow mask chamber 20 and the shadow mask replacement flow, which are major features of the present embodiment, will be described with reference to FIGS. 1 and 6 to 8.

図1に示すように、シャドウマスク交換チャンバ20は、大気中のシャドウマスク搬入出室21と、少なくともシャドウマスク交換時は真空となるシャドウマスク交換室22とから構成されている。本実施形態では、シャドウマスク交換室22へのシャドウマスク搬入出時に、シャドウマスク交換室22、強いては真空蒸着チャンバ1の大幅な真空度低下を抑えるために、シャドウマスク搬入出室21を名前に示すように閉空間となる”室“とした。この結果、シャドウマスク交換室22の真空度を再度所望の値にするための時間を短縮できる。シャドウマスク交換室22は、蒸着処理する処理チャンバ1に隣接して設けられている。以下の説明では、図1の引出し図に示す、真空蒸着チャンバ1adのLライン(図3に示す真空蒸着チャンバ1buのラインの呼び方とは、上下反対になるので図上では逆になる)と真空蒸着チャンバ1bdのRライン(前記括弧内と同じ)のシャドウマスク81の交換を担当するシャドウマスク交換チャンバ20bdを例にとって説明する。図1におけるシャドウマスク交換チャンバ等の添え字は、第1の添え字が左からabc順を、第2の添え字が上段u、下段dを表す。   As shown in FIG. 1, the shadow mask exchange chamber 20 includes a shadow mask carry-in / out chamber 21 in the atmosphere, and a shadow mask exchange chamber 22 that is in a vacuum at least when the shadow mask is exchanged. In the present embodiment, the shadow mask loading / unloading chamber 21 is named in order to suppress a significant decrease in the degree of vacuum in the shadow mask replacing chamber 22, and thus the vacuum deposition chamber 1, when the shadow mask is loaded into and unloaded from the shadow mask replacing chamber 22. As shown, it is a “room” that is a closed space. As a result, it is possible to shorten the time for setting the degree of vacuum in the shadow mask exchange chamber 22 to a desired value again. The shadow mask exchange chamber 22 is provided adjacent to the processing chamber 1 for vapor deposition. In the following description, the L line of the vacuum deposition chamber 1ad shown in the drawing of FIG. 1 (the name of the line of the vacuum deposition chamber 1bu shown in FIG. An explanation will be given by taking as an example a shadow mask exchange chamber 20bd that is responsible for exchanging the shadow mask 81 in the R line (same as in parentheses) of the vacuum deposition chamber 1bd. In the subscript of the shadow mask exchange chamber or the like in FIG. 1, the first subscript represents the abc order from the left, and the second subscript represents the upper stage u and the lower stage d.

図6は、図1に示す引出し図の部分の構成模式図及び動作説明図を示したもので、図7は主要部の構成を示した図である。シャドウマスク交換手段23は、シャドウマスク81をシャドウマスク搬入出室21bdとシャドウマスク交換室22bdとの間を移動させる外部交換部24と、シャドウマスク81をシャドウマスク交換室22bdと真空蒸着チャンバである処理チャンバ1との間を移動させる内部交換部25と、及びシャドウマスク81をアライメント部8に保持、着脱させるシャドウマスク保持部87とから構成される。   FIG. 6 shows a schematic configuration diagram and an operation explanatory diagram of a portion of the drawing shown in FIG. 1, and FIG. 7 shows a configuration of a main part. The shadow mask exchange means 23 is an external exchange unit 24 for moving the shadow mask 81 between the shadow mask loading / unloading chamber 21bd and the shadow mask exchange chamber 22bd, and the shadow mask 81 is a shadow mask exchange chamber 22bd and a vacuum deposition chamber. An internal exchange unit 25 that moves between the processing chambers 1 and a shadow mask holding unit 87 that holds and removes the shadow mask 81 from the alignment unit 8 are configured.

外部交換部24は、交換用のシャドウマスク81Eと使用済みシャドウマスク81Uを載置する載置台24S(図7(a)参照)、載置台24Sが移動する載置台レール24Rと、載置台24S上に設けられ、鋼製のフレーム81Fの下枠を固定する電磁石部24DU、24DEを有するフレーム固定台24FU、24FE(図7(a)参照)と、シャドウマスク搬入出室21bdとシャドウマスク交換室22bdとの壁に設けられたシャドウマスク搬入出用のゲート弁10A(図1の引出し図参照)とから構成される。フレーム固定台24FU、24FEは、後述する保持固定部25Hにシャドウマスク81を受け渡すために多少上下する機構を設けている(図示せず)。   The external replacement unit 24 includes a mounting table 24S (see FIG. 7A) on which the replacement shadow mask 81E and the used shadow mask 81U are mounted, a mounting table rail 24R on which the mounting table 24S moves, and the mounting table 24S. Frame fixing bases 24FU and 24FE (see FIG. 7A) having electromagnet portions 24DU and 24DE for fixing the lower frame of the steel frame 81F, a shadow mask loading / unloading chamber 21bd and a shadow mask exchange chamber 22bd And a gate valve 10A (see the drawing in FIG. 1) for carrying in and out of the shadow mask provided on the wall. The frame fixing bases 24FU and 24FE are provided with a mechanism that moves up and down somewhat (not shown) in order to deliver the shadow mask 81 to a holding and fixing portion 25H described later.

内部交換部25は、図6に示すように、シャドウマスク交換室22bdの上部に設けられたシャドウマスク81を保持固定するT状の形状(図7(b)参照)を有する保持固定部25Hと、保持固定部25HのT字形の凸部下面25HAが摺動する2本の保持固定部レール25Rと、保持固定部レール25R上を走行し、保持固定部25Hを前後に移動させる保持固定部駆動部25Kと、及びシャドウマスク交換室22bdと真空蒸着チャンバ1bdとの壁に設けられたゲート弁10B(図1参照)とから構成される。
保持固定部25Hには、下部側面に鋼製のフレーム81Fの上部枠を固定する電磁石部25D1が、その端面上部に保持固定部駆動部25Kと連結するための電磁石部25D2が設けられている(図7(b)参照)。それに伴い、対応する保持固定部駆動部25Kの端面には、電磁石吸着面(図示せず)が設けられている。
As shown in FIG. 6, the internal replacement part 25 includes a holding and fixing part 25H having a T-shape (see FIG. 7B) for holding and fixing the shadow mask 81 provided on the upper part of the shadow mask replacement chamber 22bd. Two holding and fixing part rails 25R on which the lower surface 25HA of the T-shaped protrusion of the holding and fixing part 25H slides, and a holding and fixing part drive that moves on the holding and fixing part rail 25R and moves the holding and fixing part 25H back and forth. And a gate valve 10B (see FIG. 1) provided on the wall of the shadow mask exchange chamber 22bd and the vacuum deposition chamber 1bd.
The holding and fixing portion 25H is provided with an electromagnet portion 25D1 for fixing the upper frame of the steel frame 81F on the lower side surface, and an electromagnet portion 25D2 for connecting to the holding and fixing portion driving portion 25K on the upper end surface. (Refer FIG.7 (b)). Accordingly, an electromagnet attracting surface (not shown) is provided on the end surface of the corresponding holding and fixing portion driving unit 25K.

保持固定部レール25Rは、ゲート弁10B部分で離間しており、後述するシャドウマスク保持部87の手前まで敷設されている。図7(c)は、保持固定部駆動部25Dと、ゲート弁10B前後の離間部における保持固定部レール25Rの状態を示したものである。保持固定部駆動部25Dは、中心に駆動モータ25KMを配置し、保持固定部レール25Rを下面走行する前後左右4箇所の駆動輪25KDと、保持固定部レール25Rの上面走行する2つの受動輪25KJからなる。4つの駆動輪25KDがうち少なくとも1輪が保持固定部レール25R上に存在するように、前後の駆動輪の間隔はゲート弁10Bの幅以上とする。保持固定部駆動部25Dの保持固定部レール25Rに対する平行度は、その前に長い保持固定部25Hと一体になっているので、ゲート弁10Bのところで脱輪しても崩れることはなく、安定して保持固定部レール25R上を走行できる。なお、保持固定部レール25Rの離間部端部は、再度レールに乗り易くするために丸みを持たせている。   The holding and fixing portion rail 25R is separated at the gate valve 10B portion, and is laid to the front of a shadow mask holding portion 87 described later. FIG. 7 (c) shows the state of the holding / fixing portion rail 25R in the holding / fixing portion driving portion 25D and the separation portion before and after the gate valve 10B. The holding and fixing part driving unit 25D has a driving motor 25KM in the center, and four driving wheels 25KD front and rear and left and right traveling on the holding and fixing part rail 25R, and two passive wheels 25KJ that run on the upper surface of the holding and fixing part rail 25R. Consists of. The distance between the front and rear drive wheels is equal to or greater than the width of the gate valve 10B so that at least one of the four drive wheels 25KD exists on the holding and fixing portion rail 25R. The parallelism of the holding / fixing part driving part 25D with respect to the holding / fixing part rail 25R is integrated with the long holding / fixing part 25H before that. And can travel on the holding and fixing portion rail 25R. Note that the end of the separation portion of the holding and fixing portion rail 25R is rounded to make it easier to ride on the rail again.

図7(d)に示すシャドウマスク保持部87は、下に開口部を設け、保持固定部25Hの摺動面25HAが摺動する摺動面87Sと、両脇には鋼製のフレーム81Fを電磁石で固定する固定枠87Kとからなる。シャドウマスク保持部87は、基板6とシャドウマスク81とを位置合せするアライメント駆動部83に支持されている。   The shadow mask holding portion 87 shown in FIG. 7 (d) is provided with an opening below, a sliding surface 87S on which the sliding surface 25HA of the holding and fixing portion 25H slides, and a steel frame 81F on both sides. It consists of a fixed frame 87K fixed with an electromagnet. The shadow mask holding unit 87 is supported by an alignment driving unit 83 that aligns the substrate 6 and the shadow mask 81.

次に、このような実施形態に基づく、シャドウマスクの交換動作フローを図8に示す。
先ず、交換用シャドウマスク81Eをシャドウマスク搬入出室21の載置台24S上のフレーム固定台24FEに設置し、載置台レール24R上を走行し、ゲート弁10Aを開閉して通過させ、シャドウマスク交換室22bdに搬入する(Step1)。ゲート弁10Aを閉じた後、シャドウマスク交換室22bdを所定真空度10E-5〜10E-6Paまで減圧する(Step2)。次に、使用済みシャドウマスク81Uを回収するために、連結状態にある保持固定部25Hと保持固定部駆動部25Dが、開閉制御されたゲート弁10bを通過し、保持固定部レール25R上を走行して保持固定部25Hをシャドウマスク保持部87に挿入する(Step3)。挿入後、シャドウマスク保持部87が自由に動けるように、保持固定部駆動部25Dを保持固定部25Hから離脱させる。その後、アライメント駆動部83を利用し、アライメント電磁石部25D1を作動させて使用済みシャドウマスク81Uの上部枠部に保持固定部25Hを連結する。そして、使用済みシャドウマスク81Uとシャドウマスク保持部87の連結を解除する(Step4)。解除後、行きと逆の動作で使用済みシャドウマスク81Uをシャドウマスク交換室22bdの載置台24Sの位置まで戻し回収する(Step5)。その後、レール固定台24FUを上昇させ、シャドウマスク81Uを電磁石部24DUによりレーム固定台24FUに固定し、電磁石部25D1を解除し保持固定部25Hから切り離す(Step6)。
Next, FIG. 8 shows a shadow mask replacement operation flow based on such an embodiment.
First, the replacement shadow mask 81E is installed on the frame fixing table 24FE on the mounting table 24S of the shadow mask loading / unloading chamber 21, travels on the mounting table rail 24R, opens and closes the gate valve 10A, and replaces the shadow mask. It is carried into the chamber 22bd (Step 1). After closing the gate valve 10A, the shadow mask exchange chamber 22bd is depressurized to a predetermined degree of vacuum of 10E-5 to 10E-6Pa (Step 2). Next, in order to collect the used shadow mask 81U, the holding and fixing unit 25H and the holding and fixing unit driving unit 25D in a connected state pass through the gate valve 10b that is controlled to open and close and travel on the holding and fixing unit rail 25R. Then, the holding and fixing part 25H is inserted into the shadow mask holding part 87 (Step 3). After the insertion, the holding and fixing part driving unit 25D is detached from the holding and fixing part 25H so that the shadow mask holding part 87 can move freely. Thereafter, the alignment driving unit 83 is used to operate the alignment electromagnet unit 25D1 to connect the holding and fixing unit 25H to the upper frame portion of the used shadow mask 81U. Then, the connection between the used shadow mask 81U and the shadow mask holding unit 87 is released (Step 4). After the cancellation, the used shadow mask 81U is returned to the position of the mounting table 24S in the shadow mask exchange chamber 22bd by the reverse operation to the recovery (Step 5). Thereafter, the rail fixing base 24FU is raised, the shadow mask 81U is fixed to the frame fixing base 24FU by the electromagnet portion 24DU, the electromagnet portion 25D1 is released and separated from the holding fixing portion 25H (Step 6).

次のステップから交換用シャドウマスク81Eの交換フローに入る。載置台24Sを移動させ、交換用シャドウマスク81Eを保持固定部25Hの下に移動し、フレーム固定台24FEを上昇させ、Step6の逆の動作で交換用シャドウマスク81Eを保持固定部25Hに固定する(Step7)。その後、Step3と同様に交換用シャドウマスク81Eをシャドウマスク保持部87に挿入する(Step8)。シャドウマスク保持部87では、Step4と逆の動作で交換用シャドウマスク81Eから保持固定部25Hを切り離し、シャドウマスク81Eをシャドウマスク保持部87に固定し設置する(Step9)。Step5と同様に、交換用シャドウマスク81Eを切り離した保持固定部25Hをシャドウマスク交換室22bdのフレーム固定台24KEのところまで戻し、ゲート弁10Bを閉じる(Step10)。ゲート弁10Aを開閉し、載置台24Sをシャドウマスク搬入出室21に移動させ、使用済みシャドウマスク81Uを使用済みシャドウマスク81Uから搬出する(Step11)。   The replacement flow of the replacement shadow mask 81E is entered from the next step. The mounting table 24S is moved, the replacement shadow mask 81E is moved below the holding and fixing unit 25H, the frame fixing table 24FE is raised, and the replacement shadow mask 81E is fixed to the holding and fixing unit 25H by the reverse operation of Step 6. (Step7). Thereafter, similarly to Step 3, the replacement shadow mask 81E is inserted into the shadow mask holding portion 87 (Step 8). In the shadow mask holding part 87, the holding and fixing part 25H is separated from the replacement shadow mask 81E by the reverse operation of Step 4, and the shadow mask 81E is fixed and installed on the shadow mask holding part 87 (Step 9). Similar to Step 5, the holding and fixing part 25H from which the replacement shadow mask 81E has been separated is returned to the frame fixing base 24KE in the shadow mask changing chamber 22bd, and the gate valve 10B is closed (Step 10). The gate valve 10A is opened and closed, the mounting table 24S is moved to the shadow mask loading / unloading chamber 21, and the used shadow mask 81U is unloaded from the used shadow mask 81U (Step 11).

以上の説明では、真空蒸着チャンバ1bdへのシャドウマスク81の搬入出の構成及び動作フローを示した。真空蒸着チャンバ1adへのシャドウマスク81の搬入出の構成については、保持固定部駆動部25Dを保持固定部25Hの左側に設けていたが、それを右側に設ければよい。従って、保持固定部駆動部25Dを保持固定部25Hの左側と右側につけたものを2台設けるか、または、保持固定部25Hの左側保持固定部25Dに180度回転可能な機構を設ければよい。動作フローについては、右と左が違うだけで基本的に同じである。   In the above description, the configuration and operation flow of carrying the shadow mask 81 into and out of the vacuum deposition chamber 1bd have been shown. Regarding the configuration for carrying the shadow mask 81 into and out of the vacuum deposition chamber 1ad, the holding / fixing unit driving unit 25D is provided on the left side of the holding / fixing unit 25H, but it may be provided on the right side. Accordingly, it is only necessary to provide two holding and fixing unit driving units 25D on the left and right sides of the holding and fixing unit 25H, or to provide a mechanism capable of rotating 180 degrees on the left holding and fixing unit 25D of the holding and fixing unit 25H. . The operation flow is basically the same except that the right and left are different.

上記実施形態によれば、シャドウマスクの交換時において、基板搬送系には影響を与えず処理できるので、稼働率及び生産性の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。   According to the above-described embodiment, when replacing the shadow mask, processing can be performed without affecting the substrate transport system. Therefore, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus or manufacturing method with high availability and high productivity.

また、上記実施形態によれば、シャドウマスク搬入出する場所として閉空間となるシャドウマスク搬入出室21を設けたことで、真空蒸着チャンバの真空度低下を抑えることができるので、同じ真空蒸着チャンバ内の他の処理は継続可能である。従って、稼働率の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。   In addition, according to the above embodiment, since the shadow mask loading / unloading chamber 21 serving as a closed space is provided as a shadow mask loading / unloading location, it is possible to suppress a decrease in the degree of vacuum in the vacuum deposition chamber. Other processes in can continue. Accordingly, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus or manufacturing method with a high operating rate.

さらに、図3に示したように一つの真空蒸着チャンバの中に2箇所の蒸着場所、言いかえれば2つのシャドウマスクマスクがあり、交換するシャドウマスクではない他のシャドウマスクで同一処理を続けることができるので、装置全体を停止することなく製品として一連の作業ができる生産性の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 3, there are two deposition locations in one vacuum deposition chamber, in other words, two shadow mask masks, and the same processing is continued with another shadow mask that is not a shadow mask to be replaced. Therefore, a highly productive organic EL device manufacturing apparatus or manufacturing method capable of performing a series of operations as a product without stopping the entire apparatus can be provided.

また、少なくとも、シャドウマスクの交換時間が短縮できるので、稼働率及び生産性の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。   Moreover, since at least the replacement time of the shadow mask can be shortened, it is possible to provide an organic EL device manufacturing apparatus or manufacturing method with high operating rate and high productivity.

上記第1の実施形態では、シャドウマスク搬入出する場所としてシャドウマスク搬入出室21を設けたが、単なるシャドウマスク搬入出台でもよい。この実施形態では、少なくともシャドウマスクを交換する真空蒸着チャンバの処理を中断させるだけで、その他の処理チャンバの処理を継続できるので、装置全体を停止することなく稼働率の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。さらに、真空排気を効率よく行い排気時間を短縮することによって、稼働率の高い有機ELデバイス製造装置または製造方法を提供することができる。   In the first embodiment, the shadow mask loading / unloading chamber 21 is provided as a shadow mask loading / unloading place. However, a simple shadow mask loading / unloading base may be used. In this embodiment, the processing of the other processing chambers can be continued only by interrupting the processing of the vacuum deposition chamber for replacing at least the shadow mask. Therefore, the organic EL device manufacturing apparatus having a high operation rate or without stopping the entire apparatus. A manufacturing method can be provided. Furthermore, an organic EL device manufacturing apparatus or a manufacturing method with a high operating rate can be provided by efficiently performing evacuation and reducing the evacuation time.

上記第1の実施形態では、交換用シャドウマスク81Eと使用済みシャドウマスク81Uとを同時に搬入出したが、最初に使用済みシャドウマスク81Uをシャドウマスク搬入出室21まで搬出し、その後交換用シャドウマスク81Eを搬入させてもよい。   In the first embodiment, the replacement shadow mask 81E and the used shadow mask 81U are carried in / out at the same time. However, the used shadow mask 81U is first carried out to the shadow mask carry-in / out chamber 21, and then the replacement shadow mask is used. 81E may be carried in.

さらに、上記実施形態では、シャドウマスク交換室を真空蒸着チャンバの横に設けたが、上部あるいは下部に設けてもよく、同様な効果を得ることができる。   Further, in the above embodiment, the shadow mask exchange chamber is provided beside the vacuum deposition chamber, but it may be provided in the upper part or the lower part, and the same effect can be obtained.

また、上記実施形態では、シャドウマスク交換室は真空チャンバとしたが、シャドウマスク搬入出時は、シャドウマスク搬入出以外のゲート弁を閉じることで、真空蒸着チャンバでなくてもよい。   In the above embodiment, the shadow mask exchange chamber is a vacuum chamber. However, when the shadow mask is carried in and out, the gate valve other than the shadow mask carrying in and out may be closed so that the shadow mask exchange chamber does not have to be a vacuum deposition chamber.

以上の実施形態は全て基板6の蒸着面を上にして搬送し、立っているシャドウマスクで蒸着できるように、基板を立てる場合について説明した。その他の蒸着方法では、基板、シャドウマスクとも水平にして行なう方法がある。その場合の多くは、図9に示すように蒸着面を下にし、蒸着処理を下方から行なう。   In the above embodiments, the case where the substrate is erected so that the vapor deposition surface of the substrate 6 can be conveyed and vapor deposition can be performed with a standing shadow mask has been described. As another deposition method, there is a method in which both the substrate and the shadow mask are horizontal. In many cases, as shown in FIG. 9, the deposition surface is down, and the deposition process is performed from below.

その場合のシャドウマスク交換チャンバの構成としては、第1の実施形態と基本的な構成は同じであり、シャドウマスクの垂直搬送を、水平搬送することで実現できる。本実施形態においても、第1の実施形態のヴァリエーション、例えば、上部下部から搬入出するなどを行なうことが可能である。   In this case, the configuration of the shadow mask exchange chamber is the same as that of the first embodiment, and can be realized by horizontally transporting the shadow mask. Also in this embodiment, it is possible to carry out the variation of the first embodiment, for example, carrying in / out from the upper lower part.

本実施形態においても、第1の実施形態と同様な効果を得ることができる。
従って、異なる蒸着面姿勢によるシャドウマスクの姿勢に如何に関わらず本発明を適用できる。
Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.
Therefore, the present invention can be applied regardless of the posture of the shadow mask with different deposition surface postures.

また、以上の説明では、レール上を走行させて、シャドウマスク81を搬入出させたが、図1乃至図3に示す搬送ロボットを用いてもよい。即ち、シャドウマスク交換室22に、搬送チャンバよりも過搬重量の大きいロボットを、シャドウマスク交換室22とシャドウマスク搬入出室21の間にロード室31を、また、シャドウマスク交換室22と真空蒸着チャンバ1との間にゲート弁10を設ける。
本実施形態においても、第1、第2の実施形態と同様な効果を得ることができる。
In the above description, the shadow mask 81 is carried in and out by running on the rail. However, the transfer robot shown in FIGS. 1 to 3 may be used. That is, a robot having a larger carry weight than the transfer chamber is placed in the shadow mask exchange chamber 22, the load chamber 31 is placed between the shadow mask exchange chamber 22 and the shadow mask carry-in / out chamber 21, and the shadow mask exchange chamber 22 is vacuumed. A gate valve 10 is provided between the vapor deposition chamber 1.
Also in this embodiment, the same effects as those in the first and second embodiments can be obtained.

最後に、上記説明では有機ELデバイスを例に説明したが、有機ELデバイスと同じ背景にある蒸着処理をする成膜装置および成膜方法にも適用できる。   Finally, in the above description, the organic EL device has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a film forming apparatus and a film forming method that perform vapor deposition processing in the same background as the organic EL device.

1:処理チャンバ 1bu:真空蒸着チャンバ
2:搬送チャンバ 3:ロードクラスタ
4:受渡室 5:搬送ロボット
6:基板 7:蒸着部
8:アライメント部 9:処理受渡部
10:ゲート弁 11:仕切り板
20:シャドウマスク交換チャンバ 21:シャドウマスク搬入出室
22:シャドウマスク交換室 23:シャドウマスク交換手段
24:外部交換部 25:内部交換部
31:ロード室 71:蒸発源
81:シャドウマスク 87:シャドウマスク保持部
100:有機ELデバイス製造装置
A〜D:クラスタ
1: Processing chamber 1bu: Vacuum deposition chamber 2: Transfer chamber 3: Load cluster 4: Delivery chamber 5: Transfer robot 6: Substrate 7: Deposition unit 8: Alignment unit 9: Processing transfer unit 10: Gate valve 11: Partition plate 20 : Shadow mask exchange chamber 21: Shadow mask loading / unloading chamber 22: Shadow mask exchange chamber 23: Shadow mask exchange means 24: External exchange section 25: Internal exchange section 31: Load chamber 71: Evaporation source 81: Shadow mask 87: Shadow mask Holding unit 100: Organic EL device manufacturing apparatuses A to D: Cluster

Claims (5)

基板の処理に必要な第1の交換用シャドウマスクを大気雰囲気中のシャドウマスク交換室に搬入する搬入第1工程と、
基板の処理に必要な使用済みシャドウマスクを大気雰囲気中の前記シャドウマスク交換室から搬出する搬出第1工程と、
基板の処理に必要な第2の交換用シャドウマスクを所定の真空度を有する前記シャドウマスク交換室から前記所定の真空度を有し、基板を処理する真空処理チャンバに搬入する搬入第2工程と、
前記使用済みシャドウマスクを前記所定の真空度を有する前記真空処理チャンバから前記所定の真空度を有する前記シャドウマスク交換室に搬出する搬出第2工程と、
前記シャドウマスク交換室を前記所定の真空度まで減圧する減圧工程と、
前記真空処理チャンバを前記所定の真空度に維持し、前記シャドウマスク交換室を大気中に開放する大気開放工程と
を有することを特徴とするシャドウマスク交換方法。
A first carrying-in step of carrying in a first shadow mask for replacement necessary for substrate processing into a shadow mask exchange chamber in the air atmosphere;
A first unloading step of unloading the used shadow mask necessary for processing the substrate from the shadow mask exchange chamber in the air atmosphere;
A second step of carrying in the second replacement shadow mask necessary for processing the substrate from the shadow mask replacement chamber having a predetermined degree of vacuum into the vacuum processing chamber having the predetermined degree of vacuum and processing the substrate; ,
A second unloading step of unloading the used shadow mask from the vacuum processing chamber having the predetermined degree of vacuum to the shadow mask exchange chamber having the predetermined degree of vacuum;
A depressurizing step of depressurizing the shadow mask exchange chamber to the predetermined degree of vacuum;
An atmosphere release step of maintaining the vacuum processing chamber at the predetermined degree of vacuum and opening the shadow mask exchange chamber to the atmosphere.
前記第1の交換用シャドウマスクと前記2の交換用シャドウマスクとは異なり、前記各工程を、前記搬出第2工程、前記搬入第2工程、前記大気開放工程、前記搬出第1工程と、前記搬入第1工程、前記減圧工程との順に行うことを特徴とする請求項1記載のシャドウマスク交換方法。   Unlike the first replacement shadow mask and the second replacement shadow mask, the steps include the second carry-out step, the second carry-in step, the air release step, the first carry-out step, The shadow mask replacement method according to claim 1, wherein the process is performed in the order of a first carry-in step and the decompression step. 前記蒸着する場所において前記第1の交換用シャドウマスク又は前記第2の交換用シャドウマスクシャドウマスクを着脱する着脱工程を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のシャドウマスク交換方法。   3. The shadow mask replacement method according to claim 1, further comprising an attaching / detaching step of attaching / detaching the first replacement shadow mask or the second replacement shadow mask shadow mask at the deposition position. 前記シャドウマスク交換室は、複数の前記真空処理チャンバに隣接し、隣接する前記蒸着チャンバのいずれにも前記搬入第2工程及び前記搬出第2工程を行えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のシャドウマスク交換方法。   4. The shadow mask exchange chamber is adjacent to the plurality of vacuum processing chambers, and the second loading step and the second unloading step can be performed in any of the adjacent deposition chambers. The shadow mask replacement method according to any one of the above. 1つの前記蒸着処理チャンバ内に、蒸着材料を基板に蒸着する蒸着位置を複数備え、
複数の前記蒸着位置のうちの一つの蒸着位置のシャドウマスクを交換中に、他の蒸着位置で蒸着を行うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のシャドウマスク交換方法。
A plurality of deposition positions for depositing a deposition material on a substrate are provided in one deposition processing chamber,
5. The shadow mask replacement method according to claim 1, wherein the deposition is performed at another deposition position while the shadow mask at one deposition position among the plurality of deposition positions is being replaced.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147710A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 株式会社アルバック Thin film forming apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055198A (en) * 2002-07-17 2004-02-19 Konica Minolta Holdings Inc Manufacturing device and method for display device having organic electroluminescent element
JP2005097655A (en) * 2003-09-24 2005-04-14 Ulvac Japan Ltd Film deposition system
WO2006019214A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-23 Doosan Dnd Co., Ltd. Linear deposition apparatus for forming organic thin layer
JP2008013828A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Canon Inc Substrate holder and film deposition apparatus
JP2008019477A (en) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc Vacuum vapor deposition apparatus
JP2008115441A (en) * 2006-11-07 2008-05-22 Canon Inc Film deposition mask exchange method and film deposition mask exchange system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055198A (en) * 2002-07-17 2004-02-19 Konica Minolta Holdings Inc Manufacturing device and method for display device having organic electroluminescent element
JP2005097655A (en) * 2003-09-24 2005-04-14 Ulvac Japan Ltd Film deposition system
WO2006019214A1 (en) * 2004-08-16 2006-02-23 Doosan Dnd Co., Ltd. Linear deposition apparatus for forming organic thin layer
JP2008013828A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Canon Inc Substrate holder and film deposition apparatus
JP2008019477A (en) * 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc Vacuum vapor deposition apparatus
JP2008115441A (en) * 2006-11-07 2008-05-22 Canon Inc Film deposition mask exchange method and film deposition mask exchange system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016147710A1 (en) * 2015-03-13 2016-09-22 株式会社アルバック Thin film forming apparatus
JPWO2016147710A1 (en) * 2015-03-13 2017-11-24 株式会社アルバック Thin film forming equipment

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