JP2013149671A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、半導体基板中に形成された活性領域(2)を含む。第1拡散領域(12)および第2拡散領域(11)は活性領域の表面に形成されている。ゲート電極(14)は、第1および第2拡散領域との間の半導体基板の上方に形成されている。第1配線(27a)は、第1拡散領域の上方に形成され、第1拡散領域およびパッドと電気的に接続されたている。2つの第2配線(27b)は、第1配線の両外側において第1拡散領域の上方に形成され、第1配線から独立しており、第1拡散領域および内部回路と電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態に係る半導体装置のレイアウトを例示している。図2は、図1のII−II´線に沿った断面を示している。図1および図2に示されるように、例えば基板1中のウェル4の表面に活性領域2が形成されている。活性領域2は、STI(shallow trench isolation)3によって囲まれることによって区画されている。活性領域2は、後述のソース領域11と、ドレイン領域12(ドレイン領域12a、12b、低濃度拡散領域16の組)に分けられる。
第2実施形態は、シリサイドブロックの形状が第1実施形態と異なる。
Claims (4)
- 半導体基板中に形成された活性領域と、
前記活性領域の表面に形成された第1拡散領域および第2拡散領域と、
前記第1および第2拡散領域との間の前記半導体基板の上方に形成されたゲート電極と、
前記第1拡散領域の上方に形成され、前記第1拡散領域およびパッドと電気的に接続された第1配線と、
前記第1配線の両外側において前記第1拡散領域の上方に形成され、前記第1配線から独立しており、前記第1拡散領域および内部回路と電気的に接続された2つの第2配線と、
を具備することを特徴とする、半導体装置。 - 前記第1配線は、前記第2配線より大きい面積を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1配線と前記2つの第2配線のレイアウトは、前記第1配線の中央に関して線対称である、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1配線と少なくとも1つの前記第2配線との間の下方の前記半導体基板の表面にはシリサイドが形成されていない、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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