JP2013149642A

JP2013149642A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2013149642A
Application number: JP2012006758A
Authority: JP
Inventors: Norio Yoshikawa; 典生芳川; Shigeki Minami; 茂樹南; Kazuo Jodai; 和男上代
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2012-01-17
Filing date: 2012-01-17
Publication date: 2013-08-01

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which can process a substrate uniformly even if a thin film of non-uniform thickness is formed on the substrate after deposition.SOLUTION: A control unit determines the conveyance speed of a glass substrate 100 to be conveyed by a conveyance roller 9 according to the following formula S=S1×(T1/T), where T1 is a reference thickness of a film to be deposited on the surface of the glass substrate 100, S1 is a reference conveyance speed for the reference film thickness, and T is the average value of thickness of a thin film actually deposited in each unit region E1, E2, E3, E4, E5 on the surface of the glass substrate 100.

Description

この発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、有機ＥＬ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、太陽電池および電子ペーパ用フィルム基板等の基板を処理液により処理する基板処理装置に関する。 The present invention relates to a glass substrate for FPD (flat panel display) such as LCD (liquid crystal display) and PDP (plasma display), a glass substrate for organic EL, a glass substrate for photomask, a substrate for optical disk, a solar cell, and electronic paper. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a film substrate with a processing liquid.

例えば、ＬＣＤの製造時には、アモルファスシリコン層をガラス基板上に形成し、このシリコン層表面の自然酸化膜をエッチング処理し、洗浄および乾燥処理をした後に、レーザーを照射してアモルファスシリコン層を溶融再結晶化している。このとき、エッチング工程等においては、従来、基板を水平に支持した状態で垂直軸まわりを回転させながら、その表面に順次エッチング液を供給して、基板の表面をエッチング処理する構成が採用されている。また、エッチング処理後の基板は強い撥水性を有することから、エッチング後の基板を低速回転させながら洗浄液を供給し、基板全面にその表面張力で洗浄液の液膜を形成した状態で洗浄処理を施し、しかる後、基板を高速回転させて洗浄液を除去する構成が採用されている（特許文献１参照）。 For example, when manufacturing an LCD, an amorphous silicon layer is formed on a glass substrate, a natural oxide film on the surface of the silicon layer is etched, washed and dried, and then irradiated with a laser to melt and regenerate the amorphous silicon layer. Crystallized. At this time, in the etching process or the like, conventionally, a configuration in which the surface of the substrate is etched by sequentially supplying an etching solution to the surface while rotating around the vertical axis while the substrate is horizontally supported is employed. Yes. In addition, since the substrate after the etching process has strong water repellency, the cleaning liquid is supplied while rotating the etched substrate at a low speed, and the cleaning process is performed in a state where a liquid film of the cleaning liquid is formed on the entire surface by the surface tension. Then, the structure which rotates a board | substrate at high speed and removes a washing | cleaning liquid is employ | adopted (refer patent document 1).

しかしながら、近年の被処理基板の大型化により、特許文献１に記載された発明のように、基板を回転させながらエッチング処理を行うことは困難となっている。このため、基板を水平方向に搬送しながら、基板の表面に対してエッチング液等の処理液を供給して、基板を処理することが提案されている。 However, due to the recent increase in the size of the substrate to be processed, it is difficult to perform the etching process while rotating the substrate as in the invention described in Patent Document 1. For this reason, it has been proposed to process a substrate by supplying a processing solution such as an etching solution to the surface of the substrate while transporting the substrate in the horizontal direction.

すなわち、基板を複数の搬送ローラにより水平方向に向けて搬送しながら、基板の表面と対向配置されたスリットノズルやスプレーノズルから基板の表面に処理液を供給することにより、基板を処理液により処理することが考えられる。しかしながら、基板の表面が強い撥液性（撥水性）を有する場合には、処理液が基板の表面ではじかれてしまい、基板の表面全域に処理液を供給できないという問題が発生する。 That is, the substrate is processed with the processing liquid by supplying the processing liquid to the surface of the substrate from the slit nozzle or the spray nozzle arranged opposite to the surface of the substrate while conveying the substrate in the horizontal direction by a plurality of conveying rollers. It is possible to do. However, when the surface of the substrate has strong liquid repellency (water repellency), the processing liquid is repelled on the surface of the substrate, which causes a problem that the processing liquid cannot be supplied to the entire surface of the substrate.

特に、処理液としてエッチング液を使用したエッチング処理においては、エッチング処理を開始した後に基板の表面が強い撥液性となり、処理液としてのエッチング液が基板の表面ではじかれることになる。このため、極めて多量の処理液を基板の表面に供給することで、基板表面の全域に処理液を行き渡らせることも考えられるが、この場合には、極めて多量の処理液を消費するという問題が生ずる。 In particular, in an etching process using an etching solution as a processing solution, the surface of the substrate becomes strongly liquid-repellent after the etching process is started, and the etching solution as the processing solution is repelled on the surface of the substrate. For this reason, it is conceivable that the processing liquid is spread over the entire surface of the substrate by supplying a very large amount of the processing liquid to the surface of the substrate. However, in this case, there is a problem that an extremely large amount of the processing liquid is consumed. Arise.

このため、本出願人は、基板を水平方向に搬送する搬送ローラと、処理液吐出口が形成され、この処理液吐出口と基板の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズルと、処理液保持面を備え、処理液吐出口と処理液保持面との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材とを備える基板処理装置を提案している(特許文献２参照)。 For this reason, the present applicant forms a transport roller for transporting the substrate in the horizontal direction and a processing liquid discharge port, and a liquid film of the processing liquid forms a liquid-tight state between the processing liquid discharge port and the substrate surface. A treatment liquid discharge nozzle arranged at a position and a treatment liquid holding surface, and a liquid pool holding arranged at a position where a treatment liquid pool can be formed between the treatment liquid discharge port and the treatment liquid holding surface. The substrate processing apparatus provided with a member is proposed (refer to patent documents 2).

この基板処理装置によれば、処理液吐出ノズルと液溜まり保持部材との間に形成された液溜まりの作用により、搬送ローラにより搬送される基板の表面の先端部全域に処理液を供給でき、またその後は、処理液吐出ノズルと基板の表面との間を処理液の液膜により液密状態として基板の表面に処理液を供給することができる。このため、この基板処理装置によれば、基板の表面が撥液性となっても、多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能となる。 According to this substrate processing apparatus, the processing liquid can be supplied to the entire front end portion of the surface of the substrate transported by the transport roller by the action of the liquid pool formed between the processing liquid discharge nozzle and the liquid pool holding member, Thereafter, the processing liquid can be supplied to the surface of the substrate by making the liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle and the surface of the substrate with a liquid film of the processing liquid. For this reason, according to this substrate processing apparatus, even if the surface of the substrate becomes liquid repellent, it is possible to effectively supply the processing solution over the entire surface of the substrate without consuming a large amount of the processing solution. .

特開２００３−１７４６１号公報JP 2003-17461 A 特開２０１０−２１９１８７号公報JP 2010-219187 A

上述した特許文献２に記載の基板処理装置は、多量の処理液を消費することなく基板の表面全域に有効に処理液を供給することができる優れたものであり、成膜処理後の基板の表面における薄膜の膜厚が均一である場合には、基板全体を均一に処理することが可能となる。しかしながら、処理を行うべき基板の表面に不均一な(バラツキのある）膜厚の薄膜が形成されている場合には、必ずしも基板を均一に処理することができないという問題がある。 The substrate processing apparatus described in Patent Document 2 described above is excellent in that the processing liquid can be effectively supplied to the entire surface of the substrate without consuming a large amount of processing liquid. When the thickness of the thin film on the surface is uniform, the entire substrate can be processed uniformly. However, in the case where a thin film having a non-uniform film thickness is formed on the surface of the substrate to be processed, there is a problem that the substrate cannot always be processed uniformly.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、成膜後の基板に不均一な膜厚の薄膜が形成されていても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above problems, and provides a substrate processing apparatus capable of uniformly processing a substrate even when a thin film having a non-uniform film thickness is formed on the substrate after film formation. The purpose is to provide.

請求項１に記載の発明は、成膜処理後の基板の表面に処理液を供給することにより基板を処理する基板処理装置において、基板をその主面が略水平方向となる状態で支持するとともに、その基板を略水平方向に搬送する搬送機構と、下方を向く処理液吐出口が前記搬送機構による基板の搬送方向と交差する方向に延設されるとともに、前記処理液吐出口と前記搬送機構により搬送される基板の表面との距離が、それらの間が前記処理液吐出口より吐出された処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズルと、前記処理液吐出口と対向する位置に処理液の液溜まりを保持する処理液保持面を備え、前記処理液吐出口と前記処理液保持面との距離が、それらの間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材と、前記搬送機構による基板の搬送速度を変更する搬送速度変更手段と、処理を行うべき基板の表面を、当該基板の搬送方向に対して複数の単位領域に分割したときに、処理を行うべき基板の表面に成膜された薄膜の前記各単位領域毎の厚さのデータを記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された処理を行うべき基板の表面に成膜された薄膜の前記各単位領域毎の厚さのデータに基づいて前記搬送速度変更手段を制御することにより、前記搬送機構による基板の搬送速度を基板の搬送中に変更する制御部とを備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 1 is a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate after the film formation process, and supporting the substrate in a state where its main surface is substantially horizontal. A transport mechanism for transporting the substrate in a substantially horizontal direction, and a processing liquid discharge port facing downward extends in a direction intersecting with the transport direction of the substrate by the transport mechanism, and the processing liquid discharge port and the transport mechanism A treatment liquid discharge nozzle disposed at a position where the distance between the substrate and the substrate transported by the substrate is in a liquid-tight state by a liquid film of the treatment liquid discharged from the treatment liquid discharge port; and the treatment liquid A treatment liquid holding surface that holds a treatment liquid reservoir is provided at a position facing the discharge port, and the distance between the treatment liquid discharge port and the treatment liquid holding surface can form a treatment liquid reservoir therebetween. Reservoir placed at the position A holding member, a transfer speed changing means for changing the transfer speed of the substrate by the transfer mechanism, and a process when the surface of the substrate to be processed is divided into a plurality of unit areas in the transfer direction of the substrate. A storage unit for storing data on the thickness of each unit region of the thin film formed on the surface of the substrate to be subjected to processing, and a thin film formed on the surface of the substrate to be processed stored in the storage unit And a controller that controls the transport speed changing means based on the thickness data for each unit area to change the transport speed of the substrate by the transport mechanism during transport of the substrate. And

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記搬送機構は、搬送ローラを含み、前記搬送速度変更手段は、前記制御部の制御により前記搬送ローラの回転速度を変更するモータを備える。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the transport mechanism includes a transport roller, and the transport speed changing unit changes the rotation speed of the transport roller under the control of the control unit. A motor is provided.

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記基板は矩形状であり、前記単位領域は当該矩形状の基板を、その搬送方向に対して複数の領域に分割した矩形状を有するものであり、前記制御部は、前記矩形状の各単位領域の基板の搬送方向に対する先端部が前記処理液吐出ノズルと対向する位置まで搬送された時点で、その矩形状の単位領域における薄膜の膜厚のデータに対応させて前記搬送機構による基板の搬送速度を基板の搬送中に変更する。 According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, the substrate has a rectangular shape, and the unit region is a rectangular shape obtained by dividing the rectangular substrate into a plurality of regions in the transport direction. The control unit has a rectangular unit region at the time when the tip of each rectangular unit region in the substrate transport direction is transported to a position facing the processing liquid discharge nozzle. The substrate transport speed by the transport mechanism is changed during substrate transport in accordance with the film thickness data of the substrate.

請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、基板の表面に成膜されるべき基準膜厚をＴ１、基準膜厚に対する基準搬送送度をＳ１、処理を行うべき基板の表面における前記単位領域に実際に成膜された薄膜の膜厚の平均値をＴとしたときに、前記制御部は前記搬送機構により搬送されるべき基板の搬送速度Ｓを下記の式により決定する。
Ｓ＝Ｓ１×（Ｔ１／Ｔ） The invention according to claim 4 is the invention according to claim 3, wherein the reference film thickness to be formed on the surface of the substrate is T1, the reference transport rate with respect to the reference film thickness is S1, and the substrate to be processed is processed. When the average value of the thicknesses of the thin films actually formed on the unit area on the surface is T, the control unit determines the transport speed S of the substrate to be transported by the transport mechanism by the following equation. .
S = S1 × (T1 / T)

請求項５に記載の発明は、請求項３または請求項４に記載の発明において、前記基板搬送機構は、矩形状の基板を、その長辺方向が当該基板の搬送方向と一致する方向に搬送する。 The invention according to claim 5 is the invention according to claim 3 or claim 4, wherein the substrate transport mechanism transports a rectangular substrate in a direction in which a long side direction coincides with a transport direction of the substrate. To do.

請求項１に記載の発明によれば、処理すべき基板の表面における各単位領域毎の薄膜の膜厚に対応させて基板の搬送速度を搬送中に変更することにより、各単位領域毎に適正に対応した処理時間を実現し、これによって、成膜後の基板に形成された薄膜の膜厚にかかわらず、基板を均一に処理することが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, the substrate transport speed is changed during transport in accordance with the film thickness of the thin film for each unit region on the surface of the substrate to be processed. Thus, the substrate can be processed uniformly regardless of the film thickness of the thin film formed on the substrate after film formation.

請求項２に記載の発明によれば、モータを制御して搬送ローラの回転速度を変更することにより、基板の搬送速度を正確に変更することが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, it is possible to accurately change the substrate conveyance speed by changing the rotation speed of the conveyance roller by controlling the motor.

請求項３に記載の発明によれば、処理すべき基板の表面における矩形状の各単位領域の平均膜厚に応じて、単位領域毎の処理時間を変更することにより、基板全域を均一に処理することが可能となる。 According to the invention described in claim 3, the entire substrate is processed uniformly by changing the processing time for each unit region according to the average film thickness of each rectangular unit region on the surface of the substrate to be processed. It becomes possible to do.

請求項４に記載の発明によれば、処理すべき基板の搬送速度を式に基づいて、正確かつ容易に決定することが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to accurately and easily determine the transport speed of the substrate to be processed based on the equation.

請求項５に記載の発明によれば、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができ、また、基板をより均一に処理することが可能となる。 According to the fifth aspect of the invention, the space occupied by the substrate processing apparatus can be reduced, and the substrate can be processed more uniformly.

この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。It is a side surface schematic diagram of the substrate processing apparatus concerning this invention. 処理・洗浄ユニット１を拡大して示す側面図である。It is a side view which expands and shows the process and washing | cleaning unit. 処理液吐出ノズル２の下面図である。4 is a bottom view of a processing liquid discharge nozzle 2. FIG. 処理液吐出ノズル２への処理液の供給機構を示す概要図である。3 is a schematic view showing a mechanism for supplying a processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 2. FIG. 液溜まり保持部材３の概要を示す図である。FIG. 3 is a view showing an outline of a liquid pool holding member 3. 液溜まり保持部材３の部分斜視図である。4 is a partial perspective view of a liquid pool holding member 3. FIG. 他の実施形態に係る液溜まり保持部材３の部分斜視図である。It is a fragmentary perspective view of the liquid pool holding member 3 which concerns on other embodiment. 裏面洗浄部４の概要を示す図である。It is a figure which shows the outline | summary of the back surface washing | cleaning part. この発明に係る基板処理装置の主要な制御系を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the main control systems of the substrate processing apparatus which concerns on this invention. ガラス基板１００に成膜された薄膜の厚みとガラス基板１００との搬送速度との関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the thickness of the thin film formed into the glass substrate 100, and the conveyance speed with the glass substrate. ガラス基板１００に成膜された薄膜の厚みとガラス基板１００との搬送速度との関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the relationship between the thickness of the thin film formed into the glass substrate 100, and the conveyance speed with the glass substrate. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係る基板処理装置の側面概要図である。また、図２は、処理・洗浄ユニット１を拡大して示す側面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is an enlarged side view showing the processing / cleaning unit 1.

この基板処理装置は、アモルファスシリコン層がその表面に形成された矩形状のガラス基板１００に対してレーザーアニールを行う前に、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチングを行うためのものである。この基板処理装置は、矩形状のガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を、その長辺方向を搬送方向と一致させて水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ（これらを総称するときには「処理・洗浄ユニット１」という）と、液切り用のエアナイフ５とを備える。この基板処理装置の後段には、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に純水を吐出する純水吐出ノズル６を備えた洗浄装置が接続されている。 This substrate processing apparatus is for etching an oxide film formed on the surface of a silicon layer before performing laser annealing on a rectangular glass substrate 100 on which an amorphous silicon layer is formed. . The substrate processing apparatus supports a rectangular glass substrate 100 in a state where its main surface is in a horizontal direction, and transports the glass substrate 100 in a horizontal direction with its long side direction aligned with the transport direction. Transport rollers 9, four processing / cleaning units 1 a, 1 b, 1 c, 1 d (referred to collectively as “processing / cleaning unit 1”), and an air knife 5 for draining liquid. A cleaning apparatus including a pure water discharge nozzle 6 that discharges pure water onto the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 is connected to the subsequent stage of the substrate processing apparatus.

各処理・洗浄ユニット１は、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に処理液を供給するための処理液吐出ノズル２と、この処理液吐出ノズル２との間に処理液の液溜まりを形成するための液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面を洗浄するための一対の裏面洗浄部４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの作用により、順次、その表面への処理液の供給と、その裏面の洗浄とが実行される。 Each processing / cleaning unit 1 includes a processing liquid discharge nozzle 2 for supplying a processing liquid to the surface of the glass substrate 100 transported by a plurality of transport rollers 9 and a processing liquid discharging nozzle 2 between the processing liquid discharge nozzles 2. A liquid pool holding member 3 for forming a liquid pool and a pair of back surface cleaning units 4 for cleaning the back surface of the glass substrate 100 are provided. With the action of the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d, the processing liquid is sequentially supplied to the front surface and the back surface is cleaned with respect to the glass substrate 100 transported by the transport roller 9. Is done.

洗浄・処理ユニット１における処理液吐出ノズル２の構成について説明する。図３は、処理液吐出ノズル２の下面図である。 The configuration of the processing liquid discharge nozzle 2 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 3 is a bottom view of the treatment liquid discharge nozzle 2.

この処理液吐出ノズル２は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００と対向する下面に、多数の処理液吐出口２１が形成された構成を有する。これらの処理液吐出口２１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に列設されている。この処理液吐出口２１は、例えば、０．５ｍｍ程度の直径を有し、処理液吐出ノズル２の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に、５ｍｍ乃至１０ｍｍ程度のピッチで形成されている。この処理液吐出口２１は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）全域にわたって設けられている。 The treatment liquid discharge nozzle 2 has a configuration in which a large number of treatment liquid discharge ports 21 are formed on the lower surface facing the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9. These treatment liquid discharge ports 21 are arranged in a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9. The processing liquid discharge port 21 has a diameter of about 0.5 mm, for example, and is 5 mm in the longitudinal direction of the processing liquid discharge nozzle 2 (a direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). It is formed with a pitch of about 10 mm. The processing liquid discharge port 21 is provided over the entire width direction of the glass substrate 100 (direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9).

ガラス基板１００の処理時には、この処理液吐出口２１から処理液が吐出され、ガラス基板１００の表面に供給される。このとき、後述するように、処理液吐出口２１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離は、それらの間が処理液吐出口２１より吐出された処理液の液膜により液密状態となるようにする必要があることから、できるだけ小さいことが好ましい。一方、処理液吐出口２１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００と処理液吐出ノズル２とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００と処理液吐出ノズル２との衝突を回避しながら、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間を処理液の液膜により液密状態とするためには、処理液吐出ノズル２における処理液吐出口２１（すなわち、処理液吐出ノズル２の下面）と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との距離Ｄ１（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。 When processing the glass substrate 100, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 21 and supplied to the surface of the glass substrate 100. At this time, as will be described later, the distance between the processing liquid discharge port 21 and the surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is determined by the liquid film of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 21 between them. Since it is necessary to be in a liquid-tight state, it is preferably as small as possible. On the other hand, if the distance between the treatment liquid discharge port 21 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 is excessively small, the glass substrate 100 and the treatment liquid discharge nozzle 2 may collide. In order to avoid a collision between the glass substrate 100 and the processing liquid discharge nozzle 2 and to make a liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 with a liquid film of the processing liquid, the processing liquid discharge The distance D1 (see FIG. 2) between the processing liquid discharge port 21 (that is, the lower surface of the processing liquid discharge nozzle 2) in the nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is 1 mm to 2 mm. preferable.

また、処理液吐出ノズル２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面との間が、処理液吐出口２１より吐出された処理液の液膜により液密状態となるようにするためには、処理液吐出ノズル２の下面の形状を、平面状とするか、あるいは、ガラス基板１００の搬送方向と鉛直方向とを含む平面による断面形状が下方が凸となる円弧状とすることが好ましい。このような形状を採用することにより、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間に処理液の液膜を形成することができ、液密状態を容易に達成することが可能となる。なお、処理液吐出ノズル２の下面を上述したような下方が凸となる円弧状とするためには、処理液吐出ノズル２を、例えば、複数の処理液吐出口がその下端部に形成されたパイプから構成すればよい。そして、この処理液吐出ノズル２の材質は、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。 In addition, in order to make a liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 by the liquid film of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port 21. The shape of the lower surface of the processing liquid discharge nozzle 2 is preferably a flat shape, or the cross-sectional shape by a plane including the transport direction and the vertical direction of the glass substrate 100 is preferably an arc shape with a convex downward. . By adopting such a shape, a liquid film of the processing liquid can be formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, and a liquid-tight state can be easily achieved. . In addition, in order to make the lower surface of the treatment liquid discharge nozzle 2 have an arc shape with a downward projection as described above, the treatment liquid discharge nozzle 2 has, for example, a plurality of treatment liquid discharge ports formed at the lower end thereof. What is necessary is just to comprise from a pipe. The material of the treatment liquid discharge nozzle 2 is preferably made of, for example, a fluororesin that can ensure the cleanliness of the treatment without elution of metal ions or the like.

図４は、処理液吐出ノズル２への処理液の供給機構を示す概要図である。 FIG. 4 is a schematic view showing a mechanism for supplying the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 2.

図４に示すように、処理液吐出ノズル２は、処理液を貯留する貯留槽２２と、管路２３を介して接続されており、管路２３にはポンプ２５が配設されている。貯留槽２２内の処理液は、ポンプ２５の駆動により、処理液吐出ノズル２の処理液吐出口２１から吐出される。このポンプ２５としては、例えば、マグネットポンプやダイアフラムポンプが使用される。 As shown in FIG. 4, the processing liquid discharge nozzle 2 is connected to a storage tank 22 for storing the processing liquid via a conduit 23, and a pump 25 is disposed in the conduit 23. The processing liquid in the storage tank 22 is discharged from the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2 by driving the pump 25. For example, a magnet pump or a diaphragm pump is used as the pump 25.

なお、処理液吐出ノズル２における処理液吐出口２１としては、ガラス基板１００を処理しないときの処理液の流下を防止するため、そこに供給された処理液に圧力が付与されない状態においては、処理液の表面張力の作用により処理液吐出口２１より処理液が流下しない大きさとすることが好ましい。すなわち、ポンプ２５が駆動していない状態においては、処理液の表面張力の作用により処理液吐出口２１より処理液が流下しない大きさである。この処理液吐出口２１の大きさとしては、処理液の粘度にも左右されるが、上述したように０．５ｍｍ程度とすることが好ましい。 In addition, in order to prevent the processing liquid from flowing down when the glass substrate 100 is not processed, the processing liquid discharge port 21 in the processing liquid discharge nozzle 2 is in a state where no pressure is applied to the processing liquid supplied thereto. It is preferable that the processing liquid does not flow down from the processing liquid discharge port 21 due to the surface tension of the liquid. That is, when the pump 25 is not driven, the processing liquid does not flow down from the processing liquid discharge port 21 due to the surface tension of the processing liquid. The size of the processing liquid discharge port 21 depends on the viscosity of the processing liquid, but is preferably about 0.5 mm as described above.

なお、ガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に列設された多数の処理液吐出口２１に替えて、ガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に延びるスリット状の吐出口を採用してもよい。 Note that, instead of the large number of treatment liquid discharge ports 21 arranged in a direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100, slit-shaped discharge ports extending in a direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 may be employed. Good.

上述した４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄからは、処理液としてのエッチング液が供給される。このようなエッチング液としては、例えば、フッ酸（フッ化水素酸／ＨＦ）が使用される。なお、意図的にガラス基板１００の表面に均一な酸化膜を形成するため、処理・洗浄ユニット１ａから、または、処理・洗浄ユニット１ｄから、あるいは、処理・洗浄ユニット１ａと１ｄから、エッチング液に代えてオゾン水を供給してもよい。 An etching solution as a processing solution is supplied from the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d described above. As such an etchant, for example, hydrofluoric acid (hydrofluoric acid / HF) is used. In order to intentionally form a uniform oxide film on the surface of the glass substrate 100, the etching solution is used from the processing / cleaning unit 1a, from the processing / cleaning unit 1d, or from the processing / cleaning units 1a and 1d. Instead, ozone water may be supplied.

なお、好適な実施形態としては、例えば、上述した４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの全てからガラス基板１００に対してフッ酸を供給する実施形態と、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄのうちガラス基板１００の搬送方向の上流側の３個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃからはフッ酸を供給し、最も下流側の処理・洗浄ユニット１ｄからはオゾン水を供給するという実施形態がある。但し、フッ酸やオゾン水以外のエッチング液を使用してもよい。 As a preferred embodiment, for example, an embodiment in which hydrofluoric acid is supplied to the glass substrate 100 from all of the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d described above, and four processing / Of the cleaning units 1a, 1b, 1c and 1d, hydrofluoric acid is supplied from the three upstream processing / cleaning units 1a, 1b and 1c in the conveying direction of the glass substrate 100, and the most downstream processing / cleaning unit 1d. Has an embodiment in which ozone water is supplied. However, an etchant other than hydrofluoric acid or ozone water may be used.

次に、洗浄・処理ユニット１における液溜まり保持部材３の構成について説明する。図５は、液溜まり保持部材３の概要を示す図であり、図５（ａ）は液溜まり保持部材３の縦断面図、また、図５（ｂ）は液溜まり保持部材３の部分平面図である。さらに、図６は、液溜まり保持部材３の部分斜視図である。 Next, the configuration of the liquid pool holding member 3 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 5 is a view showing an outline of the liquid pool holding member 3, FIG. 5 (a) is a longitudinal sectional view of the liquid pool holding member 3, and FIG. 5 (b) is a partial plan view of the liquid pool holding member 3. It is. FIG. 6 is a partial perspective view of the liquid pool holding member 3.

この液溜まり保持部材３は、処理液吐出ノズル２との間に処理液の液溜まりを形成するためのものである。この液溜まり保持部材３は、処理液吐出ノズル２の処理液吐出口２１と対向する位置に、処理液の液溜まりを保持する処理液保持面３１を備える。そして、その処理液保持面３１には、処理液の液溜まり保持用の凹部３２が凹設されている。 The liquid pool holding member 3 is for forming a liquid pool for the processing liquid between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3. The liquid pool holding member 3 includes a processing liquid holding surface 31 that holds a liquid pool of processing liquid at a position facing the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2. The treatment liquid holding surface 31 is provided with a recess 32 for holding a treatment liquid pool.

この凹部３２は、処理液保持面３１に好適に処理液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、液溜まり保持部材３の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、処理液吐出ノズル２と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂は処理液をはじく強い撥液性を有する。このため、処理液が液溜まり保持部材３における処理液保持面３１から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、処理液保持面３１には凹部３２が形成されている。なお、液溜まり保持部材３の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部３２を省略してもよい。 The recess 32 is used to hold a liquid pool of the processing liquid in the processing liquid holding surface 31 suitably. That is, as the material for the liquid pool holding member 3, for example, a material made of a fluororesin, for example, similar to the processing liquid discharge nozzle 2, which can ensure the cleanliness of processing without elution of metal ions or the like, is adopted. Is preferred. Here, the fluororesin has strong liquid repellency that repels the treatment liquid. For this reason, it becomes easy for the processing liquid to flow down from the processing liquid holding surface 31 in the liquid pool holding member 3. In order to prevent such a flow-down, a recess 32 is formed in the treatment liquid holding surface 31. In addition, when using resin, such as a vinyl chloride, as the material of the liquid pool holding member 3, this recessed part 32 may be abbreviate | omitted.

図５および図６に示すように、この凹部３２は、液溜まり保持部材３の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に延びる形状を有する。この凹部３２は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）全域にわたって形成されている。但し、この凹部３２はこのような形状に限定されるものではない。 As shown in FIGS. 5 and 6, the recess 32 has a shape extending in the longitudinal direction of the liquid pool holding member 3 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). The recess 32 is formed over the entire width direction of the glass substrate 100 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). However, the recess 32 is not limited to such a shape.

図７は、他の実施形態に係る液溜まり保持部材３の部分斜視図である。 FIG. 7 is a partial perspective view of a liquid pool holding member 3 according to another embodiment.

図７に示すように、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に列設された複数の凹部３３を使用してもよい。この場合には、処理液吐出ノズル２における処理液吐出口２１と液溜まり保持部材３の凹部３３とは、必ずしも対向していなくてもよい。処理液吐出ノズル２における処理液吐出口２１と液溜まり保持部材３の凹部３３とが、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向に対して同一の位置にあればよい。 As shown in FIG. 7, a plurality of concave portions 33 arranged in a direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 may be used. In this case, the treatment liquid discharge port 21 in the treatment liquid discharge nozzle 2 and the recess 33 of the liquid pool holding member 3 do not necessarily have to face each other. The treatment liquid discharge port 21 in the treatment liquid discharge nozzle 2 and the concave portion 33 of the liquid pool holding member 3 may be at the same position with respect to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9.

ガラス基板１００に処理液を供給する前の段階で、後述するように、処理液吐出ノズル２の処理液吐出口２１から処理液が吐出され、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間に、処理液の液溜まりを形成する必要がある。このためには、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との距離は、ガラス基板１００が通過できる範囲で、できるだけ小さいことが好ましい。一方、液溜まり保持部材３と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００と液溜まり保持部材３とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００と液溜まり保持部材３との衝突を回避しながら、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に処理液の液溜まりを形成するためには、液溜まり保持部材３における処理液保持面３１と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離Ｄ２（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。 In a stage before supplying the processing liquid to the glass substrate 100, as will be described later, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2, and the processing of the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3 is performed. It is necessary to form a liquid pool for the processing liquid between the liquid holding surface 31 and the liquid holding surface 31. For this purpose, it is preferable that the distance between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3 is as small as possible as long as the glass substrate 100 can pass through. On the other hand, if the distance between the liquid pool holding member 3 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is excessively small, the glass substrate 100 and the liquid pool holding member 3 may collide. In order to form a liquid pool of processing liquid between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3 while avoiding a collision between the glass substrate 100 and the liquid pool holding member 3, The distance D2 (see FIG. 2) between the treatment liquid holding surface 31 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is preferably 1 mm to 2 mm.

なお、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間に形成される処理液の液溜まりは、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間の全域に形成される必要はない。例えば、処理液吐出ノズル２の長手方向におけるところどころの領域で、部分的に液溜まりが形成されない領域が存在してもよい。処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間の一定の領域に液溜まりが形成されれば、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の先端部が液溜まりに進入するときに、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間の一定の領域に形成された液溜まりを、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３の処理液保持面３１との間の全領域に広げることができる。 The liquid reservoir of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3 is the processing liquid holding surface 31 of the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3. It is not necessary to be formed in the whole area between. For example, there may be regions where liquid pools are not partially formed in various regions in the longitudinal direction of the treatment liquid discharge nozzle 2. If a liquid pool is formed in a certain region between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3, the tip of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 becomes a liquid pool. When entering, the liquid pool formed in a certain region between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3 is processed by the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3. The entire area between the liquid holding surface 31 and the liquid holding surface 31 can be expanded.

次に、洗浄・処理ユニット１における裏面洗浄部４の構成について説明する。図８は、裏面洗浄部４の概要を示す図であり、図８（ａ）は裏面洗浄部４の部分斜視図、また、図８（ｂ）は裏面洗浄部４の縦断面図である。 Next, the configuration of the back surface cleaning unit 4 in the cleaning / processing unit 1 will be described. FIG. 8 is a diagram showing an outline of the back surface cleaning unit 4, FIG. 8A is a partial perspective view of the back surface cleaning unit 4, and FIG. 8B is a longitudinal sectional view of the back surface cleaning unit 4.

この裏面洗浄部４はガラス基板１００の裏面を洗浄するためのものである。この裏面洗浄部１００は、図１および図２に示すように、４個の処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの各々において、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向に沿って一対配設されている。この裏面洗浄部４は、その上面が洗浄液の液溜まりを保持する洗浄液保持面４２となっている。そして、この洗浄液保持面４２には、洗浄液の液溜まり保持用の凹部４３が凹設されており、この凹部４３内には洗浄液吐出口４１が形成されている。 The back surface cleaning unit 4 is for cleaning the back surface of the glass substrate 100. As shown in FIGS. 1 and 2, the back surface cleaning unit 100 is provided along the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 in each of the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d. A pair is arranged. The upper surface of the back surface cleaning unit 4 is a cleaning liquid holding surface 42 that holds a pool of cleaning liquid. The cleaning liquid holding surface 42 is provided with a concave portion 43 for holding a cleaning liquid reservoir, and a cleaning liquid discharge port 41 is formed in the concave portion 43.

凹部４３は、洗浄液保持面４２に好適に洗浄液の液溜まりを保持するために使用される。すなわち、裏面洗浄部４の材質としては、金属イオン等が溶出することがなく、処理の清浄性を確保できる、処理液吐出ノズル２や液溜まり保持部材３と同様の、例えば、フッ素樹脂製のものを採用することが好ましい。ここで、フッ素樹脂は洗浄液をはじく強い撥液性を有する。このため、洗浄液が裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２から流下しやすくなる。このような流下を防止するために、洗浄液保持面４２には凹部４３が形成されている。なお、裏面洗浄部４の材質として塩化ビニール等の樹脂を使用する場合には、この凹部４３を省略してもよい。 The recess 43 is preferably used for holding a cleaning liquid pool on the cleaning liquid holding surface 42. That is, as the material of the back surface cleaning unit 4, metal ions or the like are not eluted, and the cleanliness of the processing can be ensured, as in the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3, for example, made of a fluororesin It is preferable to employ one. Here, the fluororesin has strong liquid repellency that repels the cleaning liquid. For this reason, the cleaning liquid easily flows down from the cleaning liquid holding surface 42 in the back surface cleaning unit 4. In order to prevent such a flow-down, a recess 43 is formed in the cleaning liquid holding surface 42. In addition, when using resin, such as a vinyl chloride, as a material of the back surface washing | cleaning part 4, you may abbreviate | omit this recessed part 43. FIG.

図８（ａ）に示すように、この凹部４３は、裏面洗浄部４の長手方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）に延びる形状を有する。この凹部４３は、ガラス基板１００の幅方向（搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の搬送方向と直交する方向）全域にわたって形成されている。そして、洗浄液吐出口４１は、凹部４３に沿って複数個列設されている。 As shown in FIG. 8A, the recess 43 has a shape extending in the longitudinal direction of the back surface cleaning unit 4 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). The recess 43 is formed over the entire width direction of the glass substrate 100 (direction perpendicular to the transport direction of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9). A plurality of cleaning liquid discharge ports 41 are arranged along the recess 43.

ガラス基板１００の処理時には、後述するように、この洗浄液吐出口４１から洗浄液が吐出され、ガラス基板１００の裏面に供給される。このとき、後述するように、洗浄液保持面４２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離は、それらの間が洗浄液吐出口４１より吐出された洗浄液の液膜により液密状態となるようにする必要があることから、できるだけ小さいことが好ましい。一方、裏面洗浄部４と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離を過度に小さくすると、ガラス基板１００と裏面処理部４とが衝突するおそれがある。ガラス基板１００と裏面洗浄部４との衝突を回避しながら、裏面洗浄部４の洗浄液保持面４２とガラス基板１００の裏面との間を洗浄の液膜により液密状態とするためには、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２と搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面との距離Ｄ２（図２参照）は、１ｍｍ乃至２ｍｍとすることが好ましい。 During the processing of the glass substrate 100, as will be described later, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid discharge port 41 and supplied to the back surface of the glass substrate 100. At this time, as will be described later, the distance between the cleaning liquid holding surface 42 and the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is in a liquid-tight state due to the liquid film of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port 41 between them. Is preferably as small as possible. On the other hand, if the distance between the back surface cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is excessively small, the glass substrate 100 and the back surface processing unit 4 may collide. In order to avoid a collision between the glass substrate 100 and the back surface cleaning unit 4, a back surface of the cleaning solution holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 are in a liquid-tight state by a cleaning liquid film. The distance D2 (see FIG. 2) between the cleaning liquid holding surface 42 in the cleaning unit 4 and the back surface of the glass substrate 100 transported by the transport roller 9 is preferably 1 mm to 2 mm.

図９は、この発明に係る基板処理装置の主要な制御系を示すブロック図である。 FIG. 9 is a block diagram showing a main control system of the substrate processing apparatus according to the present invention.

この基板処理装置は、装置全体を制御する制御部７１を備える。この制御部７１は、インターフェース７４を介して、モータ駆動部７５と連結されている。このモータ駆動部７５は、複数の搬送ローラ９を回転駆動するためのモータ７６と接続されており、制御部７１からの指令を受けて、複数の搬送ローラ９の回転速度を変更する。 The substrate processing apparatus includes a control unit 71 that controls the entire apparatus. The control unit 71 is connected to the motor drive unit 75 via the interface 74. The motor drive unit 75 is connected to a motor 76 for rotationally driving the plurality of transport rollers 9, and receives a command from the control unit 71 to change the rotation speed of the plurality of transport rollers 9.

この制御部７１は、キーボード等の入力部７８と、液晶表示パネルやＣＲＴ等の表示部７９とに接続されている。また、この制御部７１は、処理を行うべきガラス基板１００に成膜された薄膜の膜厚を測定するための膜厚計８０と、オンラインまたはオフラインで接続されている。さらに、この制御部７１は、記憶部７２と接続されている。この記憶部７２には、処理を行うべきガラス基板１００の表面を、このガラス基板１００の搬送方向に対して複数の単位領域に分割したときに、このガラス基板１００の表面に成膜された薄膜の各単位領域毎の厚さのデータが記憶されている。この薄膜の厚さのデータは、膜厚計８０により、制御部７１を介して、オンラインまたはオフラインで記憶部７２に送信される。そして、制御部７１は、この薄膜の膜厚のデータに基づいて、ガラス基板１００の搬送速度を制御する。 The control unit 71 is connected to an input unit 78 such as a keyboard and a display unit 79 such as a liquid crystal display panel or a CRT. The control unit 71 is connected online or offline to a film thickness meter 80 for measuring the film thickness of the thin film formed on the glass substrate 100 to be processed. Further, the control unit 71 is connected to the storage unit 72. The storage unit 72 includes a thin film formed on the surface of the glass substrate 100 when the surface of the glass substrate 100 to be processed is divided into a plurality of unit regions in the transport direction of the glass substrate 100. The thickness data for each unit area is stored. The thin film thickness data is transmitted to the storage unit 72 online or offline by the film thickness meter 80 via the control unit 71. And the control part 71 controls the conveyance speed of the glass substrate 100 based on the data of the film thickness of this thin film.

以下、この点について詳細に説明する。図１０および図１１は、ガラス基板１００に成膜された薄膜の厚みとガラス基板１００の搬送速度との関係を示す説明図である。なお、これらの図においては、搬送ローラ９によるガラス基板１００の搬送方向を矢印で示している。また、以下の説明においては、ガラス基板１００に対して成膜された薄膜の基準膜厚Ｔ１を１５０ｎｍ(１５０ナノメートル)とし、ガラス基板１００の基準搬送速度Ｓ１を１ｍ／ｍｉｎ（毎分１メートル）とした場合を示している。 Hereinafter, this point will be described in detail. 10 and 11 are explanatory diagrams showing the relationship between the thickness of the thin film formed on the glass substrate 100 and the conveyance speed of the glass substrate 100. FIG. In these drawings, the conveyance direction of the glass substrate 100 by the conveyance roller 9 is indicated by an arrow. In the following description, the reference film thickness T1 of the thin film formed on the glass substrate 100 is 150 nm (150 nanometers), and the reference transport speed S1 of the glass substrate 100 is 1 m / min (1 meter per minute). ).

図１０（ａ）は、ガラス基板１００の表面を１５の領域に分割し、各領域毎の薄膜の膜厚の平均値を示したものである。この薄膜の膜厚のデータは、図９に示す膜厚計８０により測定され、制御部７１を介して記憶部７２に記憶される。 FIG. 10A shows the average value of the thickness of the thin film in each region by dividing the surface of the glass substrate 100 into 15 regions. The thin film thickness data is measured by the film thickness meter 80 shown in FIG. 9 and stored in the storage unit 72 via the control unit 71.

図１０（ｂ）は、図１０(ａ)に示す１５の領域を、ガラス基板１００の搬送方向と直交する方向に隣接するものをまとめることにより、ガラス基板１００の表面を５個の矩形状の単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５に分割し、これらの５個の単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５の薄膜の膜厚の平均値Ｔを示したものである。この演算は、制御部７１により実行される。そして、制御部７１は、この単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５毎の薄膜の膜厚の平均値Ｔに基づいて、搬送ローラ９によるガラス基板１００の搬送速度Ｓを演算する。 FIG. 10B is a diagram illustrating the arrangement of the 15 regions shown in FIG. 10A that are adjacent to each other in the direction orthogonal to the transport direction of the glass substrate 100 so that the surface of the glass substrate 100 has five rectangular shapes. This is divided into unit areas E1, E2, E3, E4, and E5, and shows the average value T of the thin film thickness of these five unit areas E1, E2, E3, E4, and E5. This calculation is executed by the control unit 71. And the control part 71 calculates the conveyance speed S of the glass substrate 100 by the conveyance roller 9 based on the average value T of the film thickness of every thin film for this unit area | region E1, E2, E3, E4, E5.

詳しくは、制御部７１は、図１１(ａ)に示すように、基準膜厚Ｔ１を各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５の膜厚の平均値Ｔで除算することにより、各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５毎の係数（Ｔ１／Ｔ）を得る。そして、この係数と基準搬送速度Ｓ１とを乗算することにより、図１１(ｂ)に示すように、各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５毎に適切に対応したエッチング時間を実現するための搬送速度Ｓを得ることができる。 Specifically, as shown in FIG. 11A, the control unit 71 divides the reference film thickness T1 by the average value T of the film thicknesses of the unit regions E1, E2, E3, E4, and E5, thereby obtaining each unit. A coefficient (T1 / T) is obtained for each of the areas E1, E2, E3, E4, and E5. Then, by multiplying this coefficient by the reference transport speed S1, as shown in FIG. 11 (b), an etching time corresponding to each unit region E1, E2, E3, E4, E5 can be realized appropriately. Can be obtained.

すなわち、制御部７１は、ガラス基板１００の表面に成膜されるべき基準膜厚をＴ１、基準膜厚に対する基準搬送送度をＳ１、ガラス基板１００の表面における各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５に実際に成膜された薄膜の膜厚の平均値をＴとしたときに、搬送ローラ９により搬送されるべきガラス基板１００の搬送速度を下記の式により決定している。
Ｓ＝Ｓ１×（Ｔ１／Ｔ） That is, the control unit 71 sets T1 as the reference film thickness to be formed on the surface of the glass substrate 100, S1 as the reference transport rate with respect to the reference film thickness, and each unit region E1, E2, E3 on the surface of the glass substrate 100, The transport speed of the glass substrate 100 to be transported by the transport roller 9 is determined by the following equation, where T is the average thickness of the thin films actually formed on E4 and E5.
S = S1 × (T1 / T)

次に、上述した基板処理装置によりガラス基板１００を処理する処理動作について説明する。図１２乃至図１６は、この発明に係る基板処理装置によるガラス基板１００の処理動作を示す説明図である。なお、これらの図においては、いずれも、処理・洗浄ユニット１における一対の裏面洗浄部４のうち、上流側の裏面洗浄部４のみを示している。これらの図において図示を省略した他方の裏面洗浄部４も上流側の裏面洗浄部４と同様の動作を実行する。 Next, a processing operation for processing the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus described above will be described. 12 to 16 are explanatory views showing the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus according to the present invention. In these drawings, only the upstream side back surface cleaning unit 4 of the pair of back surface cleaning units 4 in the processing / cleaning unit 1 is shown. The other back surface cleaning unit 4 (not shown) in these drawings also performs the same operation as the upstream side back surface cleaning unit 4.

この基板処理装置によるガラス基板１００を処理するときには、制御部７１は、ガラス基板１００の搬送速度が、事前に制御部７１において演算した搬送速度となるように、モータ７６による搬送ローラ９の回転速度を制御する。図１１(ｂ)に示す実施形態の場合においては、ガラス基板１００の搬送方向に対して先頭となる単位領域Ｅ１については、図１１（ｂ）に示すように、０．８８ｍ／ｍｉｎでガラス基板１００を搬送する。この搬送速度制御は、制御部７１がモータ駆動部７５を介して搬送ローラ９の回転速度を調整することにより実行される。 When processing the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus, the control unit 71 rotates the transport roller 9 by the motor 76 so that the transport speed of the glass substrate 100 becomes the transport speed calculated in advance by the control unit 71. To control. In the case of the embodiment shown in FIG. 11 (b), the unit region E1 that is the head in the transport direction of the glass substrate 100 is 0.88 m / min as shown in FIG. 11 (b). 100 is transported. This transport speed control is executed by the control unit 71 adjusting the rotational speed of the transport roller 9 via the motor drive unit 75.

この状態で、処理を開始する。最初に、複数の搬送ローラ９により予め設定された速度で水平方向に搬送されるガラス基板１００の先端が処理・洗浄ユニット１に到達する前に、図１２に示すように、処理液吐出ノズル２の処理液吐出口２１から少量の処理液を吐出し、予め、処理液吐出ノズル２における処理液吐出口２１と液溜まり保持部材３における処理液保持面３１との間に、処理液の液溜まり５１を形成しておく。また、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２上に、洗浄液の液溜まり６１を形成しておく。 In this state, the process is started. First, before the tip of the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction at a preset speed by the plurality of conveying rollers 9 reaches the processing / cleaning unit 1, as shown in FIG. A small amount of processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 21, and a liquid pool of processing liquid is previously stored between the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3. 51 is formed. A cleaning liquid reservoir 61 is formed on the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4.

この状態において、さらに搬送ローラ９によりガラス基板１００の搬送を継続すると、図１３に示すように、ガラス基板１００の先端が、処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成された処理液の液溜まり５１中に進入する。このときのガラス基板１００の搬送速度は、上述したように、０．８８ｍ／ｍｉｎとなっている。ガラス基板１００の先端が処理液の液溜まり５１まで到達すれば、処理液吐出ノズル２から、予め設定された流量で処理液を吐出する。なお、処理液吐出ノズル２からの処理液の吐出は、ガラス基板１００の先端が処理液の液溜まり５１に到達する前に開始してもよいし、ガラス基板１００の処理のために基板処理装置が稼働している間は、処理液を継続して吐出し続けてもよい。 In this state, when the conveyance of the glass substrate 100 is further continued by the conveyance roller 9, the tip of the glass substrate 100 is formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3 as shown in FIG. It enters the liquid reservoir 51 of the processing liquid. The conveyance speed of the glass substrate 100 at this time is 0.88 m / min as described above. When the tip of the glass substrate 100 reaches the liquid reservoir 51 of the processing liquid, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 2 at a preset flow rate. Note that the discharge of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 2 may be started before the front end of the glass substrate 100 reaches the processing liquid reservoir 51, or a substrate processing apparatus for processing the glass substrate 100. During the operation, the processing liquid may be continuously discharged.

この状態でさらにガラス基板１００が水平方向に搬送されると、図１４に示すように、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間に処理液の液膜５２が形成され、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間は、処理液の液膜５２により液密状態となる。すなわち、ガラス基板１００の先端が処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成された処理液の液溜まり５１中に進入した後、処理液の表面張力により処理液吐出ノズル２から吐出された処理液が引っ張られるようにして、ガラス基板１００の表面全域にそこではじかれることなく塗り広げられる。このときには、処理液吐出ノズル２の長手方向におけるところどころの領域で部分的に液溜まりが形成されない領域が存在していたとしても、ガラス基板１００が移動を継続することに伴って、これらの領域は処理液で満たされ、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間は、処理液の液膜５２により液密状態となる。ここで、液密状態とは、それらの間が全て処理液で満たされた状態を指す。 When the glass substrate 100 is further transported in the horizontal direction in this state, a liquid film 52 of the processing liquid is formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 as shown in FIG. A space between the discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 is in a liquid-tight state by the liquid film 52 of the processing liquid. That is, after the front end of the glass substrate 100 has entered the liquid reservoir 51 of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3, the surface tension of the processing liquid causes the processing liquid discharge nozzle 2 to The discharged processing liquid is drawn and spread over the entire surface of the glass substrate 100 without being repelled there. At this time, even if there are regions where liquid pools are not partially formed in some regions in the longitudinal direction of the treatment liquid discharge nozzle 2, as the glass substrate 100 continues to move, these regions The liquid is filled with the processing liquid, and the space between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 is liquid-tight by the liquid film 52 of the processing liquid. Here, the liquid-tight state refers to a state where the space between them is filled with the processing liquid.

そして、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００との間を処理液の液膜５２により液密としたままの状態でガラス基板１００が水平方向に搬送されることにより、図１５に示すように、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜５２により液密状態となったまま、ガラス基板１００の表面全域に処理液が供給される。 Then, as shown in FIG. 15, the glass substrate 100 is transported in the horizontal direction while being liquid-tight between the processing liquid discharge nozzle 2 and the glass substrate 100 by the liquid film 52 of the processing liquid. The processing liquid is supplied to the entire surface of the glass substrate 100 while the liquid film 52 of the processing liquid is in a liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100.

なお、ガラス基板１００の先端が処理液吐出ノズル２と液溜まり保持部材３との間に形成された処理液の液溜まり５１中に進入したときには、図１３に示すように、ガラス基板１００の裏面側にも処理液が到達する。しかしながら、この処理液は、裏面洗浄部４により洗浄される。 When the front end of the glass substrate 100 enters the processing liquid pool 51 formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid holding member 3, as shown in FIG. The processing solution also reaches the side. However, the processing liquid is cleaned by the back surface cleaning unit 4.

すなわち、図１４に示すように、水平方向に搬送されるガラス基板１００の先端が裏面洗浄部４に到達する前には、裏面洗浄部４における洗浄液保持面４２（図８参照）には洗浄液吐出口４１から吐出された洗浄液の液膜６１が形成されている。この状態において、ガラス基板１００がさらに搬送されて裏面洗浄部４を通過すると、図１６に示すように、ガラス基板１００の裏面と裏面洗浄部４の洗浄液保持面４２との間に洗浄液の液膜６２が形成され、ガラス基板１００の裏面と裏面洗浄部４との間は、洗浄液の液膜６２により液密状態となる。 That is, as shown in FIG. 14, before the front end of the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction reaches the back surface cleaning unit 4, the cleaning liquid discharge surface (see FIG. 8) in the back surface cleaning unit 4 is discharged. A liquid film 61 of the cleaning liquid discharged from the outlet 41 is formed. In this state, when the glass substrate 100 is further conveyed and passes through the back surface cleaning unit 4, as shown in FIG. 16, a liquid film of the cleaning liquid is formed between the back surface of the glass substrate 100 and the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning unit 4. 62 is formed, and the space between the back surface of the glass substrate 100 and the back surface cleaning unit 4 is liquid-tight by the liquid film 62 of the cleaning liquid.

このような状態で、ガラス基板１００の搬送を継続することにより、ガラス基板１００の表面には処理液の液膜５２が形成されてその全面に処理液が供給され、ガラス基板１００の裏面には洗浄液の液膜６２が形成されてその全面が洗浄される。 In such a state, by continuing the conveyance of the glass substrate 100, a liquid film 52 of the processing liquid is formed on the surface of the glass substrate 100, and the processing liquid is supplied to the entire surface. A liquid film 62 of the cleaning liquid is formed and the entire surface is cleaned.

この状態でガラス基板１００が継続して搬送され、図１１に示す最初の単位領域Ｅ１と次の単位領域Ｅ２との間の領域が処理液吐出ノズル２と対向する位置まで搬送されたときには、制御部７１の指令によりモータ駆動部７５を介してモータ７６の回転速度が変更され、搬送ローラ９によるガラス基板１００の搬送速度が、図１１（ｂ）に示すように、０．９８ｍ／ｍｉｎとなる。 When the glass substrate 100 is continuously transported in this state and the region between the first unit region E1 and the next unit region E2 shown in FIG. 11 is transported to a position facing the processing liquid discharge nozzle 2, the control is performed. The rotation speed of the motor 76 is changed via the motor drive unit 75 by the command of the unit 71, and the conveyance speed of the glass substrate 100 by the conveyance roller 9 is 0.98 m / min as shown in FIG. .

このため、単位領域Ｅ１に対応する搬送速度０．８８ｍ／ｍｉｎが、単位領域Ｅ２については、その単位領域Ｅ２の膜厚に対応して、０．９８ｍ／ｍｉｎに切り替わることになる。同様に、単位領域Ｅ３についてはガラス基板１００の搬送速度が１．０２ｍ／ｍｉｎに切り替わり、単位領域Ｅ４についてはガラス基板１００の搬送速度が１．０５ｍ／ｍｉｎに切り替わり、単位領域Ｅ５についてはガラス基板１００の搬送速度が０．９８ｍ／ｍｉｎに切り替わる。 For this reason, the conveyance speed 0.88 m / min corresponding to the unit area E1 is switched to 0.98 m / min corresponding to the film thickness of the unit area E2 for the unit area E2. Similarly, for the unit region E3, the transport speed of the glass substrate 100 is switched to 1.02 m / min, for the unit region E4, the transport speed of the glass substrate 100 is switched to 1.05 m / min, and for the unit region E5, the glass substrate is switched. The transport speed of 100 is switched to 0.98 m / min.

これにより、図１０(ｂ)に示す各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５における薄膜の膜厚に応じた搬送速度でガラス基板１００を処理することができる。すなわち、このような構成を採用することにより、処理液塗布ノズル２により処理液を塗布されることで処理が開始されてから、液切り用のエアナイフ５により処理液が除去され、純水吐出ノズル６によりガラス基板１００の表面に純水が吐出されて処理が終了するまでの処理時間を、各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５における薄膜の膜厚に応じた時間とすることができる。これにより、成膜後のガラス基板１００に不均一な膜厚の薄膜が形成されていても、ガラス基板１００の全域を均一に処理することが可能となる。 Thereby, the glass substrate 100 can be processed at the conveyance speed according to the film thickness of the thin film in each unit area | region E1, E2, E3, E4, and E5 shown in FIG.10 (b). That is, by adopting such a configuration, the treatment liquid is applied by the treatment liquid application nozzle 2 and then the treatment is started. Then, the treatment liquid is removed by the air knife 5 for liquid removal, and the pure water discharge nozzle 6, the processing time from when pure water is discharged to the surface of the glass substrate 100 until the processing is completed can be set to a time corresponding to the thickness of the thin film in each of the unit regions E1, E2, E3, E4, and E5. . As a result, even if a thin film having a non-uniform film thickness is formed on the glass substrate 100 after film formation, the entire region of the glass substrate 100 can be processed uniformly.

なお、上述したガラス基板１００の搬送速度の切替は、各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５の境界となる領域が処理液吐出ノズル２と対向する位置まで搬送されたときに実行される。但し、ガラス基板１００の搬送速度をスムースに切り換えるために、加速期間または減速期間を設けるようにしてもよい。 In addition, the switching of the conveyance speed of the glass substrate 100 described above is executed when a region serving as a boundary between the unit regions E1, E2, E3, E4, and E5 is conveyed to a position facing the processing liquid discharge nozzle 2. . However, in order to smoothly switch the conveyance speed of the glass substrate 100, an acceleration period or a deceleration period may be provided.

以上のように、この発明に係る基板処理装置においては、処理液吐出ノズル２とガラス基板１００の表面との間に処理液の液膜５２を形成した状態で処理液を供給することから、使用する処理液の量が極めて少ない場合においても、ガラス基板１００の全面に処理液を供給することが可能となる。そして、ガラス基板１００の表面における各単位領域Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５毎の薄膜の膜厚に対応させてガラス基板１００の搬送速度を搬送中に変更することにより、成膜後のガラス基板１００に形成された膜厚にかかわらず、ガラス基板１００を均一に処理することが可能となる。 As described above, in the substrate processing apparatus according to the present invention, since the processing liquid is supplied in a state in which the liquid film 52 of the processing liquid is formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, the substrate processing apparatus is used. Even when the amount of the processing liquid to be processed is extremely small, the processing liquid can be supplied to the entire surface of the glass substrate 100. And the glass after film-forming is changed by changing the conveyance speed of the glass substrate 100 in conveyance according to the film thickness of each thin film | membrane for each unit area | region E1, E2, E3, E4, E5 in the surface of the glass substrate 100. Regardless of the film thickness formed on the substrate 100, the glass substrate 100 can be processed uniformly.

なお、上述した実施形態においては、ガラス基板１００を複数の搬送ローラ９により、その長辺と搬送方向とが一致する状態で搬送している。このような構成を採用することにより、一般的には、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、一般的なガラス基板１００においては、その製造プロセスの都合上、その長辺方向の薄膜の膜厚のバラツキは、その短辺方向の薄膜のバラツキよりも大きくなっていることが多い。このため、ガラス基板１００を複数の搬送ローラ９により、その長辺と搬送方向とが一致する状態で搬送する場合に、上述した構成を採用することにより、ガラス基板１００をより均一に処理することが可能となる。しかしながら、ガラス基板１００を、その短辺方向が搬送方向と一致する姿勢で搬送するようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the glass substrate 100 is transported by the plurality of transport rollers 9 in a state where the long sides thereof coincide with the transport direction. By adopting such a configuration, generally, the space occupied by the substrate processing apparatus can be reduced. Further, in the general glass substrate 100, the variation in the thickness of the thin film in the long side direction is often larger than the variation in the thin film in the short side direction due to the manufacturing process. For this reason, when the glass substrate 100 is transported by the plurality of transport rollers 9 in a state where the long side and the transport direction coincide with each other, the glass substrate 100 can be processed more uniformly by adopting the above-described configuration. Is possible. However, you may make it convey the glass substrate 100 in the attitude | position in which the short side direction corresponds with a conveyance direction.

また、上述した実施形態においては、ガラス基板１００を、その主面が水平方向となる状態で支持して、水平方向に搬送しているが、ガラス基板１００がわずかに傾斜していてもよい。例えば、ガラス基板１００がその搬送方向と直交する方向に対して１度程度傾斜していても、この発明を適用することは可能である。すなわち、この発明は、ガラス基板１００を正確に水平方向に支持する場合に限らず、略水平方向に支持する場合においても適用が可能である。 In the above-described embodiment, the glass substrate 100 is supported in a state where the main surface is in the horizontal direction and is conveyed in the horizontal direction. However, the glass substrate 100 may be slightly inclined. For example, the present invention can be applied even if the glass substrate 100 is inclined by about 1 degree with respect to the direction orthogonal to the conveyance direction. That is, the present invention is not limited to the case where the glass substrate 100 is accurately supported in the horizontal direction, but can be applied to the case where the glass substrate 100 is supported in a substantially horizontal direction.

さらに、上述した実施形態においては、ガラス基板１００の表面にエッチング液としてのフッ酸等を供給しているが、この発明はこれに限定されるものではない。例えば、ガラス基板１００に対して現像液を供給することにより現像処理を行う基板処理装置にこの発明を適用してもよい。また、ガラス基板１００に対して洗浄液を供給することにより、洗浄処理やライトエッチング処理を行う基板処理装置にこの発明を適用してもよい。さらに、その他の処理液を使用する基板処理装置にこの発明を適用することも可能である。 Furthermore, in the above-described embodiment, hydrofluoric acid or the like as an etchant is supplied to the surface of the glass substrate 100, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention may be applied to a substrate processing apparatus that performs development processing by supplying a developing solution to the glass substrate 100. Further, the present invention may be applied to a substrate processing apparatus that performs a cleaning process or a light etching process by supplying a cleaning liquid to the glass substrate 100. Furthermore, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus that uses other processing liquids.

１処理・洗浄ユニット
２処理液吐出ノズル
３液溜まり保持部材
４裏面洗浄部
５エアナイフ
６洗浄液吐出ノズル
９搬送ローラ
２１処理液吐出口
２２貯留槽
２３管路
２５ポンプ
３１処理液保持面
３２凹部
３３凹部
４１洗浄液吐出口
４２洗浄液保持面
４３凹部
７１制御部
７２記憶部
７５モータ駆動部
７６モータ
８０膜厚計
１００ガラス基板
Ｅ１単位領域
Ｅ２単位領域
Ｅ３単位領域
Ｅ４単位領域
Ｅ５単位領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing / cleaning unit 2 Processing liquid discharge nozzle 3 Liquid pool holding member 4 Back surface cleaning part 5 Air knife 6 Cleaning liquid discharge nozzle 9 Conveying roller 21 Processing liquid discharge port 22 Reservoir 23 Pipe line 25 Pump 31 Processing liquid holding surface 32 Recess 33 Recess 41 Cleaning liquid discharge port 42 Cleaning liquid holding surface 43 Recessed portion 71 Control unit 72 Storage unit 75 Motor driving unit 76 Motor 80 Film thickness meter 100 Glass substrate E1 Unit region E2 Unit region E3 Unit region E4 Unit region E5 Unit region

Claims

In a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate after the film formation process,
A transport mechanism for supporting the substrate in a state where its main surface is substantially horizontal, and transporting the substrate in a substantially horizontal direction;
The processing liquid discharge port facing downward extends in a direction intersecting the substrate transfer direction by the transfer mechanism, and the distance between the process liquid discharge port and the surface of the substrate transferred by the transfer mechanism is determined by the distance between them. A treatment liquid discharge nozzle disposed at a position where the space becomes liquid-tight by a liquid film of the treatment liquid discharged from the treatment liquid discharge port;
A treatment liquid holding surface that holds a treatment liquid pool is provided at a position facing the treatment liquid discharge port, and the distance between the treatment liquid discharge port and the treatment liquid holding surface is a treatment liquid pool between them. A liquid reservoir holding member disposed at a position where the liquid can be formed;
A transport speed changing means for changing the transport speed of the substrate by the transport mechanism;
When the surface of the substrate to be processed is divided into a plurality of unit regions in the substrate transport direction, the thickness of each unit region of the thin film formed on the surface of the substrate to be processed A storage unit for storing data;
The substrate by the transport mechanism by controlling the transport speed changing means based on the thickness data for each unit region of the thin film formed on the surface of the substrate to be processed stored in the storage unit A control unit for changing the conveyance speed of the substrate during the conveyance of the substrate,
A substrate processing apparatus comprising:

The substrate processing apparatus according to claim 1,
The transport mechanism includes a transport roller,
The conveyance speed changing means includes a motor that changes a rotation speed of the conveyance roller under the control of the control unit.

The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate has a rectangular shape, and the unit region has a rectangular shape obtained by dividing the rectangular substrate into a plurality of regions in the transport direction,
The controller is configured to obtain data on the film thickness of the thin film in the rectangular unit region when the tip of the rectangular unit region in the substrate transport direction is transferred to a position facing the processing liquid discharge nozzle. The substrate processing apparatus which changes the conveyance speed of the board | substrate by the said conveyance mechanism during conveyance of a board | substrate corresponding to this.

The substrate processing apparatus according to claim 3,
The reference film thickness to be formed on the surface of the substrate is T1, the reference transport rate with respect to the reference film thickness is S1, and the average film thickness of the thin films actually formed in the unit area on the surface of the substrate to be processed When the value is T, the control unit determines a substrate transport speed S to be transported by the transport mechanism by the following formula.
S = S1 × (T1 / T)

In the substrate processing apparatus of Claim 3 or Claim 4,
The substrate transport mechanism is a substrate processing apparatus for transporting a rectangular substrate in a direction in which a long side direction coincides with a transport direction of the substrate.