JP2013147383A - 窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1と、Si基板1上に形成された複数のドット2と、複数のドット2の夫々の上側にピット3aが形成されるように、Si基板1上に形成されたAlN層3と、AlN層3に形成されたピット3a内の全部または一部を埋めるように、AlN層3上に形成されたGaN系半導体層4とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】Si基板1と、Si基板1上に形成された複数のドット2と、複数のドット2の夫々の上側にピット3aが形成されるように、Si基板1上に形成されたAlN層3と、AlN層3に形成されたピット3a内の全部または一部を埋めるように、AlN層3上に形成されたGaN系半導体層4とを備える。
【選択図】図1
Description
この発明は、窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法に関する。
従来、窒化物半導体ウエハとしては、第一番目のGaN系結晶層上に第二番目のGaN系結晶層を成長させた積層構造を有するものがある(例えば、特許第3583375号(特許文献1)参照)。上記窒化物半導体ウエハでは、製造工程にエッチピットの形成工程を取り入れ、第一番目のGaN系結晶層にエッチピットを設けることによって、エッチピットを覆って上側に成長させる第二番目のGaN系結晶層の転位密度の低減化を図っている。
ところで、上記窒化物半導体ウエハでは、第一番目のGaN系結晶層表面にピットを形成するための方法として、エッチングガスを用いた気相エッチング、エッチング液を用いたウェットエッチング、気相‐固相界面における化学的,物理的反応を利用したドライエッチングを用いている。このため、上記窒化物半導体ウエハでは、第一番目のGaN系結晶層を形成した後、第一番目のGaN系結晶層表面をエッチングするためのエッチング工程を挟んで第二番目のGaN系結晶層を形成する必要があるので、連続的に第一番目のGaN系結晶層と第二番目のGaN系結晶層を形成することができず、製造工程が複雑になるという問題がある。
上記窒化物半導体ウエハでは、第一番目のGaN系結晶層のエッチング工程のために、一旦成長室からウエハを取り出さなくてはならず、第一番目のGaN系結晶層表面にゴミが付着するなどしてエッチング工程後の表面に残留物が残り、そのような残留物を除去することは容易でない。
そこで、この発明の課題は、簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、この発明の窒化物半導体ウエハは、
Si基板と、
上記Si基板上に形成された複数のドットと、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上に形成されたAlN層と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の少なくとも一部を埋めるように、あるいは上記ピットを覆うように、上記AlN層上に形成されたGaN系半導体層と
を備えたことを特徴とする。
Si基板と、
上記Si基板上に形成された複数のドットと、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上に形成されたAlN層と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の少なくとも一部を埋めるように、あるいは上記ピットを覆うように、上記AlN層上に形成されたGaN系半導体層と
を備えたことを特徴とする。
ここで、「Si基板」とは、イントリンシックのSi基板に限らず、n型にドープされたSi基板でもよいし、p型にドープされたSi基板でもよい。また、「ドット」は、Si基板上に形成されるAlN層においてドット上側の領域にピットが形成され得る材料であればよい。
また、この明細書において、「GaN系半導体層」とは、AlxGa1−x−yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で示される化合物半導体をいう。
上記構成によれば、Si基板上に形成された複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、Si基板上にAlN層を形成し、そのピット内の少なくとも一部を埋めるように、あるいはピットを覆うように、AlN層上にGaN系半導体層を形成した構成とすることによって、ピット上側のGaN系半導体層の領域の転位が減少し、そのGaN系半導体層上に結晶成長させる半導体層の転位密度を低減できる。したがって、AlN層とGaN系半導体層をエッチング工程なしに連続して形成することができ、簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハを実現できる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記GaN系半導体層は、上記AlN層上に横方向成長により形成されている。
上記GaN系半導体層は、上記AlN層上に横方向成長により形成されている。
上記実施形態によれば、AlN層上に横方向成長により形成されたGaN系半導体層により、AlN層のピットが埋められるかまたは覆われ、AlN層のピット上側のGaN系半導体層の領域の転位密度が低減されると共に、そのGaN系半導体層上に半導体層(例えば超格子バッファ層)を形成することで、半導体層にピットが形成されず、平坦な半導体層表面が得られる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記AlN層に形成された上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上である。
上記AlN層に形成された上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上である。
ここで、ピットの開口部の最大幅とは、ピットの開口部の形状が円形である場合は直径であり、ピットの開口部の形状が円形でない場合は開口幅の最大寸法である。
上記実施形態によれば、AlN層に形成されたピットの開口部の最大幅が100nm以上になるようにすることによって、AlN層上に形成されるGaN系半導体層の転位密度を低減する効果が顕著になる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記GaN系半導体層はGaN層である。
上記GaN系半導体層はGaN層である。
上記実施形態によれば、GaN系半導体層をGaN層とすることによって、GaN系半導体層を制御性よく横方向成長させやすくなり、AlN層に形成された複数のピットをGaN系半導体層で確実に覆うことができ、GaN系半導体層の表面の平坦化が容易にできる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層が形成されている。
上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層が形成されている。
上記実施形態によれば、GaN系半導体層上に超格子バッファ層を形成した例えばパワーデバイスでは、AlN層に形成された複数のピットの影響を受けず、超格子バッファ層にピットが形成されないため、超格子バッファ層による絶縁が確実に行われ、耐圧特性の良好なパワーデバイスを実現できる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記複数のドットの密度は1×104個/cm2以上である。
上記複数のドットの密度は1×104個/cm2以上である。
上記実施形態によれば、複数のドットの密度を1×104個/cm2以上とすることによって、AlN層上に形成されるGaN系半導体層の転位密度を低減する効果が顕著になる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハでは、
上記複数のドットは、シリコン酸化物とFeまたはCrのうちの少なくとも1つからなるドットである。
上記複数のドットは、シリコン酸化物とFeまたはCrのうちの少なくとも1つからなるドットである。
上記実施形態によれば、複数のドットにシリコン酸化物を用いることによって、通常の製造プロセスによりSi基板表面にシリコン酸化膜を形成して、そのシリコン酸化膜を加工することにより、微細なドットを制御性よく所望の密度で形成することが可能になる。また、複数のドットにFeまたはCrを用いる場合は、通常の製造プロセス(スパッタリングなど)により、微細なドットを制御性よく所望の密度で形成することが可能になる。
また、この発明の窒化物半導体ウエハの製造方法では、
Si基板上に複数のドットを形成する工程と、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上にAlN層をエピタキシャル成長により形成する工程と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の全部または一部を埋めるように、上記AlN層上にエピタキシャル成長によりGaN系半導体層を形成する工程と
を有する。
Si基板上に複数のドットを形成する工程と、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上にAlN層をエピタキシャル成長により形成する工程と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の全部または一部を埋めるように、上記AlN層上にエピタキシャル成長によりGaN系半導体層を形成する工程と
を有する。
上記構成によれば、Si基板上に形成された複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、Si基板上にAlN層をエピタキシャル成長により形成し、そのピット内の全部または一部を埋めるように、AlN層上にGaN系半導体層をエピタキシャル成長により形成することによって、ピット上側のGaN系半導体層の領域の転位が減少し、そのGaN系半導体層上に結晶成長させる半導体層の転位密度を低減できる。したがって、簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハを実現できる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハの製造方法では、
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程において、上記GaN系半導体層を横方向成長により形成する。
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程において、上記GaN系半導体層を横方向成長により形成する。
上記実施形態によれば、AlN層上に横方向成長により形成されたGaN系半導体層により、AlN層のピットが埋められるかまたは覆われ、AlN層のピット上側のGaN系半導体層の領域の転位密度が低減されると共に、そのGaN系半導体層上に半導体層(例えば超格子バッファ層)を形成することで、半導体層にピットが形成されず、平坦な半導体層表面が得られる。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハの製造方法では、
上記Si基板上に上記複数のドットを形成する工程において、上記AlN層を形成する次の工程で上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上になるように、上記複数のドットの外形の最大幅を設定している。
上記Si基板上に上記複数のドットを形成する工程において、上記AlN層を形成する次の工程で上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上になるように、上記複数のドットの外形の最大幅を設定している。
ここで、ピットの開口部の最大幅とは、ピットの開口部の形状が円形である場合は直径であり、ピットの開口部の形状が円形でない場合は開口幅の最大寸法である(ドットの外形の最大幅についても同様)。
上記実施形態によれば、Si基板上に複数のドットを形成する工程において、AlN層を形成する次の工程でのピットの開口部の最大幅が100nm以上になるように、複数のドットの外形の最大幅を設定することによって、AlN層上に形成されるGaN系半導体層の転位密度を低減する効果が顕著になると共に、AlN層に形成されるピットの開口部の大きさを容易に制御できる。
ここで、ピットの開口部の大きさは、AlN層を形成するときの成長条件に応じて変わるので、複数のドットの外形の最大幅は、AlN層の成長条件に基づいて決定すればよい。
また、一実施形態の窒化物半導体ウエハの製造方法では、
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程の後、上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層をエピタキシャル成長により形成する工程を有する。
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程の後、上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層をエピタキシャル成長により形成する工程を有する。
上記実施形態によれば、GaN系半導体層上に超格子バッファ層を形成した例えばパワーデバイスでは、超格子バッファ層にピットが形成されないため、超格子バッファ層による絶縁が確実に行われ、耐圧不良を起こさないパワーデバイスを実現できる。
以上より明らかなように、この発明によれば、簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法を実現することができる。
以下、この発明の窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
図1はこの発明の実施の一形態の窒化物半導体ウエハの断面模式図を示している。
この実施の一形態の窒化物半導体ウエハは、図1に示すように、Si基板1上に複数のドット2(図1では1つのみを示す)を形成している。上記複数のドット2が形成されたSi基板1上に、複数のドット2の夫々の上側にピット3aを有するAlN層3を形成している。このとき、ドット2上では、結晶成長しないAlNがピット3a内の下側に堆積して、非晶質AlN10を形成している。そして、上記AlN層3上および非晶質AlN層10上にGaN系半導体層4を形成している。さらに、GaN系半導体層4上に超格子バッファ層5,GaN層6,AlGaNバリア層7を順に積層している。なお、非晶質AlN層10は、半導体装置を製造する過程でアニール工程などの高温により部分的、あるいは全体的に再結晶化される。
次に、上記窒化物半導体ウエハの製造方法を図2〜図7に従って以下に説明する。
まず、フッ酸系のエッチャントでSi基板1の表面酸化膜を除去する。
そして、図2に示すように、Si基板1上に、シリコン酸化物の一例としてのSiO2からなる厚さ10nmの複数のドット2を形成する。この複数のドット2の密度は1×104個/cm2以上としている。
ここで、複数のドット2のサイズは、後工程で形成されるAlN層3のピット3aの開口部の最大幅が100nm以上となるように設定する。この複数のドット2の密度は1×104個/cm2以上存在する場合、AlN層3上に成長されるGaN系半導体層4の転位密度を低減する効果が顕著になり、1×106個/cm2以上存在する場合は、GaN系半導体層4の転位密度の低減効果は極めて顕著になる。
上記複数のドット2は、例えば、マスクとして用いられている酸化シリコン膜をSi基板1上に形成した後、レジストパターンを用いて選択的にエッチングすることにより形成する。あるいは、Si基板全面に酸化シリコン膜を形成し、Si基板の主面を研磨またはウェットエッチングにより酸化シリコン膜を除去する工程において、研磨条件またはウェットエッチング条件を制御して、Si基板上に所望の密度の複数の酸化シリコン(SiO2)のパーティクルを残してもよい。なお、この発明において、複数のドットは、SiO2、Fe、Crのうちの1つまたはいずれか複数選択された材料からなっていてもよく、それらはSi基板上の付着したゴミ(SiO2、Fe、Crなどからなるパーティクル)であってもよい。
FeやCrのドットは、例えばスパッタリングを用いて形成する。スパッタリングでFeやCrのドットを形成する場合、形成するドット元素のターゲットを用いて、基板温度を適時調節することで、ドット形状、大きさ、ドット間距離(ドット密度)を調節することができる。
次に、図3に示すように、Si基板1上およびドット2上に、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)装置を用いたエピタキシャル成長により膜厚140nmのAlN層3を形成する。
このAlN層3の成長条件は、例えば、
成長温度:1100℃
成長圧力:10kPa
NH3流量:0.1slm
TMA流量:18.5sccm
としている。
成長温度:1100℃
成長圧力:10kPa
NH3流量:0.1slm
TMA流量:18.5sccm
としている。
なお、ドット2上に成長するAlNは、非晶質AlN10となるため、Si基板1の直上に成長されるAlN層3よりも成長速度が遅くなり、ドット2上にピット3aが形成される。このピット3aの形状は、六角錐状あるいは円錐状の窪みであるが、エッチング条件によっては、六角錐状、部分球状、すり鉢状となったり、それらを複合した形状となったりする。ここで、AlNは、横方向成長しにくく縦方向の成長が支配的なため、Si基板の直上から成長したAlNがドット上部を横方向成長で埋めることが無いので、ピットが形成できる。
上記AlN層3と非晶質AlN10との成長速度の差は、AlNの成長条件で変えることができる。例えば、成長温度をより高温にするほうが、ドット2上の非晶質AlN10の成長が抑えられるため、成長速度の差は大きくなる。成長温度を1100℃にした場合、例えばSi基板1直上のAlN層3の膜厚が140nmのとき、ドット2上に非晶質AlN10が70nm形成されるので、深さ60nmのピット3aが形成される。
なお、ドット2上にピット3aが形成されれば、Si基板1上に形成するAlN層は、例えば高温成長AlN層/低温成長AlN層からなる2層AlNのように、複数層からなるAlNでもよい。
次に、図4に示すように、ピット3aを有するAlN層3上に、MOCVD装置を用いたエピタキシャル成長によりGaN系半導体層4を形成する。このGaN系半導体層4には、例えばGaNやAlGaNを用いることができる。
上記GaN系半導体層4によって、AlN層3表面に形成したピット3aを埋めて平坦にする。このとき、横方向成長するようにGaN系半導体層4を形成すると、ピット3aの上側のGaN系半導体層4の領域の転位が減少する。
なお、GaN系半導体層4の形成時に、表面が平坦であればよく、GaN系半導体層4と非晶質AlN10との間に空洞があっても構わない。
ここで、GaN系半導体層4の成長条件が高温、低圧、低V/III比ほど横方向成長しやすい。例えば、GaN系半導体層4にGaNを用いる場合の成長条件は、
成長温度:1150℃
成長圧力:10kPa
NH3流量:0.1slm
TMG流量:49.8sccm
としている。
成長温度:1150℃
成長圧力:10kPa
NH3流量:0.1slm
TMG流量:49.8sccm
としている。
次に、図5に示すように、GaN系半導体層4上には、同じ成長温度、成長圧力の下で、AlN層(5nm厚)/Al0.2Ga0.8N層(20nm厚)を80周期繰り返して積層することにより、膜厚2000nmの超格子バッファ層5を形成する。
このとき、成長温度=1120℃、成長圧力=13.3kPaとし、AlN層は、TMA流量=94.1sccm、およびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され、Al0.2Ga0.8N層は、TMG流量=160.4sccm、TMA流量=74.1sccmおよびNH3流量=12.5slmの条件下で堆積され得る。
次に、図6に示すように、超格子バッファ層5上に、MOCVD装置を用いたエピタキシャル成長により膜厚1500nmのGaN層6を形成する。
このGaN層6を形成する工程では、超格子バッファ層5の形成後に基板温度を1100℃に下げて、TMG流量=49.8sccmおよびNH3流量=12.5slmの条件下で、13.3kPaの圧力下でGaN層が1.0μmの厚さに堆積され、さらに90kPaの圧力下でGaN層0.5μmの厚さに堆積される。ここで、成長圧力が低い場合にTMGに含まれるカーボンがGaN層内にドープされやすく、成長圧力が高い場合にTMGからGaN層内にカーボンがドープされにくい傾向にある。
次に、図7に示すように、GaN層6上に、膜厚20nmのAlGaNバリア層7を形成する。
このとき、AlGaNバリア層7は、Al0.16Ga0.84N(膜厚:30nm)とし、13.3kPaの圧力下で、TMG流量=46μmol/min、TMA流量=7μmol/minおよび、NH3流量=12.5slmの条件下で堆積され得る。
なお、上記窒化物半導体ウエハの製造方法において、GaN層6とAlGaNバリア層7との間にAlN特性改善層(膜厚:1nm)を形成してもよい。
また、AlGaNバリア層7上にGaNからなるキャップ層(膜厚:1nm)を形成してもよい。
また、上記窒化物半導体ウエハの製造方法では、MOCVD法を用いて各相を結晶成長させたが、これに限らず、HVPE(ハイドライド気相成長法)法、MBE(分子線エピタキシャル)法などを用いてもよく、MOCVD法、HVPE法、MBE法などを組み合わせてもよい。また、各層の成長条件は、この窒化物半導体ウエハを用いて作製する半導体装置の構成などに応じて適宜設定してよい。
上記窒化物半導体ウエハの製造方法では、複数のドット2が形成されたSi基板1上にAlN層3をエピタキシャル成長により形成して、そのAlN層3に複数のピット3aを形成することによって、転位線が上方へ伝搬するのを止めたり、転位線の伝搬方向を変えて1つの転位線へと集合させたりして、上層のGaN系半導体層4を低転位化している。
詳しくは、AlN層3内に存在する転位は、Si基板1との界面において発生し、転位線として上方に伝搬する。その転位線を含むAlN層3にドット2に起因するピット3aが形成されることで、ピット3aの中心部に転位線が位置したり、ピット3aの斜面に転位線が位置したりする。
このようなピット3aが形成されたAlN層3上に、GaN系半導体層4をエピタキシャル成長させるとき、成長条件を制御することによって、GaN系半導体層4がAlN層3上面からピット3a上を覆うように横方向に成長して、ピット3a内すべてがGaN系半導体で埋められるか、または完全に覆われて空洞として残る。
その結果、ピット3a内すべてをGaN系半導体で埋めるようにGaN系半導体層4が成長する場合は、ピット3a内の傾斜面が再成長界面となって、その界面において転位線は伝搬方向を変え、ピット3aの中央付近で集合した転位線となり、そのピット3a上側のGaN系半導体層4の領域の転位線が減少する。したがって、ピット3aの数が多いほどAlN層3からGaN系半導体層4に伝搬する転位線の数が減少し、GaN系半導体層4は低転位化される。これにより、GaN系半導体層4上に積層される半導体層の転位密度も低減できる。
あるいは、ピット3aがGaN系半導体層4により完全に覆われて空洞として残る場合は、ドット2の上側の領域において、AlN層3からGaN系半導体層4への転位線の伝搬が止まることになり、ピット3a上側のGaN系半導体層4の領域の転位線が減少する。
したがって、AlN層3とGaN系半導体層4をエッチング工程なしに連続して形成でき、簡単な工程で転位密度を低減できる窒化物半導体ウエハを実現することができる。
また、上記GaN系半導体層4上に形成された超格子バッファ層5の転位密度を低減できると共に、超格子バッファ層5にピットが形成されることなく平坦性も保たれるので、超格子バッファ層5の結晶性を向上でき、超格子バッファ層5を介したリーク電流を大幅に低減することができる(縦方向耐圧が向上)。
また、図8は上記実施の形態の窒化物半導体ウエハを用いて製作されたパワーデバイスの一例としてのHFETの断面模式図を示している。なお、図8では、図1に示す窒化物半導体ウエハと同一の構成部には同一参照番号を付していると共に、ドット2とAlN層3のピット3aを省略している。
このHFETは、図8に示すように、AlGaNバリア層7上にソース電極11とドレイン電極12とゲート電極13を形成している。このソース電極11とドレイン電極12とゲート電極13の製造方法は、特に限定されず、例えば蒸着等の公知の方法を使用する。このソース電極11とドレイン電極12との間隔およびゲート電極13の位置などは、電界効果トランジスタの所望する性能に応じて調整する。また、ソース電極11とドレイン電極12を形成した後、窒素雰囲気中で800℃の熱処理を1分間施すことによって、AlGaNバリア層7とソース電極11とのオーミック接触およびAlGaNバリア層7とドレイン電極12とのオーミック接触が得られる。
次に、AlGaNバリア層7上に、プラズマCVD等の公知の方法でSiNからなる絶縁膜20を形成する。なお、ソース電極11、ドレイン電極12、ゲート電極13および絶縁膜20を形成する順番は、特に限定されず、絶縁膜20を先に形成してもよい。
上記HFETにおいて、GaN層6とAlGaNバリア層7との界面に形成された2次元電子ガス(2DEG)が発生してチャネル層が形成される。このチャネル層をゲート電極13に電圧を印加することにより制御して、ソース電極11とドレイン電極12とゲート電極13を有するHFETをオンオフさせる。このHFETは、ゲート電極13に負電圧が印加されているときにゲート電極13下のGaN層6に空乏層が形成されてオフ状態となる一方、ゲート電極13の電圧がゼロのときにゲート電極13下のGaN層6に空乏層がなくなってオン状態となるノーマリーオンタイプのトランジスタである。
本発明者は、従来の窒化物半導体ウエハを用いてパワーデバイスであるHFETに必要な積層構造を作製して評価したところ、AlN層上の超格子バッファ層に耐圧不良の原因となるピットが形成されていることを発見した。この超格子バッファ層のピットの部分の膜厚が薄くなっているため、絶縁破壊により耐圧不良を起こしていることが分かった。
さらに、詳しく分析した結果、超格子バッファ層のピットは、Si基板上のSiO2からなる残留物が起点となって超格子構造が崩れてピットができていることを見出した。このような欠陥は、超格子バッファのピットが超格子バッファ上に形成されるGaN層によって埋められてエピ最表面にピットが残らないため、表面検査器を用いて検出することは不可能であり、窒化物半導体ウエハを用いて製作したデバイスが耐圧不良となるか否かは、耐圧試験前の表面検査で把握することはできない。
このような窒化物半導体ウエハの超格子バッファ層のピットに起因する耐圧不良についての課題は、本発明者により初めて見出されたものであり、これまでにない全く新しい課題である。
図9は上記評価において用いられた窒化物半導体ウエハの要部の断面TEM像を示している。図9において、101はSi基板、102はAlN層、103は超格子バッファ層、104はGaN層およびAlGaNバリア層である。なお、105および106は、TEM試料加工時に形成された保護膜である。
図9に示すように、Si基板101上のSiO2からなる残留物(図9では見えない)が起点となって、上側に成長させたAlN層102に第1のピットが形成されている。さらに、そのAlN層102上に成長させた超格子バッファ層103は、AlN層102の第1のピットの存在により積層構造が崩れて、第1のピットよりも大きい第2のピット103aが形成されている。
ここで、Si基板101上のSiO2からなる残留物は、Si基板表面を清浄化するため、先ずシリコン表面に酸化被膜を形成した後、この酸化被膜をフッ化水素酸で溶解除去するときに分解されずに表面に残ったものである。
このような窒化物半導体ウエハの欠陥は、高い耐圧(例えば400V以上)が必要なパワーデバイスを作製するのに用いる場合に特に問題となる。
本発明者は、このようなSi基板101上のSiO2からなる残留物によりAlN層にピットが形成される点に着目して、Si基板上に形成した複数のドットを利用することにより、転位密度を低減しつつ、AlN層上に形成されるGaN系半導体層にピットが形成されるのを防ぐことで、パワーデバイスの作製に適した高耐圧でかつ高品質な窒化物半導体ウエハを実現した。
また、上記窒化物半導体ウエハによれば、AlN層3上に横方向成長により形成されたGaN系半導体層4により、AlN層3のピット3aが埋められるかまたは覆われ、AlN層3のピット3a上側のGaN系半導体層4の領域の転位密度が低減されると共に、そのGaN系半導体層4上に超格子バッファ層5を形成することで、超格子バッファ層5にピットが形成されず、表面が平坦な超格子バッファ層5が得られる。
なお、上記窒化物半導体ウエハを用いて作製した半導体装置において、AlN層3上にGaN系半導体層4が横方向成長により形成されていることは、GaN系半導体層4がAlN層3のピット3aを全部または一部を埋めている要部の断面TEM像などを解析することにより立証することが可能である。
また、上記AlN層3に形成されたピット3aの開口部の最大幅を100nm以上にしたことによって、AlN層3上に形成されるGaN系半導体層4の転位密度を低減する顕著な効果が得られる。
また、上記GaN系半導体層4をGaN層とすることによって、GaN系半導体層4を制御性よく横方向成長させやすくなり、AlN層3に形成された複数のピット3aをGaN系半導体層4で確実に覆うことができ、GaN系半導体層4の表面の平坦化が容易にできる。
また、上記GaN系半導体層4上に超格子バッファ層5を形成した例えばパワーデバイスでは、AlN層3に形成された複数のピット3aの影響を受けず、超格子バッファ層5にピットが形成されないため、超格子バッファ層5による絶縁が確実に行われ、耐圧特性の良好なパワーデバイスを実現できる。
また、上記複数のドット2の密度を1×104個/cm2以上とすることによって、AlN層3上に形成されるGaN系半導体層4の転位密度を低減する効果が顕著になる。
また、上記複数のドット2にシリコン酸化物としてのSiO2を用いることによって、通常の製造プロセスによりSi基板1表面にSiO2膜を形成して、そのSiO2膜を加工することにより、微細なドット2を制御性よく所望の密度で形成することが可能になる。なお、この発明の窒化物半導体ウエハにおいて、シリコン酸化物はSiOなどでもよい。
また、Si基板1上に複数のドット2を形成する工程において、AlN層3を形成する次の工程でのピット3aの開口部の最大幅が100nm以上になるように、複数のドット2の外形の最大幅を設定することによって、AlN層3上に形成されるGaN系半導体層4の転位密度を低減する効果が顕著になると共に、AlN層3に形成されるピット3aの開口部の大きさを容易に制御できる。
上記実施形態の窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法を用いることによって、高耐圧なパワーデバイスを実現することができる。
上記実施の形態では、Si基板を用いた窒化物半導体ウエハについて説明したが、基板はこれに限らず、サファイア(C面,A面,R面)、SiC(6H,4H,3C)、GaN、AlN、スピネル、ZnO,GaAs,NGOなどの材料を用いてもよい。また、上記基板の面方位は特に限定されず、ジャスト基板(面方位が傾斜されていない基板)でもよいし、オフ角を付与した基板であってもよい。
また、上記実施の形態では、GaN系半導体層4上に超格子バッファ層5を形成している構造の窒化物半導体ウエハについて説明したが、GaN系半導体層4とGaN層6の形成前のいずれかの層間に複数層からなるAl組成の異なるAlGaN組成傾斜バッファ構造がウエハ反りを軽減するために形成されていても構わない。このようなAlGaN組成傾斜バッファ構造は、例えば、GaN系半導体層4と超格子バッファ層5との間に、Al0.7Ga0.3N、Al0.4Ga0.6N、およびAl0.1Ga0.9Nが順に形成され、AlxGa1−xNのAl組成xがSi基板側(GaN系半導体層4側)に大きく、超格子バッファ層5側に順に小さく形成することで、基板反りを緩和することができる。
上記組成傾斜バッファ構造の形成方法は、例えば、成長温度を1150℃、成長圧力を13.3kPaにし、TMA(トリメチルアルミニウム)流量=90.0sccm、TMG(トリメチルガリウム)流量=12.7sccm、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.7Ga0.3N層が400nmの厚さに堆積される。続いて、TMA流量=50.9sccm、TMG流量=22.1sccm、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.4Ga0.6N層が400nmの厚さに堆積され、さらにTMA流量=16.4sccm、TMG流量=30.4、およびNH3流量=12.5slmの条件下で、Al0.1Ga0.9N層が400nmの厚さに堆積される。これによって、組成傾斜バッファ構造が形成される。
この発明の窒化物半導体ウエハは、2DEGを利用するHFETの製作に用いたが、他の構成の電界効果トランジスタなどの半導体装置であっても同様の効果が得られる。
この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。
1…Si基板
2…ドット
3…AlN層
3a…ピット
4…GaN系半導体層
5…超格子バッファ層
6…GaN層
7…AlGaNバリア層
10…非晶質AlN
11…ソース電極
12…ドレイン電極
13…ゲート電極
20…絶縁膜
2…ドット
3…AlN層
3a…ピット
4…GaN系半導体層
5…超格子バッファ層
6…GaN層
7…AlGaNバリア層
10…非晶質AlN
11…ソース電極
12…ドレイン電極
13…ゲート電極
20…絶縁膜
Claims (11)
- Si基板と、
上記Si基板上に形成された複数のドットと、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上に形成されたAlN層と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の少なくとも一部を埋めるように、あるいは上記ピットを覆うように、上記AlN層上に形成されたGaN系半導体層と
を備えたことを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1に記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記GaN系半導体層は、上記AlN層上に横方向成長により形成されていることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1または2に記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記AlN層に形成された上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上であることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記GaN系半導体層はGaN層であることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1から4までのいずれか1つに記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1から5までのいずれか1つに記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記複数のドットの密度は1×104個/cm2以上であることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - 請求項1から6までのいずれか1つに記載の窒化物半導体ウエハにおいて、
上記複数のドットは、シリコン酸化物とFeまたはCrのうちの少なくとも1つからなるドットであることを特徴とする窒化物半導体ウエハ。 - Si基板上に複数のドットを形成する工程と、
上記複数のドットの夫々の上側にピットが形成されるように、上記Si基板上にAlN層をエピタキシャル成長により形成する工程と、
上記AlN層に形成された上記ピット内の全部または一部を埋めるように、上記AlN層上にエピタキシャル成長によりGaN系半導体層を形成する工程と
を有することを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。 - 請求項8に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法において、
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程において、上記GaN系半導体層を横方向成長により形成することを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。 - 請求項8または9に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法において、
上記Si基板上に上記複数のドットを形成する工程において、上記AlN層を形成する次の工程で上記ピットの開口部の最大幅が100nm以上になるように、上記複数のドットの外形の最大幅を設定していることを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。 - 請求項8から10までのいずれか1つに記載の窒化物半導体ウエハの製造方法において、
上記AlN層上に上記GaN系半導体層を形成する工程の後、上記GaN系半導体層上に超格子バッファ層をエピタキシャル成長により形成する工程を有することを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。
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JP2012009256A JP2013147383A (ja) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | 窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法 |
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WO2023145799A1 (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 京セラ株式会社 | 半導体基板の製造方法および製造装置、並びに制御装置 |
-
2012
- 2012-01-19 JP JP2012009256A patent/JP2013147383A/ja active Pending
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