JP2013145964A - Piezoelectric device and manufacturing method of piezoelectric device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device in which a metal cover body can be prevented from being displaced, and a manufacturing method of the piezoelectric device.SOLUTION: A piezoelectric device (200) comprises a ceramic base plate (220) including a first face and a second face at an opposite side, a piezoelectric oscillation piece (130) mounted on the first face, and a metal cover body (110) which is metallic, having a wall surface (112) extending from a ceiling face (113) so as to cover the piezoelectric oscillation piece. In the piezoelectric device, the ceramic base plate includes a protruding part (225) formed around the first face and protruding from the first face, a connecting electrode (121) formed inside of the protruding part and electrically connected to the piezoelectric oscillation piece, an external electrode (224) formed on the second face, and a wiring electrode (222) extending from the connecting electrode to an external electrode. The metal cover body is disposed so as to bring a terminal portion of its wall surface into contact with the protruding part, and the terminal portion of the wall surface and the protruding part are sealed by a sealing material.

Description

本願発明は、セラミック母基板を使用した圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関し、詳しくは、セラミック母基板に複数の圧電振動片を載置し、さらに圧電振動片をカバーする複数の金属カバー体を載置して製造される圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a piezoelectric device using a ceramic mother substrate and a method for manufacturing the piezoelectric device. More specifically, a plurality of piezoelectric vibrating pieces are placed on a ceramic mother substrate, and a plurality of metal cover bodies covering the piezoelectric vibrating pieces are further provided. The present invention relates to a piezoelectric device manufactured by mounting and a method for manufacturing the piezoelectric device.

量産性を高めるため、セラミック母基板を使って製造される圧電デバイスが提案されている。例えば、特許文献1の製造方法は、セラミック母基板に金属ペーストを印刷し且つ焼成することで、接続電極を形成する。そして、この製造方法は、圧電振動片を接続電極に搭載して、圧電振動片を金属カバー体で覆い、金属カバー体とセラミック母基板とを非導電性の封止材で接合している。その後、セラミック母基板に形成されているブレイクラインで、セラミック母基板から切り取ることで、数百個から数千個の圧電デバイスが完成する。   In order to increase mass productivity, a piezoelectric device manufactured using a ceramic mother substrate has been proposed. For example, the manufacturing method of Patent Document 1 forms a connection electrode by printing and baking a metal paste on a ceramic mother substrate. In this manufacturing method, the piezoelectric vibrating piece is mounted on the connection electrode, the piezoelectric vibrating piece is covered with the metal cover body, and the metal cover body and the ceramic mother substrate are joined with a non-conductive sealing material. Thereafter, by cutting from the ceramic mother substrate at a break line formed on the ceramic mother substrate, hundreds to thousands of piezoelectric devices are completed.

特開2011−211681号公報JP 2011-211681 A

しかし、セラミック母基板単体の反り、セラミック母基板内の個片領域を特定するブレイクラインの歪み、金属カバー体の精度のバラツキ、又は封止材の塗布量過多などが生じる。これらの要因により、個片領域内での金属カバー体の位置ズレ、ブレイクラインへの封止材の流れ込みなどが生じてしまい、不良製品を製造してしまうことがある。さらに、圧電デバイスの小型化を考慮した場合、隣接する金属カバー体同士のクリアランスはますます狭くなり、金属カバー体の搭載装置の搭載精度又は封止材の塗布量の制御技術なども限界になっている。   However, warpage of the ceramic mother substrate alone, distortion of break lines that specify individual regions in the ceramic mother substrate, variation in accuracy of the metal cover body, or excessive application amount of the sealing material may occur. Due to these factors, misalignment of the metal cover body in the individual piece region, flow of the sealing material into the break line, and the like may occur, and a defective product may be manufactured. Furthermore, when considering miniaturization of the piezoelectric device, the clearance between adjacent metal cover bodies becomes narrower, and the mounting accuracy of the metal cover mounting device or the technology for controlling the coating amount of the sealing material is limited. ing.

本発明は、金属カバー体のずれを防ぐことができる圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the manufacturing method of a piezoelectric device and a piezoelectric device which can prevent the shift | offset | difference of a metal cover body.

第1観点の圧電デバイスは、第1面及びその反対側の第2面を含むセラミックベース板と、第1面に載置される圧電振動片と、圧電振動片を覆うように天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体と、を有する表面実装型の圧電デバイスである。この圧電デバイスは、セラミックベース板が、第1面の周囲に形成され第1面から突出した突起部と、突起部の内側に形成され圧電振動片に電気的に接続する接続電極と、第2面に形成された外部電極と、接続電極から外部電極まで伸びる配線電極とを有し、金属カバー体の壁面の端部が突起部に接するように配置され、壁面の端部と突起部とが封止材によって封止されている。   A piezoelectric device according to a first aspect extends from a ceiling surface so as to cover a ceramic base plate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, a piezoelectric vibrating piece placed on the first surface, and the piezoelectric vibrating piece. A surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a curved wall surface. In this piezoelectric device, the ceramic base plate is formed around the first surface and protrudes from the first surface, the connection electrode formed inside the protrusion and electrically connected to the piezoelectric vibrating piece, the second An external electrode formed on the surface and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode, the end of the wall surface of the metal cover body is disposed so as to contact the protrusion, and the end of the wall and the protrusion are It is sealed with a sealing material.

第2観点の圧電デバイスにおいて、金属カバー体の端部が壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、フランジが突起部の内側に配置される。   In the piezoelectric device according to the second aspect, the end portion of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface, and the flange is disposed inside the protrusion.

第3観点の圧電デバイスにおいて、金属カバー体の端部が壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、フランジが突起部の外側に配置される。   In the piezoelectric device according to the third aspect, the end of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface, and the flange is disposed outside the protrusion.

第4観点の圧電デバイス、突起部が配線電極を避けた位置に形成され、金属カバー体の端部に位置する配線電極の上に絶縁層が形成される。   The piezoelectric device according to the fourth aspect, the protrusion is formed at a position avoiding the wiring electrode, and the insulating layer is formed on the wiring electrode positioned at the end of the metal cover body.

第5観点の圧電デバイスは、第1面及びその反対側の第2面を含むセラミックベース板と、第1面に載置される圧電振動片と、圧電振動片を覆うように天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体と、を有する表面実装型の圧電デバイスである。この圧電デバイスは、セラミックベース板が、第1面の周囲に第1面から凹むように形成された所定幅の環状溝と、環状溝の環状内に形成され圧電振動片に電気的に接続する接続電極と、第2面に形成された外部電極と、接続電極から外部電極まで伸びる配線電極とを有している。また、金属カバー体の壁面の端部が環状溝に配置され、壁面の端部と環状溝とが封止材によって封止されている。   A piezoelectric device of a fifth aspect extends from a ceiling surface so as to cover a ceramic base plate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, a piezoelectric vibrating piece placed on the first surface, and the piezoelectric vibrating piece. A surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a curved wall surface. In this piezoelectric device, the ceramic base plate has an annular groove having a predetermined width formed so as to be recessed from the first surface around the first surface, and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece formed in the annular groove. It has a connection electrode, an external electrode formed on the second surface, and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode. Moreover, the edge part of the wall surface of a metal cover body is arrange | positioned at the annular groove, and the edge part and annular groove of the wall surface are sealed with the sealing material.

第6観点の圧電デバイスにおいて、金属カバー体の端部が壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、フランジの幅が環状溝の所定幅よりも短く形成される。   In the piezoelectric device according to the sixth aspect, the end portion of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface, and the width of the flange is shorter than the predetermined width of the annular groove.

第7観点の圧電デバイスの製造方法は、天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体を有する表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、第1面及びその反対側の第2面を含むシート状のセラミック生地に、個々のセラミックベース板の領域を特定するブレイクラインと、当該領域の角部に第1面から第2面に貫通する貫通孔と、ブレイクラインの内側で第1面に第1面から突出した突起部とを形成した後に焼成して、シート状のセラミック母基板を形成する工程と、金属ペーストを塗布し且つ焼成して、突起部の内側に圧電振動片に電気的に接続する接続電極、第2面に外部電極、及び接続電極から外部電極に伸びる配線電極を形成する工程と、圧電振動片を接続電極に載置する工程と、セラミック母基板に封止材を塗布する工程と、金属カバー体を突起部に沿って配置し、金属カバー板と突起部とを封止材で封止する工程と、を備える。   A method for manufacturing a piezoelectric device according to a seventh aspect is a method for manufacturing a surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a wall surface extending from a ceiling surface, and includes a first surface and a second surface on the opposite side. A sheet-like ceramic fabric including a surface, a break line for specifying an area of each ceramic base plate, a through-hole penetrating from the first surface to the second surface at a corner of the region, and a first inside the break line. A step of forming a protrusion protruding from the first surface on one side and then firing to form a sheet-like ceramic mother substrate, and applying and firing a metal paste, a piezoelectric vibrating piece inside the protrusion A connection electrode electrically connected to the substrate, an external electrode on the second surface, a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode, a step of placing the piezoelectric vibrating reed on the connection electrode, and a ceramic mother substrate Apply a stop material Comprising a degree, a metal cover arranged along the protruding portion, and the step of sealing the the protrusion metal cover plate with a sealing material, a.

第8観点の圧電デバイスの製造方法は、第7観点のセラミック母基板を形成する工程において、金型をセラミック生地に押すことで、ブレイクライン、貫通孔、及び突起部を形成する。   In the method of manufacturing the piezoelectric device according to the eighth aspect, in the step of forming the ceramic mother substrate according to the seventh aspect, the break line, the through hole, and the protrusion are formed by pushing the mold against the ceramic cloth.

第9観点の圧電デバイスの製造方法は、天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体を有する表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、第1面及びその反対側の第2面を含むシート状のセラミック生地に、個々のセラミックベース板の領域を特定するブレイクラインと、当該領域の角部に第1面から第2面に貫通する貫通孔と、ブレイクラインの内側で第1面に第1面から凹むように形成された所定幅の環状溝とを形成した後に焼成してシート状のセラミック母基板を形成する工程と、金属ペーストを塗布し且つ焼成して、環状溝の内側に圧電振動片に電気的に接続する接続電極、第2面に外部電極、及び接続電極から外部電極に伸びる配線電極を形成する工程と、圧電振動片を接続電極に載置する工程と、セラミック母基板に封止材を塗布する工程と、金属カバー体の端部が環状溝に入るように配置し、金属カバー体の端部と環状溝と封止材で封止する工程と、を備える。   A method for manufacturing a piezoelectric device according to a ninth aspect is a method for manufacturing a surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a wall surface extending from a ceiling surface, and includes a first surface and a second surface on the opposite side. A sheet-like ceramic fabric including a surface, a break line for specifying an area of each ceramic base plate, a through-hole penetrating from the first surface to the second surface at a corner of the region, and a first inside the break line. Forming an annular groove having a predetermined width formed on one surface so as to be recessed from the first surface, followed by firing to form a sheet-like ceramic mother substrate; applying and firing a metal paste; Forming a connection electrode electrically connected to the piezoelectric vibrating piece inside, an external electrode on the second surface, and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode; and a step of placing the piezoelectric vibrating piece on the connection electrode; Ceramic mother board And a step of applying a sealant, a step of end of the metal cover body is arranged to enter the annular groove, for sealing the end portion and the annular groove and the sealing material of the metal cover body.

第10観点の圧電デバイスの製造方法は、第9観点のセラミック母基板を形成する工程において、金型をセラミック生地に押すことで、ブレイクライン、貫通孔、及び環状溝を形成する。   In the method for manufacturing a piezoelectric device according to the tenth aspect, in the step of forming the ceramic mother substrate according to the ninth aspect, the break line, the through hole, and the annular groove are formed by pushing the mold against the ceramic cloth.

本発明の圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法によれば、圧電デバイスの金属カバー体のずれを防ぐことができる。   According to the piezoelectric device and the manufacturing method of the piezoelectric device of the present invention, it is possible to prevent the metal cover body of the piezoelectric device from shifting.

圧電デバイス100の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 100. FIG. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 圧電デバイス100の製造方法が示されたフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the piezoelectric device 100. セラミック母基板W120を形成する工程が示されたフローチャートである。5 is a flowchart illustrating a process of forming a ceramic mother substrate W120. (a)は、ブレイクライン171、貫通孔123、及び環状溝125が形成されたセラミック生地の部分平面図である。 (b)は、図5(a)のB−B断面図である。(A) is a partial top view of the ceramic fabric | dye in which the break line 171, the through-hole 123, and the annular groove | channel 125 were formed. (B) is BB sectional drawing of Fig.5 (a). (a)は、電極が形成されたセラミック母基板W120の部分断面図である。 (b)は、圧電振動片130が載置されたセラミック母基板W120の部分断面図である。 (c)は、封止材142が塗布されたセラミック母基板W120の部分断面図である。 (d)は、金属カバー体110が載置されたセラミック母基板W120の部分断面図である。(A) is a fragmentary sectional view of ceramic mother board W120 in which an electrode was formed. FIG. 5B is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 on which the piezoelectric vibrating piece 130 is placed. (C) is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 to which the sealing material 142 is applied. FIG. 4D is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 on which the metal cover body 110 is placed. 圧電デバイス200の分解斜視図である。2 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 200. FIG. 図7のC−C断面図である。It is CC sectional drawing of FIG. (a)は、ブレイクライン171、貫通孔229、及び突起部225が形成されたセラミック生地の部分平面図である。 (b)は、図9(a)のD−D断面図である。(A) is a partial top view of the ceramic fabric | dye in which the break line 171, the through-hole 229, and the projection part 225 were formed. (B) is DD sectional drawing of Fig.9 (a). (a)は、電極が形成されたセラミック母基板W220の拡大平面図である。 (b)は、絶縁層228が形成されたセラミック母基板W220の拡大平面図である。 (c)は、金属カバー体110が載置されたセラミック母基板W220の部分断面図である。(A) is an enlarged plan view of the ceramic mother substrate W220 on which electrodes are formed. (B) is an enlarged plan view of a ceramic mother substrate W220 on which an insulating layer 228 is formed. (C) is a partial cross-sectional view of the ceramic mother board W220 on which the metal cover body 110 is placed. 圧電デバイス300の分解斜視図である。3 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 300. FIG. 図11のE−E断面図である。It is EE sectional drawing of FIG.

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、本発明は、これらの形態に限られるものではない。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following description, the present invention is not limited to these embodiments unless otherwise specified to limit the present invention.

(第1実施形態)
<圧電デバイス100の構成>
図1は、圧電デバイス100の分解斜視図である。圧電デバイス100は、金属カバー体110と、セラミックベース板120と、圧電振動片130と、により構成されている。圧電振動片130には例えばATカットの水晶振動片が用いられる。ATカットの水晶振動片は、主面(YZ面)が結晶軸(XYZ)のY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。以下の説明では、ATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス100においては圧電デバイス100の長辺方向をX軸方向、圧電デバイス100の高さ方向をY’軸方向、X及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。
(First embodiment)
<Configuration of Piezoelectric Device 100>
FIG. 1 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 100. The piezoelectric device 100 includes a metal cover body 110, a ceramic base plate 120, and a piezoelectric vibrating piece 130. As the piezoelectric vibrating piece 130, for example, an AT-cut crystal vibrating piece is used. The AT-cut quartz crystal resonator element has a principal surface (YZ plane) inclined with respect to the Y axis of the crystal axis (XYZ) by 35 degrees 15 minutes from the Z axis in the Y axis direction around the X axis. In the following description, the new axes tilted with respect to the axial direction of the AT-cut quartz crystal vibrating piece are used as the Y ′ axis and the Z ′ axis. That is, in the piezoelectric device 100, the long side direction of the piezoelectric device 100 is described as the X-axis direction, the height direction of the piezoelectric device 100 is defined as the Y′-axis direction, and the direction perpendicular to the X and Y′-axis directions is described as the Z′-axis direction. .

圧電デバイス100では、セラミックベース板120の+Y’軸側の面に圧電振動片130が載置される。さらに圧電振動片130を密封するように金属カバー体110がセラミックベース板120の+Y’軸側の面に封止材142(図2参照)を介して接合されることにより圧電デバイス100が形成される。圧電デバイス100は、プリント基板等に実装される表面実装型の圧電デバイスである。   In the piezoelectric device 100, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the surface on the + Y′-axis side of the ceramic base plate 120. Furthermore, the piezoelectric device 100 is formed by bonding the metal cover body 110 to the surface on the + Y′-axis side of the ceramic base plate 120 via the sealing material 142 (see FIG. 2) so as to seal the piezoelectric vibrating piece 130. The The piezoelectric device 100 is a surface-mount type piezoelectric device mounted on a printed circuit board or the like.

金属カバー体110は、−Y’軸側の面に+Y’軸方向に凹んだ凹部111を有する箱型形状に形成されている。また、金属カバー体110は、凹部111を囲む4枚の壁面112と、各壁面112の+Y’軸側の辺に接合されている天井面113と、各壁面112の−Y’軸側の辺に、壁面112から外側に折れ曲がるように鍔状に形成されるフランジ114と、により構成されている。   The metal cover body 110 is formed in a box shape having a recess 111 that is recessed in the + Y′-axis direction on the surface at the −Y′-axis side. Further, the metal cover body 110 includes four wall surfaces 112 surrounding the recess 111, a ceiling surface 113 joined to the + Y′-axis side of each wall surface 112, and a −Y′-axis side of each wall surface 112. The flange 114 is formed in a bowl shape so as to be bent outward from the wall surface 112.

圧電振動片130において、+Y’軸側及び−Y’軸側の面に励振電極131が形成されており、それぞれ引出電極132が各励振電極131から引き出されている。圧電振動片130の+Y’軸側の面に形成されている励振電極131からは引出電極132がX軸側に引き出され、さらに引出電極132が圧電振動片130の−Z’軸側の側面を介して−Y’軸側の面に引き出されている。また、圧電振動片130の−Y’軸側の面に形成されている励振電極131から引き出される引出電極132は、励振電極131から−X軸側に伸び、さらに圧電振動片130の+Z’軸側の側面を介して+Y’軸側の面にまで引き出されている。   In the piezoelectric vibrating piece 130, excitation electrodes 131 are formed on surfaces on the + Y′-axis side and the −Y′-axis side, and extraction electrodes 132 are extracted from the excitation electrodes 131, respectively. From the excitation electrode 131 formed on the surface at the + Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, the extraction electrode 132 is drawn out to the X-axis side, and the extraction electrode 132 further extends to the −Z′-axis side surface of the piezoelectric vibrating piece 130. Through the surface on the −Y′-axis side. The extraction electrode 132 drawn from the excitation electrode 131 formed on the surface of the piezoelectric vibrating piece 130 on the −Y ′ axis side extends from the excitation electrode 131 to the −X axis side, and further, the + Z ′ axis of the piezoelectric vibrating piece 130. It is pulled out to the surface on the + Y′-axis side through the side surface on the side.

+Y’軸側の面に一対の接続電極121が、セラミックベース板120に形成されている。各接続電極121は、導電性接着剤141(図2参照)を介して圧電振動片130の各引出電極132に電気的に接続される。また、一対の外部電極124が、セラミックベース板120の−Y’軸側の面に形成される。セラミックベース板120をY’軸方向に貫通する一対の貫通孔123がセラミックベース板120に形成されており、一対の接続電極121と一対の外部電極124とはそれぞれ各貫通孔123を介して形成される一対の配線電極122により電気的に接続される。また、セラミックベース板120の+Y’軸側の面に形成される電極の全体を囲むように、−Y’軸側に凹んだ環状溝125が、セラミックベース板120の+Y’軸側の面に形成されている。環状溝125は、金属カバー体110の壁面112の−Y’軸側の辺及びフランジ114が収まる大きさに形成されている。すなわち、フランジ114の幅は環状溝125の溝の幅よりも短く形成されている。   A pair of connection electrodes 121 is formed on the ceramic base plate 120 on the surface at the + Y′-axis side. Each connection electrode 121 is electrically connected to each extraction electrode 132 of the piezoelectric vibrating piece 130 via a conductive adhesive 141 (see FIG. 2). A pair of external electrodes 124 is formed on the surface at the −Y′-axis side of the ceramic base plate 120. A pair of through holes 123 penetrating the ceramic base plate 120 in the Y′-axis direction are formed in the ceramic base plate 120, and the pair of connection electrodes 121 and the pair of external electrodes 124 are formed through the respective through holes 123. The pair of wiring electrodes 122 are electrically connected. In addition, an annular groove 125 recessed to the −Y′-axis side so as to surround the entire electrode formed on the + Y′-axis side surface of the ceramic base plate 120 is formed on the + Y′-axis side surface of the ceramic base plate 120. Is formed. The annular groove 125 is formed in such a size that the side of the wall surface 112 of the metal cover body 110 on the −Y′-axis side and the flange 114 can be accommodated. That is, the width of the flange 114 is shorter than the width of the groove of the annular groove 125.

図2は、図1のA−A断面図である。圧電振動片130が、セラミックベース板120の+Y’軸側の面に載置されている。圧電振動片130の引出電極132とセラミックベース板120の接続電極121とは導電性接着剤141を介して電気的に接続されている。これにより、圧電振動片130の励振電極131は外部電極124に電気的に接続される。また、金属カバー体110がセラミックベース板120の環状溝125に封止材142を介して載置されている。これにより金属カバー体110と環状溝125とが封止され、圧電振動片130は凹部111内に密封されることになる。圧電デバイス100は、外部電極124にハンダなどで、プリント基板などに実装される。   FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the surface on the + Y′-axis side of the ceramic base plate 120. The extraction electrode 132 of the piezoelectric vibrating piece 130 and the connection electrode 121 of the ceramic base plate 120 are electrically connected via a conductive adhesive 141. Thereby, the excitation electrode 131 of the piezoelectric vibrating piece 130 is electrically connected to the external electrode 124. Further, the metal cover body 110 is placed in the annular groove 125 of the ceramic base plate 120 via the sealing material 142. As a result, the metal cover body 110 and the annular groove 125 are sealed, and the piezoelectric vibrating piece 130 is sealed in the recess 111. The piezoelectric device 100 is mounted on a printed circuit board or the like by soldering the external electrode 124.

<圧電デバイス100の製造方法>
図3は、圧電デバイス100の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図3のフローチャートを参照して圧電デバイス100の製造方法について説明する。
<Method for Manufacturing Piezoelectric Device 100>
FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the piezoelectric device 100. Below, the manufacturing method of the piezoelectric device 100 is demonstrated with reference to the flowchart of FIG.

ステップS101では、圧電振動片130が用意される。圧電振動片130は、圧電材により形成される圧電ウエハ(不図示)に複数の圧電振動片130が形成され、各圧電振動片130が圧電ウエハから分離されることにより用意される。   In step S101, the piezoelectric vibrating piece 130 is prepared. The piezoelectric vibrating piece 130 is prepared by forming a plurality of piezoelectric vibrating pieces 130 on a piezoelectric wafer (not shown) formed of a piezoelectric material and separating each piezoelectric vibrating piece 130 from the piezoelectric wafer.

ステップS201では、セラミック母基板W120が用意される。セラミック母基板W120は、複数のセラミックベース板120が形成される基板である。図4を参照して、ステップS201についてさらに詳しく説明する。   In step S201, a ceramic mother substrate W120 is prepared. The ceramic mother substrate W120 is a substrate on which a plurality of ceramic base plates 120 are formed. With reference to FIG. 4, step S201 will be described in more detail.

図4は、セラミック母基板W120を形成する工程が示されたフローチャートである。すなわち、ステップS201では図4に示されるフローチャートを経ることでセラミック母基板W120が用意される。   FIG. 4 is a flowchart illustrating a process of forming the ceramic mother substrate W120. That is, in step S201, the ceramic mother substrate W120 is prepared through the flowchart shown in FIG.

図4のステップS501では、シート状のセラミック生地C120が用意される。   In step S501 of FIG. 4, a sheet-shaped ceramic fabric C120 is prepared.

ステップS502では、セラミックベース板に環状溝125が形成されるか否か判断される。環状溝125が形成される場合にはステップS503へ進み、環状溝125が形成されない場合はステップS504へ進む。この第1実施形態では環状溝125が形成されるステップS503が説明され、環状溝125が形成されないステップS504は第2実施形態において説明される。   In step S502, it is determined whether or not the annular groove 125 is formed in the ceramic base plate. When the annular groove 125 is formed, the process proceeds to step S503, and when the annular groove 125 is not formed, the process proceeds to step S504. In the first embodiment, step S503 in which the annular groove 125 is formed is described, and step S504 in which the annular groove 125 is not formed is described in the second embodiment.

ステップS503では、セラミック生地C120にブレイクライン171、貫通孔123、及び環状溝125が形成される。ブレイクライン171(図5(a)参照)は、後述のステップS404でセラミック母基板W120を分割するための線である。   In step S503, the break line 171, the through hole 123, and the annular groove 125 are formed in the ceramic fabric C120. The break line 171 (see FIG. 5A) is a line for dividing the ceramic mother substrate W120 in step S404 described later.

図5(a)は、ブレイクライン171、貫通孔123、及び環状溝125が形成されたセラミック生地C120の部分平面図である。図5(a)のセラミック生地C120には、ステップS503で形成されるブレイクライン171、貫通孔123、及び環状溝125が示されている。ブレイクライン171は、例えばセラミック生地の+Y’軸側の面に切り込みが入れられ、X軸方向及びZ’軸方向に伸びて形成される線である。ブレイクライン171ではセラミック母基板W120が分割され易くなっている。ブレイクライン171により囲まれた領域は1つのセラミックベース板120が形成される、すなわち、ブレイクライン171は隣接するセラミックベース板120の境界に形成されている。   FIG. 5A is a partial plan view of the ceramic fabric C120 in which the break line 171, the through hole 123, and the annular groove 125 are formed. A break line 171, a through-hole 123, and an annular groove 125 formed in step S <b> 503 are shown in the ceramic fabric C <b> 120 in FIG. The break line 171 is, for example, a line formed by cutting a surface of the ceramic fabric on the + Y′-axis side and extending in the X-axis direction and the Z′-axis direction. In the break line 171, the ceramic mother substrate W120 is easily divided. One ceramic base plate 120 is formed in a region surrounded by the break line 171, that is, the break line 171 is formed at the boundary between adjacent ceramic base plates 120.

図5(b)は、図5(a)のB−B断面図である。図5(b)では、ブレイクライン171で挟まれた領域に1つのセラミックベース板120が形成されることになる。セラミック生地C120に形成されるブレイクライン171、貫通孔123、及び環状溝125は、セラミック生地C120を金型で押すことにより形成される。   FIG.5 (b) is BB sectional drawing of Fig.5 (a). In FIG. 5B, one ceramic base plate 120 is formed in a region sandwiched by the break lines 171. The break line 171, the through hole 123, and the annular groove 125 formed in the ceramic fabric C120 are formed by pressing the ceramic fabric C120 with a mold.

ステップS505では、セラミック生地C120が焼成される。セラミック生地C120は焼成されることにより固まってセラミック母基板W120になる。ステップS505のセラミックの焼成は、例えば1500〜1600℃の温度で行われる。ステップS503からステップS505は、シート状のセラミック母基板を形成する工程である。   In step S505, the ceramic fabric C120 is fired. The ceramic dough C120 is hardened by firing and becomes a ceramic mother substrate W120. The firing of the ceramic in step S505 is performed at a temperature of 1500 to 1600 ° C., for example. Steps S503 to S505 are processes for forming a sheet-shaped ceramic mother substrate.

図3に戻って、ステップS202では、セラミック母基板W120に電極が形成される。ステップS202で形成される電極は、接続電極121、外部電極124、及び配線電極122である。ステップS202は、配線電極を形成する工程である。   Returning to FIG. 3, in step S202, electrodes are formed on the ceramic mother substrate W120. The electrodes formed in step S202 are the connection electrode 121, the external electrode 124, and the wiring electrode 122. Step S202 is a process of forming a wiring electrode.

図6(a)は、電極が形成されたセラミック母基板W120の部分断面図である。セラミック母基板W120には、外部電極124、配線電極122、及び接続電極121が形成される。これらの電極は、例えばAgPd合金の金属ペーストをセラミック母基板W120に塗布又は印刷し、約850℃で焼成することにより形成することができる。また、貫通孔123はステップS202において配線電極122により封止される。   FIG. 6A is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 on which electrodes are formed. External electrodes 124, wiring electrodes 122, and connection electrodes 121 are formed on the ceramic mother substrate W120. These electrodes can be formed, for example, by applying or printing a metal paste of AgPd alloy on the ceramic mother substrate W120 and firing at about 850 ° C. The through hole 123 is sealed with the wiring electrode 122 in step S202.

ステップS301では、金属カバー体110が用意される。ステップS301では、作製される圧電デバイス100の個数の金属製の金属カバー体110が用意される。金属カバー体110には、例えば、鉄にニッケル及びコバルトを配合した合金であるコバールなどが用いられる。   In step S301, the metal cover body 110 is prepared. In step S301, the metal cover bodies 110 made of metal for the number of piezoelectric devices 100 to be manufactured are prepared. For the metal cover 110, for example, Kovar, which is an alloy in which nickel and cobalt are mixed with iron, is used.

ステップS401では、圧電振動片130がセラミック母基板W120上に載置される。ステップS401は、圧電振動片を接続電極に載置する工程である。   In step S401, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the ceramic mother substrate W120. Step S401 is a process of placing the piezoelectric vibrating piece on the connection electrode.

図6(b)は、圧電振動片130が載置されたセラミック母基板W120の部分断面図である。圧電振動片130は、セラミック母基板W120に形成されている接続電極121上に、導電性接着剤141を介して接合されている。ステップS401では、セラミック母基板W120に形成される接続電極121に導電性接着剤141が塗布され、圧電振動片130の引出電極132が導電性接着剤141を介して接続電極121に電気的に接続されるように圧電振動片130がセラミック母基板W120に載置される。   FIG. 6B is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 on which the piezoelectric vibrating piece 130 is placed. The piezoelectric vibrating piece 130 is bonded to the connection electrode 121 formed on the ceramic mother substrate W120 via the conductive adhesive 141. In step S401, the conductive adhesive 141 is applied to the connection electrode 121 formed on the ceramic mother substrate W120, and the lead electrode 132 of the piezoelectric vibrating piece 130 is electrically connected to the connection electrode 121 via the conductive adhesive 141. Thus, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the ceramic mother substrate W120.

ステップS402では、セラミック母基板W120に封止材142が塗布される。ステップS402は、セラミック母基板に封止材を塗布する工程である。   In step S402, the sealing material 142 is applied to the ceramic mother substrate W120. Step S402 is a process of applying a sealing material to the ceramic mother substrate.

図6(c)は、封止材142が塗布されたセラミック母基板W120の部分断面図である。封止材142はセラミック母基板W120の環状溝125の溝の中に塗布される。封止材142には、例えば、ポリイミド等の樹脂又は低融点ガラスなどを用いることができる。低融点ガラスには、例えば295℃前後が転移点で350℃前後が軟化点であるバナジウム系ガラスを用いることができる。   FIG. 6C is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 to which the sealing material 142 is applied. The sealing material 142 is applied in the groove of the annular groove 125 of the ceramic mother substrate W120. For the sealing material 142, for example, a resin such as polyimide or low-melting glass can be used. As the low melting point glass, for example, a vanadium glass having a transition point around 295 ° C. and a softening point around 350 ° C. can be used.

ステップS403では、セラミック母基板W120に金属カバー体110が載置され、金属カバー体110の−Y’軸側の端部と環状溝125とが封止材142で封止される。ステップS403は、金属カバー体110の端部が環状溝125に入るように配置し、金属カバー体110の端部と環状溝125と封止材142で封止する工程である。   In step S <b> 403, the metal cover body 110 is placed on the ceramic mother substrate W <b> 120, and the end portion on the −Y′-axis side of the metal cover body 110 and the annular groove 125 are sealed with the sealing material 142. Step S403 is a step of arranging the end portion of the metal cover body 110 so as to enter the annular groove 125, and sealing the end portion of the metal cover body 110, the annular groove 125, and the sealing material 142.

図6(d)は、金属カバー体110が載置されたセラミック母基板W120の部分断面図である。ステップS403では、金属カバー体110の−Y’軸側の端部がセラミック母基板W120の環状溝110に入るように載置される。さらに、封止材142が加温されて固化されることにより、金属カバー体110と環状溝125とが封止され、金属カバー体110の凹部111が密封される。   FIG. 6D is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W120 on which the metal cover body 110 is placed. In step S403, the metal cover body 110 is placed so that the end portion on the −Y′-axis side of the metal cover body 110 enters the annular groove 110 of the ceramic mother substrate W120. Furthermore, the sealing material 142 is heated and solidified, whereby the metal cover body 110 and the annular groove 125 are sealed, and the recess 111 of the metal cover body 110 is sealed.

ステップS404は、セラミック母基板W120がブレイクライン171で分割される。これにより、個々の圧電デバイス100が形成される。   In step S404, the ceramic mother substrate W120 is divided by the break line 171. Thereby, individual piezoelectric devices 100 are formed.

上記に示された圧電デバイス100の製造方法では、環状溝125が形成されて金属カバー体110を環状溝125に入れることにより、圧電デバイス100の製造途中において金属カバー体110がずれることを防いでいる。また、環状溝125に封止材142が塗布されることにより、圧電デバイス100の製造途中で封止材142がブレイクライン171にかかり、ステップS404における基板の分割が妨げられることがない。   In the manufacturing method of the piezoelectric device 100 shown above, the annular groove 125 is formed and the metal cover body 110 is put into the annular groove 125, thereby preventing the metal cover body 110 from being displaced during the manufacturing of the piezoelectric device 100. Yes. Further, since the sealing material 142 is applied to the annular groove 125, the sealing material 142 is applied to the break line 171 during the manufacturing of the piezoelectric device 100, and the division of the substrate in step S404 is not hindered.

(第2実施形態)
圧電デバイスのセラミックベース板には、環状溝の代わりに突起部が形成されることにより金属カバー体のずれが防止されても良い。以下に、セラミックベース板に突起部が形成された圧電デバイス200及び圧電デバイス300について説明する。また、以下の説明では、第1実施形態と同じ部分に関しては同じ符号を付してその説明を省略する。
(Second Embodiment)
The ceramic base plate of the piezoelectric device may be prevented from shifting the metal cover body by forming a protrusion instead of the annular groove. Hereinafter, the piezoelectric device 200 and the piezoelectric device 300 having protrusions formed on the ceramic base plate will be described. Moreover, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

<圧電デバイス200の構成>
図7は、圧電デバイス200の分解斜視図である。圧電デバイス200は、金属カバー体110と、圧電振動片130と、セラミックベース板220と、により構成されている。
<Configuration of Piezoelectric Device 200>
FIG. 7 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 200. The piezoelectric device 200 includes a metal cover body 110, a piezoelectric vibrating piece 130, and a ceramic base plate 220.

セラミックベース板220は、+Y’軸側の面に一対の接続電極121が形成されている。各接続電極121は、導電性接着剤141(図8参照)を介して圧電振動片130の引出電極132に接合される。また、セラミックベース板220の−Y’軸側の面には一対の外部電極224が形成されている。セラミックベース板220の四隅の側面にはセラミックベース板220の内側に凹んだキャスタレーション223が形成されており、一対の接続電極121と一対の外部電極224とはキャスタレーション223を介して形成される一対の配線電極222により電気的に接続されている。さらに、金属カバー体110の−Y’軸側の端面及びフランジ114がセラミックベース板220に接する領域及びその周囲には、絶縁層228が形成されている。絶縁層228は配線電極222の形成後に形成されるため、配線電極222の表面に絶縁層228が、絶縁層228と配線電極222とが交差する領域に形成される。絶縁層228で囲まれたセラミックベース板220上の領域の−X軸側の−Z’軸側の角の内側及び+X軸側の+Z’軸側の角の内側には突起部225が形成されている。   The ceramic base plate 220 has a pair of connection electrodes 121 formed on the surface at the + Y′-axis side. Each connection electrode 121 is joined to the extraction electrode 132 of the piezoelectric vibrating piece 130 via the conductive adhesive 141 (see FIG. 8). A pair of external electrodes 224 is formed on the surface of the ceramic base plate 220 on the −Y′-axis side. A castellation 223 recessed inward of the ceramic base plate 220 is formed on the side surfaces of the four corners of the ceramic base plate 220, and the pair of connection electrodes 121 and the pair of external electrodes 224 are formed via the castellation 223. They are electrically connected by a pair of wiring electrodes 222. Further, an insulating layer 228 is formed in the area where the end surface of the metal cover body 110 on the −Y′-axis side and the flange 114 are in contact with the ceramic base plate 220 and in the vicinity thereof. Since the insulating layer 228 is formed after the wiring electrode 222 is formed, the insulating layer 228 is formed on the surface of the wiring electrode 222 in a region where the insulating layer 228 and the wiring electrode 222 intersect. Protrusions 225 are formed on the inside of the corner on the −Z′-axis side on the −X-axis side and the inside of the + Z′-axis side on the + X-axis side in the region on the ceramic base plate 220 surrounded by the insulating layer 228. ing.

図8は、図7のC−C断面図である。セラミックベース板220の+Y’軸側の面には、圧電振動片130が載置されている。圧電振動片130の引出電極132とセラミックベース板220の接続電極121とは導電性接着剤141を介して電気的に接続され、これにより圧電振動片130の励振電極131が外部電極224に電気的に接続される。また、金属カバー体110とセラミックベース板220とが、封止材142を介して接合されている。壁面112の凹部111側の面が、セラミックベース板220の+Y’軸側の面の突起部225に接するように又は近接して配置されている。金属カバー体110の位置は、突起部225により固定されるため、X−Z’平面内で金属カバー体110の位置がずれない。また、圧電デバイス200では、絶縁層228が配線電極222と封止材142との間に形成されることにより、金属カバー体110と配線電極222との間の電気的絶縁が確保されている。   8 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. A piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the surface of the ceramic base plate 220 on the + Y′-axis side. The extraction electrode 132 of the piezoelectric vibrating piece 130 and the connection electrode 121 of the ceramic base plate 220 are electrically connected via the conductive adhesive 141, whereby the excitation electrode 131 of the piezoelectric vibrating piece 130 is electrically connected to the external electrode 224. Connected to. Further, the metal cover body 110 and the ceramic base plate 220 are joined via a sealing material 142. The surface on the recess 111 side of the wall surface 112 is disposed so as to be in contact with or close to the protrusion 225 on the surface on the + Y′-axis side of the ceramic base plate 220. Since the position of the metal cover body 110 is fixed by the protrusion 225, the position of the metal cover body 110 does not shift in the X-Z ′ plane. In the piezoelectric device 200, the insulating layer 228 is formed between the wiring electrode 222 and the sealing material 142, thereby ensuring electrical insulation between the metal cover body 110 and the wiring electrode 222.

<圧電デバイス200の製造方法>
圧電デバイス200は、図3に示されるフローチャートの方法により製造される。以下、図3を参照しながら圧電デバイス200の製造方法について説明する。
<Method for Manufacturing Piezoelectric Device 200>
The piezoelectric device 200 is manufactured by the method of the flowchart shown in FIG. Hereinafter, a method for manufacturing the piezoelectric device 200 will be described with reference to FIG.

ステップS101では圧電振動片130が用意され、ステップS201ではセラミック母基板W220が用意され、ステップS301では金属カバー体110が用意される。ステップS201に関しては、図4を参照して説明する。   In step S101, the piezoelectric vibrating piece 130 is prepared, in step S201, the ceramic mother board W220 is prepared, and in step S301, the metal cover body 110 is prepared. Step S201 will be described with reference to FIG.

図4のステップS501では、シート状のセラミック生地C220が用意され、ステップS502ではセラミックベース板に環状溝が形成されるかどうか判断される。圧電デバイス200では環状溝が形成されないため、ステップS504に進む。ステップS504では、セラミック生地C220にブレイクライン171、貫通孔229、及び突起部225などが形成される。   In step S501 of FIG. 4, a sheet-like ceramic fabric C220 is prepared. In step S502, it is determined whether or not an annular groove is formed on the ceramic base plate. Since the annular groove is not formed in the piezoelectric device 200, the process proceeds to step S504. In step S504, a break line 171, a through hole 229, a protrusion 225, and the like are formed on the ceramic fabric C220.

図9(a)は、ブレイクライン171、貫通孔229、及び突起部225が形成されたセラミック生地C220の部分平面図である。ステップS504では、セラミック生地C220にブレイクライン171、貫通孔229、及び突起部225が形成される。貫通孔229は、セラミック生地C220の各セラミックベース板220が形成される領域の角部、すなわち、X軸方向に伸びるブレイクライン171とZ’軸方向に伸びるブレイクライン171との交点に形成される。貫通孔229はセラミック母基板W220が後述のステップS404においてブレイクライン171で分割された後にキャスタレーション223(図7参照)となる。図9(a)では、金属カバー体110がセラミックベース板220に載置されるときに、凹部111の開口面がセラミックベース板220に重なる領域が点線174に囲まれて示されている。突起部225は、この点線174に囲まれた領域の+X軸側の+Z’軸側及び−X軸側の−Z’軸側の角に形成されている。   FIG. 9A is a partial plan view of the ceramic fabric C220 on which the break line 171, the through hole 229, and the protrusion 225 are formed. In step S504, the break line 171, the through-hole 229, and the projection part 225 are formed in the ceramic fabric C220. The through-hole 229 is formed at the corner of the region of the ceramic fabric C220 where each ceramic base plate 220 is formed, that is, at the intersection of the break line 171 extending in the X-axis direction and the break line 171 extending in the Z′-axis direction. . Through hole 229 becomes castellation 223 (see FIG. 7) after ceramic mother substrate W220 is divided by break line 171 in step S404 described later. In FIG. 9A, a region where the opening surface of the recess 111 overlaps the ceramic base plate 220 when the metal cover body 110 is placed on the ceramic base plate 220 is surrounded by a dotted line 174. The protrusions 225 are formed at the corners on the + Z′-axis side on the + X-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side of the region surrounded by the dotted line 174.

図9(b)は、図9(a)のD−D断面図である。貫通孔229はセラミック生地C220をY’軸方向に貫通する孔であり、突起部225はセラミック生地C220の+Y’軸側の面から+Y’軸方向に突出した部分である。このような貫通孔229、突起部225、及びブレイクライン171は、セラミック生地C220を金型で押すことにより形成される。   FIG.9 (b) is DD sectional drawing of Fig.9 (a). The through hole 229 is a hole that penetrates the ceramic fabric C220 in the Y′-axis direction, and the protrusion 225 is a portion that projects in the + Y′-axis direction from the surface on the + Y′-axis side of the ceramic fabric C220. Such through holes 229, protrusions 225, and break lines 171 are formed by pressing the ceramic fabric C220 with a mold.

ステップS505では、セラミック生地C220が焼成されることによりシート状のセラミック母基板W220になる。ステップS505の後、図3のステップS202においてセラミック母基板W220に電極が形成される。また圧電デバイス200の製造方法におけるステップS202では、電極が形成された後に絶縁層228が形成される。   In step S505, the ceramic dough C220 is fired to form a sheet-shaped ceramic mother substrate W220. After step S505, electrodes are formed on the ceramic mother substrate W220 in step S202 of FIG. In step S202 in the method for manufacturing the piezoelectric device 200, the insulating layer 228 is formed after the electrodes are formed.

図10(a)は、電極が形成されたセラミック母基板W220の拡大平面図である。図10(a)は、図9(a)の一点鎖線172で囲まれた領域に電極が形成された状態を示す。セラミック母基板W220の+Y’軸側の面には、接続電極121及び配線電極222が形成される。また、セラミック母基板W220の−Y’軸側の面には外部電極224(図8参照)が形成される。配線電極222は、貫通孔229の内壁にも形成され、接続電極121と外部電極224とを電気的に接続している。これらの電極は、第1実施形態において示された圧電デバイス100と同様に、金属ペーストをセラミック母基板W220に塗布又は印刷し、焼成することにより形成される。   FIG. 10A is an enlarged plan view of a ceramic mother substrate W220 on which electrodes are formed. FIG. 10A shows a state where an electrode is formed in a region surrounded by a one-dot chain line 172 in FIG. A connection electrode 121 and a wiring electrode 222 are formed on the surface on the + Y′-axis side of the ceramic mother substrate W220. An external electrode 224 (see FIG. 8) is formed on the surface of the ceramic mother substrate W220 on the −Y′-axis side. The wiring electrode 222 is also formed on the inner wall of the through hole 229 and electrically connects the connection electrode 121 and the external electrode 224. Similar to the piezoelectric device 100 shown in the first embodiment, these electrodes are formed by applying or printing a metal paste on the ceramic mother substrate W220 and baking it.

図10(b)は、絶縁層228が形成されたセラミック母基板W220の拡大平面図である。金属カバー体110がセラミック母基板W220に接合する領域及びその周囲に、絶縁層228が形成されている。封止材142(図8参照)のみでも金属カバー体110と配線電極222との間の電気的絶縁を形成することができるが、圧電デバイス200ではさらに絶縁層228が形成されることにより金属カバー体110と配線電極222との間の電気的絶縁をより確実にしている。   FIG. 10B is an enlarged plan view of the ceramic mother substrate W220 on which the insulating layer 228 is formed. An insulating layer 228 is formed in and around a region where the metal cover body 110 is bonded to the ceramic mother substrate W220. Although only the sealing material 142 (see FIG. 8) can form electrical insulation between the metal cover body 110 and the wiring electrode 222, the piezoelectric device 200 further includes an insulating layer 228 to form a metal cover. The electrical insulation between the body 110 and the wiring electrode 222 is further ensured.

図3に戻って、ステップS401では圧電振動片130がセラミック母基板W220に載置され、ステップS402ではセラミック母基板W220に封止材142が塗布され、ステップS403ではセラミック母基板W220に金属カバー体110が載置される。   Returning to FIG. 3, in step S401, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the ceramic mother substrate W220. In step S402, the sealing material 142 is applied to the ceramic mother substrate W220. In step S403, the metal cover body is applied to the ceramic mother substrate W220. 110 is placed.

図10(c)は、金属カバー体110が載置されたセラミック母基板W220の部分断面図である。図10(c)は、図9(a)のD−D断面を含む断面図である。ステップS402でセラミック母基板W220に塗布される封止材142は、絶縁層228の表面の一部に形成される。さらにステップS403において、金属カバー体110が封止材142の上に載置される。そのため、金属カバー体110と配線電極222との間には少なくとも絶縁層228及び封止材142が形成される。また、セラミック母基板W220には突起部225が形成されていることにより金属カバー体110がX―Z’平面内で固定されるため、金属カバー体110のずれによる不良品の発生が抑えられている。   FIG. 10C is a partial cross-sectional view of the ceramic mother substrate W220 on which the metal cover body 110 is placed. FIG.10 (c) is sectional drawing containing the DD cross section of Fig.9 (a). The sealing material 142 applied to the ceramic mother substrate W <b> 220 in step S <b> 402 is formed on a part of the surface of the insulating layer 228. In step S <b> 403, the metal cover body 110 is placed on the sealing material 142. Therefore, at least the insulating layer 228 and the sealing material 142 are formed between the metal cover body 110 and the wiring electrode 222. Further, since the metal cover body 110 is fixed in the XZ ′ plane by forming the protrusions 225 on the ceramic mother board W220, generation of defective products due to the displacement of the metal cover body 110 is suppressed. Yes.

<圧電デバイス300の構成>
密封された凹部111に突起部225が配置されることにより、突起部225は金属カバー体110のずれを防ぐ。しかし、突起部は金属カバー体110の外側に形成されても良い。以下に、金属カバー体110の外側に突起部が形成されている圧電デバイス300について説明する。また以下の説明では、圧電デバイス200及び電デバイス300と同じ部分に関しては同じ符号を付してその説明を省略する。
<Configuration of Piezoelectric Device 300>
By disposing the protrusion 225 in the sealed recess 111, the protrusion 225 prevents the metal cover body 110 from shifting. However, the protrusion may be formed outside the metal cover body 110. Below, the piezoelectric device 300 in which the protrusion part is formed in the outer side of the metal cover body 110 is demonstrated. Moreover, in the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as the piezoelectric device 200 and the electric device 300, and the description is abbreviate | omitted.

図11は、圧電デバイス300の分解斜視図である。圧電デバイス300は、金属カバー110と、圧電振動片130と、セラミックベース板320と、により構成されている。セラミックベース板320には、突起部325が形成されている。その他の構成はセラミックベース板220と同様である。図11のセラミックベース板320の+Y’軸側の面には、金属カバー体110のフランジ114の外周が重なる部分が点線173で示されている。すなわち、金属カバー体110はセラミックベース板320の点線173の内側に載置される。セラミックベース板320に形成されている突起部325は、点線173の+X軸側、−X軸側、+Z’軸側、及び−Z’軸側の外側であり、点線173に接する、又は点線173の近接に形成されている。   FIG. 11 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 300. The piezoelectric device 300 includes a metal cover 110, a piezoelectric vibrating piece 130, and a ceramic base plate 320. A protrusion 325 is formed on the ceramic base plate 320. Other configurations are the same as those of the ceramic base plate 220. On the surface at the + Y′-axis side of the ceramic base plate 320 of FIG. 11, a portion where the outer periphery of the flange 114 of the metal cover body 110 overlaps is indicated by a dotted line 173. That is, the metal cover body 110 is placed inside the dotted line 173 of the ceramic base plate 320. The protrusions 325 formed on the ceramic base plate 320 are outside the dotted line 173 on the + X axis side, the −X axis side, the + Z ′ axis side, and the −Z ′ axis side, and are in contact with the dotted line 173 or the dotted line 173. Are formed close to each other.

図12は、図11のE−E断面図である。圧電デバイス300は、圧電振動片130が導電性接着剤141を介してセラミックベース板320の接続電極121に載置され、金属カバー板110が封止材142を介してセラミックベース板320に載置されている。圧電デバイス300では、金属カバー板110が突起部325よりもセラミックベース板320の中央側に封止材142を介して載置されている。そのため、突起部325は、金属カバー体110の周囲を抑え、セラミックベース板320にずれて載置されることを防ぐ。圧電デバイス300は圧電デバイス200と同様の方法により製造される。圧電デバイス200と同様に突起部325は、製造工程中で金属カバー体110のずれに起因する不良品の発生を抑える。   12 is a cross-sectional view taken along the line E-E in FIG. 11. In the piezoelectric device 300, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the connection electrode 121 of the ceramic base plate 320 via the conductive adhesive 141, and the metal cover plate 110 is placed on the ceramic base plate 320 via the sealing material 142. Has been. In the piezoelectric device 300, the metal cover plate 110 is placed on the center side of the ceramic base plate 320 with respect to the protrusions 325 via the sealing material 142. Therefore, the protrusion 325 suppresses the periphery of the metal cover body 110 and prevents the protrusion from being shifted and placed on the ceramic base plate 320. The piezoelectric device 300 is manufactured by the same method as the piezoelectric device 200. Similar to the piezoelectric device 200, the protrusion 325 suppresses the generation of defective products due to the displacement of the metal cover body 110 during the manufacturing process.

圧電デバイス300では、突起部325が図11の点線173を囲むように壁状に形成されてもよい。このとき、封止材142は突起部325の外側へ流出しないため、圧電デバイス300の製造途中で封止材142がブレイクライン171に流れ出ることを防ぐ。したがってセラミック母基板の分割が妨げられることがない。   In the piezoelectric device 300, the protrusion 325 may be formed in a wall shape so as to surround the dotted line 173 in FIG. At this time, since the sealing material 142 does not flow out of the protruding portion 325, the sealing material 142 is prevented from flowing into the break line 171 during the manufacturing of the piezoelectric device 300. Therefore, the division of the ceramic mother board is not hindered.

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。   As described above, the optimal embodiment of the present invention has been described in detail. However, as will be apparent to those skilled in the art, the present invention can be implemented with various modifications and variations within the technical scope thereof.

例えば、上記の実施形態では圧電振動片がATカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するBTカット、又は音叉型水晶振動片などであっても同様に適用できる。さらに圧電振動片は水晶材料のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材料に基本的に適用できる。   For example, in the above-described embodiment, the case where the piezoelectric vibrating piece is an AT-cut quartz-crystal vibrating piece has been shown, but the same applies to a BT cut that vibrates in the thickness-slip mode or a tuning-fork-type quartz vibrating piece. Applicable. Further, the piezoelectric vibrating piece can be basically applied not only to a quartz material but also to a piezoelectric material including lithium tantalate, lithium niobate, or piezoelectric ceramic.

また、上記の実施形態では金属カバー体110はフランジ114を有していたが、金属カバー体110にフランジ114がなくても良い。さらに、図4に示されたステップS503では、環状溝に加えて突起部が形成されても良い。これにより、金属カバー体110をより確実に保持することができる。   In the above embodiment, the metal cover body 110 has the flange 114, but the metal cover body 110 may not have the flange 114. Furthermore, in step S503 shown in FIG. 4, a protrusion may be formed in addition to the annular groove. Thereby, the metal cover body 110 can be more reliably held.

100、200、300 … 圧電デバイス
110 … 金属カバー体
111 … 凹部
112 … 壁面
113 … 天井面
114 … フランジ
120、220、320 … セラミックベース板
121 … 接続電極
122、222 … 配線電極
123、229 … 貫通孔
124、224 … 外部電極
125 … 環状溝
130 … 圧電振動片
131 … 励振電極
132 … 引出電極
141 … 導電性接着剤
142 … 封止材
171 … ブレイクライン
223 … キャスタレーション
225、325 … 突起部
228 … 絶縁層
C120、C220 … セラミック生地
W120、W220 … セラミック母基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 200, 300 ... Piezoelectric device 110 ... Metal cover body 111 ... Recessed part 112 ... Wall surface 113 ... Ceiling surface 114 ... Flange 120, 220, 320 ... Ceramic base plate 121 ... Connection electrode 122, 222 ... Wiring electrode 123, 229 ... Through Hole 124, 224 ... External electrode 125 ... Annular groove 130 ... Piezoelectric vibrating piece 131 ... Excitation electrode 132 ... Extraction electrode 141 ... Conductive adhesive 142 ... Sealing material 171 ... Break line 223 ... Castellation 225, 325 ... Projection 228 ... Insulating layer C120, C220 ... Ceramic fabric W120, W220 ... Ceramic mother board

Claims (10)

第1面及びその反対側の第2面を含むセラミックベース板と、前記第1面に載置される圧電振動片と、前記圧電振動片を覆うように天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体と、を有する表面実装型の圧電デバイスであって、
前記セラミックベース板は、前記第1面の周囲に形成され前記第1面から突出した突起部と、前記突起部の内側に形成され前記圧電振動片に電気的に接続する接続電極と、前記第2面に形成された外部電極と、前記接続電極から前記外部電極まで伸びる配線電極とを有し、
前記金属カバー体の前記壁面の端部は、前記突起部に接するように配置され、
前記壁面の端部と前記突起部とが封止材によって封止されている圧電デバイス。
A metal base having a ceramic base plate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, a piezoelectric vibrating piece placed on the first surface, and a wall surface extending from a ceiling surface so as to cover the piezoelectric vibrating piece A surface-mount type piezoelectric device having a metal cover body,
The ceramic base plate includes a protrusion formed around the first surface and protruding from the first surface; a connection electrode formed inside the protrusion and electrically connected to the piezoelectric vibrating piece; An external electrode formed on two surfaces, and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode,
The end of the wall surface of the metal cover body is disposed so as to contact the protrusion,
A piezoelectric device in which an end of the wall surface and the protrusion are sealed with a sealing material.
前記金属カバー体の端部は、前記壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、
前記フランジは前記突起部の内側に配置される請求項1に記載の圧電デバイス。
The end of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface,
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the flange is disposed inside the protrusion.
前記金属カバー体の端部は、前記壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、
前記フランジは前記突起部の外側に配置される請求項1に記載の圧電デバイス。
The end of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface,
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the flange is disposed outside the protrusion.
前記突起部は、前記配線電極を避けた位置に形成され、前記金属カバー体の端部に位置する前記配線電極の上には絶縁層が形成される請求項1から請求項3のいずれかに記載の圧電デバイス。   The said protrusion part is formed in the position which avoided the said wiring electrode, and an insulating layer is formed on the said wiring electrode located in the edge part of the said metal cover body. The piezoelectric device described. 第1面及びその反対側の第2面を含むセラミックベース板と、前記第1面に載置される圧電振動片と、前記圧電振動片を覆うように天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体と、を有する表面実装型の圧電デバイスであって、
前記セラミックベース板は、前記第1面の周囲に前記第1面から凹むように形成された所定幅の環状溝と、前記環状溝の環状内に形成され前記圧電振動片と電気的に接続する接続電極と、前記第2面に形成された外部電極と、前記接続電極から前記外部電極まで伸びる配線電極とを有し、
前記金属カバー体の前記壁面の端部は、前記環状溝に配置され、
前記壁面の端部と前記環状溝とが封止材によって封止されている圧電デバイス。
A metal base having a ceramic base plate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, a piezoelectric vibrating piece placed on the first surface, and a wall surface extending from a ceiling surface so as to cover the piezoelectric vibrating piece A surface-mount type piezoelectric device having a metal cover body,
The ceramic base plate has an annular groove having a predetermined width formed around the first surface so as to be recessed from the first surface, and is formed in an annular shape of the annular groove and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece. A connection electrode, an external electrode formed on the second surface, and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode;
An end of the wall surface of the metal cover body is disposed in the annular groove,
A piezoelectric device in which an end of the wall surface and the annular groove are sealed with a sealing material.
前記金属カバー体の端部は、前記壁面から外側に折れ曲がったフランジを有し、
前記フランジの幅は前記環状溝の所定幅よりも短く形成される請求項5に記載の圧電デバイス。
The end of the metal cover body has a flange bent outward from the wall surface,
The piezoelectric device according to claim 5, wherein a width of the flange is shorter than a predetermined width of the annular groove.
天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体を有する表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、
第1面及びその反対側の第2面を含むシート状のセラミック生地に、個々のセラミックベース板の領域を特定するブレイクラインと、当該領域の角部に前記第1面から前記第2面に貫通する貫通孔と、前記ブレイクラインの内側で前記第1面に前記第1面から突出した突起部とを形成した後に焼成して、シート状のセラミック母基板を形成する工程と、
金属ペーストを塗布し且つ焼成して、前記突起部の内側に前記圧電振動片に電気的に接続する接続電極、前記第2面に外部電極、及び前記接続電極から外部電極に伸びる配線電極を形成する工程と、
圧電振動片を前記接続電極に載置する工程と、
前記セラミック母基板に封止材を塗布する工程と、
前記金属カバー体を前記突起部に沿って配置し、前記金属カバー体と前記突起部とを前記封止材で封止する工程と、
を備える圧電デバイスの製造方法。
A method for manufacturing a surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a wall surface extending from a ceiling surface,
In the sheet-like ceramic fabric including the first surface and the second surface on the opposite side, a break line for specifying the region of each ceramic base plate, and the corner of the region from the first surface to the second surface Forming a sheet-shaped ceramic mother substrate by firing after forming a through-hole penetrating and a protrusion protruding from the first surface on the first surface inside the break line;
A metal paste is applied and fired to form a connection electrode that is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece inside the protrusion, an external electrode on the second surface, and a wiring electrode that extends from the connection electrode to the external electrode And a process of
Placing the piezoelectric vibrating piece on the connection electrode;
Applying a sealing material to the ceramic mother substrate;
Arranging the metal cover body along the protrusion, and sealing the metal cover body and the protrusion with the sealing material;
A method for manufacturing a piezoelectric device comprising:
前記セラミック母基板を形成する工程は、金型を前記セラミック生地に押すことで、前記ブレイクライン、前記貫通孔、及び前記突起部を形成する請求項7に記載の圧電デバイスの製造方法。   The method of manufacturing a piezoelectric device according to claim 7, wherein the step of forming the ceramic mother substrate forms the break line, the through hole, and the protrusion by pressing a mold against the ceramic cloth. 天井面から伸びた壁面を有する金属性の金属カバー体を有する表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、
第1面及びその反対側の第2面を含むシート状のセラミック生地に、個々のセラミックベース板の領域を特定するブレイクラインと、当該領域の角部に前記第1面から前記第2面に貫通する貫通孔と、前記ブレイクラインの内側で前記第1面に前記第1面から凹むように形成された所定幅の環状溝と、を形成した後に焼成して、シート状のセラミック母基板を形成する工程と、
金属ペーストを塗布し且つ焼成して、前記環状溝の内側に前記圧電振動片に電気的に接続する接続電極、前記第2面に外部電極、及び前記接続電極から外部電極に伸びる配線電極を形成する工程と、
圧電振動片を前記接続電極に載置する工程と、
前記セラミック母基板に封止材を塗布する工程と、
前記金属カバー体の端部が前記環状溝に入るように配置し、前記金属カバー体の端部と前記環状溝と封止材で封止する工程と、
を備える圧電デバイスの製造方法。
A method for manufacturing a surface-mount type piezoelectric device having a metallic metal cover body having a wall surface extending from a ceiling surface,
In the sheet-like ceramic fabric including the first surface and the second surface on the opposite side, a break line for specifying the region of each ceramic base plate, and the corner of the region from the first surface to the second surface A sheet-shaped ceramic mother substrate is formed by firing after forming a through-hole penetrating and an annular groove having a predetermined width formed in the first surface so as to be recessed from the first surface inside the break line. Forming, and
A metal paste is applied and fired to form a connection electrode electrically connected to the piezoelectric vibrating piece inside the annular groove, an external electrode on the second surface, and a wiring electrode extending from the connection electrode to the external electrode And a process of
Placing the piezoelectric vibrating piece on the connection electrode;
Applying a sealing material to the ceramic mother substrate;
Arranging the end of the metal cover body so as to enter the annular groove, and sealing with the end of the metal cover body, the annular groove and a sealing material;
A method for manufacturing a piezoelectric device comprising:
前記セラミック母基板を形成する工程は、金型を前記セラミック生地に押すことで、前記ブレイクライン、前記貫通孔、及び前記環状溝を形成する請求項9に記載の圧電デバイスの製造方法。   10. The method of manufacturing a piezoelectric device according to claim 9, wherein the step of forming the ceramic mother substrate forms the break line, the through hole, and the annular groove by pressing a mold against the ceramic material.
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