JP2013143737A - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 146
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 49
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置であるイメージセンサ12は、光電変換素子アレイ、集光光学素子アレイ、カラーフィルタ22R、22G、22B及び反射部を有する。反射部は、カラーフィルタ22R、22G、22Bで反射した光をさらに反射する。光電変換素子アレイは、セルを単位とするベイヤー配列をなして構成されている。集光光学素子は、光電変換素子21Gと、光電変換素子21Gに隣接する光電変換素子21R及び21Bの各一部分とを含む範囲に合わせて配置されている。反射部は、第1反射面及び第2反射面を少なくとも含む。第1反射面は、カラーフィルタ22R、22G、22Bに対向する。第2反射面は、カラーフィルタ22R、22G、22B及び第1反射面の間をセルごとに取り囲む。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施形態の固体撮像装置であるイメージセンサの一部構成の模式断面図である。図2は、図1に示すイメージセンサを適用したカメラの概略構成を示すブロック図である。
図9及び図10は、第2の実施形態にかかる固体撮像装置であるイメージセンサの一部構成の模式断面図である。図11は、マイクロレンズアレイ、第2反射部及び光電変換素子アレイの平面構成の模式図である。第1の実施形態と同一の部分には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
Claims (5)
- 第1色光を検出する第1色光用の光電変換素子と、第2色光を検出する第2色光用の光電変換素子と、第3色光を検出する第3色光用の光電変換素子と、を少なくとも備える光電変換素子アレイと、
光を集束させる集光光学素子を備え、前記光電変換素子アレイに対して光の入射側に設けられた集光光学素子アレイと、
前記光電変換素子ごとに、前記光電変換素子で検出対象とする色光を透過させ、かつ他の色光を反射するカラーフィルタと、
前記カラーフィルタで反射した光をさらに隣接した光電変換素子へ反射する反射部と、を有し、
前記光電変換素子アレイは、前記第1色光用、前記第2色光用及び前記第3色光用の光電変換素子を含めたセルを単位とするベイヤー配列をなして構成され、
前記集光光学素子は、前記第1色光用の光電変換素子と、前記第1色光用の光電変換素子に隣接する前記第2色光用及び前記第3色光用の光電変換素子の各一部分とを含む範囲に合わせて配置され、
前記反射部は、前記カラーフィルタに対向する第1反射面と、前記カラーフィルタ及び前記第1反射面の間を前記セルごとに取り囲む第2反射面と、を少なくとも含むことを特徴とする固体撮像装置。 - 各色光を分担して検出する光電変換素子を備える光電変換素子アレイと、
光を集束させる集光光学素子を備え、前記光電変換素子アレイに対して光の入射側に設けられた集光光学素子アレイと、
各色光の透過及び反射により、前記光電変換素子へ色光を導くカラーフィルタと、
前記カラーフィルタで反射した光をさらに隣接した光電変換素子へ反射する反射部と、を有し、
前記光電変換素子アレイは、第1色光用、第2色光用及び第3色光用の光電変換素子を含めたセルを単位とするベイヤー配列をなして構成され、
前記集光光学素子は、前記第1色光用の光電変換素子と、前記第1色光用の光電変換素子に隣接する前記第2色光用及び前記第3色光用の光電変換素子の各一部分とを含む範囲に合わせて配置され、
前記反射部は、前記セルに対応させて配置されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記カラーフィルタは、原色光を透過させ他の色光を反射する原色カラーフィルタであって、
前記集光光学素子からの光のうち前記第1色光の成分と前記第2色光の成分とを含む第1補色成分を透過させる第1補色カラーフィルタと、
前記集光光学素子からの光のうち前記第1色光の成分と前記第3色光の成分とを含む第2補色成分を透過させる第2補色カラーフィルタと、をさらに有し、
前記反射部は、前記セルのうち前記第1補色カラーフィルタに対応する部分と、前記第2補色カラーフィルタに対応する部分とを分割して取り囲む反射面を備えることを特徴とする請求項1及び2に記載の固体撮像装置。 - 前記原色カラーフィルタは、前記第1色光を透過させ前記第2色光及び前記第3色光を反射する第1色光用のカラーフィルタを有し、
前記第1色光用のカラーフィルタは、前記集光光学素子から前記第1色光用の光電変換素子へ進行する光の主光線に対して入射面が傾けられて、前記第1補色カラーフィルタ及び前記第1色光用の光電変換素子の間と、前記第2補色カラーフィルタ及び前記第1色光用の光電変換素子の間とに配置されていることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。 - 前記反射部のうち、前記カラーフィルタに対向する面内には、前記集光光学素子からの光を通過させる開口が設けられ、
前記開口には、光を拡散させる構造が形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012004054A JP5774501B2 (ja) | 2012-01-12 | 2012-01-12 | 固体撮像装置 |
US13/603,289 US8970751B2 (en) | 2012-01-12 | 2012-09-04 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012004054A JP5774501B2 (ja) | 2012-01-12 | 2012-01-12 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013143737A true JP2013143737A (ja) | 2013-07-22 |
JP5774501B2 JP5774501B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=48779328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012004054A Expired - Fee Related JP5774501B2 (ja) | 2012-01-12 | 2012-01-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8970751B2 (ja) |
JP (1) | JP5774501B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015213172A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-26 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | イメージセンサ |
WO2023189071A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び電子機器 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101590146B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2016-02-01 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 |
WO2013099910A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2015065270A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015099862A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP6424337B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-11-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長可変光フィルタモジュール |
US10038854B1 (en) * | 2015-08-14 | 2018-07-31 | X Development Llc | Imaging-based tactile sensor with multi-lens array |
KR20180077393A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-09 | 삼성전자주식회사 | 광센서 |
US11664400B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and electronic apparatus including the same |
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JP2011176715A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Nikon Corp | 裏面照射型撮像素子および撮像装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008060323A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラ |
JP5710510B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2012
- 2012-01-12 JP JP2012004054A patent/JP5774501B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-04 US US13/603,289 patent/US8970751B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5774501B2 (ja) | 2015-09-09 |
US20130181114A1 (en) | 2013-07-18 |
US8970751B2 (en) | 2015-03-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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