JP2013140898A - 発光素子搭載用基板、発光裝置 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造工程やLED搭載工程での加熱時、基板のそりの発生が抑制される発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】本発明によれば、絶縁層と、この絶縁層の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層と、前記絶縁層の他方の面に形成され且つ前記絶縁層を貫通する柱状金属体を介して第1金属層に接続された第2金属層と、前記絶縁層の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層を備え、第1金属層と第2金属層は平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである、発光素子搭載用基板が提供される。
【選択図】図3
【解決手段】本発明によれば、絶縁層と、この絶縁層の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層と、前記絶縁層の他方の面に形成され且つ前記絶縁層を貫通する柱状金属体を介して第1金属層に接続された第2金属層と、前記絶縁層の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層を備え、第1金属層と第2金属層は平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである、発光素子搭載用基板が提供される。
【選択図】図3
Description
本発明は、発光素子搭載用基板及び発光裝置に関する。
LED等の発光素子を搭載するための基板として、発光素子で発生した熱を効率的に外部に放出するために、絶縁層の両面に金属層を設け、両面の金属層を柱状金属体で接続する構造のものが知られている(例えば、特許文献1)。このような構造の基板を用い、柱状金属体の真上に発光素子を配置すると、発光素子で発生した熱が柱状金属体を通って速やかに基板の反対側に伝わるので、放熱性が高まり、その結果、発光素子の動作温度を低くすることができる。
ここで、図1(a)〜(g)を用いて、このような柱状金属体を有する基板の製造方法の一例を説明する(以下の方法は、先行技術であることを自認しない)。
まず、金属板上に所定のレジストパターンを配置した状態で金属板をエッチングして、図1(a)に示すような金属層1上に柱状金属体3が設けられた構造を得る。
次に、図1(b)〜図1(c)に示すように、プレスにより、凹状変形を許容するシート材2、金属層6、絶縁層5を張り合わせ、柱状金属体3に対応する位置に凸部を有し表面に金属層6が形成された図1(c)に示す構造を得る。シート材2は、プレスの後に取り外す。
次にこの積層体の凸部を除去し柱状金属体3を露出させて、図1(d)を得る。
次に、絶縁相5及び金属層6上にメッキ等によって金属層7を形成して、図1(e)に示す構造を得る。金属層6と金属層7が合わさって、金属層8となる。
次に、金属層1及び金属層8上に所定のレジストパターンを配置した状態で金属層1及び金属層8をエッチングすることによって、金属層1及び金属層8のパターニングを行なって、図1(f)に示す構造を得る。
次に、フォトレジストを全面に塗布、パターン露光、剥離しレジストパターンを形成後、150℃で熱処理してレジストを硬化させることによってレジスト層9を形成して図1(g)に示す構造を得る。
まず、金属板上に所定のレジストパターンを配置した状態で金属板をエッチングして、図1(a)に示すような金属層1上に柱状金属体3が設けられた構造を得る。
次に、図1(b)〜図1(c)に示すように、プレスにより、凹状変形を許容するシート材2、金属層6、絶縁層5を張り合わせ、柱状金属体3に対応する位置に凸部を有し表面に金属層6が形成された図1(c)に示す構造を得る。シート材2は、プレスの後に取り外す。
次にこの積層体の凸部を除去し柱状金属体3を露出させて、図1(d)を得る。
次に、絶縁相5及び金属層6上にメッキ等によって金属層7を形成して、図1(e)に示す構造を得る。金属層6と金属層7が合わさって、金属層8となる。
次に、金属層1及び金属層8上に所定のレジストパターンを配置した状態で金属層1及び金属層8をエッチングすることによって、金属層1及び金属層8のパターニングを行なって、図1(f)に示す構造を得る。
次に、フォトレジストを全面に塗布、パターン露光、剥離しレジストパターンを形成後、150℃で熱処理してレジストを硬化させることによってレジスト層9を形成して図1(g)に示す構造を得る。
柱状金属体を有する基板は、以上の方法で製造可能であるが、このような方法で製造した場合、基板に反りが発生する場合があり、また、得られた基板には、LED搭載工程で、熱がかかった場合に反りが発生する場合がある(そりが発生すると、各搭載工程でラインに基板が引っかかったりするトラブルや、そりを矯正した時に搭載されたLEDチップが割れる恐れがある)。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、製造工程やLED搭載工程での加熱時、基板のそりの発生が抑制される発光素子搭載用基板を提供するものである。
本発明によれば、絶縁層と、この絶縁層の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層と、前記絶縁層の他方の面に形成され且つ前記絶縁層を貫通する柱状金属体を介して第1金属層に接続された第2金属層と、前記絶縁層の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層を備え、第1金属層と第2金属層は、平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである、発光素子搭載用基板が提供される。
本発明者らは製造工程やLED搭載工程で反りが発生する原因について調べていたところ、絶縁層の両面に設けられた金属層が柱状金属体で接続されている基板においては、両面の金属層の平面形状や厚さが異なっている場合に、基板の反りが特に発生しやすいことに気がついた。そして、さらに詳細に調べると、両面の金属層の平面形状や厚さが異なっている場合には、基板に対して150℃程度の加熱処理を行った場合に生じる絶縁層の収縮が非対称となり、その非対称性が反りの原因になっていることが分かった。
このような反りは、柱状金属体を有する基板において特に顕著に発生するが、その原因について考察したところ、柱状金属体がない通常の基板では絶縁層が自由に変形できるので、非対称性が緩和されやすいが、柱状金属体を有する基板では、柱状金属体によって絶縁層の変形が阻害されて非対称性が緩和されにくく、そのために反りが顕著になったと考えられる。
次に、反りを緩和するための方法について検討を行ったところ、反りの緩和には、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである材料で絶縁層を形成すればいいことが分かった。柱状金属体を有する基板では、柱状金属体以外の部分においては絶縁層で柱状金属体を支える必要があるので、絶縁層は10GPaを超えるような高い貯蔵弾性率を有する材料で形成することが常識であったが、そのような常識に反して、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaであるという低貯蔵弾性率材料を用いて絶縁層を作成したところ、反りが実質的に消失し、かつ機械的特性にも特に問題が見られないという結果が得られ、本発明の完成に到った。
本発明は150℃での貯蔵弾性率を規定しているが、このように規定しているのは、製造工程やLED搭載工程での加熱処理温度が150℃程度又はそれ以上であることから、この温度域での貯蔵弾性率が所定範囲内であることが課題解決には不可欠であるからである。
本発明の基板は、発光素子(例:LED)を搭載するためのものであり、第1金属層の配線パターン上に発光素子が搭載され、発光裝置が得られる。
以下、本発明の種々の実施形態の発光素子搭載用基板について説明する。
<第1実施形態>
図2〜図4を用いて、本発明の第1実施形態の発光素子搭載用基板について説明する。
本発明の第1実施形態の発光素子搭載用基板10は、絶縁層11と、この絶縁層11の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層13と、前記絶縁層11の他方の面に形成され且つ前記絶縁層11を貫通する柱状金属体15を介して第1金属層13に接続された第2金属層17と、前記絶縁層11の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層19を備え、第1金属層13と第2金属層17は平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層11は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである。
図2〜図4を用いて、本発明の第1実施形態の発光素子搭載用基板について説明する。
本発明の第1実施形態の発光素子搭載用基板10は、絶縁層11と、この絶縁層11の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層13と、前記絶縁層11の他方の面に形成され且つ前記絶縁層11を貫通する柱状金属体15を介して第1金属層13に接続された第2金属層17と、前記絶縁層11の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層19を備え、第1金属層13と第2金属層17は平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層11は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである。
<<金属層・柱状構造体・発光素子>>
本実施形態では、絶縁層11の一面に、第1Aパターン13a及び第1Bパターン13bを有する第1金属層13が形成され、絶縁層11の他方の面に、第2Aパターン17a及び第2Bパターン17bを有する第2金属層17が形成されている。第1Aパターン13aと第1Bパターン13bは、電気的に分離されている。第2Aパターン17aと第2Bパターン17bは、電気的に分離されている。
本実施形態では、絶縁層11の一面に、第1Aパターン13a及び第1Bパターン13bを有する第1金属層13が形成され、絶縁層11の他方の面に、第2Aパターン17a及び第2Bパターン17bを有する第2金属層17が形成されている。第1Aパターン13aと第1Bパターン13bは、電気的に分離されている。第2Aパターン17aと第2Bパターン17bは、電気的に分離されている。
柱状金属体15は、2つ設けられており、第1柱状金属体15aは、第1Aパターン13aと第2Aパターン17aを接続し、第2柱状金属体15bは、第1Bパターン13bと第2Bパターン17bを接続する。第1柱状金属体15aは、第2柱状金属体15bよりも、基板に垂直な断面図での幅が広い(言い換えると、平面図での面積が大きい)。
この基板は、図3に示すような両面に電極(正極及び負極)22a,22bを一つずつ有する発光素子21を搭載することを想定している。幅が広い方の第1柱状金属体15aの直上の第1Aパターン13a上には、発光素子21の一方の電極22aがはんだ付け等によって接続されており、他方の電極22bは、第1Bパターン13bにワイヤ23を介して接続されている。
第2Aパターン17aと第2Bパターン17bの間に電圧を印加すると、その電圧は第1柱状金属体15a及び第2柱状金属体15bを介して第1Aパターン13a及び第1Bパターン13bに伝わり、さらに発光素子21の2つの電極22a,22bに伝わって、発光素子21が発光する。
発光の際に発光素子21からは熱が発生するが、発生した熱は、第1柱状金属体15aを介して第2Aパターン17aに伝わって放熱される。このように発生した熱が速やかに発光素子21から取り除かれるので、本実施形態のような柱状構造体を有する基板を用いれば、発光素子21の動作温度を低下させることができる。
本実施形態では、第1柱状金属体15aは、通電と放熱の両方の役割を有しており、第2柱状金属体15bは、通電の役割を有している。別の実施形態では、発光素子の一方の面に2つの電極が設けられている場合には、放熱用の柱状金属体を1つと、通電用の柱状金属体を2つ設け、放熱用の柱状金属体の直上に発光素子を配置し、ワイヤを介して2つの電極を2つの通電用の柱状金属体に接続するようにしてもよい。
第1金属層13、第2金属層17、及び柱状金属体15は、種々の金属を用いて形成可能であり、導電性、熱伝導性、及びコスト等の観点から銅で形成することが好ましい。第1金属層13及び第2金属層17には、光の反射率を上げるため、銀メッキを施してもよい。また、発光素子21の搭載後、通常、発光素子21を覆うように透明樹脂等で凸レンズが形成される。
第1金属層13及び第2金属層17は、例えば、10〜500μmである。放熱用の柱状金属体及び通電用の柱状金属体の大きさは、第1金属層13側から見た場合の外接円の直径が例えば、それぞれ、100〜5000μm、及び30〜1000μmである。
<<レジスト・絶縁層>>
第1金属層13及び第2金属層17のパターンの縁部には、レジスト層19のパターンが配置される。レジスト層19は、半田を弾く性質を有しており、実装時に金属層のパターンから半田がはみ出さないようにする。また、レジスト層19は白色レジストを用いて形成することができ、この場合、発光素子21で発生した光を反射して、発光強度を増大させる。レジスト層19は、一般に、フォトレジストを全面に塗布、パターン露光、剥離し、レジストパターンを形成、その後、150℃程度(例:120〜180℃)で熱処理してレジストを硬化させることによって形成することができる。レジストを硬化させる温度は、例えば、120、130,140,150,160,170,180℃であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。
第1金属層13及び第2金属層17のパターンの縁部には、レジスト層19のパターンが配置される。レジスト層19は、半田を弾く性質を有しており、実装時に金属層のパターンから半田がはみ出さないようにする。また、レジスト層19は白色レジストを用いて形成することができ、この場合、発光素子21で発生した光を反射して、発光強度を増大させる。レジスト層19は、一般に、フォトレジストを全面に塗布、パターン露光、剥離し、レジストパターンを形成、その後、150℃程度(例:120〜180℃)で熱処理してレジストを硬化させることによって形成することができる。レジストを硬化させる温度は、例えば、120、130,140,150,160,170,180℃であり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。
レジストを硬化させるための熱処理の際に、絶縁層11も高温にさらされ、収縮する。このときの収縮の態様は、絶縁層11の両面に形成されている金属層13及び17の平面形状及び厚さによって影響を受ける。金属層13及び17の厚さが同じで、かつ平面形状が絶縁層11の中央面を対称面として面対称になっている場合には、絶縁層の収縮も面対称になって、基板の反りは発生しない。しかし、金属層13及び17の平面形状が面対称になっていない場合、及び金属層の厚さが異なる場合には、絶縁層の収縮も面対称にならず、その結果、基板のどちらか一方の面側の収縮量が他方の面側よりも大きくなる。柱状金属体を有する基板では、この柱状金属体が絶縁層のスムーズな変形を阻害するので、収縮量の差異が大きくなりやすい傾向がある。
一般に、柱状金属体を有する基板では、柱状金属体以外の部分の絶縁層で柱状金属体を支える必要があるので、絶縁層は10GPaを超えるような高い貯蔵弾性率を有する材料で形成される。しかし、このような絶縁層は基板の反りを促進することが分かった。そこで、本実施形態では、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである材料を用いて絶縁層11を形成している。貯蔵弾性率が6GPa以下の場合には反りの発生が抑制される。また、貯蔵弾性率が小さすぎると基板の剛性が不十分になり、例えばワイヤ23のボンディングの成功確率が低下する等の問題が生じるので、150℃における貯蔵弾性率は10MPa以上である。150℃における貯蔵弾性率は、具体的には、例えば0.01,0.1,1,2,3,4,5,6GPaであり、ここで例示した数値の何れか2つの間の範囲内であってもよい。
絶縁層の貯蔵弾性率は、20mm×5mm×1mmの硬化物を試験体として用い、セイコー電子工業社製テンションモジュールDMS210を使用し、周波数1Hz、歪み0.05%の条件で温度をスウィープして、引っ張りモードで動的粘弾性スペクトルを測定し、150℃における貯蔵弾性率E'の値を測定することによって求めることができる。
絶縁層11に用いられる樹脂としては、耐熱性、電気絶縁性に優れた樹脂であればどのようなものであっても良いが、耐熱性や寸法安定性の点から熱硬化性樹脂が好ましく、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、などが使用できる。絶縁層11の厚さは、40μm以上400μm以下が好ましく、更に好ましくは50μm以上200μm以下である。40μm以上であれば電気絶縁性が確保できる。400μm以上にすると柱状金属体を400μm以上にしなければならないので、経済的に好ましくない。
<<製造方法>>
ここで、図4(a)〜(g)を用いて、このような柱状金属体を有する基板の製造方法の一例を説明する。
ここで、図4(a)〜(g)を用いて、このような柱状金属体を有する基板の製造方法の一例を説明する。
まず、金属板上に所定のレジストパターンを配置した状態で金属板をエッチングして、図4(a)に示すような第2金属層17上に柱状金属体15が設けられた構造を得る。
次に、図4(b)〜図4(c)に示すように、プレスにより、凹状変形を許容するシート材16、金属層12、絶縁層11を熱プレスにより張り合わせ、柱状金属体15に対応する位置に凸部を有し表面に金属層12が形成された図4(c)に示す構造を得る。シート材16は、プレスの後に取り外す。絶縁層11は熱硬化性絶縁フィルムでもよいし、熱硬化性絶縁樹脂をガラス繊維に含浸させてシート状にしたプリプレグを用いてもよい。また、金属層12と絶縁層11が一体化した物でも良い。
次にこの積層体の凸部を除去し柱状金属体15を露出させて、図4(d)に示す構造を得る。除去する方法として研削や研磨による方法がある。
次にこの積層体の凸部を除去し柱状金属体15を露出させて、図4(d)に示す構造を得る。除去する方法として研削や研磨による方法がある。
次に、絶縁層11及び金属層12上にメッキ等によって金属層14を形成して、図4(e)に示す構造を得る。金属層12と金属層14が合わさって、第1金属層13となる。
次に、第1金属層13及び第2金属層17上に所定のレジストパターンを配置した状態で第1金属層13及び第2金属層17をエッチングすることによって、第1金属層13及び第2金属層17のパターニングを行なって、図4(f)に示す構造を得る。
次に、フォトレジストを全面に塗布、パターン露光、剥離しレジストパターンを形成後、120〜180℃程度で熱処理してレジストを硬化させることによってレジスト層19を形成して図4(g)に示す構造を得て、本実施形態の基板の製造を完了する。
<第2実施形態>
次に、図5〜図6を用いて、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態の発光素子搭載用基板10は、第1実施形態と類似しているが、第2金属層17がベース放熱板となっている点が主に異なっている。この実施形態では、第1金属層13にはパターンが形成されており、第2金属層17にはパターンが形成されていない。このため、両者は、平面形状が異なっており、第1実施形態で説明したように絶縁層11の収縮が面対称にならず、基板に反りが発生しやすいという点では第1実施形態と同様の課題が存在する。そして、第1実施形態と同様に、本実施形態においても、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである材料を用いて絶縁層11を形成することによって、反りの問題を解決することができる。
次に、図5〜図6を用いて、本発明の第2実施形態について説明する。本発明の第2実施形態の発光素子搭載用基板10は、第1実施形態と類似しているが、第2金属層17がベース放熱板となっている点が主に異なっている。この実施形態では、第1金属層13にはパターンが形成されており、第2金属層17にはパターンが形成されていない。このため、両者は、平面形状が異なっており、第1実施形態で説明したように絶縁層11の収縮が面対称にならず、基板に反りが発生しやすいという点では第1実施形態と同様の課題が存在する。そして、第1実施形態と同様に、本実施形態においても、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである材料を用いて絶縁層11を形成することによって、反りの問題を解決することができる。
また、第1実施形態の基板は、両面に電極を一つずつ有する発光素子22を搭載することを想定していたが、本実施形態の基板は、図6に示すように、片面に2つの電極を備える発光素子22を搭載することを想定している。本実施形態では、柱状金属体15は、発光素子22で発生した熱を基板の裏面側に効率的に移動させるために設けられている。発光素子22への給電は、基板の第1金属層13に設けられたパターン13a、13bを介して行われる。
実施例・比較例にかかる評価用基板は、次の方法で製造した。
銅板(厚さ200μm)、銅箔(厚さ18μm)、プリプレグ(厚さ100μm)、銅張り積層板(厚さ1mm)をこの順で重ね合わせ、これらを積層プレス(180℃×1時間)で張り合わせた。銅板、プリプレグ、及び銅張り積層板は、縦横34cm×51cmであり、銅箔は、縦横32cm×48cmであり、周辺部1〜1.5cmの領域で、銅板とプリプレグが直接接触するように配置した。
銅板(厚さ200μm)、銅箔(厚さ18μm)、プリプレグ(厚さ100μm)、銅張り積層板(厚さ1mm)をこの順で重ね合わせ、これらを積層プレス(180℃×1時間)で張り合わせた。銅板、プリプレグ、及び銅張り積層板は、縦横34cm×51cmであり、銅箔は、縦横32cm×48cmであり、周辺部1〜1.5cmの領域で、銅板とプリプレグが直接接触するように配置した。
張り合わせた銅板の上に、エッチングレジストで6cm×6cmの正方形を5行×8列を配置し、各6cm×6cmの正方形に図7に示す碁盤目状のパターンを形成した(マス目の大きさは3.7mm×3.7mmであり、各マス目に底面が1×1mmの四角柱と、底面直径が0.2mmの円柱の柱状金属体を形成するためのパターンを配置した。)。
この銅板をエッチングすることによって6cm×6cmの正方形の中に高さ100μmの柱状金属体を形成した(図4(a)を参照)。柱状金属体は、底面が1×1mmの四角柱と、底面直径が0.2mmの円柱であり、各々3.7mmピッチで配置した。
次に、柱状金属体を覆うように緩衝用フィルム(厚さ90μm)、銅箔(厚さ18μm)、評価用の硬化性絶縁樹脂フィルム(厚さ約80μm)を配置した状態で加熱プレスして銅箔と硬化性絶縁樹脂フィルムを銅板に一体化させた後、研磨を行って、柱状金属体を露出させた(図4(b)〜図4(d)を参照)。
次に、銅メッキ(27μm)を行って絶縁層上に厚さ35μmの銅層を形成した(図4(e)を参照)。
次に基板の4辺を切断し、31cm×47cmに切断し張り合わせた基板から柱状金属体が形成された基板を分離した。
次に基板の4辺を切断し、31cm×47cmに切断し張り合わせた基板から柱状金属体が形成された基板を分離した。
次に、両面の銅層をエッチングして導電パターンを形成した(図4(f)を参照)。
次に、両面に半田レジストを形成し150℃、1時間熱処理を行って硬化させ、銀メッキを行った後金型で6cm×6cmの評価用基板の製造を完了した(図4(g)を参照)。
評価用基板のパターンを図8〜図9に示す。図8〜図9において、斜線部は、半田レジストを示す。
次に、両面に半田レジストを形成し150℃、1時間熱処理を行って硬化させ、銀メッキを行った後金型で6cm×6cmの評価用基板の製造を完了した(図4(g)を参照)。
評価用基板のパターンを図8〜図9に示す。図8〜図9において、斜線部は、半田レジストを示す。
<加熱処理>
評価基板のそりを測定後、評価基板を150℃の熱風式加熱器の中で1時間加熱し、室温に冷却後、再度そりを測定した。
評価基板のそりを測定後、評価基板を150℃の熱風式加熱器の中で1時間加熱し、室温に冷却後、再度そりを測定した。
図10に示すように、得られた評価用基板を、凹面が上向きになるように常盤上に載置し、基板の端(図中の矢印の位置)での最大高さを測定した。この最大高さを以下、「反り値」と称する。そりの測定は、レーザー高さ測定計によりおこなった。
また、評価に用いた各硬化性絶縁樹脂フィルムについて、150℃における貯蔵弾性率を測定した。貯蔵弾性率と反り値の関係を表1に示す。なお、各硬化性絶縁樹脂フィルムについて、サンプルを3個作成し、平均値を求めた。
以上の結果から明らかなように、150℃における貯蔵弾性率が6GPaより大きい従来の材料を用いて絶縁層を形成した場合には、150℃加熱後の基板の反り変化が大きくなってしまったが、150℃における貯蔵弾性率が6GPa以下の材料を用いて絶縁層を形成することによって、反りの変化を大幅に低減することができることが分かった。
Claims (3)
- 絶縁層と、この絶縁層の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層と、前記絶縁層の他方の面に形成され且つ前記絶縁層を貫通する柱状金属体を介して第1金属層に接続された第2金属層と、前記絶縁層の一面又は両面に設けられ且つパターンを有するレジスト層を備え、
第1金属層と第2金属層は、平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである、発光素子搭載用基板。 - 請求項1に記載の発光素子搭載用基板と、その上に搭載されている発光素子を備える、発光裝置。
- 絶縁層と、この絶縁層の一面に形成され且つパターンを有する第1金属層と、前記絶縁層の他方の面に形成され且つ前記絶縁層を貫通する柱状金属体を介して第1金属層に接続された第2金属層を備える基板構造体を形成し、
前記基板構造体の一面又は両面にレジストを所定パターンで配置した状態で120〜180℃で熱処理する工程を備え、
第1金属層と第2金属層は、平面形状と厚さの少なくとも一方が異なっており、前記絶縁層は、150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜6GPaである、発光素子搭載用基板の製造方法。
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JP2012000773A JP2013140898A (ja) | 2012-01-05 | 2012-01-05 | 発光素子搭載用基板、発光裝置 |
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JP2016081959A (ja) * | 2014-10-10 | 2016-05-16 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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- 2012-01-05 JP JP2012000773A patent/JP2013140898A/ja active Pending
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