JP2013137530A - 表示装置の駆動回路及び該駆動回路を具備する表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置の駆動回路に設けられる、外部環境の変化に応じた画像信号の補正を行うためのルックアップテーブルを記憶するためのメモリ回路として、酸化物半導体を半導体層に具備するトランジスタを有するメモリ回路を用いる構成とする。
【選択図】図1
Description
図1(A)は、表示装置の駆動回路を含む、表示装置のブロック図を示している。図1(A)に示す表示装置100は、駆動回路101、表示パネル102、センサ回路103及び表示制御回路104を有する。駆動回路101は、メモリ制御回路105、メモリ回路106及び画像信号出力回路107を有する。画像信号出力回路107は、第1のラッチ回路108、第2のラッチ回路109及びデジタルアナログ変換回路(D/A変換回路)110を有する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る表示装置の駆動回路が有する記憶素子の構成及びその作製方法について、図11乃至図15を参照して説明する。
図11は、表示装置の駆動回路が有する記憶素子の構成の一例である。図11(A)には表示装置の駆動回路が有する記憶素子の断面を、図11(B)には表示装置の駆動回路が有する記憶素子の平面を、それぞれ示す。図11(A)において、A1−A2は、トランジスタのチャネル長方向に垂直な断面図であり、B1−B2は、トランジスタのチャネル長方向に平行な断面図である。図11に示す記憶素子は、下部に半導体層に単結晶シリコンを用いた第1のトランジスタ111を有し、上部に半導体層に酸化物半導体を用いた第2のトランジスタ112を有する。
次に、上記表示装置の駆動回路が有する記憶素子の作製方法の一例について説明する。以下では、はじめに下部の第1のトランジスタ111の作製方法について図12及び図13を参照して説明し、その後、上部の第2のトランジスタ112及び容量素子113の作製方法について図14及び図15を参照して説明する。
下部の第1のトランジスタ111の作製方法について、図12及び図13を参照して説明する。
次に、上部の第2のトランジスタ112及び容量素子113の作製方法について、図14及び図15を参照して説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した表示装置の駆動回路を電子機器に適用する場合について、図16を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などの電子機器に、上述の表示装置の駆動回路を適用する場合について説明する。
Dout_n 出力用データ線
WL 書き込み用ワード線
RL 読み出し用ワード線
Dout_1 出力用データ線
Din_1 入力用データ線
Din_2 入力用データ線
100 表示装置
101 駆動回路
102 表示パネル
103 センサ回路
104 表示制御回路
105 メモリ制御回路
106 メモリ回路
107 画像信号出力回路
108 ラッチ回路
109 ラッチ回路
110 D/A変換回路
111 第1のトランジスタ
112 第2のトランジスタ
113 容量素子
200 直線
201 点線曲線
202 一点鎖線曲線
203 二点鎖線曲線
260 トランジスタ
261 トランジスタ
262 オペアンプ
400 基板
402 保護層
404 半導体領域
406 素子分離絶縁層
408 ゲート絶縁層
410 ゲート電極
416 チャネル形成領域
420 不純物領域
422 金属層
424 金属間化合物領域
426 電極
428 絶縁層
442a 電極
442b 電極
444 酸化物半導体層
446 ゲート絶縁層
448a ゲート電極
448b 導電層
450 絶縁層
452 絶縁層
453 開口
454 電極
456 配線
501 垂直帰線期間
701 筐体
701_1 メモリブロック
700 マルチプレクサ回路
702 筐体
703 表示部
704 キーボード
711 本体
712 スタイラス
713 表示部
714 操作ボタン
715 外部インターフェイス
720 電子書籍
721 筐体
723 筐体
725 表示部
727 表示部
731 電源
733 操作キー
735 スピーカー
737 軸部
740 筐体
741 筐体
742 表示パネル
743 スピーカー
744 マイクロフォン
745 操作キー
746 ポインティングデバイス
747 カメラ用レンズ
748 外部接続端子
749 太陽電池セル
750 外部メモリスロット
761 本体
763 接眼部
764 操作スイッチ
765 表示部
766 バッテリー
767 表示部
770 テレビジョン装置
771 筐体
773 表示部
775 スタンド
780 リモコン操作機
801 メモリセルアレイ駆動回路
802 メモリセルアレイ
803 デコーダ
804 ページバッファ
805 回路
810 記憶素子
811 第1のトランジスタ
812 第2のトランジスタ
813 容量素子
814 電源線
Claims (7)
- 画像信号の補正を行うためのルックアップテーブルを記憶するメモリ回路を有し、
前記メモリ回路が有する記憶素子は、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの一方の電極が接続されており、
前記第2のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を含んで構成されており、
前記容量素子の一方の電極は、前記第2のトランジスタの一方の電極上に設けられている、表示装置の駆動回路。 - 画像信号の補正を行うためのルックアップテーブルを記憶するメモリ回路を有し、
前記メモリ回路が有する記憶素子は、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた第1のゲート絶縁層と、前記第1の半導体層の一部と重畳して、前記第1のゲート絶縁層上に設けられた第1のゲート電極と、前記第1の半導体層に接する一方の電極と、前記第1の半導体層に接する他方の電極と、を含み、
前記第2のトランジスタは、第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接する一方の電極と、前記第2の半導体層に接する他方の電極と、前記第2の半導体層上に設けられた第2のゲート絶縁層と、前記第2の半導体層の一部と重畳して、前記第2のゲート絶縁層上に設けられた第2のゲート電極と、を含み、
前記容量素子は、前記第2のトランジスタの一方の電極と、前記第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層上に設けられた容量素子用電極と、を含み、
前記第2の半導体層は、酸化物半導体を含んで構成されており、
前記第1のゲート電極と、前記第2の半導体層に接する一方の電極と、は直接接続される、表示装置の駆動回路。 - 外部環境の変化を検出するセンサ回路の信号をもとに、画像信号の補正を行うためのルックアップテーブルが表示制御回路において作成され、該ルックアップテーブルを記憶するメモリ回路と、
前記表示制御回路で作成されたルックアップテーブルを前記メモリ回路に書き込むためのメモリ制御回路と、
前記ルックアップテーブルをもとに補正された前記画像信号を表示パネルに出力するための画像信号出力回路と、を有し、
前記メモリ回路が有する記憶素子は、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの一方の電極が接続されており、
前記第2のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を含んで構成されており、
前記容量素子の一方の電極は、前記第2のトランジスタの一方の電極上に設けられている、表示装置の駆動回路。 - 外部環境の変化を検出するセンサ回路の信号をもとに、画像信号の補正を行うためのルックアップテーブルが表示制御回路において作成され、該ルックアップテーブルを記憶するメモリ回路と、
前記表示制御回路で作成されたルックアップテーブルを前記メモリ回路に書き込むためのメモリ制御回路と、
前記ルックアップテーブルをもとに補正された前記画像信号を表示パネルに出力するための画像信号出力回路と、を有し、
前記メモリ回路が有する記憶素子は、
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に設けられた第1のゲート絶縁層と、前記第1の半導体層の一部と重畳して、前記第1のゲート絶縁層上に設けられた第1のゲート電極と、前記第1の半導体層に接する一方の電極と、前記第1の半導体層に接する他方の電極と、を含み、
前記第2のトランジスタは、第2の半導体層と、前記第2の半導体層に接する一方の電極と、前記第2の半導体層に接する他方の電極と、前記第2の半導体層上に設けられた第2のゲート絶縁層と、前記第2の半導体層の一部と重畳して、前記第2のゲート絶縁層上に設けられた第2のゲート電極と、を含み、
前記容量素子は、前記第2のトランジスタの一方の電極と、前記第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層上に設けられた容量素子用電極と、を含み、
前記第2の半導体層は、酸化物半導体を含んで構成されており、
前記第1のゲート電極と、前記第2の半導体層に接する一方の電極と、は直接接続される、表示装置の駆動回路。 - 請求項3または請求項4において、前記センサ回路は、光センサ回路、温度センサ回路、角度センサ回路、及び/またはタイマー回路である表示装置の駆動回路。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、前記第1の半導体層は、単結晶シリコンを含んで構成される表示装置の駆動回路。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の駆動回路を具備する表示装置。
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