JP2013131521A - 磁気抵抗素子、半導体メモリおよびシステム - Google Patents
磁気抵抗素子、半導体メモリおよびシステム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 磁気抵抗素子は、半導体基板上に配置される自由層と、自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、固定層上に配置され、PtMnにより形成される反強磁性層とを備え、Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下である。
【選択図】 図1
Description
(付記1)
半導体基板上に配置される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とする磁気抵抗素子。
(付記2)
前記反強磁性層の厚さは、12.5nm以上、20nm以下であること
を特徴とする付記1に記載の磁気抵抗素子。
(付記3)
磁気抵抗素子と、
ドレインが前記磁気抵抗素子の一端に接続される選択トランジスタと
を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗素子の他端に接続されるビット線と、
前記選択トランジスタのソースに接続されるソース線と、
前記選択トランジスタのゲートに接続されるワード線と、
前記ビット線、前記ソース線および前記ワード線を駆動するドライバと
を備え、
前記磁気抵抗素子は、
半導体基板上に配置され、前記一端を介して前記選択トランジスタに接続される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、前記他端を介して前記ビット線に接続され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とする半導体メモリ。
(付記4)
前記反強磁性層の厚さは、12.5nm以上、20nm以下であること
を特徴とする付記3に記載の半導体メモリ。
(付記5)
ダマシン法により形成されたCu配線を含むこと
を特徴とする付記3または付記4に記載の半導体メモリ。
(付記6)
半導体メモリと、
前記半導体メモリとともに半導体基板上に形成され、前記半導体メモリにアクセスするコントローラと
を備え、
前記半導体メモリは、
磁気抵抗素子と、
ドレインが前記磁気抵抗素子の一端に接続される選択トランジスタと
を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗素子の他端に接続されるビット線と、
前記選択トランジスタのソースに接続されるソース線と、
前記選択トランジスタのゲートに接続されるワード線と、
前記ビット線、前記ソース線および前記ワード線を駆動するドライバと
を備え、
前記磁気抵抗素子は、
半導体基板上に配置され、前記一端を介して前記選択トランジスタに接続される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、前記他端を介して前記ビット線に接続され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とするシステム。
(付記7)
前記反強磁性層の厚さは、12.5nm以上、20nm以下であること
を特徴とする付記6に記載のシステム。
(付記8)
ダマシン法により形成されたCu配線を含むこと
を特徴とする付記6または付記7に記載のシステム。
Claims (4)
- 半導体基板上に配置される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とする磁気抵抗素子。 - 前記反強磁性層の厚さは、12.5nm以上、20nm以下であること
を特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。 - 磁気抵抗素子と、
ドレインが前記磁気抵抗素子の一端に接続される選択トランジスタと
を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗素子の他端に接続されるビット線と、
前記選択トランジスタのソースに接続されるソース線と、
前記選択トランジスタのゲートに接続されるワード線と、
前記ビット線、前記ソース線および前記ワード線を駆動するドライバと
を備え、
前記磁気抵抗素子は、
半導体基板上に配置され、前記一端を介して前記選択トランジスタに接続される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、前記他端を介して前記ビット線に接続され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とする半導体メモリ。 - 半導体メモリと、
前記半導体メモリとともに半導体基板上に形成され、前記半導体メモリにアクセスするコントローラと
を備え、
前記半導体メモリは、
磁気抵抗素子と、
ドレインが前記磁気抵抗素子の一端に接続される選択トランジスタと
を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗素子の他端に接続されるビット線と、
前記選択トランジスタのソースに接続されるソース線と、
前記選択トランジスタのゲートに接続されるワード線と、
前記ビット線、前記ソース線および前記ワード線を駆動するドライバと
を備え、
前記磁気抵抗素子は、
半導体基板上に配置され、前記一端を介して前記選択トランジスタに接続される自由層と、
前記自由層上に配置されるトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜上に配置され、Ru膜を挟んで対向する第1磁性層および第2磁性層を含む固定層と、
前記固定層上に配置され、前記他端を介して前記ビット線に接続され、PtMnにより形成される反強磁性層と
を備え、
前記Ru膜の厚さは、1.5nm以上、1.7nm以下であること
を特徴とするシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011278056A JP2013131521A (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 磁気抵抗素子、半導体メモリおよびシステム |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011278056A JP2013131521A (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 磁気抵抗素子、半導体メモリおよびシステム |
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JP2013131521A true JP2013131521A (ja) | 2013-07-04 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011278056A Pending JP2013131521A (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | 磁気抵抗素子、半導体メモリおよびシステム |
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2011
- 2011-12-20 JP JP2011278056A patent/JP2013131521A/ja active Pending
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