JP2013131483A - Ｅｕｖ光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法 - Google Patents

Abstract

【課題】長期間使用できるターゲット回収装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット回収装置９は、ターゲット物質２７１を内部に導くよう構成された開口部を有し、ターゲット物質２７１を回収する回収容器９１と、回収容器９１の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された容器温度調節部と、を備えてもよい。
【選択図】図２

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置、ターゲット回収装置、および、ターゲット回収方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が知られている。

米国特許第７４０５４１６号明細書

概要

本開示の一態様によるターゲット回収装置は、ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置で用いられ、ターゲット物質をチャンバ内で回収するターゲット回収装置であって、ターゲット物質を内部に導くよう構成された開口部を有し、ターゲット物質を回収する回収容器と、回収容器の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された容器温度調節部と、を備えてもよい。

本開示の他の態様によるＥＵＶ光生成装置は、ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置において、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、チャンバ内にターゲット物質を出力するよう構成されたターゲット供給装置と、チャンバ内でターゲット供給装置が出力するターゲット物質を、チャンバ内で回収するよう構成された上述のターゲット回収装置と、を備えてもよい。

本開示のさらに他の態様によるターゲット回収方法は、ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置で用いられ、前記ターゲット物質を前記チャンバ内で回収するターゲット回収方法において、ターゲット物質を回収する回収容器内にターゲット物質の液面を形成することと、ターゲット供給装置が出力するターゲット物質を前記液面で受けることと、を含んでもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図２は、第１実施形態に係るターゲット回収装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図３は、ターゲット生成部の構成を概略的に示す。 図４は、ターゲット回収装置の構成を概略的に示す。 図５は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。 図６は、第２実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。 図７は、第３実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。 図８は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。 図９は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。 図１０は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。 図１１は、第６実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。 図１２は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、回収タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。 図１３は、第７実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。 図１４は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、供給タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。

実施形態

内容
１．概要
２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
３．１ 用語の説明
３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
３．２．２ 構成
３．２．３ 動作
３．２．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
３．３．２ 構成
３．３．３ 動作
３．３．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
３．４．２ 構成
３．４．３ 動作
３．４．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
３．５．２ 構成
３．５．３ 動作
３．５．３．１ ＥＵＶ光生成時
３．６ 第５実施形態
３．６．１ 概略
３．６．２ 構成
３．７ 第６実施形態
３．７．１ 概略
３．７．２ 構成
３．７．３ 動作
３．７．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、回収タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
３．８ 第７実施形態
３．８．１ 概略
３．８．２ 構成
３．８．３ 動作
３．８．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、供給タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

１．概要
本開示の実施形態においては、ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質を、当該チャンバ内で回収するターゲット回収装置が設けられる。このターゲット回収装置は、ターゲット物質を内部に導くよう構成された開口部を有し、ターゲット物質を回収する回収容器と、回収容器の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された容器温度調節部と、回収容器内にターゲット物質の液面を形成し、かつ、回収容器におけるターゲット物質の収容量が一定量以下となるように、回収容器からターゲット物質を排出するよう構成された収容量調節部と、を備えてもよい。

ここで、ターゲット物質が収容されていない回収容器が、ターゲット供給装置から出力されるターゲット物質を受けると、当該ターゲット物質を受けた部分において、樹枝状の金属が生成し得る。また、固体のターゲット物質が収容されている回収容器が、ターゲット供給装置から出力されるターゲット物質を受けた場合にも、樹枝状の金属が生成し得る。この樹枝状の金属が回収容器からはみ出ることによって、ＥＵＶ光の生成の妨げとなり得る。

上述のターゲット回収装置によれば、回収容器の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節して、当該回収容器内のターゲット物質を溶融して液面を形成し得る。そして、ターゲット供給装置が出力するターゲット物質を液面が受け得る。
このことにより、ターゲット供給装置が出力するターゲット物質は、液面で樹枝状の金属とならず、液面に溶け込み得る。
また、ターゲット回収装置によれば、回収容器におけるターゲット物質の収容量が一定量以下となるように、回収容器から前記ターゲット物質を排出し得るため、ＥＵＶ光生成装置を長期間使用した場合であっても、ターゲット物質が回収容器から溢れることが抑制され得る。

２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
２．１ 構成
図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。ＥＵＶ光生成装置１およびレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１を参照に、以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置７をさらに含んでもよい。ターゲット供給装置７は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置７から供給されるターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、またはそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。あるいは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１および第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成位置またはその近傍（プラズマ生成領域２５）に位置し、その第２の焦点が露光装置の仕様によって規定される所望の集光位置に位置するように配置されるのが好ましい。所望の集光位置は、中間焦点２９２と呼称する場合がある。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ光生成制御システム５とを含んでもよい。ターゲットセンサ４には、ＥＵＶ光生成制御システム５が電気的に接続されてもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置等を検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５には、レーザ装置３と、ターゲット供給装置７とが電気的に接続されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させるための接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収装置９（図２参照）等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４には、ＥＵＶ光生成制御システム５が電気的に接続されてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。

ターゲット供給装置７からは、ターゲット物質のドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光３３が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマからＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力速度等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。

３．ＥＵＶ光生成装置の実施形態
３．１ 用語の説明
以下、図２、図３、図４、図７，図８、図９、図１０、図１１、図１３における紙面上方向を＋Ｚ方向と表現し、下方向を−Ｚ方向と表現し、上方向と下方向とをＺ軸方向と表現する場合がある。同様に、図２、図３、図４、図７，図８、図９、図１０、図１１、図１３における紙面右方向を＋Ｘ方向と表現し、左方向を−Ｘ方向と表現し、右方向と左方向とをＸ軸方向と表現する場合がある。なお、これらの表現は、重力方向１０Ｂとの関係を表すものではない。

３．２ 第１実施形態
３．２．１ 概略
本開示の第１実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、チャンバ内でターゲット供給装置が出力するターゲット物質を当該チャンバ内で回収するターゲット回収装置を設けてもよい。ターゲット回収装置の回収容器は、略筒状の側面部と、側面部の軸方向の下端を塞ぐ底面部と、側面部を貫通する側面貫通孔と、を有し、軸方向の上端に開口部が設けられるように形成されてもよい。収容量調節部は、側面貫通孔を介して回収容器内のターゲット物質を排出するよう構成された排出配管と、排出配管の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された配管温度調節部と、を備えてもよい。

このような構成を用いて、排出配管の温度をターゲット物質の融点以上の温度に調節してよい。ターゲット供給装置から出力されたターゲット物質が蓄積し、ターゲット物質の液面が側面貫通孔の下端を超えたときに、下端を超えたターゲット物質を回収容器から排出してもよい。

以上のような構成により、ターゲット物質の液面が側面貫通孔の下端を超えたときに、特に物理的な制御を行うことなく、ターゲット物質を排出し得るため、ターゲット回収装置の構成が複雑になることを抑制し得る。
また、ターゲット供給装置が出力するターゲット物質は、液面に溶け込み得るため、樹枝状の金属の生成を抑制できてもよい。さらには、ＥＵＶ光生成装置を長期間使用した場合であっても、ターゲット物質が回収容器から溢れることが抑制され得る。

３．２．２ 構成
図２は、第１実施形態に係るターゲット回収装置が適用されるＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。図３は、ターゲット生成部の構成を概略的に示す。図４は、ターゲット回収装置の構成を概略的に示す。

ＥＵＶ光生成装置１は、図２に示すように、チャンバ２と、ターゲット供給装置７と、ターゲット回収装置９とを備えてもよい。ターゲット供給装置７は、ターゲット生成部７０と、ターゲット制御装置８０とを備えてもよい。ターゲット制御装置８０には、レーザ装置３と、ＥＵＶ光生成制御システム５とが電気的に接続されてもよい。

ターゲット生成部７０は、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３と、静電引出部７５とを備えてもよい。
ターゲット生成器７１は、内部にターゲット物質２７０を収容するためのタンク７１１を備えてもよい。タンク７１１は、筒状であってもよい。タンク７１１には、当該タンク７１１内のターゲット物質２７０を、ターゲット物質２７１としてチャンバ２内に出力するためのノズル７１２が設けられていてもよい。ターゲット生成器７１は、タンク７１１がチャンバ２外部に位置し、ノズル７１２がチャンバ２内部に位置するように設けられてもよい。圧力調整器７２は、タンク７１１に連結されてもよい。

チャンバ２の設置形態によっては、予め設定されるターゲット物質２７１の出力方向は、必ずしも重力方向１０Ｂ（図４参照）と一致するとは限らない。重力方向１０Ｂに対して、斜め方向や水平方向に、ターゲット物質２７１が出力されるよう構成されてもよい。なお、第１実施形態では、ターゲット物質２７１の出力方向が重力方向１０Ｂと一致するようにチャンバ２が設置されてもよい。

ノズル７１２は、図２および図３に示すように、ノズル本体７１３と、先端保持部７１４と、出力部７１５とを備えてもよい。ノズル本体７１３は、タンク７１１の下面からチャンバ２内に突出するように設けられてもよい。先端保持部７１４は、ノズル本体７１３の先端に設けられてもよい。先端保持部７１４は、ノズル本体７１３よりも直径が大きい円筒状に形成されてもよい。先端保持部７１４は、ノズル本体７１３とは別体として構成され、ノズル本体７１３に固定されてもよい。

出力部７１５は、略円板状に形成されてもよい。出力部７１５は、ノズル本体７１３の先端面に密着するように、先端保持部７１４によって保持されてもよい。出力部７１５の中央部分には、チャンバ２内に突出する円錐台状の突出部７１６が設けられてもよい。突出部７１６は、そこに電界が集中し易いようにするために設けられてもよい。突出部７１６には、突出部７１６における円錐台上面部を構成する先端部の略中央部に開口するノズル孔７１８が設けられてもよい。出力部７１５は、出力部７１５に対するターゲット物質２７０の濡れ性が低い材料で構成されるのが好ましい。あるいは、出力部７１５の少なくとも表面が、当該濡れ性が低い材料でコーティングされてもよい。

タンク７１１と、ノズル７１２と、出力部７１５とは、電気絶縁材料で構成されてもよい。これらが、電気絶縁材料ではない材料、例えばモリブデンなどの金属材料で構成される場合には、チャンバ２とターゲット生成器７１との間や、出力部７１５と後述する引出電極７５１との間に電気絶縁材料が配置されてもよい。この場合、タンク７１１と後述するパルス電圧生成器７５３とが電気的に接続されてもよい。

圧力調整器７２には、不活性ガスボンベ７２１が接続されてもよい。圧力調整器７２には、ターゲット制御装置８０が電気的に接続されてもよい。圧力調整器７２は、不活性ガスボンベ７２１から供給される不活性ガスの圧力を制御して、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。

第１温度調節部７３は、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を調節するよう構成されてもよい。第１温度調節部７３は、第１ヒータ７３１と、第１ヒータ電源７３２と、第１温度センサ７３３と、第１温度コントローラ７３４とを備えてもよい。第１ヒータ７３１は、タンク７１１の外周面に設けられてもよい。第１ヒータ電源７３２には、第１ヒータ７３１と、第１温度コントローラ７３４とが電気的に接続されてもよい。第１ヒータ電源７３２は、第１温度コントローラ７３４からの信号に基づいて、第１ヒータ７３１に電力を供給して第１ヒータ７３１を発熱させてもよい。それにより、タンク７１１内のターゲット物質２７０が加熱され得る。

第１温度センサ７３３は、タンク７１１の外周面におけるノズル７１２側に設けられてもよいし、タンク７１１内に設けられてもよい。第１温度センサ７３３には、第１温度コントローラ７３４が電気的に接続されてもよい。第１温度センサ７３３は、タンク７１１内のターゲット物質２７０の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第１温度コントローラ７３４に送信するよう構成されてもよい。第１温度コントローラ７３４には、ターゲット制御装置８０が電気的に接続されてもよい。第１温度コントローラ７３４は、第１温度センサ７３３からの信号に基づいて、ターゲット物質２７０の温度を所定温度に調節するための信号を第１ヒータ電源７３２に出力するよう構成されてもよい。

静電引出部７５は、引出電極７５１と、電極７５２と、パルス電圧生成器７５３とを備えてもよい。引出電極７５１は、略円板状に構成されてもよい。引出電極７５１の中央には、ドロップレットが通過するための円形状の貫通孔７５４が形成されてもよい。引出電極７５１は、出力部７１５との間に隙間が形成されるように、先端保持部７１４によって保持されてもよい。引出電極７５１は、貫通孔７５４の中心軸と、円錐台状の突出部７１６の回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１には、第４導入端子７５５を介してパルス電圧生成器７５３が電気的に接続されてもよい。

電極７５２は、タンク７１１内のターゲット物質２７０中に配置されてもよい。電極７５２には、フィードスルー７５６を介してパルス電圧生成器７５３が電気的に接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３には、ターゲット制御装置８０が電気的に接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３は、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１との間に電圧を印加するよう構成されてもよい。

ターゲット回収装置９は、図２および図４に示すように、回収容器９１と、カバー部９２と、収容量調節部９３と、第２温度調節部９５とを備えてもよい。
回収容器９１は、円筒状の側面部９１１と、当該側面部９１１の中心軸方向の一端（下端）を塞ぐ底面部９１２とを有し、側面部９１１の中心軸方向の他端（上端）に上開口部９１３が設けられるように形成されてもよい。設定出力方向１０Ａは、ターゲット物質２７１の出力方向であってよい。回収容器９１は、側面部９１１の中心軸が設定出力方向１０Ａおよび重力方向１０Ｂと平行となり、かつ、側面部９１１の中心軸がターゲット物質２７１のターゲット物質軌道２８０と一致するように、チャンバ２の内部に設けられるのが好ましい。回収容器９１は、内部空間９１４にターゲット物質２７１を液体のターゲット物質２７３として貯留できるように構成されてもよい。
側面部９１１は、図４における斜め下方に延びる側面貫通孔９１５を備えてもよい。側面貫通孔９１５は、側面部９１１の一部を貫通し、内部空間９１４が側面部９１１の外部と連通するように形成されてもよい。側面貫通孔９１５は、内部空間９１４側の側面開口部９１６の上端（＋Ｚ方向側端部）から底面部９１２の上面までの寸法が、寸法Ｄとなるような位置に設けられてもよい。これにより、回収容器９１内に回収されたターゲット物質２７３の深さ寸法（底面部９１２の上面からターゲット物質２７３の液面２７４までの寸法）が、寸法Ｄ以下となり得る。

カバー部９２は、テーパー円筒状に形成されてもよい。カバー部９２は、上開口部９１３の周縁から上方（＋Ｚ方向）に向けて直径が徐々に小さくなるように、側面部９１１に設けられてもよい。カバー部９２は、当該カバー部９２の中心軸が側面部９１１の中心軸と同一線上に位置するように設けられてもよい。カバー部９２の上端の開口部９２１は、ターゲット物質２７１が球形のドロップレットの場合その直径に対して十分大きく形成されてもよい。

収容量調節部９３は、回収容器９１内に液面２７４を形成し、かつ、回収容器９１におけるターゲット物質２７３の収容量が一定量以下となるように、回収容器９１からターゲット物質２７３を排出するように構成されてもよい。この収容量調節部９３は、回収タンク９３０と、排出配管としての接続配管９４０とを備えてもよい。

回収タンク９３０は、内部空間９３１を有する箱状に形成されてもよい。回収タンク９３０は、チャンバ２の外部に設けられていてもよい。
接続配管９４０は、内部空間９４３を有する管状に形成されて、回収容器９１の内部空間９１４が側面貫通孔９１５を介して回収タンク９３０の内部空間９３１と連通するように構成されてもよい。接続配管９４０は、回収容器９１の側面貫通孔９１５の外側の開口部から図４における斜め下方向に延びる上側配管９４１と、この上側配管９４１の下端から−Ｚ方向に延びて回収タンク９３０の上面部９３２に連結する下側配管９４２とを備えてもよい。

第２温度調節部９５は、回収容器９１の側面部９１１および底面部９１２の温度と、回収タンク９３０の温度と、上側配管９４１および下側配管９４２との温度を調節するように構成されてもよい。第２温度調節部９５は、容器温度調節部としての容器ヒータ９５１と、タンクヒータ９５２と、配管温度調節部としての配管ヒータ９５３と、第２ヒータ電源９５４と、第２温度センサ９５５と、第２温度コントローラ９５６とを備えてもよい。
容器ヒータ９５１は、側面部９１１および底面部９１２を覆うように設けられてもよい。タンクヒータ９５２は、回収タンク９３０の外周面全体を覆うように設けられてもよい。配管ヒータ９５３は、上側配管９４１および下側配管９４２の外周面全体を覆うように設けられてもよい。なお、図４において二点鎖線で示すように、カバー部９２の外周面全体を覆うカバー部ヒータ９５７をさらに設けてもよい。
第２ヒータ電源９５４には、容器ヒータ９５１と、タンクヒータ９５２と、配管ヒータ９５３と、第２温度コントローラ９５６とが電気的に接続されてもよい。第２ヒータ電源９５４は、第２温度コントローラ９５６からの信号に基づいて、容器ヒータ９５１と、タンクヒータ９５２と、配管ヒータ９５３とに電力を供給して、容器ヒータ９５１と、タンクヒータ９５２と、配管ヒータ９５３とを発熱させてもよい。それにより、回収容器９１内のターゲット物質２７３、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５、および、接続配管９４０の内部空間９４３の壁面が、ほぼ同じ温度に加熱され得る。
なお、カバー部ヒータ９５７が設けられる場合には、第２ヒータ電源９５４は、カバー部ヒータ９５７に電力を供給して、カバー部ヒータ９５７を発熱させるとよい。

第２温度センサ９５５は、回収容器９１内の底面部９１２に設けられてもよい。第２温度センサ９５５には、第２温度コントローラ９５６が電気的に接続されてもよい。第２温度センサ９５５は、回収容器９１内の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第２温度コントローラ９５６に送信するよう構成されてもよい。
第２温度コントローラ９５６には、ターゲット制御装置８０が電気的に接続されてもよい。第２温度コントローラ９５６は、第２温度センサ９５５からの信号に基づいて、回収容器９１内の温度を判断し、回収容器９１内の温度を所定温度に調節するための信号を第２ヒータ電源９５４に出力するよう構成されてもよい。

３．２．３ 動作
３．２．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
図５は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。

チャンバ２の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０は、図５に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５からドロップレット生成準備信号を受信したか否かを判断し（ステップＳ１）、受信していないと判断した場合には、ステップＳ１の処理を再度行ってもよい。

一方で、ステップＳ１において、ターゲット制御装置８０は、ドロップレット生成準備信号を受信したと判断すると、第１温度コントローラ７３４に信号を送信してもよい（ステップＳ２）。この信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度が、当該ターゲット物質２７０の融点以上の温度になるように、第１ヒータ電源７３２が制御されるよう構成されてもよい。
ターゲット物質２７０の融点以上の温度は、ターゲット物質２７０がスズの場合には２３２℃以上、ガドリニウムの場合には１３１２℃以上、テルビウムの場合には１３５６℃以上であってもよい。
第１温度コントローラ７３４は、第１温度センサ７３３からの信号に基づいて、ターゲット生成器７１内のターゲット物質２７０の温度を判断し、ターゲット物質２７０の温度が融点以上となるように、第１ヒータ電源７３２に供給される電力を制御するよう構成されてもよい。また、第１温度コントローラ７３４は、第１温度センサ７３３の温度がターゲット物質２７０の融点以上で安定したと判断した場合、ターゲット制御装置８０に信号を送信してもよい。

この後、ターゲット制御装置８０は、ターゲット回収装置９の第２温度コントローラ９５６に信号を送信してもよい（ステップＳ３）。この信号に基づいて、回収容器９１内の温度と、回収タンク９３０内の温度と、接続配管９４０の内部空間９４３の壁面温度が、ターゲット物質２７３の融点以上の所定の温度となるように、第２ヒータ電源９５４が制御されるよう構成されてもよい。
第２温度コントローラ９５６は、第２温度センサ９５５からの信号に基づいて、回収容器９１内の温度を判断し、当該回収容器９１内の温度がターゲット物質２７３の融点以上となるように、容器ヒータ９５１に供給される電力と、タンクヒータ９５２に供給される電力と、配管ヒータ９５３に供給される電力とを制御するよう構成されてもよい。また、第２温度コントローラ９５６は、第２温度センサ９５５の温度がターゲット物質２７３の融点以上の所定の温度で安定したと判断した場合、ターゲット制御装置８０に信号を送信してもよい。
このように回収容器９１が加熱されることによって、回収容器９１内のターゲット物質２７３の温度が、当該ターゲット物質２７３の融点以上の温度に上昇し、ターゲット物質２７３が固体から液体に変化し得る。また、このように回収タンク９３０が加熱されることによって、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５が固体から液体に変化し得る。
これにより、回収容器９１内に液面２７４を形成し、回収タンク９３０内に液面２７６を形成し得る。また、接続配管９４０が加熱されることによって、接続配管９４０の内部空間９４３の壁面温度がターゲット物質２７３の融点以上の温度に上昇し、回収容器９１から排出される液体のターゲット物質２７３が、接続配管９４０を通過中に固体に変化することを抑制し得る。
なお、ステップＳ２とステップＳ３は同時に実行されてもよいし、ステップＳ３を実行後にステップＳ２が実行されてもよい。

ターゲット制御装置８０は、第２温度コントローラ９５６からの信号に基づいて、第２温度センサ９５５による検出温度がターゲット物質２７３の融点以上の所定の温度に安定したか否かを判断し（ステップＳ４）、安定していないと判断した場合には、ステップＳ４の処理を再度行ってもよい。所定の温度に安定したか否かの基準は、検出温度の変動が、例えば一定時間、所定の温度から一定温度範囲内であるか否かであってもよい。これは、以下の説明における所定の温度に安定したか否かの判断基準についても同様であってよい。
一方で、ステップＳ４において、ターゲット制御装置８０は、安定したと判断すると、第１温度コントローラ７３４からの信号に基づいて、第１温度センサ７３３の温度がターゲット物質２７０の融点以上の所定の温度に安定したか否かを判断してもよい（ステップＳ５）。

そして、ターゲット制御装置８０は、ステップＳ５において、安定していないと判断した場合には、ステップＳ５の処理を再度行ってもよい。また、ターゲット制御装置８０は、ステップＳ５において、安定したと判断した場合には、ＥＵＶ光生成制御システム５にドロップレット生成準備ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ６）。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ドロップレット生成準備ＯＫ信号を受信したときに、ターゲット制御装置８０にドロップレット生成信号を送信してもよい。ターゲット制御装置８０は、ＥＵＶ光生成制御システム５からのドロップレット生成信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力を調節するための信号を圧力調整器７２に送信するよう構成されてもよい。圧力調整器７２は、この信号を受信したときに、タンク７１１内の圧力をターゲット物質２７１が出力され得る圧力に調節してもよい。
また、ターゲット制御装置８０は、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１との間に電圧を印加するための信号を、パルス電圧生成器７５３に送信してもよい。

ターゲット生成器７１は、ノズル７１２を介して、ターゲット物質２７１を出力してもよい。パルス電圧生成器７５３は、タンク７１１内のターゲット物質２７０と引出電極７５１との間に電圧を印加して、ノズル７１２が出力するターゲット物質２７１を静電気力によってドロップレットの形状で引き出してもよい。
出力されたターゲット物質２７１の位置、速度、大きさ、進行方向、所定位置における通過タイミングおよび通過周期、それらの安定性等を示す情報は、ターゲットセンサ４によって検出されてもよい。この検出された情報は、それぞれ信号として、ターゲット制御装置８０を経由してＥＵＶ光生成制御システム５で受信されてもよい。例えば、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット物質２７１の所定位置における通過タイミングを示す信号を受信すると、ターゲット物質２７１がプラズマ生成領域２５に到達したときにターゲット物質２７１にパルスレーザ光３３が照射されるように、レーザ装置３にパルスレーザ光３１の発振トリガを入力してもよい。

レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ターゲット物質２７１に照射され、ターゲット物質２７１はプラズマ化してもよい。そのプラズマから放射されたＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射され、ＥＵＶ光２５２として露光装置６に出力されてもよい。

ここで、ＥＵＶ光生成システム１１を試運転するときに、レーザ装置３からパルスレーザ光３１を出力せずに、ターゲット生成部７０からターゲット物質２７１のみを出力するように構成してもよい。このターゲット物質２７１は、図４に示すように、回収容器９１内のターゲット物質２７３の液面２７４に到達するように出力されてもよい。
ターゲット物質２７１が固体の表面ではなく、液体のターゲット物質２７３の液面２７４に到達するため、当該ターゲット物質２７１は、ターゲット物質２７３に溶け込み得る。

ターゲット物質２７１が回収容器９１内に到達し続けると、ターゲット物質２７３の液面２７４が次第に上昇し得る。図４に一点鎖線で示すように、液面２７４が側面開口部９１６の下端よりも上昇すると、当該側面開口部９１６の下端を超えたターゲット物質２７３が側面開口部９１６を介して接続配管９４０の内部空間９４３に流入し得る。内部空間９４３の壁面温度がターゲット物質２７３の融点以上のため、当該内部空間９４３に流入する液体のターゲット物質２７３は、固体に変化することなく液体の状態を維持したままで、回収タンク９３０内に流入し得る。回収タンク９３０内には液体のターゲット物質２７５が収容されているため、ターゲット物質２７３は、ターゲット物質２７５の液面２７６に到達し、ターゲット物質２７５に溶け込み得る。
このように、液面２７４が側面開口部９１６の下端よりも上昇すると、当該側面開口部９１６の下端を超えたターゲット物質２７３が接続配管９４０を介して回収タンク９３０内に流入し得るため、回収容器９１内に貯留されたターゲット物質２７３の深さ寸法が寸法Ｄ以下となり得る。すなわち、収容量調節部９３は、回収容器９１内に液面２７４を形成し、かつ、回収容器９１におけるターゲット物質２７３の収容量が一定量以下となるように、回収容器９１内のターゲット物質２７３を排出し得る。

なお、ＥＵＶ光を生成しているときにパルスレーザ光３３が照射されなかったターゲット物質２７１が、回収容器９１内の液面２７４に到達し得る。このような場合であっても、ターゲット回収装置９は上述の試運転のときと同様の動作であってよい。

上述のように、ターゲット回収装置９は、液面２７４によってターゲット物質２７１を受け得るので樹枝状の金属を生成しなくてよい。

また、ターゲット回収装置９が回収容器９１からターゲット物質２７３を排出し得るため、ＥＵＶ光生成装置１を長期間使用した場合であっても、ターゲット物質２７３が回収容器９１から溢れることを抑制し得る。さらに、この過程で特に物理的な制御を行うことなく、ターゲット物質２７３を排出し得るため、ターゲット回収装置９の構成が複雑になることを抑制し得る。

カバー部９２は、上開口部９１３の周縁から上方に向けて直径が徐々に小さくなるように形成されているため、ターゲット物質２７１が液面２７４に到達することで飛沫が発生した場合でも、飛沫が回収容器９１の外に飛び出すことを抑制し得る。

配管ヒータ９５３は、接続配管９４０をターゲット物質２７３の融点以上の温度に加熱
し得るので、回収容器９１から排出したターゲット物質２７３は、液体のままで接続配管９４０内を流れて、回収タンク９３０に回収され得る。

なお、カバー部ヒータ９５７を設けた場合には、カバー部９２をターゲット物質２７１との濡れ性が低い材料で形成してもよい。このような構成により、ターゲット物質２７１が液面２７４に到達することで発生する飛沫は、カバー部９２に接触したときに、当該カバー部９２に付着せずに、当該カバー部９２を伝って回収容器９１で回収され得る。

３．３ 第２実施形態
３．３．１ 概略
本開示の第２実施形態によれば、設定出力方向１０Ａを重力方向１０Ｂに対して斜めに
設定したＥＵＶ光生成装置に、チャンバ内でターゲット供給装置が出力するターゲット物質を当該チャンバ内で回収するターゲット回収装置を設けてもよく、第１実施形態と同様の効果を奏し得る。

３．３．２ 構成
図６は、第２実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。
なお、本開示の第２実施形態では、図２に示すＥＵＶ光生成システム１１において、設定出力方向１０Ａを重力方向１０Ｂに対して斜めに設定した場合を図６を参照に例示する。

ターゲット回収装置９Ａは、図６に示すように、回収容器９１と、カバー部９２と、収容量調節部９３Ａと、第２温度調節部９５とを備えてもよい。
回収容器９１は、側面部９１１の中心軸が重力方向１０Ｂに対して斜めとなっていてもよい。このとき、側面部９１１の中心軸がターゲット物質２７１のターゲット物質軌道２８０と一致するように、チャンバ２の内部に設けられているとよい。

収容量調節部９３Ａは、回収タンク９３０と、排出配管としての接続配管９４０Ａとを備えてもよい。
接続配管９４０Ａは、内部空間９４３Ａを有する管状に形成されてもよい。接続配管９４０Ａは、回収容器９１の側面貫通孔９１５の外側の開口部から図６における下方向（重力方向１０Ｂと平行な方向）に延びて回収タンク９３０の上面部９３２に連結するように設けられてもよい。

３．３．３ 動作
３．３．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
第２実施形態は、第１実施形態と同様の動作であってよい。ＥＵＶ光生成装置１が図５のフローチャートに示すような処理を行うと、回収容器９１内のターゲット物質２７３の温度と、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５の温度と、接続配管９４０Ａの内部空間９４３Ａの壁面温度と、がターゲット物質２７３、ターゲット物質２７５の融点以上の温度に上昇し、液面２７４と液面２７６とを形成し得る。図６に示すように、ドロップレットの形状のターゲット物質２７１は、液面２７４に到達したときに樹枝状の金属とならず、ターゲット物質２７３に溶け込み得る。

また、図６に一点鎖線で示すように、液面２７４が側面開口部９１６の下端よりも上昇したときには、当該側面開口部９１６の下端を超えたターゲット物質２７３が、側面開口部９１６と接続配管９４０Ａとを介して回収タンク９３０内に流入し得る。回収タンク９３０内には液体のターゲット物質２７５が収容されているため、ターゲット物質２７３は、ターゲット物質２７５の液面２７６において樹枝状の金属とならず、ターゲット物質２７５に溶け込み得る。
このように、側面開口部９１６の下端を超えたターゲット物質２７３が回収タンク９３０内に流入し得るため、回収容器９１内に液面２７４を形成し、かつ、回収容器９１におけるターゲット物質２７３の収容量が一定量以下となり得る。

３．４ 第３実施形態
３．４．１ 概略
本開示の第３実施形態によれば、第１実施形態と同様のターゲット回収装置において、回収容器は、底面部を貫通する底面貫通孔を有しよい。収容量調節部は、底面貫通孔を介して回収容器内のターゲット物質を排出するよう構成された排出配管を備えてもよい。さらに、収容量調節部は、排出配管内のターゲット物質の流量を調節する流量調節部と、ターゲット物質の収容量が一定量を超えたことを検出すると、上限信号を送信する上限検出部と、収容量が予め設定された下限量となったことを検出すると、下限信号を送信する下限検出部と、を備えてもよい。

このような構成を用いて、上限信号を受信すると、流量調節部を制御して回収容器内のターゲット物質を排出し、下限信号を受信するとターゲット物質の排出を停止してもよい。

以上のような構成により、上限検出部や下限検出部の位置を調節することで、ＥＵＶ光生成装置の設置条件やＥＵＶ光の生成条件に応じて、回収容器内でのターゲット物質の収容量を適切に調節し得る。

３．４．２ 構成
図７は、第３実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。
ターゲット回収装置９Ｂは、図７に示すように、回収容器９１Ｂと、カバー部９２と、収容量調節部９３Ｂと、第２温度調節部９５と、液面制御部９６Ｂとを備えてもよい。

回収容器９１Ｂは、第１実施形態と同様の構成において、筒状の側面部９１１と底面部９１２とを有し、底面部９１２は、図７におけるＺ軸方向に延びる底面貫通孔９１７Ｂを備えてもよい。底面貫通孔９１７Ｂは、底面部９１２の一部を貫通し、内部空間９１４が底面部９１２の外部と連通するように形成されてもよい。

収容量調節部９３Ｂは、回収タンク９３０と、排出配管としての接続配管９４０Ｂとを備えてもよい。
接続配管９４０Ｂは、内部空間９４３Ｂを有する管状に形成され、底面貫通孔９１７Ｂの外側の開口部からＺ軸方向に延びて回収タンク９３０の上面部９３２に連結するように設けられてもよい。

液面制御部９６Ｂは、流量調節部としてのバルブ９６１Ｂと、下限検出部としての下側液面センサ９６２Ｂと、上限検出部としての上側液面センサ９６３Ｂと、排出制御部としての排出コントローラ９６４Ｂとを備えてもよい。
バルブ９６１Ｂには、排出コントローラ９６４Ｂが電気的に接続されてもよい。バルブ９６１Ｂは、排出コントローラ９６４Ｂの制御によって、内部空間９１４内のターゲット物質２７３が内部空間９３１内に流入可能な開状態と、流入不可能な閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。
下側液面センサ９６２Ｂおよび上側液面センサ９６３Ｂは、側面部９１１の内面に設けられてもよい。下側液面センサ９６２Ｂおよび上側液面センサ９６３Ｂには、排出コントローラ９６４Ｂが電気的に接続されてもよい。下側液面センサ９６２Ｂは、上側液面センサ９６３Ｂよりも底面部９１２側に設けられてもよい。下側液面センサ９６２Ｂは、ターゲット物質２７３が回収タンク９３０内に流入して液面２７４が下降し、当該液面２７４が液面下限位置２７７Ｂに到達したことを検出して、当該検出した旨の下限信号を排出コントローラ９６４Ｂに送信するよう構成されてもよい。
上側液面センサ９６３Ｂは、内部空間９１４内のターゲット物質２７３にターゲット物質２７１が溶け込むことで液面２７４が上昇し、当該液面２７４が液面上限位置２７８Ｂに到達したことを検出して、当該検出した旨の上限信号を排出コントローラ９６４Ｂに送信するよう構成されてもよい。
排出コントローラ９６４Ｂには、ターゲット制御装置８０が電気的に接続されてもよい。排出コントローラ９６４Ｂは、上側液面センサ９６３Ｂからの上限信号に基づいて、液面２７４が液面上限位置２７８Ｂに到達したと判断したときに、バルブ９６１Ｂを閉状態から開状態に切り替えて、回収容器９１Ｂ内のターゲット物質２７３が回収タンク９３０内に流入するように構成されてもよい。排出コントローラ９６４Ｂは、下側液面センサ９６２Ｂからの下限信号に基づいて、液面２７４が液面下限位置２７７Ｂに到達したと判断したときに、バルブ９６１Ｂを開状態から閉状態に切り替えて、回収容器９１Ｂ内のターゲット物質２７３が回収容器９１Ｂから流出することを停止するように構成されてもよい。

３．４．３ 動作
３．４．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
ＥＵＶ光生成装置１が図５のフローチャートに示すような処理を行ってよい。回収容器９１Ｂ内のターゲット物質２７３と、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５の温度と、接続配管９４０Ｂの内部空間９４３Ｂの壁面温度と、がターゲット物質２７３、ターゲット物質２７５の融点以上の温度に上昇し、液面２７４と液面２７６とを形成し得る。図７に示すように、ドロップレットの形状のターゲット物質２７１は、液面２７４に到達したときに樹枝状の金属とならず、ターゲット物質２７３に溶け込み得る。

また、図７に示すように、回収容器９１Ｂ内の液面２７４が上昇して液面上限位置２７８Ｂに到達すると、排出コントローラ９６４Ｂがバルブ９６１Ｂを閉状態から開状態に切り替えることで、ターゲット物質２７３が回収タンク９３０内に流入し得る。また、回収容器９１Ｂ内の液面２７４が下降して液面下限位置２７７Ｂに到達すると、排出コントローラ９６４Ｂがバルブ９６１Ｂを開状態から閉状態に切り替えることで、ターゲット物質２７３が回収容器９１Ｂから流出することを停止し得る。
このように、液面２７４が液面上限位置２７８Ｂに到達したときに、回収容器９１Ｂ内のターゲット物質２７３が回収タンク９３０内に流入し得るため、回収容器９１Ｂ内の液面２７４が下降して液面下限位置２７７Ｂに到達し、かつ、回収容器９１Ｂにおけるターゲット物質２７３の収容量が一定量以下となり得る。

上述のように、ターゲット回収装置９Ｂは、液面２７４が上昇して液面上限位置２７８Ｂに到達すると、ターゲット物質２７３を回収タンク９３０内に排出し、回収容器９１Ｂ内の液面２７４が下降して液面下限位置２７７Ｂに到達すると、ターゲット物質２７３を回収容器９１Ｂから排出することを停止し得る。
このことにより、上側液面センサ９６３Ｂや下側液面センサ９６２Ｂの位置を調節することで、ＥＵＶ光生成装置１の設置条件やＥＵＶ光の生成条件に応じて、回収容器９１Ｂ内でのターゲット物質２７３の収容量を適切に調節し得る。

なお、上側液面センサ９６３Ｂを設けずに、排出コントローラ９６４ＢがＥＵＶ光の生成開始から所定時間経過したことを検出した際に、液面２７４が液面上限位置２７８Ｂに到達したと見なして、ターゲット物質２７３の排出を開始してもよい。また、下側液面センサ９６２Ｂを設けずに、排出コントローラ９６４Ｂがターゲット物質２７３の排出開始から所定時間経過したことを検出した際に、液面２７４が液面下限位置２７７Ｂに到達したと見なして、ターゲット物質２７３の排出を停止してもよい。

また、バルブ９６１Ｂを設けないで以下のような構成としてもよい。すなわち、接続配管９４０Ｂを配管ヒータ９５３で加熱することで、回収容器９１から排出されるターゲット物質２７３を液体のまま排出してもよい。また、配管ヒータ９５３での接続配管９４０Ｂの加熱を停止して、接続配管９４０Ｂの温度をターゲット物質２７３の融点未満の温度まで下げることで、回収容器９１から排出されるターゲット物質２７３を接続配管９４０Ｂ内で固体にし、ターゲット物質２７３の排出を停止してもよい。

３．５ 第４実施形態
３．５．１ 概略
本開示の第４実施形態によれば、オンデマンド方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置、あるいは、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に、第１実施形態と同様のターゲット回収装置が設けられてもよい。
上述のターゲット回収装置によって、第１実施形態のターゲット回収装置と同様の作用効果を奏し得る。

なお、本開示の第４実施形態では、図２に示す第１実施形態のターゲット供給装置７において、ターゲット生成部７０の代わりにターゲット生成部７０Ｄが設けられるとともに、ターゲット制御装置８０の代わりにターゲット制御装置８０Ｄが設けられたターゲット供給装置７Ｄを例示する。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。ターゲット回収方法としては、上述の第１実施形態に係る方法が適用されてもよい。

３．５．２ 構成
図８は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、オンデマンド方式でドロップレットが生成される状態を示す。図９は、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示し、コンティニュアスジェット方式でジェットが生成される状態を示す。

ＥＵＶ光生成装置１Ｄは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｄと、ターゲット回収装置９（図示せず）とを備えてもよい。
ターゲット供給装置７Ｄのターゲット生成部７０Ｄは、ターゲット生成器７１と、圧力調整器７２と、第１温度調節部７３と、ピエゾ押出部７４Ｄとを備えてもよい。
ピエゾ押出部７４Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄと、ピエゾ素子電源７４２Ｄとを備えてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄは、チャンバ２内において、ノズル７１２の外周面に設けられてもよい。ピエゾ素子７４１Ｄの代わりに、高速でノズル７１２に押圧力を加えることが可能な機構が設けられてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄには、チャンバ２の壁部に設けられた第３導入端子７４３Ｄを介して、ピエゾ素子７４１Ｄが電気的に接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄには、ターゲット制御装置８０Ｄが電気的に接続されてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｄには、ＥＵＶ光生成制御システム５と、圧力調整器７２と、第１温度コントローラ７３４とが電気的に接続されてもよい。

３．５．３ 動作
３．５．３．１ ＥＵＶ光生成時
ＥＵＶ光生成時には、ターゲット制御装置８０Ｄは、圧力調整器７２に信号を送信して、タンク７１１内の圧力を所定の圧力に調節するよう構成されてもよい。この所定の圧力とは、ノズル孔７１８にターゲット物質２７０によるメニスカス面が形成される程度の圧力でよく、この状態ではドロップレット２７２は出力されなくともよい。

その後、ターゲット制御装置８０Ｄは、図８に示すように、オンデマンド方式でドロップレット２７２を生成するためのドロップレット生成信号１２Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。
ドロップレット生成信号１２Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して所定のパルス状の電力を供給するよう構成されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、電力の供給タイミングに合わせて変形し得る。これにより、ノズル７１２が高速で押圧され、ドロップレット２７２が出力され得る。タンク７１１内が所定の圧力に維持されていれば、電力供給のタイミングに合わせてドロップレット２７２が出力され得る。

ターゲット制御装置８０Ｄは、図９に示すように、コンティニュアスジェット方式でジェット２７９を生成するよう、タンク７１１内の圧力を調節するよう構成されてもよい。
このときのタンク７１１内の圧力は上述の所定の圧力よりも高い圧力であってもよい。あるいは、ターゲット制御装置８０Ｄは、ドロップレット２７２を生成するための振動信号１３Ｄをピエゾ素子電源７４２Ｄに送信するよう構成されてもよい。
振動信号１３Ｄを受信したピエゾ素子電源７４２Ｄは、ピエゾ素子７４１Ｄに対して当該ピエゾ素子７４１Ｄを振動させるための電力を供給するよう構成されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄには、チャンバ２の壁部に設けられた第３導入端子７４３Ｄを介して、ピエゾ素子７４１Ｄが電気的に接続されてもよい。ピエゾ素子電源７４２Ｄには、ターゲット制御装置８０Ｄが電気的に接続されてもよい。ターゲット制御装置８０Ｄには、ＥＵＶ光生成制御システム５と、圧力調整器７２と、第１温度コントローラ７３４とが電気的に接続されてもよい。電力の供給を受けたピエゾ素子７４１Ｄは、ノズル７１２を高速で振動させ得る。ピエゾ素子７４１Ｄがノズル７１２に与える変位量は、オンデマンド方式に比べて小さくても良い。
これにより、ジェット２７９は、一定周期で分断され、ドロップレット２７２として出力され得る。そして、このように出力されたドロップレット２７２にパルスレーザ光が照射されることで、ＥＵＶ光が生成されてもよい。

なお、ターゲット回収方法として、第２〜第３実施形態で示した方法を適用してもよい。

３．６ 第５実施形態
３．６．１ 概略
本開示の第５実施形態によれば、静電引出方式でドロップレットが生成されるよう構成されたＥＵＶ光生成装置に第１実施形態と同様のターゲット回収装置が設けられてもよい。
上述のターゲット回収装置によって、第１実施形態のターゲット回収装置と同様の作用効果を奏し得る。

なお、本開示の第５実施形態では、図２に示すターゲット供給装置７において、ターゲット生成部７０の代わりにターゲット生成部７０Ｅが設けられるとともに、ターゲット制御装置８０の代わりにターゲット制御装置８０Ｅが設けられたターゲット供給装置７Ｅを例示する。また、設定出力方向１０Ａが重力方向１０Ｂと一致するように設定された場合を例示する。ターゲット回収方法としては、上述の第１実施形態に係る方法が適用されてもよい。

３．６．２ 構成
図１０は、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す。
ＥＵＶ光生成装置１Ｅは、チャンバ２と、ターゲット供給装置７Ｅと、ターゲット回収装置９（図示せず）とを備えてもよい。
ターゲット供給装置７Ｅのターゲット生成部７０Ｅは、第１実施形態のターゲット供給装置７と同様の構成に加えて、ピエゾ押出部７４Ｄと、静電引出部７５Ｅとを備えてもよい。

静電引出部７５Ｅは、引出電極７５１と、電極７５２と、パルス電圧生成器７５３Ｅと、加速電極７５７Ｅとを備えてもよい。
電極７５２には、フィードスルー７５６を介して、パルス電圧生成器７５３Ｅが電気的に接続されてもよい。
加速電極７５７Ｅは、引出電極７５１と略等しい略円板状に構成されてもよい。加速電極７５７Ｅの中央には、貫通孔７５４と略等しい円形状の貫通孔７５８Ｅが形成されてもよい。加速電極７５７Ｅは、引出電極７５１との間に隙間が形成されるように、引出電極７５１の下側（−Ｚ方向側）において先端保持部７１４によって保持されてもよい。加速電極７５７Ｅは、貫通孔７５８Ｅの中心軸と、貫通孔７５４の中心軸および円錐台状の突出部７１６の回転対称軸とが一致するように保持されるのが好ましい。引出電極７５１および加速電極７５７Ｅには、第４導入端子７５５を介してパルス電圧生成器７５３Ｅが電気的に接続されてもよい。

パルス電圧生成器７５３Ｅには、ターゲット制御装置８０Ｅが電気的に接続されてもよい。パルス電圧生成器７５３Ｅは、タンク７１１内のターゲット物質２７０に正極の電圧を印加し、引出電極７５１および加速電極７５７Ｅに負極の電圧を印加するよう構成されてもよい。これにより、ターゲット物質２７０が静電気力によってドロップレットの形状で引き出され得る。
ターゲット制御装置８０Ｅには、ＥＵＶ光生成制御システム５と、圧力調整器７２と、第１温度コントローラ７３４と、ピエゾ素子電源７４２Ｄとが電気的に接続されてもよい。

なお、ターゲット回収方法として、第２〜第３実施形態で示した方法を適用してもよい。

３．７ 第６実施形態
３．７．１ 概略
本開示の第６実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置に、ターゲット供給装置以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給するよう構成された供給部を設けてもよい。
このような構成を用いて、回収容器内のターゲット物質を溶融して液面を形成することの前に、ターゲット供給装置以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給してもよい。

以上のような構成により、ＥＵＶ光を生成する前に、回収容器内にターゲット物質が存在しないときには、ターゲット供給装置以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給して、当該供給したターゲット物質を溶融して液面を形成し得る。

また、供給部は、収容量調節部で排出したターゲット物質を貯留するよう構成された回収タンクと、回収タンクに貯留したターゲット物質を回収容器内に戻すよう構成された供給用配管と、回収タンクのターゲット物質を供給用配管内に流して回収容器に供給するよう構成された供給量調節部と、回収タンクの温度と供給用配管の温度とをターゲット物質の融点以上の温度に調節する供給物質温度調節部と、を備えてもよい。
このような構成を用いて、ターゲット供給装置以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給することは、回収タンクの温度と供給用配管の温度とをターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、回収タンクのターゲット物質を供給用配管内に流して回収容器に供給することと、を含むようにしてもよい。

以上のような構成により、回収容器が回収して回収タンクに排出したターゲット物質を、再度回収容器に戻すことが可能となり得る。このため、回収容器内に液面を形成するためのみに用いるターゲット物質を、新たに準備する必要がなくなり、ターゲット物質の使用量を最小限に抑制し得る。

３．７．２ 構成
図１１は、第６実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。
ターゲット回収装置９Ｆは、図１１に示すように、第１実施形態と同様の構成において、収容量調節部９３に替えて、供給部としても機能する収容量調節部９３Ｆを備え、さらに、第２温度調節部９５Ｆとを備えてもよい。

収容量調節部９３Ｆは、回収容器９１内に液面２７４を形成し、かつ、回収容器９１におけるターゲット物質２７３の収容量が一定量以下となるように、回収容器９１からターゲット物質２７３を排出するように構成されてもよい。また、収容量調節部９３Ｆは、回収容器９１から排出されたターゲット物質２７３を、回収容器９１内に戻すように構成されてもよい。
この収容量調節部９３Ｆは、回収タンク９３０と、排出配管および供給用配管としての接続配管９４０Ｆと、供給量調節部９７０Ｆとを備えてもよい。

接続配管９４０Ｆは、上側配管９４１と、この上側配管９４１の下端から−Ｚ方向に延びる下側配管９４２Ｆとを備えてもよい。下側配管９４２Ｆは、回収タンク９３０の上面部９３２を貫通して、回収タンク９３０の底面部９３３の近傍まで延びるように形成されてもよい。具体的に、下側配管９４２Ｆは、当該下側配管９４２Ｆの先端と回収タンク９３０の底面部９３３との間隔が、寸法Ｈとなるように形成されてもよい。

供給量調節部９７０Ｆは、排気管９７１Ｆと、給気管９７２Ｆと、排気ポンプ９７３Ｆと、排気バルブ９７４Ｆと、給気部９７５Ｆと、給気バルブ９７６Ｆとを備えてもよい。
排気管９７１Ｆは、回収タンク９３０の側面部９３４の上部に連結され、＋Ｘ方向に延びるように設けられてもよい。
給気管９７２Ｆは、排気管９７１ＦのＸ軸方向の略中央に連結され、当該連結部分から−Ｚ方向に延びるように設けられてもよい。
排気ポンプ９７３Ｆと、排気バルブ９７４Ｆと、給気部９７５Ｆと、給気バルブ９７６Ｆとには、ターゲット制御装置８０Ｆが電気的に接続されてもよい。
排気ポンプ９７３Ｆは、排気バルブ９７４Ｆを介して排気管９７１Ｆの先端部に設けられ、回収タンク９３０内を排気可能に構成されてもよい。
排気バルブ９７４Ｆは、排気管９７１Ｆにおける当該排気管９７１Ｆと給気管９７２Ｆとの連結部分よりも９７３Ｆ側に設けられてもよい。排気バルブ９７４Ｆは、ターゲット制御装置８０Ｆの制御によって、開状態と閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。
給気部９７５Ｆは、給気管９７２Ｆの先端部に設けられ、当該給気管９７２Ｆを介して回収タンク９３０内に気体を供給可能に構成されてもよい。給気部９７５Ｆは、回収タンク９３０内に窒素ガス等の不活性ガスを供給してもよい。
給気バルブ９７６Ｆは、給気管９７２Ｆに設けられ、ターゲット制御装置８０Ｆの制御によって、開状態と閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。

第２温度調節部９５Ｆは、容器ヒータ９５１と、供給物質温度調節部としてのタンクヒータ９５２Ｆと、配管温度調節部および供給物質温度調節部としての配管ヒータ９５３Ｆと、第２ヒータ電源９５４と、第２温度センサ９５５と、第３温度センサ９５８Ｆと、第２温度コントローラ９５６Ｆとを備えてもよい。
容器ヒータ９５１と、タンクヒータ９５２Ｆと、配管ヒータ９５３Ｆとには、第２ヒータ電源９５４が電気的に接続されてもよい。第２ヒータ電源９５４と、第２温度センサ９５５と、第３温度センサ９５８Ｆと、ターゲット制御装置８０Ｆとには、第２温度コントローラ９５６Ｆが電気的に接続されてもよい。
タンクヒータ９５２Ｆは、回収タンク９３０の外周面全体を覆うように設けられてもよい。配管ヒータ９５３Ｆは、上側配管９４１全体、および、下側配管９４２Ｆのうち回収タンク９３０から突出している部分の外周面全体を覆うように設けられてもよい。第３温度センサ９５８Ｆは、回収タンク９３０内の底面部９３３に設けられてもよい。第３温度センサ９５８Ｆは、回収タンク９３０内の温度を検出して、当該検出された温度に対応する信号を第２温度コントローラ９５６Ｆに送信するよう構成されてもよい。

３．７．３ 動作
３．７．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、回収タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
図１２は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、回収タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。
なお、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作については、第１実施形態と同様なので、説明を省略する。

チャンバ２の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０Ｆは、図１２に示すように、第１実施形態と同様のステップＳ１〜ステップＳ２の処理を行ってもよい。
ステップＳ３においては、第２温度コントローラ９５６Ｆは、第２温度センサ９５５からの信号に基づいて、回収容器９１内の温度がターゲット物質２７３の融点以上となるように、容器ヒータ９５１に供給される電力と、配管ヒータ９５３Ｆに供給される電力とを制御するよう構成されてもよい。また、第２温度コントローラ９５６Ｆは、第３温度センサ９５８Ｆからの信号に基づいて、回収タンク９３０内の温度がターゲット物質２７５の融点以上となるように、タンクヒータ９５２Ｆに供給される電力を制御するよう構成されてもよい。
固体のターゲット物質２７５が存在する回収タンク９３０が、このように加熱されることによって、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５が固体から液体に変化し得る。また、ターゲット物質２７３が存在していない回収容器９１および接続配管９４０Ｆが、このように加熱されることによって、回収タンク９３０の液体のターゲット物質２７５を回収容器９１に供給するときに、当該ターゲット物質２７５が固体に変化することを抑制し得る。

ターゲット制御装置８０Ｆは、第２温度コントローラ９５６Ｆからの信号に基づいて、第２温度センサ９５５および第３温度センサ９５８Ｆの温度がターゲット物質２７５の融点以上の所定の温度に安定したか否かを判断し（ステップＳ１１）、安定していないと判断した場合には、ステップＳ１１の処理を再度行ってもよい。
一方で、ターゲット制御装置８０Ｆは、ステップＳ１１において安定したと判断した場合には、ステップＳ５の処理を行った後、ターゲット物質２７３が存在しない回収容器９１に、回収タンク９３０内の液体のターゲット物質２７５を供給してもよい（ステップＳ１２）。なお、ステップＳ５は第１実施形態と同様であってよい。

ステップＳ１２においては、ターゲット制御装置８０Ｆは、排気バルブ９７４Ｆを閉じるとともに、給気バルブ９７６Ｆを開いてもよい。そして、ターゲット制御装置８０Ｆは、給気部９７５Ｆを駆動して、回収タンク９３０内に気体を供給してもよい。
回収タンク９３０内に気体が供給されると、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５の液面２７６に圧力が加わり得る。また、チャンバ２内が減圧されているため、回収容器９１内も減圧され得る。この圧力差によって、回収タンク９３０内のターゲット物質２７５が接続配管９４０Ｆを介して回収容器９１内に供給され、回収容器９１内に液面２７４が形成され得る。
ターゲット制御装置８０Ｆは、給気部９７５Ｆを駆動してから所定時間経過後、給気部９７５Ｆを停止して給気バルブ９７６Ｆを閉じてもよい。次に、ターゲット制御装置８０Ｆは、排気バルブ９７４Ｆを開き、所定時間だけ排気ポンプ９７３Ｆを駆動し、回収タンク９３０内を排気してもよい。回収タンク９３０内を排気すると、回収容器９１内へのターゲット物質２７５の供給が停止され得る。

ターゲット制御装置８０Ｆは、ステップＳ１２の処理を終了すると、ＥＵＶ光生成制御システム５にドロップレット生成準備ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ６）。

上述のように、ターゲット回収装置９Ｆは、ＥＵＶ光を生成する前に、回収容器９１内にターゲット物質２７３が存在しないときには、回収タンク９３０からターゲット物質２７５を回収容器９１内に供給して、液面２７４を形成し得る。このため、ノズル７１２が出力するターゲット物質２７１が液面２７４に溶け込み得ることとなり、樹枝状のターゲット物質が回収容器９１から溢れることが抑制され得る。

ターゲット回収装置９Ｆは、回収容器９１が回収して回収タンク９３０に排出したターゲット物質２７５を、再度回収容器９１に戻すため、ターゲット物質の使用量を最小限に抑制し得る。

１本の接続配管９４０Ｆを、回収容器９１から回収タンク９３０へのターゲット物質２７３の排出と、回収タンク９３０から回収容器９１へのターゲット物質２７５の供給とに利用するため、チャンバ２を貫通する配管数を最小限に抑制し得る。

なお、接続配管９４０Ｆとは別に、回収容器９１から回収タンク９３０へのターゲット物質２７３の排出のみに用いる配管（例えば、図４に示す接続配管９４０と同様の構成）を設けてもよい。

３．８ 第７実施形態
３．８．１ 概略
本開示の第７実施形態によれば、ＥＵＶ光生成装置に、ノズル以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給するよう構成された供給部を設け、回収容器内のターゲット物質を溶融して液面を形成することの前に、ノズル以外の位置からターゲット物質を回収容器内に供給してもよい。
以上のような構成により、ＥＵＶ光を生成する前に、回収容器内にターゲット物質が存在しないときには、第６実施形態と同様の作用により、樹枝状のターゲット物質が回収容器から溢れることが抑制され得る。

３．８．２ 構成
図１３は、第７実施形態に係るターゲット回収装置の構成を概略的に示す。
ターゲット回収装置９Ｇは、図１３に示すように、回収容器９１Ｂと、収容量調節部９３Ｂと、第２温度調節部９５と、液面制御部９６Ｇと、供給部９８Ｇとを備えてもよい。なお、収容量調節部９３Ｂの構成および動作については、第３実施形態と同様でよいため説明を省略する。

供給部９８Ｇは、台９８１Ｇと、供給タンク９８２Ｇと、供給管９８３Ｇと、タンクヒータ９８４Ｇと、供給バルブ９８５Ｇと、第４温度センサ９８６Ｇと、第４ヒータ電源９８７Ｇと、第４温度コントローラ９８８Ｇとを備えてもよい。
台９８１Ｇは、チャンバ２内において、回収容器９１Ｂに隣に並ぶように設けられてもよい。
供給タンク９８２Ｇは、内部空間を有する箱状に形成されて、台９８１Ｇ上に設けられてもよい。
供給管９８３Ｇは、供給タンク９８２Ｇの側面部の下部と、回収容器９１Ｂの側面部の略中央とを連結するように設けられてもよい。供給管９８３Ｇの回収容器９１Ｂとの連結部分は、上側液面センサ９６３Ｂの取り付け位置よりも上方であってもよい。

タンクヒータ９８４Ｇは、供給タンク９８２Ｇの外周面全体と、供給管９８３Ｇの外周面全体とを覆うように設けられてもよい。
供給バルブ９８５Ｇは、供給管９８３Ｇに設けられてもよい。供給バルブ９８５Ｇには、排出コントローラ９６４Ｇが電気的に接続されてもよい。供給バルブ９８５Ｇは、排出コントローラ９６４Ｇの制御によって、開状態と閉状態とを切り替えできるように構成されてもよい。
第４温度センサ９８６Ｇは、供給タンク９８２Ｇ内の底面部に設けられてもよい。第４温度センサ９８６Ｇには、第４温度コントローラ９８８Ｇが電気的に接続されてもよい。第４温度センサ９８６Ｇは、供給タンク９８２Ｇ内のターゲット物質２８１の温度を検出して、当該検出した温度に対応する信号を第４温度コントローラ９８８Ｇに送信するよう構成されてもよい。
第４ヒータ電源９８７Ｇには、タンクヒータ９８４Ｇと、第４温度コントローラ９８８Ｇとが電気的に接続されてもよい。第４ヒータ電源９８７Ｇは、第４温度コントローラ９８８Ｇからの信号に基づいて、タンクヒータ９８４Ｇに電力を供給して、タンクヒータ９８４Ｇを発熱させてもよい。それにより、供給タンク９８２Ｇ内のターゲット物質２８１が加熱され得る。
第４温度コントローラ９８８Ｇには、ターゲット制御装置８０Ｇが電気的に接続されてもよい。第４温度コントローラ９８８Ｇは、第４温度センサ９８６Ｇからの信号に基づいて、ターゲット物質２８１の温度を判断し、ターゲット物質２８１の温度を所定温度に調節するための信号をタンクヒータ９８４Ｇに出力するよう構成されてもよい。
ターゲット制御装置８０Ｇには、第２温度コントローラ９５６と、排出コントローラ９６４Ｇとが電気的に接続されてもよい。

３．８．３ 動作
３．８．３．１ 回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、供給タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作
図１４は、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在しない場合であり、かつ、供給タンク内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作を示すフローチャートである。
なお、回収容器内に予め固体のターゲット物質が存在する場合の動作については、第３実施形態と同様なので、説明を省略する。

チャンバ２の圧力がＥＵＶ光を生成可能な圧力に調整された状態において、ターゲット制御装置８０Ｇは、図１４に示すように、第１実施形態と同様のステップＳ１〜ステップＳ２の処理を行ってもよい。また、ターゲット制御装置８０Ｇは、第２温度コントローラ９５６と第４温度コントローラ９８８Ｇとに信号を送信してもよい（ステップＳ２１）。
この信号に基づいて、第２ヒータ電源９５４と第４ヒータ電源９８７Ｇとが容器ヒータ９５１およびタンクヒータ９５２とタンクヒータ９８４Ｇとを制御し、回収容器９１Ｂおよび回収タンク９３０内の温度と、供給タンク９８２Ｇ内の温度とがターゲット物質２８１の融点以上の温度に上昇し得る。
固体のターゲット物質２８１が存在する供給タンク９８２Ｇが、このように加熱されることによって、供給タンク９８２Ｇ内のターゲット物質２８１が固体から液体に変化し得る。また、ターゲット物質２７３が存在していない回収容器９１Ｂおよび供給管９８３Ｇが、このように加熱されることによって、供給タンク９８２Ｇの液体のターゲット物質２８１を回収容器９１Ｂに供給するときに、当該ターゲット物質２８１が固体に変化することを抑制し得る。

ターゲット制御装置８０Ｇは、第２温度コントローラ９５６と第４温度コントローラ９８８Ｇとからの信号に基づいて、第２温度センサ９５５および第４温度センサ９８６Ｇの温度がターゲット物質２８１の融点以上の所定の温度に安定したか否かを判断し（ステップＳ２２）、安定していないと判断した場合には、ステップＳ２２の処理を再度行ってもよい。
一方で、ターゲット制御装置８０Ｇは、ステップＳ２２において安定したと判断した場合には、ステップＳ５の処理を行った後、ターゲット物質２７３が存在しない回収容器９１Ｂに、供給タンク９８２Ｇ内の液体のターゲット物質２８１を供給してもよい（ステップＳ２３）。

ステップＳ２３においては、ターゲット制御装置８０Ｇは、排出コントローラ９６４Ｇに信号を送信してもよい。排出コントローラ９６４Ｇは、信号を受信したときに、バルブ９６１Ｂを閉じるとともに、供給バルブ９８５Ｇを開けてもよい。供給バルブ９８５Ｇが開くと、供給タンク９８２Ｇ内のターゲット物質２８１が重力によって供給管９８３Ｇを介して回収容器９１Ｂ内に供給され、回収容器９１Ｂ内に液面２７４が形成され得る。
この後、上側液面センサ９６３Ｂは、液面２７４が液面上限位置２７８Ｂに到達したことを検出したときに、上限信号を排出コントローラ９６４Ｇに送信してもよい。排出コントローラ９６４Ｇは、上限信号を受信したときに、供給バルブ９８５Ｇを閉じて、回収容器９１Ｂ内へのターゲット物質２８１の供給を停止してもよい。

ターゲット制御装置８０Ｇは、ステップＳ２３の処理を終了すると、ＥＵＶ光生成制御システム５にドロップレット生成準備ＯＫ信号を送信してもよい（ステップＳ６）。

上述のように、ターゲット回収装置９Ｇは、ＥＵＶ光を生成する前に、回収容器９１内にターゲット物質２７３が存在しないときには、供給タンク９８２Ｇからターゲット物質２８１を回収容器９１Ｂ内に供給して、液面２７４を形成し得る。このため、ノズル７１２が出力するターゲット物質２７１が液面２７４に溶け込み得ることとなり、樹枝状のターゲット物質が回収容器９１Ｂから溢れることが抑制され得る。

９，９Ａ，９Ｂ，９Ｆ，９Ｇ…ターゲット回収装置、９１，９１Ｂ…回収容器、９３，９３Ａ，９３Ｂ…収容量調節部、９３Ｆ…供給部としても機能する収容量調節部、９８Ｇ…供給部、９１１…側面部、９１２…底面部、９１５…側面貫通孔、９１７Ｂ…底面貫通孔、９３０…回収タンク、９４０，９４０Ａ，９４０Ｂ…排出配管としての接続配管、９４０Ｆ…排出配管および供給用配管としての接続配管、９５１…容器温度調節部としての容器ヒータ、９５２Ｆ…供給物質温度調節部としてのタンクヒータ、９５３…配管温度調節部としての配管ヒータ、９５３Ｆ…配管温度調節部および供給物質温度調節部としての配管ヒータ、９６１Ｂ…流量調節部としてのバルブ、９６２Ｂ…下限検出部としての下側液面センサ、９６３Ｂ…上限検出部としての上側液面センサ、９６４Ｂ…排出制御部としての排出コントローラ、９７０Ｆ…供給量調節部。

Claims (14)

1. ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置で用いられ、前記ターゲット物質を前記チャンバ内で回収するターゲット回収装置において、
   前記ターゲット物質を内部に導くよう構成された開口部を有し、前記ターゲット物質を回収する回収容器と、
   前記回収容器の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された容器温度調節部と、を備えるターゲット回収装置。
2. 請求項１に記載のターゲット回収装置において、
   前記回収容器内に前記ターゲット物質の液面を形成し、かつ、前記回収容器における前記ターゲット物質の収容量が一定量以下となるように、前記回収容器から前記ターゲット物質を排出するよう構成された収容量調節部を、さらに備えるターゲット回収装置。
3. 請求項２に記載のターゲット回収装置において、
   前記回収容器は、略筒状の側面部と、前記側面部の軸方向の下端を塞ぐ底面部と、前記側面部を貫通する側面貫通孔と、を有し、軸方向の上端に前記開口部が設けられるように形成され、
   前記収容量調節部は、
   前記回収容器の前記側面部に接続され、前記側面貫通孔を介して前記回収容器内のターゲット物質を排出するよう構成された排出配管と、
   前記排出配管の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された配管温度調節部と、を備えるターゲット回収装置。
4. 請求項２に記載のターゲット回収装置において、
   前記回収容器は、略筒状の側面部と、前記側面部の軸方向の下端を塞ぐ底面部と、前記底面部を貫通する底面貫通孔と、を有し、軸方向の上端に前記開口部が設けられるように形成され、
   前記収容量調節部は、
   前記回収容器の前記底面部に接続され、前記底面貫通孔を介して前記回収容器内のターゲット物質を排出するよう構成された排出配管と、
   前記排出配管の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節するよう構成された配管温度調節部と、
   前記排出配管内の前記ターゲット物質の流量を調節する流量調節部と、
   前記ターゲット物質の収容量が前記一定量を超えたことを検出すると、上限信号を送信する上限検出部と、
   前記収容量が予め設定された下限量となったことを検出すると、下限信号を送信する下限検出部と、
   前記上限信号を受信すると前記流量調節部を制御して前記回収容器内の前記ターゲット物質を排出し、前記下限信号を受信すると前記ターゲット物質の排出を停止する排出制御部と、を備えるターゲット回収装置。
5. 請求項２に記載のターゲット回収装置において、
   前記ターゲット供給装置以外からターゲット物質を前記回収容器内に供給するよう構成された供給部、を備えるターゲット回収装置。
6. 請求項５に記載のターゲット回収装置において、
   前記供給部は、
   前記収容量調節部で排出した前記ターゲット物質を貯留するよう構成された回収タンクと、
   前記回収タンクに貯留したターゲット物質を前記回収容器内に戻すよう構成された供給用配管と、
   前記回収タンクの前記ターゲット物質を前記供給用配管内に流して前記回収容器に供給するよう構成された供給量調節部と、
   前記回収タンクの温度と前記供給用配管の温度とを前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節する供給物質温度調節部と、を備えるターゲット回収装置。
7. ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置において、
   極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
   前記チャンバ内にターゲット物質を出力するよう構成されたターゲット供給装置と、
   前記チャンバ内で前記ターゲット供給装置が出力するターゲット物質を、前記チャンバ内で回収するよう構成された請求項１に記載のターゲット回収装置と、を備える極端紫外光生成装置。
8. ターゲット供給装置からチャンバ内に出力されたターゲット物質をプラズマ化することで極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置で用いられ、前記ターゲット物質を前記チャンバ内で回収するターゲット回収方法において、
   前記ターゲット物質を回収する回収容器内にターゲット物質の液面を形成することと、
   前記ターゲット供給装置が出力する前記ターゲット物質を前記液面で受けることと、を含むターゲット回収方法。
9. 請求項８に記載のターゲット回収方法において、
   前記回収容器における前記ターゲット物質の収容量が一定量以下となるように、前記回収容器から前記ターゲット物質を排出すること、をさらに含むターゲット回収方法。
10. 請求項９に記載のターゲット回収方法において、
    前記回収容器から排出配管を用いてターゲット物質を排出し、
    前記排出配管の温度を前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節すること、を含むターゲット回収方法。
11. 請求項１０に記載のターゲット回収方法において、
    前記排出管の排出口が前記回収容器の一定深さに設けられ、
    前記回収容器から前記ターゲット物質を排出することは、前記ターゲット物質の液面が一定量を超えたときに、一定量を超えたターゲット物質を前記排出口から排出することであるターゲット回収方法。
12. 請求項１０に記載のターゲット回収方法において、
    前記排出配管内の前記ターゲット物質の流量を調節することと、
    前記ターゲット物質の収容量が前記一定量を超えたことを検出することと、
    前記収容量が予め設定された下限量となったことを検出することと、
    を含み、
    前記一定量を超えたことの検出結果をもとに、前記ターゲット物質の流量を調節しならがら排出し、
    前記下限量となったことの検出結果をもとに、前記ターゲット物質の排出を停止するターゲット回収方法。
13. 請求項１０に記載のターゲット回収方法において、
    前記ターゲット供給装置以外からターゲット物質を前記回収容器内に供給することによって前記液面を形成すること、を含むターゲット回収方法。
14. 請求項１３に記載のターゲット回収方法において、
    前記回収容器から排出した前記ターゲット物質を回収タンクに貯留し、
    前記回収タンクに貯留したターゲット物質を供給用配管を介して前記回収容器内に戻し、
    前記ターゲット供給装置以外の位置からターゲット物質を前記回収容器内に供給することは、
    前記回収タンクの温度と前記供給用配管の温度とを前記ターゲット物質の融点以上の温度に調節することと、
    前記回収タンクの前記ターゲット物質を前記供給用配管内に流して前記回収容器に供給することと、を含むターゲット回収方法。

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