JP2013127427A - 粉体センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】矩形波信号発生回路14は、電源電圧Vccを抵抗RH,RLにより例えば分圧比1:1で分圧した基準電圧Vrをコンパレータ41の反転入力端子への入力とし、圧電素子5の端子電圧Vpをオフセット回路42でオフセットさせた電圧Vbをコンパレータ41の非反転入力端子への入力とする。コンパレータ41の出力端子には圧電素子5の端子電圧Vpを矩形波に変換した矩形波信号V1が現れる。圧電素子5の端子電圧Vpの直流成分と基準電圧Vrの大きさの差よりも、オフセット後電圧Vbの直流成分と基準電圧Vrの大きさの差のほうが大きくなるようにオフセットを行う。
【選択図】図3
Description
圧電素子と、
少なくとも前記圧電素子の共振周波数又はその近傍の周波数の出力信号を前記圧電素子に印加する発振回路と、
前記圧電素子の端子電圧を矩形波に変換した矩形波信号を発生する矩形波信号発生回路と、
前記矩形波信号の位相を判定する位相判定回路とを備え、
前記矩形波信号発生回路は、コンパレータと、前記圧電素子の端子電圧をオフセットさせて前記コンパレータに入力するオフセット回路とを有し、
前記圧電素子の端子電圧をオフセットさせた電圧の直流成分と前記コンパレータの基準電圧の大きさの差が、前記圧電素子の端子電圧の直流成分と前記基準電圧の大きさの差よりも大きい。
圧電素子と、
少なくとも前記圧電素子の共振周波数又はその近傍の周波数の出力信号を前記圧電素子に印加する発振回路と、
前記圧電素子の端子電圧を矩形波に変換した矩形波信号を発生するに変換する矩形波信号発生回路と、
前記矩形波信号の位相を判定する位相判定回路とを備え、
前記矩形波信号発生回路は、前記圧電素子の端子電圧と基準電圧とを比較するコンパレータを有し、前記基準電圧が前記圧電素子の端子電圧の直流成分に対してオフセットされた値である。
前記粉体有無判定回路は、前記位相判定回路における、前記矩形波信号の位相が所定の判定条件を満たすことの検出回数が、連続してn回(但し「n」はn≧2を満たす任意の整数)以上であることを条件として粉体無しと判定してもよい。
10 発振回路
11 可変定電圧源
12 電圧制御発振器
13 分周器
14 矩形波信号発生回路
17 位相判定用信号発生回路
20 位相判定回路
21〜23 D型フリップフロップ
30 粉体有無判定回路
41 コンパレータ
42 オフセット回路
Claims (6)
- 圧電素子と、
少なくとも前記圧電素子の共振周波数又はその近傍の周波数の出力信号を前記圧電素子に印加する発振回路と、
前記圧電素子の端子電圧を矩形波に変換した矩形波信号を発生する矩形波信号発生回路と、
前記矩形波信号の位相を判定する位相判定回路とを備え、
前記矩形波信号発生回路は、コンパレータと、前記圧電素子の端子電圧をオフセットさせて前記コンパレータに入力するオフセット回路とを有し、
前記圧電素子の端子電圧をオフセットさせた電圧の直流成分と前記コンパレータの基準電圧の大きさの差が、前記圧電素子の端子電圧の直流成分と前記基準電圧の大きさの差よりも大きい、粉体センサ。 - 前記オフセット回路が可変抵抗器を含み、前記可変抵抗器の抵抗値を調整することで前記圧電素子の端子電圧のオフセット量を調整可能である、請求項1に記載の粉体センサ。
- 圧電素子と、
少なくとも前記圧電素子の共振周波数又はその近傍の周波数の出力信号を前記圧電素子に印加する発振回路と、
前記圧電素子の端子電圧を矩形波に変換した矩形波信号を発生するに変換する矩形波信号発生回路と、
前記矩形波信号の位相を判定する位相判定回路とを備え、
前記矩形波信号発生回路は、前記圧電素子の端子電圧と基準電圧とを比較するコンパレータを有し、前記基準電圧が前記圧電素子の端子電圧の直流成分に対してオフセットされた値である、粉体センサ。 - 前記位相判定回路での判定結果に基づいて粉体の有無を判定する粉体有無判定回路を備え、
前記粉体有無判定回路は、前記位相判定回路における、前記矩形波信号の位相が所定の判定条件を満たすことの検出回数が、連続してn回(但し「n」はn≧2を満たす任意の整数)以上であることを条件として粉体無しと判定する、請求項1から3のいずれか一項に記載の粉体センサ。 - 前記位相判定回路はn段のシフトレジスタを含み、前記粉体有無判定回路は各段の出力信号を入力とする論理ゲートを含む、請求項4に記載の粉体センサ。
- 前記発振回路は、前記圧電素子の共振周波数を含む周波数範囲で出力信号の周波数を掃引する掃引発振回路である、請求項1から5のいずれか一項に記載の粉体センサ。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016535246A (ja) * | 2013-10-03 | 2016-11-10 | インフィコン インコーポレイティッド | 薄膜堆積監視 |
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