JP2013117662A - マイクロレンズの製造方法およびマイクロレンズ製造用フォトマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトレジスト層をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際に用いるフォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成される。
【選択図】図1
Description
光電変換素子を微細化した場合、各光電変換素子の面積が小さくなり、受光部として利用できる面積割合も減るので、光を取り込む面積が小さくなるため、光電変換素子の受光部に取り込める光の量が少なくなり、実効的な感度は低下する。このため、固体撮像素子に要求される性能で重要な課題の一つに、入射する光への感度を向上させることが挙げられる。
図3は、着色透明樹脂パターンからなるカラーフィルタ画素上に1画素毎に1個の無色透明なマイクロレンズを設けて集光し、色分解した光を光電変換素子の受光部に導くカラー化した固体撮像素子の構造例を説明するための模式断面図である。
カラー化した固体撮像素子1は、半導体基板2上に規則的に設けた複数の光電変換素子3を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面4に、透明平坦化層5を介して、複数色を繰り返し配列する着色透明画素パターン8を光電変換素子3に対応させて複数設け、さらに第二の透明平坦化層51により着色透明画素パターン8を配列した平面上の平坦化を行った後に、上記のマイクロレンズ6を着色透明画素パターン8および光電変換素子3に対応させて設けることにより、感度の向上を図ることができる。
例えば、マイクロレンズの素材となる透明樹脂に感光性を付与して均一に塗布し、フォトリソグラフィー法により選択的にパターン形成した後に、材料の熱リフロー性を利用してレンズ形状を作るフローレンズタイプ(特許文献1参照)や、マイクロレンズの素材となる透明樹脂の平坦層の上に、アルカリ可溶性と感光性と熱リフロー性を有するレジスト材料を用いてフォトリソグラフィー法と熱リフローによりレンズ母型を形成し、ドライエッチング法によりレンズ母型の形状を透明樹脂層に転写する転写タイプ(特許文献2参照)
がある。
図4(a)に示すように、太線で示す正常な矩形が隅まで形成されていれば、個々のマイクロレンズ6の集光機能を最大に発揮でき、それを用いる固体撮像素子の感度を充分に向上できる。なお、点線の円周は、太線の矩形内で凸面状となるマイクロレンズ形状を平面表示するものである。樹脂の熱溶融を利用することの多いマイクロレンズの製造工程においては、隣接するマイクロレンズ間の融着を防ぐ必要があるため、前述の望ましい形状を得ることが容易でない。例えば、前記フローレンズタイプでは、隣接するマイクロレンズ間の融着を直接的に防ぐために、予め、マイクロレンズ間に一定の隙間を設けることを前提とした設計を行わざるを得ない。また、前記転写タイプでは、レンズ母型の形状を透明樹脂層に転写する工程で、隙間を小さくできるため、フローレンズタイプより形状を改善する余地はあるが、通常は、図4(b)の一部の模式平面図に示すように、マイクロレンズ61の平面形状が太線で示すように隅の丸まった不完全な矩形の形状となる。従って、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさとなり、それを用いる固体撮像素子の感度を充分に向上することができない。
が同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。
まず、本発明を適用するマイクロレンズの製造工程について、カラー固体撮像素子にマイクロレンズを設ける例に従って、図5の(a)〜(e)の工程順の断面模式図により詳細を説明する。なお、本図では明示していないが、本発明は、マイクロレンズ間の平面視形状を最適にする目的であるので、平面上にマイクロレンズがマトリクス配列される例を、前提としている。
次に、フォトレジスト層66を形成した基板に対して、フォトリソグラフィー法によりパターニングする。露光工程は、図5(b)に示すように、ポジ型のフォトレジストを残すべき領域に対応して遮光部31のパターンを設け、他を光透過部32として予めパターン形成したフォトマスク30を、対象とする基板に対して正確に位置合わせし、例えば、水銀ランプ光源からの波長365nm光を用いるi線ステッパーからの平行な照射光9をフォトマスク30の背面から照射することにより露光できる。露光条件は、使用するフォトレジスト材料の膜厚、感度、また、現像液の条件等により決定する。
によるドライエッチングを行うことが最適である。
ドライエッチングにより転写されるマイクロレンズ62の断面形状は、レンズ母型とした転写用マイクロレンズパターン68に基本的には忠実であるが、転写用マイクロレンズパターン68の素材となるフォトレジスト層66と、マイクロレンズ62の素材となる透明樹脂層65との、実際のドライエッチング条件におけるエッチレート比や、エッチング深度により種々の影響を受けて変化する。特に本発明の目的である、平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの隣接するマイクロレンズとの隙間を均一に小さくするための製造方法を、工程負荷の増大や品質の低下を招くことなく、提案するに当たっては、後述のように、フォトレジストパターン67を形成するためのフォトマスク30のパターンに配慮することが重要である。
本例におけるフォトマスク10は、前述の製造工程の説明に用いたポジ型レジスト材料に対応するものである。マトリクス配列される画素区画の仮想線13を点線で示すと、遮光部11で形成されるフォトマスクの繰り返しパターンは、それぞれ画素区画仮想線13の内側に、画素区画仮想線13から対称的な光透過部12を設けて形成される。遮光部11は概ね矩形状のパターンであり、本パターンにより遮光されてフォトリソグラフィー処理されたフォトレジストパターン67の平面形状も略同形となる。フォトレジストパターン67を熱溶融により成形した凸面状の転写用マイクロレンズパターン68の平面外形は、熱リフローにより若干の平面輪郭の変化を伴うものの、隣接する転写用マイクロレンズパターンとの独立を保つ程度に隙間を設けるものとする。しかし、前記隙間は、図4(b)に示したような、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさの、隅の丸まった不完全な矩形の形状となるマイクロレンズ61を作るための母型に備わるものであってはならない。上記の要請に応えるためのフォトマスクのパターンとするために、図1に太線両方向矢印で示す異なる方向の隙間を同じにしたフォトマスクパターンが好ましい。
すなわち、本発明に使用するフォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とする。
本例におけるフォトマスク20は、前述の製造工程の説明に用いたポジ型レジスト材料に対応するものである。マトリクス配列される画素区画の仮想線23を点線で示すと、遮光部21で形成されるフォトマスクの繰り返しパターンは、それぞれ画素区画仮想線23の内側に、画素区画仮想線23から対称的な光透過部22を設けて形成される。遮光部21は概ね矩形状のパターンであり、本パターンにより遮光されてフォトリソグラフィー処理されたフォトレジストパターン67の平面形状も略同形となる。フォトレジストパターン67を熱溶融により成形した凸面状の転写用マイクロレンズパターン68の平面外形は、熱リフローにより若干の平面輪郭の変化を伴うものの、隣接する転写用マイクロレンズパターンとの独立を保つ程度に隙間を設けるものとする。しかし、前記隙間は、図4(b)に示したような、対角方向に隣接するマイクロレンズとの隙間7が無視できない大きさの、隅の丸まった不完全な矩形の形状となるマイクロレンズ61を作るための母型に備わるものであってはならない。上記の要請に応えるためのフォトマスクのパターンとするために、図2に太線両方向矢印で示す異なる方向の隙間を同じにしたフォトマスクパターンが好ましい。
すなわち、本発明に使用するフォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角
方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とする。
フォトマスクは、一般に用いられるものと同様に、露光光に対して透明性の良好な石英やガラス等の基板表面に金属クロム等の遮光性膜による遮光部パターンを光透過部と区別してパターン形成することにより、通常知られた方法で作製される。本発明のマイクロレンズ製造用フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成される。
2・・・半導体基板
3・・・光電変換素子
4・・・固体撮像素子画素部の受光面側表面
5・・・透明平坦化層
51・・・第二の透明平坦化層
6、61、62・・・マイクロレンズ
65・・・透明樹脂層
66・・・フォトレジスト層
67・・・フォトレジストパターン
68・・・転写用マイクロレンズパターン(レンズ母型)
7・・・マイクロレンズ間の隙間
8・・・着色透明画素パターン
9・・・照射光
10、20、30・・・フォトマスク
11、21、31・・・遮光部
12、22、32・・・光透過部
13、23・・・画素区画仮想線
Claims (6)
- 平面上にマトリクス配列される平面視矩形で凸面状のマイクロレンズの製造方法であって、
マイクロレンズの製造工程が、マイクロレンズを構成すべき透明樹脂層を平面上に形成し、感光性樹脂からなるフォトレジスト層を透明樹脂層上に形成し、フォトレジスト層をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に熱溶融して凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程からなり、
前記フォトマスクは、概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 - 前記透明樹脂層上の転写用マイクロレンズパターンをエッチングレジストとして前記透明樹脂層にエッチング転写する工程が、フッ素系ガスによるドライエッチングであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記透明樹脂層が、アクリル系の樹脂材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記フォトレジスト層が、アクリル系またはノボラック系のポジ型レジスト材料からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法。
- 前記透明樹脂層の膜厚を1.4〜1.7μmとし、マトリクス配列のパターンピッチを1.1〜1.75μmとする場合の、フォトマスクパターン上での前記同一とする隙間の距離を0.3〜0.4μmとすることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のマイクロレンズの製造方法。
- 概ね矩形状のパターンが、縦横にマトリクス配列され、パターン間の縦方向の隙間の最大距離と、横方向の隙間の最大距離と、対角方向に隣接するパターンとの隙間の距離とが同一になるように変形して形成されたことを特徴とするマイクロレンズ製造用フォトマスク。
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