JP2013110417A - 最適化された信頼性を有する自己参照mramセル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルは、第1部分2’と第2部分2”とを有する磁気トンネル接合部分から構成され、各部分が、記憶層23,24とセンス層21,22とトンネル障壁層25,26とから構成され、この磁気トンネル接合が、当該2つの記憶層との間に反強磁性層20をさらに有し、これらの記憶層の各々の記憶磁化方向を臨界温度未満でピン止めし、これらの記憶磁化方向を臨界温度以上で自由にする。
【選択図】図1
Description
本発明は、従来のMRAMセルに比べてより高い温度で確実に書き込まれ得る熱アシストされた書き込み操作と自己参照読み出し操作とに適した磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルに関する。
一般に、いわゆる自己参照読み出し操作を使用する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルは、第1安定方向から第2安定方向に変更され得る磁化方向を呈する磁気記憶層と、薄い絶縁層と、可逆な磁化方向を呈するセンス層とから形成された磁気トンネル接合を有する。自己参照MRAMセルは、書き込み読み出し操作を低い電力消費と向上された速度とで実施可能にする。当該自己参照読み出し操作は、同出願人によるヨーロッパ特許出願公開第2276034号明細書中に記されている。一般に、当該自己参照読み出し操作は、二重サンプリングとして構成される。この場合、センス層の磁化方向が、第1磁化方向と第2磁化方向とに合わせられ、磁気トンネル接合の当該それぞれの抵抗が、各方向に対して測定される。
本発明は、熱アシスト(TA)された書き込み操作と自己参照読み出し操作とに適した磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルに関する。当該磁気ランダムアクセスメモリセルは、磁気トンネル接合部分から構成される。この磁気トンネル接合部分は、第1部分と第2部分とを有する。この第1部分は、第1記憶磁化方向を呈する第1記憶層と、第1自由磁化方向を呈する第1センス層と、この第1記憶層とこの第1センス層との間の第1トンネル障壁層とから構成される。この第2部分は、第2記憶磁化方向を呈する第2記憶層と、第2自由磁化方向を呈する第2センス層と、この第2記憶層とこの第2センス層との間の第2トンネル障壁層とから構成される。この磁気トンネル接合部分は、この第1記憶層とこの第2記憶層との間に構成された反強磁性層をさらに有し、低温閾値でこの第1記憶磁化方向とこの第2記憶磁化方向とをピン止めし、高温閾値でこの第1記憶磁化方向とこの第2記憶磁化方向とを自由にする。この場合、書き込み操作中は、書き込み磁界が印加されるときに、第1自由磁化方向及び第2自由磁化方向が、この書き込み磁界の方向に応じて磁気飽和可能である。この場合、第1記憶磁化方向と第2記憶磁化方向とが、一方向にほぼ平行にあり且つ飽和した第1自由磁化方向及び第2自由磁化方向に一致して切り替え可能である。
磁気トンネル接合を高温閾値で加熱し、
第1記憶磁化方向及び第2記憶磁化方向を切り替え、
この第1記憶磁化方向及びこの第2記憶磁化方向を当該書き込み状態に固定するため、MRAMセルを臨界温度未満に冷却することから成る。この場合、第1記憶磁化方向と第2記憶磁化方向とが、ほぼ同時に一方向に互いにほぼ平行に切り替えられる。当該切り替えは、書き込み磁界の方向にしたがって第1自由磁化方向及び第2自由磁化方向を磁気飽和させるように、この書き込み磁界を印加することから成り、第1記憶磁化方向と第2記憶磁化方向とが、ほぼ同時に一方向に互いにほぼ平行に切り替えられ得る。
可能な実施の形態の詳細な説明
本発明は、一実施の形態による磁気ランダムアクセスメモリを示す例によって与えられ且つ図1によって示された一実施の形態の説明を用いてより良好に理解される。
磁気トンネル2を高温閾値まで加熱し、
第1記憶磁化方向231と第2記憶磁化方向232とを切り替え、
この第1記憶磁化方向231とこの第2記憶磁化方向232とをこれらの磁化方向の書き込み状態中に固定するため、この磁気トンネル接合2を低温閾値で冷却するステップから成り得る。
第1自由磁化方向211及び第2自由磁化方向212を第1読み出し方向に調整し、
第1接合抵抗値R1を測定し、
この第1自由磁化方向211及びこの第2自由磁化方向212を第2読み出し方向に調整し、
第2接合抵抗値R2を測定することから成る。
MR=(R2−R1)/R1 (方程式1)
によって定義される。
2 磁気トンネル接合
2′ 第1部分
2″ 第2部分
20 反強磁性層
21 第1センス層
22 第2センス層
23 第1記憶層
24 第2記憶層
25 第1トンネル障壁層
26 第2トンネル障壁層
211 第1自由磁化方向
212 第2自由磁化方向
231 第1記憶磁化方向
232 第2記憶磁化方向
24 第1反強磁性層
31 加熱電流
32 読み出し電流
4 電流線
5 界磁線
51 書き込み電流
52 書き込み磁界
53 読み出し界磁電流
54 読み出し磁界
60 第1漂遊局所磁界
61 第2漂遊局所磁界
MR 磁気抵抗比
R1 低い抵抗
R2 高い抵抗
RA1 第1抵抗面積
RA2 第2抵抗面積
Claims (9)
- 熱アシストされた書き込み操作と自己参照読み出し操作とに適し、或る磁気抵抗比を有する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルにおいて、
前記磁気ランダムアクセスメモリセルが、磁気トンネル接合部分を有し、
この磁気トンネル接合部分が、第1部分と第2部分とを有し、
この第1部分が、第1記憶磁化方向を呈する第1記憶層と、第1自由磁化方向を呈する第1センス層と、この第1記憶層とこの第1センス層との間の第1トンネル障壁層とから構成され、
前記第2部分が、第2記憶磁化方向を呈する第2記憶層と、第2自由磁化方向を呈する第2センス層と、この第2記憶層とこの第2センス層との間の第2トンネル障壁層とから構成され、
前記磁気トンネル接合部分が、前記第1記憶層と前記第2記憶層との間に構成された反強磁性層をさらに有し、低温閾値で前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とをピン止めし、高温閾値でこの第1記憶磁化方向とこの第2記憶磁化方向とを自由にし、
書き込み操作中は、書き込み磁界が印加されるときに、前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向が、この書き込み磁界の方向に応じて磁気飽和可能であり、
前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とが、一方向にほぼ平行にあり且つ飽和した前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向に一致して切り替え可能である当該磁気ランダムアクセスメモリセル。 - 前記第1自由磁化方向と前記第2自由磁化方向とが、読み出し操作中にほぼ同時に且つ一方向にほぼ平行に調整されるように、前記磁気ランダムアクセスメモリセルが構成れている請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリセル。
- 前記第1磁気トンネル接合部分が、前記第2磁気トンネル接合部分の第2抵抗面積にほぼ等しい第1抵抗面積を有するように、前記磁気ランダムアクセスメモリセルがさらに構成されている結果、この磁気ランダムアクセスメモリセルの前記磁気抵抗比が、前記書き込み操作中にほとんど変更されないままである請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリセル。
- 前記第1トンネル障壁層及び前記第2トンネル障壁層は、Al2O3又はMgOから成る請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリセル。
- 前記第1トンネル障壁層及び前記第2トンネル障壁層は、ほぼ同じ厚さを有する請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリセル。
- 或る磁気抵抗比を有し且つ磁気トンネル接合部分から構成されている磁気ランダムアクセスメモリセルに書き込むための方法において、
前記磁気ランダムアクセスメモリセルが、磁気トンネル接合部分を有し、
この磁気トンネル接合部分が、第1部分と第2部分とを有し、
この第1部分が、第1記憶磁化方向を呈する第1記憶層と、第1自由磁化方向を呈する第1センス層と、この第1記憶層とこの第1センス層との間の第1トンネル障壁層とから構成され、
前記第2部分が、第2記憶磁化方向を呈する第2記憶層と、第2自由磁化方向を呈する第2センス層と、この第2記憶層とこの第2センス層との間の第2トンネル障壁層とから構成され、
前記磁気トンネル接合部分が、前記第1記憶層と前記第2記憶層との間に構成された反強磁性層をさらに有し、低温閾値で前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とをピン止めし、高温閾値でこの第1記憶磁化方向とこの第2記憶磁化方向とを自由にし、
書き込み操作中は、書き込み磁界が印加されるときに、前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向が、この書き込み磁界の方向に応じて磁気飽和可能であり、
前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とが、一方向にほぼ平行にあり且つ飽和した前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向に一致して切り替え可能であり、
当該方法は、前記磁気トンネル接合を高温閾値で加熱し、前記第1記憶磁化方向及び前記第2記憶磁化方向を切り替え、この第1記憶磁化方向及びこの第2記憶磁化方向を当該書き込み状態に固定するため、前記磁気ランダムアクセスメモリセルを前記低温閾値に冷却することから成り、
当該切り替えが、前記書き込み磁界の方向にしたがって前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向を磁気飽和させるように、この書き込み磁界を印加することから成り、
前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とが、ほぼ同時に一方向に互いにほぼ平行に切り替えられる当該書き込むための方法。 - 前記磁気ランダムアクセスメモリセルは、前記第1磁気トンネル接合部分及び前記第2磁気トンネル接合とやりとりする界磁線をさらに有し、
前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向との当該切り替えが、界磁電流を前記界磁線に通電することで発生された磁界によって実施される請求項6に記載の書き込むための方法。 - 或る磁気抵抗比を有し且つ磁気トンネル接合部分から構成されている磁気ランダムアクセスメモリセルを読み出すための方法において、
前記磁気ランダムアクセスメモリセルが、磁気トンネル接合部分を有し、
この磁気トンネル接合部分が、第1部分と第2部分とを有し、
この第1部分が、第1記憶磁化方向を呈する第1記憶層と、第1自由磁化方向を呈する第1センス層と、この第1記憶層とこの第1センス層との間の第1トンネル障壁層とから構成され、
前記第2部分が、第2記憶磁化方向を呈する第2記憶層と、第2自由磁化方向を呈する第2センス層と、この第2記憶層とこの第2センス層との間の第2トンネル障壁層とから構成され、
前記磁気トンネル接合部分が、前記第1記憶層と前記第2記憶層との間に構成された反強磁性層をさらに有し、低温閾値で前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とをピン止めし、高温閾値でこの第1記憶磁化方向とこの第2記憶磁化方向とを自由にし、
書き込み操作中は、書き込み磁界が印加されるときに、前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向が、この書き込み磁界の方向に応じて磁気飽和可能であり、
前記第1記憶磁化方向と前記第2記憶磁化方向とが、一方向にほぼ平行にあり且つ飽和した前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向に一致して切り替え可能であり、
当該方法は、前記第1自由磁化方向及び前記第2自由磁化方向を第1読み出し方向に調整し、第1接合抵抗値を測定し、この第1自由磁化方向及びこの第2自由磁化方向を第2読み出し方向に調整し、第2接合抵抗値を測定することから成り、
前記第1自由磁化方向と前記第2自由磁化方向とに調整することは、同時に実施される当該読み出すための方法。 - 前記磁気ランダムアクセスメモリセルは、前記第1磁気トンネル接合部分及び前記第2磁気トンネル接合とやりとりする界磁線をさらに有し、
前記第1自由磁化方向と前記第2自由磁化方向とを第1読み出し方向と第2読み出し方向とに調整することは、読み出し電流を前記界磁線中に通電することによって読み出し磁界を印加することから成り、この読み出し磁界が、第1方向とこの第1方向とは反対の第2方向とをそれぞれ有する請求項8に記載の読み出すための方法。
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