JP2013109766A - タッチパネル構造 - Google Patents
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Abstract
Description
[関連出願と優先権主張の相互参照]
本出願は、台湾知的財産局での2011年11月17日に出願された特許出願第100142110号(2012年5月9日に変更された実用新案登録出願第101208766号)に基づく利益を主張し、当該特許出願の開示は、参照によって本明細書に組み込まれる。
本出願は、台湾知的財産局での2011年11月17日に出願された特許出願第100142110号(2012年5月9日に変更された実用新案登録出願第101208766号)に基づく利益を主張し、当該特許出願の開示は、参照によって本明細書に組み込まれる。
本発明は、タッチパネル構造に関し、特に、サファイア基板を用いてタッチパネルの材料として機能するタッチパネル構造に関する。
現在、タッチ制御技術は、抵抗膜方式、静電容量方式、表面弾性波方式、光学(赤外線)方式及び電磁誘導方式等、主に五つのタイプに分かれている。タッチ制御技術は、1974年に発明されて以来、主に、ATM、チケット販売、教育システム、金銭出納器などの分野に適用される。抵抗膜方式は、タッチ制御技術の主流となっている。アップル(Apple Inc.)が2008年にiPhoneをリリースしてから、タッチ制御技術は、個人のモバイルデバイスに適用されることになった。これにより、タッチ制御技術を静電容量方式に昇格させる。抵抗膜方式のタッチ制御技術は、コストが低いが、低耐摩耗性、遅い応答速度及び低透過率を有するため、未だに不評である。表面弾性波方式と光学(赤外線)方式のタッチ制御技術は、良い精度及び耐久性を有しているものの、コストが高すぎるので、主流技術になることはできない。電磁誘導方式のタッチ制御技術は、良好な感度及び耐久性を有しているが、大きな体積を占め、組み立てにくく、専用の電磁ペンを必要とする等の欠点がある。したがって、静電容量方式のタッチ制御技術は、今後数年での主流で有り続けるだろう。
静電容量方式は、表面型(surface capacitive type)と投影型(projected capacitive type)の二種類がある。表面型静電容量方式は、大面積、低コスト、低エネルギー消費の利点を有しており、欠点は、タッチパネルの角と縁において精度が低くなり、電磁誘導に対してより敏感である。投影型静電容量方式は、x軸とy軸のセンサーを通して精度を向上させるが、欠点は、x軸とy軸のセンサーの製造プロセスがより複雑になる。たとえそうであっても、多くの工場主は、x軸とy軸のセンサーの開発に時間と金を投資するので、製造コストを大幅に削減させた。たとえば、i-PAD2の価格は、i-PAD1よりも遥かに安い。そのため、近年では、投影型静電容量方式のタッチ技術の応用は続いて増加する。現在の静電容量方式のタッチ技術では、タッチパネル用のカバーは、通常、ガラスで作られ、ポリエチレンテレフタレート(PET)も使用されているが、耐久性を考慮するため、ガラスは今でも市場の主流である。しかし、ガラスの強度が劣っているため、強化ガラスは、静電容量方式のタッチ技術の応用に導入されることになる。ガラスを強化するため、強化ガラスは、ガラスを化学薬液に浸漬することによって製造される。その後、タッチパネル用のカバーとして機能するように、強化ガラスは、顧客から要求されたサイズに合わせてカットされる。最後に、強化ガラスは、センサーに貼合される。しかし、強化ガラスを切断した後、小さな穴がその端部に生成され、後の貼合工程において破損を引き起こす。ガラスを切断してから化学薬液に浸漬する提案があるが、コストが大幅に増加するため、好ましくない。
図1は、従来の投影型静電容量方式のタッチパネル10構造を示す図である。図1に示すように、タッチパネル10は、カバー100、光学接着剤101、102、感知モジュール106及び表示パネル108を含む。感知モジュール106は、感知層103、105及び感知基板104を含む。感知モジュール106は、光学接着剤101を介してカバー100に接合されている。感知層103は、光学接着剤101を介してカバー100に接合されている。感知モジュール106は、光学接着剤102を介して表示パネル108に接合されている。感知層105は、光学接着剤102を介して表示パネル108に接合されている。
図1におけるカバー100はガラスで作られている。感知層103、105は、従来の半導体製造プロセスによって感知基板104に形成し、感知モジュール106の製造を完了する。感知モジュール106が製造された後、光学接着剤101を介してカバー100に接合される必要がある。このように、プロセスはもう一つのステップが必要である。又、カバー100はガラスで作られた時、硬度と機械的強度の問題が存在する。
図2は、従来の投影型静電容量方式のタッチセンサー20構造を示す図である。図2に示すように、タッチセンサー20は、カバー200、特定パターン202、光学接着剤203、204、ガラスタッチセンサー207及び表示パネル210を含む。ガラスタッチセンサー207は、感知制御チップ206とガラス基板208を含む。
感知制御チップ206は、インジウムスズ酸化物(ITO)で作られている。感知制御チップ206は、従来の半導体製造プロセスによってガラス基板208に構成し、ガラスタッチセンサー207を形成する。ガラス基板208は、ガラスタッチセンサー207と表示パネル210に接合されるように、光学接着剤204を介して表示パネル210に接合される。カバー200は、通常、ガラスやPETフィルムで作られている。特定パターン202は、カバー200の下部に形成することができる。感知制御チップ206は、ガラスタッチセンサー207がカバー200と接合されるように、光学接着剤203を介して特定パターン202に接合される。
図3(a)は、従来の投影型静電容量方式のタッチセンサーの制御チップ30構造を示す図である。図3(a)に示すように、制御チップ30は、ガラス基板300、ITO透明導電膜320、360および絶縁層340を含む。まず、ITO透明導電膜320は、薄膜製造プロセスによってガラス基板300上に製造される。次に、x軸透明導導電網310は、ITO透明導電膜320で製造される。次に、絶縁層340は、ITO透明導電膜320上に製造され、その後、ITO透明導電膜360は、薄膜製造プロセスによって、絶縁層340上に製造される。最後に、y軸透明導電網330は、ITO透明導電膜360で製造される。絶縁層340は、x軸透明導電網310をy軸透明導電性網330から分離するためのものである。
図3(b)は、図3(a)の上面図である。図3(b)に示すように、制御チップ30は、ユーザの指で触れると、タッチ領域380の容量値が変化する。したがって、x軸信号のスキャン及びy軸信号のスキャンにより、スキャンして得たx軸信号32及びy軸信号34のノイズを抑制し、タッチ領域380の座標を求めることができる。
上記の従来のカバー100、200は、ガラスで作られる。又、感知モジュール106は、光学接着剤101を介して、カバー100に結合される必要があり、ガラスタッチセンサー207も光学接着剤203を介して、カバー200に接合される必要がある。尚、ガラスの硬度と機械的強度には、克服すべき問題がある。ユーザの携帯電話の表面は、通常、スクレープを防ぐために、ペースターによって貼り付けられ、脂っこさを防ぐために、フッ化物によってめっきされる。ガラスタッチセンサー207の基板としてガラス基板208を使用すると、体積が減少することができないという問題が起きる。従来の投影型静電容量方式のタッチパネル10は、その強度を確保するために、カバー100の厚みが薄すぎることはできない。したがって、従来の投影型静電容量方式のタッチパネル10の厚さは相対的に厚い。ガラス製のカバー100、200を改善する必要がある。
したがって、本発明はこのような従来の課題を解決するため、実験と研究を重ねた結果を通じて、得られたものである。
本発明は、タッチパネル構造の耐スクラッチ性及び耐食性が高くなり、且つ従来のカバーよりも薄くなるために、サファイア基板をカバーとして使用し、タッチパネル構造の製造工程を更に減少させることができる。
からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、80%以上の透過率と、を有するサファイア基板と、 前記サファイア基板に配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
上述の目的を達成するために、他のタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、単結晶構造である結晶構造と、80%以上の透過率と、を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
上述の目的を達成するために、もう一つのタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、単結晶構造を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
上述の目的を達成するために、さらにもう1つのタッチパネル構造を提供する。前記タッチパネル構造は、タッチスクリーンと、前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備える。
本発明のタッチパネル構造によれば、感知モジュールは、半導体製造プロセスによりサファイア基板に直接配置されており、サファイア基板は、タッチパネル構造のカバーとして機能する。サファイア基板の硬度は、ダイヤモンドよりも小さいだけであるが、強化ガラスよりもはるかに大きい。サファイア基板は、耐スクラッチ性及び耐食性が高くなり、且つ従来のカバーよりも薄くなる。
以下のように、本発明を実施例に基づいて詳述するが、あくまでも例示であって、本発明の範囲はこれらの実施形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載されており、さらに特許請求の範囲の記載と均等な意味及び範囲内での全ての変更を含んでいる。
図4(a)は、本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造40を示す図である。図4(a)に示すように、タッチパネル構造40は、二層のITO構造であり、サファイア基板41及び感知モジュール42を含む。感知モジュール42は、サファイア基板41に直接配置される第一感知層421を含む。感知モジュール42は、絶縁層422及び第二感知層423をさらに含む。第一感知層421は、第一表面4211及び第二表面4212を有している。第一表面4211は、サファイア基板41に直接接触され、絶縁層422は、第二表面4212に形成される。第二感知層423は、絶縁層422に形成される。サファイア基板41は、前表面(図示せず)と裏表面(図示せず)を更に含む。感知モジュール42は、裏表面に直接配置されており、前表面は、触れるための表面として機能する。
第一感知層421は、x軸感知回路網4213を含み、第二感知層423は、y軸感知回路網4231を含む。x軸感知回路網4213及びy軸感知回路網4231は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていない。第一感知層421及び第二感知層423は、インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜である。タッチパネル構造40は、導線回路層49を更に含む。導線回路層49は、第二感知層423に形成され、x軸感知回路網4213及びy軸感知回路網4231に電気的に接続される。x軸感知回路網4213は、絶縁層422によって被覆されていない導線(図示せず)を介して導線回路層49に接続されている。
からなる群から一つを選ぶものである。前記結晶構造は単結晶構造であり、前記透過率は、80%以上である。サファイア基板41は、硬質材料及び高い機械的強度を有し、且つ耐スクラッチ性及び耐食性が高いので、タッチパネル構造40のカバーとして適している。しかし、すべての種類のサファイアは、カバーとして適していない。単結晶構造を有するサファイアだけは、透過率が80%以上であるので、カバーとして機能するものに適している。多結晶構造を有するサファイアは、透過率が60%よりも小さいため、カバーとして適していなく、必要条件を満たしていない。
また、サファイア基板41の物理的や光学的特性は、結晶軸によって異なる。例えば、サファイア基板41の物理的特性は、硬度、ヤング率、圧縮強度と熱伝導率の少なくとも一つを含む。例えば、サファイア基板41の光学的特性は、透過率を含む。表1は、物理的及び光学的特性において、強化ガラスとサファイア基板41の各結晶軸との比較を示す。
サファイア基板41の結晶軸は、c−軸、a−軸、m−軸及びr―軸のいずれかである時、サファイア基板41の硬度、ヤング率、圧縮強度及び熱伝導率は、強化ガラスの方よりもはるかに高い。サファイア基板41の透過率は、強化ガラスの方よりも少し低いが、悪くないものである。
図4(b)は、図4(a)の上面図である。図4(b)に示すように、サファイア基板41は、ユーザの指でタッチすると、感知モジュール42が指タッチポイント47と指タッチポイント48のx軸座標とy軸座標を測定するように、指のタッチに反応し、x軸信号44とy軸信号46を送信する。例えば、指タッチポイント47のx軸座標は14.5であり、そのy軸座標は、6.5であり、指タッチポイント48のx軸座標は9.5であり、y軸座標は、1.5である。
図5は本発明の第一実施形態に係るタッチパネル構造40を製造するためのフローチャートである。図5に示すように、感知モジュール42は、フォトリソグラフィー工程により、サファイア基板41に形成されている。そのフローチャートは、以下のステップを含む。ステップS10は、酸性溶液によってサファイア基板41を清潔にする(サファイア基板41は防食性を有するため、好ましくは、酸性溶液は王水である)。
ステップS11は、清潔にした後、サファイア基板41の表面に第一感知層421をスパッタする(好ましくは、第一感知層421は、ITO透明導電層である)。ステップS12は、x軸感知回路網4213を製造するように、第一感知層421に対し、第一フォトリソグラフィー工程を行う。
第一フォトリソグラフィー工程は、次のステップを更に含む。ステップS121は、第二表面4212にフォトレジスト(PR)をコーティングする。ステップS122は、フォトレジストを露光する。ステップS123は、現像を行う。ステップS124は、x軸感知回路網4213を形成ようにエッチングを行う。ステップS125は、x軸感知回路網4213を洗う。
x軸感知回路網4213を製造した後、ステップS13を行う。ステップS13は、x軸感知回路網4213に絶縁層422をコーティングする。ステップS13は、ステップS131を更に含む。ステップS131は、ITO接点を露出するように、絶縁層422に対して第二フォトリソグラフィー工程を行う。ステップS14は、第二感知層423をスパッタする(好ましくは、第二感知層423は、ITO透明導電層である)。ステップS15は、y軸感知回路網4231を製造するように、第二感知層423に対し、第三フォトリソグラフィー工程を行う。
第三フォトリソグラフィー工程では、ステップS151〜S155を更に含む。ステップS151は、第二感知層423にフォトレジストをコーティングする。ステップS152は、フォトレジストを露光する。ステップS153は、現像を行う。ステップS154は、y軸感知回路網4231を形成ようにエッチングを行う。ステップS155は、y軸感知回路網4231を洗う。
x軸感知回路網4213及びy軸感知回路網4231を製造した後、ステップS16を行う。ステップS16は、金属層を堆積させる。ステップS17は、第四フォトリソグラフィー工程によって導線回路層49を製造する。
第四フォトリソグラフィー工程では、ステップS171〜S175を更に含む。ステップS171は、金属層にフォトレジストをコーティングする。ステップS172は、フォトレジストを露光する。ステップS173は、現像を行う。ステップS174は、導線回路層49を形成ようにエッチングを行う。ステップS175は、導線回路層49を洗う。
最後に、ステップS18は、導線回路層49に別の絶縁層をコーティングする。ステップS19は、製造を完了する。
図6(a)は、本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造60を示す図である。図6(a)に示すように、タッチパネル構造60は、サファイア基板600と感知モジュール62を含む。感知モジュール62は、サファイア基板600に直接配置される感知層630を含む。感知モジュール62は、絶縁層660を更に含む。感知層630は、第一表面6301及び第二表面6302を有し、第一表面6301は、サファイア基板600に直接接触される。絶縁層660は、第二表面6302に形成される。
感知層630は、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640を含み、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていない。感知層630は、インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜である。感知モジュール62は、フォトリソグラフィー法によりサファイア基板600に形成される。タッチパネル構造60は、導線回路層680を更に含む。導線回路層680は、絶縁層660に形成され、第一表面6301及び第二表面6302に電気的に接続される。第一表面6301は、絶縁層660によって被覆されていない導線(図示せず)を介して導線回路層680に接続されている。
サファイア基板600は、結晶軸、結晶構造及び透過率を有する。前記結晶軸は、c−軸、a−軸、m−軸、及びr―軸からなる群から一つを含む。前記結晶構造は、単結晶構造であり、前記透過率は、80%以上である。サファイア基板600は、タッチパネル構造体60のカバーとして機能している。
図6(b)は、図6(a)の上面図である。図6(b)に示すように、本発明の第二実施形態において、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640が同じ層で製造されている点で、本発明の第一実施形態とは異なる。導線回路層680においては、x軸感知回路網620が電気的にx軸導線6801に接続されており、y軸感知回路網640は、電気的にy軸導線6802に接続されている。図6(c)は、図6(b)のA−Aラインに沿って示す断面図である。図6(c)に示すように、絶縁層660が形成された後、y軸導線6802は、電気的にy軸感知回路網640にに接続されている。
図7は、本発明の第二実施形態に係るタッチパネル構造を製造するためのフローチャートである。図7に示すように、そのフローチャートは、以下のステップを含む。ステップS20は、王水によってサファイア基板600を清潔にする。ステップS21は、清潔にした後、サファイア基板600の表面に感知層630をスパッタする(好ましくは、感知層630は、ITO透明導電層である)。ステップS22は、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640を製造するように、感知層630に対し、第一フォトリソグラフィー工程を行う。
第一フォトリソグラフィー工程は、次のステップを更に含む。ステップS221は、第二表面6302にフォトレジストをコーティングする。ステップS222は、フォトレジストを露光する。ステップS223は、現像を行う。ステップS224は、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640を形成するようにエッチングを行う。ステップS225は、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640を洗う。
x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640を製造した後、ステップS23を行う。ステップS23は、x軸感知回路網620及びy軸感知回路網640に絶縁層660をコーティングする。ステップS23は、ステップS231を更に含む。ステップS231は、ITO接点を露出するように、絶縁層660に対して第二フォトリソグラフィー工程を行う。ステップS24は、絶縁層660に金属層を堆積させる。ステップS25は、第三フォトリソグラフィー工程によって導線回路層680を製造する。
第三フォトリソグラフィー工程では、ステップS251〜S255を更に含む。ステップS251は、金属層にフォトレジストをコーティングする。ステップS252は、フォトレジストを露光する。ステップS253は、現像を行う。ステップS254は、導線回路層680を形成ようにエッチングを行う。ステップS255は、導線回路層680を洗う。
最後に、ステップS26は、導線回路層680に別の絶縁層をコーティングする。ステップS27は、製造を完了する。
他の実施形態は、次のように記載されている。
からなる群から一つを選ぶ結晶軸と、単結晶構造である結晶構造と、80%以上の透過率と、を有するサファイア基板と、 前記サファイア基板に配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
2、実施形態1に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物(ITO)の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
3、実施形態1に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
4、タッチパネル構造は、単結晶構造である結晶構造と、80%以上の透過率と、を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物(ITO)透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
7、タッチパネル構造は、単結晶構造を有するサファイア基板と、前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備える。
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
からなる群から一つを選び、前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
10、タッチパネル構造は、タッチスクリーンと、前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備える。
11、実施形態10に説明したように、前記タッチパネル構造において、前記タッチスクリーンは、サファイア基板を含み、前記サファイア基板は、単結晶構造を有し、前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
からなる群から一つを選び、前記底層は、感知層及び絶縁層を含み、前記感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、前記感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、前記感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能している。
以上の説明によると、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で、多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず、特許請求の範囲によって定めなければならない。
10タッチパネル
20タッチセンサー
30制御チップ
40、60タッチパネル構造
41、600サファイア基板
42、62感知モジュール
44x軸信号
46y軸信号
47、48指タッチポイント
49、680導線回路層
60タッチパネル構造
100、200カバー
101、102光学接着剤
103、105、630感知層
104感知基板
106感知モジュール
108表示パネル
202特定パターン
203、204光学接着剤
206感知制御チップ
207ガラスタッチセンサー
208ガラス基板
210表示パネル
300ガラス基板
310x軸透明導電網
320、360ITO透明導電膜
330y軸透明導電網
340、660絶縁層
421第一感知層
422絶縁層
423第二感知層
4211、6301第一表面
4212、6302第二表面
4213、620x軸感知回路網
4231、640y軸感知回路網
6801x軸導線
6802y軸導線
20タッチセンサー
30制御チップ
40、60タッチパネル構造
41、600サファイア基板
42、62感知モジュール
44x軸信号
46y軸信号
47、48指タッチポイント
49、680導線回路層
60タッチパネル構造
100、200カバー
101、102光学接着剤
103、105、630感知層
104感知基板
106感知モジュール
108表示パネル
202特定パターン
203、204光学接着剤
206感知制御チップ
207ガラスタッチセンサー
208ガラス基板
210表示パネル
300ガラス基板
310x軸透明導電網
320、360ITO透明導電膜
330y軸透明導電網
340、660絶縁層
421第一感知層
422絶縁層
423第二感知層
4211、6301第一表面
4212、6302第二表面
4213、620x軸感知回路網
4231、640y軸感知回路網
6801x軸導線
6802y軸導線
Claims (11)
- 前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物(ITO)の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル構造。 - 前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項1に記載のタッチパネル構造。 - 単結晶構造である結晶構造と、80%以上の透過率と、を有するサファイア基板と、
前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。 - 前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、
前記結晶軸は、
前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項4に記載のタッチパネル構造。 - 前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、
前記結晶軸は、
前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項4に記載のタッチパネル構造。 - 単結晶構造を有するサファイア基板と、
前記サファイア基板に直接配置される第一感知層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。 - 前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
前記感知モジュールは、絶縁層及び第二感知層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第二感知層は、前記絶縁層に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網を含み、前記第二感知層は、y軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層及び前記第二感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記第二感知層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項7に記載のタッチパネル構造。 - 前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
前記感知モジュールは、絶縁層を更に含み、
前記第一感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記第一感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記第一感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項7に記載のタッチパネル構造。 - タッチスクリーンと、
前記タッチスクリーンに直接配置される底層を含む感知モジュールと、を備えることを特徴とするタッチパネル構造。 - 前記タッチスクリーンは、サファイア基板を含み、
前記サファイア基板は、単結晶構造を有し、
前記サファイア基板は、結晶軸を更に含み、前記結晶軸は、
前記底層は、感知層及び絶縁層を含み、
前記感知層は、第一表面及び第二表面を有し、前記第一表面は、前記サファイア基板に直接接触され、前記絶縁層は、前記第二表面に形成され、
前記感知層は、x軸感知回路網及びy軸感知回路網を含み、前記x軸感知回路網及び前記y軸感知回路網は、上面から見ると互いに織り交ぜ、電気的に接続されていなく、
前記感知層は、インジウムスズ酸化物の透明導電膜であり、
前記感知モジュールは、フォトリソグラフィー工程により前記サファイア基板に形成され、
前記サファイア基板は、80%以上の透過率を有し、
前記タッチパネル構造は、前記絶縁層に形成され、前記x軸感知回路網と前記y軸感知回路網に電気的に接続される導線回路層を更に含み、
前記サファイア基板は、前記タッチパネル構造のカバーとして機能していることを特徴とする請求項10に記載のタッチパネル構造。
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