JP2013102120A - High frequency module - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a simple and small-sized high frequency module including a switching circuit for switching and connecting one balanced terminal to any of a plurality of balanced terminals.SOLUTION: A high frequency module 100 includes switch IC elements SW- and SW+, and a substrate 101. The switch IC elements SW- and SW+ are the same IC chips and are mounted in the same direction. The switch IC element SW- is mounted on the substrate 101. The switch IC element SW+ is mounted on the switch IC element SW-. Each pad electrode of the switch IC elements SW- and SW+ is connected to a land electrode of the substrate 101 to be connected to each pad electrode by wire bonding. Other land electrodes are not arranged between the pad electrode and the land electrode connected to each other.

Description

本発明は、一組の平衡端子を複数組の平衡端子に切り替えて接続するスイッチ回路を備えた高周波モジュールに関する。   The present invention relates to a high-frequency module including a switch circuit that switches and connects a set of balanced terminals to a plurality of balanced terminals.

通信端末等では、小型化が進んでおり、単一の回路素子で複数のシステムの信号を処理することがある。そして、この処理を実現するため、複数のシステムの信号を切り替えて、これらシステムを共通の回路素子に入力する方法がある。この場合、各システムの信号は、スイッチ素子によって切り替えられて、共通の回路素子に入力される。   In communication terminals and the like, miniaturization is progressing, and signals of a plurality of systems may be processed by a single circuit element. And in order to implement | achieve this process, there exists the method of switching the signal of a some system and inputting these systems to a common circuit element. In this case, the signal of each system is switched by the switch element and input to the common circuit element.

ここで、各システムの信号が平衡信号の場合、特許文献1に記載の高周波モジュールのように、平衡型線路を構成する線路毎にスイッチ素子を備える必要がある。そして、このような高周波モジュールでは、通常、これらスイッチ素子を基板上に並べて実装している。   Here, when the signal of each system is a balanced signal, it is necessary to provide a switch element for each line constituting the balanced line as in the high-frequency module described in Patent Document 1. In such a high-frequency module, these switch elements are usually mounted side by side on a substrate.

特開2001−345653号公報JP 2001-345653 A

しかしながら、従来の構成では、各スイッチ素子を並べて実装するために、基板上での実装面積が広くなってしまう。また、切り替えて共通の平衡端子に接続される複数の平衡端子を、基板の面に対して異なる方向へ引き回す場合には、特許文献1の図4の回路パターンにも記載されているように、異なる通信信号の引き回しパターン同士が交差してしまい、通信信号間のアイソレーション特性が劣化してしまう。また、引き回しパターン同士を交差させる際には、引き回しパターン同士を、基板の厚み方向に離間して配設する等の工夫が必要となり、基板の形状が複雑になってしまう。   However, in the conventional configuration, since the switch elements are mounted side by side, the mounting area on the substrate becomes large. In addition, when a plurality of balanced terminals that are switched and connected to a common balanced terminal are routed in different directions with respect to the surface of the substrate, as described in the circuit pattern of FIG. The routing patterns of different communication signals cross each other, and the isolation characteristics between the communication signals are deteriorated. Further, when crossing the routing patterns, it is necessary to devise such as arranging the routing patterns apart from each other in the thickness direction of the substrate, which complicates the shape of the substrate.

この発明の目的は、一つの平衡端子を複数個の平衡端子のいずれかに切り替えて接続するスイッチ回路を備える高周波モジュールを、簡素且つ小型の形状で実現することにある。   An object of the present invention is to realize a high-frequency module including a switch circuit that switches and connects one balanced terminal to one of a plurality of balanced terminals in a simple and small shape.

この発明の高周波モジュールは、パッド電極の配置構成が同じ第1スイッチICおよび第2のスイッチICを備える。高周波モジュールは、パッド電極に接続するランド電極を備え第1スイッチICおよび第2のスイッチICを外部回路へ接続する電極を備える基板を備える。第1スイッチICは基板に実装されている。第2スイッチICは、第1スイッチICの基板と反対側の面に実装されている。第1スイッチICと第2スイッチICは、パッド電極が基板側と反対側の面に現れるように実装されている。パッド電極のそれぞれとランド電極とは、ワイヤーボンディングによって接続されている。   The high frequency module of the present invention includes a first switch IC and a second switch IC having the same arrangement configuration of pad electrodes. The high-frequency module includes a substrate including a land electrode connected to the pad electrode and electrodes connecting the first switch IC and the second switch IC to an external circuit. The first switch IC is mounted on the substrate. The second switch IC is mounted on the surface opposite to the substrate of the first switch IC. The first switch IC and the second switch IC are mounted such that the pad electrode appears on the surface opposite to the substrate side. Each pad electrode and the land electrode are connected by wire bonding.

この構成では、第1スイッチICと第2スイッチICとが積み重ねられた状態で、基板に実装されるため、これら第1、第2スイッチICを基板上に並べて実装するよりも、実装面積が小さくなる。   In this configuration, since the first switch IC and the second switch IC are stacked and mounted on the substrate, the mounting area is smaller than mounting the first and second switch ICs side by side on the substrate. Become.

また、この発明の高周波モジュールは、第1スイッチICと第2スイッチICとが同じIC素子であることが好ましい。   In the high-frequency module according to the present invention, the first switch IC and the second switch IC are preferably the same IC element.

この構成では、一種類のスイッチICを積み重ねるだけで、平衡信号用のスイッチ回路を実現できる。したがって、新たに平衡信号用のスイッチICを設計、製作するよりも、簡単に平衡信号用のスイッチ回路を実現することができる。   With this configuration, it is possible to realize a balanced signal switch circuit by simply stacking one type of switch IC. Therefore, a balanced signal switch circuit can be realized more easily than designing and manufacturing a balanced signal switch IC.

また、第1、第2スイッチICと基板とをワイヤーボンディングによって接続することで、第1、第2スイッチICと基板と接続が三次元で実現される。これにより、二次元平面内では実現できないような配線パターンも容易に実現でき、基板上で互いに交差する配線等を行う必要が無い。   Further, by connecting the first and second switch ICs and the substrate by wire bonding, the connection between the first and second switch ICs and the substrate is realized in three dimensions. Thereby, it is possible to easily realize a wiring pattern that cannot be realized in a two-dimensional plane, and it is not necessary to perform wirings that cross each other on the substrate.

また、この発明の高周波モジュールでは、特定のパッド電極と、特定のパッド電極に接続される特定のランド電極との間に、該特定のランド電極とは異なる他のランド電極が配設されていないことが好ましい。   In the high frequency module of the present invention, no other land electrode different from the specific land electrode is disposed between the specific pad electrode and the specific land electrode connected to the specific pad electrode. It is preferable.

この構成では、各パッド電極と、各パッド電極に接続されるべき各ランド電極とをそれぞれに接続する各ワイヤーが交差しない。これにより、各ワイヤーで接続される各回路間でのアイソレーションを向上することができる。   In this configuration, the wires connecting the pad electrodes and the land electrodes to be connected to the pad electrodes do not cross each other. Thereby, the isolation between each circuit connected by each wire can be improved.

また、この発明の高周波モジュールでは、第2スイッチICは、第1スイッチICの基板と反対側の面に、接着剤を介して実装されていることが好ましい。   In the high frequency module of the present invention, it is preferable that the second switch IC is mounted on the surface opposite to the substrate of the first switch IC via an adhesive.

この構成では、第1スイッチICと第2スイッチICとを確実に接合できるとともに、第1スイッチICと第2スイッチICとの間を、接着剤により保護することができる。   In this configuration, the first switch IC and the second switch IC can be reliably bonded, and the first switch IC and the second switch IC can be protected by the adhesive.

また、この発明の高周波モジュールでは、第1スイッチICと第2スイッチICは、基板の部品実装面と直交する方向から見て、同じ向きに実装されていることが好ましい。   In the high-frequency module of the present invention, it is preferable that the first switch IC and the second switch IC are mounted in the same direction as viewed from the direction orthogonal to the component mounting surface of the substrate.

この構成では、第1スイッチICと第2スイッチICとが同じ方向であるので、アライメントマークによる基準を共有でき、実装が容易になる。また、後述する平衡端子を構成する対となる第1個別端子を第1スイッチICに備え、第2個別端子を第2スイッチICに備える場合に、第1個別端子と第2個別端子とが、基板の部品実装面と直交する方向から見て、略重なり合う。したがって、これら第1個別端子と第2個別端子とからワイヤーボンディングを施して平衡型線路を形成する際に、これらの個別端子を構成するパッド電極に接続するランド電極の配置パターン等の設計が容易になる。   In this configuration, since the first switch IC and the second switch IC are in the same direction, the reference by the alignment mark can be shared, and mounting becomes easy. Further, when the first switch IC is provided with a first individual terminal that forms a pair constituting a balanced terminal, which will be described later, and the second individual terminal is provided with the second switch IC, the first individual terminal and the second individual terminal are: When viewed from the direction orthogonal to the component mounting surface of the board, they overlap substantially. Therefore, when forming a balanced line by wire bonding from the first individual terminal and the second individual terminal, it is easy to design the arrangement pattern of land electrodes connected to the pad electrodes constituting the individual terminals. become.

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。平衡端子を構成する第1個別端子を第1スイッチICに備え、平衡端子を構成する第2個別端子を第2スイッチICに備える。第1個別端子となる第1パッド電極と該第1パッド電極にワイヤーボンディングで接続される第1ランド電極との距離を第1距離とする。第2個別端子となる第2パッド電極と該第2パッド電極にワイヤーボンディングで接続される第2ランド電極との距離とを第2距離とする。そして、第1距離と第2距離とは略等しい。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that it is the following structure. A first individual terminal constituting the balanced terminal is provided in the first switch IC, and a second individual terminal constituting the balanced terminal is provided in the second switch IC. A distance between a first pad electrode serving as a first individual terminal and a first land electrode connected to the first pad electrode by wire bonding is defined as a first distance. A distance between a second pad electrode serving as a second individual terminal and a second land electrode connected to the second pad electrode by wire bonding is defined as a second distance. The first distance and the second distance are substantially equal.

この構成では、第1パッド電極と第1ランド電極との間を接続するワイヤーによる第1導体パターンの長さと、第2パッド電極と第2ランド電極との間を接続するワイヤーによる第2導体パターンの長さとを、一致させ易い。これにより、平衡型線路を構成する二つの導体の長さを一致させ易い。そして、一致させることにより、平衡信号のバランス特性を向上させることができる。   In this configuration, the length of the first conductor pattern by the wire connecting between the first pad electrode and the first land electrode, and the second conductor pattern by the wire connecting between the second pad electrode and the second land electrode. It is easy to match the length of As a result, the lengths of the two conductors constituting the balanced line can be easily matched. Then, by matching, the balance characteristic of the balanced signal can be improved.

また、この発明の高周波モジュールでは、次の構成であることが好ましい。第1スイッチICの第3パッド電極と第2スイッチICの第4パッド電極とは、略重なり合うように配置されている。第1スイッチICの第3パッド電極と第2スイッチICの第4パッド電極とは、同じ第3ランド電極に接続されている。第3パッド電極と第3ランド電極とを接続するワイヤーが第3ランド電極に接続する位置を第1位置とする。第4パッド電極と第3ランド電極とを接続するワイヤーが第3ランド電極に接続する位置を第2位置とする。第1位置は、第2位置よりも、第1、第2スイッチICの基板への実装位置から離間している。   Moreover, in the high frequency module of this invention, it is preferable that it is the following structure. The third pad electrode of the first switch IC and the fourth pad electrode of the second switch IC are arranged so as to substantially overlap. The third pad electrode of the first switch IC and the fourth pad electrode of the second switch IC are connected to the same third land electrode. A position where a wire connecting the third pad electrode and the third land electrode is connected to the third land electrode is defined as a first position. The position where the wire connecting the fourth pad electrode and the third land electrode is connected to the third land electrode is defined as the second position. The first position is farther from the mounting position of the first and second switch ICs on the substrate than the second position.

この構成では、第1スイッチICと第2スイッチICとを上下に積み重ねても、基板の第3ランド電極から第1スイッチICの第3パッド電極までの距離と、第3ランド電極から第2スイッチICの第4パッド電極までの距離とを、同じにすることができる。これにより、上下に積み重ねられた第1スイッチICと第2スイッチICとに同じ信号を入力する場合に、第1スイッチICに入力されるタイミングと、第2スイッチICに入力されるタイミングの時間差を無くすようにすることができる。例えば、上述のように、平衡信号を第1スイッチICおよび第2スイッチICで切り替えて伝送する場合に、第1スイッチICの切り替えタイミングと、第2スイッチICの切り替えタイミングとを、高精度に一致させることができる。   In this configuration, even if the first switch IC and the second switch IC are stacked up and down, the distance from the third land electrode of the substrate to the third pad electrode of the first switch IC, and the second switch from the third land electrode to the second switch IC. The distance to the fourth pad electrode of the IC can be made the same. Thus, when the same signal is input to the first switch IC and the second switch IC stacked vertically, the time difference between the timing input to the first switch IC and the timing input to the second switch IC is calculated. It can be lost. For example, as described above, when the balanced signal is switched and transmitted by the first switch IC and the second switch IC, the switching timing of the first switch IC and the switching timing of the second switch IC coincide with each other with high accuracy. Can be made.

この発明によれば、一組の平衡端子を複数組の平衡端子に切り替えて接続するスイッチ回路を備える高周波モジュールを、簡素且つ小型に形成することができる。   According to the present invention, a high-frequency module including a switch circuit that switches and connects a set of balanced terminals to a plurality of sets of balanced terminals can be formed simply and compactly.

本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の実装構成を示す図である。It is a figure which shows the mounting structure of the high frequency module 100 which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100のボンディング概念を示す図である。It is a figure which shows the bonding concept of the high frequency module 100 which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a high-frequency module 100 according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the high frequency module 100 which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュール100Aの実装構成を示す図である。It is a figure which shows the mounting structure of 100 A of high frequency modules which concern on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュール100Aの等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the high frequency module 100A which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の実装構成を示す図である。図1(A)は基板101とスイッチIC素子SW+との接続関係を示し、図1(B)は基板101とスイッチIC素子SW−との接続関係を示す。図2は本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100のボンディング概念を示す図である。図3は本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の等価回路図である。   A high-frequency module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a mounting configuration of a high-frequency module 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a connection relationship between the substrate 101 and the switch IC element SW +, and FIG. 1B shows a connection relationship between the substrate 101 and the switch IC element SW−. FIG. 2 is a view showing a bonding concept of the high-frequency module 100 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency module 100 according to the first embodiment of the present invention.

本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100は、二個のスイッチIC素子SW−,SW+と、基板101とを備える。   The high-frequency module 100 according to the first embodiment of the present invention includes two switch IC elements SW− and SW + and a substrate 101.

スイッチIC素子SW−とスイッチIC素子SW+は、半導体のベアチップであり、同じ外形形状、同じ回路構成である。さらに、スイッチIC素子SW−とスイッチIC素子SW+は、外部接続用のパッド電極の構成および配置パターンも同じである。スイッチIC素子SW−が本発明の「第1スイッチIC」に相当し、スイッチIC素子SW+が本発明の「第2スイッチIC」に相当する。なお、ここで、同じ外形形状とは、製造上の誤差によって生じる寸法の差があっても構わない。   The switch IC element SW− and the switch IC element SW + are semiconductor bare chips, and have the same outer shape and the same circuit configuration. Further, the switch IC element SW− and the switch IC element SW + have the same configuration and arrangement pattern of pad electrodes for external connection. The switch IC element SW− corresponds to the “first switch IC” of the present invention, and the switch IC element SW + corresponds to the “second switch IC” of the present invention. Here, the same outer shape may have a dimensional difference caused by a manufacturing error.

スイッチIC素子SW−,SW+は、いわゆるSPDT(SinglePole Double Throw)スイッチであり、外部からの駆動電圧信号VDDで駆動し、制御信号CTLに応じて、パッド電極PT1(第1ポート)を、パッド電極PT2(第2ポート)もしくはパッド電極PT3(第3ポート)のいずれかに切り替えて接続する。   The switch IC elements SW− and SW + are so-called SPDT (SinglePole Double Throw) switches, which are driven by an external drive voltage signal VDD, and the pad electrode PT1 (first port) is connected to the pad electrode according to the control signal CTL. The connection is switched to either PT2 (second port) or pad electrode PT3 (third port).

基板101の第1主面には、所定の配列パターンで複数のランド電極PL1〜PL12が形成されている。複数のランド電極PL1〜PL12は、図1、図2に示すように、概略的には、スイッチIC素子SW−,SW+の実装位置を囲むように、形成されている。 A plurality of land electrodes P L1 to P L12 are formed on the first main surface of the substrate 101 in a predetermined arrangement pattern. The plurality of land electrodes P L1 to P L12 are formed so as to surround the mounting positions of the switch IC elements SW− and SW + as shown in FIGS. 1 and 2.

より具体的には、次のような配置パターンで複数のランド電極PL1〜PL12を形成する。ここで、説明を簡単にするために、基板101を平面視した状態で方形状であると設定しておく(実際には、基板101における方形状の領域に相当する。)。 More specifically, the plurality of land electrodes P L1 to P L12 are formed with the following arrangement pattern. Here, in order to simplify the description, the substrate 101 is set to have a rectangular shape in a plan view (actually, it corresponds to a rectangular region in the substrate 101).

この方形状の第1角部111(図1の正面視して左上の角部)と、第2角部112(図1の正面視して左下の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第1角部111側から順に、ランド電極PL1、ランド電極PL2、ランド電極PL3を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 Along the direction connecting the first corner portion 111 (upper left corner when viewed from the front in FIG. 1) and the second corner portion 112 (lower left corner when viewed from the front of FIG. 1), The land electrode P L1 , the land electrode P L2 , and the land electrode P L3 are formed with a predetermined area at intervals from the first corner portion 111 side.

第2角部112と、第3角部113(図1の正面視して右下の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第2角部112側から順に、ランド電極PL4、ランド電極PL5、ランド電極PL6を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 The land electrode P L4 and the land electrode P L4 are arranged in this order from the second corner 112 side along the direction connecting the second corner 112 and the third corner 113 (the lower right corner when viewed from the front in FIG. 1). The electrode P L5 and the land electrode P L6 are formed with a predetermined area at intervals.

第3角部113と、第4角部114(図1の正面視して右上の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第3角部113側から順に、ランド電極PL7、ランド電極PL8、ランド電極PL9を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 Land electrode P L7 , land electrode in order from the third corner portion 113 side substantially along the direction connecting the third corner portion 113 and the fourth corner portion 114 (the upper right corner portion when viewed from the front in FIG. 1). P L8 and land electrode P L9 are formed with a predetermined area at intervals.

第4角部114と、第1角部111とを結ぶ方向に略沿って、第4角部114側から順に、ランド電極PL10、ランド電極PL11、ランド電極PL12を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 The land electrode P L10 , the land electrode P L11 , and the land electrode P L12 are spaced apart from each other in order from the fourth corner 114 side substantially along the direction connecting the fourth corner 114 and the first corner 111. , With a predetermined area.

そして、基板101の第1主面において、配列形成された複数のランド電極PL1〜PL12によって囲まれる領域に略中央にスイッチIC素子SW−が実装される。すなわち、基板101の第1主面が当該基板の部品実装面となる。スイッチIC素子SW−は、そのパッド電極が基板101と反対側を向くように実装される。スイッチIC素子SW−は、ダイボンド剤130を介して基板101に実装される。 Then, on the first main surface of the substrate 101, the switch IC element SW− is mounted at a substantially central position in a region surrounded by the plurality of land electrodes P L1 to P L12 formed in an array. That is, the first main surface of the substrate 101 is the component mounting surface of the substrate. The switch IC element SW- is mounted such that its pad electrode faces the side opposite to the substrate 101. The switch IC element SW− is mounted on the substrate 101 via the die bond agent 130.

スイッチIC素子SW+は、スイッチIC素子SW−のパッド電極側に実装される。スイッチIC素子SW+は、そのパッド電極がスイッチIC素子SW−および基板101と反対側を向くように実装される。スイッチIC素子SW+は、ダイフィルム120を介して、スイッチIC素子SW−上に実装される。   The switch IC element SW + is mounted on the pad electrode side of the switch IC element SW−. The switch IC element SW + is mounted such that its pad electrode faces the opposite side of the switch IC element SW− and the substrate 101. The switch IC element SW + is mounted on the switch IC element SW− via the die film 120.

スイッチIC素子SW−,SW+は、パッド電極PT1,PT2,PT3,PG,PVD,PCTを備える。パッド電極PCTは、スイッチIC素子SW−,SW+の角部121の近傍に配設されている。パッド電極PVDは、スイッチIC素子SW−,SW+の角部122の近傍に配設されている。パッド電極PT1は、パッド電極PCTとパッド電極PVDの間に配設されている。言い換えれば、パッド電極PT1は、スイッチIC素子SW−,SW+における角部121,122を結ぶ辺の中間の所定位置に配設されている。パッド電極PT3は、スイッチIC素子SW−,SW+の角部123の近傍に配設されている。角部123は角部121の対角である。パッド電極PT2は、スイッチIC素子SW−,SW+の角部124の近傍に配設されている。角部124は角部122の対角である。   The switch IC elements SW− and SW + include pad electrodes PT1, PT2, PT3, PG, PVD, and PCT. The pad electrode PCT is disposed in the vicinity of the corner 121 of the switch IC elements SW− and SW +. The pad electrode PVD is disposed in the vicinity of the corner 122 of the switch IC elements SW− and SW +. The pad electrode PT1 is disposed between the pad electrode PCT and the pad electrode PVD. In other words, the pad electrode PT1 is disposed at a predetermined position in the middle of the side connecting the corner portions 121 and 122 in the switch IC elements SW− and SW +. The pad electrode PT3 is disposed in the vicinity of the corner 123 of the switch IC elements SW− and SW +. The corner 123 is a diagonal of the corner 121. The pad electrode PT2 is disposed in the vicinity of the corner portion 124 of the switch IC elements SW− and SW +. The corner 124 is a diagonal of the corner 122.

パッド電極PGは、パッド電極PT3とパッド電極PT2の間に配設されている。言い換えれば、パッド電極PGは、スイッチIC素子SW−,SW+における角部123,124を結ぶ辺の中間の所定位置に配設されている。   The pad electrode PG is disposed between the pad electrode PT3 and the pad electrode PT2. In other words, the pad electrode PG is disposed at a predetermined position in the middle of the side connecting the corners 123 and 124 in the switch IC elements SW− and SW +.

このようなパッド電極の配置構成からなるスイッチIC素子SW−とスイッチIC素子SW+とは、基板101の部品実装面に直交する方向から見て、同じ向きに揃えられて実装される。更に、この際、スイッチIC素子SW−,SW+の角部121が基板101の角部111側となり、角部123が基板101の角部113側となるように実装される。   The switch IC element SW− and the switch IC element SW + having such a pad electrode arrangement are mounted so as to be aligned in the same direction as viewed from the direction perpendicular to the component mounting surface of the substrate 101. Further, at this time, the switch IC elements SW− and SW + are mounted such that the corner portion 121 is on the corner portion 111 side of the substrate 101 and the corner portion 123 is on the corner portion 113 side of the substrate 101.

スイッチ素子SW−のパッド電極PT1は、導電性ワイヤー915によって、基板101のランド電極PL3に接続されている。スイッチ素子SW−のパッド電極PT2は、導電性ワイヤー911によって、基板101のランド電極PL9に接続されている。スイッチ素子SW−のパッド電極PT3は、導電性ワイヤー913によって、基板101のランド電極PL5に接続されている。スイッチ素子SW−のパッド電極PGは、導電性ワイヤー912によって、基板101のランド電極PL8に接続されている。スイッチ素子SW−のパッド電極PVDは、導電性ワイヤー914によって、基板101のランド電極PL4に接続されている。スイッチ素子SW−のパッド電極PCTは、導電性ワイヤー916によって、基板101のランド電極PL12に接続されている。 Pad electrodes PT1 of the switch element SW- is by a conductive wire 915 is connected to the land electrodes P L3 of the substrate 101. The pad electrode PT2 of the switch element SW− is connected to the land electrode PL9 of the substrate 101 by the conductive wire 911. Pad electrodes PT3 of the switch element SW- is by a conductive wire 913 is connected to the land electrodes P L5 of the substrate 101. The pad electrode PG of the switch element SW− is connected to the land electrode PL8 of the substrate 101 by the conductive wire 912. Pad electrodes PVD switch element SW- is by a conductive wire 914 is connected to the land electrodes P L4 of the substrate 101. Pad electrodes PCT switch element SW- is by a conductive wire 916 is connected to the land electrodes P L12 of the substrate 101.

スイッチ素子SW+のパッド電極PT1は、導電性ワイヤー925によって、基板101のランド電極PL1に接続されている。スイッチ素子SW+のパッド電極PT2は、導電性ワイヤー921によって、基板101のランド電極PL11に接続されている。スイッチ素子SW+のパッド電極PT3は、導電性ワイヤー923によって、基板101のランド電極PL7に接続されている。スイッチ素子SW+のパッド電極PGは、導電性ワイヤー922によって、基板101のランド電極PL8に接続されている。スイッチ素子SW+のパッド電極PVDは、導電性ワイヤー924によって、基板101のランド電極PL4に接続されている。スイッチ素子SW+のパッド電極PCTは、導電性ワイヤー926によって、基板101のランド電極PL12に接続されている。 Switching element SW + the pad electrodes PT1 is by a conductive wire 925 is connected to the land electrodes P L1 of the substrate 101. Switching element SW + the pad electrodes PT2 is by a conductive wire 921 is connected to the land electrodes P L11 of the substrate 101. Switching element SW + the pad electrode PT3 is by a conductive wire 923 is connected to the land electrodes P L7 of the substrate 101. The pad electrode PG of the switch element SW + is connected to the land electrode PL8 of the substrate 101 by the conductive wire 922. Switching element SW + the pad electrode PVD is by a conductive wire 924 is connected to the land electrodes P L4 of the substrate 101. Switching element SW + the pad electrode PCT is by a conductive wire 926 is connected to the land electrodes P L12 of the substrate 101.

以上のような構成によって、図3に示す等価回路からなる高周波モジュール100を実現できる。この高周波モジュール100は、スイッチIC素子SW−のパッド電極PT1を第1個別端子とし、スイッチIC素子SW+のパッド電極PT1を第2個別端子とする第1平衡端子を、スイッチIC素子SW−,SW+のパッド電極PT2を個別端子対とする第2平衡端子、またはスイッチIC素子SW−,SW+のパッド電極PT3を個別端子対とする第3平衡端子のいずれかに選択的に接続するものとなる。   With the above configuration, the high-frequency module 100 including the equivalent circuit shown in FIG. 3 can be realized. In the high-frequency module 100, the first balanced terminal having the pad electrode PT1 of the switch IC element SW− as the first individual terminal and the pad electrode PT1 of the switch IC element SW + as the second individual terminal is used as the switch IC elements SW− and SW +. This is selectively connected to either the second balanced terminal using the pad electrode PT2 as an individual terminal pair or the third balanced terminal using the pad electrodes PT3 of the switch IC elements SW− and SW + as individual terminal pairs.

ランド電極PL1に接続する外部接続端子P1+と、ランド電極PL3に接続する外部接続端子P1−から入力された平衡信号は、スイッチIC素子SW+,SW−のパッド電極PT1から構成される第1平衡端子へ入力される。スイッチIC素子SW+,SW−は、ランド電極PL4、パッド電極PVDを介して印加される駆動電圧信号VDDによって電源供給され、ランド電極PL12、パッド電極PCTを介して印加される切り替え制御信号CTLに応じて切り替え制御を行う。 An external connection terminal P1 + to be connected to the land electrodes P L1, balanced signal input from the external connection terminal P1- to be connected to the land electrodes P L3 is first a switch IC element SW +, SW- pad electrodes PT1 1 Input to balanced terminal. The switch IC elements SW + and SW− are supplied with power by the drive voltage signal VDD applied via the land electrode P L4 and the pad electrode PVD, and the switching control signal CTL applied via the land electrode P L12 and the pad electrode PCT. Switching control is performed according to

第1平衡端子へ入力された平衡信号は、スイッチIC素子SW+,SW−がその接続状態を切り替えることによって、第2平衡端子または第3平衡端子へ出力される。第2平衡端子から出力された平衡信号は、ランド電極PL11,PL9を介して、外部接続端子P2+,P2−から外部回路へ出力される。第3平衡端子から出力された平衡信号は、ランド電極PL7,PL5を介して、外部接続端子P3+,P3−から外部回路へ出力される。 The balanced signal input to the first balanced terminal is output to the second balanced terminal or the third balanced terminal when the switch IC elements SW + and SW− switch their connection states. The balanced signal output from the second balanced terminal is output from the external connection terminals P2 + and P2- to the external circuit via the land electrodes P L11 and P L9 . The balanced signal output from the third balanced terminal is output from the external connection terminals P3 + and P3- to the external circuit via the land electrodes P L7 and P L5 .

そして、上述の構成からなる高周波モジュール100では、次のような作用効果が得られる。
スイッチIC素子SW−,SW+を基板101の部品実装面に重ねて実装することにより、二つのスイッチIC素子を用いて、平衡信号のスイッチ回路を構成する場合に、実装面積を小さくすることができる。
And in the high frequency module 100 which consists of the above-mentioned structure, the following effects are obtained.
By mounting the switch IC elements SW− and SW + on the component mounting surface of the substrate 101, the mounting area can be reduced when a switch circuit for a balanced signal is configured using two switch IC elements. .

上述のような配置構成で、スイッチIC素子SW−,SW+を基板101に実装した場合、基板101の部品実装面に直交する方向から見て、導電性ワイヤーによって接続されるパッド電極とランド電極とが近接し、これらの電極間に、他のパッド電極やランド電極が配設されていない。   When the switch IC elements SW− and SW + are mounted on the substrate 101 with the arrangement as described above, the pad electrode and the land electrode connected by the conductive wire when viewed from the direction orthogonal to the component mounting surface of the substrate 101. Are adjacent to each other, and no other pad electrode or land electrode is disposed between these electrodes.

例えば、スイッチIC素子SW+のパッド電極PT1とランド電極PL1とが近接し、これらの間に、他のパッド電極やランド電極は配設されていない。同様に、スイッチIC素子SW−のパッド電極PT1とランド電極PL3とが近接し、これらの間に、他のパッド電極やランド電極は配設されていない。 For example, the switch IC element SW + the pad electrodes PT1 and the land electrodes P L1 is close, between these, other pad electrode and the land electrodes are not provided. Similarly, the pad electrodes PT1 of the switching IC element SW- and the land electrodes P L3 are close, between these, other pad electrode and the land electrodes are not provided.

このような構成とすることで、第1平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーと、第2平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーと、第3平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーとを、交差することなく、形成することができる。これにより、第1平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路と、第2平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路と、第3平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路との相互干渉を抑制でき、各伝送経路間のアイソレーションを高く確保することができる。また、基板101に交差用の電極パターンを形成する必要が無いので、基板101の電極パターンが単純化され、設計が容易になるとともに、形成も容易になる。   With such a configuration, a conductive wire that transmits a balanced signal input to and output from the first balanced terminal, a conductive wire that transmits a balanced signal input to and output from the second balanced terminal, and a third balanced A conductive wire that transmits a balanced signal inputted to and outputted from the terminal can be formed without crossing. Thus, the balanced signal input / output to / from the first balanced terminal is the transmission path, the balanced signal input / output to / from the second balanced terminal is the transmission path, and the balanced signal input / output to / from the third balanced terminal is the transmission path. Mutual interference can be suppressed, and high isolation between the transmission paths can be ensured. In addition, since it is not necessary to form an intersecting electrode pattern on the substrate 101, the electrode pattern of the substrate 101 is simplified, and the design is facilitated and the formation is facilitated.

また、上述の図1に示すように、平衡端子を構成するスイッチIC素子SW−,SW+の各パッド電極と、これらが接続するランド電極との距離が略同じになるように、ランド電極が配置されている。具体的には、例えば、スイッチIC素子SW+のパッド電極PT1とランド電極PL1との基板101の部品実装面に投影した距離と、スイッチIC素子SW−のパッド電極PT1とランド電極PL3との基板101の部品実装面に投影した距離とは、略同じになっている。これにより、ランド電極PL1とスイッチIC素子SW+のパッド電極PT1との間での信号の伝送距離と、ランド電極PL3とスイッチIC素子SW−のパッド電極PT1との間での信号の伝送距離とが略同じになる。したがって、導電性ワイヤー915,925のワイヤー長を若干調整するだけで、この平衡線路を伝送する信号のバランス特性を向上することができる。 Further, as shown in FIG. 1 described above, the land electrodes are arranged so that the distances between the pad electrodes of the switch IC elements SW− and SW + constituting the balanced terminal and the land electrodes to which they are connected are substantially the same. Has been. Specifically, for example, the distance projected on the component mounting surface of the substrate 101 between the switch IC element SW + the pad electrodes PT1 and the land electrodes P L1, the pad electrode PT1 and the land electrodes P L3 switch IC element SW- of The distance projected onto the component mounting surface of the substrate 101 is substantially the same. Thus, the signal transmission distance between the land electrode P L1 and the pad electrode PT1 of the switch IC element SW + and the signal transmission distance between the land electrode P L3 and the pad electrode PT1 of the switch IC element SW−. Are almost the same. Therefore, the balance characteristic of the signal transmitted through the balanced line can be improved by slightly adjusting the wire length of the conductive wires 915 and 925.

なお、詳細には説明しないが、第2平衡端子、第3平衡端子に対しても、同様のパッド電極とランド電極との関係が保たれており、これらの平衡端子に接続する平衡線路を伝送する信号のバランス特性も向上することができる。   Although not described in detail, the same relationship between the pad electrode and the land electrode is maintained for the second balanced terminal and the third balanced terminal, and a balanced line connected to these balanced terminals is transmitted. The balance characteristic of the signal to be performed can also be improved.

そして、すべての平衡線路のバランス特性が優れていることで、高周波モジュール100として高いバランス特性を有することができる。   And since the balance characteristic of all the balanced lines is excellent, the high frequency module 100 can have a high balance characteristic.

また、上述のパッド電極PG,PVD,PCTは、スイッチIC素子SW−,SW+とで同じランド電極に接続されているが、この際に、図1、図2の点線に示すように、スイッチIC素子SW−からの導電性ワイヤーのランド電極への接続位置を、スイッチIC素子SW+からの導電性ワイヤーのランド電極への接続位置よりも、スイッチIC素子SW−,SW+の実装位置から遠ざけるようにする。   The pad electrodes PG, PVD, and PCT described above are connected to the same land electrode by the switch IC elements SW− and SW +. At this time, as shown by the dotted lines in FIG. 1 and FIG. The connection position of the conductive wire from the element SW− to the land electrode is positioned farther from the mounting position of the switch IC elements SW− and SW + than the connection position of the conductive wire from the switch IC element SW + to the land electrode. To do.

具体的には、例えば、スイッチIC素子SW−のパッド電極PVDから基板101のランド電極PL4へ接続する導電性ワイヤー914のランド電極PL4への接続位置を、スイッチIC素子SW+のパッド電極PVDから基板101のランド電極PL4へ接続する導電性ワイヤー924のランド電極PL4への接続位置よりも遠くする。 Specifically, for example, the connection position to the land electrodes P L4 of the conductive wires 914 connecting the pad electrode PVD switch IC element SW- the land electrodes P L4 of the substrate 101, the switch IC element SW + the pad electrode PVD to farther than the connecting position to the land electrodes P L4 of the conductive wires 924 that connect to the land electrodes P L4 of the substrate 101 from.

同様に、スイッチIC素子SW−のパッド電極PCTから基板101のランド電極PL12へ接続する導電性ワイヤー916のランド電極PL12への接続位置を、スイッチIC素子SW+のパッド電極PCTから基板101のランド電極PL12へ接続する導電性ワイヤー926のランド電極PL12への接続位置よりも遠くする。 Similarly, the connection position to the land electrodes P L12 of conductive wires 916 connecting the pad electrode PCT switch IC element SW- the land electrodes P L12 of the substrate 101, the switch IC element SW + pad electrode PCT substrate 101 to farther than the connecting position to the land electrodes P L12 of a conductive wire 926 that connects to the land electrodes P L12.

さらに、スイッチIC素子SW−のパッド電極PGから基板101のランド電極PL8へ接続する導電性ワイヤー912のランド電極PL8への接続位置を、スイッチIC素子SW+のパッド電極PGから基板101のランド電極PL8へ接続する導電性ワイヤー922のランド電極PL8への接続位置よりも遠くする。 Further, a connection position to the land electrodes P L8 conductive wires 912 connecting the pad electrode PG of the switch IC element SW- the land electrodes P L8 of the substrate 101, the switch IC element SW + pad electrode PG of the substrate 101 lands to farther than the connecting position to the land electrodes P L8 conductive wires 922 connecting to the electrode P L8.

これにより、ループ高さが必然的に高くなるスイッチIC素子SW+からの導電性ワイヤーと、ループ高さが低く制御されたスイッチIC素子SW−からの導電性ワイヤーとのワイヤー長を略一致させることができる。これにより、共通のランド電極と、スイッチIC素子SW−,SW+とを接続する導体長が略一致する。   Thereby, the wire length of the conductive wire from the switch IC element SW + in which the loop height is inevitably high and the conductive wire from the switch IC element SW- in which the loop height is controlled to be low are substantially matched. Can do. As a result, the conductor lengths connecting the common land electrode and the switch IC elements SW− and SW + substantially coincide.

したがって、スイッチIC素子SW−,SW+へ、駆動電圧信号VDDや切り替え制御信号CTLを同時に供給することができる。また、スイッチIC素子SW−,SW+の接地ラインを同じ長さにすることができる。これにより、平衡信号のスイッチ回路としての切り替え精度が向上するとともに、スイッチIC素子間の接地バランスも向上することができる。   Therefore, the drive voltage signal VDD and the switching control signal CTL can be simultaneously supplied to the switch IC elements SW− and SW +. In addition, the ground lines of the switch IC elements SW− and SW + can have the same length. Thereby, the switching accuracy of the balanced signal as the switch circuit can be improved, and the ground balance between the switch IC elements can be improved.

さらに、同一のランド電極において、スイッチ素子SW−からの接続位置をスイッチ素子SW+よりも遠くすることで、ワイヤーのボンディング作業を行いやすくなる。このため、ワイヤー同士の接触を避けることができる。   Furthermore, by making the connection position from the switch element SW− farther than the switch element SW + in the same land electrode, it becomes easier to perform the wire bonding operation. For this reason, the contact between wires can be avoided.

また、同一のランド電極でなくても、上述のように平衡端子を構成するスイッチIC素子SW−,SW+の各パッド電極と、これらが接続するランド電極との距離が略同じになるように、ランド電極が配置されている場合、スイッチIC素子SW−からのワイヤーのランド電極への接続位置をスイッチIC素子SW+からのワイヤーのランド電極への接続位置よりも遠くすることでこの平衡線路を伝送する信号のバランス特性を向上することができる。   Further, even if the land electrodes are not the same, the distances between the pad electrodes of the switch IC elements SW− and SW + constituting the balanced terminal as described above and the land electrodes to which they are connected are substantially the same. When the land electrode is arranged, the balanced line is transmitted by making the connection position of the wire from the switch IC element SW− to the land electrode farther than the connection position of the wire from the switch IC element SW + to the land electrode. Signal balance characteristics can be improved.

なお、このような構成からなる高周波モジュール100は、次に示す製造工程を経て製造することができる。図4は、本発明の第1の実施形態に係る高周波モジュール100の製造工程を示すフローチャートである。   In addition, the high frequency module 100 which consists of such a structure can be manufactured through the manufacturing process shown next. FIG. 4 is a flowchart showing manufacturing steps of the high-frequency module 100 according to the first embodiment of the present invention.

第1の工程として、スイッチIC素子SW−,SW+を、半導体ウエハから切り出す(S101)。この際、積み重ねるスイッチIC素子SW−,SW+は、同じ半導体ウエハから切り出したものを利用した方が好ましい。これにより、互いの特性のばらつきが少ないスイッチIC素子SW−,SW+を組み合わせて利用することができる。   As a first step, the switch IC elements SW− and SW + are cut out from the semiconductor wafer (S101). At this time, it is preferable to use the switch IC elements SW− and SW + to be stacked cut out from the same semiconductor wafer. As a result, the switch IC elements SW− and SW + having little variation in characteristics can be used in combination.

第2の工程として、スイッチIC素子SW−を基板101にダイボンディングする(S102)。具体的には、基板101の部品実装面のスイッチIC素子SW−の実装領域にダイボンド剤130を与え、スイッチIC素子SW−をマウントする。この際、図示しない基板101上のアライメントマークを基準にスイッチIC素子SW−をマウントする。   As a second step, the switch IC element SW- is die-bonded to the substrate 101 (S102). Specifically, the die bonding agent 130 is applied to the mounting area of the switch IC element SW− on the component mounting surface of the substrate 101, and the switch IC element SW− is mounted. At this time, the switch IC element SW− is mounted with reference to an alignment mark on the substrate 101 (not shown).

第3の工程として、ダイボンド剤130をベーキングすることで、スイッチIC素子SW−を基板101に仮固定する(S103)。この際、スイッチIC素子SW−は次工程のワイヤーボンディングやスイッチIC素子SW+の実装により、位置がずれない程度に固定すればよい。   As a third step, the die bonding agent 130 is baked to temporarily fix the switch IC element SW− to the substrate 101 (S103). At this time, the switch IC element SW− may be fixed to the extent that the switch IC element SW− is not displaced by wire bonding or mounting of the switch IC element SW + in the next step.

第4の工程として、スイッチIC素子SW−のパッド電極と基板101のランド電極とを、図1(B)に示すような配線でワイヤーボンディングする(S104)。この際、ワイヤーボンディングは、基板101のランド電極側から導電性ワイヤーを接続するリバースボンディングで行う。   As a fourth step, the pad electrode of the switch IC element SW− and the land electrode of the substrate 101 are wire-bonded with wiring as shown in FIG. 1B (S104). At this time, the wire bonding is performed by reverse bonding in which a conductive wire is connected from the land electrode side of the substrate 101.

第5の工程として、スイッチIC素子SW+のパッド電極側と反対側の面に、接着材となるダイフィルム120を配設し、スイッチIC素子SW+のパッド電極側の面に実装する(S105)。この際、スイッチIC素子SW−,SW+とで平面視した向きが同じになるように、スイッチIC素子SW+を実装する。そして、この場合には、上述のスイッチIC素子SW−を実装した際に利用したアライメントマークを、同じように基準として用いればよい。   As a fifth step, a die film 120 serving as an adhesive is disposed on the surface opposite to the pad electrode side of the switch IC element SW + and mounted on the surface of the switch IC element SW + on the pad electrode side (S105). At this time, the switch IC element SW + is mounted so that the switch IC elements SW− and SW + have the same orientation in plan view. In this case, the alignment mark used when the above-described switch IC element SW- is mounted may be used as a reference in the same manner.

第6の工程として、ダイフィルム120をベーキングすることで、スイッチIC素子SW+をスイッチIC素子SW−に固定する(S106)。この際、第3の工程で行ったダイボンド剤130のベーキングよりも高温で、ベーキングを行う。これにより、スイッチIC素子SW−,SW+間の固定とともに、スイッチIC素子SW−と基板101との間の固定も促進させる。   As a sixth step, the die film 120 is baked to fix the switch IC element SW + to the switch IC element SW− (S106). At this time, baking is performed at a higher temperature than the baking of the die bond agent 130 performed in the third step. This facilitates fixing between the switch IC elements SW− and SW + as well as fixing between the switch IC element SW− and the substrate 101.

第7の工程として、スイッチIC素子SW+のパッド電極と基板101のランド電極とを、図1(A)に示すような配線でワイヤーボンディングする(S107)。この際、ワイヤーボンディングは、基板101のランド電極側から導電性ワイヤーを接続するリバースボンディングで行ってもよく、スイッチIC素子SW+のパッド電極側から導電性ワイヤーを接続する通常のワイヤーボンディングで行ってもよい。   As a seventh step, the pad electrode of the switch IC element SW + and the land electrode of the substrate 101 are wire-bonded with wiring as shown in FIG. 1A (S107). At this time, the wire bonding may be performed by reverse bonding in which a conductive wire is connected from the land electrode side of the substrate 101, or by normal wire bonding in which a conductive wire is connected from the pad electrode side of the switch IC element SW +. Also good.

なお、本実施例の第5の工程ではスイッチIC素子SW−とスイッチIC素子SW+の間の接着材にダイフィルムを使用しているが、例えば、接着材としてダイボンド材料をスイッチIC素子SW−のパッド電極側の面、または、スイッチIC素子SW+のパッド電極側と反対側の面に塗布してから、スイッチIC素子SW+をスイッチIC素子SW−上に実装してもよい。この際、第6の工程では、ダイボンド材料を硬化して、スイッチIC素子SW+をスイッチIC素子SW−に固定する。   In the fifth step of this embodiment, a die film is used as an adhesive between the switch IC element SW− and the switch IC element SW +. For example, a die bond material is used as the adhesive for the switch IC element SW−. The switch IC element SW + may be mounted on the switch IC element SW− after being applied to the surface on the pad electrode side or the surface opposite to the pad electrode side of the switch IC element SW +. At this time, in the sixth step, the die bond material is cured and the switch IC element SW + is fixed to the switch IC element SW−.

また、ダイボンド材料を塗布する際には、絶縁性のダイボンド材料を全面に塗布するのが望ましいが、異なるパッド電極間、または、異なるワイヤー間の絶縁性が保てる状態においては、導電性のダイボンド材料を用いてもよい。   In addition, when applying the die bond material, it is desirable to apply the insulating die bond material over the entire surface. However, in a state where insulation between different pad electrodes or between different wires can be maintained, the conductive die bond material is used. May be used.

次に、本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュールについて、について、図を参照して説明する。図5は本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュール100Aの実装構成を示す図である。図5(A)は基板101AとスイッチIC素子SW3+との接続関係を示し、図5(B)は基板101AとスイッチIC素子SW3−との接続関係を示す。図6は本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュール100Aの等価回路図である。上述の第1の実施形態に係る高周波モジュール100が、一つの平衡線路を二つの平衡線路に切り替えて接続するものであったのに対して、本実施形態の高周波モジュール100Aは、一つの平衡線路を三つの平衡線路に切り替えて接続するものである。したがって、製造工程は同じであり、説明を省略する。   Next, a high-frequency module according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a diagram showing a mounting configuration of a high-frequency module 100A according to the second embodiment of the present invention. 5A shows the connection relationship between the substrate 101A and the switch IC element SW3 +, and FIG. 5B shows the connection relationship between the substrate 101A and the switch IC element SW3-. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the high-frequency module 100A according to the second embodiment of the present invention. Whereas the high-frequency module 100 according to the first embodiment described above switches and connects one balanced line to two balanced lines, the high-frequency module 100A of the present embodiment has one balanced line. Is switched to three balanced lines. Therefore, the manufacturing process is the same and the description is omitted.

本発明の第2の実施形態に係る高周波モジュール100Aは、二個のスイッチIC素子SW3−,SW3+と、基板101Aとを備える。   The high-frequency module 100A according to the second embodiment of the present invention includes two switch IC elements SW3- and SW3 + and a substrate 101A.

スイッチIC素子SW3−とスイッチIC素子SW3+は、半導体のベアチップであり、同じ外径形状、同じ回路構成である。さらに、スイッチIC素子SW−とスイッチIC素子SW+は、外部接続用のパッド電極の構成および配置パターンも同じである。スイッチIC素子SW3−が本発明の「第1スイッチIC」に相当し、スイッチIC素子SW3+が本発明の「第2スイッチIC」に相当する。   The switch IC element SW3- and the switch IC element SW3 + are semiconductor bare chips, and have the same outer diameter shape and the same circuit configuration. Further, the switch IC element SW− and the switch IC element SW + have the same configuration and arrangement pattern of pad electrodes for external connection. The switch IC element SW3- corresponds to the “first switch IC” of the present invention, and the switch IC element SW3 + corresponds to the “second switch IC” of the present invention.

スイッチIC素子SW3−,SW3+は、いわゆるSP3T(Single Pole 3 Throw)スイッチであり、外部からの駆動電圧信号VDDで駆動し、制御信号V1,V2の組合せに応じて、パッド電極PT1(第1ポート)を、パッド電極PT2(第2ポート)、パッド電極PT3(第3ポート)、パッド電極PT4(第4ポート)のいずれか一つに切り替えて接続する。   The switch IC elements SW3- and SW3 + are so-called SP3T (Single Pole 3 Throw) switches, which are driven by a drive voltage signal VDD from the outside, and the pad electrode PT1 (first port) according to the combination of the control signals V1 and V2. Is switched to one of the pad electrode PT2 (second port), the pad electrode PT3 (third port), and the pad electrode PT4 (fourth port).

基板101Aの第1主面には、所定の配列パターンで複数のランド電極PL1〜PL12が形成されている。すなわち、基板101Aの第1主面が当該基板の部品実装面となる。複数のランド電極PL1〜PL12は、図5に示すように、概略的には、スイッチIC素子SW3−,SW3+の実装位置を囲むように、形成されている。 A plurality of land electrodes P L1 to P L12 are formed in a predetermined arrangement pattern on the first main surface of the substrate 101A. That is, the first main surface of the substrate 101A is the component mounting surface of the substrate. As shown in FIG. 5, the plurality of land electrodes P L1 to P L12 are schematically formed so as to surround the mounting positions of the switch IC elements SW3- and SW3 +.

より具体的には、次のような配置パターンで複数のランド電極PL1〜PL12を形成する。ここで、説明を簡単にするために、基板101Aを平面視した状態で方形状であると設定しておく(実際には、基板101における方形状の領域に相当する。)。 More specifically, the plurality of land electrodes P L1 to P L12 are formed with the following arrangement pattern. Here, in order to simplify the description, the substrate 101A is set to have a square shape in plan view (actually, it corresponds to a rectangular region in the substrate 101).

この方形状の第1角部111A(図5の正面視して左上の角部)と、第2角部112A(図5の正面視して左下の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第1角部111A側から順に、ランド電極PL6、ランド電極PL5、ランド電極PL4を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 Along substantially the direction connecting the first corner portion 111A (upper left corner when viewed from the front in FIG. 5) and the second corner portion 112A (lower left corner when viewed from the front in FIG. 5), In order from the first corner portion 111A side, the land electrode P L6 , the land electrode P L5 , and the land electrode P L4 are formed with a predetermined area at intervals.

第2角部112Aと、第3角部113A(図5の正面視して右下の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第2角部112A側から順に、ランド電極PL3、ランド電極PL2、ランド電極PL1を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 The land electrode P L3 and the land electrode P L3 are arranged in this order from the second corner 112A side substantially along the direction connecting the second corner 112A and the third corner 113A (the lower right corner when viewed from the front in FIG. 5). The electrode P L2 and the land electrode P L1 are formed with a predetermined area at intervals.

第3角部113Aと、第4角部114A(図5の正面視して右上の角部)とを結ぶ方向に略沿って、第3角部113A側から順に、ランド電極PL12、ランド電極PL11、ランド電極PL10を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 Land electrode P L12 , land electrode in order from the third corner 113A side substantially along the direction connecting the third corner 113A and the fourth corner 114A (upper right corner when viewed from the front in FIG. 5). P L11 and land electrode P L10 are formed with a predetermined area at intervals.

第4角部114Aと、第1角部111Aとを結ぶ方向に略沿って、第4角部114A側から順に、ランド電極PL9、ランド電極PL8、ランド電極PL7を、間隔をおいて、所定面積で形成する。 The land electrode P L9 , the land electrode P L8 , and the land electrode P L7 are spaced apart from each other in order from the fourth corner 114A side substantially along the direction connecting the fourth corner 114A and the first corner 111A. , With a predetermined area.

そして、基板101Aの第1主面において、配列形成された複数のランド電極PL1〜PL12によって囲まれる領域に略中央にスイッチIC素子SW3−が実装される。スイッチIC素子SW3−は、パッド電極が基板101Aと反対側を向くように実装される。スイッチIC素子SW3−は、ダイボンド剤を介して基板101Aに実装される。 Then, on the first main surface of the substrate 101A, the switch IC element SW3- is mounted substantially at the center in a region surrounded by the arrayed land electrodes P L1 to P L12 . The switch IC element SW3- is mounted such that the pad electrode faces away from the substrate 101A. The switch IC element SW3- is mounted on the substrate 101A via a die bond agent.

スイッチIC素子SW3+は、スイッチIC素子SW3−のパッド電極側に実装される。スイッチIC素子SW3+は、パッド電極がスイッチIC素子SW3−および基板101Aと反対側を向くように実装される。スイッチIC素子SW3+は、ダイフィルムを介して、スイッチIC素子SW3−上に実装される。   The switch IC element SW3 + is mounted on the pad electrode side of the switch IC element SW3-. Switch IC element SW3 + is mounted such that the pad electrode faces away from switch IC element SW3- and substrate 101A. The switch IC element SW3 + is mounted on the switch IC element SW3- via a die film.

スイッチIC素子SW3−,SW3+は、パッド電極PT1,PT2,PT3,PT4,PG,PVD,PV1,PV2を備える。パッド電極PGは、スイッチIC素子SW3−,SW3+の角部121Aの近傍に配設されている。パッド電極PVDは、スイッチIC素子SW3−,SW3+の角部122Aの近傍に配設されている。パッド電極PT2は、パッド電極PGとパッド電極PVDの間に配設されている。言い換えれば、パッド電極PT2は、スイッチIC素子SW3−,SW3+における角部121A,122Aを結ぶ辺の途中の所定位置に配設されている。パッド電極PV2は、スイッチIC素子SW3−,SW3+の角部123Aの近傍に配設されている。角部123Aは角部121Aの対角である。パッド電極PT4は、スイッチIC素子SW3−,SW3+の角部124Aの近傍に配設されている。角部124Aは角部122Aの対角である。パッド電極PV1は、パッド電極PV2とパッド電極PT4の間に配設されている。言い換えれば、パッド電極PV1は、スイッチIC素子SW3−,SW3+における角部123A,124Aを結ぶ辺の中間の所定位置に配設されている。パッド電極PT3は、パッド電極PT4とパッド電極PT2の間に配設されている。言い換えれば、パッド電極PT3は、スイッチIC素子SW3−,SW3+における角部124A,121Aを結ぶ辺の中間の所定位置に配設されている。   The switch IC elements SW3- and SW3 + include pad electrodes PT1, PT2, PT3, PT4, PG, PVD, PV1 and PV2. The pad electrode PG is disposed in the vicinity of the corner 121A of the switch IC elements SW3- and SW3 +. The pad electrode PVD is disposed in the vicinity of the corner 122A of the switch IC elements SW3- and SW3 +. The pad electrode PT2 is disposed between the pad electrode PG and the pad electrode PVD. In other words, the pad electrode PT2 is disposed at a predetermined position in the middle of the side connecting the corner portions 121A and 122A in the switch IC elements SW3- and SW3 +. The pad electrode PV2 is disposed in the vicinity of the corner 123A of the switch IC elements SW3- and SW3 +. The corner 123A is a diagonal of the corner 121A. The pad electrode PT4 is disposed in the vicinity of the corner 124A of the switch IC elements SW3- and SW3 +. The corner 124A is a diagonal of the corner 122A. The pad electrode PV1 is disposed between the pad electrode PV2 and the pad electrode PT4. In other words, the pad electrode PV1 is disposed at a predetermined position in the middle of the side connecting the corners 123A and 124A in the switch IC elements SW3- and SW3 +. The pad electrode PT3 is disposed between the pad electrode PT4 and the pad electrode PT2. In other words, the pad electrode PT3 is disposed at a predetermined position in the middle of the side connecting the corners 124A and 121A in the switch IC elements SW3- and SW3 +.

このようなパッド電極の配置構成からなるスイッチIC素子SW3−とスイッチIC素子SW3+とは、基板101Aの部品実装面に直交する方向から見て、同じ向きに揃えられて実装される。更に、この際、スイッチIC素子SW3−,SW3+の角部121Aが基板101Aの角部111A側となり、角部123Aが基板101Aの角部113A側となるように実装される。   The switch IC element SW3- and the switch IC element SW3 + having such an arrangement configuration of pad electrodes are mounted so as to be aligned in the same direction as viewed from the direction orthogonal to the component mounting surface of the substrate 101A. Further, at this time, the switch IC elements SW3- and SW3 + are mounted such that the corner portion 121A is on the corner portion 111A side of the substrate 101A and the corner portion 123A is on the corner portion 113A side of the substrate 101A.

スイッチ素子SW3−のパッド電極PT1は、導電性ワイヤー932によって、基板101Aのランド電極PL3に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PT2は、導電性ワイヤー934によって、基板101Aのランド電極PL6に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PT3は、導電性ワイヤー936によって、基板101Aのランド電極PL8に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PT4は、導電性ワイヤー937によって、基板101Aのランド電極PL11に接続されている。 Pad electrodes PT1 of the switching element SW3- is by a conductive wire 932 is connected to the land electrodes P L3 of the substrate 101A. Pad electrodes PT2 switching element SW3- is by a conductive wire 934 is connected to the land electrodes P L6 of the substrate 101A. Pad electrodes PT3 of the switch element SW3- is by a conductive wire 936 is connected to the land electrodes P L8 of the substrate 101A. Pad electrodes PT4 of switch elements SW3- is by a conductive wire 937 is connected to the land electrodes P L11 of the substrate 101A.

スイッチ素子SW3−のパッド電極PGは、導電性ワイヤー935によって、基板101Aのランド電極PL7に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PVDは、導電性ワイヤー933によって、基板101Aのランド電極PL4に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PV1は、導電性ワイヤー938によって、基板101Aのランド電極PL12に接続されている。スイッチ素子SW3−のパッド電極PV2は、導電性ワイヤー931によって、基板101Aのランド電極PL1に接続されている。 Pad electrode PG of the switching element SW3- is by a conductive wire 935 is connected to the land electrodes P L7 of the substrate 101A. Pad electrodes PVD switching element SW3- is by a conductive wire 933 is connected to the land electrodes P L4 of the substrate 101A. Pad electrodes PV1 switching element SW3- is by a conductive wire 938 is connected to the land electrodes P L12 of the substrate 101A. Pad electrodes PV2 switching element SW3- is by a conductive wire 931 is connected to the land electrodes P L1 of the substrate 101A.

スイッチ素子SW3+のパッド電極PT1は、導電性ワイヤー942によって、基板101Aのランド電極PL2に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PT2は、導電性ワイヤー944によって、基板101Aのランド電極PL5に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PT3は、導電性ワイヤー946によって、基板101Aのランド電極PL9に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PT4は、導電性ワイヤー947によって、基板101Aのランド電極PL10に接続されている。 Switching element SW3 + pad electrodes PT1 is by a conductive wire 942 is connected to the land electrodes P L2 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrodes PT2 is by a conductive wire 944 is connected to the land electrodes P L5 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrode PT3 is by a conductive wire 946 is connected to the land electrodes P L9 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrode PT4 is by a conductive wire 947 is connected to the land electrodes P L10 of the substrate 101A.

スイッチ素子SW3+のパッド電極PGは、導電性ワイヤー945によって、基板101Aのランド電極PL7に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PVDは、導電性ワイヤー943によって、基板101Aのランド電極PL4に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PV1は、導電性ワイヤー948によって、基板101Aのランド電極PL12に接続されている。スイッチ素子SW3+のパッド電極PV2は、導電性ワイヤー941によって、基板101Aのランド電極PL1に接続されている。 Switching element SW3 + pad electrode PG is a conductive wire 945 is connected to the land electrodes P L7 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrode PVD is by a conductive wire 943 is connected to the land electrodes P L4 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrode PV1 is by a conductive wire 948 is connected to the land electrodes P L12 of the substrate 101A. Switching element SW3 + pad electrode PV2 is by a conductive wire 941 is connected to the land electrodes P L1 of the substrate 101A.

以上のような構成によって、図6に示す等価回路からなる高周波モジュール100Aを実現できる。この高周波モジュール100Aは、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PT1を第1個別端子とし、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PT1を第2個別端子とする第1平衡端子を、スイッチIC素子SW3−,SW3+のパッド電極PT2を個別端子対とする第2平衡端子、スイッチIC素子SW3−,SW3+のパッド電極PT3を個別端子対とする第3平衡端子、スイッチIC素子SW3−,SW3+のパッド電極PT4を個別端子対とする第4平衡端子のいずれかに選択的に接続するものとなる。   With the configuration as described above, the high-frequency module 100A including the equivalent circuit shown in FIG. 6 can be realized. The high-frequency module 100A includes switch IC elements SW3- and SW3 + as first balanced terminals having the pad electrode PT1 of the switch IC element SW3- as a first individual terminal and the pad electrode PT1 of the switch IC element SW3 + as a second individual terminal. The second balanced terminal with the pad electrode PT2 as an individual terminal pair, the third balanced terminal with the pad electrode PT3 of the switch IC elements SW3- and SW3 + as the individual terminal pair, and the pad electrode PT4 of the switch IC elements SW3- and SW3 + as individual It is selectively connected to one of the fourth balanced terminals as a terminal pair.

ランド電極PL1に接続する外部接続端子P1+と、ランド電極PL3に接続する外部接続端子P1−から入力された平衡信号は、スイッチIC素子SW3+,SW3−のパッド電極PT1から構成される第1平衡端子へ入力される。スイッチIC素子SW3+,SW3−は、ランド電極PL4、パッド電極PVDを介して印加される駆動電圧信号VDDによって電源供給される。スイッチIC素子SW3+,SW3−は、ランド電極PL12、パッド電極PV1を介して印加される切り替え制御信号V1と、ランド電極PL1、パッド電極PV2を介して印加される切り替え制御信号V2との組合せに応じて切り替え制御を行う。 An external connection terminal P1 + to be connected to the land electrodes P L1, balanced signal input from the external connection terminal P1- to be connected to the land electrodes P L3, the switch IC element SW3 +, the first composed of the pad electrodes PT1 of SW3- Input to balanced terminal. The switch IC elements SW3 + and SW3- are supplied with power by a drive voltage signal VDD applied via the land electrode P L4 and the pad electrode PVD. The switch IC elements SW3 + and SW3- are a combination of a switching control signal V1 applied via the land electrode P L12 and the pad electrode PV1 and a switching control signal V2 applied via the land electrode P L1 and the pad electrode PV2. Switching control is performed according to

第1平衡端子へ入力された平衡信号は、スイッチIC素子SW3+,SW3−が、その接続状態を切り替えることによって、第2、第3、第4平衡端子のいずれかへ出力される。第2平衡端子から出力された平衡信号は、ランド電極PL5,PL6を介して、外部接続端子P2+,P2−から外部回路へ出力される。第3平衡端子から出力された平衡信号は、ランド電極PL9,PL8を介して、外部接続端子P3+,P3−から外部回路へ出力される。第4平衡端子から出力された平衡信号は、ランド電極PL10,PL11を介して、外部接続端子P4+,P4−から外部回路へ出力される。 The balanced signal input to the first balanced terminal is output to one of the second, third, and fourth balanced terminals when the switch IC elements SW3 + and SW3- switch their connection states. The balanced signal output from the second balanced terminal is output from the external connection terminals P2 + and P2- to the external circuit via the land electrodes P L5 and P L6 . The balanced signal output from the third balanced terminal is output from the external connection terminals P3 + and P3- to the external circuit via the land electrodes P L9 and P L8 . The balanced signal output from the fourth balanced terminal is output to the external circuit from the external connection terminals P4 + and P4− via the land electrodes P L10 and P L11 .

そして、上述の構成からなる高周波モジュール100Aでは、次のような作用効果が得られる。
スイッチIC素子SW−,SW+を基板101Aの部品実装面に重ねて実装することにより、二つのスイッチIC素子を用いて、平衡信号のスイッチ回路を構成する場合に、実装面積を小さくすることができる。特に、本実施形態にように、選択線路数が増加するほど、より高周波モジュールの小型化に有効に作用する。
And in the high frequency module 100A which consists of the above-mentioned structure, the following effects are obtained.
By mounting the switch IC elements SW− and SW + on the component mounting surface of the substrate 101A, the mounting area can be reduced when a switch circuit for a balanced signal is configured using two switch IC elements. . In particular, as the number of selected lines increases as in the present embodiment, the high-frequency module is effectively reduced in size.

上述のような配置構成で、第1の実施形態と同様に、スイッチIC素子SW3−,SW3+を基板101Aに実装した場合、基板101Aの部品実装面に直交する方向から見て、導電性ワイヤーによって接続されるパッド電極とランド電極とが近接し、これらの電極間に、他のパッド電極やランド電極が配設されていない。   When the switch IC elements SW3- and SW3 + are mounted on the board 101A in the arrangement configuration as described above, similarly to the first embodiment, when viewed from the direction orthogonal to the component mounting surface of the board 101A, The pad electrode and land electrode to be connected are close to each other, and no other pad electrode or land electrode is disposed between these electrodes.

例えば、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PT2とランド電極PL5とが近接し、これらの間に、他のパッド電極やランド電極は配設されていない。同様に、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PT2とランド電極PL6とが近接し、これらの間に、他のパッド電極やランド電極は配設されていない。 For example, the pad electrode PT2 of the switch IC element SW3 + and the land electrode PL5 are close to each other, and no other pad electrode or land electrode is disposed therebetween. Similarly, the pad electrodes PT2 switch IC element SW3- and the land electrodes P L6 is close, between these, other pad electrode and the land electrodes are not provided.

このような構成とすることで、第1平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーと、第2平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーと、第3平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーと、第4平衡端子に入出力される平衡信号を伝送する導電性ワイヤーとを、交差することなく、形成することができる。これにより、第1平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路と、第2平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路と、第3平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路と、第4平衡端子に入出力される平衡信号を伝送経路との相互干渉を抑制でき、各伝送経路間のアイソレーションを高く確保することができる。また、基板101Aに交差用の電極パターンを形成する必要が無いので、基板101Aの電極パターンが単純化され、設計が容易になるとともに、形成も容易になる。   With such a configuration, a conductive wire that transmits a balanced signal input to and output from the first balanced terminal, a conductive wire that transmits a balanced signal input to and output from the second balanced terminal, and a third balanced The conductive wire that transmits the balanced signal input / output to / from the terminal and the conductive wire that transmits the balanced signal input / output to / from the fourth balanced terminal can be formed without crossing each other. Thus, the balanced signal input / output to / from the first balanced terminal is the transmission path, the balanced signal input / output to / from the second balanced terminal is the transmission path, and the balanced signal input / output to / from the third balanced terminal is the transmission path. The balanced signal input / output to / from the fourth balanced terminal can suppress mutual interference with the transmission path, and can ensure high isolation between the transmission paths. In addition, since it is not necessary to form an intersecting electrode pattern on the substrate 101A, the electrode pattern of the substrate 101A is simplified, and the design is facilitated and the formation is facilitated.

また、図5に示すように、平衡端子を構成するスイッチIC素子SW3−,SW3+の各パッド電極と、これらが接続するランド電極との距離が略同じになるように、ランド電極が配置されている。具体的には、例えば、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PT2とランド電極PL5との基板101Aの部品実装面に投影した距離と、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PT2とランド電極PL6との基板101Aの部品実装面に投影した距離とは、略同じになっている。これにより、ランド電極PL5とスイッチIC素子SW3+のパッド電極PT2との間での信号の伝送距離と、ランド電極PL6とスイッチIC素子SW3−のパッド電極PT2との間での信号の伝送距離とが略同じになる。したがって、導電性ワイヤー934,944のワイヤー長を若干調整するだけで、この平衡線路を伝送する信号のバランス特性を向上することができる。 Further, as shown in FIG. 5, the land electrodes are arranged so that the distances between the pad electrodes of the switch IC elements SW3- and SW3 + constituting the balanced terminal and the land electrodes to which they are connected are substantially the same. Yes. Specifically, for example, between the switch IC element SW3 + of the distance projected on the component mounting surface of the substrate 101A of the pad electrode PT2 and the land electrodes P L5, switching IC element SW3- pad electrodes PT2 and the land electrode P L6 The distance projected onto the component mounting surface of the substrate 101A is substantially the same. Thus, the transmission distance of the signal between a transmission distance of the signal between the land electrode P L5 and the switch IC element SW3 + pad electrodes PT2, and the land electrodes P L6 and the switch IC element SW3- pad electrodes PT2 Are almost the same. Therefore, the balance characteristic of the signal transmitted through the balanced line can be improved by slightly adjusting the wire length of the conductive wires 934 and 944.

なお、詳細には説明しないが、第1の実施形態と同様に、第2平衡端子、第3平衡端子、第4平衡端子に対しても、同様のパッド電極とランド電極との関係が保たれており、これらの平衡端子に接続する平衡線路を伝送する信号のバランス特性も向上することができる。   Although not described in detail, the same relationship between the pad electrode and the land electrode is maintained for the second balanced terminal, the third balanced terminal, and the fourth balanced terminal as in the first embodiment. Therefore, the balance characteristic of the signal transmitted through the balanced line connected to these balanced terminals can also be improved.

そして、すべての平衡線路のバランス特性が優れていることで、高周波モジュール100Aとして高いバランス特性を有することができる。   And since the balance characteristic of all the balanced lines is excellent, the high frequency module 100A can have a high balance characteristic.

また、上述のパッド電極PG,PVD,PV1,PV2は、スイッチIC素子SW3−,SW3+とで同じランド電極に接続されているが、この際に、図5に示すように、スイッチIC素子SW3−からの導電性ワイヤーのランド電極への接続位置を、スイッチIC素子SW3+からの導電性ワイヤーのランド電極への接続位置よりも、スイッチIC素子SW3−,SW3+の実装位置から遠ざけるようにする。   The pad electrodes PG, PVD, PV1, and PV2 are connected to the same land electrode as the switch IC elements SW3- and SW3 +. At this time, as shown in FIG. 5, the switch IC element SW3- The connection position of the conductive wires from the land to the land electrode is made farther from the mounting position of the switch IC elements SW3− and SW3 + than the connection position of the conductive wire from the switch IC element SW3 + to the land electrode.

具体的には、例えば、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PVDから基板101Aのランド電極PL4へ接続する導電性ワイヤー933のランド電極PL4への接続位置を、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PVDから基板101Aのランド電極PL4へ接続する導電性ワイヤー943のランド電極PL4への接続位置よりも遠くする。 Specifically, for example, the connection position to the land electrodes P L4 of the conductive wires 933 connecting the pad electrode PVD switch IC element SW3- to land electrodes P L4 of the substrate 101A, the switch IC element SW3 + pad electrode PVD to farther than the connecting position to the land electrodes P L4 of the conductive wires 943 that connect to the land electrodes P L4 of the substrate 101A from.

同様に、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PV1から基板101Aのランド電極PL12へ接続する導電性ワイヤー938のランド電極PL12への接続位置を、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PV1から基板101Aのランド電極PL12へ接続する導電性ワイヤー948のランド電極PL12への接続位置よりも遠くする。 Similarly, the connection position to the land electrodes P L12 of conductive wires 938 connecting the pad electrode PV1 switch IC element SW3- to land electrodes P L12 of the substrate 101A, the switch IC element SW3 + pad electrode PV1 substrate 101A to farther than the connecting position to the land electrodes P L12 of a conductive wire 948 that connects to the land electrodes P L12.

同様に、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PV2から基板101Aのランド電極PL1へ接続する導電性ワイヤー931のランド電極PL1への接続位置を、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PV2から基板101Aのランド電極PL1へ接続する導電性ワイヤー941のランド電極PL1への接続位置よりも遠くする。 Similarly, the connection position to the land electrodes P L1 of the conductive wires 931 connecting the pad electrode PV2 switch IC element SW3- to land electrodes P L1 of the substrate 101A, the switch IC element SW3 + pad electrode PV2 substrate 101A to farther than the connecting position to the land electrodes P L1 of a conductive wire 941 that connects to the land electrodes P L1.

さらに、スイッチIC素子SW3−のパッド電極PGから基板101Aのランド電極PL7へ接続する導電性ワイヤー935のランド電極PL7への接続位置を、スイッチIC素子SW3+のパッド電極PGから基板101Aのランド電極PL7へ接続する導電性ワイヤー945のランド電極PL7への接続位置よりも遠くする。 Further, a connection position to the land electrodes P L7 conductive wires 935 connecting the pad electrode PG of the switch IC element SW3- to land electrodes P L7 of the substrate 101A, the switch IC element SW3 + pad electrode PG of the substrate 101A lands to farther than the connecting position to the land electrodes P L7 conductive wires 945 connecting to the electrode P L7.

これにより、ループ高さが必然的に高くなるスイッチIC素子SW3+からの導電性ワイヤーと、ループ高さが低く制御されたスイッチIC素子SW3−からの導電性ワイヤーとのワイヤー長を略一致させることができる。これにより、共通のランド電極と、スイッチIC素子SW3−,SW3+とを接続する導体長が略一致する。   Accordingly, the wire lengths of the conductive wire from the switch IC element SW3 + in which the loop height is inevitably high and the conductive wire from the switch IC element SW3- in which the loop height is controlled to be low are substantially matched. Can do. As a result, the conductor lengths connecting the common land electrode and the switch IC elements SW3- and SW3 + are substantially the same.

したがって、第1の実施形態と同様に、スイッチIC素子SW3−,SW3+へ、駆動電圧信号VDDや切り替え制御信号V1,V2を同時に供給することができる。また、スイッチIC素子SW3−,SW3+の接地ラインを同じ長さにすることができる。これにより、平衡信号のスイッチ回路としての切り替え精度が向上するとともに、スイッチIC素子間の接地バランスも向上することができる。   Therefore, similarly to the first embodiment, the drive voltage signal VDD and the switching control signals V1 and V2 can be simultaneously supplied to the switch IC elements SW3- and SW3 +. Further, the ground lines of the switch IC elements SW3- and SW3 + can have the same length. Thereby, the switching accuracy of the balanced signal as the switch circuit can be improved, and the ground balance between the switch IC elements can be improved.

なお、上述の各実施形態では、二つの平衡線路を切り替える構成および三つの平衡線路を切り替える構成を示したが、四つ以上の平衡線路を切り替える構成にも適用することができる。   In each of the above-described embodiments, the configuration for switching two balanced lines and the configuration for switching three balanced lines are shown, but the present invention can also be applied to a configuration for switching four or more balanced lines.

100,100A:高周波モジュール、
101,101A:基板、
120:ダイフィルム、
130:ダイボンド剤、
SW−,SW+,SW3−,SW3+:スイッチIC素子、
100, 100A: high frequency module,
101, 101A: substrate,
120: Die film,
130: Die bond agent,
SW−, SW +, SW3−, SW3 +: switch IC element,

また、この発明の高周波モジュールでは、ワイヤーボンディングによって接続されるパッド電極のそれぞれ、各パッド電極に接続されるランド電極との間には、他のランド電極または他のパッド電極が配設されていないことが好ましい。 Further, the high frequency module of the present invention, the respective Pas head electrodes connected by wire bonding, between the connected Lula command electrodes each Pas head electrode, the other land electrodes or other pad electrode Is preferably not provided.

Claims (7)

パッド電極の配置構成が同じ第1スイッチICおよび第2のスイッチICと、
前記パッド電極に接続するランド電極を備え、前記第1スイッチICおよび第2のスイッチICを外部回路へ接続する電極を備える基板と、を備え、
前記第1スイッチICは、前記基板に実装され、
前記第2スイッチICは、前記第1スイッチICの前記基板と反対側の面に実装され、
前記第1スイッチICと前記第2スイッチICは、前記パッド電極が前記基板側と反対側の面に現れるように実装され、
前記パッド電極のそれぞれと、前記ランド電極とは、ワイヤーボンディングによって接続されている、高周波モジュール。
A first switch IC and a second switch IC having the same arrangement of pad electrodes;
A land electrode connected to the pad electrode, and a substrate including an electrode connecting the first switch IC and the second switch IC to an external circuit, and
The first switch IC is mounted on the substrate,
The second switch IC is mounted on a surface of the first switch IC opposite to the substrate,
The first switch IC and the second switch IC are mounted such that the pad electrode appears on the surface opposite to the substrate side,
Each of the pad electrodes and the land electrode are connected to each other by wire bonding.
前記第1スイッチICと前記第2スイッチICは同じスイッチICである、請求項1に記載の高周波モジュール。   The high-frequency module according to claim 1, wherein the first switch IC and the second switch IC are the same switch IC. 特定のパッド電極と、特定のパッド電極に接続される特定のランド電極との間には、該特定のランド電極とは異なる他のランド電極が配設されていない、請求項1または請求項2に記載の高周波モジュール。   The other land electrode different from the specific land electrode is not disposed between the specific pad electrode and the specific land electrode connected to the specific pad electrode. The high frequency module described in 1. 前記第2スイッチICは、前記第1スイッチICの前記基板と反対側の面に、接着剤を介して実装されている、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高周波モジュール。   4. The high-frequency module according to claim 1, wherein the second switch IC is mounted on a surface of the first switch IC opposite to the substrate via an adhesive. 5. 前記第1スイッチICと前記第2スイッチICは、同じ向きに実装されている、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高周波モジュール。   The high frequency module according to any one of claims 1 to 4, wherein the first switch IC and the second switch IC are mounted in the same direction. 平衡端子を構成する第1個別端子を前記第1スイッチICに備え、前記平衡端子を構成する第2個別端子を前記第2スイッチICに備え、
前記第1個別端子となる第1パッド電極と該第1パッド電極にワイヤーボンディングで接続される第1ランド電極との距離と、
前記第2個別端子となる前記第2パッド電極と該第2パッド電極にワイヤーボンディングで接続される第2ランド電極との距離とは、略等しい、請求項5に記載の高周波モジュール。
A first individual terminal constituting a balanced terminal is provided in the first switch IC, and a second individual terminal constituting the balanced terminal is provided in the second switch IC,
A distance between a first pad electrode serving as the first individual terminal and a first land electrode connected to the first pad electrode by wire bonding;
The high-frequency module according to claim 5, wherein a distance between the second pad electrode serving as the second individual terminal and a second land electrode connected to the second pad electrode by wire bonding is substantially equal.
前記第1スイッチICの第3パッド電極と前記第2スイッチICの第4パッド電極とは、略重なり合うように配置されており、
前記第1スイッチICの第3パッド電極と前記第2スイッチICの第4パッド電極とは、同じ第3ランド電極に接続されており、
前記第3パッド電極と前記第3ランド電極とを接続するワイヤーが前記第3ランド電極に接続する位置は、
前記第4パッド電極と前記第3ランド電極とを接続するワイヤーが前記第3ランド電極に接続する位置よりも、前記第1、第2スイッチICの前記基板への実装位置から離間している、請求項5または請求項6に記載の高周波モジュール。
The third pad electrode of the first switch IC and the fourth pad electrode of the second switch IC are disposed so as to substantially overlap,
The third pad electrode of the first switch IC and the fourth pad electrode of the second switch IC are connected to the same third land electrode,
The wire connecting the third pad electrode and the third land electrode is connected to the third land electrode.
The wire connecting the fourth pad electrode and the third land electrode is separated from the mounting position of the first and second switch ICs on the substrate, rather than the position connecting to the third land electrode. The high frequency module according to claim 5 or 6.
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