JP2013101976A - バックライト装置及びその制御方法、画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の光源ブロックのそれぞれの発光を制御する発光制御手段と、光源ブロックの輝度を検出する輝度検出手段と、複数の光源ブロックのうち1つの光源ブロックを発光させて、前記輝度検出手段により検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、当該光源ブロックの光源の発光量を補正する補正処理を、複数の光源ブロックについて順次実行する補正手段と、を有し、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、次に実行される補正処理で発光する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で同時に発光させる温度変動抑制処理を実行する。
【選択図】図6
Description
Dの発熱によるバックライト装置の温度への影響が少なくなる。全てのLEDブロックに対するLED劣化補正処理を完了するまでには長い時間を要するため、LED劣化補正処理を実行している期間にバックライト装置の温度が変動(低下)してしまう可能性がある。
前記複数の光源ブロックのそれぞれの発光を制御する発光制御手段と、
光源ブロックの輝度を検出するための輝度検出手段と、
前記複数の光源ブロックのうち1つの光源ブロックを発光させて、前記輝度検出手段により検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、当該光源ブロックの発光量を補正する補正処理を、前記複数の光源ブロックについて順次実行する補正手段と、
前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、次に実行される補正処理で発光する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行する温度変動抑制手段と、
を有するバックライト装置である。
複数の光源ブロックのぞれぞれの発光を制御する発光制御工程と、
光源ブロックの輝度を検出する輝度検出工程と、
前記複数の光源ブロックのうち1つの光源ブロックを発光させて、前記輝度検出工程により検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、当該光源ブロックの発光量を補正する補正処理を、前記複数の光源ブロックについて順次実行する補正工程と、
前記補正工程が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、次に実行される補正処理で発光する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行する温度変動抑制工程と、
を有するバックライト装置の制御方法である。
図1は、本発明を適用できる画像表示装置の構成部品図である。カラー液晶パネル105の背面に白色光を照射するバックライトとして、直下型LEDバックライトモジュール101を用いる。直下型LEDバックライトモジュール101は、縦方向に20個、横方向に32個の、合計640個のLEDブロック106(光源ブロック)に分割され、LEDブロック毎に(光源ブロック単位で)それぞれ独立に輝度制御可能とする。
1の温度を検出する。本実施例では、LEDブロック110の温度センサ111で検出される温度を、LEDブロックのLEDの動作環境温度(周囲温度)を代表する温度とし、後述するLED劣化補正処理において「LED温度」として参照する。ただし、温度センサ111は、所定数のLEDブロックからなるグループ毎に1つずつ設けても良い。その場合、直下型LEDバックライトモジュール101には複数の温度センサが配置される。温度センサが複数設けられる構成とした場合、あるLEDブロックの動作環境温度を、そのLEDブロックが属するグループに対応する温度センサにより検出される温度により代表させることができる。
みを発光させ、同時に複数のLEDブロック202を点灯しないのは、以下の理由による。すなわち、複数のLEDブロック202を発光させると、光センサが輝度検出対象のLEDブロック以外のLEDブロックの光を検出してしまい、補正に誤差が生じる可能性があるからである。
、マイコン210は、補正パラメータA(N=n)=1.031、基準点灯デューティ比B=60.425パーセントの積から、点灯デューティ比C(N=n)=62.298パーセントを算出する。
補正処理開始時のLED温度T0(最初にLED劣化補正処理が実行された後のLED温度。初期温度)を検出する。マイコン210は、ユーザが画像表示装置を使用した後の空き時間にバックグラウンドでLED劣化補正処理を行う。ユーザが画像表示装置を使用した後は、バックライト装置が十分に温度エージングされ温まっているので、バックライト装置の温度が安定した状況下でLED劣化補正処理を実行することができ、精度良く補正を行うことができる。
調整することで、LED温度の低下抑制効果を調節することができる。
)は、LED劣化補正処理開始時のLED温度T0から低下している。
0より閾値a以上低くなっていないのでステップS208でLED温度変動抑制処理が点灯期間tの期間行われる。
くなっている。従って、ステップS205でLED温度変動抑制処理がt+bに長くされ、ステップS208でLED温度変動抑制処理が点灯期間t+bの期間行われる。このLED温度変動抑制処理の結果、図6(A)に示すように、LED劣化補正処理期間のLED温度の変動が、初期温度T0から閾値a以内に収まるように調節されることになる。従って、LEDの発光効率の温度依存性に起因するLED劣化補正処理の精度低下を抑えることが可能になる。
合わせて、LED温度変動抑制処理において発光させるLEDブロックの発光輝度を低くするようにしても良い。これによっても、LED温度を低くすることができる。
実施例1では、LED劣化補正処理期間に挿入するLED温度変動抑制処理において、全てのLEDブロック202を一斉に点灯させる例を説明した。実施例2では、LED温度変動抑制処理による電力消費を低減するために、LED温度変動抑制処理において不要なLEDブロックの点灯を抑制する例を説明する。
なお、本実施例では、或る時点でLED劣化補正処理が未実行のLEDブロックのいずれにも隣接しないLEDブロックは、その時点以降に行われるLED温度変動抑制処理において点灯させない例を挙げたが、これに限定されない。或る時点でLED劣化補正処理が実行済みのLEDブロックは、その時点以降に行われるLED温度変動抑制処理において点灯させないようにしてもよい。言い換えると、或る時点でLED劣化補正処理が未実行のLEDブロックだけを、その時点以降に行われるLED温度変動抑制処理において点灯させるようにしてもよい。この場合、例えばLEDブロック番号N=21のLEDブロック106のLED劣化補正処理後に実行するLED温度変動抑制処理において、つぎのように点灯制御が行われる。すなわち、LEDブロック番号N=1〜21のLEDブロック106は点灯させず、LEDブロック番号N=22〜35のLEDブロック106を点灯させるように制御が行われる。また、LEDブロック番号N=34のLEDブロック1
06のLED劣化補正処理後に実行するLED温度変動抑制処理において、次のように点灯制御が行われる。すなわち、LEDブロック番号N=1〜34のLEDブロック106は点灯させず、LEDブロック番号N=35のLEDブロック106だけを点灯させるように制御が行われる。
実施例1では、一又は複数のLEDブロックのLED劣化補正処理を行うたびにLED温度変動抑制処理を実行する例を説明した。つまり、所定数のLEDブロックのLED劣化補正処理を行うたびにLED温度変動抑制処理を挿入した。
前記複数の光源ブロックを1つずつ発光させて、各光源ブロックの輝度値を検出する輝度検出手段と、
前記複数の光源ブロックのうちのある光源ブロックの輝度値を検出した後、次の検出対象の光源ブロックの輝度値を検出する前に、当該次の検出対象の光源ブロックを含む少なくとも1つ以上の光源ブロックを所定期間発光させる点灯処理を実行する制御手段と、
を有する光源装置である。
前記複数の光源ブロックを1つずつ発光させて、各光源ブロックの輝度値を検出する輝度検出工程と、
前記複数の光源ブロックのうちのある光源ブロックの輝度値を検出した後、次の検出対象の光源ブロックの輝度値を検出する前に、当該次の検出対象の光源ブロックを含む少なくとも1つ以上の光源ブロックを所定期間発光させる点灯処理を実行する制御工程と、
を有する光源装置の制御方法である。
るので、バックライト装置の温度が安定した状況下でLED劣化補正処理を実行することができ、精度良く補正を行うことができる。
Claims (15)
- 複数の光源ブロックを有するバックライト装置であって、
前記複数の光源ブロックのそれぞれの発光を制御する発光制御手段と、
光源ブロックの輝度を検出するための輝度検出手段と、
前記複数の光源ブロックのうち1つの光源ブロックを発光させて、前記輝度検出手段により検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、当該光源ブロックの発光量を補正する補正処理を、前記複数の光源ブロックについて順次実行する補正手段と、
前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、次に実行される補正処理で発光する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行する温度変動抑制手段と、
を有するバックライト装置。 - 前記目標値は、複数の光源ブロックの間の輝度のばらつきが許容レベル以下になるように、光源ブロックごとに定められる請求項1に記載のバックライト装置。
- 前記温度変動抑制手段は、前記温度変動抑制処理において、全ての光源ブロックを発光させる請求項1又は2に記載のバックライト装置。
- 前記温度変動抑制手段は、前記温度変動抑制処理において、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、前記補正処理が未実行の光源ブロックおよびそれに隣接するLEDブロックを所定期間、所定輝度で発光させる請求項1又は2に記載のバックライト装置。
- 光源ブロックの温度を検出する温度検出手段を有し、
前記温度変動抑制手段は、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に前記温度検出手段により光源ブロックの温度を検出し、当該検出した温度が、前記補正手段が最初の光源ブロックについて前記補正処理を実行した後に前記温度検出手段により検出される初期温度に対し閾値以上低い場合、前記所定期間を長くする請求項1から4のいずれか1項に記載のバックライト装置。 - 前記温度変動抑制手段は、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に前記温度検出手段により光源ブロックの温度を検出し、当該検出した温度が、前記初期温度に対し閾値以上高い場合、前記所定期間を短くする請求項5に記載のバックライト装置。
- 光源ブロックの温度を検出する温度検出手段を有し、
前記温度変動抑制手段は、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に前記温度検出手段により光源ブロックの温度を検出し、当該検出した温度が、前記補正手段が最初の光源ブロックについて前記補正処理を実行した後に前記温度検出手段により検出される初期温度に対し閾値以上低い場合、前記所定輝度を高くする請求項1から4のいずれか1項に記載のバックライト装置。 - 前記温度変動抑制手段は、前記補正手段が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に前記温度検出手段により光源ブロックの温度を検出し、当該検出した温度が、前記初期温度に対し閾値以上高い場合、前記所定輝度を低くする請求項7に記載のバックライト装置。
- 光源ブロックの温度を検出する温度検出手段を有し、
前記温度変動抑制手段は、前記補正手段が一の光源ブロックについて前記補正処理を実
行する毎に前記温度検出手段により光源ブロックの温度を検出し、当該検出した温度が、前記補正手段が最初の光源ブロックについて前記補正処理を実行した後に前記温度検出手段により検出される初期温度に対し閾値以上低い場合、前記温度変動抑制処理を実行する請求項1から4のいずれか1項に記載のバックライト装置。 - 前記温度検出手段は、発光面の中央に位置する光源ブロックの温度を検出する請求項5から9のいずれか1項に記載のバックライト装置。
- 前記温度検出手段は、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる温度センサを含み、
前記温度変動抑制手段は、直前に補正処理が実行された光源ブロックの属するグループに対応する温度センサにより、光源ブロックの温度の検出を行う請求項5から9のいずれか1項に記載のバックライト装置。 - 前記輝度検出手段は、複数の光源ブロックのグループ毎に設けられる光センサを含み、
前記補正手段が用いる、前記輝度検出手段により検出される光源ブロックの輝度値の目標値は、当該光源ブロックと当該光源ブロックが属するグループに対応する光センサとの位置関係に応じて定められる請求項1から11のいずれか1項に記載のバックライト装置。 - 前記温度変動抑制手段は、発光面の最も外周側に位置する光源ブロックから補正処理の実行を開始し、より内周側に位置する光源ブロックに対し、順次、補正処理を実行する請求項1から12のいずれか1項に記載のバックライト装置。
- 請求項1から請求項13のいずれか1項に記載のバックライト装置と、液晶パネルと、を有する画像表示装置。
- 複数の光源ブロックを有するバックライト装置の制御方法であって、
複数の光源ブロックのぞれぞれの発光を制御する発光制御工程と、
光源ブロックの輝度を検出する輝度検出工程と、
前記複数の光源ブロックのうち1つの光源ブロックを発光させて、前記輝度検出工程により検出される輝度値とその目標値との比較に基づき、当該光源ブロックの発光量を補正する補正処理を、前記複数の光源ブロックについて順次実行する補正工程と、
前記補正工程が一又は複数の光源ブロックについて前記補正処理を実行する毎に、次に実行される補正処理で発光する光源ブロックを含む複数の光源ブロックを所定期間、所定輝度で発光させる温度変動抑制処理を実行する温度変動抑制工程と、
を有するバックライト装置の制御方法。
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