JP2013101131A - Method for cutting radiation image conversion plate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、放射線画像変換プレートの断裁方法に関し、特に気相堆積法により形成される放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する放射線画像変換プレートの断裁方法に関する。 The present invention relates to a method for cutting a radiation image conversion plate, and more particularly to a method for cutting a radiation image conversion plate for cutting a radiation image conversion plate formed by a vapor deposition method using a laser beam.
従来、病気診断等を目的として、X線画像に代表される放射線画像が用いられている。この放射線画像を得るための方式として、近年においては、輝尽性蛍光体等の蛍光体を採用した放射線画像読取方式が提案、実用化されている。例えば輝尽性蛍光体を用いる場合、具体的には輝尽性蛍光体の性質を利用し、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させ、輝尽励起光で走査することによって蓄積させた放射線エネルギーを輝尽発光として放出させ、光電変換手段を用いてこの輝尽発光を画像信号に変換して、デジタル画像データとして放射線画像を得ている。 Conventionally, radiographic images represented by X-ray images have been used for the purpose of disease diagnosis and the like. As a method for obtaining this radiation image, in recent years, a radiation image reading method employing a phosphor such as a stimulable phosphor has been proposed and put into practical use. For example, when using a photostimulable phosphor, specifically, using the properties of the photostimulable phosphor, the radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part of the subject is accumulated in the photostimulable phosphor layer, and photostimulable excitation is performed. Radiation energy accumulated by scanning with light is emitted as stimulated light emission, and this stimulated light emission is converted into an image signal using a photoelectric conversion means to obtain a radiation image as digital image data.
一般に、このような放射線画像読取方式に用いられる放射線画像変換プレートは、支持体上に輝尽性蛍光体等の蛍光体を含有する蛍光体層を塗布して形成される。この放射線画像変換プレートの加工方法としては、打ち抜き刃を用いて所定サイズの放射線画像変換パネルを成形する断裁方法が知られている(例えば、特許文献1、2参照。)。また、一般的な加工方法としてレーザーを用いて有機膜をパターニングする加工方法が知られている(例えば、特許文献3参照。)
ところで、放射線画像変換パネルは、その使用目的に鑑みてできる限り放射線に対する感度が高く、鮮鋭度や粒状性に依存する画質の良い画像を与えるものであることが望まれている。しかしながら、塗布型の放射線画像変換パネルにおいては、その塗布材料にバインダ等の発光に寄与しない成分を含有するため、一定水準以上の感度や画質を得ることが困難であるという問題があった。
In general, a radiation image conversion plate used in such a radiation image reading method is formed by applying a phosphor layer containing a phosphor such as a stimulable phosphor on a support. As a processing method of the radiation image conversion plate, a cutting method of forming a radiation image conversion panel having a predetermined size using a punching blade is known (for example, see Patent Documents 1 and 2). Moreover, the processing method which patterns an organic film using a laser as a general processing method is known (for example, refer patent document 3).
By the way, the radiation image conversion panel is desired to be as sensitive as possible to the radiation in view of the purpose of use, and to provide an image with good image quality depending on sharpness and graininess. However, the coating-type radiation image conversion panel has a problem that it is difficult to obtain sensitivity and image quality exceeding a certain level because the coating material contains a component such as a binder that does not contribute to light emission.
そこで、このような問題を解決するため、気相堆積法によるによる放射線画像変換プレートの製造方法が開示されている。気相堆積法では、蛍光体材料を蒸発・気化させ、支持体上に付着した結晶を成長させることで、支持体表面に柱状結晶など、結晶が整然と並んだ構成の蛍光体パネルを形成させることができるものであり、その材料に発光に寄与しない成分を含有しないため放射線に対して高い感度を得ることができる。 Therefore, in order to solve such a problem, a method of manufacturing a radiation image conversion plate by a vapor deposition method is disclosed. In vapor phase deposition, the phosphor material is evaporated and vaporized, and crystals that adhere to the support are grown to form a phosphor panel with a structure in which crystals are arranged in an orderly manner, such as columnar crystals on the support surface. Since the material does not contain a component that does not contribute to light emission, high sensitivity to radiation can be obtained.
しかしながら、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートは、放射線に対する感度が高く画質の良い画像を与えるものである一方で、その蛍光体材料にバインダ樹脂を含有しないため結晶自体が非常に脆く、打ち抜き刃を用いて製品を切り出そうとした場合に結晶が割れてしまい生産性が低いという問題を有している。
また、レーザーを用いて一回の走査により断裁しようとした場合には、レーザーの加工領域周辺が熱相互作用によって過度に溶融してしまい、製品部の有効画像領域が狭くなってしまうという問題を有している。
However, while the radiation image conversion plate produced by using the vapor deposition method gives an image with high sensitivity to radiation and good image quality, the phosphor itself does not contain a binder resin, so that the crystal itself is very high. It is brittle and has a problem of low productivity due to cracking of crystals when a product is cut out using a punching blade.
In addition, when cutting with a single scan using a laser, the area around the laser processing area is excessively melted by thermal interaction, and the effective image area of the product portion becomes narrow. Have.
本発明は前記した点に鑑みてなされたものであり、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることなく生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and a method for cutting a radiation image conversion plate with good productivity without causing cracks even for a radiation image conversion plate generated by using a vapor deposition method. It is intended to provide.
前記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法は、
高分子材料により形成された支持体と、気相堆積法により前記支持体上に形成された蛍光体層とを備える多層構造の放射線画像変換プレートを、所望のサイズを有する複数枚の放射線画像変換パネルに断裁することを特徴とする。
In order to achieve the object, the cutting method of the radiation image conversion plate according to claim 1,
A radiation image conversion plate having a multilayer structure having a support formed of a polymer material and a phosphor layer formed on the support by a vapor deposition method. It is characterized by cutting into panels.
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記断裁が、レーザー光によって行われることを特徴とする。
The invention according to
The cutting is performed by laser light.
また、請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記レーザー光が同一走査線上を複数回走査することにより前記放射線画像変換プレートを断裁することを特徴とする。
The invention according to
The radiation image conversion plate is cut by the laser beam scanning the same scanning line a plurality of times.
また、請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれか一つに記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記蛍光体層は、組成中にCsを含む、瞬時発光性蛍光体または輝尽性蛍光体のいずれかであることを特徴とする。
The invention according to claim 4 is the method for cutting a radiation image conversion plate according to any one of claims 1 to 3,
The phosphor layer is characterized by being either an instantaneous light-emitting phosphor or a photostimulable phosphor containing Cs in the composition.
また、請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記蛍光体層は、CsI、CsBr、CsClのうち、少なくとも2種類以上が任意の混合比率で形成された混晶体であることを特徴とする。
The invention according to
The phosphor layer is a mixed crystal in which at least two of CsI, CsBr, and CsCl are formed at an arbitrary mixing ratio.
また、請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、前記瞬時発光性蛍光体が、少なくとも1種類以上の付活剤を含んで作られたCsIであることを特徴とする。
The invention according to
また、請求項7に記載の発明は、請求項4に記載の放射線画像変換プレートの断裁方法において、
前記輝尽性蛍光体は、Euを付活剤として含んだCsBrであることを特徴とする。
The invention according to
The photostimulable phosphor is CsBr containing Eu as an activator.
本発明によれば、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることなく生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法を提供する。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cutting method of the radiographic image conversion plate with sufficient productivity is provided, without generating a crack also with respect to the radiographic image conversion plate produced | generated using the vapor deposition method.
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して詳細に説明する。但し、発明の範囲を図示例に限定するものではない。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the scope of the invention is not limited to the illustrated examples.
まず、本発明に係る断裁装置1の構成について説明する。 First, the configuration of the cutting apparatus 1 according to the present invention will be described.
図1は、本実施形態に用いられる断裁装置1の要部構成を示す斜視図である。
本実施形態における断裁装置1は、支持体21上に輝尽性蛍光体層22を設けた基材プレート20(放射線画像変換プレート)にレーザー光を走査することにより、基材プレート20から所望のサイズの複数の放射線画像変換パネル20a〜20fを切り出す基材プレート20の断裁装置1である。
FIG. 1 is a perspective view showing a main configuration of a cutting apparatus 1 used in the present embodiment.
The cutting apparatus 1 according to the present embodiment scans a base plate 20 (radiation image conversion plate) provided with a
図1に示すように、本実施形態において断裁装置1は、箱型に形成されたパージ室2を備えている。パージ室2は、外部の空間中に浮遊する塵等が内部に侵入しないように、内部がほぼ密閉された空間となっている。なお、パージ室2内は、低湿環境であることが好ましい。また、パージ室2の上面には、レーザー光を透過させる透光窓6が設けられている。
As shown in FIG. 1, in this embodiment, the cutting device 1 includes a
パージ室2内部の底面には、基材プレート20を載置する支持台3が設けられている。
支持台3は、平板状の部材であり、本実施形態における断裁装置1で断裁される基材プレート20の最大サイズよりも大きく形成されている。支持台3には図示しない吸着手段が付設されており、支持台3に設置された基材プレート20を吸着保持するようになっている。
また、支持台3には、当該支持台3を水平方向(図1におけるX-Y方向)に移動させる支持台移動手段16が備えられており、支持台3に設置された基材プレート20は支持台3とともにX-Y方向に移動可能となっている。
A
The
Further, the support table 3 is provided with a support table moving means 16 for moving the support table 3 in the horizontal direction (the XY direction in FIG. 1), and the
この支持台3の上方には、パージ室2内に発生した塵やすす等の浮遊物を集塵する集塵手段7が設けられている。
集塵手段7は、ほぼ環状に形成されており、集塵手段7の中空部分が前記透光窓6に対応する位置にくるように配置されている。
集塵手段7には、集塵手段7によって集められた塵等の浮遊物をパージ室2の外に導く排出管8の一端が連通している。排出管8の他端は、パージ室2の上面を貫通してパージ室2の外部に露出しており、集塵手段7によって集められた塵等の浮遊物は排出管8を介してパージ室2の外に排出されるようになっている。
Above the
The dust collecting means 7 is formed substantially in an annular shape, and is arranged so that the hollow portion of the dust collecting means 7 is located at a position corresponding to the
The dust collecting means 7 communicates with one end of a discharge pipe 8 that guides floating matter such as dust collected by the dust collecting means 7 to the outside of the
また、パージ室2の上方には、パージ室2内の支持台3上に載置された基材プレート20にレーザー光を照射するレーザー発生装置4が設けられている。
Further, above the
図2は、本実施形態におけるレーザー発生装置4を示す概略図である。
レーザー発生装置4は、レーザー光を発生させるレーザー発振部9、レーザー発振部9より発振されたレーザー光のビーム径を調節するビームエキスパンダー10、及びレーザーの光路を調節し基材プレート20にレーザー光を照射する加工ヘッド5等から構成されている。
FIG. 2 is a schematic view showing the laser generator 4 in the present embodiment.
The laser generator 4 includes a
レーザー発振部9には、YAG(Yttrium Aluminum Garnet イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶)等のレーザー光学媒体と、これを挟んで対向した一対の反射ミラーと、からなる光共振器(図示せず)が備えられており、光共振器に付設された繰り返し周波数設定手段11によって所定の周波数のレーザー光が発振されるようになっている。
なお、本実施形態においては、レーザー発振部9にYAG等を備える固体レーザーを例として説明するが、レーザー発振部はこれに限定されず、例えばガスレーザー等、固体以外の媒体を用いるものであってもよい。
レーザー発振部9より発振されたレーザー光は、ビームエキスパンダー10を介して所定のビーム径に調節され、加工ヘッド5に出射されるようになっている。
The
In the present embodiment, a solid-state laser including YAG or the like in the
The laser light oscillated from the
加工ヘッド5は、折り返しミラー12、ガルバノミラー13、及び、集光レンズ14を備えて構成されている。
折り返しミラー12は、全反射ミラーであり、レーザー発振部9から発振されビームエキスパンダー10を介して照射されたレーザー光は折り返しミラー12に入射し、折り返しミラー12により基材プレート20に向かって方向変換なされる。
The
The
さらに、折り返しミラー12により方向変換されたレーザー光は、ガルバノミラー13に入射する。ガルバノミラー13は、例えばレーザー光を全反射させる反射ミラーと、この反射ミラーの角度を変更させる角度調整手段と(いずれも図示せず)を備えて構成されており、ガルバノミラー13に入射したレーザー光は、角度を調整された上で集光レンズ(fθレンズ)14に入射する。そして、レーザー光は、集光レンズ14によって加工対象物である基材プレート20上の一点に集光されるとともに、ガルバノミラー13の動きに応じて照射角度を調整され、基材プレート20上の所定の走査線S上を走査可能となっている。このとき、ガルバノミラー13と、前記支持台移動手段16とは、相対的に動作して基材プレート20上にレーザー光を走査する走査手段17として機能する。
Further, the laser light whose direction has been changed by the
図1において、加工ヘッド5から照射されるレーザー光の光軸を二点鎖線で示している。
図1に示すように、レーザー発生装置4の加工ヘッド5は、透光窓6及び集塵手段7の中空部分に対応する位置に向けられており、レーザー光は、加工ヘッド5から矢印方向に照射され、透光窓6及び集塵手段7の中空部分を透過して支持台3上の基材プレート20に照射されるようになっている。
支持台3に設置された基材プレート20は、支持台3とともにX-Y方向に移動することにより所定の走査線上にレーザー光が照射され、断裁されるようになっている。
In FIG. 1, the optical axis of the laser beam irradiated from the
As shown in FIG. 1, the
The
また、断裁装置1は、制御装置15を有している。図3は、断裁装置1の制御機構を示すブロック図である。
制御装置15は、制御プログラムによって演算処理するCPU(Central Processing Unit)、制御プログラム等を格納するROM(Read Only Memory)、データ等を一時記憶するRAM(Random Access Memory)(いずれも図示せず)等を備えて構成されるコンピュータであり、ROMに記録された制御プログラムをRAMの作業領域に展開してCPUにより実行するようになっている。
In addition, the cutting device 1 includes a
The
また、断裁装置1は、基材プレート20から、いかなるサイズの放射線画像変換パネル20a〜20fを切り出すか、一枚の基材プレート20から何枚の放射線画像変換パネル20a〜20fを切り出すか等の断裁条件や断裁開始指示等を入力する入力部18を有しており、入力部18から入力された情報は、制御装置15に送られるようになっている。入力部18は、例えばキーボードや操作パネルであり、ユーザは入力部18を操作することにより放射線画像変換パネル20a〜20fのサイズや枚数等を所望の数値に設定することができる。なお、入力部18は、断裁装置1の必須の構成要素ではなく、例えば外部のPC(Personal Computer)等から断裁条件や断裁開始指示等を入力するように構成してもよい。
In addition, the cutting apparatus 1 cuts out the radiation
また、制御装置15は、繰り返し周波数設定手段11を制御し、レーザー発振部9から所定の周波数のレーザー光を、所定の繰り返し周波数で出射させるようになっている。
また、制御装置15は、入力部18から入力された断裁条件等に基づいて支持台移動手段16を動作させ、支持台3を図1のX-Y方向に水平に移動させるとともに、走査手段17としてのガルバノミラー13及び支持台移動手段16の少なくとも一方を動作させ、支持台3に載置された基材プレート20の所望の位置に、所望のビーム径でレーザー光が照射されるよう制御するようになっている。
本実施形態においては、断裁装置1は、1枚の基材プレート20から6枚の放射線画像変換パネル20a〜20fを切り出すようになっており、各放射線画像変換パネル20a〜20fの外周に沿ってレーザー光を複数回周回走査させることにより、基材プレート20から放射線画像変換パネル20a〜20fを1枚ずつ断裁する。このため、制御装置15は、各放射線画像変換パネル20a〜20fの外周(基材プレート20上の走査線S)に沿ってレーザー光が複数回周回走査されるように、ガルバノミラー13及び支持台移動手段16の少なくとも一方を動作させるようになっている。
Further, the
Further, the
In the present embodiment, the cutting apparatus 1 is configured to cut out six radiation
ここで、図4を参照しつつ、本実施形態における断裁装置1によって断裁される基材プレート20(放射線画像変換プレート)について説明する。 Here, the base material plate 20 (radiation image conversion plate) cut by the cutting device 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
本実施形態において基材プレート20(放射線画像変換プレート)は、支持体21と、支持体21の上に形成された輝尽性蛍光体層22とを備える多層構造となっており、この基材プレート20を断裁することにより切り出される放射線画像変換パネル20a〜20fは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層22に吸収させ、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積することができる。そして、その後、可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)によって輝尽性蛍光体を時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換することにより電気信号を得て、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、CRTなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
In the present embodiment, the base plate 20 (radiation image conversion plate) has a multilayer structure including a
支持体21としては、各種高分子材料(ポリマー)、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどのプラスチックフィルム等を適用することができる。なお、支持体21を形成する材料はここに例示したものに限定されない。
As the
支持体21の厚さ寸法は用いる材料の材質等によって異なるが、一般的には80μm〜5000μmであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは100μm〜4000μmである。
Although the thickness dimension of the
支持体21と輝尽性蛍光体層22との間には、金属薄膜23が配置されている。金属薄膜23は、輝尽性蛍光体層22を支持体21の上に均一に蒸着させて基材プレート20全体としての平面性を確保するためのものであり、例えばアルミニウム、鉄、銅、クロム等により形成されている。
なお、アルミニウム等からなる金属薄膜23に輝尽性蛍光体層22が直接接触すると金属薄膜23の腐食の要因となることから、金属薄膜23の表面(輝尽性蛍光体層が形成される側の面)は被覆層24によって覆われている。
A metal thin film 23 is disposed between the
In addition, if the
輝尽性蛍光体層22は、少なくとも一層以上から構成され、また、蛍光体の種類により異なるが、その層厚は50μm以上、本発明の効果を得る観点でより好ましくは50〜1000μmの範囲である。また、図5に示すように、輝尽性蛍光体層22は、蛍光体から構成された多数の柱状結晶22a,22a,…が並んだ柱状構造を有している。
なお、図5は、金属薄膜23及び被覆層24が省略して示されている。
The
In FIG. 5, the metal thin film 23 and the
また、基材プレート20の作製方法としては、図6に示すように、まず、所定の支持体21を準備し、その支持体21上(図6における下面)に周知の気相堆積法で輝尽性蛍光体層22を形成することができる。
ここでは、複数存在する周知の気相堆積法のうち、例えば、蒸着法で輝尽性蛍光体層22を形成する場合について説明する。支持体21を蒸着装置内の支持体ホルダ25に固定・設置し、当該蒸着装置内を排気して一定の真空度とする。その後、抵抗加熱法,エレクトロンビーム法等の方法により蛍光体を蒸着源として当該蛍光体を加熱・蒸発させ、支持体21の表面上に蛍光体を所望の厚さになるまで成長させ、輝尽性蛍光体層22を支持体21上に形成する。
As shown in FIG. 6, the
Here, the case where the
図5に示すように、輝尽性蛍光体層22の表面では、長さ数10〜数100μm,平均直径数μmの柱状結晶22aが整然と並んだ構造の蛍光体を成膜することができる。
As shown in FIG. 5, on the surface of the
次に、本発明に係る断裁装置1の断裁方法について説明する。 Next, a cutting method of the cutting apparatus 1 according to the present invention will be described.
まず、断裁装置1の支持台3上に基材プレート20の支持体21側を下面として載置して、該支持台3上に基材プレート20を吸着保持する。従って、基材プレート20は、輝尽性蛍光体層22を上側にして保持される。
First, the
支持台3上に載置された基材プレート20は、支持台移動手段16によってレーザー発生装置4の加工ヘッド5の直下に位置付けられる(図7;START)。基材プレート20が加工ヘッド5の直下に位置付けられると、制御装置15は、基材プレート20のレーザー加工すべき加工領域(図8におけるX1)を検出するアライメント作業を実行する。
すなわち、制御装置15は、基材プレート20における予め設定された所定の走査線Sと、この走査線Sに沿ってレーザー光を照射する加工ヘッド5の集光レンズ14との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の処理を実行し、レーザー照射位置のアライメントを遂行する(ステップS1)。
The
That is, the
このようにして支持台3の上に保持された基材プレート20の走査線Sを検出してレーザー照射位置のアライメントが行われた後、所定の開始点X1を加工ヘッド5の直下に位置付ける(ステップS2)。このとき、基材プレート20は、走査線Sの一箇所(図8におけるX1)が加工ヘッド4の直下に位置するように位置付けられる。
Thus, after the scanning line S of the
次に、予め設定された条件に即した所定周波数のレーザー光をレーザー発生装置4から出射し、該レーザー光を加工ヘッド5から基材プレート20に対して照射する。
次に、該レーザー光が走査線S上を所定速度で走査するように、支持台3(すなわち基材プレート20)及びガルバノミラー13のうち少なくとも一方を、図8において矢印X、または−Xで示す方向、及び、矢印Y、または−Yで示す方向の一方または両方に移動させる。このようにしてレーザー光が予め設定された走査線S上を走査する(ステップS3)。
そして、加工ヘッド5が走査線S上を走査して開始点X1に到達したらこれを一回の走査として、加工ヘッド5が再び同一走査線S上を所定の走査速度で走査する二回目の走査を開始する。このとき一回の走査毎に所定の走査回数に達したか否か判断し(ステップS4)、所定の走査回数に達しない場合には(ステップS4;NO)、所定走査回数に達するまで前記ステップS3からステップS4を繰り返す。
そして、同一走査線S上を予め設定された走査回数走査したら(ステップS4;YES)、レーザー光の照射を停止する(図7;END)。この結果、基材プレート20は、図8に示すように所定の走査線Sに沿って均一に切り出された放射線画像変換パネル20aが成形される。
Next, a laser beam having a predetermined frequency in accordance with a preset condition is emitted from the laser generator 4, and the laser beam is emitted from the
Next, at least one of the support base 3 (that is, the base plate 20) and the
Then, when the
When the same scanning line S is scanned a preset number of times (step S4; YES), the laser beam irradiation is stopped (FIG. 7; END). As a result, the
次に、制御装置15は、再び、基材プレート20のレーザー加工すべき加工領域(図8におけるX2)を検出するアライメント作業を実行する。
すなわち、制御装置15は、基材プレート20から複数の放射線画像変換パネル20a〜20fを断裁加工するに際し、各放射線画像変換パネル20a〜20fに対して前記ステップS1からステップ4を繰り返す。
Next, the
That is, when cutting the plurality of radiation
上記の断裁加工においては、レーザー発生装置4の加工ヘッド5から照射されるレーザー光は、パルスレーザーであることが好ましい。
パルスレーザーを用いることで、連続発振レーザーと比較して隣接パルス間の加工領域の重なりが少ないため、隣接パルスの熱相互作用が少なく加工部周辺の熱溶融が抑制される。
In the cutting process described above, the laser light emitted from the
By using a pulse laser, since there is less overlap of the processing region between adjacent pulses compared to a continuous wave laser, there is less thermal interaction between adjacent pulses and thermal melting around the processing portion is suppressed.
さらに、パルスレーザーの走査速度をV (mm/s)とし、パルスレーザーの繰り返し周波数をf(Hz)としたとき、パルスレーザーの走査速度V(mm/s)が、一般式(1)を満たし、かつ、同一走査線S上におけるパルスレーザーの照射位置(位相)が走査毎にずれるように設定することが好ましい。
V[mm/s]≧f[Hz]×w[mm] ・・・(1)
Furthermore, when the scanning speed of the pulse laser is V (mm / s) and the repetition frequency of the pulse laser is f (Hz), the scanning speed V (mm / s) of the pulse laser satisfies the general formula (1). In addition, it is preferable to set so that the irradiation position (phase) of the pulse laser on the same scanning line S is shifted for each scanning.
V [mm / s] ≧ f [Hz] × w [mm] (1)
図9は、パルスレーザーが基材プレート20を加工する様子を示す概念図である。ここで、パルスレーザーの1パルス照射時の加工領域(照射位置)をO1,O2…とし、その直径(加工径)をw1,w2…(mm)として示す。また、一回目の走査時の加工領域を実線で、二回目の走査時の加工領域を二点鎖線で示す。
なお、一般式(1)におけるw(加工径(直径))は、放射線画像変換プレートの同一箇所に、放射線画像変換プレートが完断できる回数でパルスレーザーを照射した時に形成される一つの加工穴の直径の中で、最も小さな直径となる部分の直径を表す。
FIG. 9 is a conceptual diagram showing how the pulse laser processes the
In addition, w (processed diameter (diameter)) in the general formula (1) is one processed hole formed when the same location of the radiation image conversion plate is irradiated with a pulse laser at the number of times that the radiation image conversion plate can be completely cut. The diameter of the part which becomes the smallest diameter among the diameters of.
このような設定を満たす場合、隣接した加工領域O1とO2とが重ならないため、一回の走査で加工される加工部周辺の熱溶融部を最小限に抑えられるとともに、走査毎のパルスレーザー照射位置が異なるために同一走査線上の異なる位置を加工領域とすることができ、加工領域O1,O2…周辺の溶融領域Tの拡大を防止しつつ確実に断裁することが可能である。 When such a setting is satisfied, the adjacent processing regions O1 and O2 do not overlap, so that the thermal melting portion around the processing portion processed by one scan can be minimized, and pulse laser irradiation for each scan Since the positions are different, different positions on the same scanning line can be used as processing regions, and cutting can be performed reliably while preventing the fusion regions T around the processing regions O1, O2,.
この走査速度V (mm/s)は、走査手段17であるガルバノミラー13と、支持台移動手段16と、を制御装置15によって制御することにより実施される。すなわち、制御装置15は、レーザー発生装置4の繰り返し周波数設定手段11と、基材プレート20を移動させる支持台移動手段16と、ガルバノミラー13と、を制御し、レーザー発生装置4によって発振されるパルスレーザー光線の繰り返し周波数f(Hz)と、基材プレート20上を走査するレーザー光の走査速度V (mm/s)を適宜設定して、V (mm/s)≧w(mm)×f(Hz)が成り立つように設定する。
This scanning speed V (mm / s) is implemented by controlling the
また、このとき使用されるレーザー光は、波長266nm程度の紫外レーザー光であることが好ましい。
波長266nm程度の紫外レーザー光では、熱作用により加工対象物を加工すると同時に有機材料でC−H結合やC−C結合等の分子結合を解離させることが可能である。すなわち、本実施形態においては、該紫外レーザー光を複数回走査させることによって輝尽性蛍光体層22は熱作用により断裁され、支持体21においては分子結合が解離するため断裁されることとなる。このため、輝尽性蛍光体層22は熱作用で、支持体21は分子結合の解離により切断されるため、切断部の結晶割れを防止することができる。
The laser beam used at this time is preferably an ultraviolet laser beam having a wavelength of about 266 nm.
With an ultraviolet laser beam having a wavelength of about 266 nm, it is possible to dissociate molecular bonds such as C—H bonds and C—C bonds with an organic material at the same time as a workpiece is processed by thermal action. That is, in the present embodiment, the
以上説明したように、本発明に係る断裁装置及び断裁方法によれば、基材プレート20を断裁するのにレーザー光を用いることにより、バインダ樹脂を含有しない輝尽性蛍光体層22の断裁においても結晶割れを防止するため生産性を向上させることが可能である。
また、同一走査線上を複数回走査することで、低出力で加工できるため加工領域周辺の熱溶融が抑制され、切断部の溶融幅を小さくし、有効画像領域を広くすることができる。
また、パルスレーザーを用いることにより、加工領域周辺の熱溶融が抑制されるため、切断部の溶融幅を小さくし、有効画像領域を広くすることができる。
また、紫外領域のレーザー光を用いることにより、輝尽性蛍光体層22は熱作用で、支持体21は分子結合の解離により切断されるため、切断部の結晶割れを防止し生産性を向上させることが可能である。
As described above, according to the cutting device and the cutting method according to the present invention, the laser light is used to cut the
In addition, by scanning the same scanning line a plurality of times, processing can be performed with low output, so that thermal melting around the processing region is suppressed, the melting width of the cut portion can be reduced, and the effective image region can be widened.
Further, by using a pulse laser, thermal melting around the processing area is suppressed, so that the melting width of the cut portion can be reduced and the effective image area can be widened.
Further, by using laser light in the ultraviolet region, the
なお、レーザー光の周波数や走査速度は、走査毎に設定、変更することも可能である。
また、レーザー光の移動方向としては、結果として同一走査線上を複数回走査させるものであればよく、放射線画像変換パネル20aの全周を複数回走査させて断裁してもよいし、一辺ずつ断裁するように走査させてもよい。また、開始点の位置に関しても適宜設定可能である。
The frequency and scanning speed of the laser light can be set and changed for each scanning.
Further, the moving direction of the laser light may be any one that scans the same scanning line a plurality of times as a result, and may be cut by scanning the entire circumference of the radiation
また、本実施形態においては、蛍光体層として、輝尽性蛍光体を使用した場合について説明したが、本発明においては、輝尽性蛍光体以外の蛍光体を使用することもでき、例えばFPD用のシンチレータとして用いられる瞬時発光性蛍光体を使用してもよい。 In the present embodiment, the case where a stimulable phosphor is used as the phosphor layer has been described. However, in the present invention, a phosphor other than the stimulable phosphor can be used, for example, FPD. You may use the instantaneous light emission fluorescent substance used as a scintillator.
本発明で使用できる輝尽性蛍光体としては、例えば、以下のような蛍光体が挙げられる(特開平11−249243号公報の段落番号[0060]から[0061]参照)。
一般式aBaX2・(1-a)BaY2 : bEu2+(式中、X,Yは、それぞれ、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、X≠Yであり、a,bは、0<a<1、10-5<b<10-1 を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
一般式MIX・aMIIX′2・bMIIIX″3:cA(但し、MIは、Li,Na,K,Rb,Csの少なくとも1種のアルカリ金属を表し、MIIは、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Niの少なくとも1種の2価の金属を表し、MIIIは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,Inの少なくとも1種の3価の金属を表し、X,X′,X″は、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種のハロゲンを表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu,Mgの少なくとも1種の金属を表し、a,b,cは、0≦a<0.5、0≦b<0.5、0≦c<0.2を満たす数を表す。)で表されるアルカリハイドロイド輝尽性蛍光体。
一般式(Ba1-x(MI)x)FX:yA(但し、MIは、Mg,Ca,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を表し、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Erの少なくとも1種を表し、x,yは、0≦x<0.6、0≦y<0.2を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
一般式MIFX・xA:yLn(但し、MIは、Mg,Ca,Ba,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を表し、AはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,La2O3,In2O3,SiO2,TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,Nb2O5,Ta2O5,ThO2の少なくとも1種を表し、Lnは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm,Gdの少なくとも1種を表し、XはCl,Br,Iの少なくとも1種を表し、x,yは、5×10-5≦x≦0.5、0<y≦0.2を満たす数を表す。)で表される輝尽性蛍光体。
Examples of the stimulable phosphor that can be used in the present invention include the following phosphors (see paragraphs [0060] to [0061] of JP-A-11-249243).
General formula aBaX 2 · (1-a) BaY 2 : bEu 2+ (wherein X and Y represent at least one of F, Cl, Br and I, respectively, X ≠ Y, a, b Represents a number satisfying 0 <a <1, 10 −5 <b <10 −1 ).
General formula M I X · aM II X ′ 2 · bM III X ″ 3 : cA (where M I represents at least one alkali metal of Li, Na, K, Rb, Cs, and M II represents Be , Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, Ni represents at least one divalent metal, M III is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In represents at least one trivalent metal, and X, X ′, X ″ are F, Cl, Br, I Represents at least one halogen, A is at least Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, Mg A, b, c represents a number satisfying 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 ≦ c <0.2)) .
General formula (Ba 1-x (M I ) x ) FX: yA (where M I represents at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, Cd, and X represents at least one of Cl, Br, I) A represents a species, A represents at least one of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, x, y represents 0 ≦ x <0.6, 0 ≦ y <0.2 The stimulable phosphor is represented by the following formula:
General formula M I FX · xA: yLn (where M I represents at least one of Mg, Ca, Ba, Sr, Zn, Cd, and A represents BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, ZnO, Al 2 At least one of O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , In 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , SnO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , ThO 2 Ln represents at least one of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm, Gd, X represents at least one of Cl, Br, I, x , y represents a number satisfying 5 × 10 −5 ≦ x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2.)
また、本発明で使用できる瞬時発光性蛍光体としては、例えば、Csをベースとして結晶が形成される蛍光体であり、CsIが好適である。
付活剤としては、例えばインジウム(In)、タリウム(Tl)、リチウム(Li)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、ナトリウム(Na)、ユーロピウム(Eu)、銅(Cu)、セリウム(Ce)、亜鉛(Zn)、チタン(Ti)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)等の化合物を使用可能であり、これらのうち、少なくとも一種類以上を選択することができる。なお、CsIをベースとしていれば、付活剤は、該知のいかなるものでも使用可能であり、発光波長や耐湿性などの要求特性に合わせて任意に選択することができるのであり、付活剤の種類はここに例示したものに限定されない。
また、ベースとなる蛍光体であるCsIの代わりに、CsBrやCsCl等を用いる構成としてもよい。また、蛍光体層は、CsI、CsBr、CsClのうち、二種類以上の蛍光体が任意の混合比率で形成された混晶体をベースとして結晶が形成されたものであっても構わない(特開2007−139604号公報の段落番号[0063]から[0064]参照)。
In addition, as the instantaneous light emitting phosphor that can be used in the present invention, for example, a phosphor in which a crystal is formed based on Cs, and CsI is preferable.
Examples of the activator include indium (In), thallium (Tl), lithium (Li), potassium (K), rubidium (Rb), sodium (Na), europium (Eu), copper (Cu), and cerium (Ce). ), Zinc (Zn), titanium (Ti), gadolinium (Gd), terbium (Tb), and the like, and at least one of them can be selected. Any known activator can be used as long as it is based on CsI, and can be arbitrarily selected according to required characteristics such as emission wavelength and moisture resistance. The types are not limited to those exemplified here.
Moreover, it is good also as a structure which uses CsBr, CsCl, etc. instead of CsI which is fluorescent substance used as a base. In addition, the phosphor layer may be formed of crystals based on a mixed crystal in which two or more kinds of phosphors are formed at an arbitrary mixing ratio among CsI, CsBr, and CsCl (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-260260). (See paragraph numbers [0063] to [0064] of 2007-139604).
なお、本発明において、瞬時発光性蛍光体を使用する場合には、CsI(付活剤はTl)を使用することが好ましい。また、本発明では、蛍光体の中でも輝尽性蛍光体を使用することが好ましく、特に、CsBr(付活剤はEu)を使用することが好ましい。 In the present invention, when an instantaneous light emitting phosphor is used, CsI (activator is Tl) is preferably used. In the present invention, it is preferable to use a stimulable phosphor among the phosphors, and it is particularly preferable to use CsBr (the activator is Eu).
以下、本発明を実施例により説明する。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. In addition, this invention is not limited by these Examples.
(気相堆積型の放射線画像変換プレートの作製)
支持体(1mm厚、面積410mm×410mmの結晶化ガラス(日本電気ガラス社製))を気相堆積装置に入れ、次いで、蛍光体原料(CsBr:0.0001Eu)をプレス成形してルツボに充填し、水冷した後に蒸着装置内に入れ、蒸着源とした。支持体と蒸着源との距離は60cmとした。支持体と蒸着源との間にはアルミニウム製のスリットを配置した。
(Production of vapor deposition type radiation image conversion plate)
A support (crystallized glass with a thickness of 1 mm and an area of 410 mm × 410 mm (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.)) is placed in a vapor deposition apparatus, and then a phosphor material (CsBr: 0.0001Eu) is press-molded and filled into a crucible. And after cooling with water, it put in the vapor deposition apparatus and made it a vapor deposition source. The distance between the support and the evaporation source was 60 cm. An aluminum slit was disposed between the support and the vapor deposition source.
その後、気相堆積装置内を排気口にポンプを接続して排気し、更にガス導入口から窒素を導入して(流量1000sccm(sccm:standard cc/min(1×10-6 m3/min)))、装置内の真空度を6.65×10-3Paに維持した。この状態で蒸着源を650℃に加熱し、支持体の一方の面に、CsBr:0.0001Euからなる輝尽性蛍光体を気相堆積させた。 Thereafter, the vapor deposition apparatus is evacuated by connecting a pump to the exhaust port, and nitrogen is further introduced from the gas inlet (flow rate 1000 sccm (sccm: standard cc / min (1 × 10 −6 m 3 / min)). )), And the degree of vacuum in the apparatus was maintained at 6.65 × 10 −3 Pa. In this state, the vapor deposition source was heated to 650 ° C., and a photostimulable phosphor made of CsBr: 0.0001Eu was vapor deposited on one surface of the support.
輝尽性蛍光体の蒸気はアルミニウム製のスリットを通って支持体の法線方向に対して0°の入射角度で入射するようにし、支持体と平行な方向に支持体を搬送しながら、蒸着を行った。輝尽性輝尽性蛍光体層の膜厚が400μmとなったところで蒸着を終了させ、放射線画像変換プレート(基材プレート)を作製した。 The vapor of the photostimulable phosphor passes through the aluminum slit and is incident at an incident angle of 0 ° with respect to the normal direction of the support, and is deposited while transporting the support in a direction parallel to the support. Went. Vapor deposition was terminated when the thickness of the photostimulable phosphor layer reached 400 μm, and a radiation image conversion plate (base material plate) was produced.
波長266nm、繰り返し周波数5000Hz、ビーム径20μmのパルスレーザー光を出力300mWで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、24回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。 A radiation image conversion panel was prepared by irradiating a pulsed laser beam having a wavelength of 266 nm, a repetition frequency of 5000 Hz, and a beam diameter of 20 μm with an output of 300 mW onto the radiation image conversion plate prepared as described above, and cutting it by scanning 24 times.
<比較例1>
波長365nm、ビーム径20μmの連続発振(CW)のレーザー光を用いて、出力50mWで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、150回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。
<Comparative Example 1>
Using a continuous wave (CW) laser beam having a wavelength of 365 nm and a beam diameter of 20 μm, the radiation image conversion plate produced as described above is irradiated at an output of 50 mW and cut by scanning 150 times to form a radiation image conversion panel. Produced.
<比較例2>
波長1064nm、繰り返し周波数20000Hz、ビーム径20μmのレーザー光を出力8600mWで上記のように作製した放射線画像変換プレートに照射し、3回走査させることにより断裁して放射線画像変換パネルを作製した。
<Comparative example 2>
A radiation image conversion panel was manufactured by irradiating the radiation image conversion plate produced as described above with a laser beam having a wavelength of 1064 nm, a repetition frequency of 20000 Hz, and a beam diameter of 20 μm at an output of 8600 mW, and by scanning three times.
《基材プレートの評価》
上記により作製した放射線画像変換パネルを用い、切断部を目視により観察してその状態を下記のように評価し表1に 示した。また、各条件におけるパルスエネルギー[mJ]及びエネルギー密度[J/cm2]を測定し表1に示した。
○:切断部に0.1mm幅を超える結晶溶融や、コゲ跡が見られない
×:切断部に0.1mm幅を超える結晶溶融や、コゲ跡が見られる
なお、切断部に0.1mm幅を超える結晶溶融やコゲ跡が生じなければ、実質的に問題なく使用できるものである。
<< Evaluation of base plate >>
Using the radiation image conversion panel produced as described above, the cut portion was visually observed and the state thereof was evaluated as shown below and shown in Table 1. The pulse energy [mJ] and energy density [J / cm 2 ] under each condition were measured and shown in Table 1.
◯: Crystal melting exceeding 0.1 mm width or burnt traces are not observed at the cut part ×: Crystal melting exceeding 0.1 mm width or burnt traces are observed at the cutting part Note that the cutting part is 0.1 mm wide As long as no crystal melting or burnt marks exceeding the above value occur, it can be used without any problem.
表1に示したように、UVパルスレーザー光を用いて複数回走査することで放射線画像変換プレートを断裁した場合、その切断部には結晶割れやコゲ跡等のみられず良好な放射線画像変換パネルを作製することが可能である。 As shown in Table 1, when the radiation image conversion plate is cut by scanning a plurality of times using UV pulsed laser light, a good radiation image conversion panel is observed without any crystal cracks or burnt marks at the cut portion. Can be produced.
1 断裁装置
2 パージ室
3 支持台
4 レーザー発生装置
5 加工ヘッド
6 透光窓
7 集塵手段
8 排出管
9 レーザー発振部
10 ビームエキスパンダー
11 繰り返し周波数設定手段
12 折り返しミラー
13 ガルバノミラー
14 集光レンズ
15 制御装置
16 支持台移動手段
17 走査手段
18 入力部
20 基材プレート
20a〜20f 放射線画像変換パネル
21 支持体
22 輝尽性蛍光体層
22a 柱状結晶
23 金属薄膜
24 被覆層
25 支持体ホルダ
S 走査線
X1,X2 開始点
O1,O2 加工領域
T 溶融領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
X1, X2 Start point O1, O2 Processing region T Melting region
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