JP3130633B2 - Manufacturing method of radiation image conversion panel - Google Patents

Manufacturing method of radiation image conversion panel

Info

Publication number
JP3130633B2
JP3130633B2 JP04083191A JP8319192A JP3130633B2 JP 3130633 B2 JP3130633 B2 JP 3130633B2 JP 04083191 A JP04083191 A JP 04083191A JP 8319192 A JP8319192 A JP 8319192A JP 3130633 B2 JP3130633 B2 JP 3130633B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stimulable phosphor
substrate
radiation image
phosphor layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04083191A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH05249299A (en
Inventor
幸二 網谷
哲 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP04083191A priority Critical patent/JP3130633B2/en
Publication of JPH05249299A publication Critical patent/JPH05249299A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3130633B2 publication Critical patent/JP3130633B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、蒸気流を用いて基板の
被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積させて少なくとも一
層の輝尽性蛍光体層を形成する工程を含む放射線画像変
換パネルの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiographic image comprising a step of vapor-depositing a stimulable phosphor on a surface of a substrate using a vapor stream to form at least one stimulable phosphor layer. The present invention relates to a method for manufacturing a conversion panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば医療の分野においては、病気の診
断にX線画像のような放射線画像が多く用いられてい
る。放射線画像の形成方法としては、従来、被写体を透
過したX線を蛍光体層(蛍光スクリーン)に照射し、こ
れにより可視光を生じさせてこの可視光を通常の写真を
撮るときと同じように、銀塩を使用したフィルムに照射
して現像する、いわゆる放射線写真法が一般的であっ
た。
2. Description of the Related Art In the medical field, for example, radiation images such as X-ray images are often used for diagnosing diseases. Conventionally, as a method of forming a radiation image, X-rays transmitted through a subject are irradiated on a phosphor layer (fluorescent screen) to generate visible light, and this visible light is used in the same manner as when a normal photograph is taken. A so-called radiographic method of irradiating and developing a film using a silver salt has been generally used.

【0003】しかるに、近年、銀塩を塗布したフィルム
を使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す方法と
して、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、し
かる後この蛍光体を例えば光または熱エネルギーで励起
することにより、この蛍光体に吸収されて蓄積されてい
た放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を
検出して画像化する方法が提案されている。
However, in recent years, as a method of directly taking out an image from a phosphor layer without using a film coated with a silver salt, radiation that has passed through a subject is absorbed by the phosphor, and then the phosphor is irradiated with light or heat, for example. A method has been proposed in which, by excitation with energy, radiation energy absorbed and accumulated in the phosphor is emitted as fluorescence, and the fluorescence is detected and imaged.

【0004】例えば米国特許第 3,859,527号明細書、特
開昭55− 12144号公報には、輝尽性蛍光体を用い、可視
光線または赤外線を輝尽励起光として用いた放射線画像
変換方法が示されている。この方法は、基板上に輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
のであり、この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層
に被写体を透過した放射線を当てて、被写体の各部の放
射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜
像を形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起
光で走査することによって各部に蓄積された放射線エネ
ルギーを輝尽発光として放射させ、この光の強弱による
光信号を例えば光電変換し、画像再生装置により画像化
するものである。この最終的な画像はハードコピーとし
て再生されてもよいし、またはCRT等のディスプレイ
上に再生されてもよい。
For example, US Pat. No. 3,859,527 and JP-A-55-12144 show a radiation image conversion method using a stimulable phosphor and using visible light or infrared light as stimulating excitation light. ing. In this method, a radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer formed on a substrate is used. A latent image is formed by accumulating radiation energy corresponding to the radiation transmittance of each part, and then the radiation energy accumulated in each part is stimulated by scanning the stimulable phosphor layer with stimulating excitation light. The light is emitted as light emission, and an optical signal based on the intensity of the light is photoelectrically converted, for example, and is imaged by an image reproducing apparatus. This final image may be played as a hard copy or on a display such as a CRT.

【0005】このような放射線画像変換方法に用いられ
る輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルには、
前述の蛍光スクリーンを用いる放射線写真法の場合と同
様に、放射線吸収率および光変換率(両者を含めて以下
「放射線感度」と称する)の高いことが必要であり、し
かも画像の鮮鋭性の高いことが要求される。
A radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer used in such a radiation image conversion method includes:
As in the case of the above-described radiographic method using a fluorescent screen, it is necessary to have a high radiation absorption rate and a high light conversion rate (hereinafter, referred to as “radiation sensitivity”), and high image sharpness is required. Is required.

【0006】ところで、輝尽性蛍光体を利用した放射線
画像変換パネルにおける画像の鮮鋭性は、輝尽性蛍光体
の輝尽発光の広がりによって決定されるのではなく、輝
尽励起光の当該パネル内での広がりに依存して決定され
る。詳しく説明すると、放射線画像変換パネルに蓄積さ
れた放射線画像情報は時系列化されて取り出されるの
で、ある時間(ti )に照射された輝尽励起光による輝
尽発光は、望ましくはすべて採光されその時間に輝尽励
起光が照射されていた当該パネル上のある画素(xi
i )からの出力として記録されるが、かりに輝尽励起
光が当該パネル内で散乱等により広がり、照射画素(x
i ,yi )の外側に存在する輝尽性蛍光体をも励起して
しまうと、当該照射画素(xi ,yi )からの出力とし
てその画素よりも広い領域からの出力が記録されてしま
う。従って、ある時間(ti )に照射された輝尽励起光
による輝尽発光が、その時間(ti )に輝尽励起光が真
に照射されていた当該パネル上の画素(xi ,yi )か
らの発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持
つものであろうと、得られる画像の鮮鋭性には影響がな
い。このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善
する技術として、例えば輝尽性蛍光体層が微細の柱状結
晶からなる放射線画像変換パネルおよびその製造方法が
提案されている (特開昭61−142497号〜142
500号、同62−105098号公報参照) 。この技
術によれば、輝尽励起光は、微細の柱状結晶の光誘導効
果のため柱状結晶内で反射を繰り返しながら、柱状結晶
外に散逸することなく柱状結晶の底まで到達するため、
輝尽発光による画像の鮮鋭性をより増大することができ
る。特に蒸気流を用いて基板の被蒸着面に気相堆積させ
て層を形成させる場合は、従来において、輝尽性蛍光体
層を斜め蒸着法により形成することにより、蒸気流の方
向に着目して放射線画像の鮮鋭性を改善する手段が提案
されている(特願昭63−129996号明細書参照)
By the way, the sharpness of an image in a radiation image conversion panel using a stimulable phosphor is not determined by the spread of the stimulable luminescence of the stimulable phosphor, but by the panel of the stimulable excitation light. It is determined depending on the spread within. More specifically, since the radiation image information stored in the radiation image conversion panel is time-sequentially extracted, the photostimulated light emitted by the photostimulated excitation light irradiated at a certain time (t i ) is preferably all collected. At that time, a pixel (x i ,
y i ), the stimulating excitation light spreads in the panel due to scattering or the like, and the illuminated pixel (x
i, when thus excited even a stimulable phosphor which is present on the outside of y i), the irradiation pixel (x i, the output from the region wider than the pixel as output from y i) are recorded I will. Therefore, the stimulating light emitted by the stimulating excitation light irradiated at a certain time (t i ) is changed to the pixel (x i , y) on the panel to which the stimulating light was truly irradiated at the time (t i ). The light emission from i ) alone has no effect on the sharpness of the obtained image, regardless of the extent of the light emission. In such a situation, as a technique for improving the sharpness of a radiographic image, for example, a radiographic image conversion panel in which a stimulable phosphor layer is formed of fine columnar crystals and a method for manufacturing the same have been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-163,878). 61-142497-142
Nos. 500 and 62-105098). According to this technique, the stimulating excitation light reaches the bottom of the columnar crystal without dissipating outside the columnar crystal while repeating reflection within the columnar crystal due to the light guiding effect of the fine columnar crystal,
The sharpness of an image due to stimulated emission can be further increased. In particular, when a layer is formed by vapor-phase deposition on a surface of a substrate to be vapor-deposited using a vapor flow, conventionally, a stimulable phosphor layer is formed by an oblique vapor deposition method, thereby focusing on the direction of the vapor flow. Means for improving the sharpness of a radiation image have been proposed (see Japanese Patent Application No. 63-129996).
.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の技術で
は、輝尽性蛍光体の結晶が一方向につながりをもった板
状のものとなるため、放射線画像の読取り方向によって
鮮鋭性が大きく異なるという問題があった。すなわち、
蒸気流を基板面に対して斜めから入射させると、基板面
において蒸気流が到達しにくい「影」の部分ができ、そ
こが亀裂となって区画された結晶が形成されるため画像
の鮮鋭性が向上する。しかし、従来の蒸着法では、蒸気
流の流線方向が基板面に対して固定化されているため
「影」の部分が偏ってしまい、幅の狭い柱状ではなくて
方向によって幅が大きく異なる板状の結晶となってしま
い、読取り方向によって鮮鋭性がばらつく問題があっ
た。
However, in the above technique, the stimulable phosphor has a plate-like shape connected in one direction, so that the sharpness greatly differs depending on the reading direction of the radiation image. There was a problem. That is,
When the vapor flow is incident obliquely on the substrate surface, a shadow is formed on the substrate surface where it is difficult for the vapor flow to reach. Is improved. However, in the conventional vapor deposition method, since the streamline direction of the vapor flow is fixed with respect to the substrate surface, the "shadow" portion is deviated, and the width of the plate differs greatly depending on the direction instead of the narrow column shape. The resulting crystal has a problem that the sharpness varies depending on the reading direction.

【0008】そこで、本発明の目的は、幅の狭い精度の
高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成することが
でき、放射線画像の鮮鋭性が向上し、しかも読取り方向
による鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルを製
造することができる方法を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to form a stimulable phosphor layer composed of a columnar crystal having a narrow width and high accuracy, thereby improving the sharpness of a radiographic image and the sharpness in a reading direction. It is an object of the present invention to provide a method capable of manufacturing a radiation image conversion panel having a small change.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、蒸
気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性蛍光体を気相堆積
させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体層を形成する工程
を含む放射線画像変換パネルの製造方法において、前記
蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面の法線方向の
回りに相対的に回転させながら、基板の被蒸着面に輝尽
性蛍光体を気相堆積させることを特徴とする。
According to the manufacturing method of the present invention, at least one stimulable phosphor layer is formed by vapor-phase depositing a stimulable phosphor on a surface to be deposited of a substrate using a vapor flow. In the method for manufacturing a radiation image conversion panel including a step, while the streamline direction of the vapor flow is relatively rotated around the normal direction of the deposition surface of the substrate, the photostimulable It is characterized in that the phosphor is deposited in a vapor phase.

【0010】[0010]

【作用】本発明では、輝尽性蛍光体を気相堆積させる際
に、蒸気流の流線方向を基板の被蒸着面の法線方向の回
りに相対的に回転させるので、結晶が板状に広がらずに
相互に明瞭に区画された微細な柱状の結晶となる。すな
わち、基板の被蒸着面に対して蒸気流の流線方向を斜め
に傾けると、結晶は流線方向の影響を受けて斜めに成長
しようとして、基板の被蒸着面において蒸気流が到達し
にくい「影」の部分ができ、この部分が亀裂となって蒸
気流の流線方向にある程度傾きながら伸びる区画された
結晶が形成される。従来はこの「影」の部分が固定化さ
れていたので結晶が板状に広がってしまい、微細な柱状
結晶が得られにくかったが、本発明ではこの「影」の部
分が偏らないように基板の被蒸着面の法線方向の回りに
蒸気流の流線方向を相対的に回転させるので、幅の狭い
微細な柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。従
って、放射線画像の鮮鋭性に優れ、しかも読取り方向に
よる鮮鋭性の変化の小さい放射線画像変換パネルが得ら
れる。なお、蒸気流の流線方向とは、便宜上、蒸発源近
傍での蒸発量分布を考慮した上で蒸発源を点とみなし
て、この点と基板の被蒸着面の各点とを結ぶ方向をい
う。また、基板の被蒸着面の法線方向とは、被蒸着面を
平面あるいは曲率一定の曲面に近似した時の法線方向で
あり、被蒸着面の部分的なそりやうねり、あるいは凹凸
等は考慮に入れないものとする。
According to the present invention, when the stimulable phosphor is deposited in the vapor phase, the streamline direction of the vapor flow is relatively rotated around the normal direction of the surface of the substrate to be deposited. It becomes fine columnar crystals that are clearly separated from each other without spreading. In other words, when the streamline direction of the vapor flow is obliquely inclined with respect to the deposition surface of the substrate, the crystal tends to grow obliquely under the influence of the streamline direction, and the vapor flow hardly reaches the deposition surface of the substrate. A "shadow" portion is formed, and this portion becomes a crack to form a partitioned crystal that extends with a certain inclination in the streamline direction of the steam flow. Conventionally, this "shadow" portion was fixed, so the crystal spread in a plate shape, making it difficult to obtain a fine columnar crystal.In the present invention, the substrate was adjusted so that the "shadow" portion was not biased. Since the streamline direction of the vapor flow is relatively rotated around the normal direction of the surface to be vapor-deposited, a stimulable phosphor layer composed of fine columnar crystals having a small width can be obtained. Therefore, it is possible to obtain a radiation image conversion panel which is excellent in the sharpness of a radiation image and has a small change in sharpness depending on the reading direction. For convenience, the streamline direction of the vapor flow is defined as a point where the evaporation source is regarded as a point in consideration of the evaporation amount distribution in the vicinity of the evaporation source, and a direction connecting this point and each point on the surface of the substrate on which the evaporation is to be performed. Say. The normal direction of the deposition surface of the substrate is the normal direction when the deposition surface is approximated to a flat surface or a curved surface having a constant curvature.Partial warpage, undulation, or unevenness of the deposition surface is Shall not be taken into account.

【0011】[0011]

【実施例】図1の実施例では、基板1が水平な姿勢で固
定配置され、この基板1の被蒸着面1Aの下方側位置に
おいて輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源2が公転できる
ように配置されている。蒸発源2を被蒸着面1Aの中央
における法線方向Bを軸として公転させながら電子ビー
ム等の励起手段により蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形
成すると、当該蒸気流の流線方向Aが基板1の法線方向
Bの回りに相対的に回転することとなる。従って、基板
1の被蒸着面1Aにおいては、蒸気流が到達しにくい
「影」の部分が偏ることがなく、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。なお、前述のよ
うに蒸気流の流線方向Aとは、便宜上、蒸発源2近傍で
の蒸発量分布を考慮した上で蒸発源2を点とみなしてこ
の点と基板1の被蒸着面1Aの各点とを結ぶ方向をい
う。
In the embodiment shown in FIG. 1, a substrate 1 is fixedly arranged in a horizontal position, and an evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material can revolve at a position below a deposition surface 1A of the substrate 1. Are located in When the evaporation source 2 is evaporated by an excitation means such as an electron beam to form a steam flow while revolving the evaporation source 2 about the normal direction B at the center of the surface 1A to be evaporated, the streamline direction A of the steam flow becomes The substrate 1 relatively rotates around the normal direction B. Therefore, on the deposition surface 1A of the substrate 1, the "shadow" portion where the vapor flow is difficult to reach is not biased, and a stimulable phosphor layer made of fine columnar crystals having a small width is obtained. As described above, the streamline direction A of the vapor flow is, for convenience, considered as the point of the evaporation source 2 in consideration of the evaporation amount distribution near the evaporation source 2, and this point and the deposition surface 1 A of the substrate 1. Means the direction connecting each point.

【0012】図2の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる蒸発源2が固定配置され、この蒸発源2の上方側位
置において、水平面内において基板1がその中央におけ
る法線方向Bを中心にして自転できるように配置されて
いる。基板1を当該法線方向Bを軸として水平面内で自
転させながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源2
を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方
向Aが基板1の中央における法線方向Bの回りに相対的
に回転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結
晶からなる輝尽性蛍光体層が得られる。
In the embodiment shown in FIG. 2, an evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material is fixedly arranged, and at a position above the evaporation source 2, the substrate 1 moves in a horizontal plane in a normal direction B at the center thereof. It is arranged so that it can rotate around the center. While rotating the substrate 1 in a horizontal plane about the normal direction B, the evaporation source 2 is excited by an excitation means such as an electron beam.
Is evaporated to form a vapor flow, the streamline direction A of the vapor flow relatively rotates around the normal direction B at the center of the substrate 1. Therefore, a stimulable phosphor layer composed of fine columnar crystals having a small width can be obtained.

【0013】図3の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる蒸発源2を固定し、この蒸発源2の上方側位置にお
いて、傾斜面内において基板1がその中央における法線
方向Bを中心にして自転できるように配置されている。
基板1を当該法線方向Bを軸として傾斜面内で自転させ
ながら、電子ビーム等の励起手段により蒸発源2を蒸発
させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流の流線方向Aが
基板1の中央における法線方向Bの回りに相対的に回転
することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶から
なる輝尽性蛍光体層が得られる。
In the embodiment shown in FIG. 3, an evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material is fixed, and at a position above the evaporation source 2, the substrate 1 is moved in a normal direction B at the center thereof in an inclined plane. It is arranged so that it can rotate around the center.
When the evaporation source 2 is evaporated by an excitation means such as an electron beam to form a vapor flow while the substrate 1 is rotated on an inclined plane with the normal direction B as an axis, the streamline direction A of the vapor flow becomes Will rotate relatively in the direction of the normal B at the center of. Therefore, a stimulable phosphor layer composed of fine columnar crystals having a small width can be obtained.

【0014】図4の実施例では、輝尽性蛍光体材料から
なる円環状の蒸発源2が水平な姿勢で固定配置されると
共に、円環状の蒸発源2の中央部に電子ビーム発生装置
3が配置され、この蒸発源2の上方側位置において、基
板1が水平な姿勢で固定配置されている。電子ビーム発
生装置3よりの電子ビーム3Aの照射位置を、円環状の
蒸発源2の周に沿って順次またはランダムに移動させて
蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形成すると、当該蒸気流
の流線方向Aが基板1の法線方向Bの回りに相対的に回
転することとなる。従って、幅の狭い微細な柱状結晶か
らなる輝尽性蛍光体層が得られる。
In the embodiment shown in FIG. 4, an annular evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material is fixedly arranged in a horizontal position, and an electron beam generator 3 is provided at the center of the annular evaporation source 2. The substrate 1 is fixedly arranged in a horizontal position at a position above the evaporation source 2. When the irradiation position of the electron beam 3A from the electron beam generator 3 is sequentially or randomly moved along the circumference of the annular evaporation source 2 to evaporate the evaporation source 2 and form a steam flow, The streamline direction A relatively rotates around the normal direction B of the substrate 1. Therefore, a stimulable phosphor layer composed of fine columnar crystals having a small width can be obtained.

【0015】本発明において、気相堆積させる際には、
蒸気流の流線方向Aと、基板の被蒸着面の法線方向との
交角(鋭角)θ(図1参照)が0°より大きく80°以
下であることが好ましく、5°以上70°以下であるこ
とが特に好ましい。θが小さすぎると「影」の部分がで
きにくく、それを亀裂とする微細な柱状結晶も形成され
にくい。また、θが大きすぎると、蛍光体層の機械的強
度や基板に対する付着力が低下してしまい、きずや膜は
がれが発生しやすくなる。
In the present invention, when performing vapor phase deposition,
The intersection angle (acute angle) θ (see FIG. 1) between the streamline direction A of the vapor flow and the normal direction of the surface on which the substrate is to be deposited is preferably larger than 0 ° and 80 ° or less, preferably 5 ° or more and 70 ° or less. Is particularly preferred. If θ is too small, it is difficult to form a “shadow” portion, and it is difficult to form a fine columnar crystal having the portion as a crack. On the other hand, if θ is too large, the mechanical strength of the phosphor layer and the adhesion to the substrate are reduced, and the flaws and the peeling of the film are likely to occur.

【0016】また、図5に示すように、蒸気流の流線方
向Aを、基板1の被蒸着面1Aの法線方向Bの回りに相
対的に回転させる際には、蒸発源2を始点とし当該法線
が被蒸着面1Aと交差する各点を終点とする蒸気流ベク
トルの被蒸着面1A上の各点における総和ベクトルCと
被蒸着面1Aの法線方向との交角φが0°以上30°以
下であることが好ましく、0°以上10°以下であるこ
とが特に好ましい。区画された各微細柱状結晶が、被蒸
着面1A上の各点における蒸気流ベクトルの総和ベクト
ルCの方向にある程度傾きながら成長するが、その成長
方向が被蒸着面1Aの法線方向に近い(交角φが小さ
い)ほど蒸気流が「影」になることにより生ずる亀裂の
偏りが小さい。従って、当該総和ベクトルCの方向が被
蒸着面1Aの法線方向に近い(交角φが小さい)ほど、
放射線画像の読み取り方向による鮮鋭性の違いの小さい
放射線画像変換パネルを製造することが可能になる。
As shown in FIG. 5, when the streamline direction A of the vapor flow is relatively rotated around the normal direction B of the surface 1A of the substrate 1 to be evaporated, the evaporation source 2 is set at the starting point. The intersection angle φ between the sum vector C of the vapor flow vector at each point on the deposition surface 1A and the normal direction of the deposition surface 1A at each point where the normal intersects the deposition surface 1A is 0 °. It is preferably at least 30 ° and at most 30 °, particularly preferably at least 0 ° and at most 10 °. Each of the partitioned fine columnar crystals grows to some extent in the direction of the sum vector C of the vapor flow vectors at each point on the deposition surface 1A, and the growth direction is close to the normal direction of the deposition surface 1A ( The smaller the intersection angle φ), the smaller the deviation of cracks caused by the steam flow becoming “shadow”. Therefore, the closer the direction of the sum vector C is to the normal direction of the deposition target surface 1A (the smaller the intersection angle φ), the more
This makes it possible to manufacture a radiation image conversion panel having a small difference in sharpness depending on the reading direction of the radiation image.

【0017】本発明においては、気相堆積法により輝尽
性蛍光体層を形成するが、気相堆積法としては、蒸着法
が好ましく用いられ、特に、電子ビーム蒸着法、抵抗加
熱蒸着法が好ましく用いられる。蒸着法により輝尽性蛍
光体層を形成する場合には、蒸着を複数回行って多層構
成の輝尽性蛍光体層を形成してもよい。また、蒸着法に
おいては、蒸着時、必要に応じて基板を冷却または加熱
してもよい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を加熱
処理(アニーリング)してもよい。また、蒸着法におい
ては、必要に応じてO2 ,H2 等のガスを導入して反応
性蒸着を行ってもよい。
In the present invention, the stimulable phosphor layer is formed by a vapor deposition method. As the vapor deposition method, an evaporation method is preferably used. In particular, an electron beam evaporation method and a resistance heating evaporation method are used. It is preferably used. When the stimulable phosphor layer is formed by an evaporation method, the stimulable phosphor layer having a multilayer structure may be formed by performing vapor deposition a plurality of times. In the evaporation method, the substrate may be cooled or heated as needed during the evaporation. Further, the stimulable phosphor layer may be subjected to a heat treatment (annealing) after the deposition. In the vapor deposition method, reactive vapor deposition may be performed by introducing a gas such as O 2 or H 2 as necessary.

【0018】気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成工
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は0.1〜50
μm/分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコン
トロールが困難となる。ところで、蒸気流を基板面に対
して斜めから入射させることにより生ずる、蒸気流が到
達しにくい「影」の部分は、蒸気流の直進性が高い(回
り込みが少ない)ほど起こりやすいことは明らかであ
り、従って、亀裂によって区画された微細結晶を形成す
るには蒸着雰囲気圧力が低い(真空度が高い)ほど好ま
しい。具体的には、蒸着雰囲気圧力が5×10-4Tor
r以下であることが好ましく、5×10-5Torr以下
であることがより好ましい。また、気相堆積法による輝
尽性蛍光体層の形成工程において、結晶の巨大化による
画像の鮮鋭性の低下を防止する観点から、基板の温度は
蒸発物質の融点より100℃以上低いことが好ましい。
輝尽性蛍光体層の層厚は、目的とする放射線画像変換パ
ネルの放射線感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異な
るが、放射線吸収率の低下による放射線感度の低下を防
止する観点から、30〜1000μmが好ましく、特に
50〜500μmが好ましい。輝尽性蛍光体層の層厚が
小さすぎるときは、放射線吸収率が低下するため、放射
線感度が悪くなり、また層厚が大きすぎる場合には輝尽
励起光の横方向への広がりが増大するため画像の鮮鋭性
が悪くなる。
In the step of forming the stimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the deposition rate of the stimulable phosphor layer is 0.1 to 50.
μm / min is preferred. If the deposition rate is too low, the productivity will be low, and if the deposition rate is too high, it will be difficult to control the deposition rate. By the way, it is clear that the “shadow” portion, which is difficult to reach by the steam flow caused by making the steam flow obliquely incident on the substrate surface, is more likely to occur as the straightness of the steam flow is higher (there is less wraparound). Therefore, in order to form fine crystals partitioned by cracks, the lower the pressure of the deposition atmosphere (the higher the degree of vacuum), the better. Specifically, the deposition atmosphere pressure is 5 × 10 −4 Torr.
r, preferably 5 × 10 −5 Torr or less. Further, in the step of forming the stimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the temperature of the substrate is preferably at least 100 ° C. lower than the melting point of the evaporating substance from the viewpoint of preventing the sharpness of the image from being reduced due to the enlargement of the crystal. preferable.
The thickness of the stimulable phosphor layer depends on the radiation sensitivity of the intended radiation image conversion panel, the type of the stimulable phosphor, etc., but from the viewpoint of preventing a decrease in radiation sensitivity due to a decrease in radiation absorption, It is preferably from 30 to 1000 μm, particularly preferably from 50 to 500 μm. When the layer thickness of the stimulable phosphor layer is too small, the radiation absorptivity decreases, so that the radiation sensitivity deteriorates. When the layer thickness is too large, the lateral spread of the stimulable excitation light increases. Therefore, the sharpness of the image deteriorates.

【0019】図6および図7は、本発明の製造方法によ
り形成された輝尽性蛍光体層4の柱状結晶5を模式的に
示すものであり、柱状結晶5,5間にはほぼ均等にクラ
ック6が形成され、各柱状結晶5は独立した構造になっ
ている。従って、輝尽励起光や輝尽発光が各柱状結晶5
を鋭い指向性で進行するようになり、画像の鮮鋭性が向
上する。さらに、本発明の製造方法により形成された輝
尽蛍光体層の柱状結晶は、図7に示すaとbの平均の大
きさが大きく異ならないので、放射線画像の読み取り方
向が、横方向(図7のX方向)であっても、縦方向(図
7のY方向)であっても、鮮鋭性がほぼ均しくなる。
FIGS. 6 and 7 schematically show the columnar crystals 5 of the stimulable phosphor layer 4 formed by the manufacturing method of the present invention. Cracks 6 are formed, and each columnar crystal 5 has an independent structure. Therefore, the stimulating excitation light and the stimulating light are emitted from each columnar crystal 5.
With sharp directivity, and the sharpness of the image is improved. Further, since the columnar crystals of the stimulable phosphor layer formed by the manufacturing method of the present invention do not differ greatly in the average sizes of a and b shown in FIG. 7 (X direction) or the vertical direction (Y direction in FIG. 7), the sharpness is almost even.

【0020】柱状結晶5による輝尽励起光の散乱を防止
し、また輝尽励起光の指向性の低下を防止して、MTF
(画像の変調伝達関数)を良くするためには、柱状結晶
5の大きさは、縦幅aおよび横幅b(図7参照)がそれ
ぞれ1〜50μm程度がよく、特に1〜30μmが好ま
しい。なお、図6、図7に示す柱状結晶形状は模式的に
書かれたものであるので、これらの形に限定されるもの
ではなく、また、蛍光体層全体にわたって一定の形ある
いは一定の大きさである必要もない。
The scattering of the stimulating excitation light by the columnar crystal 5 and the decrease in the directivity of the stimulating excitation light are prevented, and the MTF is reduced.
In order to improve the (modulation transfer function of an image), the columnar crystal 5 preferably has a vertical width a and a horizontal width b (see FIG. 7) of about 1 to 50 μm, particularly preferably 1 to 30 μm. It should be noted that the columnar crystal shapes shown in FIGS. 6 and 7 are written schematically, and are not limited to these shapes. Further, the columnar crystal shapes have a uniform shape or a uniform size over the entire phosphor layer. It doesn't have to be.

【0021】図8は、本発明の製造方法により製造され
た放射線画像変換パネルの具体的構成例を示し、7は保
護層、8はスペーサ、9は低屈折率層である。基板1の
材料としては、ガラス、セラミックス、各種高分子材
料、金属等が用いられる。具体的には、石英ガラス、化
学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナある
いはジルコニアの焼結板等のセラミクス、あるいはセル
ロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィル
ム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポ
リカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、ア
ルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、鉄、ス
テンレス、銅、クロム等の金属シート等が挙げられる。
基板 の厚さは、その材質等によって異なるが、一般的
には100μm〜5mmが好ましく、取扱いの便利性か
ら、特に200μm〜2mmが好ましい。これらの基板
の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との付
着性を向上させる目的で粗面としてもよい。また基板の
大部分を滑面とし、周縁部のみを付着性を向上させる目
的で粗面としてもよい。この場合、粗面とした周縁部は
実質的に画像として用いない部分に止める方が、画質の
均一化の点で好ましい。
FIG. 8 shows a specific configuration example of the radiation image conversion panel manufactured by the manufacturing method of the present invention, wherein 7 is a protective layer, 8 is a spacer, and 9 is a low refractive index layer. As a material of the substrate 1, glass, ceramics, various polymer materials, metals, and the like are used. Specifically, quartz glass, glass such as chemically strengthened glass, crystallized glass, ceramics such as a sintered plate of alumina or zirconia, or cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate film, polyamide film, polyimide film, triacetate film , A plastic film such as a polycarbonate film, a metal sheet such as aluminum, an aluminum-magnesium alloy, iron, stainless steel, copper, and chromium.
The thickness of the substrate varies depending on its material and the like, but is generally preferably 100 μm to 5 mm, and particularly preferably 200 μm to 2 mm from the viewpoint of convenient handling. The surface of these substrates may be smooth or may be rough for the purpose of improving the adhesion to the stimulable phosphor layer. Further, most of the substrate may be made smooth, and only the peripheral portion may be made rough for the purpose of improving adhesion. In this case, it is preferable to stop the roughened peripheral portion at a portion that is not substantially used as an image, in terms of uniform image quality.

【0022】保護層7は、輝尽性蛍光体層4を物理的に
または化学的に保護するために設けられるものである。
この保護層7は、図8のように低屈折率層9を介して輝
尽性蛍光体層4に対向するように設けてもよいし、保護
層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成し
てもよい。またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性
蛍光体層上に接着してもよい。
The protective layer 7 is provided for physically or chemically protecting the stimulable phosphor layer 4.
This protective layer 7 may be provided so as to face the stimulable phosphor layer 4 via the low refractive index layer 9 as shown in FIG. It may be formed by directly applying on the upper surface. Further, a protective layer separately formed in advance may be bonded onto the stimulable phosphor layer.

【0023】保護層7を低屈折率層9を介して設ける場
合、当該保護層7の構成材料としては、透光性がよく、
シート状に成形できるものが使用される。保護層7は輝
尽励起光および輝尽発光を効率よく透過するために、広
い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、光透
過率は80%以上が好ましい。そのような材料として
は、石英、ホウケイ酸ガラス、化学的強化ガラス等の板
ガラスや、PET、延伸ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル等の有機高分子化合物が挙げられる。ホウケイ酸ガラ
スは330nm〜2.6μmの波長範囲で80%以上の
光透過率を示し、石英ガラスではさらに短波長において
も高い光透過率を示す。さらに、保護層7の表面に、M
gF2 等の反射防止層を設けると、輝尽励起光および輝
尽発光を効率よく透過すると共に、鮮鋭性の低下を小さ
くする効果もあり好ましい。保護層の厚さは、50〜5
000μmが好ましく、100〜3000μmがより好
ましい。
When the protective layer 7 is provided with the low refractive index layer 9 interposed therebetween, the constituent material of the protective layer 7 has good translucency,
What can be formed into a sheet is used. In order for the protective layer 7 to efficiently transmit stimulated excitation light and stimulated emission, it is desirable to exhibit a high light transmittance in a wide wavelength range, and the light transmittance is preferably 80% or more. Examples of such a material include plate glass such as quartz, borosilicate glass, and chemically strengthened glass, and organic polymer compounds such as PET, drawn polypropylene, and polyvinyl chloride. Borosilicate glass shows a light transmittance of 80% or more in a wavelength range of 330 nm to 2.6 μm, and quartz glass shows a high light transmittance even at a shorter wavelength. Furthermore, M
Providing an antireflection layer such as gF 2 is preferable because it has the effect of efficiently transmitting stimulated excitation light and stimulated emission and also has the effect of reducing sharpness deterioration. The thickness of the protective layer is 50 to 5
000 μm is preferred, and 100-3000 μm is more preferred.

【0024】保護層7を輝尽性蛍光体層4上に直接設け
る場合、当該保護層7の構成材料としては、酢酸セルロ
ース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用い
ることができる。また、この保護層6は、蒸着法、スパ
ッタリング法等により、SiC、SiO2 、SiN、A
2 3 等の無機物質を積層して形成してもよい。この
場合には、保護層7の層厚は、0.1〜100μmが好
ましく、1〜50μmがより好ましい。
When the protective layer 7 is provided directly on the stimulable phosphor layer 4, the constituent materials of the protective layer 7 include cellulose acetate, nitrocellulose, polymethyl methacrylate, and the like.
Polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polycarbonate, polyester, polyethylene terephthalate, polyethylene, vinylidene chloride, nylon and the like can be used. The protective layer 6 is made of SiC, SiO 2 , SiN, A
It may be formed by laminating inorganic substances such as l 2 O 3 . In this case, the thickness of the protective layer 7 is preferably from 0.1 to 100 μm, and more preferably from 1 to 50 μm.

【0025】低屈折率層9は、放射線画像の鮮鋭性をさ
らに向上させる観点から必要に応じて設けられるもので
ある。具体的には、CaF2 (屈折率1.23〜1.2
6)、Na3 AlF6 (屈折率1.35)、MgF
2 (屈折率1.38)、SiO2(屈折率1.46)等
からなる層;エタノール (屈折率1.36)、メタノ
ール (屈折率1.33)、ジエチルエーテル (屈折
率1.35)等の液体からなる層;空気、窒素、アルゴ
ン等の気体からなる層;真空層等のように屈折率が実質
的に1である層;等から選択される。特に、気体層また
は真空層が好ましい。この場合、低屈折率層9の厚さ
は、通常0.05〜3mmである。
The low refractive index layer 9 is provided as necessary from the viewpoint of further improving the sharpness of a radiation image. Specifically, CaF 2 (refractive index 1.23 to 1.2)
6), Na 3 AlF 6 (refractive index: 1.35), MgF
2 (refractive index: 1.38), SiO 2 (refractive index: 1.46), etc .; ethanol (refractive index: 1.36), methanol (refractive index: 1.33), diethyl ether (refractive index: 1.35) A layer made of a liquid such as air; a layer made of a gas such as air, nitrogen, or argon; a layer having a refractive index of substantially 1 such as a vacuum layer; Particularly, a gas layer or a vacuum layer is preferable. In this case, the thickness of the low refractive index layer 9 is usually 0.05 to 3 mm.

【0026】低屈折率層9は、輝尽性蛍光体層4と密着
していることが好ましく、従って、低屈折率層9が液体
層、気体層、真空層の場合には、そのままでよいが、低
屈折率層9をCaF2 、Na3 AlF6 、MgF2 、S
iO2 等を用いて保護層7の内面に設けた場合には、輝
尽性蛍光体層4と低屈折率層9は例えば接着剤等により
密着させればよい。
The low-refractive-index layer 9 is preferably in close contact with the stimulable phosphor layer 4. Therefore, when the low-refractive-index layer 9 is a liquid layer, a gas layer, or a vacuum layer, it may be left as it is. However, when the low refractive index layer 9 is formed of CaF 2 , Na 3 AlF 6 , MgF 2
When it is provided on the inner surface of the protective layer 7 using iO 2 or the like, the stimulable phosphor layer 4 and the low refractive index layer 9 may be brought into close contact with each other by, for example, an adhesive.

【0027】保護層7を輝尽性蛍光体層4に対して距離
をおいて配設する場合には、基板1と保護層7との間
に、輝尽性蛍光体層4を取囲むスペーサ8が設けられ
る。スペーサ8としては、輝尽性蛍光体層4を外部雰囲
気から遮断した状態で保持することができるものであれ
ば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プラ
スチック等を用いることができ、厚さは輝尽性蛍光体層
の厚さ以上であることが好ましい。
When the protective layer 7 is disposed at a distance from the stimulable phosphor layer 4, a spacer surrounding the stimulable phosphor layer 4 is provided between the substrate 1 and the protective layer 7. 8 are provided. The spacer 8 is not particularly limited as long as it can hold the stimulable phosphor layer 4 in a state of being shielded from the external atmosphere, and glass, ceramics, metal, plastic, or the like can be used. Is preferably not less than the thickness of the stimulable phosphor layer.

【0028】本発明において「輝尽性蛍光体」とは、最
初の光または高エネルギー放射線が照射された後に、光
的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激(輝尽
励起)により、最初の光または高エネルギー放射線の照
射量に対応した輝尽発光を示す蛍光体をいうが、実用的
な面からは、光的刺激(輝尽励起)により輝尽発光を示
す蛍光体が好ましく、波長が500nm以上1μm以下
の輝尽励起光によって輝尽発光を示す蛍光体が特に好ま
しい。
In the present invention, the term “stimulable phosphor” refers to a stimulus such as optical, thermal, mechanical, chemical, or electrical (stimulated excitation) after the first irradiation of light or high-energy radiation. ) Means a phosphor that shows stimulated emission corresponding to the dose of the first light or high-energy radiation, but from a practical viewpoint, a phosphor that shows stimulated emission by photostimulation (stimulated excitation). Is preferable, and a phosphor that emits stimulating light by stimulating excitation light having a wavelength of 500 nm or more and 1 μm or less is particularly preferable.

【0029】輝尽性蛍光体層 を構成する輝尽性蛍光体
としては、以下のものを用いることができる。 (1)特開昭48−80487号公報に記載のBaSO
4 :Ax (ただし、Aは、Dy,Tb,Tmの少なくと
も1種を表し、xは0.001≦x<1モル%を満たす
数を表す。)で表される蛍光体。 (2)特開昭48−80489号公報に記載のSrSO
4 :Ax (ただし、Aは、Dy,Tb, Tmの少なくと
も1種を表し、xは0.001≦x<1モル%を満たす
数を表す。)で表されている蛍光体。 (3)特開昭51−29889号公報に記載のNa2
4 ,CaSO4 , BaSO4 等にMn,Dy,Tbの
少なくとも1種を添加した蛍光体。 (4)特開昭52−30487号公報に記載のBeO,
LiF,MgSO4 , CaF2 等の蛍光体。 (5)特開昭53−39277号公報に記載のLi2
4 7 :Cu,Ag等の蛍光体。
The following can be used as the stimulable phosphor constituting the stimulable phosphor layer. (1) BaSO described in JP-A-48-80487
4 : Phosphor represented by A x (where A represents at least one of Dy, Tb, and Tm, and x represents a number satisfying 0.001 ≦ x <1 mol%). (2) SrSO described in JP-A-48-80489
4 : Phosphor represented by A x (where A represents at least one of Dy, Tb, and Tm, and x represents a number satisfying 0.001 ≦ x <1 mol%). (3) Na 2 S described in JP-A-51-29889
A phosphor in which at least one of Mn, Dy, and Tb is added to O 4 , CaSO 4 , BaSO 4, or the like. (4) BeO, described in JP-A-52-30487,
Phosphors such as LiF, MgSO 4 and CaF 2 . (5) Li 2 B described in JP-A-53-39277
4 O 7 : phosphor such as Cu and Ag.

【0030】(6)特開昭54−47883号公報に記
載のLi2 O・(B2 2 ) x :Cu(ただし、xは2
<x≦3を満たす数を表す。)、Li2 O・(B
2 2 ) x :Cu,Ag(ただし、xは2<x≦3を満
たす数を表す。)等の蛍光体。 (7)米国特許第3,859,527号明細書に記載の
SrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、La2 2
S:Eu,Sm、 (Zn,Cd) S:Mn,X(ただ
し、Xはハロゲンを表す。)で表される蛍光体。 (8)特開昭55−12142号公報に記載のZnS:
Cu,Pb蛍光体。 (9)同55−12142号公報に記載の一般式がBa
O・xAl2 3 :Eu(ただし、xは0.8≦x≦10
を満たす数を表す。) で表されるアルミン酸バリウム蛍
光体。 (10)同55−12142号公報に記載の一般式がM
I O・xSiO2 :A(ただし、MI は、Mg,Ca,
Sr,Zn,Cd, Baを表し、Aは、Ce,Tb,E
u,Tm,Pb,Tl,Bi,Mnの少なくとも1種を
表し、xは、0.5≦x<2.5を満たす数を表す。)
で表されるアルカリ土類金属ケイ酸塩系蛍光体。
(6) Li 2 O. (B 2 O 2 ) x : Cu (where x is 2) described in JP-A-54-47883.
<X ≦ 3. ), Li 2 O · (B
2 O 2 ) x : a phosphor such as Cu or Ag (where x represents a number satisfying 2 <x ≦ 3). (7) SrS: Ce, Sm, SrS: Eu, Sm, La 2 O 2 described in US Pat. No. 3,859,527.
S: Eu, Sm, (Zn, Cd) S: Phosphor represented by Mn, X (where X represents halogen). (8) ZnS described in JP-A-55-12142:
Cu, Pb phosphor. (9) The general formula described in JP-B-55-12142 is Ba.
O.xAl 2 O 3 : Eu (where x is 0.8 ≦ x ≦ 10
Represents a number that satisfies Barium aluminate phosphor represented by). (10) The general formula described in JP-A-55-12142 is represented by M
I O · xSiO 2: A (however, M I is, Mg, Ca,
Represents Sr, Zn, Cd, Ba, and A is Ce, Tb, E
u represents at least one of Tm, Pb, Tl, Bi, and Mn, and x represents a number satisfying 0.5 ≦ x <2.5. )
An alkaline earth metal silicate phosphor represented by the formula:

【0031】(11)同55−12142号公報に記載
の一般式が(Ba1-x-y Mgx Cay)FX:eEu2+
(ただし、Xは、Br,Clの少なくとも1種を表し、
x,y,eは、それぞれ、0<x+y≦0.6、xy≠
0、10-6≦e≦5×10-2を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 (12)同55− 12142号公報に記載の一般式が
LnOX:xA(ただし、Lnは、La,Y,Gd,L
uの少なくとも1種を表し、Xは、Cl,Brの少なく
とも1種を表し、Aは、Ce,Tbの少なくとも1種を
表し、xは、0<x<0.1を満たす数を表す。) で表
される蛍光体。 (13)特開昭55−12145号公報に記載の一般式
が (Ba1-x (MI x ) FX:yA(ただし、MI
は、Mg,Ca,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を
表し、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも1種を表し、
Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,N
d,Yb,Erの少なくとも1種を表し、x,yは、0
≦x≦0.6、0≦y≦0.2を満たす数を表す。) で
表される蛍光体。 (14)特開昭55−84389号公報に記載の一般式
がBaFX:xCe,yA(ただし、Xは、Cl,B
r,Iの少なくとも1種を表し、Aは、In,Tl,G
d,Sm,Zrの少なくとも1種を表し、x,yは、0
<x≦2×10-1、0<y≦5×10-2を満たす数を表
す。) で表される蛍光体。 (15)特開昭55−160078号公報に記載の一般
式が MI FX・xA:yLn(ただし、MI は、M
g,Ca,Ba,Sr,Zn,Cdの少なくとも1種を
表し、Aは、BeO,MgO,CaO,SrO,Ba
O,ZnO,Al2 3 ,Y2 3 ,La2 3 ,In
2 3 ,SiO2 ,TiO2 ,ZrO2 , GeO2 ,S
nO2 ,Nb2 5 ,Ta2 5 ,ThO2 の少なくと
も1種を表し、Lnは、Eu,Tb,Ce,Tm,D
y,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm,Gdの少な
くとも1種を表し、Xは、Cl,Br,Iの少なくとも
1種を表し、x,yは、5×10-5≦x≦0.5、0<
y≦0.2を満たす数を表す。) で表される希土類元素
付活2価金属フルオロハライド蛍光体。
(11) The general formula described in JP-A-55-12142 is represented by (Ba 1-xy Mg x C a y ) FX: eEu 2+
(Where X represents at least one of Br and Cl;
x, y, and e are 0 <x + y ≦ 0.6 and xy ≠, respectively.
It represents a number that satisfies 0, 10 −6 ≦ e ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by). (12) The general formula described in JP-A-55-12142 is LnOX: xA (where Ln is La, Y, Gd, L
u represents at least one kind, X represents at least one kind of Cl and Br, A represents at least one kind of Ce and Tb, and x represents a number satisfying 0 <x <0.1. The phosphor represented by). (13) When the general formula described in JP-A-55-12145 is (Ba 1-x (M I ) x ) FX: yA (where M I
Represents at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, and Cd; X represents at least one of Cl, Br, and I;
A is Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, N
represents at least one of d, Yb and Er, and x and y are 0
It represents a number that satisfies ≦ x ≦ 0.6 and 0 ≦ y ≦ 0.2. The phosphor represented by). (14) The general formula described in JP-A-55-84389 is BaFX: xCe, yA (where X is Cl, B
r, at least one of I, A is In, Tl, G
represents at least one of d, Sm, and Zr, and x and y are 0
<X ≦ 2 × 10 −1 and 0 <y ≦ 5 × 10 −2 . The phosphor represented by). (15) The general formula described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-160078 is M I FX · xA: yLn (where M I is M
g, at least one of Ca, Ba, Sr, Zn, and Cd, where A is BeO, MgO, CaO, SrO, Ba
O, ZnO, Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , In
2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , GeO 2 , S
represents at least one of nO 2 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , and ThO 2 , wherein Ln is Eu, Tb, Ce, Tm, D
y represents at least one kind of Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sm, and Gd, X represents at least one kind of Cl, Br, and I, and x and y represent 5 × 10 −5 ≦ x ≦ 0.5, 0 <
represents a number satisfying y ≦ 0.2. ) A rare earth element-activated divalent metal fluorohalide phosphor represented by the formula:

【0032】(16)同55−160078号公報に記
載の一般式がZnS:A、(Zn,Cd)S:A、Cd
S:A、ZnS:A,X、CdS:A,X(ただし、A
は、Cu,Ag,Au,Mnのいずれかを表し、Xは、
ハロゲンを表す。)で表される蛍光体。 (17)特開昭59− 38278号公報に記載の 一般式〔I〕 xM3 (PO4 ) 2 ・NX2 :yA 一般式〔II〕 M3 (PO4 ) 2 ・yA (式中、M,Nは、それぞれ、Mg,Ca,Sr,B
a,Zn,Cdの少なくとも1種を表し、Xは、F,C
l,Br,Iの少なくとも1種を表し、Aは、Eu,T
b,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,E
r,Sb,Tl,Mn,Snの少なくとも1種を表し、
x,yは、0<x≦6、0≦y≦1を満たす数を表
す。)で表される蛍光体。 (18)特開昭59−155487号公報に記載の 一般式〔III〕 nReX3 ・mAX' 2 :xEu 一般式〔IV〕 nReX3 ・mAX' 2 :xEu,
ySm (式中、Reは、La,Gd,Y,Luの少なくとも1
種を表し、Aは、Ba,Sr,Caの少なくとも1種の
アルカリ土類金属を表し、X,X’は、F,Cl,Br
の少なくとも1種を表し、x,yは、1×10-4<x<
3×10-1、1×10-4<y<1×10-1を満たす数を
表し、n/mは、1×10-3<n/m<7×10-1を満
たす数を表す。) で表される蛍光体。 (19)特開平2−58593号公報に記載の一般式 aBaX2 ・(1−a)BaY2 :bEu2+ (式中、X,Yは、それぞれ、F,Cl,Br,Iの少
なくとも1種を表し、X≠Yであり、a,bは、0<a
<1、10-5<b<10-1を満たす数を表す。)で表さ
れる蛍光体。 (20)特開昭61−72087号公報に記載の一般式 MI X・aMIIX' 2 ・bMIII X''3 :cA (ただし、MI は、Li,Na,K,Rb,Csの少な
くとも1種のアルカリ金属を表し、MIIは、Be,M
g,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Niの少な
くとも1種の2価の金属を表し、MIII は、Sc,Y,
La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,T
b,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,G
a,Inの少なくとも1種の3価の金属を表し、X,
X' , X''は、F,Cl,Br,Iの少なくとも1種の
ハロゲンを表し、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,D
y,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,S
m,Y,Tl,Na,Ag,Cu,Mgの少なくとも1
種の金属を表し、a,b,cは、0≦a<0.5、0≦
b<0.5、0<c≦0.2を満たす数を表す。) で表
されるアルカリハライド蛍光体。
(16) The general formulas described in JP-A-55-160078 are ZnS: A, (Zn, Cd) S: A, Cd
S: A, ZnS: A, X, CdS: A, X (where A
Represents any of Cu, Ag, Au, and Mn, and X represents
Represents halogen. The phosphor represented by). (17) General formula [I] xM 3 (PO 4 ) 2 .NX 2 : yA described in JP-A-59-38278: General formula [II] M 3 (PO 4 ) 2 .yA (wherein M , N are Mg, Ca, Sr, and B, respectively.
a represents at least one of Zn, Cd, and X represents F, C
1, at least one of Br, I, and A represents Eu, T
b, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, E
represents at least one of r, Sb, Tl, Mn, and Sn;
x and y represent numbers that satisfy 0 <x ≦ 6 and 0 ≦ y ≦ 1. The phosphor represented by). (18) General formula [III] described in JP-A-59-155487: nReX 3 .MAX ' 2 : xEu General formula [IV] nReX 3 .MAX' 2 : xEu,
ySm (where Re is at least one of La, Gd, Y, and Lu)
A represents a species, A represents at least one alkaline earth metal of Ba, Sr, Ca, and X, X ′ represent F, Cl, Br
Wherein x and y are 1 × 10 −4 <x <
3 × 10 −1 , 1 × 10 −4 <y <1 × 10 −1 , and n / m represents a number satisfying 1 × 10 −3 <n / m <7 × 10 −1 . The phosphor represented by). (19) General formula aBaX 2 · (1-a) BaY 2 : bEu 2+ described in JP-A-2-58593 (wherein X and Y are at least one of F, Cl, Br and I, respectively) Represents a seed, X ≠ Y, and a and b are 0 <a
<1, 10 −5 <b <10 −1 . The phosphor represented by). (20) JP formula described in JP 61-72087 M I X · aM II X '2 · bM III X''3: cA ( However, M I is, Li, Na, K, Rb , Cs M II represents Be, M
g, at least one divalent metal of Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu, Ni, and M III is Sc, Y,
La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, T
b, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, G
a, In represents at least one trivalent metal of In,
X ′, X ″ represent at least one halogen of F, Cl, Br, I, and A represents Eu, Tb, Ce, Tm, D
y, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, S
at least one of m, Y, Tl, Na, Ag, Cu, Mg
A, b, c, where 0 ≦ a <0.5, 0 ≦
It represents a number that satisfies b <0.5 and 0 <c ≦ 0.2. ) An alkali halide phosphor represented by the formula:

【0033】本発明においては、アルカリハライド蛍光
体が蒸着法に好適であることから特に好ましく用いるこ
とができる。ただし、本発明においては、以上の蛍光体
に限定されず、放射線を照射した後、輝尽励起光を照射
した場合に輝尽発光を示す蛍光体であって、気相堆積で
きるものであれば、その他の蛍光体をも用いることがで
きる。
In the present invention, an alkali halide phosphor can be particularly preferably used because it is suitable for a vapor deposition method. However, in the present invention, the phosphor is not limited to the above phosphor, and is a phosphor that emits stimulated light when irradiated with radiation and then irradiated with stimulated excitation light, as long as it can be vapor-deposited. And other phosphors can also be used.

【0034】図9は本発明の方法により製造された放射
線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装
置の一例の概略を示し、10は放射線発生装置、11は被写
体、12は放射線画像変換パネル、13は輝尽励起光源、14
は放射線画像変換パネル12より放射された輝尽発光を検
出する光電変換装置、15は光電変換装置14で検出された
信号を画像として再生する再生装置、16は再生装置15に
より再生された画像を表示する表示装置、17は輝尽励起
光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフ
ィルターである。この放射線画像変換装置においては、
放射線発生装置10からの放射線は被写体11を通して放射
線画像変換パネル12に入射する。この入射した放射線は
放射線画像変換パネル12の輝尽性蛍光体層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源13からの輝
尽励起光で励起して輝尽発光として放射させる。放射さ
れる輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量
に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の
光電変換装置14で光電変換し、再生装置15によって画像
として再生し、表示装置16によって表示することによ
り、被写体11の放射線透過像を観察することができる。
FIG. 9 schematically shows an example of a radiation image conversion apparatus constituted by using a radiation image conversion panel manufactured by the method of the present invention, wherein 10 is a radiation generator, 11 is a subject, and 12 is a radiation image conversion apparatus. Panel, 13 is stimulating excitation light source, 14
Is a photoelectric conversion device that detects stimulated emission emitted from the radiation image conversion panel 12, 15 is a reproduction device that reproduces the signal detected by the photoelectric conversion device 14 as an image, and 16 is an image that is reproduced by the reproduction device 15. The display device 17 for displaying is a filter that separates the stimulating light and the stimulating light and transmits only the stimulating light. In this radiation image conversion device,
Radiation from the radiation generator 10 enters the radiation image conversion panel 12 through the subject 11. This incident radiation is absorbed by the stimulable phosphor layer of the radiation image conversion panel 12,
The energy is accumulated, and an accumulation image of the radiation transmission image is formed. Next, this accumulated image is excited by stimulating light from the stimulating light source 13 and emitted as stimulating light. Since the intensity of the emitted stimulating luminescence is proportional to the amount of accumulated radiation energy, this optical signal is photoelectrically converted by a photoelectric conversion device 14 such as a photomultiplier tube, and reproduced as an image by a reproduction device 15, By displaying the image on the display device 16, a radiation transmission image of the subject 11 can be observed.

【0035】以下、さらに具体的な実施例について説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 〔実施例1〕図1に示すように、厚さが0.5mm、大
きさが100mm×100mmで、表面が平滑なアルミ
ニウム板からなり、1×10-5Torr以下の雰囲気圧
力下で250℃の温度に加熱された基板1を水平な姿勢
で固定配置し、この基板1の被蒸着面1Aの下方側にお
いて輝尽性蛍光体材料(RbBr:1×10-4Tl)か
らなる蒸発源2を、基板1の被蒸着面1Aの法線方向を
軸として公転できるように配置した。蒸発源2を被蒸着
面1Aの法線方向を軸として水平面内で公転させなが
ら、電子ビームにより蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板1の被蒸着面1Aに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、蒸気流の流線方向Aと、基板の被蒸着面中
央部分での法線方向との交角(鋭角)θは45°に設定
した。得られた輝尽性蛍光体層を電子顕微鏡により観察
したところ、縦幅aの平均が7μm、横幅bの平均が1
1μm、膜厚が250μmの微細な柱状結晶から構成さ
れていることが確認できた。この輝尽性蛍光体層上に、
乾燥した窒素ガスからなる低屈折率層を介してガラス板
からなる保護層を設けて、放射線画像変換パネル1を製
造した。
Hereinafter, more specific examples will be described, but the present invention is not limited to these examples. EXAMPLE 1 As shown in FIG. 1, an aluminum plate having a thickness of 0.5 mm, a size of 100 mm × 100 mm, and a smooth surface was formed at 250 ° C. under an atmospheric pressure of 1 × 10 −5 Torr or less. Is fixed in a horizontal position, and an evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material (RbBr: 1 × 10 −4 Tl) is provided below the deposition surface 1A of the substrate 1. Are arranged so as to be able to revolve around the normal direction of the deposition surface 1A of the substrate 1 as an axis. While revolving the evaporation source 2 in a horizontal plane about the normal direction of the deposition surface 1A as an axis, the evaporation source 2 is evaporated by an electron beam to form a vapor flow, and the stimulable fluorescent light is emitted on the deposition surface 1A of the substrate 1. A body layer was formed. However, the intersection angle (the acute angle) θ between the streamline direction A of the vapor flow and the normal direction at the central portion of the deposition surface of the substrate was set to 45 °. When the obtained stimulable phosphor layer was observed with an electron microscope, the average of the vertical width a was 7 μm and the average of the horizontal width b was 1
It was confirmed that it was composed of fine columnar crystals having a thickness of 1 μm and a thickness of 250 μm. On this stimulable phosphor layer,
The radiation image conversion panel 1 was manufactured by providing a protective layer made of a glass plate via a low refractive index layer made of dried nitrogen gas.

【0036】〔実施例2〕図2に示すように、実施例1
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源2を固定配置
し、この蒸発源2の上方側位置において、実施例1と同
様の基板1を水平面内においてその中央における法線方
向Bを中心にして自転できるように配置した。基板1を
当該法線方向Bを軸として水平面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板1の被蒸着面1Aに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは45°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅a
の平均が7μm、横幅bの平均が11μm、膜厚が25
0μmの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例1と同様にして放射線画像変換パネ
ル2を製造した。
[Embodiment 2] As shown in FIG.
An evaporation source 2 made of the same stimulable phosphor material is fixedly arranged. At a position above the evaporation source 2, a substrate 1 similar to that of the first embodiment is centered on a horizontal plane in a normal direction B at the center thereof. It was arranged so that it could rotate. While rotating the substrate 1 in a horizontal plane with the normal direction B as an axis,
The evaporation source 2 was evaporated by an electron beam to form a vapor flow, and a stimulable phosphor layer was formed on the surface 1A of the substrate 1 on which the evaporation was performed. However, the intersection angle θ was set to 45 °. Observation of the resulting stimulable phosphor layer with an electron microscope revealed that the vertical width a
Has an average of 7 μm, an average width of 11 μm, and a thickness of 25 μm.
It was confirmed that it was composed of fine columnar crystals of 0 μm. Thereafter, a radiation image conversion panel 2 was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0037】〔実施例3〕図3に示すように、実施例1
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源2を固定配置
し、この蒸発源2の上方側位置において、実施例1と同
様の基板1を傾斜面内においてその中央における法線方
向Bを中心にして自転できるように配置した。基板1を
当該法線方向Bを軸として傾斜面内で自転させながら、
電子ビームにより蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形成
し、基板1の被蒸着面1Aに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは40°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅a
の平均が8μm、横幅bの平均が11μm、膜厚が25
0μmの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例1と同様にして放射線画像変換パネ
ル3を製造した。
[Embodiment 3] As shown in FIG.
An evaporation source 2 made of the same stimulable phosphor material is fixedly arranged. At a position above the evaporation source 2, a substrate 1 similar to that of the first embodiment is placed on an inclined plane in a normal direction B at the center thereof. It was arranged so that it could rotate around the center. While rotating the substrate 1 in the inclined plane with the normal direction B as an axis,
The evaporation source 2 was evaporated by an electron beam to form a vapor flow, and a stimulable phosphor layer was formed on the surface 1A of the substrate 1 on which the evaporation was performed. However, the intersection angle θ was set to 40 °. Observation of the resulting stimulable phosphor layer with an electron microscope revealed that the vertical width a
Is 8 μm, the average width b is 11 μm, and the film thickness is 25 μm.
It was confirmed that it was composed of fine columnar crystals of 0 μm. Thereafter, a radiation image conversion panel 3 was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0038】〔実施例4〕図4に示すように、実施例1
と同様の輝尽性蛍光体材料からなる円環状の蒸発源2を
水平な姿勢で固定配置すると共に、円環状の蒸発源2の
中央部に電子ビーム発生装置3を配置し、この蒸発源2
の上方側位置において、実施例1と同様の基板1を水平
な姿勢で固定配置した。電子ビーム発生装置3よりの電
子ビーム3Aの照射位置を、円環状の蒸発源2の周に沿
って順次に移動させて蒸発源2を蒸発させて蒸気流を形
成し、基板1の被蒸着面1Aに輝尽性蛍光体層を形成し
た。ただし、交角θは40°に設定した。得られた輝尽
性蛍光体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅a
の平均が8μm、横幅bの平均が11μm、膜厚が25
0μmの微細な柱状結晶から構成されていることが確認
できた。以下実施例1と同様にして放射線画像変換パネ
ル4を製造した。
[Fourth Embodiment] As shown in FIG.
An annular evaporation source 2 made of a stimulable phosphor material similar to the above is fixedly arranged in a horizontal position, and an electron beam generator 3 is arranged at the center of the annular evaporation source 2.
, The substrate 1 similar to that of Example 1 was fixedly arranged in a horizontal posture. The irradiation position of the electron beam 3A from the electron beam generator 3 is sequentially moved along the circumference of the annular evaporation source 2 to evaporate the evaporation source 2 to form a vapor flow, and the surface of the substrate 1 to be evaporated. A stimulable phosphor layer was formed on 1A. However, the intersection angle θ was set to 40 °. Observation of the resulting stimulable phosphor layer with an electron microscope revealed that the vertical width a
Is 8 μm, the average width b is 11 μm, and the film thickness is 25 μm.
It was confirmed that it was composed of fine columnar crystals of 0 μm. Thereafter, a radiation image conversion panel 4 was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0039】〔比較例1〕図10に示すように、実施例
1と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源2を固定配
置し、この蒸発源2の上方側位置において、実施例1と
同様の基板1を交角θが40°となる傾斜面内において
自転できないように固定配置した。電子ビームにより蒸
発源2を蒸発させて蒸気流を形成し、基板1の被蒸着面
1Aに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、縦幅aの平均
が6μm、横幅bの平均が26μm、膜厚が250μm
の幅広い板状結晶から構成されていることが確認でき
た。以下実施例1と同様にして放射線画像変換パネルa
を製造した。
Comparative Example 1 As shown in FIG. 10, an evaporation source 2 made of the same stimulable phosphor material as in Example 1 was fixedly arranged. The substrate 1 is fixedly arranged so that it cannot rotate on an inclined plane where the intersection angle θ is 40 °. The evaporation source 2 was evaporated by an electron beam to form a vapor flow, and a stimulable phosphor layer was formed on the surface 1A of the substrate 1 on which the evaporation was performed. Observation of the resulting stimulable phosphor layer with an electron microscope revealed that the average of the vertical width a was 6 μm, the average of the horizontal width b was 26 μm, and the film thickness was 250 μm.
It was confirmed that it was composed of a wide range of plate-like crystals. Hereinafter, the radiation image conversion panel a is set in the same manner as in the first embodiment.
Was manufactured.

【0040】〔比較例2〕図11に示すように、実施例
1と同様の輝尽性蛍光体材料からなる蒸発源2を固定配
置し、この蒸発源2の上方側位置において、実施例1と
同様の基板1を水平面内においてその中央における法線
方向Bを中心にして自転できるように配置した。ただ
し、蒸発源2は基板1の被蒸着面1Aの中央における法
線方向の直下に配置した。基板1を当該法線方向Bを軸
として水平面内で自転させながら、電子ビームにより蒸
発源2を蒸発させて蒸気流を形成し、基板1の被蒸着面
1Aに輝尽性蛍光体層を形成した。得られた輝尽性蛍光
体層を電子顕微鏡により観察したところ、柱状結晶にな
っていないことが確認できた。以下実施例1と同様にし
て放射線画像変換パネルbを製造した。
Comparative Example 2 As shown in FIG. 11, an evaporation source 2 made of the same stimulable phosphor material as in Example 1 was fixedly arranged. A substrate 1 similar to that described above was arranged so as to be able to rotate around a normal direction B at the center thereof in the horizontal plane. However, the evaporation source 2 was disposed immediately below the center of the deposition surface 1A of the substrate 1 in the normal direction. While rotating the substrate 1 in a horizontal plane about the normal direction B as the axis, the evaporation source 2 is evaporated by an electron beam to form a vapor flow, and a stimulable phosphor layer is formed on the deposition surface 1A of the substrate 1. did. When the obtained stimulable phosphor layer was observed with an electron microscope, it was confirmed that no columnar crystal was formed. Thereafter, a radiation image conversion panel b was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0041】評価 以上のようにして製造した放射線画像変換パネル1〜4
と比較用の放射線画像変換パネルa,bをそれぞれ用い
て、図9に示す構成の放射線画像変換装置を用いて、実
際に放射線画像を形成する試験を行い、下記のようにし
て放射線画像の鮮鋭性を調べた。
Evaluation Radiation image conversion panels 1-4 manufactured as described above
A radiation image conversion apparatus having the configuration shown in FIG. 9 is used to perform a test for actually forming a radiation image by using the radiation image conversion panels a and b for comparison, respectively. The sex was examined.

【0042】鮮鋭性 放射線画像変換パネルにCTFチャートを貼付けた後、
管電圧80kVP-P のX線を10mR(管球からパネル
までの距離:1.5m)照射した後、半導体レーザ光
(発振波長:780nm、ビーム径:100μm)で走
査して輝尽励起し、CTFチャート像を輝尽性蛍光体層
から放射される輝尽発光として読取り、光検出器 (光電
子増倍管) で光電変換して画像信号を得た。この信号値
により、画像の変調伝達関数 (MTF)を調べ、放射線
画像の鮮鋭性を相対値で評価した。なお、MTFは、空
間周波数が3サイクル/mmの時の値である。以上の結
果を後記表1に示した。
Sharpness After attaching the CTF chart to the radiation image conversion panel,
After irradiating X-rays with a tube voltage of 80 kV PP at 10 mR (distance from the tube to the panel: 1.5 m), the substrate is scanned with a semiconductor laser beam (oscillation wavelength: 780 nm, beam diameter: 100 μm) to stimulate excitation, and CTF is excited. The chart image was read as stimulated emission emitted from the stimulable phosphor layer, and photoelectrically converted by a photodetector (photomultiplier) to obtain an image signal. Based on this signal value, the modulation transfer function (MTF) of the image was examined, and the sharpness of the radiation image was evaluated as a relative value. The MTF is a value when the spatial frequency is 3 cycles / mm. The above results are shown in Table 1 below.

【0043】[0043]

【表1】 [Table 1]

【0044】表1から明らかなように、本発明の製造方
法によれば、放射線画像の鮮鋭性が優れ、しかも鮮鋭性
が読取り方向によってあまり変化せず、画質の均一性の
点でも良好な放射線画像変換パネルが得られる。
As is clear from Table 1, according to the production method of the present invention, the radiation image is excellent in sharpness, the sharpness does not change much depending on the reading direction, and the radiation image has good uniformity in image quality. An image conversion panel is obtained.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、幅の狭い精度の高い柱状結晶からなる輝尽性蛍光
体層を形成することができ、放射線画像の鮮鋭性が優
れ、しかも読取り方向による鮮鋭性の変化が小さいため
画質の均一性の点でも良好な放射線画像変換パネルを製
造することができる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to form a stimulable phosphor layer composed of a columnar crystal having a narrow width and high accuracy, and to provide excellent radiation image sharpness. In addition, since the change in sharpness depending on the reading direction is small, it is possible to manufacture a good radiation image conversion panel in terms of uniformity of image quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】輝尽性蛍光体層の製造例を示す図である。FIG. 1 is a view showing a production example of a stimulable phosphor layer.

【図2】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。FIG. 2 is a view showing another example of manufacturing a stimulable phosphor layer.

【図3】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。FIG. 3 is a view showing another example of manufacturing a stimulable phosphor layer.

【図4】輝尽性蛍光体層の他の製造例を示す図である。FIG. 4 is a view showing another example of manufacturing a stimulable phosphor layer.

【図5】蒸気流ベクトルの総和ベクトルと被蒸着面の法
線方向との交角φの説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of an intersection angle φ between a sum vector of vapor flow vectors and a normal direction of a surface to be vapor-deposited.

【図6】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a stimulable phosphor layer made of a columnar crystal.

【図7】柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を模式的に示
した斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view schematically showing a stimulable phosphor layer made of a columnar crystal.

【図8】放射線画像変換パネルの具体的構成例を示した
断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a specific configuration example of the radiation image conversion panel.

【図9】放射線画像変換装置の一例の概略を示した説明
図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram schematically showing an example of a radiation image conversion apparatus.

【図10】比較例1の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of Comparative Example 1.

【図11】比較例2の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of Comparative Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 蒸発源 3 電子ビーム発生装置 4 輝尽性蛍
光体層 5 柱状結晶 6 クラック 7 保護層 8 スペーサ 9 低屈折率層 10 放射線発
生装置 11 被写体 12 放射線画
像変換パネル 13 輝尽励起光源 14 光電変換
装置 15 再生装置 16 表示装置 17 フィルター
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Evaporation source 3 Electron beam generator 4 Stimulable phosphor layer 5 Columnar crystal 6 Crack 7 Protective layer 8 Spacer 9 Low refractive index layer 10 Radiation generator 11 Subject 12 Radiation image conversion panel 13 Stimulation excitation light source 14 Photoelectric Conversion device 15 Reproduction device 16 Display device 17 Filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21K 4/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G21K 4/00

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 蒸気流を用いて基板の被蒸着面に輝尽性
蛍光体を気相堆積させて少なくとも一層の輝尽性蛍光体
層を形成する工程を含む放射線画像変換パネルの製造方
法において、 前記蒸気流の流線方向を、前記基板の被蒸着面の法線方
向の回りに相対的に回転させながら、基板の被蒸着面に
輝尽性蛍光体を気相堆積させることを特徴とする放射線
画像変換パネルの製造方法。
1. A method for manufacturing a radiation image conversion panel, comprising a step of vapor-depositing a stimulable phosphor on a surface of a substrate using a vapor flow to form at least one stimulable phosphor layer. The method further comprises vapor-depositing a stimulable phosphor on the deposition surface of the substrate while relatively rotating the streamline direction of the vapor flow around the normal direction of the deposition surface of the substrate. Of manufacturing a radiation image conversion panel.
JP04083191A 1992-03-05 1992-03-05 Manufacturing method of radiation image conversion panel Expired - Fee Related JP3130633B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04083191A JP3130633B2 (en) 1992-03-05 1992-03-05 Manufacturing method of radiation image conversion panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04083191A JP3130633B2 (en) 1992-03-05 1992-03-05 Manufacturing method of radiation image conversion panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05249299A JPH05249299A (en) 1993-09-28
JP3130633B2 true JP3130633B2 (en) 2001-01-31

Family

ID=13795436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04083191A Expired - Fee Related JP3130633B2 (en) 1992-03-05 1992-03-05 Manufacturing method of radiation image conversion panel

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3130633B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7087908B2 (en) 2000-09-11 2006-08-08 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
US7141803B2 (en) 2000-09-11 2006-11-28 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4765292B2 (en) * 2004-01-06 2011-09-07 コニカミノルタエムジー株式会社 Radiation image reading method, radiation image reading apparatus, and stimulable phosphor plate
US7164140B2 (en) 2004-03-31 2007-01-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Stimulable phosphor panel and method of producing stimulable phosphor panel
JP2006090709A (en) 2004-09-21 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd Storage phosphor panel
JP2006098076A (en) * 2004-09-28 2006-04-13 Konica Minolta Medical & Graphic Inc Radiographic image conversion panel
JP5119572B2 (en) * 2005-02-10 2013-01-16 コニカミノルタエムジー株式会社 Radiation image conversion panel and manufacturing method thereof
US8080334B2 (en) 2005-08-02 2011-12-20 Panasonic Corporation Lithium secondary battery
KR100904351B1 (en) * 2005-11-07 2009-06-23 파나소닉 주식회사 Electrode for lithium secondary battery, lithium secondary battery and method for producing the same
JP5043338B2 (en) 2006-01-19 2012-10-10 パナソニック株式会社 Lithium secondary battery
JP2007263618A (en) * 2006-03-27 2007-10-11 Fujifilm Corp Method for manufacturing stimulable phosphor panel, and stimulable phosphor panel
WO2013089015A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 株式会社 東芝 Device for producing radiation detection panel and method for producing radiation detection panel
JP2015001387A (en) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社東芝 Method for manufacturing radiation detector
JP6508790B2 (en) * 2017-10-11 2019-05-08 キヤノン電子管デバイス株式会社 Method of manufacturing radiation detector

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7087908B2 (en) 2000-09-11 2006-08-08 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
US7141803B2 (en) 2000-09-11 2006-11-28 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them
EP2267485A1 (en) 2000-09-11 2010-12-29 Hamamatsu Photonics K.K. Method for making a scintillator panel and a radiation image sensor
USRE42281E1 (en) 2000-09-11 2011-04-12 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel, radiation image sensor and methods of producing them

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05249299A (en) 1993-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2899812B2 (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method thereof
JP2677818B2 (en) Radiation image conversion panel
US20030155529A1 (en) Radiation image conversion panel
JP3130633B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP2003248097A (en) Radiation image conversion panel and its production method
JPH0677079B2 (en) Radiation image information reader
JPH06230198A (en) Radiation image conversion panel
JP2008014892A (en) Radiological image conversion panel, and manufacturing method of same
JP3130632B2 (en) Radiation image conversion panel
JPH0631902B2 (en) Radiation image conversion panel manufacturing method
JPH0727079B2 (en) Radiation image information reader
JP3034587B2 (en) Radiation image conversion panel
JP2741209B2 (en) Radiation image conversion panel
JP3164598B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP3130611B2 (en) Radiation image conversion panel
JP4731091B2 (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method thereof
JPH0718958B2 (en) Radiation image conversion panel
JP3070940B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP3070944B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
US7183561B2 (en) Radiation image conversion panel and manufacturing method thereof
JP2006219574A (en) Radiation image transformation panel and method for producing the same
JP2829610B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP3070943B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JP3041717B2 (en) Manufacturing method of radiation image conversion panel
JPH0827397B2 (en) Radiation image conversion panel

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081117

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees