JP2013093418A - 半導体装置用パッケージの集合体、半導体装置の集合体、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】折り曲げられた複数のコンタクト10を保持する白色の樹脂で成形された第1ハウジング20の所定の領域を、黒色の樹脂で形成された第2ハウジング30で覆い、複数の第2ハウジング30を二次成形用キャリア60で高密度に支持する。コンタクト10の連結部と第1、第2ハウジング20,30の一方又は両方にインサートモールド成形により一体化されている。
【選択図】図4
Description
20:第1ハウジング、20a:第1ハウジングの正面、20b:第1ハウジングの背面、20c:第1ハウジングの側面、20d:第1ハウジングの内周面、20e:第1ハウジングの天井面、21:収容空間
30:第2ハウジング
40:一次成形用キャリア
50:パッケージ中間体
60:二次成形用キャリア、61:ハウジング収容孔、62:突起部
70:半導体装置用パッケージ
80:半導体装置用パッケージの集合体
100:発光ダイオード(半導体素子)
110:透明な樹脂
120:発光装置(半導体装置)
200:プリント基板(基板)
210:黒色の樹脂層
300:表示装置
H:高さ方向
C:高さ方向Hと直交する方向
Claims (8)
- 所定の形状に折り曲げられた複数のコンタクトと、明色の樹脂で成形され、前記複数のコンタクトを保持する第1ハウジングと、暗色の樹脂で成形され、前記第1ハウジングの所定の領域を覆う第2ハウジングと、複数の前記第2ハウジングを高密度に支持するキャリアとを備え、
前記コンタクトは、半導体素子が接続される第1接続部と、基板に接続される第2接続部と、前記第1、第2接続部を連結する連結部とを有し、
前記第1接続部は、前記第1ハウジングの上面部に形成された前記半導体素子を収容する収容空間へ露出し、
前記第2接続部は、前記第1、第2ハウジングの下部から外部へ露出し、
前記連結部と少なくとも前記第1ハウジングとがインサートモールド成形により一体化されている
ことを特徴とする半導体装置用パッケージの集合体。 - 前記コンタクトの厚さ寸法は前記キャリアの厚さ寸法より小さい
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置用パッケージの集合体。 - 前記連結部は前記第1ハウジングの高さ方向へ延び、
前記第1、第2接続部は前記第1ハウジングの高さ方向と直交する方向へ延びる
ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置用パッケージの集合体。 - 前記所定の領域が、前記第1ハウジングの外周面と前記第1ハウジングの内部壁面とである
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置用パッケージの集合体。 - 前記連結部が前記第1ハウジングと前記第2ハウジングとで挟みつけられている
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置用パッケージの集合体。 - 請求項1〜5のいずれか1項記載の前記第1接続部に接続された前記半導体素子が、前記収容空間に充填された透明な樹脂によって前記収容空間に封止されている
ことを特徴とする半導体装置の集合体。 - 前記半導体素子が発光ダイオードであることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の集合体。
- 所定の形状に折り曲げられた複数のコンタクトと、明色の樹脂で成形され、前記複数のコンタクトを保持する第1ハウジングと、暗色の樹脂で成形され、前記第1ハウジングの所定の領域を覆う第2ハウジングとを備え、
前記コンタクトは、半導体素子が接続される第1接続部と、基板に接続される第2接続部と、前記第1、第2接続部を連結する連結部とを有し、
前記第1接続部は、前記第1ハウジングの上面部に形成された前記半導体素子を収容する収容空間に露出し、
前記第2接続部は、前記第1、第2ハウジングの下部から外部へ露出し、
前記連結部と少なくも前記第1ハウジングとがインサートモールド成形により一体化されている
半導体装置の製造方法であって、
前記コンタクトの前記連結部を前記明色の樹脂でインサートモールド成形して前記第1ハウジングに保持させる一次成形工程と、
前記一次成形工程の後、前記複数のコンタクトを支持している一次成形用キャリアを取り外す一次成形用キャリア取外し工程と、
前記一次成形用キャリア取外し工程の後、二次成形用キャリアに形成された複数のハウジング収容孔に前記第1ハウジングを収容し、前記第1ハウジングと前記ハウジング収容孔内の前記第1ハウジングへ向かって突出する前記二次成形用キャリアの突起部とを前記暗色の樹脂でインサートモールド成形して、前記第1ハウジングの所定の領域を覆うとともに、前記第1ハウジングと前記突起部とを連結させる前記第2ハウジングを成形する二次成形工程と、
前記二次成形工程の後、前記半導体素子を前記第1ハウジングの収容空間に収容して前記第1接続部に接続し、その収容空間に透明な樹脂を充填する半導体素子搭載工程と、
前記半導体素子搭載工程の後、前記第2ハウジングから前記二次成形用キャリアを取り外す二次成形用キャリア取外し工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015164209A (ja) * | 2015-04-16 | 2015-09-10 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子用ホルダ、半導体発光素子モジュール、照明器具、及び半導体発光素子用ホルダの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD661262S1 (en) * | 2009-10-26 | 2012-06-05 | Nichia Corporation | Light emitting diode |
JP6323217B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2018-05-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017157593A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示装置の製造方法 |
DE102016105491A1 (de) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Herstellung von halbleiterbauelementen |
JP7360369B2 (ja) * | 2020-08-28 | 2023-10-12 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置、及び樹脂成形品の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108836A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2008300553A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | I-Chiun Precision Industry Co Ltd | 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造 |
JP2010153666A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Showa Denko Kk | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP2010206039A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011138849A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001024012A (ja) | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Hitachi Cable Ltd | モールド成型パッケージ及びその製造方法 |
JP3939554B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2007-07-04 | シャープ株式会社 | 半導体用リードフレーム |
EP1885171B1 (en) | 2005-05-26 | 2012-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Package for electronic component, electronic component using such package, and method for producing package for electronic component |
JP4920288B2 (ja) * | 2005-12-23 | 2012-04-18 | 帝国通信工業株式会社 | 電子部品の回路基板への取付構造及び取付方法 |
CN101656398A (zh) * | 2008-08-20 | 2010-02-24 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及使用其的电子设备 |
JP5293594B2 (ja) | 2009-12-28 | 2013-09-18 | 株式会社村田製作所 | 電子部品装置及びリードフレーム |
-
2011
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2012
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008108836A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2008300553A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | I-Chiun Precision Industry Co Ltd | 表面実装型発光ダイオードのフレーム組合せ部材の製造方法及びその構造 |
JP2010153666A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Showa Denko Kk | 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法 |
JP2010206039A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011138849A (ja) * | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Nichia Corp | 発光装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015164209A (ja) * | 2015-04-16 | 2015-09-10 | 京セラコネクタプロダクツ株式会社 | 半導体発光素子用ホルダ、半導体発光素子モジュール、照明器具、及び半導体発光素子用ホルダの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2587558A3 (en) | 2014-07-02 |
US9553242B2 (en) | 2017-01-24 |
US20130100621A1 (en) | 2013-04-25 |
CN103078042A (zh) | 2013-05-01 |
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