JP2013089714A - Chip formation method - Google Patents
Chip formation method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013089714A JP2013089714A JP2011227657A JP2011227657A JP2013089714A JP 2013089714 A JP2013089714 A JP 2013089714A JP 2011227657 A JP2011227657 A JP 2011227657A JP 2011227657 A JP2011227657 A JP 2011227657A JP 2013089714 A JP2013089714 A JP 2013089714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- laser beam
- inclined surface
- modified layer
- chips
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 31
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
本発明は、被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法に関する。 The present invention relates to a chip forming method for dividing a workpiece to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface.
半導体チップや光デバイスチップ等では、チップの表面に対して垂直な側面を有するチップ形状が一般的である。このようなチップは半導体ウエーハ又は光デバイスウエーハを切削装置やレーザ加工装置で分割予定ラインに沿って切断することにより形成される。 In a semiconductor chip, an optical device chip, or the like, a chip shape having a side surface perpendicular to the surface of the chip is generally used. Such a chip is formed by cutting a semiconductor wafer or an optical device wafer along a planned division line with a cutting apparatus or a laser processing apparatus.
ところが、レーザ用やカメラ用レンズ等の各種光学部品においては、チップの外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する光学部品が使用されている。従来は、チップの外周側面に傾斜面を形成するには、被加工物を分割して複数のチップを形成した後、例えば特開2003−124155号公報に開示されるように、チャックテーブルに保持された被加工物に対して傾斜した切削ユニットを有する切削装置を用いて、個々のチップの外周側面を切削して傾斜面を形成していた。 However, in various optical components such as a laser lens and a camera lens, an optical component having an inclined surface on at least a part of the outer peripheral side surface of the chip is used. Conventionally, in order to form an inclined surface on the outer peripheral side surface of a chip, a workpiece is divided and a plurality of chips are formed, and then held on a chuck table, for example, as disclosed in JP-A-2003-124155. Using the cutting device having the cutting unit inclined with respect to the workpiece to be processed, the outer peripheral side surface of each chip is cut to form the inclined surface.
しかし、被加工物を分割して複数のチップを形成した後、個々のチップに対して切削装置を用いてチップの外周側面に傾斜面を形成するのは、工程が煩雑で非常に効率が悪いという問題がある。 However, after forming a plurality of chips by dividing a workpiece, forming the inclined surface on the outer peripheral side surface of the chip using a cutting device for each chip is complicated and very inefficient. There is a problem.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to divide a workpiece into individual chips and at the same time form a chip having an inclined surface on at least a part of an outer peripheral side surface. It is to provide a possible chip forming method.
本発明によると、被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備し、該改質層形成ステップは、該レーザビームの集光点を被加工物の表面から第1の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第1の改質層を形成する第1ステップと、該レーザビームの集光点を被加工物の表面から該第1の深さとは異なる第2の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第2の改質層を形成する第2ステップとを少なくとも含み、該分割ステップでは、被加工物に外力を付与して該第1の改質層と該第2の改質層を起点に被加工物を分割することで外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを複数形成することを特徴とするチップ形成方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a chip forming method in which a workpiece is divided to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface, and the workpiece is provided with a plurality of chips corresponding to the inclined surfaces of the chips. An inclined surface setting step for setting the inclined surface of the workpiece, and the laser beam is irradiated while irradiating the laser beam in a state where the condensing point of the laser beam having a wavelength transmissive to the workpiece is positioned inside the workpiece. A modified layer forming step of forming a modified layer along the inclined surface by relatively moving an object and the laser beam, and applying the external force to the workpiece after performing the modified layer forming step A dividing step of dividing the workpiece along the inclined surface to form a plurality of chips with the modified layer as a starting point, and the modified layer forming step covers the condensing point of the laser beam. Positioned on the inclined surface at a first depth from the surface of the workpiece A first step of forming a first modified layer along the inclined surface by relatively moving the workpiece and the laser beam while irradiating the laser beam; The workpiece and the laser beam are moved relative to each other while the laser beam is irradiated on the inclined surface having a second depth different from the first depth from the surface of the workpiece. A second step of forming a second modified layer along the line, and in the dividing step, an external force is applied to the workpiece to form the first modified layer and the second modified layer. There is provided a chip forming method characterized in that a plurality of chips having inclined surfaces are formed on at least a part of an outer peripheral side surface by dividing a workpiece at a starting point.
本発明のチップ形成方法では、被加工物に設定した傾斜面に複数の改質層を形成した後、被加工物に外力を付与して複数の改質層を起点に被加工物を分割するので、被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを効率的に容易に形成することができる。 In the chip formation method of the present invention, after forming a plurality of modified layers on the inclined surface set on the workpiece, an external force is applied to the workpiece, and the workpiece is divided starting from the plurality of modified layers. Therefore, it is possible to efficiently and easily form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of the outer peripheral side surface at the same time that the workpiece is divided into individual chips.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のチップ形成方法で加工するのに適したガラス基板11の一部破断斜視図が示されている。ガラス基板11は表面11aと裏面11bとを有しており、本発明のチップ形成方法では、ガラス基板11の裏面11bを図2に示す粘着テープTに貼着し、粘着テープTの外周部を環状フレームFに貼着する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a partially broken perspective view of a
そして、図2に示すように、レーザ加工装置8のチャックテーブル10で粘着テープTを介してガラス基板11を吸引保持する。レーザ加工装置8は、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11に対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット12と、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11を撮像する顕微鏡及びCCDカメラ等を含む撮像ユニット14を具備している。
Then, as shown in FIG. 2, the
チャックテーブル10は、粘着テープTを介してガラス基板11を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構により矢印Xで示す加工送り方向及び矢印Yで示す割り出し送り方向に移動される。
The chuck table 10 is configured to suck and hold the
レーザビーム照射ユニット12は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング12内に収容された図3のブロック図に示すレーザビーム発生ユニット18と、ケーシング16の先端に取り付けられた集光器20とから構成される。
The laser
レーザビーム発生ユニット18は、YAGレーザ発振器或いはYVO4レーザ発振器等のレーザ発振器22と、繰り返し周波数設定手段24と、パルス幅調整手段26と、パワー調整手段28とを含んでいる。
The laser
レーザビーム発生ユニット18のパワー調整手段28により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング16の先端に取り付けられた集光器20のミラー30で反射され、更に集光用対物レンズ32によって集光されてチャックテーブル10に保持されているガラス基板11に照射される。
The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 28 of the laser
本発明実施形態のチップ形成方法では、まず被加工物であるガラス基板11に形成すべきチップの傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップを実施する。
In the chip forming method according to the embodiment of the present invention, first, an inclined surface setting step for setting a plurality of inclined surfaces corresponding to the inclined surfaces of the chips to be formed on the
この傾斜面設定ステップでは、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11を撮像ユニット14で撮像して、第1の方向(X軸方向)に伸長する複数の表面側第1分割予定ライン13aと、各表面側第1分割予定ライン13aからY軸方向に所定距離離れた複数の裏面側第1分割予定ライン13bを設定する。
In this inclined surface setting step, the
ガラス基板11の厚さは予め判明しているため、表面側第1分割予定ライン13a及び裏面側第1分割予定ライン13bを含む所定角度傾斜した傾斜面15が設定される。表面側第1分割予定ライン13a及び裏面側第1分割予定ライン13bのy座標値及び傾斜面15の傾斜角度をレーザ加工装置8のコントローラのメモリに格納する。次いで、チャックテーブル10を90度回転して、所定距離離間した複数の第2分割予定ライン17を設定し、第2分割予定ライン17のy座標値をメモリに格納する。
Since the thickness of the
分割予定ラインの設定及び傾斜面の設定が終了したならば、チャックテーブル10をレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット12の集光器20が位置するレーザビーム照射領域に移動する。
When the setting of the scheduled division line and the setting of the inclined surface are completed, the chuck table 10 is moved to the laser beam irradiation region where the
そして、ガラス基板11に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を集光器20でガラス基板11の表面11aから第1の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動することにより、図4に示すように、傾斜面15上に第1改質層21aを形成する。
Then, the condensing point of the laser beam having a wavelength that is transparent to the
次いで、レーザビームの集光点をガラス基板11の表面11aから第1の深さとは異なる第2の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動することにより、傾斜面15上に第2改質層21bを形成する。
Next, the laser beam is focused on the
更に、レーザビームの集光点をガラス基板11の表面11aから第2の深さとは異なる第3の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動して、傾斜面15上に第3改質層21cを形成する。
Furthermore, the laser beam is focused on the
改質層21a〜21cは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。これらの改質層21a〜21cは、溶融再硬化層として形成される。
The modified
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。 The processing conditions in this modified layer forming step are set as follows, for example.
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4パルスレーザ
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Pulse output: 10μJ
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec
この傾斜面15上への改質層形成ステップを全ての傾斜面15上に実施した後、チャックテーブル10を90度回転してから、レーザビームの集光点をガラス基板11の内部に位置付けた状態で第2分割予定ライン17に沿ってレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動させて、第2分割予定ライン17に沿ったガラス基板11の内部に改質層を形成する。
After the modified layer forming step on the
この第2分割予定ライン17に沿った改質層の形成は単層でもよいが、深さを替えて複数層形成するのが好ましい。また、上述した実施形態では、傾斜面15に沿って第1乃至第3改質層21a〜21cを形成しているが、斜面15上への改質層の形成は三層に限定されるものではなく、所定距離離間して二層以上形成すればよい。複数層形成する場合には、好ましくは、レーザ入射面から最も離れた改質層から順に形成する。これにより、レーザビームが既に形成された改質層によって乱れることがない。
The reformed layer along the second scheduled
改質層形成ステップ実施後、図5に示すような分割装置40によりガラス基板11を分割して複数のチップ23を形成する分割ステップを実施する。図5(A)において、分割装置40は環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット42と、フレーム保持ユニット42に保持された環状フレームFに装着された粘着テープTを拡張する拡張ドラム44を具備している。
After performing the modified layer forming step, the dividing step of dividing the
フレーム保持ユニット40は、環状のフレーム保持部材46と、フレーム保持部材46の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ48から構成される。フレーム保持部材46の上面は環状フレームFを載置する載置面46aを形成しており、この載置面46a上に環状フレームFが載置される。
The
フレーム保持ユニット42は、エアシリンダ52から構成された駆動手段50により、環状のフレーム保持部材46をその載置面46aが拡張ドラム44の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム44の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ52のピストンロッド54がフレーム保持部材46の下面に連結されている。
The
分割ステップでは、図5(A)に示すように、ガラス基板11を粘着テープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材46の載置面46a上に載置し、クランプ48によってフレーム保持部材46を固定する。このとき、フレーム保持部材46はその載置面46aが拡張ドラム44の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
In the dividing step, as shown in FIG. 5A, the annular frame F that supports the
次いで、エアシリンダ52を駆動してフレーム保持部材46を図5(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材46の載置面46a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに装着された粘着テープTは拡張ドラム44の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
Next, the
その結果、粘着テープTに貼着されているガラス基板11には放射状に引張力が作用する。このようにガラス基板11に放射状に引張力が作用すると、傾斜面15に形成された改質層21a〜21c及び第2分割予定ライン17に沿ってガラス基板内部に形成された改質層は強度が低下されているので、改質層21a〜21cが分割起点となってガラス基板11は改質層21a〜21cに沿って破断され、外周側面に傾斜面15を有する図6に示すようなチップ23に分割される。
As a result, a tensile force acts radially on the
本発明のチップ形成方法では、図6に示したような側面に傾斜面15を有する縦断面が平行四辺形のチップ23のみならず、例えば、図7(A)〜図7(C)に示すような、外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップ23A〜23Cを形成することができる。
In the chip forming method of the present invention, not only the
上述した実施形態では本発明のチップ形成方法をガラス基板11に適用した例について説明したが、被加工物はガラス基板に限定されるものではなく、表面にデバイスを有する半導体ウエーハ、光デバイスウエーハ等にも同様に適用することができる。
In the above-described embodiment, the example in which the chip forming method of the present invention is applied to the
10 チャックテーブル
11 ガラス基板
12 レーザビーム照射ユニット
13a 表面側第1分割予定ライン
13b 裏面側第1分割予定ライン
14 撮像ユニット
15 傾斜面
17 第2分割予定ライン
18 レーザビーム発生ユニット
20 集光器
40 分割装置
42 フレーム保持ユニット
44 拡張ドラム
52 エアシリンダ
T 粘着テープ
F 環状フレーム
DESCRIPTION OF
Claims (1)
被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、
被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備し、
該改質層形成ステップは、
該レーザビームの集光点を被加工物の表面から第1の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第1の改質層を形成する第1ステップと、
該レーザビームの集光点を被加工物の表面から該第1の深さとは異なる第2の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第2の改質層を形成する第2ステップとを少なくとも含み、
該分割ステップでは、被加工物に外力を付与して該第1の改質層と該第2の改質層を起点に被加工物を分割することで外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを複数形成することを特徴とするチップ形成方法。 A chip forming method for dividing a workpiece to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface,
An inclined surface setting step for setting a plurality of inclined surfaces corresponding to the inclined surface of the chip on the workpiece;
While irradiating the laser beam with the condensing point of the laser beam having a wavelength transmissive to the workpiece positioned inside the workpiece, the workpiece and the laser beam are moved relative to each other to move the laser beam. A modified layer forming step of forming a modified layer along the inclined surface;
A step of dividing the workpiece along the inclined surface by applying an external force to the workpiece and dividing the workpiece along the inclined surface to form a plurality of chips after performing the modified layer forming step; Equipped,
The modified layer forming step includes:
The laser beam is irradiated with the laser beam focusing point positioned on the inclined surface having a first depth from the surface of the workpiece, and the workpiece and the laser beam are moved relative to each other to incline the laser beam. A first step of forming a first modified layer along the surface;
The work piece and the laser beam are irradiated while irradiating the laser beam with the focal point of the laser beam being positioned on the inclined surface having a second depth different from the first depth from the surface of the work piece. At least a second step of forming a second modified layer along the inclined surface by relatively moving
In the dividing step, an inclined surface is formed on at least a part of the outer peripheral side surface by applying an external force to the workpiece to divide the workpiece from the first modified layer and the second modified layer. A method for forming a chip, comprising forming a plurality of chips.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011227657A JP2013089714A (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Chip formation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011227657A JP2013089714A (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Chip formation method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089714A true JP2013089714A (en) | 2013-05-13 |
Family
ID=48533348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011227657A Pending JP2013089714A (en) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | Chip formation method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013089714A (en) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015216140A (en) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | Method of processing optical device |
JP2016163016A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of device chip |
WO2017056769A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method, and laser processing device |
WO2017056739A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
CN107452678A (en) * | 2016-05-13 | 2017-12-08 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
JP2018026426A (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社ディスコ | Processing method of wafer |
CN108136539A (en) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 浜松光子学株式会社 | Laser processing and laser processing device |
JP2019099456A (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | ゼネラル・アトミックスGeneral Atomics | Method of cutting glass using laser |
CN110655316A (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 三星钻石工业股份有限公司 | Substrate dividing method and dividing device |
WO2022014106A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing device and laser processing method |
WO2022014104A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser machining apparatus, laser machining method, and method for manufacturing semiconductor member |
WO2022014105A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing device and laser processing method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111428A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chip manufacturing method |
JP2005101416A (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method and laser machining equipment |
JP2006245043A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Method of manufacturing group iii nitride-based compound semiconductor element, and light emitting element |
JP2009124077A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Denso Corp | Semiconductor chip and its production process |
-
2011
- 2011-10-17 JP JP2011227657A patent/JP2013089714A/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004111428A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Chip manufacturing method |
JP2005101416A (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method and laser machining equipment |
JP2006245043A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Method of manufacturing group iii nitride-based compound semiconductor element, and light emitting element |
JP2009124077A (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Denso Corp | Semiconductor chip and its production process |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015216140A (en) * | 2014-05-07 | 2015-12-03 | 株式会社ディスコ | Method of processing optical device |
JP2016163016A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of device chip |
CN105935842A (en) * | 2015-03-05 | 2016-09-14 | 株式会社迪思科 | Method of manufacturing device chips |
CN105935842B (en) * | 2015-03-05 | 2019-08-16 | 株式会社迪思科 | The manufacturing method of device chip |
WO2017056769A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method, and laser processing device |
WO2017056739A1 (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
JP2017069308A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
US11103959B2 (en) | 2015-09-29 | 2021-08-31 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method, and laser processing device |
JP2017069307A (en) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method and laser processing device |
CN108136539A (en) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 浜松光子学株式会社 | Laser processing and laser processing device |
US10290545B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-05-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
TWI721006B (en) * | 2015-09-29 | 2021-03-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | Laser processing method |
US10755980B2 (en) | 2015-09-29 | 2020-08-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
CN107452678A (en) * | 2016-05-13 | 2017-12-08 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
CN107706150B (en) * | 2016-08-09 | 2021-07-09 | 株式会社迪思科 | Method for processing wafer |
CN107706150A (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-16 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
JP2018026426A (en) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社ディスコ | Processing method of wafer |
JP2019099456A (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | ゼネラル・アトミックスGeneral Atomics | Method of cutting glass using laser |
JP7325945B2 (en) | 2017-12-04 | 2023-08-15 | ゼネラル・アトミックス | How to cut glass with a laser |
JP2020004889A (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Substrate cutting method and substrate cutting device |
CN110655316A (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 三星钻石工业股份有限公司 | Substrate dividing method and dividing device |
WO2022014106A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing device and laser processing method |
WO2022014104A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser machining apparatus, laser machining method, and method for manufacturing semiconductor member |
WO2022014105A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing device and laser processing method |
WO2022014107A1 (en) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser machining device and laser machining method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013089714A (en) | Chip formation method | |
JP5904720B2 (en) | Wafer division method | |
JP5162163B2 (en) | Wafer laser processing method | |
JP6358940B2 (en) | Wafer generation method | |
JP2006319198A (en) | Laser machining method for wafer and device thereof | |
JP2005135964A (en) | Dividing method of wafer | |
JP4630731B2 (en) | Wafer division method | |
JP6308919B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2011108708A (en) | Method of processing wafer | |
JP6045361B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2016054205A (en) | Wafer processing method | |
JP2017059684A (en) | Wafer processing method | |
JP2013152988A (en) | Method for processing wafer | |
JP2011108709A (en) | Method of processing wafer | |
JP2019033212A (en) | Division method | |
JP2016042516A (en) | Wafer processing method | |
JP2008227276A (en) | Method of dividing wafer | |
JP2005142303A (en) | Method of dividing silicon wafer, and apparatus thereof | |
JP2008264805A (en) | Laser beam machining apparatus and laser beam machining method for adhesive film mounted on reverse side of wafer | |
JP6576212B2 (en) | Wafer processing method | |
JP6576211B2 (en) | Wafer processing method | |
JP6308913B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2013175499A (en) | Method of dividing wafer | |
JP6529414B2 (en) | Wafer processing method | |
JP2017059686A (en) | Wafer processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150928 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160209 |