JP2013089714A - Chip formation method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip formation method capable of dividing a workpiece into individual chips while forming the chips each at least partially having an inclined surface on its outer peripheral side surface.SOLUTION: A chip formation method for dividing a workpiece to form a plurality of chips each at least partially having an inclined surface on its outer peripheral side surface, includes: an inclined surface setting step of setting a plurality of inclined surfaces corresponding to the inclined surfaces of the chips in the workpiece; a modified layer forming step of forming a plurality of modified layers spaced from each other along the inclined surfaces by relatively moving the workpiece and a laser beam while irradiating the workpiece with the laser beam in a state in which a condensing point of the laser beam having a wavelength having transparency with respect to the workpiece is positioned in the inside of the workpiece; and a dividing step of, after execution of the modified layer forming step, dividing the workpiece along the inclined surfaces by applying external force to the workpiece and using the modified layer as a starting point, to form the plurality of chips.

Description

本発明は、被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法に関する。   The present invention relates to a chip forming method for dividing a workpiece to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface.

半導体チップや光デバイスチップ等では、チップの表面に対して垂直な側面を有するチップ形状が一般的である。このようなチップは半導体ウエーハ又は光デバイスウエーハを切削装置やレーザ加工装置で分割予定ラインに沿って切断することにより形成される。   In a semiconductor chip, an optical device chip, or the like, a chip shape having a side surface perpendicular to the surface of the chip is generally used. Such a chip is formed by cutting a semiconductor wafer or an optical device wafer along a planned division line with a cutting apparatus or a laser processing apparatus.

ところが、レーザ用やカメラ用レンズ等の各種光学部品においては、チップの外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する光学部品が使用されている。従来は、チップの外周側面に傾斜面を形成するには、被加工物を分割して複数のチップを形成した後、例えば特開2003−124155号公報に開示されるように、チャックテーブルに保持された被加工物に対して傾斜した切削ユニットを有する切削装置を用いて、個々のチップの外周側面を切削して傾斜面を形成していた。   However, in various optical components such as a laser lens and a camera lens, an optical component having an inclined surface on at least a part of the outer peripheral side surface of the chip is used. Conventionally, in order to form an inclined surface on the outer peripheral side surface of a chip, a workpiece is divided and a plurality of chips are formed, and then held on a chuck table, for example, as disclosed in JP-A-2003-124155. Using the cutting device having the cutting unit inclined with respect to the workpiece to be processed, the outer peripheral side surface of each chip is cut to form the inclined surface.

特開2003−124155号公報JP 2003-124155 A

しかし、被加工物を分割して複数のチップを形成した後、個々のチップに対して切削装置を用いてチップの外周側面に傾斜面を形成するのは、工程が煩雑で非常に効率が悪いという問題がある。   However, after forming a plurality of chips by dividing a workpiece, forming the inclined surface on the outer peripheral side surface of the chip using a cutting device for each chip is complicated and very inefficient. There is a problem.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを形成可能なチップ形成方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to divide a workpiece into individual chips and at the same time form a chip having an inclined surface on at least a part of an outer peripheral side surface. It is to provide a possible chip forming method.

本発明によると、被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備し、該改質層形成ステップは、該レーザビームの集光点を被加工物の表面から第1の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第1の改質層を形成する第1ステップと、該レーザビームの集光点を被加工物の表面から該第1の深さとは異なる第2の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第2の改質層を形成する第2ステップとを少なくとも含み、該分割ステップでは、被加工物に外力を付与して該第1の改質層と該第2の改質層を起点に被加工物を分割することで外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを複数形成することを特徴とするチップ形成方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a chip forming method in which a workpiece is divided to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface, and the workpiece is provided with a plurality of chips corresponding to the inclined surfaces of the chips. An inclined surface setting step for setting the inclined surface of the workpiece, and the laser beam is irradiated while irradiating the laser beam in a state where the condensing point of the laser beam having a wavelength transmissive to the workpiece is positioned inside the workpiece. A modified layer forming step of forming a modified layer along the inclined surface by relatively moving an object and the laser beam, and applying the external force to the workpiece after performing the modified layer forming step A dividing step of dividing the workpiece along the inclined surface to form a plurality of chips with the modified layer as a starting point, and the modified layer forming step covers the condensing point of the laser beam. Positioned on the inclined surface at a first depth from the surface of the workpiece A first step of forming a first modified layer along the inclined surface by relatively moving the workpiece and the laser beam while irradiating the laser beam; The workpiece and the laser beam are moved relative to each other while the laser beam is irradiated on the inclined surface having a second depth different from the first depth from the surface of the workpiece. A second step of forming a second modified layer along the line, and in the dividing step, an external force is applied to the workpiece to form the first modified layer and the second modified layer. There is provided a chip forming method characterized in that a plurality of chips having inclined surfaces are formed on at least a part of an outer peripheral side surface by dividing a workpiece at a starting point.

本発明のチップ形成方法では、被加工物に設定した傾斜面に複数の改質層を形成した後、被加工物に外力を付与して複数の改質層を起点に被加工物を分割するので、被加工物を個々のチップに分割するのと同時に外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを効率的に容易に形成することができる。   In the chip formation method of the present invention, after forming a plurality of modified layers on the inclined surface set on the workpiece, an external force is applied to the workpiece, and the workpiece is divided starting from the plurality of modified layers. Therefore, it is possible to efficiently and easily form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of the outer peripheral side surface at the same time that the workpiece is divided into individual chips.

ガラス基板に傾斜面を設定する様子を説明するガラス基板の一部斜視図である。It is a partial perspective view of the glass substrate explaining a mode that an inclined surface is set to a glass substrate. レーザビームの照射によりガラス基板に改質層を形成する様子を説明するレーザ加工装置の要部斜視図である。It is a principal part perspective view of the laser processing apparatus explaining a mode that a modified layer is formed in a glass substrate by irradiation of a laser beam. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. 傾斜面に沿って3本の改質層が形成されたガラス基板の一部斜視図である。It is a partial perspective view of the glass substrate in which the three modified layers were formed along the inclined surface. ガラス基板分割ステップを示す分割装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the dividing apparatus which shows a glass substrate division | segmentation step. 本発明実施形態により形成されたチップの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the chip | tip formed by this invention embodiment. 本発明のチップ形成方法により形成可能な各種チップの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the various chip | tip which can be formed with the chip | tip formation method of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明のチップ形成方法で加工するのに適したガラス基板11の一部破断斜視図が示されている。ガラス基板11は表面11aと裏面11bとを有しており、本発明のチップ形成方法では、ガラス基板11の裏面11bを図2に示す粘着テープTに貼着し、粘着テープTの外周部を環状フレームFに貼着する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a partially broken perspective view of a glass substrate 11 suitable for processing by the chip forming method of the present invention is shown. The glass substrate 11 has a front surface 11a and a back surface 11b. In the chip forming method of the present invention, the back surface 11b of the glass substrate 11 is attached to the adhesive tape T shown in FIG. Adhere to the annular frame F.

そして、図2に示すように、レーザ加工装置8のチャックテーブル10で粘着テープTを介してガラス基板11を吸引保持する。レーザ加工装置8は、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11に対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット12と、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11を撮像する顕微鏡及びCCDカメラ等を含む撮像ユニット14を具備している。   Then, as shown in FIG. 2, the glass substrate 11 is sucked and held via the adhesive tape T by the chuck table 10 of the laser processing apparatus 8. The laser processing apparatus 8 includes a laser beam irradiation unit 12 that irradiates a glass substrate 11 held on the chuck table 10 with a laser beam, and a microscope and a CCD camera that image the glass substrate 11 held on the chuck table 10. The imaging unit 14 is included.

チャックテーブル10は、粘着テープTを介してガラス基板11を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構により矢印Xで示す加工送り方向及び矢印Yで示す割り出し送り方向に移動される。   The chuck table 10 is configured to suck and hold the glass substrate 11 via the adhesive tape T, and is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X and an index feed direction indicated by an arrow Y by a moving mechanism (not shown).

レーザビーム照射ユニット12は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング12内に収容された図3のブロック図に示すレーザビーム発生ユニット18と、ケーシング16の先端に取り付けられた集光器20とから構成される。   The laser beam irradiation unit 12 includes a laser beam generation unit 18 shown in the block diagram of FIG. 3 housed in a cylindrical casing 12 arranged substantially horizontally, and a condenser 20 attached to the tip of the casing 16. It consists of.

レーザビーム発生ユニット18は、YAGレーザ発振器或いはYVO4レーザ発振器等のレーザ発振器22と、繰り返し周波数設定手段24と、パルス幅調整手段26と、パワー調整手段28とを含んでいる。   The laser beam generating unit 18 includes a laser oscillator 22 such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, a repetition frequency setting means 24, a pulse width adjusting means 26, and a power adjusting means 28.

レーザビーム発生ユニット18のパワー調整手段28により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング16の先端に取り付けられた集光器20のミラー30で反射され、更に集光用対物レンズ32によって集光されてチャックテーブル10に保持されているガラス基板11に照射される。   The pulsed laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 28 of the laser beam generating unit 18 is reflected by the mirror 30 of the condenser 20 attached to the tip of the casing 16 and further collected by the condenser objective lens 32. The glass substrate 11 held by the chuck table 10 is irradiated with light.

本発明実施形態のチップ形成方法では、まず被加工物であるガラス基板11に形成すべきチップの傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップを実施する。   In the chip forming method according to the embodiment of the present invention, first, an inclined surface setting step for setting a plurality of inclined surfaces corresponding to the inclined surfaces of the chips to be formed on the glass substrate 11 as a workpiece is performed.

この傾斜面設定ステップでは、チャックテーブル10に保持されたガラス基板11を撮像ユニット14で撮像して、第1の方向(X軸方向)に伸長する複数の表面側第1分割予定ライン13aと、各表面側第1分割予定ライン13aからY軸方向に所定距離離れた複数の裏面側第1分割予定ライン13bを設定する。   In this inclined surface setting step, the glass substrate 11 held on the chuck table 10 is imaged by the imaging unit 14, and a plurality of front surface side first division planned lines 13a extending in the first direction (X-axis direction); A plurality of back side first division planned lines 13b that are separated from each front side first division planned line 13a by a predetermined distance in the Y-axis direction are set.

ガラス基板11の厚さは予め判明しているため、表面側第1分割予定ライン13a及び裏面側第1分割予定ライン13bを含む所定角度傾斜した傾斜面15が設定される。表面側第1分割予定ライン13a及び裏面側第1分割予定ライン13bのy座標値及び傾斜面15の傾斜角度をレーザ加工装置8のコントローラのメモリに格納する。次いで、チャックテーブル10を90度回転して、所定距離離間した複数の第2分割予定ライン17を設定し、第2分割予定ライン17のy座標値をメモリに格納する。   Since the thickness of the glass substrate 11 is known in advance, an inclined surface 15 that is inclined by a predetermined angle including the front-side first division planned line 13a and the back-side first division planned line 13b is set. The y coordinate values of the front surface side first division planned line 13a and the back side first division planned line 13b and the inclination angle of the inclined surface 15 are stored in the memory of the controller of the laser processing apparatus 8. Next, the chuck table 10 is rotated 90 degrees to set a plurality of second scheduled division lines 17 separated by a predetermined distance, and the y coordinate value of the second scheduled division line 17 is stored in the memory.

分割予定ラインの設定及び傾斜面の設定が終了したならば、チャックテーブル10をレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット12の集光器20が位置するレーザビーム照射領域に移動する。   When the setting of the scheduled division line and the setting of the inclined surface are completed, the chuck table 10 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 20 of the laser beam irradiation unit 12 for irradiating the laser beam is located.

そして、ガラス基板11に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を集光器20でガラス基板11の表面11aから第1の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動することにより、図4に示すように、傾斜面15上に第1改質層21aを形成する。   Then, the condensing point of the laser beam having a wavelength that is transparent to the glass substrate 11 is positioned on the inclined surface 15 having the first depth from the surface 11a of the glass substrate 11 by the condenser 20, and the laser beam is irradiated. However, the first modified layer 21a is formed on the inclined surface 15 as shown in FIG. 4 by moving the chuck table 10 in the X-axis direction at a predetermined processing feed rate.

次いで、レーザビームの集光点をガラス基板11の表面11aから第1の深さとは異なる第2の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動することにより、傾斜面15上に第2改質層21bを形成する。   Next, the laser beam is focused on the inclined surface 15 having a second depth different from the first depth from the surface 11a of the glass substrate 11, and the chuck table 10 is subjected to predetermined processing while irradiating the laser beam. The second modified layer 21b is formed on the inclined surface 15 by moving in the X-axis direction at the feed speed.

更に、レーザビームの集光点をガラス基板11の表面11aから第2の深さとは異なる第3の深さの傾斜面15上に位置付けてレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動して、傾斜面15上に第3改質層21cを形成する。   Furthermore, the laser beam is focused on the inclined surface 15 having a third depth different from the second depth from the surface 11a of the glass substrate 11, and the chuck table 10 is subjected to predetermined processing while irradiating the laser beam. The third modified layer 21c is formed on the inclined surface 15 by moving in the X-axis direction at the feeding speed.

改質層21a〜21cは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。これらの改質層21a〜21cは、溶融再硬化層として形成される。   The modified layers 21a to 21c are regions in which the density, refractive index, mechanical strength, and other physical characteristics are different from the surroundings. These modified layers 21a to 21c are formed as melt-rehardened layers.

この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。   The processing conditions in this modified layer forming step are set as follows, for example.

光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4パルスレーザ
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Pulse output: 10μJ
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec

この傾斜面15上への改質層形成ステップを全ての傾斜面15上に実施した後、チャックテーブル10を90度回転してから、レーザビームの集光点をガラス基板11の内部に位置付けた状態で第2分割予定ライン17に沿ってレーザビームを照射しつつ、チャックテーブル10を所定の加工送り速度でX軸方向に移動させて、第2分割予定ライン17に沿ったガラス基板11の内部に改質層を形成する。   After the modified layer forming step on the inclined surface 15 is performed on all the inclined surfaces 15, the chuck table 10 is rotated by 90 degrees, and the condensing point of the laser beam is positioned inside the glass substrate 11. While irradiating the laser beam along the second division planned line 17 in the state, the chuck table 10 is moved in the X-axis direction at a predetermined processing feed rate, and the inside of the glass substrate 11 along the second division planned line 17 A modified layer is formed on the substrate.

この第2分割予定ライン17に沿った改質層の形成は単層でもよいが、深さを替えて複数層形成するのが好ましい。また、上述した実施形態では、傾斜面15に沿って第1乃至第3改質層21a〜21cを形成しているが、斜面15上への改質層の形成は三層に限定されるものではなく、所定距離離間して二層以上形成すればよい。複数層形成する場合には、好ましくは、レーザ入射面から最も離れた改質層から順に形成する。これにより、レーザビームが既に形成された改質層によって乱れることがない。   The reformed layer along the second scheduled division line 17 may be formed as a single layer, but it is preferable to form a plurality of layers at different depths. In the above-described embodiment, the first to third modified layers 21a to 21c are formed along the inclined surface 15. However, the formation of the modified layer on the inclined surface 15 is limited to three layers. Instead, two or more layers may be formed separated by a predetermined distance. In the case of forming a plurality of layers, preferably, the layers are formed in order from the modified layer farthest from the laser incident surface. Thereby, the laser beam is not disturbed by the modified layer already formed.

改質層形成ステップ実施後、図5に示すような分割装置40によりガラス基板11を分割して複数のチップ23を形成する分割ステップを実施する。図5(A)において、分割装置40は環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット42と、フレーム保持ユニット42に保持された環状フレームFに装着された粘着テープTを拡張する拡張ドラム44を具備している。   After performing the modified layer forming step, the dividing step of dividing the glass substrate 11 to form a plurality of chips 23 by the dividing device 40 as shown in FIG. 5A, the dividing device 40 includes a frame holding unit 42 that holds the annular frame F, and an expansion drum 44 that extends the adhesive tape T attached to the annular frame F held by the frame holding unit 42. ing.

フレーム保持ユニット40は、環状のフレーム保持部材46と、フレーム保持部材46の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ48から構成される。フレーム保持部材46の上面は環状フレームFを載置する載置面46aを形成しており、この載置面46a上に環状フレームFが載置される。   The frame holding unit 40 includes an annular frame holding member 46 and a plurality of clamps 48 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 46. The upper surface of the frame holding member 46 forms a mounting surface 46a on which the annular frame F is placed, and the annular frame F is placed on the mounting surface 46a.

フレーム保持ユニット42は、エアシリンダ52から構成された駆動手段50により、環状のフレーム保持部材46をその載置面46aが拡張ドラム44の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム44の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ52のピストンロッド54がフレーム保持部材46の下面に連結されている。   The frame holding unit 42 is configured so that the driving means 50 including the air cylinder 52 causes the annular frame holding member 46 to have a reference position where the mounting surface 46a is substantially flush with the upper end of the expansion drum 44, and the expansion drum 44. It moves in the vertical direction between the extended positions below the upper end by a predetermined amount. A piston rod 54 of the air cylinder 52 is connected to the lower surface of the frame holding member 46.

分割ステップでは、図5(A)に示すように、ガラス基板11を粘着テープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材46の載置面46a上に載置し、クランプ48によってフレーム保持部材46を固定する。このとき、フレーム保持部材46はその載置面46aが拡張ドラム44の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。   In the dividing step, as shown in FIG. 5A, the annular frame F that supports the glass substrate 11 via the adhesive tape T is placed on the placement surface 46 a of the frame holding member 46, and the frame is clamped by the clamp 48. The holding member 46 is fixed. At this time, the frame holding member 46 is positioned at a reference position where the mounting surface 46 a is substantially at the same height as the upper end of the expansion drum 44.

次いで、エアシリンダ52を駆動してフレーム保持部材46を図5(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材46の載置面46a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに装着された粘着テープTは拡張ドラム44の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。   Next, the air cylinder 52 is driven to lower the frame holding member 46 to the extended position shown in FIG. As a result, the annular frame F fixed on the mounting surface 46a of the frame holding member 46 is also lowered, so that the adhesive tape T attached to the annular frame F abuts on the upper end edge of the expansion drum 44 and mainly has a radius. Expanded in the direction.

その結果、粘着テープTに貼着されているガラス基板11には放射状に引張力が作用する。このようにガラス基板11に放射状に引張力が作用すると、傾斜面15に形成された改質層21a〜21c及び第2分割予定ライン17に沿ってガラス基板内部に形成された改質層は強度が低下されているので、改質層21a〜21cが分割起点となってガラス基板11は改質層21a〜21cに沿って破断され、外周側面に傾斜面15を有する図6に示すようなチップ23に分割される。   As a result, a tensile force acts radially on the glass substrate 11 attached to the adhesive tape T. Thus, when a tensile force acts radially on the glass substrate 11, the modified layers 21 a to 21 c formed on the inclined surface 15 and the modified layer formed inside the glass substrate along the second scheduled division line 17 are strong. Therefore, the glass substrate 11 is broken along the modified layers 21a to 21c with the modified layers 21a to 21c as the starting point of the division, and the chip as shown in FIG. It is divided into 23.

本発明のチップ形成方法では、図6に示したような側面に傾斜面15を有する縦断面が平行四辺形のチップ23のみならず、例えば、図7(A)〜図7(C)に示すような、外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップ23A〜23Cを形成することができる。   In the chip forming method of the present invention, not only the chip 23 having a parallelogram-shaped longitudinal section having the inclined surface 15 on the side surface as shown in FIG. 6, but also shown in, for example, FIGS. 7 (A) to 7 (C). Such chips 23 </ b> A to 23 </ b> C having inclined surfaces on at least a part of the outer peripheral side surface can be formed.

上述した実施形態では本発明のチップ形成方法をガラス基板11に適用した例について説明したが、被加工物はガラス基板に限定されるものではなく、表面にデバイスを有する半導体ウエーハ、光デバイスウエーハ等にも同様に適用することができる。   In the above-described embodiment, the example in which the chip forming method of the present invention is applied to the glass substrate 11 has been described. However, the workpiece is not limited to the glass substrate, and a semiconductor wafer having a device on the surface, an optical device wafer, or the like. It can be similarly applied to.

10 チャックテーブル
11 ガラス基板
12 レーザビーム照射ユニット
13a 表面側第1分割予定ライン
13b 裏面側第1分割予定ライン
14 撮像ユニット
15 傾斜面
17 第2分割予定ライン
18 レーザビーム発生ユニット
20 集光器
40 分割装置
42 フレーム保持ユニット
44 拡張ドラム
52 エアシリンダ
T 粘着テープ
F 環状フレーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Chuck table 11 Glass substrate 12 Laser beam irradiation unit 13a Front side 1st division | segmentation scheduled line 13b Back side 1st division | segmentation scheduled line 14 Imaging unit 15 Inclined surface 17 2nd division | segmentation line 18 Laser beam generation unit 20 Condenser 40 Division | segmentation Device 42 Frame holding unit 44 Expansion drum 52 Air cylinder T Adhesive tape F Annular frame

Claims (1)

被加工物を分割して外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有する複数のチップを形成するチップ形成方法であって、
被加工物に該チップの該傾斜面に対応した複数の傾斜面を設定する傾斜面設定ステップと、
被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物内部に位置付けた状態で該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿って改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、被加工物に外力を付与して該改質層を起点に該傾斜面に沿って被加工物を分割して複数のチップを形成する分割ステップとを具備し、
該改質層形成ステップは、
該レーザビームの集光点を被加工物の表面から第1の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第1の改質層を形成する第1ステップと、
該レーザビームの集光点を被加工物の表面から該第1の深さとは異なる第2の深さの該傾斜面上に位置付けて該レーザビームを照射しつつ、被加工物と該レーザビームとを相対移動させて該傾斜面に沿った第2の改質層を形成する第2ステップとを少なくとも含み、
該分割ステップでは、被加工物に外力を付与して該第1の改質層と該第2の改質層を起点に被加工物を分割することで外周側面の少なくとも一部に傾斜面を有するチップを複数形成することを特徴とするチップ形成方法。
A chip forming method for dividing a workpiece to form a plurality of chips having inclined surfaces on at least a part of an outer peripheral side surface,
An inclined surface setting step for setting a plurality of inclined surfaces corresponding to the inclined surface of the chip on the workpiece;
While irradiating the laser beam with the condensing point of the laser beam having a wavelength transmissive to the workpiece positioned inside the workpiece, the workpiece and the laser beam are moved relative to each other to move the laser beam. A modified layer forming step of forming a modified layer along the inclined surface;
A step of dividing the workpiece along the inclined surface by applying an external force to the workpiece and dividing the workpiece along the inclined surface to form a plurality of chips after performing the modified layer forming step; Equipped,
The modified layer forming step includes:
The laser beam is irradiated with the laser beam focusing point positioned on the inclined surface having a first depth from the surface of the workpiece, and the workpiece and the laser beam are moved relative to each other to incline the laser beam. A first step of forming a first modified layer along the surface;
The work piece and the laser beam are irradiated while irradiating the laser beam with the focal point of the laser beam being positioned on the inclined surface having a second depth different from the first depth from the surface of the work piece. At least a second step of forming a second modified layer along the inclined surface by relatively moving
In the dividing step, an inclined surface is formed on at least a part of the outer peripheral side surface by applying an external force to the workpiece to divide the workpiece from the first modified layer and the second modified layer. A method for forming a chip, comprising forming a plurality of chips.
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