JP2013088557A - 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013088557A
JP2013088557A JP2011227773A JP2011227773A JP2013088557A JP 2013088557 A JP2013088557 A JP 2013088557A JP 2011227773 A JP2011227773 A JP 2011227773A JP 2011227773 A JP2011227773 A JP 2011227773A JP 2013088557 A JP2013088557 A JP 2013088557A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diffraction gratings
regions
region
grating
air gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011227773A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Kokubu
弘一 国分
Yusaku Konno
有作 今野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2011227773A priority Critical patent/JP2013088557A/ja
Priority to US13/601,165 priority patent/US8963267B2/en
Publication of JP2013088557A publication Critical patent/JP2013088557A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

【課題】新規な構造のカラーフィルターにおいてクロストーク（混色）を改善する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、固体撮像装置において、カラーフィルターは、多層干渉フィルターと導波モード共鳴格子とを有する。多層干渉フィルターでは、第１の層と第２の層とが交互に積層されている。第１の層と第２の層とは、互いに屈折率が異なる。導波モード共鳴格子は、多層干渉フィルターの上方又は下方に配されている。導波モード共鳴格子は、複数の回折格子と複数の格子間領域とを有する。複数の回折格子は、第１の屈折率を有する材料でそれぞれ形成されている。複数の回折格子は、少なくとも１次元的に周期的に配列されている。複数の格子間領域は、少なくとも複数の回折格子の間に配されている。複数の格子間領域のそれぞれは、絶縁膜領域とエアギャップ領域とを有する。絶縁膜領域は、第２の屈折率を有する材料で形成されている。第２の屈折率は、第１の屈折率より低い。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法に関する。
現在イメージセンサーに用いられるカラーフィルターは有機顔料により構成されていることが多い。しかしながら、画素の微細化（画素数増大）や裏面照射型にも代表される低背化の技術動向に対して、有機顔料のフィルターでは微細化や薄膜化（低背化に寄与）に対応することが加工的に困難になることが予想される。そこで、有機顔料のフィルターに変わる新規な構造のカラーフィルターの開発が望まれる。さらに、そのような新規な構造のカラーフィルターにおいてクロストーク（混色）を改善することが望まれる。
特開２００８−１７０９７９号公報 特開２０１０−２２５９４４号公報
１つの実施形態は、例えば、新規な構造のカラーフィルターにおいてクロストーク（混色）を改善できる固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
１つの実施形態によれば、第１の光電変換層とカラーフィルターとを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。カラーフィルターは、第１の光電変換層の上方に配されている。カラーフィルターは、多層干渉フィルターと導波モード共鳴格子とを有する。多層干渉フィルターでは、第１の層と第２の層とが交互に積層されている。第１の層と第２の層とは、互いに屈折率が異なる。導波モード共鳴格子は、多層干渉フィルターの上方又は下方に配されている。導波モード共鳴格子は、複数の回折格子と複数の格子間領域とを有する。複数の回折格子は、第１の屈折率を有する材料でそれぞれ形成されている。複数の回折格子は、少なくとも１次元的に周期的に配列されている。複数の格子間領域は、少なくとも複数の回折格子の間に配されている。複数の格子間領域は、絶縁膜領域とエアギャップ領域とを有する。絶縁膜領域は、第２の屈折率を有する材料で形成されている。第２の屈折率は、第１の屈折率より低い。
実施形態にかかる固体撮像装置の構成を示す図。 実施形態におけるカラーフィルターの構成及び特性を示す図。 実施形態における導波モード共鳴格子の構成例を示す図。 実施形態における導波モード共鳴格子の他の構成例を示す図。 実施形態における導波モード共鳴格子の他の構成例を示す図。 実施形態における導波モード共鳴格子の透過波長域ごとの構成の違いを示す図。 実施形態にかかる固体撮像装置の製造方法を示す図。 実施形態にかかる固体撮像装置の製造方法を示す図。 実施形態にかかる固体撮像装置の製造方法を示す図。 比較例を示す図。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
（実施形態）
実施形態にかかる固体撮像装置１について図１を用いて説明する。図１は、実施形態にかかる固体撮像装置１における３画素分の断面構成を例示的に示す図である。
固体撮像装置１は、光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂ、多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂ、カラーフィルター７０ｒ、７０ｇ、７０ｂ、平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂ、及びマイクロレンズ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂを備える。
光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂは、半導体基板１０におけるウエル領域１２内に配されている。光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂは、それぞれ、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の波長領域の光を受光する。光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂは、それぞれ、受けた光に応じた電荷を発生させて蓄積する。光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂは、例えば、フォトダイオードであり、電荷蓄積領域を含む。
ウエル領域１２は、第１導電型（例えば、Ｐ型）の不純物を低い濃度で含む半導体（例えば、シリコン）で形成されている。Ｐ型の不純物は、例えば、ボロンである。光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂにおける電荷蓄積領域は、それぞれ、第１導電型と反対導電型である第２導電型（例えば、Ｎ型）の不純物を、ウエル領域１２における第１導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で含む半導体（例えば、シリコン）で形成されている。Ｎ型の不純物は、例えば、リン又は砒素である。
多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂは、半導体基板１０の上に配されている。多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂは、層間絶縁膜中を複数層の配線パターンが延びている。これにより、多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂは、それぞれ、光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂに対応した開口領域ＯＲｒ、ＯＲｇ、ＯＲｂを規定する。層間絶縁膜は、例えば、酸化シリコンで形成されている。配線パターンは、例えば金属で形成されている。
カラーフィルター７０ｒは、光電変換層１１ｒの上方に配されている。これにより、カラーフィルター７０ｒは、入射した光のうち赤色（Ｒ）の波長領域の光を選択的に光電変換層１１ｒに導く。
具体的には、カラーフィルター７０ｒは、多層干渉フィルター２０ｒ及び導波モード共鳴格子６０ｒを有する（図２（ａ）参照）。多層干渉フィルター２０ｒ及び導波モード共鳴格子６０ｒは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター２０ｒは、主として、入射した光のうち赤色（Ｒ）の波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子６０ｒは、主として、入射した光のうち混色成分（赤色（Ｒ）以外の波長領域の光）を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター２０ｒ及び導波モード共鳴格子６０ｒは、いずれも無機物で形成されている。
多層干渉フィルター２０ｒは、例えば、無機材料（低屈折率材料、高屈折率材料）が積層されたフォトニック結晶型の赤用のフィルターである。多層干渉フィルター２０ｒは、上部積層構造２４ｒ、干渉層２３ｒ、及び下部積層構造２５ｒを有する。上部積層構造２４ｒ及び下部積層構造２５ｒは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造２４ｒ及び下部積層構造２５ｒは、可視領域（例えば、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域）の中央部の波長（例えば、５５０ｎｍ）を中心波長（すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長）として有する。干渉層２３ｒは、上部積層構造２４ｒ及び下部積層構造２５ｒの界面に配され、上部積層構造２４ｒ及び下部積層構造２５ｒの反射面で多重反射した光の干渉（多光束干渉）を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター２０ｒは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。
上部積層構造２４ｒでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｒ−３、２１ｒ−４と第２の層２２ｒ−３とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｒでは、例えば、第１の層２１ｒ−３、第２の層２２ｒ−３、及び第１の層２１ｒ−４が順に積層されている。
下部積層構造２５ｒでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｒ−１、２１ｒ−２と第２の層２２ｒ−１とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｒでは、例えば、第１の層２１ｒ−１、第２の層２２ｒ−１、及び第１の層２１ｒ−２が順に積層されている。
第１の層２１ｒ−１、２１ｒ−２、２１ｒ−３、２１ｒ−４の屈折率は、例えば、第２の層２２ｒ−１、２２ｒ−３の屈折率より高い。第１の層２１ｒ−１、２１ｒ−２、２１ｒ−３、２１ｒ−４は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２、屈折率２．５）で形成されている。第２の層２２ｒ−１、２２ｒ−３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
干渉層２３ｒの屈折率は、第１の層２１ｒ−１、２１ｒ−２、２１ｒ−３、２１ｒ−４の屈折率より低い。干渉層２３ｒは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
導波モード共鳴格子６０ｒは、例えば、無機材料（低屈折率材料、高屈折率材料）が少なくとも１次元的に配列された、導波モード共鳴現象を利用した赤用のフィルターである。導波モード共鳴格子６０ｒは、多層干渉フィルター２０ｒの下に配されている。これにより、導波モード共鳴格子６０ｒは、多層干渉フィルター２０ｒを透過した光を受け、受けた光のうち混色成分（赤色（Ｒ）以外の波長領域の光）を選択的に反射させて除去するとともに赤色（Ｒ）の波長領域の光を選択的に透過させる。なお、導波モード共鳴格子６０ｒの具体的な構成については後述する。
カラーフィルター７０ｇは、光電変換層１１ｇの上方に配されている。これにより、カラーフィルター７０ｇは、入射した光のうち緑色（Ｇ）の波長領域の光を選択的に光電変換層１１ｇに導く。
具体的には、カラーフィルター７０ｇは、多層干渉フィルター２０ｇ及び導波モード共鳴格子６０ｇを有する（図２（ａ）参照）。多層干渉フィルター２０ｇ及び導波モード共鳴格子６０ｇは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター２０ｇは、主として、入射した光のうち緑色（Ｇ）の波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子６０ｇは、主として、入射した光のうち混色成分（緑色（Ｇ）以外の波長領域の光）を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター２０ｇ及び導波モード共鳴格子６０ｇは、いずれも無機物で形成されている。
多層干渉フィルター２０ｇは、例えば、無機材料（低屈折率材料、高屈折率材料）が積層されたフォトニック結晶型の緑用のフィルターである。多層干渉フィルター２０ｇは、上部積層構造２４ｇ、干渉層２３ｇ、及び下部積層構造２５ｇを有する。上部積層構造２４ｇ及び下部積層構造２５ｇは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造２４ｇ及び下部積層構造２５ｇは、可視領域（例えば、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域）の中央部の波長（例えば、５５０ｎｍ）を中心波長（すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長）として有する。干渉層２３ｇは、上部積層構造２４ｇ及び下部積層構造２５ｇの界面に配され、上部積層構造２４ｇ及び下部積層構造２５ｇの反射面で多重反射した光の干渉（多光束干渉）を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター２０ｇは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。
上部積層構造２４ｇでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｇ−３、２１ｇ−４と第２の層２２ｇ−３とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｇでは、例えば、第１の層２１ｇ−３、第２の層２２ｇ−３、及び第１の層２１ｇ−４が順に積層されている。
下部積層構造２５ｇでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｇ−１、２１ｇ−２と第２の層２２ｇ−１とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｇでは、例えば、第１の層２１ｇ−１、第２の層２２ｇ−１、及び第１の層２１ｇ−２が順に積層されている。
第１の層２１ｇ−１、２１ｇ−２、２１ｇ−３、２１ｇ−４の屈折率は、例えば、第２の層２２ｇ−１、２２ｇ−３の屈折率より高い。第１の層２１ｇ−１、２１ｇ−２、２１ｇ−３、２１ｇ−４は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２、屈折率２．５）で形成されている。第２の層２２ｇ−１、２２ｇ−３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
干渉層２３ｇの屈折率は、第１の層２１ｇ−１、２１ｇ−２、２１ｇ−３、２１ｇ−４の屈折率より低い。干渉層２３ｇは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
導波モード共鳴格子６０ｇは、例えば、無機材料（低屈折率材料、高屈折率材料）が少なくとも１次元的に配列された、導波モード共鳴現象を利用した緑用のフィルターである。導波モード共鳴格子６０ｇは、多層干渉フィルター２０ｇの下に配されている。これにより、導波モード共鳴格子６０ｇは、多層干渉フィルター２０ｇを透過した光を受け、受けた光のうち混色成分（緑色（Ｇ）以外の波長領域の光）を選択的に反射させて除去するとともに緑色（Ｇ）の波長領域の光を選択的に透過させる。なお、導波モード共鳴格子６０ｇの具体的な構成については後述する。
カラーフィルター７０ｂは、光電変換層１１ｂの上方に配されている。これにより、カラーフィルター７０ｂは、入射した光のうち青色（Ｂ）の波長領域の光を選択的に光電変換層１１ｂに導く。
具体的には、カラーフィルター７０ｂは、多層干渉フィルター２０ｂ及び導波モード共鳴格子６０ｂを有する（図２（ａ）参照）。多層干渉フィルター２０ｂ及び導波モード共鳴格子６０ｂは、いずれもフィルタ特性を有するが、多層干渉フィルター２０ｂは、主として、入射した光のうち青色（Ｂ）の波長領域の光を選択的に透過させる機能を担い、導波モード共鳴格子６０ｂは、主として、入射した光のうち混色成分（青色（Ｒ）以外の波長領域の光）を選択的に反射させて除去する機能を担う。なお、多層干渉フィルター２０ｂ及び導波モード共鳴格子６０ｂは、いずれも無機物で形成されている。
多層干渉フィルター２０ｂは、例えば、無機材料（低屈折率材料、高屈折率材料）が積層されたフォトニック結晶型の青用のフィルターである。多層干渉フィルター２０ｂは、上部積層構造２４ｂ、干渉層２３ｂ、及び下部積層構造２５ｂを有する。すなわち、多層干渉フィルター２０ｂでは、上部積層構造２４ｂと下部積層構造２５ｂとの間に仮想的に膜厚０ｎｍの干渉層２３ｂがあるものとみなすことができる。上部積層構造２４ｂ及び下部積層構造２５ｂは、それぞれ、互いに反射面の対向したミラーとして機能する。このとき、上部積層構造２４ｂ及び下部積層構造２５ｂは、可視領域（例えば、４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域）の中央部の波長（例えば、５５０ｎｍ）を中心波長（すなわち、ミラーの反射率がピークとなる波長）として有する。干渉層２３ｂは、上部積層構造２４ｂ及び下部積層構造２５ｂの界面に（仮想的に）配され、上部積層構造２４ｂ及び下部積層構造２５ｂの反射面で多重反射した光の干渉（多光束干渉）を行わせる。すなわち、多層干渉フィルター２０ｂは、ファブリーペロー干渉計と同じ原理に基づいて機能する。
上部積層構造２４ｂでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｂ−３、２１ｂ−４と第２の層２２ｂ−３とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｂでは、例えば、第１の層２１ｂ−３、第２の層２２ｂ−３、及び第１の層２１ｂ−４が順に積層されている。
下部積層構造２５ｂでは、互いに屈折率の異なる第１の層２１ｂ−１、２１ｂ−２と第２の層２２ｂ−１とが交互に積層されている。上部積層構造２４ｂでは、例えば、第１の層２１ｂ−１、第２の層２２ｂ−１、及び第１の層２１ｂ−２が順に積層されている。
第１の層２１ｂ−１、２１ｂ−２、２１ｂ−３、２１ｂ−４の屈折率は、例えば、第２の層２２ｂ−１、２２ｂ−３の屈折率より高い。第１の層２１ｂ−１、２１ｂ−２、２１ｂ−３、２１ｂ−４は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２、屈折率２．５）で形成されている。第２の層２２ｂ−１、２２ｂ−３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
干渉層２３ｂの屈折率は、第１の層２１ｂ−１、２１ｂ−２、２１ｂ−３、２１ｂ−４の屈折率より低い。干渉層２３ｂは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。
平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂは、それぞれ、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂを覆っている。これにより、平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂは、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ間の段差を緩和し平坦な表面を提供する。平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂは、例えば所定の樹脂又は酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）で形成されている。
マイクロレンズ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂは、それぞれ、平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂの上に配されている。これにより、マイクロレンズ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂは、それぞれ、入射した光を多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ経由で光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂに集める。マイクロレンズ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂは、例えば、所定の樹脂で形成されている。
次に、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの構成における共通部分について図２（ａ）を用いて説明する。共通部分の説明においては、導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂを単に導波モード共鳴格子６０として説明する。図２（ａ）は、導波モード共鳴格子６０の構成を示す断面図である。
導波モード共鳴格子６０は、複数の回折格子６１−１〜６１−６、複数の格子間領域６４−１〜６４−５、絶縁層６５、及び絶縁層６６を有する。複数の回折格子６１−１〜６１−６及び複数の格子間領域６４−１〜６４−５は、それぞれ、絶縁層６５と絶縁層６６との間に配されている。
複数の回折格子６１−１〜６１−５は、絶縁層６５及び絶縁層６６の間において、少なくとも１次元的に周期的に配列されている。例えば、複数の回折格子６１−１〜６１−５は、複数のラインパターンを有し、複数のラインパターンが１次元的に周期的に配列されている（図３参照）。あるいは、例えば、複数の回折格子６１−１〜６１−５は、複数のホールパターン間領域を有し、複数のホールパターン間領域が２次元的に周期的に配列されている（図４参照）。あるいは、例えば、複数の回折格子６１−１〜６１−５は、複数の柱状パターンを有し、複数の柱状パターンが２次元的に周期的に配列されている（図５参照）。
図２（ａ）に示す複数の格子間領域６４−１〜６４−５は、絶縁層６５及び絶縁層６６の間において、複数の回折格子６１−１〜６１−５の間に配されている。各格子間領域６４−１〜６４−５は、絶縁膜領域及びエアギャップ領域を有する。例えば、格子間領域６４−１は、絶縁膜領域６２−１及びエアギャップ領域６３−１を有する。例えば、格子間領域６４−５は、絶縁膜領域６２−５及びエアギャップ領域６３−５を有する。
絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、絶縁層６５及び絶縁層６６の間において、回折格子６１−１〜６１−５とエアギャップ領域６３−１〜６３−５との間に配されている。絶縁膜領域６２−１〜６２−５の屈折率は、回折格子６１−１〜６１−５の屈折率より低い。絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２、屈折率１．４５）で形成されている。回折格子６１−１〜６１−５は、例えば、ポリシリコン（屈折率３〜４．５）で形成されている。
エアギャップ領域６３−１〜６３−５は、絶縁層６５及び絶縁層６６の間において、絶縁膜領域６２−１〜６２−５の間に配されている。エアギャップ領域６３−１〜６３−５の屈折率は、絶縁膜領域６２−１〜６２−５の屈折率より低く、且つ、回折格子６１−１〜６１−５の屈折率より低い。エアギャップ領域６３−５には、例えば、空気（屈折率１）が充填されている。
なお、図１、２、６は、絶縁膜領域６２−１〜６２−５及びエアギャップ領域６３−１〜６３−５を模式的に示したものであり、絶縁膜領域６２−１〜６２−５及びエアギャップ領域６３−１〜６３−５の具体的な形状は製造方法に依存し、例えば、図９（ａ）に示すようになる。そこで、図９（ａ）に示す構造を図２の部材番号で説明することにする。
図９（ａ）に示す絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、回折格子６１−１〜６１−５の側面を覆うとともに絶縁層６５の上面における回折格子６１−１〜６１−５の間の部分を覆っている。回折格子６１−１〜６１−５の側面を覆う絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、絶縁層６６の上面に近づくにつれて徐々に膜厚が厚くなる。回折格子６１−１〜６１−５の側面を覆う絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、エアギャップ領域６３−１〜６３−５の側部を覆っている。絶縁層６５の上面における回折格子６１−１〜６１−５の間の部分を覆う絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、均等な膜厚を有している。絶縁層６５の上面における回折格子６１−１〜６１−５の間の部分を覆う絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、エアギャップ領域６３−１〜６３−５の底部を覆っている。さらに、図９（ａ）に示す絶縁膜領域６２−１〜６２−５は、回折格子６１−１〜６１−５の側面を絶縁層６６の上面近傍かつ上面手前まで延長した仮想的な面を覆っている。この仮想的な面を覆う絶縁膜領域６２−１〜６２−５も、絶縁層６６の上面に近づくにつれて徐々に膜厚が厚くなる。
図９（ａ）に示すエアギャップ領域６３−１〜６３−５は、断面視において、回折格子６１−１〜６１−５の間から絶縁層６６の上面近傍かつ上面手前まで突き出るような略三角形状を有している。言い換えると、エアギャップ領域６３−１〜６３−５は、回折格子６１−１〜６１−５の上面より高い位置まで突き出ている。エアギャップ領域６３−１〜６３−５は、半導体基板１０（図１参照）の表面に平行な方向の幅が、絶縁層６６の上面に近づくにつれて徐々に小さくなっている。
すなわち、図９（ａ）に示す構造では、絶縁膜領域６２−１〜６２−５及びエアギャップ領域６３−１〜６３−５を有する格子間領域６４−１〜６４−５が回折格子６１−１〜６１−５の間の領域を含むだけでなくその領域を絶縁層６６の上面近傍かつ上面手前まで延在させた領域も含むものとみなすことができる。言い換えると、格子間領域６４−１〜６４−５が回折格子６１−１〜６１−５の上面より高い位置まで延在しているとみなすことができる。図９（ａ）に示す構造によれば、回折格子６１−１〜６１−５に比べて格子間領域６４−１〜６４−５の体積を大きく確保することができる。これにより、格子間領域及びエアギャップ領域が回折格子６１−１〜６１−５の間の領域のみを含む場合に比べて、導波モード共鳴格子６０による共鳴効果を高めやすい。
ここで、図２に示す格子間領域６４−１〜６４−５の体積Ｖ２に占めるエアギャップ領域６３−１〜６３−５の体積Ｖ１の割合は、５０％以上９０％以下である。仮に、格子間領域６２−１〜６２−５の体積に占めるエアギャップ領域６３−１〜６３−５の体積の割合が５０％より小さいと、格子間領域６４−１〜６４−５の平均屈折率と回折格子６１−１〜６１−５の屈折率との差が小さくなり、導波モード共鳴格子６０による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすことができない可能性がある。あるいは、仮に、格子間領域６４−１〜６４−５の体積に占めるエアギャップ領域６３−１〜６３−５の体積の割合が９０％より大きいと、図２（ａ）に示すような導波モード共鳴格子６０の構造を製造することが困難になる。
次に、導波モード共鳴格子６０の具体的な構成例について図３〜図５を用いて説明する。図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）は、導波モード共鳴格子６０の構成を示す平面図であり、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）は、導波モード共鳴格子６０の構成を示す斜視図である。
例えば、図３（ａ）、（ｂ）に示す導波モード共鳴格子１６０では、複数のラインパターン１６１−１〜１６１−４がＹ方向にそれぞれ延びるとともにＸ方向に一定のピッチＰｘで配列されている。複数のラインパターン１６１−１〜１６１−４は、線幅が互いに均等であり、隣接するラインパターンとのスペースも互いに均等である。各ラインパターン１６１−１〜１６１−４は回折格子として機能する。
また、各スペースパターン１６４−１〜１６４−４は、格子間領域として機能し、絶縁膜領域１６２−１〜１６２−４及びエアギャップ領域１６３−１〜１６３−４を有する。
各絶縁膜領域１６２−１〜１６２−４は、ラインパターン１６１−１〜１６１−４の側壁に配されており、Ｙ方向に延びている。各絶縁膜領域１６２−１〜１６２−４は、例えば、Ｚ方向に突出するとともにＹ方向に延びたフィン形状を有している。各エアギャップ領域１６３−１〜１６３−４は、例えば絶縁膜領域１６２−１〜１６２−４の２つのフィン形状の間に配されており、２つのフィン形状の間をＹ方向に延びている。
ここで、格子間領域１６４−１〜１６４−４の体積Ｖ１２に占めるエアギャップ領域１６３−１〜１６３−４の体積Ｖ１１の割合は、５０％以上９０％以下である。
例えば、図４（ａ）、（ｂ）に示す導波モード共鳴格子２６０では、複数のホールパターン２６４−１〜２６４−４が絶縁層６５及び絶縁層６６の間を貫通して延びるとともにＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ１ｘ、Ｐ１ｙで配列されている。複数のホールパターン２６４−１〜２６４−４は、平面幅が互いに均等であり、隣接するホールパターンとのスペースも互いに均等である。
また、複数のホールパターン間領域２６１−１〜２６１−４がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ１ｘ、Ｐ１ｙで配列されている。複数のホールパターン間領域２６１−５〜２６１−８がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ１ｘ、Ｐ１ｙで配列されている。複数のホールパターン間領域２６１−１〜２６１−８は回折格子として機能する。
また、各ホールパターン２６４−１〜２６４−４は、格子間領域として機能し、絶縁膜領域２６２−１〜２６２−４及びエアギャップ領域２６３−１〜２６３−４を有する。
各絶縁膜領域２６２−１〜２６２−４は、ホールパターン２６４−１〜２６４−４の内側面に配されており、絶縁層６５及び絶縁層６６の間を貫通して延びている。各絶縁膜領域２６２−１〜２６２−４は、例えば、Ｚ方向に延びた円筒形状を有している。各エアギャップ領域２６３−１〜２６３−４は、例えば絶縁膜領域２６２−１〜２６２−４の円筒形状の内側に配されており、円筒形状の内側において絶縁層６５及び絶縁層６６の間を貫通してＺ方向に延びている。
ここで、格子間領域２６４−１〜２６４−４の体積Ｖ２２に占めるエアギャップ領域２６３−１〜２６３−４の体積Ｖ２１の割合は、５０％以上９０％以下である。
例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示す導波モード共鳴格子３６０では、複数の柱状パターン３６１−１〜３６１−４が絶縁層６５及び絶縁層６６の間を貫通して延びるとともにＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ２ｘ、Ｐ２ｙで配列されている。複数の柱状パターン３６１−１〜３６１−４は、平面幅が互いに均等であり、隣接する柱状パターンとのスペースも互いに均等である。各柱状パターン３６１−１〜３６１−４は回折格子として機能する。
また、複数の柱状パターン間領域３６４−１〜３６４−４がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ２ｘ、Ｐ２ｙで配列されている。複数の柱状パターン間領域３６４−５〜３６４−８がＸ方向及びＹ方向にそれぞれ一定のピッチＰ２ｘ、Ｐ２ｙで配列されている。複数の柱状パターン間領域３６４−１〜３６４−８は格子間領域として機能し、絶縁膜領域３６２−１〜３６２−８及びエアギャップ領域３６３−１〜３６３−８を有する。
各絶縁膜領域３６２−１〜３６２−８は、柱状パターン３６１−１〜３６１−４の側面に配されており、Ｚ方向に延びている。各絶縁膜領域３６２−１〜３６２−８は、例えば、Ｚ方向に延びた円筒形状の一部を有している。各エアギャップ領域３６３−１〜３６３−８は、例えば絶縁膜領域３６２−１〜３６２−８の円筒形状の外側に配されており、円筒形状の外側において絶縁層６５及び絶縁層６６の間を貫通してＺ方向に延びている。
ここで、格子間領域３６４−１〜３６４−４の体積Ｖ３２に占めるエアギャップ領域３６３−１〜３６３−４の体積Ｖ３１の割合は、５０％以上９０％以下である。
次に、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの構成における異なる部分について図６を用いて説明する。図６は、複数の導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの構成を示す断面図である。
図６に示すように、複数の回折格子の配置ピッチは、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの間で異なる。すなわち、導波モード共鳴格子６０ｒにおける回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５の配置ピッチをＰｒ、導波モード共鳴格子６０ｇにおける回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６の配置ピッチをＰｇ、導波モード共鳴格子６０ｂにおける回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７の配置ピッチをＰｂとすると、例えば、次の数式１の関係が成り立つ。
Ｐｒ＞Ｐｇ＞Ｐｂ・・・数式１
数式１に示されるように、透過波長領域が長波長側であるほど、複数の回折格子の配置ピッチを大きくし、透過波長領域が短波長側であるほど、複数の回折格子の配置ピッチを小さくする。
それに応じて、導波モード共鳴格子６０ｒにおける回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５の幅をＷｒ、導波モード共鳴格子６０ｇにおける回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６の幅をＷｇ、導波モード共鳴格子６０ｂにおける回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７の幅をＷｂとすると、例えば、次の数式２の関係が成り立つ。
Ｗｒ＞Ｗｇ＞Ｗｂ・・・数式２
なお、導波モード共鳴格子６０ｒにおける回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５のスペースをＳｒ、導波モード共鳴格子６０ｇにおける回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６のスペースをＳｇ、導波モード共鳴格子６０ｂにおける回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７のスペースをＳｂとすると、例えば、次の数式３の関係が成り立ってもよい。
Ｓｒ≒Ｓｇ≒Ｓｂ・・・数式３
あるいは、数式２、３に代えて、次の数式４、５が成り立っても良い。
Ｗｒ≒Ｗｇ≒Ｗｂ・・・数式４
Ｓｒ＞Ｓｇ＞Ｓｂ・・・数式５
また、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合は、互いに透過波長領域の異なる複数の導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの間で異なる。すなわち、導波モード共鳴格子６０ｒにおける格子間領域６４ｒ−１〜６４ｒ−４の体積Ｖ２ｒに占めるエアギャップ領域６３ｒ−１〜６３ｒ−４の体積Ｖ１ｒの割合を（Ｖ１ｒ）／（Ｖ２ｒ）とする。導波モード共鳴格子６０ｇにおける格子間領域６４ｇ−１〜６４ｇ−５の体積Ｖ２ｇに占めるエアギャップ領域６３ｇ−１〜６３ｇ−５の体積Ｖ１ｇの割合を（Ｖ１ｇ）／（Ｖ２ｇ）とする。導波モード共鳴格子６０ｂにおける格子間領域６４ｂ−１〜６４ｂ−６の体積Ｖ２ｂに占めるエアギャップ領域６３ｂ−１〜６３ｂ−６の体積Ｖ１ｂの割合を（Ｖ１ｂ）／（Ｖ２ｂ）とする。このとき、例えば、次の数式２の関係が成り立つ。
（Ｖ１ｒ）／（Ｖ２ｒ）＜（Ｖ１ｇ）／（Ｖ２ｇ）＜（Ｖ１ｂ）／（Ｖ２ｂ）
・・・数式６
数式２に示されるように、透過波長領域が長波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を（５０％以上９０％以下の範囲内で）小さくし、透過波長領域が短波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を（５０％以上９０％以下の範囲内で）大きくする。
次に、実施形態にかかる固体撮像装置１の製造方法について図７〜図９を用いて説明する。図７（ａ）〜図９（ｂ）は、実施形態にかかる固体撮像装置１の製造方法を示す工程断面図である。図１は、図９（ｂ）に続く工程断面図として流用する。
図７（ａ）に示す工程では、半導体基板１０のウエル領域１２内に、イオン注入法などにより、電荷蓄積領域をそれぞれ含む光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂを形成する。ウエル領域１２は、第１導電型（例えば、Ｐ型）の不純物を低い濃度で含む半導体（例えば、シリコン）で形成する。光電変換層１１ｒ、１１ｇ、１１ｂにおける電荷蓄積領域は、例えば、第１導電型と反対導電型である第２導電型（例えば、Ｎ型）の不純物を、半導体基板１０のウエル領域１２内に、ウエル領域１２における第１導電型の不純物の濃度よりも高い濃度で注入することにより形成する。
半導体基板１０を覆う層間絶縁膜を、ＣＶＤ法などにより、例えばＳｉＯ２を堆積して形成する。そして、層間絶縁膜の上に配線パターンをスパッタ法及びリソグラフィ法などにより例えば金属で形成し、層間絶縁膜及び配線パターンを覆う層間絶縁膜をＣＶＤ法により例えばＳｉＯ２で形成する処理を繰り返し行う。これにより、多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂを形成する。
図７（ｂ）に示す工程では、ＣＶＤ法などにより、導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂの下部となるべき絶縁層６５ｒ、６５ｇ、６５ｂを形成する。絶縁層６５ｒ、６５ｇ、６５ｂは、例えば、多層配線構造３０ｒ、３０ｇ、３０ｂの上に形成する。
そして、ＣＶＤ法などによりポリシリコン膜を絶縁層６５ｒ、６５ｇ、６５ｂの上に堆積する。ポリシリコン膜は、例えば、１００〜２００ｎｍの厚さで堆積する。堆積されたポリシリコン膜をフォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスによりパターニングする。これにより、複数の回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７を形成する。各回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７の平面幅は、例えば、８０〜１００ｎｍである。また、複数の回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７のスペースは、例えば、６０〜８０ｎｍである。
このとき、複数の回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７は、上記の数式１〜３を満たすように形成しても良いし、上記の数式１、４、５を満たすように形成しても良い。
また、各回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７のパターンは、例えば、ラインパターン（図３参照）でもよいし、ホールパターン間領域のパターン（図４参照）でもよいし、柱状パターン（図５参照）でもよい。
図８（ａ）に示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、絶縁層６５ｇ、６５ｂ及び回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７を選択的に覆うレジストパターンＲＰ１を形成する。このとき、絶縁層６５ｒ及び回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５は露出されている。
次に、レジストパターンＲＰ１をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域６４ｒ−１〜６４ｒ−５及び絶縁層６６ｒとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シラン（ＳｉＨ４）及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により酸化膜を堆積して回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５の間に埋め込む。なお、シラン（ＳｉＨ４）及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により堆積された酸化膜を、一般的な酸化膜と区別するために、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜（「Ｐ」はプラズマを意味する）と呼ぶことにする。Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図８（ａ）に示すように絶縁膜領域６２ｒ−１〜６２ｒ−５の間にエアギャップ領域６３ｒ−１〜６３ｒ−５ができる。また、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜における回折格子６１ｒ−１〜６１ｒ−５より高い上部６６ｒｉは、絶縁層６６ｒとなるべき部分である。
ここで、格子間領域６４ｒ−１〜６４ｒ−５の体積に占めるエアギャップ領域６３ｒ−１〜６３ｒ−５の体積の割合が、５０％以上９０％以下になるように、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜の成膜条件を調整する。なお、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。
図８（ｂ）に示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、図８（ａ）に示す工程で形成した酸化膜の上部６６ｒｉ、絶縁層６５ｂ、及び回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７を選択的に覆うレジストパターンＲＰ２を形成する。このとき、絶縁層６５ｇ及び回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６は露出されている。
次に、レジストパターンＲＰ２をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域６４ｇ−１〜６４ｇ−５及び絶縁層６６ｇとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シラン（ＳｉＨ４）を原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜を堆積する。Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図８（ｂ）に示すように絶縁膜領域６２ｇ−１〜６２ｇ−６の間にエアギャップ領域６３ｇ−１〜６３ｇ−６ができる。また、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜における回折格子６１ｇ−１〜６１ｇ−６より高い上部６６ｇｉは、絶縁層６６ｇとなるべき部分である。
ここで、格子間領域６４ｇ−１〜６４ｇ−６の体積に占めるエアギャップ領域６３ｇ−１〜６３ｇ−６の体積の割合が、５０％以上９０％以下になるように、且つ、上記の数式８を満たすように、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜の成膜条件を調整する。なお、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。
図９（ａ）に示す工程では、フォトリソグラフィプロセス及びエッチングプロセスにより、図８（ａ）に示す工程で形成した酸化膜の上部６６ｒｉ、及び図８（ｂ）に示す工程で形成した酸化膜の上部６６ｇｉを選択的に覆うレジストパターンＲＰ３を形成する。このとき、絶縁層６５ｂ及び回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７は露出されている。
次に、レジストパターンＲＰ３をマスクとして、カバレッジの悪い条件で、格子間領域６４ｂ−１〜６４ｂ−７及び絶縁層６６ｂとなるべき酸化膜を形成する。例えば、シラン（ＳｉＨ４）を原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜を堆積する。Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜は、狭いスペースに埋め込みにくい性質があるので、堆積されると図９（ａ）に示すように絶縁膜領域６２ｂ−１〜６２ｂ−７の間にエアギャップ領域６３ｂ−１〜６３ｂ−７ができる。また、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜における回折格子６１ｂ−１〜６１ｂ−７より高い上部６６ｂｉは、絶縁層６６ｂとなるべき部分である。
ここで、格子間領域６４ｂ−１〜６４ｂ−７の体積に占めるエアギャップ領域６３ｂ−１〜６３ｂ−７の体積の割合が、５０％以上９０％以下になるように、且つ、上記の数式８を満たすように、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜の成膜条件を調整する。なお、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜以外でも狭いスペースに埋め込みにくい性質がある酸化膜であれば、他の酸化膜を堆積しても良い。
図９（ｂ）に示す工程では、ＣＭＰ法などにより、図８（ａ）〜図９（ａ）で形成した酸化膜（例えば、Ｐ−ＳｉＨ４酸化膜）の上部６６ｒｉ、６６ｇｉ、６６ｂｉを平坦化し、絶縁層６６ｒ、６６ｇ、６６ｂを形成する。
これにより、導波モード共鳴格子６０ｒ、６０ｇ、６０ｂが形成される。
次に、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂの下部となるべき下部積層構造２５ｒ、２５ｇ、２５ｂを形成する。具体的には、第１の層２１ｒ−１、２１ｇ−１、２１ｂ−１を同時に堆積し、第２の層２２ｒ−１、２２ｇ−１、２２ｂ−１を同時に堆積し、第１の層２１ｒ−２、２１ｇ−２、２１ｂ−２を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第１の層２１ｒ−１〜２１ｂ−２は、スパッタ法などにより、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成する。各第１の層２１ｒ−１〜２１ｂ−２は、同じ膜厚で形成する。各第１の層２１ｒ−１〜２１ｂ−２は、例えば、その光学的膜厚が中心波長（例えば、５５０ｎｍ）の１／４となるような膜厚で形成する。つまり材料（例えば、ＴｉＯ２）の屈折率をｎ１とし、中心波長をλとしたとき、各第１の層２１ｒ−１〜２１ｂ−２は、次の数式７を満たす膜厚ｄ１で形成する。
ｎ１×ｄ１＝（１／４）×λ・・・数式７
例えば、ｎ１＝２．５、λ＝５５０ｎｍを数式７に代入すると、ｄ１＝５５ｎｍになる。また、第２の層２２ｒ−１、２２ｇ−１、２２ｂ−１は、ＣＶＤ法などにより、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成する。第２の層２２ｒ−１、２２ｇ−１、２２ｂ−１は、例えば、その光学的膜厚が中心波長（例えば、５５０ｎｍ）の１／４となるような膜厚で形成する。つまり材料（例えば、ＳｉＯ２）の屈折率をｎ２とし、中心波長をλとしたとき、第２の層２２ｒ−１、２２ｇ−１、２２ｂ−１は、次の数式８を満たす膜厚ｄ２で形成する。
ｎ２×ｄ２＝（１／４）×λ・・・数式８
例えば、ｎ２＝１．４６、λ＝５５０ｎｍを数式８に代入すると、ｄ２＝９４ｎｍになる。
これにより、第１の層２１ｒ−１、第２の層２２ｒ−１、及び第１の層２１ｒ−２が順に積層された下部積層構造２５ｒが形成される。第１の層２１ｇ−１、第２の層２２ｇ−１、及び第１の層２１ｇ−２が順に積層された下部積層構造２５ｇが形成される。第１の層２１ｂ−１、第２の層２２ｂ−１、及び第１の層２１ｂ−２が順に積層された下部積層構造２５ｂが形成される。
そして、ＣＶＤ法などにより、第１の層２１ｒ−１、２１ｇ−１、２１ｂ−１の上に、干渉層２３ｒ、２３ｇとなるべき層（図示せず）を形成する。干渉層となるべき層は、赤色の波長帯に対応した膜厚（例えば、８５ｎｍ）で形成する。リソグラフィー法により、層における光電変換層１１ｒの上方に対応した部分（干渉層２３ｒ）を覆うレジストパターン（図示せず）を形成する。このとき、干渉層となるべき層における光電変換層１１ｇ、１１ｂの上方に対応した部分は露出されている。
次に、ドライエッチング法により、レジストパターンをマスクとして干渉層となるべき層における光電変換層１１ｇ、１１ｂの上方に対応した部分を緑色の波長帯に対応した膜厚（例えば、３５ｎｍ）までエッチング（ハーフエッチング）して薄膜化する。これにより、干渉層となるべき層において、光電変換層１１ｇに対応した部分に干渉層２３ｇが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
そして、リソグラフィー法により、干渉層となるべき層における光電変換層１１ｒ、１１ｇの上方に対応した部分（干渉層２３ｒ及び干渉層２３ｇ）を覆うレジストパターンを形成する。このとき、干渉層となるべき層における光電変換層１１ｂの上方に対応した部分は露出されている。
次に、ドライエッチング法により、レジストパターンをマスクとして干渉層となるべき層における光電変換層１１ｂの上方に対応した部分２３ｉｂ１をエッチングして除去する。これにより、干渉層となるべき層において、干渉層２３ｒ及び干渉層２３ｇを残しながら、光電変換層１１ｂに対応した部分に膜厚が０ｎｍの仮想的な干渉層２３ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
そして、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂの上部となるべき上部積層構造２４ｒ、２４ｇ、２４ｂを形成する。具体的には、第１の層２１ｒ−３、２１ｇ−３、２１ｂ−３を同時に堆積し、第２の層２２ｒ−３、２２ｇ−３、２２ｂ−３を同時に堆積し、第１の層２１ｒ−４、２１ｇ−４、２１ｂ−４を同時に堆積する処理を順に行って形成する。各第１の層２１ｒ−３〜２１ｂ−４は、スパッタ法などにより、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成する。第１の層２１ｒ−３、２１ｇ−３、２１ｂ−３は、第１の層２１ｒ−１〜２１ｂ−２や第１の層２１ｒ−４、２１ｇ−４、２１ｂ−４と均等な膜厚で形成する。また、第２の層２２ｒ−３、２２ｇ−３、２２ｂ−３は、ＣＶＤ法などにより、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）で形成する。第２の層２２ｒ−３、２２ｇ−３、２２ｂ−３は、第２の層２２ｒ−１、２２ｇ−１、２２ｂ−１と均等な膜厚で形成する。
これにより、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂが形成される。
図１に示す工程では、多層干渉フィルター２０ｒ、２０ｇ、２０ｂを覆う膜を例えば所定の樹脂又は酸化膜（例えば、ＳｉＯ２）を堆積して形成し、形成された膜の表面をＣＭＰ法により平坦化する。これにより、平坦な表面を有する平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂが形成される。そして、平坦化層４０ｒ、４０ｇ、４０ｂの上に、マイクロレンズ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂを例えば、所定の樹脂で形成する。
ここで、仮に、図１０（ａ）に示すように、固体撮像装置９００において、カラーフィルター９７０の導波モード共鳴格子９６０がエアギャップ領域を有しない場合について考える。具体的には、導波モード共鳴格子９６０において、複数の回折格子９６１−１〜９６１−６の間に配された複数の格子間領域９６４−１〜９６４−５のそれぞれが、絶縁膜領域９６２−１〜９６２−５を有するが、エアギャップ領域を有しない。この場合、共鳴条件を満たすための回折格子９６１−１〜９６１−６及び格子間領域９６４−１〜９６４−５として採用可能な材料が限定されており、回折格子９６１−１〜９６１−６の屈折率と格子間領域９６４−１〜９６４−５の屈折率との差が小さいので、導波モード共鳴格子９６０による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすことができない傾向にある。例えば、緑色の波長域に透過率のピークを有するカラーフィルター９７０の透過率特性において、図１０（ｂ）に示すように、可視領域における長波長側のクロストーク（混色）を要求されるレベル（例えば、顔料フィルターと同等レベル）まで除去できない傾向にある。
それに対して、実施形態では、イメージセンサー向けのカラーフィルターとして、干渉フィルターと導波モード共鳴格子を有するフィルターにおいて、導波モード共鳴格子の格子間のスペースにエアギャップ構造を形成する。すなわち、固体撮像装置１では、カラーフィルター７０の導波モード共鳴格子９６０において、複数の回折格子６１−１〜６１−６の間に配された複数の格子間領域６４−１〜６４−５のそれぞれが、絶縁膜領域６２−１〜６２−５に加えてエアギャップ領域６３−１〜６３−５を有する。これにより、導波モード共鳴格子の相対屈折率を向上できる。すなわち、回折格子６１−１〜６１−６の屈折率と格子間領域６４−１〜６４−５の平均屈折率との差を大きくすることができるので、導波モード共鳴格子６０による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすようにすることが容易である。例えば、緑色の波長域に透過率のピークを有するカラーフィルター７０の透過率特性において、図２（ｂ）に示すように、可視領域における長波長側のクロストーク（混色）を要求されるレベル（例えば、顔料フィルターと同等レベル）まで除去できる。すなわち、実施形態によれば、カラーフィルターのクロストーク（混色）を改善できる。
あるいは、仮に、図１０（ａ）に示す構成において、回折格子９６１−１〜９６１−６の屈折率と格子間領域９６４−１〜９６４−５の屈折率との差を大きくするために回折格子９６１−１〜９６１−６の材料をより屈折率の高い材料に変更した場合について考える。この場合、導波モード共鳴格子９６０が共鳴条件を満たすことが困難になりその光の透過特性（透過率のピーク値）が劣化する傾向にある。
それに対して、実施形態では、回折格子６１−１〜６１−６の材料を変更することなく回折格子６１−１〜６１−６の屈折率と格子間領域６４−１〜６４−５の平均屈折率との差を大きくすることができるので、導波モード共鳴格子６０の透過特性（透過率のピーク値）の劣化を抑制できる。すなわち、実施形態によれば、カラーフィルターのフィルタ特性の劣化を抑制しながら、カラーフィルターのクロストーク（混色）を改善できる。
また、実施形態では、格子間領域６４−１〜６４−５の体積Ｖ２に占めるエアギャップ領域６３−１〜６３−５の体積Ｖ１の割合は、５０％以上９０％以下である。これにより、導波モード共鳴格子６０による混色成分の除去性能が要求されるスペックを満たすようにすることができるとともに、図２（ａ）に示すような導波モード共鳴格子６０の構造を製造することが容易である。
また、実施形態では、透過波長領域が長波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を（５０％以上９０％以下の範囲内で）小さくし、透過波長領域が短波長側であるほど、格子間領域の体積に占めるエアギャップ領域の体積の割合を（５０％以上９０％以下の範囲内で）大きくする。これにより、透過波長領域に応じた混色成分の除去性能を、透過波長領域ごとに向上できる。
なお、上記の実施形態では、導波モード共鳴格子が多相干渉フィルターの下に配された構成について例示的に説明しているが、導波モード共鳴格子は多相干渉フィルターの上に配されていても良い。この場合でも、上記の実施形態の考え方は同様に適用できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１ 固体撮像装置、 １０ 半導体基板、 １１ｒ、１１ｇ、１１ｂ 光電変換層、 １２ ウエル領域、 ２０ｒ、２０ｇ、２０ｂ 多層干渉フィルター、 ２１ｒ−１、２１ｒ−２、２１ｒ−３、２１ｒ−４、２１ｇ−１、２１ｇ−２、２１ｇ−３、２１ｇ−４、２１ｂ−１、２１ｂ−２、２１ｂ−３、２１ｂ−４ 第１の層、 ２２ｒ−１、２２ｒ−３、２２ｇ−１、２２ｇ−３、２２ｂ−１、２２ｂ−３ 第２の層、 ２３ｒ、２３ｇ、２３ｂ 干渉層、 ２４ｒ、２４ｇ、２４ｂ 上部積層構造、 ２５ｒ、２５ｇ、２５ｂ 下部積層構造、 ３０ｒ、３０ｇ、３０ｂ 多層配線構造、 ４０ｒ、４０ｇ、４０ｂ 平坦化層、 ５０ｒ、５０ｇ、５０ｂ マイクロレンズ、６０、６０ｒ、６０ｂ、６０ｇ 導波モード共鳴格子、６１−１〜６１−６、６１ｒ−１〜６１ｒ−５、６１ｇ−１〜６１ｇ−６、６１ｂ−１〜６１ｂ−７ 回折格子、６２−１〜６２−５、６２ｒ−１〜６２ｒ−５、６２ｇ−１〜６２ｇ−６、６２ｂ−１〜６２ｂ−７ 絶縁膜領域、６３−１〜６３−５、６３ｒ−１〜６３ｒ−４、６３ｇ−１〜６３ｇ−５、６３ｂ−１〜６３ｂ−６ エアギャップ領域、６４−１〜６４−５、６４ｒ−１〜６４ｒ−４、６４ｇ−１〜６４ｇ−５、６４ｂ−１〜６４ｂ−６ 格子間領域、６５、６５ｒ、６５ｇ、６５ｂ 絶縁層、６６、６６ｒ、６６ｇ、６６ｂ 絶縁層、７０、７０ｒ、７０ｂ、７０ｇ カラーフィルター、ＯＲｒ、ＯＲｇ、ＯＲｂ 開口領域、 ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３ レジストパターン。

Claims (12)

  1. 第１の光電変換層と、
    前記第１の光電変換層の上方に配されたカラーフィルターと、
    を備え、
    前記カラーフィルターは、
    互いに屈折率の異なる第１の層と第２の層とが交互に積層された多層干渉フィルターと、
    前記多層干渉フィルターの上方又は下方に配された導波モード共鳴格子と、
    を有し、
    前記導波モード共鳴格子は、
    第１の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも１次元的に周期的に配列された複数の回折格子と、
    少なくとも前記複数の回折格子の間に配された複数の格子間領域と、
    を有し、
    前記複数の格子間領域は、
    前記第１の屈折率より低い第２の屈折率を有する材料で形成された絶縁膜領域と、
    エアギャップ領域と、
    を有し、
    前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合は、５０％以上９０％以下である
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 第１の光電変換層と、
    前記第１の光電変換層の上方に配されたカラーフィルターと、
    を備え、
    前記カラーフィルターは、
    互いに屈折率の異なる第１の層と第２の層とが交互に積層された多層干渉フィルターと、
    前記多層干渉フィルターの上方又は下方に配された導波モード共鳴格子と、
    を有し、
    前記導波モード共鳴格子は、
    第１の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも１次元的に周期的に配列された複数の回折格子と、
    少なくとも前記複数の回折格子の間に配された複数の格子間領域と、
    を有し、
    前記複数の格子間領域は、
    前記第１の屈折率より低い第２の屈折率を有する材料で形成された絶縁膜領域と、
    エアギャップ領域と、
    を有する
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  3. 前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合は、５０％以上である
    ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
  4. 第２の光電変換層と、
    前記第２の光電変換層の上方に配され、前記第１のカラーフィルターと異なる第２のカラーフィルターと、
    をさらに備え、
    前記第２のカラーフィルターは、
    互いに屈折率の異なる第１の層と第２の層とが交互に積層された第２の多層干渉フィルターと、
    前記第２の多層干渉フィルターの上又は下に配された第２の導波モード共鳴格子と、
    を有し、
    前記第２の導波モード共鳴格子は、
    第１の屈折率を有する材料で形成され、少なくとも１次元的に周期的に配列された複数の第２の回折格子と、
    前記複数の第２の回折格子の間に配された複数の第２の格子間領域と、
    を有し、
    前記複数の第２の格子間領域は、
    前記第１の屈折率より低い第２の屈折率を有する材料で形成された第２の絶縁膜領域と、
    第２のエアギャップ領域と、
    を有し、
    前記第２の格子間領域の体積に占める前記第２のエアギャップ領域の体積の割合は、前記格子間領域の体積に占める前記エアギャップ領域の体積の割合と異なる
    ことを特徴とする請求項２又は３に記載の固体撮像装置。
  5. 前記エアギャップ領域は、断面視において、略三角形状を有している
    ことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記絶縁膜領域は、前記エアギャップ領域の側部及び底部を覆っている
    ことを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
  7. 前記格子間領域の上端は、前記回折格子の上面より高く、
    前記エアギャップ領域の上端は、前記回折格子の上面より高い
    ことを特徴とする請求項５又は６に記載の固体撮像装置。
  8. 前記複数の回折格子は、複数のラインパターンを含み、
    前記複数の格子間領域は、複数のスペースパターンを含む
    ことを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記複数の格子間領域は、複数のホールパターンを含み、
    前記複数の回折格子は、複数のホールパターン間領域を含む
    ことを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記複数の回折格子は、複数の柱状パターンを含み、
    前記複数の格子間領域は、複数の柱状パターン間領域を含む
    ことを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  11. 光電変換層を形成することと、
    前記光電変換層の上方にカラーフィルターを形成することと、
    を備え、
    前記カラーフィルターの形成は、
    互いに屈折率の異なる第１の層と第２の層とが交互に積層された多層干渉フィルターを形成することと、
    前記多層干渉フィルターの上方又は下方となるべき位置に導波モード共鳴格子を形成することと、
    を含み、
    前記導波モード共鳴格子の形成は、
    少なくとも１次元的に周期的に配列されるように複数の回折格子を第１の屈折率を有する材料で形成することと、
    前記複数の回折格子の間にエアギャップ領域が形成されるように前記複数の回折格子の間に前記第１の屈折率より低い第２の屈折率を有する絶縁膜を埋め込み、前記エアギャップ領域及び絶縁膜領域を有する複数の格子間領域を少なくとも前記複数の回折格子の間に形成することと、
    前記埋め込まれた絶縁膜の上面を平坦化することと、
    を含む
    ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  12. 前記絶縁膜の埋め込みでは、シラン及び酸化性ガスを原料ガスとするプラズマＣＶＤ法により酸化膜を堆積して前記複数の回折格子の間に埋め込む
    ことを特徴とする請求項１１に記載の固体撮像装置の製造方法。
JP2011227773A 2011-10-17 2011-10-17 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 Pending JP2013088557A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011227773A JP2013088557A (ja) 2011-10-17 2011-10-17 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
US13/601,165 US8963267B2 (en) 2011-10-17 2012-08-31 Solid-state imaging device and manufacturing method of solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011227773A JP2013088557A (ja) 2011-10-17 2011-10-17 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013088557A true JP2013088557A (ja) 2013-05-13

Family

ID=48085424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011227773A Pending JP2013088557A (ja) 2011-10-17 2011-10-17 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8963267B2 (ja)
JP (1) JP2013088557A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017228774A (ja) * 2016-06-17 2017-12-28 株式会社リコー 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および撮像装置
JP2018195908A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像素子の製造方法、電子機器、及び、撮像モジュール
JP2021005843A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 凸版印刷株式会社 光学デバイス

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102137592B1 (ko) * 2013-11-06 2020-07-24 삼성전자 주식회사 광학 결정을 포함하는 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 데이터 처리 시스템
FR3014243B1 (fr) * 2013-12-04 2017-05-26 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'un dispositif imageur integre a illumination face avant comportant au moins un filtre optique metallique, et dispositif correspondant
US20160035914A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Analog Devices, Inc. Filter coating design for optical sensors
FR3025361B1 (fr) * 2014-08-29 2017-12-08 Commissariat Energie Atomique Capteur photosensible
US9948839B2 (en) * 2016-01-04 2018-04-17 Visera Technologies Company Limited Image sensor and image capture device
CN108174059B (zh) * 2016-12-08 2021-04-13 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
US10644073B2 (en) 2016-12-19 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices including the same
EP3343619A1 (en) * 2016-12-29 2018-07-04 Thomson Licensing An image sensor comprising at least one sensing unit with light guiding means
US10770489B2 (en) * 2018-03-30 2020-09-08 Vishay Intertechnology, Inc. Optoelectronic device arranged as a multi-spectral light sensor having a photodiode array with aligned light blocking layers and N-well regions
US11404468B2 (en) * 2019-06-21 2022-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wavelength tunable narrow band filter
CN113359219B (zh) * 2021-05-12 2023-04-07 上海交通大学烟台信息技术研究院 一种二维周期对称性光栅光谱过滤光学膜

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006350126A (ja) 2005-06-17 2006-12-28 Sharp Corp 波長選択素子
JP2008170979A (ja) 2006-12-13 2008-07-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
JP5371339B2 (ja) 2008-09-11 2013-12-18 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP5121764B2 (ja) 2009-03-24 2013-01-16 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4741015B2 (ja) 2009-03-27 2011-08-03 富士フイルム株式会社 撮像素子
JP5487686B2 (ja) * 2009-03-31 2014-05-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
JP2012074521A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Sony Corp 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器
JP2012084608A (ja) * 2010-10-07 2012-04-26 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017228774A (ja) * 2016-06-17 2017-12-28 株式会社リコー 固体撮像素子の製造方法、固体撮像素子、および撮像装置
JP2018195908A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像素子の製造方法、電子機器、及び、撮像モジュール
US11264424B2 (en) 2017-05-15 2022-03-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Optical filters and associated imaging devices
US11705473B2 (en) 2017-05-15 2023-07-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Optical filters and associated imaging devices
JP2021005843A (ja) * 2019-06-27 2021-01-14 凸版印刷株式会社 光学デバイス
JP7334498B2 (ja) 2019-06-27 2023-08-29 凸版印刷株式会社 光学デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
US20130093034A1 (en) 2013-04-18
US8963267B2 (en) 2015-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013088557A (ja) 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法
US8461659B2 (en) Solid state imaging apparatus
JP6325620B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
TWI548072B (zh) 像素陣列之介電阻障
US8823123B2 (en) Solid-state image sensor
US9117717B2 (en) Solid-state image pickup device having a multilayer interference filter including an upper laminated structure, a control structure and lower laminated structure
US7968888B2 (en) Solid-state image sensor and manufacturing method thereof
US9971160B2 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
US20130032915A1 (en) Solid state imaging device and method for manufacturing the same
JP2014225667A (ja) Ｂｓｉ型ｃｍｏｓイメージセンサ
CN102593138B (zh) 一种cmos图像传感器及cmos图像传感器的制造方法
US11955501B2 (en) Image sensor with improved light conversion efficiency
TW202008570A (zh) 影像感測器、用於形成影像感測器的方法以及積體晶片
JP5409087B2 (ja) 固体撮像素子
CN110098211A (zh) 一种图像传感器及其制作方法
CN103022063A (zh) 微透镜阵列及其制作方法
JP7270679B2 (ja) イメージセンサ
WO2018138851A1 (ja) 固体光検出器
WO2013046531A1 (ja) 固体撮像装置
TWI804362B (zh) 影像感測器
KR102343456B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조방법
TW202416520A (zh) 影像感測器
KR20240045950A (ko) 이미지 센서
JP2024012119A (ja) イメージセンサおよび画像信号処理装置の簡素化方法
CN117673104A (zh) 图像传感器