JP2013084669A5 - - Google Patents

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本開示の表示装置の製造方法は、基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせると共に隣接する分割部の境界線に継ぎ目がある酸化物半導体よりなるターゲットと基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、継ぎ目に直交する方向において表示領域に生じる輝度分布の幅以下とするようにしたものである。
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図２０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の一辺に、第１の実施の形態における封止用基板７１および接着層６０、または第２の実施の形態における対向基板８３から露出した領域１６０を設け、この露出した領域１６０に、第１の実施の形態における水平セレクタ１２１，ライトスキャナ１３１および電源スキャナ１３２、または第２の実施の形態におけるデータドライバ１２１Ａおよびゲートドライバ１３１Ａの配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）１６１が設けられていてもよい。

Claims (6)

  1. 基板に、酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタの上層に複数の表示素子よりなる表示領域を形成する工程とを含み、
    前記酸化物半導体層を形成する工程を、複数の分割部を平面状に継ぎ合わせると共に隣接する前記分割部の境界線に継ぎ目がある酸化物半導体よりなるターゲットと前記基板とを対面させて、スパッタリング法により行い、
    前記ターゲットの互いに平行な二本の前記継ぎ目の間隔を、前記継ぎ目に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする
    表示装置の製造方法。
  2. 前記酸化物半導体層を形成する工程を、前記基板を前記ターゲットに対面させて揺動または進行させて行い、
    前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、前記基板の変位方向に直交する方向において前記表示領域に生じる輝度分布の幅以下とする
    請求項１記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記ターゲットの互いに平行な二本の継ぎ目の間隔を、４０ｍｍ以下とする
    請求項１または２記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される有機発光素子である
    請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される液晶表示素子である
    請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記表示素子は、前記薄膜トランジスタにより駆動される電気泳動型表示体である
    請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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