JP2013081950A - セラミックス基板のアブレーション加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図4
Description
波長 :355nm(YAGレーザの第3高調波)
平均出力 :0.5〜10W
繰り返し周波数 :10〜200kHz
スポット径 :φ1〜10μm
送り速度 :10〜100mm/秒
F 環状フレーム
2 レーザ加工装置
11 セラミックス基板
13 セラミックスコンデンサ
28 チャックテーブル
34 レーザビーム照射ユニット
36 集光器
80 微粉末含有液状樹脂
82 保護膜
84 レーザ加工溝
Claims (3)
- セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、
少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する炭化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、
を具備したことを特徴とするセラミックス基板のアブレーション加工方法。 - 前記炭化物の微粉末の平均粒径はレーザビームのスポット径より小さいことを特徴とする請求項1記載のセラミックス基板のアブレーション加工方法。
- 前記レーザビームの波長は355nm以下であり、前記炭化物の微粉末は、SiC、Ion Assisted a−C:H Spesimen及びArc−Evaporated Carbonからなる群から選択された炭化物を含み、前記液状樹脂はポリビニルアルコールを含むことを特徴とする請求項1又は2の何れかに記載のセラミックス基板のアブレーション加工方法。
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2011
- 2011-10-06 JP JP2011221711A patent/JP2013081950A/ja active Pending
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