JP5846835B2 - ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法 - Google Patents
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Description
波長 :355nm(YAGレーザの第3高調波)
平均出力 :0.5〜10W
繰り返し周波数 :10〜200kHz
スポット径 :φ1〜10μm
送り速度 :10〜100mm/秒
T 粘着テープ(ダイシングテープ)
F 環状フレーム
D デバイス
2 レーザ加工装置
11 分割溝
13 DAF
15 レーザ加工溝
28 チャックテーブル
34 レーザビーム照射ユニット
36 集光器
80 微粉末含有液状樹脂
82 保護膜
84 レーザ加工溝
Claims (1)
- ダイアタッチフィルムにレーザビームを照射してアブレーション加工を施すダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法であって、
先ダイシング法により個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼着し、該ダイアタッチフィルムを外周部が環状フレームに支持された粘着テープに貼着してウエーハ及び該ダイアタッチフィルムを該環状フレームで支持する支持工程と、
該支持工程を実施した後、少なくともアブレーション加工すべき該ダイアタッチフィルムの領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有するSiCの微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成された該ダイアタッチフィルムの領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施し、該ダイアタッチフィルムを個々のデバイスに対応して分割するレーザ加工工程と、を備え、
前記SiCの微粉末の平均粒径はレーザビームのスポット径より小さく、且つ前記レーザビームのスポット径は10μm以下であり、
前記レーザビームの波長は355nm以下であり、前記液状樹脂はポリビニルアルコールを含むことを特徴とするダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法。
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