JP2013074351A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内部クロック信号ECLKを受けるインバータ回路210〜217と、内部クロック信号OCLKを受けるインバータ回路220〜227とを有し、調整コードC0〜C7を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号LCLKの位相を16段階に調整する。インバータ回路210,220は内部クロック信号LCLKの位相を1段階変化させる能力を有し、インバータ回路211〜217,221〜227は内部クロック信号LCLKの位相を2段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号LCLKの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。
【選択図】図3
Description
11 メモリセルアレイ
12 ロウデコーダ
13 カラムデコーダ
14 モードレジスタ
15 FIFO回路
16 入出力回路
16a 出力回路
21 アドレス端子
22 コマンド端子
23 クロック端子
24 データ端子
25 電源端子
31 アドレス入力回路
32 アドレスラッチ回路
33 コマンド入力回路
34 コマンドデコード回路
35 リフレッシュ制御回路
36 クロック入力回路
37 タイミングジェネレータ
38 内部電源発生回路
100 DLL回路
101 ディレイライン
102 カウント回路
103 レプリカ回路
104 位相比較回路
105 デコード回路
110 粗調整部
111 遅延素子
112 セレクタ
120,120a,120b,120c 微調整部
210〜217,210a〜214a,210b〜214b,220〜227,220a〜224a,220b〜224b,400〜415,500〜515 インバータ回路
C0〜C7,C0a〜C4a,C0b〜C4b,C0c〜C15a 調整コード
ECLK,OCLK,ICLK,LCLK 内部クロック信号
Claims (7)
- 内部クロック信号を出力するDLL回路を備える半導体装置であって、前記DLL回路は、
互いに位相の異なる第1及び第2のクロック信号を出力する粗調整部と、
前記第1のクロック信号の位相と前記第2のクロック信号の位相との間の位相をもつ前記内部クロック信号を出力する微調整部と、を備えるものであって、
前記微調整部は、其々が前記第1のクロック信号を受ける複数の第1のトランジスタと、其々が前記第2のクロック信号を受ける複数の第2のトランジスタと、を有し、調整コードを受けて選択的に活性化された1又は2以上の前記第1のトランジスタの出力クロック信号と1又は2以上の前記第2のトランジスタの出力クロック信号とを合成することによって、前記内部クロック信号の位相を2m+n段階(mは自然数,nは2m以下の自然数)に調整し、
前記複数の第1のトランジスタのうち、最小のサイズのトランジスタは前記内部クロック信号の位相を1段階変化させるサイズを有し、最大のサイズのトランジスタは前記内部クロック信号の位相を2m段階未満変化させるサイズを有し、
前記複数の第2のトランジスタのうち、最小のサイズのトランジスタは前記内部クロック信号の位相を1段階変化させるサイズを有し、最大のサイズのトランジスタは前記内部クロック信号の位相を2m段階未満変化させるサイズを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の第1のトランジスタは互いにサイズの等しいトランジスタを複数含み、且つ前記複数の第2のトランジスタは互いにサイズの等しいトランジスタを複数含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1及び第2のトランジスタは、いずれも前記内部クロック信号の位相を2k段階(kはm未満の整数)変化させるサイズを有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数の第1及び第2のトランジスタは、いずれも前記内部クロック信号の位相を2k−1段階変化させるサイズを有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記微調整部は、前記内部クロック信号の位相を2m+1段階に調整することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 内部クロック信号を出力するDLL回路を備える半導体装置であって、前記DLL回路は、
互いに位相の異なる第1及び第2のクロック信号を出力する粗調整部と、
前記第1のクロック信号の位相と前記第2のクロック信号の位相との間の位相をもつ前記内部クロック信号を出力する微調整部と、を備えるものであって、
前記微調整部は、其々が前記第1のクロック信号を受ける複数の第1のトランジスタと、其々が前記第2のクロック信号を受ける複数の第2のトランジスタと、を有し、調整コードを受けて選択的に活性化された1又は2以上の前記第1のトランジスタの出力クロック信号と1又は2以上の前記第2のトランジスタの出力クロック信号とを合成することによって、前記内部クロック信号の位相を2m+1段階(mは自然数)に調整し、
前記複数の第1のトランジスタの数はm+2個以上であり、前記複数の第2のトランジスタの数はm+2個以上であることを特徴とする半導体装置。 - 内部クロック信号を出力するDLL回路を備える半導体装置であって、前記DLL回路は、
互いに位相の異なる第1及び第2のクロック信号を出力する粗調整部と、
前記第1のクロック信号の位相と前記第2のクロック信号の位相との間の位相をもつ前記内部クロック信号を出力する微調整部と、を備えるものであって、
前記微調整部は、其々が前記第1のクロック信号を受ける複数の第1のトランジスタと、其々が前記第2のクロック信号を受ける複数の第2のトランジスタと、を有し、調整コードを受けて選択的に活性化された1又は2以上の前記第1のトランジスタの出力クロック信号と1又は2以上の前記第2のトランジスタの出力クロック信号とを合成することによって、前記内部クロック信号の位相を複数段階に調整し、
前記複数の第1のトランジスタは互いにサイズの等しいトランジスタを複数含み、且つ前記複数の第2のトランジスタは互いにサイズの等しいトランジスタを複数含むことを特徴とする半導体装置。
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