JP2013074088A5 - - Google Patents

Description

本発明は、例えば、ブランカーアレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキングデバイスを含むブランカーアレイと、描画データに基づいてブランカーアレイを制御する制御部と、を有し、制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランカーアレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランカーアレイを制御することを特徴とする。

本発明によれば、例えば、ブランカーアレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供することができる。

Claims (8)

1. 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
   前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキングデバイスを含むブランカーアレイと、
   描画データに基づいて前記ブランカーアレイを制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記描画データにしたがって制御した場合に前記ブランカーアレイが生成する磁場による前記複数の荷電粒子線の前記基板上での位置誤差が低減するように、前記ブランカーアレイを制御する、
   ことを特徴とする描画装置。
2. 前記制御部は、前記描画データに基づく初期のブランキング指令にしたがって動作する前記複数のブランキングデバイスの動作率の変化に基づいて前記位置誤差を求め、該位置誤差が低減するように前記初期のブランキング指令を変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
3. 前記制御部は、ブロック分けされた前記複数のブランキングデバイスの各ブロックでの前記動作率の変化に基づいて、前記位置誤差を求める、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
4. 前記制御部は、前記動作率の変化に基づいて前記磁場の変化を求め、該変化に基づいて前記位置誤差を求める、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
5. 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置で用いられる描画データを生成する描画データ生成方法であって、
   前記描画装置は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキングデバイスを含むブランカーアレイを介して前記複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であり、
   前記描画データの生成は、初期の描画データに基づくブランキング指令にしたがって動作した場合に前記ブランカーアレイが生成する磁場による前記複数の荷電粒子線の前記基板上での位置誤差が低減するように、前記初期の描画データを変更してなされる、
   ことを特徴とする描画データ生成方法。
6. 前記初期の描画データに基づくブランキング指令にしたがって動作した場合の前記複数のブランキングデバイスの動作率の変化を求め、
   前記動作率の変化に基づいて、前記磁場の変化を求め、
   前記磁場の変化に基づいて、前記位置誤差を求め、
   前記位置誤差に基づいて、前記初期の描画データを変更する、
   ことを特徴とする請求項５に記載の描画データ生成方法。
7. 請求項５または６に記載の描画データ生成方法における処理をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
8. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
   前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
   を含むことを特徴とする物品の製造方法。