JP2013069888A - パターン形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係わるパターン形成装置は、ステージ11、複数のプローブA〜E、駆動ユニット14,15、描画ユニット16及び制御ユニット18を備える。制御ユニット18は、複数のプローブA〜Eを用いて同一パターンを同一条件でテスト描画し、テスト描画された複数のパターンの位置及びサイズの目標値に対するずれを位置ずれ及びサイズずれとして求め、位置ずれ及びサイズずれが許容範囲内にある正常プローブを選択し、基板12のメイン描画エリアのうち、正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行し、かつ、正常プローブを用いてサブ描画エリアの描画を実行する。
【選択図】図1
Description
図1は、パターン形成装置の実施例を示している。
サンプル1〜10は、それぞれのプローブに対応している。
このパターン形成プロセスは、図1のパターン形成装置を用いて実行される。
このパターン形成プロセスも、図1のパターン形成装置を用いて実行される。
まず、前提条件を説明する。
図1のパターン形成装置は、原子間力顕微鏡、トンネル電流顕微鏡などのSPM (Scanning Probe Microscope)装置を応用することにより製造可能である。また、マルチプローブに関しては、1万本のような莫大な数のプローブを形成するには、MEMS (Microelectronic mechanical system)技術を利用して、例えば、ウェーハ内に複数のプローブを形成するのが望ましい。
実施形態によれば、マルチプローブリソグラフィ技術におけるパターン描画精度を向上させることができる。
Claims (9)
- 被処理基板の下面側に配置されるステージと、前記被処理基板の上面側に配置される複数のプローブと、前記ステージ及び前記複数のプローブの少なくとも1つを駆動する駆動ユニットと、前記複数のプローブに接続される描画ユニットと、前記駆動ユニット及び前記描画ユニットを制御する制御ユニットとを具備し、
前記制御ユニットは、
前記複数のプローブを用いて同一パターンを同一条件でテスト描画し、
前記テスト描画された複数のパターンの位置及びサイズの目標値に対するずれを位置ずれ及びサイズずれとして求め、
前記位置ずれ及び前記サイズずれが許容範囲内にある正常プローブを選択し、
前記被処理基板のメイン描画エリアのうち、前記正常プローブが描画するサブ描画エリアを調整する補正処理を実行し、かつ、
前記正常プローブを用いて前記サブ描画エリアの描画を実行する
パターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記正常プローブによる描画回数が所定値に達したとき、前記テスト描画及び前記補正処理を再度実行する
請求項1に記載のパターン形成装置。 - 前記テスト描画された前記複数のパターンの位置及びサイズを計測する計測ユニットをさらに具備し、
前記位置ずれ及び前記サイズずれは、前記計測ユニットにより求める
請求項1に記載のパターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記複数のプローブのピッチをpとしたとき、前記メイン描画エリアを、前記ピッチ方向の幅がx2の複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、
前記複数のプローブの各々を前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる、
但し、x2≦pである
請求項1に記載のパターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記複数のプローブのうちの1つが異常プローブであるとき、前記異常プローブに割り当てられたサブ描画エリアを解除し、かつ、
前記異常プローブに隣接する前記正常プローブに割り当てられるサブ描画エリアの前記ピッチ方向の幅を拡大する
請求項4に記載のパターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記複数のプローブのピッチをpとしたとき、前記メイン描画エリアを、前記ピッチ方向の幅がx2の複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、
前記複数のプローブの各々を前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる、
但し、p<x2である
請求項1に記載のパターン形成装置。 - 前記複数のプローブの前記ピッチ方向の可動範囲をx1としたとき、
p<x2≦x1である
請求項6に記載のパターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記複数のプローブのうちの1つが異常プローブであるとき、前記異常プローブを除く前記複数のプローブのうちの1つを前記正常プローブとして前記複数のサブ描画エリアのうちの1つに割り当てる
請求項7に記載のパターン形成装置。 - 前記制御ユニットは、
前記メイン描画エリアを複数のサブ描画エリアに分割し、かつ、
前記複数のサブ描画エリアの各々の描画を前記複数のプローブのうちの少なくとも2つを用いた複数回の描画により実行する
請求項1に記載のパターン形成装置。
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