JP2013058574A - Package for optical semiconductor device and optical semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置に関し、特にリードフレームを二層に重ねた光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置に関する。
The present invention relates to an optical semiconductor device package and an optical semiconductor device, and more particularly to an optical semiconductor device package and an optical semiconductor device in which lead frames are stacked in two layers.
光半導体装置は、リードフレームとリフレクタで構成されたパッケージに発光素子を搭載し、ワイヤ等で配線後、蛍光体樹脂で覆い完成する。近年では発光表示装置の他、種々の照明装置の光源として使用される。このパッケージに使用されるリフレクタは光を反射させ、蛍光体樹脂は色合いを調整する役目をする。製造方法としては、リードフレームを用いて、リフレクタを接合する。この時、反射効率を向上させるために、リフレクタの材質を選定する工夫がなされている。また、リードフレームとリフレクタとの密着性を高める工夫がなされている。
In an optical semiconductor device, a light emitting element is mounted on a package including a lead frame and a reflector, and after wiring with a wire or the like, it is covered with a phosphor resin and completed. In recent years, it is used as a light source for various lighting devices in addition to light-emitting display devices. The reflector used in this package reflects light, and the phosphor resin serves to adjust the hue. As a manufacturing method, a reflector is joined using a lead frame. At this time, in order to improve the reflection efficiency, a device for selecting the material of the reflector has been devised. Moreover, the device which raises the adhesiveness of a lead frame and a reflector is made | formed.
発光素子を搭載する第１の金属板とリフレクタを形成する第２の金属板を薄膜状絶縁層により張り合わせた発光装置が従来技術として知られている（例えば、特許文献１参照、図１）これにより、高強度、高反射率、高放熱で安価な光半導体装置とすることができる。
A light-emitting device in which a first metal plate on which a light-emitting element is mounted and a second metal plate that forms a reflector are bonded together by a thin-film insulating layer is known as a prior art (see, for example, Patent Document 1 and FIG. 1). Therefore, an inexpensive optical semiconductor device with high strength, high reflectance, high heat dissipation can be obtained.
一般に、光半導体装置は、微小な形態で取り扱い難く、常に製品価格のコストダウンが市場で要求されている。すなわち、取り扱い易くなるよう構成する部品点数が少なく、さらに製造容易なことが必要である。
In general, an optical semiconductor device is difficult to handle in a minute form, and the cost of the product price is always required in the market. In other words, it is necessary that the number of parts to be configured is small so that it can be easily handled and that the manufacture is easy.
しかしながら、従来技術は、２つの金属板を重ねるが、第１の金属板では絶縁部材を備えるため、部品点数、製造工程数が多いという課題がある。また、薄く小さい貫通孔を有する金属板と貫通孔を有する接着シートで張り合わせるため、接着性と作業性に懸念があるという課題がある。
However, although the conventional technique overlaps two metal plates, since the first metal plate includes an insulating member, there is a problem that the number of parts and the number of manufacturing processes are large. Moreover, since it bonds together with the metal plate which has a thin through-hole, and the adhesive sheet which has a through-hole, there exists a subject that there exists a concern in adhesiveness and workability | operativity.
従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、部品点数を削減し、製造容易な光半導体装置を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an optical semiconductor device that can be easily manufactured with a reduced number of parts.
上述の課題を解決するために、本発明は、以下に掲げる構成とした。
本発明の光半導体装置用パッケージは、ダイパッドを有する第１のリードフレームと、リフレクタを有する第２のリードフレームと、第１のリードフレームと第２のリードフレームを重ね合わせ一体に成形するモールド樹脂とを備えることを特徴とする。
また、第２のリードフレームの表面はアルマイト処理を備えていることを特徴とする。
また、モールド樹脂は、第１のリードフレームの厚さに納まっていることを特徴とする。
また、本発明の光半導体装置は、発光素子と、蛍光体樹脂とを備え、前述の光半導体装置用パッケージを用いたことを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, the present invention has the following configurations.
The package for an optical semiconductor device according to the present invention includes a first lead frame having a die pad, a second lead frame having a reflector, and a mold resin for integrally molding the first lead frame and the second lead frame. It is characterized by providing.
Further, the surface of the second lead frame is provided with an alumite treatment.
Further, the mold resin is contained in the thickness of the first lead frame.
An optical semiconductor device according to the present invention includes a light emitting element and a phosphor resin, and uses the above-described package for an optical semiconductor device.
本発明は、絶縁部材と接合材に樹脂封止を用いるので、部品点数を増加させず、製造容易な光半導体装置用パッケージ及び光半導体装置を提供することができる効果を奏する。
According to the present invention, since resin sealing is used for the insulating member and the bonding material, it is possible to provide an optical semiconductor device package and an optical semiconductor device that are easy to manufacture without increasing the number of components.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the dimensional relationship ratios and the like are different from the actual ones. Therefore, specific dimensions and the like should be determined in light of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る光半導体装置用パッケージ１を説明する。図１は、本発明の実施例１に係る光半導体装置用パッケージ１の上面図、正面図、下面図、側面図である。
Hereinafter, an optical semiconductor device package 1 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a top view, a front view, a bottom view, and a side view of an optical semiconductor device package 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
図１に示すように、光半導体装置用パッケージ１は、第１のリードフレーム２、第２のリードフレーム３、モールド樹脂４の３種類の部材とで構成されている。すなわち、部品点数は３つである。
As shown in FIG. 1, the package 1 for an optical semiconductor device is composed of three types of members: a first lead frame 2, a second lead frame 3, and a mold resin 4. That is, the number of parts is three.
第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３が重ね合わせた形態で、樹脂成形金型に挟持させ、トランスファーモールド方法によりモールド樹脂４が充填され、成形されて、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３とモールド樹脂４とが一体化されている。外形寸法は、例えば、長さ６ｍｍ、幅５ｍｍ、高さ１ｍｍである。尚、図は個片化された１つのパッケージで示している。
In a form in which the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are overlapped, they are sandwiched between resin molding dies, filled with a molding resin 4 by a transfer molding method, molded, and the first lead frame 2 The second lead frame 3 and the mold resin 4 are integrated. The external dimensions are, for example, a length of 6 mm, a width of 5 mm, and a height of 1 mm. Note that the figure shows a single package.
図２に示すように、第１のリードフレーム２は、２箇所のダイパッドを備え、一方のダイパッド５は、一方の主面に発光素子を搭載し、もう一方の主面はパッケージの裏面として露出され放熱部及び電極の外部端子となっている。
As shown in FIG. 2, the first lead frame 2 includes two die pads. One die pad 5 has a light emitting element mounted on one main surface, and the other main surface is exposed as the back surface of the package. It is an external terminal for the heat dissipating part and the electrodes.
また、もう一方のダイパッド６は、一方の主面は、発光素子の電極とワイヤボンディングで接続されている。もう一方のダイパッド６はもう一方の電極となる。もう一方の主面はパッケージの裏面として露出され放熱部及びもう一方の電極の外部端子となっている。
The other die pad 6 has one main surface connected to the electrode of the light emitting element by wire bonding. The other die pad 6 becomes the other electrode. The other main surface is exposed as the back surface of the package and serves as an external terminal for the heat radiating portion and the other electrode.
また、一方のダイパッド５ともう一方のダイパッド６は、電気的な絶縁を確保するように、間隔をあけており、後述するモールド樹脂が充填される。前述の特許文献では絶縁部材を充填している。
Further, one die pad 5 and the other die pad 6 are spaced apart from each other so as to ensure electrical insulation, and are filled with a mold resin to be described later. In the aforementioned patent document, an insulating member is filled.
また、第１のリードフレーム２には、吊り部７を有して、個々の光半導体装置のパターンをマトリクス形状に連結している。さらに、外周囲を囲むように外枠８が形成されている。図では、上下方向にパターンが２つ連結されており、左右方向の連結は省略してある。
In addition, the first lead frame 2 has a suspension portion 7 to connect patterns of individual optical semiconductor devices in a matrix shape. Further, an outer frame 8 is formed so as to surround the outer periphery. In the figure, two patterns are connected in the vertical direction, and the horizontal connection is omitted.
また、第１のリードフレーム２の材質は、平板形状をしており、銅、アルミニウム、鉄及びそれらの合金等の導電性、放熱性に優れた金属が使用される。製造方法としては、エッチング加工やプレス打ち抜き加工を用いることが可能である。
The material of the first lead frame 2 has a flat plate shape, and a metal excellent in conductivity and heat dissipation such as copper, aluminum, iron and alloys thereof is used. As a manufacturing method, it is possible to use an etching process or a press punching process.
また、第１のリードフレーム２の表面は、表面保護のため、ニッケル、銀等のめっきを施すことができる。また、これらのめっきの組み合わせも可能である。例えば、板厚は０．２ｍｍで表面に銀めっきを施した銅合金を使用することが可能である。
Further, the surface of the first lead frame 2 can be plated with nickel, silver or the like for surface protection. A combination of these platings is also possible. For example, it is possible to use a copper alloy having a plate thickness of 0.2 mm and having a surface plated with silver.
図３に示すように、第２のリードフレーム３は、逆円錐形状を有する貫通した開口部１１がある。例えば、上面開口寸法は直径４ｍｍで、４５度の傾斜を付け、深さ方向へ狭め、開口下部では直径２．８ｍｍである。開口部１１は平面から見ると円形状であるが、四角形状等に変形することも可能である。この開口部が光半導体装置のリフレクタとなる。傾斜角度も任意に設定することが可能である。
As shown in FIG. 3, the second lead frame 3 has a through opening 11 having an inverted conical shape. For example, the opening size of the upper surface is 4 mm in diameter, is inclined 45 degrees, is narrowed in the depth direction, and is 2.8 mm in diameter at the lower part of the opening. The opening 11 has a circular shape when viewed from above, but can be deformed into a square shape or the like. This opening becomes a reflector of the optical semiconductor device. The tilt angle can also be set arbitrarily.
また、第２のリードフレーム３には、連結部１２を有して、個々の光半導体装置のパターンをマトリクス形状に連結している。らに、外周囲を囲むように外枠１３が形成されている。
Further, the second lead frame 3 has a connecting portion 12 to connect the patterns of the individual optical semiconductor devices in a matrix shape. In addition, an outer frame 13 is formed so as to surround the outer periphery.
また、第２のリードフレーム３の材質は、平板形状をしており、銅、アルミニウム、鉄及びそれらの合金等の放熱性に優れた金属が使用される。製造方法としては、プレス打ち抜き加工を用いることが可能である。例えば、板厚は０．６ｍｍのアルミニウムを使用することができる。このように薄い材料であれば、プレス加工により、打ち抜き加工の他、傾斜加工、凸出し加工が可能である。
The material of the second lead frame 3 has a flat plate shape, and a metal excellent in heat dissipation such as copper, aluminum, iron and alloys thereof is used. As a manufacturing method, press punching can be used. For example, aluminum having a plate thickness of 0.6 mm can be used. With such a thin material, in addition to punching, tilting and protrusion can be performed by pressing.
また、第２のリードフレーム３の表面は、光反射効率向上のため、ニッケル、銀等のめっきを施すことができる。また、これらのめっきの組み合わせも可能である。アルミニウム材料の場合には、光沢表面研磨加工により、反射面を形成することが可能である。
Further, the surface of the second lead frame 3 can be plated with nickel, silver, or the like in order to improve light reflection efficiency. A combination of these platings is also possible. In the case of an aluminum material, the reflective surface can be formed by glossy surface polishing.
また、第２のリードフレーム３には、凸部１４を有して、板厚方向に突出している。第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３とを重ね合わせた時に、それぞれの絶縁空間を確保している。この絶縁空間に後述するモールド樹脂が充填される。例えば、図３の断面側面図の左右方向において、第２のリードフレーム３の板厚は０．６ｍｍ、突出は０．４ｍｍ、第１のリードフレーム２の板厚は０．２ｍｍの場合、絶縁空間は０．２ｍｍとなる。
The second lead frame 3 has a convex portion 14 and projects in the thickness direction. When the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are overlapped, the respective insulating spaces are secured. This insulating space is filled with a mold resin described later. For example, in the left-right direction of the sectional side view of FIG. 3, the second lead frame 3 is 0.6 mm thick, the protrusion is 0.4 mm, and the first lead frame 2 is 0.2 mm thick. The space is 0.2 mm.
図４は、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３とを重ね合わせた形態図である。外枠８（第１のリードフレーム２）と外枠１３（第２のリードフレーム３）が接するように重ねる。これは、樹脂成形金型に位置決めピンを利用して、重ね置くだけよい。また、このとき、第２のリードフレーム３の凸部１４が、第１のリードフレーム２のダイパッド（５、６）を跨ぐように位置している。これにより、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３との間には空間が形成される。
FIG. 4 is a view illustrating the first lead frame 2 and the second lead frame 3 superimposed on each other. The outer frame 8 (first lead frame 2) and the outer frame 13 (second lead frame 3) are stacked so as to contact each other. This can be done simply by using a positioning pin on the resin mold. At this time, the convex portion 14 of the second lead frame 3 is positioned so as to straddle the die pads (5, 6) of the first lead frame 2. Thereby, a space is formed between the first lead frame 2 and the second lead frame 3.
図５は、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３との空間に、モールド樹脂４が充填された状態を示している。このモールド樹脂４によって、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３を強固に接合し、一体化している。例えば、モールド樹脂４は、熱硬化型エポキシ樹脂を使用することが可能である。
FIG. 5 shows a state in which the space between the first lead frame 2 and the second lead frame 3 is filled with the mold resin 4. With this mold resin 4, the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are firmly joined and integrated. For example, the mold resin 4 can use a thermosetting epoxy resin.
製造方法としては、半導体では一般的におこなわれているトランスファーモールド方法を使用し、予め位置決めピンが配置されている樹脂成形金型に第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３を順次配設し、樹脂成形金型を閉じれば良い。尚、図５では、樹脂成形金型を省略している。
As a manufacturing method, a transfer molding method generally used in semiconductors is used, and the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are sequentially arranged on a resin mold in which positioning pins are previously arranged. And then close the resin mold. In FIG. 5, a resin mold is omitted.
次に、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３とを重ね合わせた時にできる空間に、ランナー１５を介してエポキシ樹脂を充填する。
Next, an epoxy resin is filled through a runner 15 into a space formed when the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are overlapped.
また、充填時に第１のリードフレーム２における一方のダイパッド５ともう一方のダイパッド６の間隔にも樹脂が同時に充填される。モールド樹脂４により、ダイパッド間の絶縁が保たれる。同時に第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３を接合しているので、一つの材料で絶縁部材と接合部材を賄うことが可能である。その後、樹脂成形金型を開いて取り出す。これにより、光半導体装置用パッケージ１が完成する。
Further, at the time of filling, the resin is simultaneously filled in the space between one die pad 5 and the other die pad 6 in the first lead frame 2. The mold resin 4 keeps the insulation between the die pads. Since the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are joined at the same time, it is possible to cover the insulating member and the joining member with one material. Thereafter, the resin mold is opened and taken out. Thereby, the package 1 for optical semiconductor devices is completed.
次に、図６は、光半導体装置用パッケージ１を用いて製造された光半導体装置２０を示した図である。
Next, FIG. 6 is a diagram showing an optical semiconductor device 20 manufactured using the optical semiconductor device package 1.
まず、光半導体装置用パッケージ１の開口部１１に導電性接合材（図示省略）を用いて、発光素子２１を第１のリードフレーム２の一方のダイパッド５の一方の主面に搭載する。これにより、発光素子２１の下面電極と第１のリードフレーム２の一方のダイパッド５が電気的に接合される。第１のリードフレーム２の一方のダイパッド５の裏面は外部端子（正極）となり、さらに、素子から発生した熱を伝熱し、熱放出面となる。
First, the light emitting element 21 is mounted on one main surface of one die pad 5 of the first lead frame 2 using a conductive bonding material (not shown) in the opening 11 of the package 1 for optical semiconductor devices. Thereby, the lower surface electrode of the light emitting element 21 and one die pad 5 of the first lead frame 2 are electrically joined. The back surface of one die pad 5 of the first lead frame 2 serves as an external terminal (positive electrode), and further transfers heat generated from the element to serve as a heat release surface.
次に、発光素子２１の上面電極と第１のリードフレーム２のもう一方のダイパッド６を半導体では一般的におこなわれているワイヤボンディング方法により、ワイヤ２２にて電気的に接合する。例えば、ワイヤ２２は、直径２５ミクロンの金細線を使うことが可能である。第１のリードフレーム２のもう一方のダイパッド６の裏面は外部端子（負極）となる。
Next, the upper surface electrode of the light emitting element 21 and the other die pad 6 of the first lead frame 2 are electrically bonded by the wire 22 by a wire bonding method generally used in semiconductors. For example, the wire 22 can be a gold fine wire having a diameter of 25 microns. The back surface of the other die pad 6 of the first lead frame 2 serves as an external terminal (negative electrode).
次に、発光素子２１とワイヤ２２を覆うように、開口部１１に蛍光体樹脂２３を充填する。蛍光体樹脂２３は、発光素子２１から発せられる色合いを調整する。
Next, the opening 11 is filled with a phosphor resin 23 so as to cover the light emitting element 21 and the wire 22. The phosphor resin 23 adjusts the hue emitted from the light emitting element 21.
次に、半導体では一般的におこなわれているシンギュレーション方法により、マトリクス状に配列された光半導体装置を個片化する。図５の一点鎖線線３０は、シンギュレーション装置のカットラインである。図中に縦方向はリードフレーム状態で分割できているので、横（水平）方向のみでよい。
Next, the optical semiconductor devices arranged in a matrix are separated into pieces by a singulation method generally used for semiconductors. An alternate long and
以上により、図６に示す１つの光半導体装置２０が完成する。この状態で端子部２４が左右に形成される。これは、第１のリードフレーム２が第２のリードフレーム３より突出した部分であり、光半導体装置２０をプリント基板等へ実装した時の接合状況を確認できる外部端子となる。
Thus, one optical semiconductor device 20 shown in FIG. 6 is completed. In this state, the terminal portions 24 are formed on the left and right. This is a portion in which the first lead frame 2 protrudes from the second lead frame 3, and serves as an external terminal for confirming a joining state when the optical semiconductor device 20 is mounted on a printed circuit board or the like.
次に、上述の実施例１に係る光半導体装置用パッケージ１及び光半導体装置２０の効果を説明する。
Next, effects of the optical semiconductor device package 1 and the optical semiconductor device 20 according to the first embodiment will be described.
本発明の実施例１に係る光半導体装置用パッケージ１は、第１のリードフレーム２、第２のリードフレーム３、モールド樹脂４の３種類の部材のみで形成している。これにより、第１のリードフレーム２において、モールド樹脂４で、第１のリードフレーム２のダイパッド間の間隔絶縁処理することが可能である。また、第２のリードフレーム３との接合を同時に同一工程で成形製造することが可能である。よって絶縁部材の省略、製造工程の簡略化が可能である。
The optical semiconductor device package 1 according to the first embodiment of the present invention is formed by only three types of members, that is, the first lead frame 2, the second lead frame 3, and the mold resin 4. Thereby, in the first lead frame 2, it is possible to insulate the gap between the die pads of the first lead frame 2 with the mold resin 4. Further, it is possible to form and manufacture the joint with the second lead frame 3 simultaneously in the same process. Therefore, the insulating member can be omitted and the manufacturing process can be simplified.
また、絶縁部材の省略、製造工程の簡略化した光半導体装置用パッケージ１を使用するので、安価で製造容易な光半導体装置２０とすることが可能である。さらに、第１のリードフレーム２、第２のリードフレーム３を金属とするので、放熱性、耐光性の信頼性が向上し、金錫共晶はんだなどの高温プロセスへの対応が可能である。
Further, since the package 1 for an optical semiconductor device in which the insulating member is omitted and the manufacturing process is simplified is used, the optical semiconductor device 20 can be made inexpensively and easily manufactured. Furthermore, since the first lead frame 2 and the second lead frame 3 are made of metal, the reliability of heat dissipation and light resistance is improved, and it is possible to cope with high-temperature processes such as gold-tin eutectic solder.
上述のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかになるはずである。
Although the embodiments of the present invention have been described as described above, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques should be apparent to those skilled in the art.
上述の例では、開口部１１の傾斜角度を４５度としたが、反射方向を調整するため、任意の角度に設定することも可能である。
In the above example, the inclination angle of the opening 11 is set to 45 degrees. However, in order to adjust the reflection direction, an arbitrary angle can be set.
また、モールド樹脂４は熱硬化型エポキシ樹脂としたが、白色顔料を含ませた樹脂を使用することも可能である。この場合、黒色樹脂に比べ、さらに反射効率が向上することができる。
Further, although the mold resin 4 is a thermosetting epoxy resin, it is also possible to use a resin containing a white pigment. In this case, the reflection efficiency can be further improved as compared with the black resin.
また、発光素子を１個搭載しているが、複数の発光素子を搭載することが可能である。また、発光素子は、フリップチップ型発光素子を使用することも可能である。これにより、ワイヤボンディングを省略することができる。
Moreover, although one light emitting element is mounted, it is possible to mount a plurality of light emitting elements. Further, a flip-chip light emitting element can be used as the light emitting element. Thereby, wire bonding can be omitted.
また、図７に示すように、第１のリードフレーム２において、モールド樹脂の厚さ分、掘り下げるようにしてもよい。これによって、接着性を確保し、発光が樹脂に直接当たらないようにすることが可能である。よって、白色顔料を含まない安価な樹脂でも、反射効率低下を抑制することができる。また、パッケージ高さを低く押さえることが可能である。
Further, as shown in FIG. 7, the first lead frame 2 may be dug down by the thickness of the mold resin. Thereby, it is possible to secure adhesiveness and prevent light emission from directly hitting the resin. Therefore, even with an inexpensive resin that does not contain a white pigment, a reduction in reflection efficiency can be suppressed. Further, the package height can be kept low.
また、図８に示すように、第２のリードフレーム３において、表面にアルマイト部３１を設けてもよい。これにより、第１のリードフレーム２との接する面を絶縁することが可能である。この場合、モールド樹脂４は第２のリードフレーム３の外周部を固定するように、樹脂成形するとよい。これにより密着性をさらに向上させることができる。また、絶縁性も確保されるため、第１のリードフレーム２と第２のリードフレーム３の間隔を極小とし樹脂使用量を削減するこができる。また、アルマイト部３１は部分的、全面的に設けるかは任意である。また、アルマイト部３１は、アルミニウム材料の一般的によく使われている表面処理であり、陽極酸化皮膜やアルマイト処理と呼ばれている。
Further, as shown in FIG. 8, an alumite portion 31 may be provided on the surface of the second lead frame 3. As a result, it is possible to insulate the surface in contact with the first lead frame 2. In this case, the mold resin 4 is preferably resin-molded so as to fix the outer peripheral portion of the second lead frame 3. Thereby, adhesiveness can further be improved. In addition, since insulation is also ensured, the distance between the first lead frame 2 and the second lead frame 3 can be minimized to reduce the amount of resin used. Moreover, it is arbitrary whether the alumite part 31 is provided partially or entirely. The anodized portion 31 is a commonly used surface treatment of an aluminum material, and is called an anodized film or anodized treatment.
また、第１のリードフレーム２において、モールド樹脂４との接合する面に貫通孔を設け、樹脂アンカーとすることが可能である。これにより、第１のリードフレーム２とモールド樹脂４との密着性をさら強固にすることができる。
In the first lead frame 2, a through-hole can be provided on the surface to be joined with the mold resin 4 to provide a resin anchor. Thereby, the adhesiveness between the first lead frame 2 and the mold resin 4 can be further strengthened.
１、光半導体装置用パッケージ
２、第１のリードフレーム
３、第２のリードフレーム
４、モールド樹脂
５、一方のダイパッド
６、もう一方のダイパッド
７、吊り部（第１のリードフレーム）
８、外枠（第１のリードフレーム）
１１、開口部
１２、連結部（第２リードフレーム）
１３、外枠（第２のリードフレーム）
１５、ランナー
２０、光半導体装置
２１、発光素子
２２、ワイヤ
２３、蛍光体樹脂
２４、端子部
３０、一点鎖線（カットライン）
３１、アルマイト部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, Optical semiconductor device package 2, 1st lead frame 3, 2nd lead frame 4, Mold resin 5, One die pad 6, The other die pad 7, Suspension part (1st lead frame)
8. Outer frame (first lead frame)
11, opening 12, connecting portion (second lead frame)
13. Outer frame (second lead frame)
15, runner 20, optical semiconductor device 21, light emitting element 22, wire 23, phosphor resin 24,
31, anodized club
Claims (4)
A first lead frame having a die pad, a second lead frame having a reflector, and a molding resin for integrally molding the first lead frame and the second lead frame. Package for optical semiconductor devices.
2. The package for an optical semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the second lead frame is provided with an alumite treatment.
3. The optical semiconductor device package according to claim 1, wherein the mold resin is contained in a thickness of the first lead frame.
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