JP2008130735A - Manufacturing method of light-emitting device - Google Patents

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Inventor
Koji Fushimi
Koji Kudo
Kazuma Mitsuyama
Kengo Nishiyama
Narimiya Yamamoto
宏司 伏見
和磨 光山
済宮 山本
幸二 工藤
研吾 西山
Original Assignee
C I Kasei Co Ltd
シーアイ化成株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a light-emitting device formed of an upper/lower electrode type light-emitting diode having an upper electrode and a lower electrode. <P>SOLUTION: The light-emitting device is provided with a metal substrate where a plurality of electrode parts which are insulated and separated so that they confront each other are formed; a reflector bonded to the plurality of electrode parts; an upper/lower electrode type light-emitting diode with the lower electrode is bonded to one electrode part; a conductive connecting member bonding the upper electrode of the upper/lower electrode type light-emitting diode and the other electrode part; a transparent sealing material, with which the inner part of the reflector is filled; and a phosphor content film body installed at the tip part of the reflector. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、上部電極および下部電極を備えた上下電極型発光ダイオードからなる発光装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a manufacturing method of the light emitting device comprising a vertical electrode type light emitting diode with an upper electrode and a lower electrode. 特に、本発明は、前記上下電極型発光ダイオードを用いた発光装置であり、大きな電流を流すことができ、その時に発生した熱の放熱、あるいは前記熱による導電性接続部材の熱応力による伸縮等を考慮した発光装置の製造方法に関するものである。 In particular, the present invention is the a light emitting device using a vertical electrode type light emitting diode, it is possible to flow a large current, heat dissipation of the heat generated at that time, or expansion and contraction due to thermal stress of the conductive connection member according to the thermal to a method of manufacturing considerations the light emitting device.

図6(イ)は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、(ロ)は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。 6 (a) is a schematic sectional view of a light emitting diode assembly in the prior art, (b) is a plan view of a light emitting diode assembly in the prior art. 図6(イ)および(ロ)において、発光ダイオード組立体60は、印刷配線基板61と、当該印刷配線基板61の上に設けられたサブマウント基板62と、前記サブマウント基板62の周囲を囲むプラスチック製筒体63と、上下電極型発光ダイオード65と、前記上下電極型発光ダイオード65を覆う透明封止樹脂66とから構成される。 6 (a) and (b), the light emitting diode assembly 60 encloses the printed circuit board 61, a submount substrate 62 provided on the said printed wiring board 61, the periphery of the submount substrate 62 a plastic tubular body 63, composed of a vertical electrode type light emitting diode 65, the upper and lower electrode type light emitting diode 65 to cover the transparent sealing resin 66..

前記プラスチック製筒体63は、たとえば、エポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂により、リードフレーム64とともに一体成形される。 The plastic tubular member 63, for example, a thermosetting resin whose main component is epoxy resin, is integrally molded with the lead frame 64. 前記印刷配線基板61は、前記上下電極型発光ダイオード65を点滅させるための図示されていない制御回路と接続するためのプリント配線611がエッチング等により所望のパターンで形成されている。 The printed wiring board 61, the printed wiring 611 for connecting the illustrated non control circuit for blinking the upper and lower electrode type light emitting diode 65 is formed in a desired pattern by etching or the like. 前記サブマウント基板62は、上面にエッチングまたはマスクを用いて蒸着パターンを成形する等により一対の配線622が形成されている。 The submount substrate 62, a pair of wires 622 are formed such as by molding a deposition pattern using an etching or mask on the upper surface.

前記プラスチック製筒体63は、リードフレーム64が内部(埋め込み部641)を貫通している。 The plastic tubular member 63, the lead frame 64 penetrates the internal (embedded portion 641). また、前記プラスチック製筒体63は、上下電極型発光ダイオード65の発光を内部周囲により反射する。 Further, the plastic cylindrical member 63 is reflected by the internal periphery of the light emission of the upper and lower electrode type light emitting diode 65. さらに、前記プラスチック製筒体63は、インジェクション成形の際にリードフレーム64を内部に埋設する、いわゆるインサートまたはアウトサート成形(インジェクション成形)により一体的に作製される。 Furthermore, the plastic tubular body 63, embedding a lead frame 64 in the interior during the injection molding, are integrally fabricated by so-called insert or outsert molding (injection molding).

上下電極型発光ダイオード65は、下部に二つの電極623を備えており、半導体ウエハからなるサブマウント基板62からダイシングにより切り出され、前記電極が前記サブマウント基板62の配線622と接続される。 Upper and lower electrode type light emitting diode 65 is provided with two electrodes 623 at the bottom, cut out by dicing the submount substrate 62 made of a semiconductor wafer, the electrode is connected to the wiring 622 of the submount substrate 62. 前記透明封止樹脂66は、耐熱性を有し、前記プラスチック製筒体63の内部に充填され、平板状または凸状のレンズを構成する。 The transparent sealing resin 66 has a heat resistance, is filled inside the plastic tubular body 63, it constitutes a flat or convex lens.

特開2001−244508号公報に記載されている発光ダイオード用パッケージは、金属基板の一方に上下電極型発光ダイオードの下部電極を取り付け、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極をボンディングワイヤーで他方の絶縁された金属基板に接続している。 JP-emitting diode package that is described in 2001-244508 discloses, while the mounting of the lower electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode of the metal substrate, other insulating the upper electrode at the bonding wires of said upper and lower electrode type light emitting diode It is connected to a metal substrate that is. 従来の発光ダイオード用パッケージは、メタルコアの絶縁部に樹脂がインサートされたものがある。 Conventional light emitting diode package are those resins is inserted in the insulating portion of the metal core. たとえば、前記発光ダイオード用パッケージの製造方法は、特開2005−116579号公報に記載されている。 For example, a manufacturing method of the package for the light emitting diode is described in JP-A-2005-116579. また、従来の表面実装型発光ダイオードは、メタルコア基板を絶縁性接着剤で分割して、サブマウント基板を載置している。 Further, the conventional surface mount type light emitting diode, by dividing the metal core substrate with an insulating adhesive, and placing the sub-mount substrate. たとえば、前記表面実装型発光ダイオードは、特開2003−303999号公報がある。 For example, the surface mount type light emitting diode, there is JP-2003-303999.
特開2001−244508号公報 JP 2001-244508 JP 特開2005−116579号公報 JP 2005-116579 JP 特開2003−303999号公報 JP 2003-303999 JP

前記サブマウントタイプのフリップチップ型発光ダイオードは、上部に電極がないため、発光した光が全て外部に照射されるという利点がある。 The submount type flip-chip type light emitting diode, there is no electrode on the top, there is an advantage that the emitted light is all illuminated to the outside. しかし、上下電極型発光ダイオードは、近年、前記タイプのフリップチップ型発光ダイオードに勝る性能のものが開発されつつある。 However, the upper and lower electrode type light emitting diode, in recent years, those performance over a flip chip type light emitting diode of the type have been developed. 前記上下電極型発光ダイオードは、電流を多く流すことができ、照度も向上させることができるが、前記サブマウントタイプの構造にすると、熱伝導が悪く、フリップチップ型発光ダイオードの熱が放熱され難く、パッケージが高温になり易く、径年使用で配線が断線する等の欠点があった。 The upper and lower electrode type light emitting diode, can flow a large amount of current, can be illuminance also improved, when the structure of the sub-mount, heat conduction is poor, heat of the flip chip type light emitting diode is hardly dissipated , easily packaged becomes high temperature, wiring over time or use has the disadvantage of such a break. また、サブマウントタイプは、量産に対する生産性が悪いという問題があった。 In addition, the sub-mount type, there has been a problem of poor productivity for mass production.

前記上下電極型発光ダイオードは、大型で、発光効率が良く、照度の高いものが得られるようになって来た。 The upper and lower electrode type light emitting diode, a large, well-emission efficiency, came so that high illuminance can be obtained. しかし、前記上下電極型発光ダイオードは、照明に使用すると、上部電極を金線で配線されており、多くの電流を流すと発熱による熱応力で配線が断線したり、上部電極と金線との間の接続抵抗により、上下電極型発光ダイオードに焼けが発生するという問題があった。 However, the upper and lower electrode type light emitting diode, when used in illumination, the upper electrode is wired by gold wires, or broken wires in thermal stress caused by heating and passing a large current, the upper electrode and the gold the connection resistance between, burnt there is a problem that occurs in a vertical electrode type light emitting diode. また、スリットを備えた金属基板に取り付けられた発光ダイオードは、透明樹脂で封止され、前記透明樹脂で強度を持たせるために、硬度の高いものが使用されている。 Furthermore, light-emitting diodes mounted on a metal substrate having a slit is sealed with a transparent resin, in order to provide strength in the transparent resin, having a high hardness is used. しかし、前記硬度の高い封止材料は、発光ダイオードから発生する熱応力が大きいという問題があった。 However, a high sealing material the hardness, there is a problem that thermal stress generated from the light emitting diode is large. 前記熱応力は、発光ダイオードに電力を供給する配線を断線させる恐れがあった。 The thermal stress, there is a possibility to break the wiring for supplying power to the light emitting diode.

以上のような課題を解決するために、本発明は、金属基板が分離されて電極部分に上下電極型発光ダイオードの電極部分と金属板部材とを共晶ハンダにより接合する発光装置の製造方法を提供することを目的とする。 In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing a light emitting device metallic substrate is bonded by the electrode portion and the metal plate member eutectic solder of the upper and lower electrode type light emitting diode separated by the electrode portion an object of the present invention is to provide. 本発明は、量産性に優れ、大電流および熱応力に耐えるとともに、高い強度で保持される発光装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention is excellent in mass production, with withstand high current and thermal stress, and to provide a method of manufacturing a light emitting device is held at a high strength.

(第1発明) (The first aspect of the present invention)
第1発明における発光装置の製造方法は、金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、前記複数の電極部分に反射体を接合する工程と、前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記電極部分の他方と金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属板部材の腕部との間、を共晶ハンダで接合する工程と、前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記金属基板の裏側から前記分離部を介して、前記反射体の内部に透明封止材料を充填する工程とから少なくともなることを特徴とする。 Method for manufacturing a light emitting device according to the first invention, a metal substrate, a step of forming the separated plurality of electrode portions, and bonding the reflector to the plurality of electrode portions, and one of the electrode portions vertically between the lower electrode of the electrode type light emitting diode, between the other and the metal plate member of the electrode portion, and between the arms of the upper electrode and the metal plate of the upper and lower electrode type light emitting diode, a eutectic solder in the step of bonding, a step of providing a phosphor-containing film body to the tip portion of the reflector, sealing the upper and lower electrode type light emitting diode, through the separation unit from the back side of the metal substrate, the reflector and at least comprising a step of filling a transparent sealing material in the interior of the.

(第2発明) (The second invention)
第2発明における発光装置の製造方法は、第1発明の透明封止材料の硬度がショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーであることを特徴とする。 Method for manufacturing a light emitting device in the second invention, the hardness of the transparent sealing material of the first invention Shore A (hardness of rubber) from 15 to 85, preferably characterized in that it is a 80 elastomer from 20.

(第3発明) (Third aspect of the invention)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明または第2発明の透明封止材料が1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマーであることを特徴とする。 Method for manufacturing a light emitting device in the third invention is characterized in that the transparent sealing material of the first or second aspect of the invention is an elastomer composed of a one-liquid or two-liquid thermosetting type silicone resin.

(第3発明) (Third aspect of the invention)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第3発明の透明封止材料を充填する前記反射体内が吸引により減圧状態になっていることを特徴とする。 Method for manufacturing a light emitting device in the third invention, the reflective body from the first invention will be filled with a transparent sealing material of the third invention is characterized in that it is in a reduced pressure state by suction.

(第4発明) (A fourth aspect of the invention)
第4発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第4発明の金属基板が多数のパッケージ単位が形成されており、前記パッケージ単位に分離された複数の電極部分を形成するスリットを成形する工程を有することを特徴とする。 Method for manufacturing a light emitting device in the fourth invention, the metal substrate of the first through fourth aspects of the present invention are a number of package units forming, shaping the slits forming a plurality of electrode portions separated into the package unit It characterized by having a step.

本発明によれば、金属基板を分離して成形された複数の電極部分と、上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属基板に設けられた他方の電極部分とを金属板のような金属板部材とによって接続されているため、大電流を流すことができるだけでなく、放熱性に優れ、熱応力が発生しても緩和することができる。 According to the present invention, a plurality of electrode portions that are formed by separating the metal substrate, a metal plate such as the upper and lower electrode type light emitting diode metal plate and the upper electrode and the other electrode portion provided on the metal substrate because it is connected by a member, not only can a large current, excellent heat dissipation, thermal stress can be relaxed even if it occurs.

本発明によれば、上下電極型発光ダイオードの上部電極と金属基板とを接続する金属板部材の形状を変えることにより、前記上下電極型発光ダイオードの発光効率を向上させたり、あるいは熱膨張による熱応力を緩和することができる。 According to the present invention, by changing the shape of the metal plate member for connecting the upper electrode and the metal substrate of the upper and lower electrode type light emitting diode, the heat caused by or, or thermal expansion to improve the luminous efficiency of the upper and lower electrode type light emitting diode stress can be alleviated.

本発明によれば、分離された金属基板であるにも関わらず、反射体を取り付けることにより、パッケージとしての強度を十分に保つことができる。 According to the present invention, despite being isolated metal substrate, by attaching the reflector, it is possible to maintain the strength of the package sufficiently. また、前記スリットおよび前記反射体の内部に充填する透明封止材料に弾力を持たせることにより、大電流を流す際に発生する熱応力を緩和することができる。 Moreover, by providing resiliency to the transparent sealing material filling the interior of the slit and the reflector, it is possible to alleviate the thermal stress generated when a large current.

本発明によれば、特に、前記反射体の内部にエラストマー系の透明封止材料が充填された上下電極型発光ダイオード用パッケージは、上下電極型発光ダイオードを取り付けて、大電流を流しても、前記反射体に充填されたエラストマータイプの透明封止材料により、十分に熱応力を吸収することができる。 According to the present invention, in particular, the upper and lower electrode type light emitting diode package of transparent sealing material of the elastomer system is filled in the reflector is fitted with a vertical electrode type light emitting diode, even if a large current flows, the transparent sealing material elastomer type filled in the reflector, it is possible to absorb a sufficient thermal stress. また、本発明によれば、パッケージ集合体の状態で発光ダイオードを取り付け、透明封止材料を封止することが可能なので、生産性が向上する。 Further, according to the present invention, the light-emitting diodes mounted in the state of the package assembly, since it is possible to seal the transparent sealing material, the productivity is improved.

(第1発明) (The first aspect of the present invention)
第1発明における発光装置の製造方法は、金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、前記複数の電極部分と反射体とを合成樹脂製接着剤により接合する工程と、前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と開口部を有する金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と前記金属板部材との間をそれぞれ共晶ハンダにより接合する工程と、前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記反射体の内部に前記金属基板の裏側から前記分離部を介して透明封止材料を充填する工程とから少なくとも構成されている。 Method for manufacturing a light emitting device according to the first invention comprises the steps of a metal substrate, bonded and shaping the separated plurality of electrode portions, the reflector and the synthetic resin adhesive and the plurality of electrode portions, between the lower electrode of one upper and lower electrode type light emitting diode of the electrode portion, between the metal plate member having an upper electrode and an opening of the upper and lower electrode type light emitting diode, and an upper electrode of said upper and lower electrode type light emitting diode and bonding each by eutectic solder between the metal plate member, a step of providing a phosphor-containing film body to the tip portion of the reflector, sealing the upper and lower electrode type light emitting diode, said reflector It is at least configured inside from the back side of the metal substrate and a step of filling a transparent sealing material through the separation unit.

前記複数の電極部分成形する工程は、前記上下電極型発光ダイオードを取り付ける位置に対応するように、たとえば、プレスによって成形する。 Wherein the plurality of electrode portions the forming step, so as to correspond to the position of attaching the upper and lower electrode type light emitting diode, for example, be formed by pressing. また、前記電極部分を成形する工程は、前記電極部分の形状を直線状、曲線状、あるいは十字状、T字状、H字状等にすることができる。 The step of forming the electrode portion, the electrode portion of the shape straight, curved, or a cross-shaped, T-shaped, can be H-shape or the like.

前記金属基板を分離して成形された複数の対向する電極部分は、たとえば、前記金属基板自体、または所定の大きさの金および/または銀メッキ層が形成される。 Electrode portions plurality of opposed molded by separating the metal substrate, for example, the metal substrate itself or a predetermined size of the gold and / or silver plating layer, is formed. 前記反射体の前記電極部分に対する接合工程は、合成樹脂系接着剤を使用する。 Bonding step for the electrode portion of the reflector, using synthetic resin adhesive. 前記電極部分、導電性接続部材、および上下電極型発光ダイオードの上下電極との接合工程は、たとえば、共晶ハンダを所定部分に置き、熱をかけることにより一度に行うことができる。 Bonding process between the upper and lower electrodes of the electrode portion, the conductive connecting member, and the upper and lower electrode type light emitting diode, for example, place the eutectic solder in a predetermined portion, it can be performed at a time by the application of heat. 前記反射体の先端部には、所望の蛍光体含有膜体が取り付けられる。 The tip portion of the reflector, a desired phosphor-containing film body is attached. その後、透明封止材料は、前記金属基板の裏側における前記分離部から前記反射体の内部に充填され、前記上下電極型発光ダイオードが封止される。 Thereafter, a transparent sealing material is filled from the separation unit at the rear side of the metal substrate in the interior of the reflector, the upper and lower electrode type light emitting diode is sealed.

(第2発明) (The second invention)
第2発明における発光装置の製造方法は、第7発明における透明封止材料の硬度をショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーとすることで、パッケージを分割する前または後に関係なく、充填することが容易になった。 Method for manufacturing a light emitting device in the second invention, a seventh hardness Shore A of transparent sealing material in the invention (hardness of rubber) from 15 to 85, preferably by 20 to 80 of the elastomer, divided packages regardless before or after, it has become easy to fill. また、前記硬度を有する透明封止材料は、一方から他方の電極部分に大きな電流を流した際に発生する熱の応力を吸収するのに適度の硬さになっている。 The transparent encapsulating material having a hardness, has moderate hardness to absorb the stress of heat generated when a large current flows from one to the other electrode portion.

(第3発明) (Third aspect of the invention)
第3発明における発光装置の製造方法は、第1発明または第2発明における透明封止材料は、1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマータイプにすることができる。 Method for manufacturing a light emitting device in the third invention, a transparent encapsulating material in the first or second aspect may be the elastomeric type consisting of one-liquid or two-liquid thermosetting type silicone resin. 前記エラストマータイプの透明封止材料は、適度の硬度を有するため、前記上下電極型発光ダイオードに大電流を流しても、その発生する熱による応力を緩和させることができる。 Said elastomeric type transparent sealing material, because it has a moderate hardness, even a large current flows to the upper and lower electrode type light emitting diode, it is possible to relax the stress due to the heat that occur.

(第4発明) (A fourth aspect of the invention)
第4発明における発光装置の製造方法は、第1発明から第3発明における透明封止材料を前記反射体に封止する際に、前記反射体の内部を減圧状態にして、前記透明封止材料の内部に気泡等が発生しないようにして、光反射の不都合を防止している。 Method for manufacturing a light emitting device in the fourth invention, when sealing the transparent sealing material in the third invention to the reflector from the first invention, and the interior of the reflector in a reduced pressure state, the transparent sealing material bubbles therein so as not to occur, and to prevent the inconvenience of the light reflection.

(第5発明) (A fifth aspect of the invention)
第5発明における発光装置の製造方法は、一つの金属基板に多数のパッケージ単位で分割できるように成形されている。 Method for manufacturing a light emitting device in the fifth invention, is shaped to be divided in a number of package units on one of the metal substrate. 前記パッケージ単位の金属基板は、スリットを成形することにより分離され、複数の電極部分が成形されている。 Metal substrate of the package units are separated by forming a slit, a plurality of electrode portions are formed.

次に、本発明の発光装置を説明する。 Next, a light-emitting device of the present invention. 前記複数の電極部分および金属板部材は、必要に応じて、金および/または銀メッキ等が形成されている。 Wherein the plurality of electrode portions and the metal plate member is optionally gold and / or silver plating or the like is formed. 前記反射体は、複数の電極に取り付けられるとともに、前記上下電極型発光ダイオードからの光を反射させる上方に向かって広がるほぼ筒状のものである。 The reflector with attached to a plurality of electrodes is substantially as cylindrical extending upward to reflect the light from the upper and lower electrode type light emitting diode. また、前記反射体は、たとえば、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミック等の部材からなり、前記それぞれの電極部分に対応するように、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤によって前記電極部分に接合される。 Further, the reflector is, for example, alumina, consists member such as a ceramic composite system of alumina and glass, so as to correspond to the respective electrode portions, epoxy resin, polyimide resin, glass-based brazing material It is bonded to the electrode portion by an adhesive system. また、前記反射体の形状は、正方形、円形、楕円形、長方形等の形状からなる。 The shape of the reflector, square, round, oval, a shape such as a rectangle. 前記反射体は、内部に前記上下電極型発光ダイオードが封止されるとともに、透明封止材料が充填される。 The reflector, together with said upper and lower electrode type light emitting diode therein is sealed, transparent sealing material is filled.

前記電極部分は、前記金属基板を分割しているスリットの間に絶縁材料を充填することもできる。 The electrode portion may be filled with an insulating material between the slits divides the metal substrate. 前記金属基板は、金および/または銀メッキを施した電極部分が形成されることで、上下電極型発光ダイオードの下部電極および導電性接続部材との電気的接続を良好にすることができる。 The metal substrate, by the electrode portion subjected to gold and / or silver plating is formed, it is possible to improve the electrical connection between the lower electrode and the conductive connection member of the upper and lower electrode type light emitting diode. また、前記上下電極型発光ダイオードが形成されている以外の金属基板には、前記上下電極型発光ダイオードから出る光を前記反射体とともに有効に外部に照射するように、銀および/または金の膜が形成されている。 Moreover, the the metal substrate other than the upper and lower electrode type light emitting diode is formed, the light exiting from the upper and lower electrode type light emitting diode to effectively irradiate the outside together with the reflector, silver and / or gold film There has been formed.

本発明は、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と他方の電極部分とを接続する際に、たとえば、金属板部材を使用するため、一本または二本の金線等によって接続するものと比較して、大容量の電流(たとえば、350mA以上)を流すことができるだけでなく、前記金属板部材自体からも放熱することができる。 The present invention is compared, when connecting the upper electrode and the other electrode portion of the upper and lower electrode type light emitting diode, for example, to use a metal plate member, shall be connected by one or two gold wires or the like to, large currents (e.g., 350mA or more) not only can flow, can also be radiated from the metal plate member itself. また、前記金属板部材および上下電極型発光ダイオードを載置する金属基板を含む電極部分は、光の反射、上下電極型発光ダイオードの放熱、大容量の電流を流す導電体の3つの役目を同時に果たすものである。 The electrode portion comprising a metal substrate for mounting said metal plate member and the upper and lower electrode type light emitting diode, reflection of light, heat radiation of the upper and lower electrode type light emitting diode, a three role of conductor to flow a current of a large capacity at the same time it is intended to fulfill.

前記金属板部材は、金線と比較して断面積および表面積が非常に大きいため、この部分の電気抵抗が少なく、発熱も少ない。 The metal plate member, since the cross-sectional area and surface area is very large compared to the gold wire, less electrical resistance of this portion, heat generation is also small. また、前記金属基板に形成された金および/または銀メッキは、上下電極型発光ダイオードから発生する光の反射および電極との接続に共晶ハンダが使用できるようになる。 The metal substrate is formed of gold and / or silver plating, eutectic solder is to be used to connect the reflection and the electrode of the light generated from the upper and lower electrode type light emitting diode. なお、前記金属基板は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金等がある。 Incidentally, the metal substrate is copper or a copper alloy, aluminum or aluminum alloy.

金属板部材は、ほぼ水平方向またはほぼ垂直方向に湾曲した腕部を有するように成形される前記湾曲した金属板部材は、上下電極型発光ダイオードの側部から放射される光の邪魔にならないような形状、および/または対向した電極部分における熱応力の違いを吸収できる形状にする。 Metal plate, the curved metal plate member is shaped to have an arm portion that is curved in a substantially horizontal direction or a substantially vertical direction, so as not to interfere with light emitted from the sides of the upper and lower electrode type light emitting diode a shape that can absorb the difference of thermal stress in a shape, and / or opposed electrode portion. 前記金属板部材は、表面積を大きくしているため、長さが多少長くなっても、流れる電流の電気抵抗に影響を及ぼすことがない。 The metal plate member, because it increases the surface area, even if somewhat long, does not affect the electrical resistance of the current flowing in length.

前記金属基板は、上下電極型発光ダイオードが上部電極と前記金属基板に形成された他方の電極部分との間に段差ができないように、前記一方の金属基板に一方の電極部分を形成した凹部内が設けられる。 The metal substrate, the upper and lower electrode type as light emitting diodes can not step between the upper electrode and the metal substrate formed the other electrode portion, the recess forming the one electrode portion to the one of the metal substrate It is provided. 前記凹部は、前記上下電極型発光ダイオードの厚さと同じにすることにより、配線を行う際に、前記段差を完全に無くすことができる。 The recess, by the same as the thickness of the upper and lower electrode type light emitting diode, when performing wiring, the step can be completely eliminated. さらに、前記金属板部材は、前記段差がないため、最短距離の配線を行うことができ、電気的抵抗を減らすことができる。 Further, the metal plate member, said since a step is no, it is possible to perform wiring of the shortest distance, it is possible to reduce the electrical resistance.

前記金属基板は、他方の電極部分に前記金属板部材と接続する凸部が成形され、上下電極型発光ダイオードの上部電極と同じ高さになるようにしている。 The metal substrate is convex portion to be connected to the metal plate member to the other electrode portion is formed, it is set to be the same height as the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode. 前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と、他方の金属基板基板を含む電極部分との高さが同じであるため、前記金属板部材は、両電極を最短距離で接続することが容易にできる。 Since the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode, the height of the electrode portion including the other of the metal substrate the substrate is the same, the metal plate member, both electrodes can be easily connected with the shortest distance. 前記凹部または凸部は、金属基板の場合、プレス等による成形される。 The recesses or projections in the case of metal substrates, is formed by pressing or the like.

図1(イ)から(ハ)は本発明の第1実施例で、(イ)はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態図、(ロ)は(イ)の拡大図、(ハ)はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。 In the first embodiment of FIG. 1 from (i) (c) According to the present invention, (a) is a state diagram of attaching the upper and lower electrode type light emitting diode package, enlarged view of (b) is (i), (iii) is a plan view of the package and the vertical electrode type light emitting diode. 図1(イ)から(ハ)において、本実施例における発光装置は、金属基板12、14と、前記金属基板12と14との間に設けられているスリットまたは絶縁部材13と、上下電極型発光ダイオード11と、前記金属基板14と前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111を接続する導電性接続部材(金属板部材)15と、前記金属基板12、14に取り付けられ、反射膜161が形成されている反射体16と、前記反射体16の内部に充填された透明封止材料(図示されていない)とから少なくとも構成されている。 1 from (i) (c), the light-emitting device in this embodiment includes a metal substrate 12, a slit or the insulating member 13 provided between the metal substrate 12 and 14, the upper and lower electrode type a light emitting diode 11, a conductive connection member (metal plate) 15 for connecting the upper electrode 111 of the metal substrate 14 and the upper and lower electrode type light emitting diode 11, mounted on the metal substrate 12, the reflective film 161 and the reflector 16 is formed, it is at least configured from a transparent sealing material filled inside the reflector 16 (not shown). 前記反射体16は、上部に向かって広がるように傾斜した反射部分を有するほぼ筒状体からなる。 The reflector 16 is formed of a substantially cylindrical body having an inclined reflecting portion so as to spread toward the top. 前記金属基板12、14は、たとえば、銅に亜鉛を微量含有させ、強度を上げているとともに、表面を銀メッキした後に金メッキすることができる。 The metal substrate 12 is, for example, copper-zinc was contained trace amounts, with which to increase the strength, the surface can be plated with gold after the silver plating. 前記金属基板12、14および反射体16は、円形、正方形、長方形、楕円形等にすることができる。 The metal substrate 12 and the reflector 16 may be circular, square, rectangular, oval or the like.

また、前記絶縁部材13は、たとえば、セラミック材料、あるいは1液性または2液性のエポキシ系樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂、あるいはシリコン系樹脂からなる樹脂を充填できるが、単なる空間として絶縁性を持たせることができる。 Also, the insulating member 13, for example, a ceramic material, or is 1-component or 2-component epoxy resin as a main component thermosetting resin, or a resin comprising a silicon-based resin can be filled, as a mere space it can have an insulating property. 上部に向かって広がった筒状の反射体16は、前記金属基板12、14と接着剤により接合しているため、パッケージとして高い強度を保持することができる。 Tubular reflector 16 spread toward the top, because of the adhesively bonded to the metal substrate 12, it is possible to maintain a high strength as a package. また、前記反射体16の内部には、透明封止材料が充填される。 Inside the reflector 16, a transparent sealing material is filled. 前記透明封止材料は、エラストマータイプにすることができる。 The transparent sealing material may be in elastomer type. 前記エラストマータイプの樹脂の硬度は、ショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のものを使用することが望ましい。 The hardness of the elastomer type resin, Shore A (hardness of rubber) from 15 to 85, preferably it is desirable to use a 20 to 80. さらに、前記絶縁部材13は、シリコン系樹脂からなるエラストマーであることが望ましい。 Further, the insulating member 13 is preferably an elastomer composed of a silicone resin.

前記金属基板12は、スリットまたは絶縁部材13によって金属基板14と電気的に分離されている。 The metal substrate 12 is electrically isolated from the metal substrate 14 by a slit or an insulating member 13. また、前記金属基板12、14、および導電性接続部材15は、銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、鉄または鉄合金とすることができる。 The metal substrate 12 and the conductive connection member 15, may be copper or a copper alloy, aluminum or an aluminum alloy, iron or an iron alloy. 前記反射体16は、たとえば、アルミナ系、アルミナおよびガラスの複合系のセラミックからなり、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス系、ロウ材系の接着剤で前記金属基板12、14に接合されている。 The reflector 16 is, for example, alumina, a ceramic composite system of alumina and glass, epoxy resin, polyimide resin, glass-based, is bonded to the metal substrate 12 by brazing material based adhesive there. また、反射体16は、前記部材の他に、合成樹脂製とし、金、銀、あるいはアルミニウム等の膜をコーティングすることもできる。 Further, the reflector 16, in addition to the members, is made of synthetic resin, may be coated gold, silver, or a film of aluminum or the like.

前記金属基板12には、上下電極型発光ダイオード11が収納できる収納凹部121が形成されている。 The metal substrate 12, the housing recess 121 to the upper and lower electrode type light emitting diode 11 can be stored is formed. 前記上下電極型発光ダイオード11は、上部電極111と下部電極112が設けられている。 The upper and lower electrode type light emitting diode 11, the upper electrode 111 and lower electrode 112 are provided. 前記金属基板12、14上には、必要に応じて、予めマスクにより、電極部分(図1に示されていない)が金メッキ等により形成される。 Wherein on the metal substrate 12 and 14, if desired, by pre-mask, the electrode portion (not shown in FIG. 1) is formed by gold plating or the like.

前記金属基板12の一方に形成された電極部分は、前記上下電極型発光ダイオード11の下部電極112と、たとえば、共晶ハンダにより接合される。 While electrodes formed portion of the metal substrate 12 includes a lower electrode 112 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11, for example, they are joined by eutectic soldering. 前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111は、導電性接続部材15により、前記金属基板14に形成された電極部分と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。 Upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11, the conductive connection member 15, and an electrode portion formed on the metal substrate 14, for example, are connected by eutectic solder. 前記上下電極型発光ダイオード11および導電性接続部材15が存在していない金属基板12、14の表面には、後述する反射体16の内部に相当する領域に銀メッキ162、163が施され、上下電極型発光ダイオード11の発光を効率良く反射させる。 Wherein the surface of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 and the conductive connection member 15 is not present metal substrates 12 and 14, silver plating 162 and 163 is performed in a region corresponding to the inside of the reflector 16 to be described later, the upper and lower the emission electrode type light emitting diode 11 effectively reflects.

図1(ハ)において、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111は、目字状に開口部113を有し、この部分から光を効率良く照射する。 1 (c), the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 has an opening 113 in the eye-shaped, efficiently irradiated with light from this portion. 前記開口部113は、目字状以外に、日字状、ロ字状、コ字状等、各種変形が可能である。 The opening 113, in addition to the eye-shaped, day-shaped, hollow square-shaped, U-shaped or the like, a variety of modifications are possible. また、導電性接続部材15は、たとえば、2本の接続部151を有し、前記上下電極型発光ダイオード11の上部電極111の一部に接続されている。 The conductive connecting member 15, for example, has two connecting portions 151, and is connected to a part of the upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11. また、前記導電性接続部材15の金属基板14側は、広い面積を有し、前記金属基板14に形成された電極部分と接続される。 Further, the metal substrate 14 of the conductive connection member 15 has a large area, is connected to an electrode formed portion to the metal substrate 14. 前記導電性接続部材15は、前記上部電極111および前記金属基板14と、たとえば、共晶ハンダにより接続される。 The conductive connection member 15, and the upper electrode 111 and the metal substrate 14, for example, are connected by eutectic solder. 前記共晶ハンダによる接続は、互いに金メッキを施すことにより、接合強度を強くすることができる。 Connection by the eutectic solder, by applying gold plating to each other, it is possible to increase the bonding strength.

図2(イ)は本発明の第2実施例で、上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図で、(ロ)および(ハ)は本発明のパッケージ集合体を説明するための図である。 In the second embodiment of FIG. 2 (b) is present invention, a sectional view for explaining another example in which the upper and lower electrode type light emitting diode on a metal substrate, (b) and (c) the of the present invention it is a diagram for explaining a package assembly. 図2(イ)において、金属基板22には、上下電極型発光ダイオード11を収納する収納凹部が設けられていない。 2 (b), the metal substrate 22, the housing recess for housing the upper and lower electrode type light emitting diode 11 is not provided. 前記収納凹部の代わりに、金属基板14は、たとえば、プレスにより凸部141と凹部141′が同時に成形される。 Instead of the housing recess, the metal substrate 14, for example, protrusions 141 and recesses 141 'are simultaneously formed by a press. 一枚のほぼ水平な板部材からなる導電性接続部材25は、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111と、他方の電極部分とを共晶ハンダにより接合される。 Conductive connecting members 25 made from a single substantially horizontal plate member, an upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 and the other electrode portions joined by eutectic soldering. 前記導電性接続部材25は、金および/または銀のメッキを施すことにより、共晶ハンダの接合強度を向上させるとともに、上下電極型発光ダイオード11から発射される光を反射体等を介して、所望の方向に放射することができる。 The conductive connection member 25, by plating gold and / or silver, improves the bonding strength of the eutectic solder, through the reflector like the light emitted from the upper and lower electrode type light emitting diode 11, it can be emitted in a desired direction.

図2(ロ)において、導電性接続部材251は、板状部材がほぼL字状に成形されて、上下電極型発光ダイオード11の上部電極111と、金属基板14に形成された他方の電極部分(図示されていない)とを接続する。 2 (b), the conductive connecting member 251 is a plate-like member is formed into a substantially L-shape, an upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode 11, the other electrode portion formed on the metal substrate 14 (not shown) and connecting. また、図2(ハ)において、前記導電性接続部材252は、一枚の板部材からなり、上下電極型発光ダイオードの上部電極111と、金属基板14に形成された他方の電極部分(図示されていない)との段差を吸収するように折り曲げられている。 Further, in FIG. 2 (c), the conductive connecting member 252 is made of a single plate member, an upper electrode 111 of the upper and lower electrode type light emitting diode, the other electrode portion (not formed on the metal substrate 14 a step of not) are bent to absorb. 前記導電性接続部材の形状は、段差を吸収するだけでなく、熱応力も吸収できる形状に曲げることができる。 The shape of the conductive connecting member, not only to absorb the level difference, can be bent into a shape that thermal stress can be absorbed. 前記上下電極型発光ダイオード11の大きさは、約1.0mm×1.0mm、厚さ0.1mm程度であるため、前記上下電極型発光ダイオード11を収納する収納凹部、または前記導電性接続部材25の形状のいずれを加工するのも容易である。 The size of the upper and lower electrode type light emitting diode 11 is about 1.0 mm × 1.0 mm, for a thickness of 0.1mm or so, the housing recess for accommodating the upper and lower electrode type light emitting diode 11 or the conductive connection member, it is easy to process any 25 shape.

図3(イ)から(ハ)は本発明の第3実施例で、ストリップ状または短冊状の金属基板に二列のパッケージ集合体が成形される状態を説明するための図である。 Figure 3 (b) (c) in the third embodiment of the present invention, is a diagram for package assembly of strip-like or strip-like metal substrate in two rows will be described a state to be molded. 図3(イ)から(ハ)において、ストリップ状または短冊状の金属基板31は、たとえば、一列または二列に内部スリット312、互いに絶縁されて対向した電極部分313、314、前記電極部分の一方313が中心となるように配置された反射体16が設けられている。 In FIG. 3 (b) (c), a strip-shaped or strip-shaped metal substrate 31, for example, internal slits 312 in a row or two rows, the electrode portions 313 and 314 facing are insulated from each other, one of said electrode portion 313 reflector 16 disposed to the center is provided. 前記内部スリット312は、たとえば、空間、あるいは絶縁樹脂が予め充填される。 The inner slit 312 is, for example, space, or an insulating resin is filled in advance. 前記絶縁樹脂は、エポキシ系樹脂のように、弾性および接着性の高いものが望ましい。 The insulating resin, as an epoxy resin, it is desirable high elasticity and adhesion. 前記内部スリット312は、十字状にした場合、2個の上下電極型発光ダイオード(図示されていない)が並列に配置され、照度の高い発光装置に利用することができる。 The inner slit 312, when a cross shape, two upper and lower electrode type light emitting diode (not shown) are arranged in parallel, can be used for light-emitting device with high luminance.

前記内部スリット312の長さは、前記反射体16の少なくとも一方の幅より長く、一部が突出するように配置される。 The length of the inner slit 312, the longer than at least one width of the reflector 16, are arranged so as to partially protrude. 前記反射体16が取り付けられた金属基板31は、パッケージ単体またはパッケージ集合体として出荷されて、上下電極型発光ダイオードが接続されるとともに、前記反射体16の内部に透明封止材料が充填されて、パッケージ単体またはパッケージ集合体ができる。 Metal substrate 31 where the reflector 16 is attached is shipped as single package or package assembly, with the upper and lower electrode type light emitting diode is connected, a transparent sealing material inside the reflector 16 is filled , it is single package or a package assembly.

図3(イ)から(ハ)において、金属基板31は、パッケージ単位を囲む周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4が成形されている。 In FIG. 3 (b) (c), the metal substrate 31, surrounding slit 311-1,311-2,311-3,311-4 surrounding the package units are molded. 図3(ロ)の拡大された図において、前記4本の周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4は、脆弱部315により、電極部分が金属基板31から落下せずに連結している。 In enlarged view of FIG. 3 (b), the four peripheral slits 311-1,311-2,311-3,311-4, due fragile portion 315, without falling electrode portions of the metal substrate 31 It is connected to. そして、前記パッケージ単位は、完成後にわずかな押圧力によって、周囲スリット311−1、311−2、311−3、311−4で囲まれた部分で分離することができる。 Then, the package unit, a slight pressing force after completion, can be separated in a portion surrounded by the surrounding slit 311-1,311-2,311-3,311-4. また、複数の上下電極型発光ダイオードを有するパッケージ集合体は、予め複数のパッケージの周囲に前記周囲スリットを設けて置くことができる。 Also, the package assembly having a plurality of upper and lower electrode type light emitting diode can be placed by providing the peripheral slits around the advance multiple packages.

前記金属基板の分離は、前記反射体16を取り付けた後、または上下電極型発光ダイオード等および透明封止材料が充填された後のいずれでも良い。 Separation of the metal substrate, after attaching the reflector 16, or the like and a transparent sealing material vertical electrode type light emitting diode may be either after being filled. また、前記周囲スリットは、一辺を一つのスリットに限定されない。 Furthermore, it said peripheral slits is not limited to one side to one slit. たとえば、前記周囲スリットは、点状のスリット、複数個のスリット、あるいは同様な凹部から構成することができる。 For example, the peripheral slits can be configured point-like slit, a plurality of slits or from a similar recess. 要するに、前記周囲スリットは、僅かな押圧力で分離ができれば、一つ一つの形状に限定されない。 In short, it said peripheral slits, if separated by a slight pressing force is not limited to one single shape.

図4(イ)および(ロ)は本発明の第4実施例で、スリットまたは反射体に絶縁材料を充填する方法を説明するための図である。 Figure 4 (a) and (b) in the fourth embodiment of the present invention, is a diagram for explaining a method of filling an insulating material in the slit or reflector. 図4(イ)および(ロ)において、金属基板12、14に反射体16が接合され、電極部分(図示されていない)、上下電極型発光ダイオード11、導電性接続部材15等が取り付けられ、その後、蛍光体含有膜45が前記反射体16の先端部分に取り付けられる。 4 (a) and (b), the reflector 16 is bonded to the metal substrate 12, the electrode portion (not shown), the upper and lower electrode type light emitting diode 11, the conductive connection member 15 or the like is attached, Thereafter, the phosphor-containing layer 45 is attached to the tip portion of the reflector 16. 反射体16に充填する透明封止材料46は、前記金属基板12、14のスリット13から前記反射体16の内部に充填される。 Transparent sealing material 46 to be filled into the reflector 16 is filled inside the reflector 16 from the slit 13 of the metal substrate 12. 前記スリット13には、前記透明封止樹脂46以外に異なる絶縁樹脂41を充填することもできる。 The slit 13 may also be filled with different insulating resin 41 in addition to the transparent sealing resin 46.

図5は本発明における発光装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。 Figure 5 is a flow chart for explaining the method of manufacturing a light emitting device of the present invention. 図5において、ストリップ状または短冊状の金属基板は、図示されていない、基台上を連続して加工できるように移動する(ステップ511、512)。 5, the strip-shaped or strip-shaped metal substrate, not shown, to move so that it can be processed continuously on the base (step 511, 512). 前記金属基板は、上下電極型発光ダイオードを取り付ける位置に対応するように、一列または複数列に互いに絶縁された内部スリットおよび分割用の周囲スリットが形成される(ステップ513)。 The metal substrate so as to correspond to the position of attaching the upper and lower electrode type light emitting diode, ambient slit for internal slit and divided insulated from each other in a row or column is formed (step 513). 電極部分は、前記内部スリットの両側に金および/または銀メッキ等により形成される(ステップ514)。 Electrode portion is formed by gold and / or silver plating on both sides of the inner slit (step 514). 前記金および/または銀メッキは、電極部分のみではなく、上下電極型発光ダイオードの反射を考慮して反射体の内部全面(スリットの部分を除く)に渡るように形成される。 The gold and / or silver plating is not only the electrode portions are formed so as to cross inside the entire surface of the reflector (except for the portion of the slit) taking into account the reflection of the upper and lower electrode type light emitting diode.

前記反射体は、前記金属基板に形成された電極部分の一方が中心になるように前記金属基板に接合される(ステップ515)。 The reflector, one is bonded to the metal substrate so that the center of the formed electrode portion to the metal substrate (step 515). 前記上下電極型発光ダイオードは、一方の電極部分に共晶ハンダを介して置かれ、また、前記上下電極型発光ダイオードの上部電極の上および他方の電極部分に、共晶ハンダを介して導電性接続部材が置かれる(ステップ516)。 The upper and lower electrode type light emitting diode is placed through the eutectic solder to one electrode portion, also above and the other electrode portion of the upper electrode of the upper and lower electrode type light emitting diode, a conductive via eutectic solder connecting member is placed (step 516). この状態で、前記金属基板は、リフロー炉の中を通過させることにより、加熱処理が行われる(ステップ517)。 In this state, the metal substrate, by passing through the reflow furnace, heat treatment is performed (step 517).

その後、反射体の先端部には、蛍光含有膜体が取り付けられる。 Then, the distal end portion of the reflector, the fluorescent-containing film body is attached. (ステップ518)。 (Step 518). 前記上下電極型発光ダイオードが取り付けられた金属基板は、必要に応じて、減圧槽の内部に入れるか、または減圧状態にする(ステップ519)。 Metal substrate is the vertical electrode type light emitting diode mounted, if necessary, or placed in the interior of the vacuum vessel, or in a reduced pressure state (step 519). 透明封止材料は、前記スリットを介して反射体の内部に充填される(ステップ520)。 Transparent sealing material is filled into the reflector through the slits (step 520). 前記反射体内部の減圧は、前記透明封止材料に気泡が入らないようにでき、発光装置の品質を向上させることができる。 Decompression of the reflector body portion, can prevent air bubbles within the transparent sealing material, it is possible to improve the quality of the light emitting device. 次に、前記金属基板は、特別な機械を使用することなく、たとえば、裏面に僅かな押圧力を加えることにより、パッケージ単位に分割することができる(ステップ521)。 Then, the metal substrate, without the use of special machines, for example, by applying a slight pressure on the back side, can be divided into package units (step 521). なお、前記発光装置の製造方法は、プレスおよび電子部品取付ロボットを主体としたラインで構成され、発光装置を一つずつ作製する場合、およびパッケージの集合体からなる発光装置のいずれをも作製することができる。 The manufacturing method of the light emitting device is constituted by a line consisting mainly of press and electronic component mounting robot, also produce any case, and a package assembly emitting device one by one manufacturing a light emitting device be able to.

前記方法により作製された発光装置は、たとえば、縦3mm、幅20mm程度の大きさとすることにより、液晶表示装置の導光板用、あるいは広告表示装置等のバックライトに使用できる。 Light-emitting device manufactured by the method, for example, a vertical 3 mm, by the size of a width of about 20 mm, can be used for the light guide plate of the liquid crystal display device, or the backlight, such as advertisement display devices. また、前記発光装置は、前記上下電極型発光ダイオードに定格350mA以上の電力を供給することができ、従来のものより、輝度を高くすることができた。 The light emitting device, the upper and lower electrode type light emitting diode can supply more power than the rated 350mA, than the conventional, it was possible to increase the brightness.

以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではない。 Have been described in detail embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the examples. そして、本発明は、特許請求の範囲に記載された事項を逸脱することがなければ、種々の設計変更を行うことが可能である。 The present invention is, if there is no departing from the matters described in the claims, it is possible to perform various design changes. 本発明の上下電極型発光ダイオードの上下電極、金属基板、導電性接続部材等の接続は、共晶ハンダ、共晶ハンダペースト、共晶ハンダとフラックス、金−錫共晶ハンダペースト等、公知または周知のものを使用することができる。 Upper and lower electrodes, the metal substrate of the upper and lower electrode type light emitting diode of the present invention, the connection such as a conductive connecting member, eutectic solder, eutectic solder paste, eutectic solder and flux, gold - tin eutectic solder paste or the like, known or it can be used well known. 本発明の反射体の部材および反射膜は、前記同様に、公知または周知のものを使用することができる。 Member and the reflective film of the reflector of the present invention, the same manner, it is possible to use those known or well-known.

(イ)から(ハ)は本発明の第1実施例で、(イ)はパッケージに上下電極型発光ダイオードを取り付けた状態図、(ロ)は(イ)の拡大図、(ハ)はパッケージおよび上下電極型発光ダイオードの平面図である。 (B) from (c) in the first embodiment of the present invention, (a) phase diagram fitted with upper and lower electrode type light emitting diode package is an enlarged view of (b) is (a), (c) a package and is a plan view of the upper and lower electrode type light emitting diode. (実施例1) (Example 1) (イ)は本発明の第2実施例で、上下電極型発光ダイオードを金属基板上に取り付けた他の例を説明するための断面図で、(ロ)および(ハ)は本発明のパッケージ集合体を説明するための図である。 (B) in the second embodiment of the present invention, a sectional view for explaining another example in which the upper and lower electrode type light emitting diode on a metal substrate, (b) and (c) the packaging set of the present invention it is a diagram for explaining the body. (実施例2) (Example 2) (イ)から(ハ)は本発明の第3実施例で、ストリップ状または短冊状の金属基板に二列のパッケージ集合体が成形される状態を説明するための図である。 (B) from (c) is a diagram for the third embodiment, the package assembly of strip-like or strip-like metal substrate in two rows will be described a condition that is molded of the present invention. (実施例3) (Example 3) (イ)および(ロ)は本発明の第4実施例で、スリットまたは反射体に絶縁材料を充填する方法を説明するための図である。 (I) and (ii) in the fourth embodiment of the present invention, it is a diagram for explaining a method of filling an insulating material in the slit or reflector. (実施例4) (Example 4) 本発明における発光装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。 It is a flow chart for explaining the method of manufacturing a light emitting device of the present invention. (イ)は従来例における発光ダイオード組立体を説明するための概略断面図で、(ロ)は前記従来例における発光ダイオード組立体を説明するための平面図である。 (B) is a schematic sectional view of a light emitting diode assembly in the prior art, (b) is a plan view of a light emitting diode assembly in the prior art.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11・・・上下電極型発光ダイオード 111・・・上部電極 112・・・下部電極 113・・・開口部 12、14・・・金属基板 121・・・収納凹部 13・・・絶縁部材 114・・・側部 15、25、251、252・・・導電性接続部材 151・・・接続部 161・・・反射膜(反射部分) 11 ... vertical electrode type light emitting diode 111 ... upper electrode 112 ... lower electrode 113 ... opening 12, 14 ... metal substrate 121 ... housing recess 13 ... insulating member 114 .. - side 15,25,251,252 ... conductive connecting member 151 ... connecting portion 161 ... reflection film (reflection portion)
162、163・・・銀メッキ 311−1、311−2、311−3、311−4・・・周囲スリット 312・・・内部スリット 313、314・・・電極部分 315・・・脆弱部 41・・・絶縁材料 162, 163 ... silver plated 311-1,311-2,311-3,311-4 ... surrounding the slit 312 ... internal slits 313, 314 ... electrode portion 315 ... fragile portion 41, ... insulating material

Claims (5)

  1. 金属基板からなり、分離された複数の電極部分を成形する工程と、 A metal substrate, a step of forming the separated plurality of electrode portions,
    前記複数の電極部分と反射体とを接合する工程と、 A step of joining the reflector and the plurality of electrode portions,
    前記電極部分の一方と上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記電極部分の他方と金属板部材との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部電極と金属板部材の腕部との間、をそれぞれ共晶ハンダで接合する工程と、 Between the lower electrode of one upper and lower electrode type light emitting diode of the electrode portion, between the other and the metal plate member of the electrode portion, and the arm portion of the upper electrode and the metal plate of the upper and lower electrode type light emitting diode during, and bonding with each eutectic solder,
    前記反射体の先端部に蛍光体含有膜体を設ける工程と、 A step of providing a phosphor-containing film body to the tip portion of the reflector,
    前記上下電極型発光ダイオードを封止し、前記金属基板の裏側から前記分離部を介して、前記反射体の内部に透明封止材料を充填する工程と、 Wherein the upper and lower electrode type light emitting diode sealing, via the separating portion from the back side of the metal substrate, a step of filling the inside transparent sealing material of the reflector,
    から少なくともなることを特徴とする発光装置の製造方法。 Method for manufacturing a light emitting device, wherein at least consist.
  2. 前記透明封止材料の硬度は、ショアA(ゴムの硬さ)で15から85、好ましくは20から80のエラストマーであることを特徴とする請求項1に記載された発光装置の製造方法。 Hardness of the transparent sealing material, Shore A (hardness of rubber) from 15 to 85, preferably process for the preparation of a light-emitting device according to claim 1, which is a 80 elastomer from 20.
  3. 前記透明封止材料は、1液性または2液性の熱硬化型シリコーン系樹脂からなるエラストマーであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された発光装置の製造方法。 The transparent sealing material, manufacturing method of the light emitting device according to claim 1 or claim 2, characterized in that an elastomer consisting of one-liquid or two-liquid thermosetting type silicone resin.
  4. 前記透明封止材料を充填する前記反射体内は、吸引により減圧状態になっていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載された発光装置の製造方法。 The reflective body filling the transparent sealing material, manufacturing method of the light emitting device claimed in any one of claims 3, wherein it is in the reduced pressure state by suction.
  5. 前記金属基板は、多数のパッケージ単位が形成されており、前記各パッケージ単位に分離された複数の電極部分を形成するようにスリットを成形する工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 The metal substrate is a number of package units forming method of the light emitting device characterized by comprising the step of forming the slit to form a plurality of electrode portions the separated in each package unit.
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