JP2013058572A - Joining method, program, computer storage medium and joining system - Google Patents

Joining method, program, computer storage medium and joining system Download PDF

Info

Publication number
JP2013058572A
JP2013058572A JP2011195470A JP2011195470A JP2013058572A JP 2013058572 A JP2013058572 A JP 2013058572A JP 2011195470 A JP2011195470 A JP 2011195470A JP 2011195470 A JP2011195470 A JP 2011195470A JP 2013058572 A JP2013058572 A JP 2013058572A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
wafer
substrate
processed
treatment chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011195470A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5427856B2 (en
Inventor
Masatoshi Deguchi
雅敏 出口
Masatoshi Shiraishi
雅敏 白石
Shinji Okada
慎二 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2011195470A priority Critical patent/JP5427856B2/en
Priority to PCT/JP2012/071818 priority patent/WO2013035599A1/en
Priority to TW101132534A priority patent/TW201332037A/en
Publication of JP2013058572A publication Critical patent/JP2013058572A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5427856B2 publication Critical patent/JP5427856B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To properly join a substrate to be processed and a support substrate by suitably performing heat treatment of the substrate to be processed and the support substrate.SOLUTION: An adhesive is applied onto a wafer to be processed (step A1). Then, in heat treatment of the waver to be processed, the inside of a heat treatment chamber is exhausted, inert gas is supplied to the inside of the heat treatment chamber and the inside of the heat treatment chamber is made to have an oxygen-free atmosphere by being replaced with an inert gas atmosphere (step A2). Then, exhaustion of the inside of the heat treatment chamber and the supply of inert gas to the inside of the heat treatment chamber are stopped, and the surface of the adhesive on the wafer to be processed is heated and dried by using a heating plate (step A3). Then, the inside of the heat treatment chamber is exhausted, the inert gas is supplied to the inside of the heat treatment chamber, and the adhesive on the wafer to be processed is heated to a predetermined temperature by the heating plate (step A4). Then, the wafer to be processed and a support wafer are pressed to be joined via the adhesive (step A13).

Description

本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、及び前記接合方法を実施する接合システムに関する。   The present invention relates to a bonding method, a program, a computer storage medium, and a bonding system for performing the bonding method, for bonding a substrate to be processed and a support substrate.

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers”) have become larger in diameter. Further, in a specific process such as mounting, it is required to make the wafer thinner. For example, if a thin wafer with a large diameter is transported or polished as it is, the wafer may be warped or cracked. For this reason, for example, in order to reinforce the wafer, the wafer is attached to, for example, a wafer that is a support substrate or a glass substrate.

かかるウェハと支持基板の貼り合わせは、例えば貼り合わせ装置を用いて、ウェハと支持基板との間に接着剤を介在させることにより行われている。貼り合わせ装置は、例えばウェハを保持する第一保持部材と、支持基板を保持する第二保持部材と、ウェハと支持基板との間に配置される接着剤を加熱する加熱機構と、少なくとも第一保持部材又は第二保持部材を上下方向に移動させる移動機構とを有している。そして、この貼り合わせ装置では、ウェハと支持基板との間に接着剤を供給して、当該接着剤を加熱した後、ウェハと支持基板を押圧して貼り合わせている（特許文献１）。   The bonding of the wafer and the support substrate is performed by interposing an adhesive between the wafer and the support substrate using, for example, a bonding apparatus. The bonding apparatus includes, for example, a first holding member that holds a wafer, a second holding member that holds a support substrate, a heating mechanism that heats an adhesive disposed between the wafer and the support substrate, and at least a first And a moving mechanism for moving the holding member or the second holding member in the vertical direction. And in this bonding apparatus, after supplying an adhesive agent between a wafer and a support substrate and heating the said adhesive agent, the wafer and a support substrate are pressed and bonded together (patent document 1).

特開２００８−１８２０１６号公報JP 2008-182016 A

しかしながら、特許文献１に記載の貼り合わせ装置を用いた場合、ウェハと支持基板との間に接着剤を供給した後、酸素を含む常圧の雰囲気下で接着剤を加熱しているので、当該接着剤が酸化してしまう。そうすると、接着剤が所定の機能を発揮せず、ウェハと支持基板を適切に接合することができない。   However, when the bonding apparatus described in Patent Document 1 is used, the adhesive is heated in a normal pressure atmosphere containing oxygen after supplying the adhesive between the wafer and the support substrate. The adhesive will oxidize. If it does so, an adhesive agent will not exhibit a predetermined function and a wafer and a support substrate cannot be joined appropriately.

また、上述した酸化を抑制するため、装置内の雰囲気を排気することも考えられるが、単に排気しただけでは気流が発生し、当該気流によって接着剤がウェハ面内で均一な膜厚にならない場合がある。かかる場合でも、ウェハと支持基板を適切に接合することができない。   In order to suppress the oxidation described above, it may be possible to exhaust the atmosphere in the apparatus. However, if the air is simply exhausted, an air flow is generated, and the air flow does not cause the adhesive to have a uniform film thickness on the wafer surface. There is. Even in such a case, the wafer and the support substrate cannot be bonded appropriately.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の熱処理を適切に行い、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行うこと目的とする。   The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to appropriately heat-treat the substrate to be processed and the support substrate and appropriately bond the substrate to be processed and the support substrate.

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布工程と、その後、前記塗布工程において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に熱処理する熱処理工程と、その後、前記熱処理工程において所定の温度に熱処理された被処理基板と接着剤が塗布されていない支持基板とを押圧して接合する、又は前記熱処理工程において所定の温度に熱処理された支持基板と接着剤が塗布されていない被処理基板とを押圧して接合する接合工程と、を有し、前記熱処理工程は、熱処理板を備えた熱処理室に被処理基板又は支持基板を収容して当該熱処理室の内部を密閉し、被処理基板又は支持基板が前記熱処理板と接触しない状態で、前記熱処理室の内部を無酸素雰囲気にする第１の工程と、その後、前記熱処理室の内部に気流が生じない状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置し、少なくとも被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理する第２の工程と、を有することを特徴としている。なお、無酸素雰囲気は、酸素が全く無い状態の雰囲気に加えて、酸素が僅かに存在するがその影響は無視できる程度の雰囲気も含む。   In order to achieve the above object, the present invention provides a bonding method for bonding a substrate to be processed and a support substrate, which includes an application step of applying an adhesive to the substrate to be processed or the support substrate, and then bonding in the application step. A heat treatment step of heat-treating the substrate to be treated or the support substrate coated with the agent to a predetermined temperature, and then the substrate to be treated heat-treated to the predetermined temperature in the heat treatment step and the support substrate not coated with the adhesive A bonding step of pressing and bonding a support substrate that has been pressed and bonded, or a support substrate that has been heat-treated at a predetermined temperature in the heat-treatment step, and a substrate to which the adhesive is not applied, and the heat-treatment step includes The heat treatment chamber is provided with a substrate to be processed or a support substrate, the interior of the heat treatment chamber is sealed, and the heat treatment substrate is not in contact with the heat treatment plate. A first step of bringing the inside of the substrate into an oxygen-free atmosphere, and then placing a substrate to be processed or a supporting substrate on the heat treatment plate in a state where no airflow is generated in the heat treatment chamber, and at least the substrate to be processed or And a second step of heat-treating the surface of the adhesive on the support substrate to a predetermined temperature. Note that the oxygen-free atmosphere includes an atmosphere in which oxygen is slightly present but its influence is negligible, in addition to an atmosphere having no oxygen.

本発明の熱処理工程では、先ず、第１の工程において、熱処理室の内部を無酸素雰囲気にしている。この無酸素雰囲気は、例えば不活性ガス雰囲気でもよいし、真空雰囲気でもよい。しかも、このとき、被処理基板又は支持基板は熱処理板と接触しておらず、熱処理されていない。したがって、被処理基板又は支持基板上の接着剤の酸化を抑制できる。その後、第２の工程において、熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して熱処理する際、熱処理室の内部に気流が生じないので、被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面が乱れず、当該接着剤を基板面内で均一な膜厚に形成することができる。以上のように本発明によれば、被処理基板と支持基板の熱処理を適切に行うことができる。したがって、被処理基板と支持基板の接合を適切に行うことができる。   In the heat treatment step of the present invention, first, in the first step, the inside of the heat treatment chamber is made an oxygen-free atmosphere. This oxygen-free atmosphere may be, for example, an inert gas atmosphere or a vacuum atmosphere. In addition, at this time, the substrate to be processed or the support substrate is not in contact with the heat treatment plate and is not heat-treated. Therefore, oxidation of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate can be suppressed. Thereafter, in the second step, when the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate and heat-treated, no air flow is generated in the heat treatment chamber, so the surface of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate. The adhesive can be formed in a uniform film thickness within the substrate surface. As described above, according to the present invention, the heat treatment of the substrate to be processed and the support substrate can be appropriately performed. Accordingly, the substrate to be processed and the support substrate can be appropriately bonded.

前記第１の工程において、前記熱処理室の内部を排気すると共に前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、当該熱処理室の内部を不活性ガス雰囲気に置換し、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を停止し、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を行い、前記熱処理板上に載置された被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理してもよい。   In the first step, the inside of the heat treatment chamber is evacuated and an inert gas is supplied to the inside of the heat treatment chamber, the inside of the heat treatment chamber is replaced with an inert gas atmosphere, and in the second step, The exhaust of the heat treatment chamber and the supply of inert gas are stopped, the substrate to be treated or the support substrate is placed on the heat treatment plate, and the surface of the adhesive on the substrate to be treated or the support substrate is predetermined. After the second step, the inside of the heat treatment chamber is exhausted and an inert gas is supplied, and an adhesive on the substrate to be processed or the support substrate placed on the heat treatment plate is predetermined. You may heat-process to temperature.

かかる場合、前記熱処理工程において、前記熱処理室の内部の排気は、前記熱処理板の上方且つ前記熱処理室の天井面の中央部から行われるようにしてもよい。   In such a case, in the heat treatment step, the inside of the heat treatment chamber may be exhausted from above the heat treatment plate and from the center of the ceiling surface of the heat treatment chamber.

また、前記第１の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に真空引きし、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に維持した状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、前記熱処理板上から被処理基板又は支持基板を退避させてもよい。   Further, in the first step, the inside of the heat treatment chamber is evacuated to a vacuum atmosphere, and in the second step, the inside of the heat treatment chamber is maintained in a vacuum atmosphere to be processed on the heat treatment plate. A substrate or a support substrate is placed, the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is heat-treated at a predetermined temperature, and after the second step, an inert gas is supplied into the heat treatment chamber, The substrate to be processed or the support substrate may be retracted from the heat treatment plate.

別な観点による本発明によれば、前記接合方法を接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the joining system in order to cause the joining method to be executed by the joining system.

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

さらに別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板を接合する接合システムであって、被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布装置と、前記塗布装置において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を収容して熱処理する熱処理室と、当該被処理基板又は支持基板を載置して所定の温度に熱処理する熱処理板とを備えた熱処理装置と、前記熱処理装置において所定の温度に熱処理された被処理基板と接着剤が塗布されていない支持基板とを押圧して接合する、又は前記熱処理装置において所定の温度に熱処理された支持基板と接着剤が塗布されていない被処理基板とを押圧して接合する接合装置と、前記熱処理室に被処理基板又は支持基板を収容して当該熱処理室の内部を密閉し、被処理基板又は支持基板が前記熱処理板と接触しない状態で、前記熱処理室の内部を無酸素雰囲気にする第１の工程と、その後、前記熱処理室の内部に気流が生じない状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置し、少なくとも被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理する第２の工程とを実行するように、前記熱処理装置を制御する制御部と、を有することを特徴としている。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a bonding system for bonding a substrate to be processed and a support substrate, the coating device applying an adhesive to the substrate to be processed or the support substrate, and the adhesive applied in the coating device. A heat treatment chamber including a heat treatment chamber for accommodating and heat-treating a substrate to be treated or a support substrate, a heat treatment plate for placing the substrate to be treated or the support substrate and heat-treating to a predetermined temperature, A substrate to be treated that has been heat-treated at a temperature and a support substrate to which an adhesive has not been applied are pressed together to join, or a substrate to be treated that has been heat-treated to a predetermined temperature in the heat treatment apparatus and a treatment to which no adhesive has been applied A bonding apparatus that presses and bonds the substrate, and a substrate to be processed or a support substrate is accommodated in the heat treatment chamber and the inside of the heat treatment chamber is sealed, and the substrate to be processed or the support substrate is bonded to the heat treatment plate. A first step of making the inside of the heat treatment chamber an oxygen-free atmosphere without touching the substrate, and then placing a substrate to be treated or a support substrate on the heat treatment plate in a state where no airflow is generated inside the heat treatment chamber. And a control unit for controlling the heat treatment apparatus so as to perform at least a second step of heat-treating the surface of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate to a predetermined temperature. Yes.

前記熱処理装置は、前記熱処理室の内部を排気する排気部と、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、前記制御部は、前記第１の工程において、前記排気部によって前記熱処理室の内部を排気すると共に、前記不活性ガス供給部によって前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、当該熱処理室の内部を不活性ガス雰囲気に置換し、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を停止し、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を行い、前記熱処理板上に載置された被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理するように、前記熱処理装置を制御してもよい。   The heat treatment apparatus includes an exhaust unit that exhausts the inside of the heat treatment chamber, and an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the inside of the heat treatment chamber, and the control unit includes: The exhaust section exhausts the interior of the heat treatment chamber, the inert gas supply section supplies an inert gas to the interior of the heat treatment chamber, and the interior of the heat treatment chamber is replaced with an inert gas atmosphere. In step 2, the exhaust of the heat treatment chamber and the supply of the inert gas are stopped, the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate, and the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate The surface of the substrate is heat-treated at a predetermined temperature, and after the second step, the interior of the heat-treatment chamber is exhausted and an inert gas is supplied to the substrate to be processed or the support substrate placed on the heat-treatment plate. Heat the adhesive to a predetermined temperature To so that may control the heat treatment apparatus.

かかる場合、前記排気部は、前記熱処理板の上方且つ前記熱処理室の天井面の中央部に配置されていてもよい。   In such a case, the exhaust part may be disposed above the heat treatment plate and at the center of the ceiling surface of the heat treatment chamber.

また、前記熱処理装置は、前記熱処理室の内部を真空引きして減圧する減圧部と、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、前記制御部は、前記第１の工程において、前記減圧部によって前記熱処理室の内部を真空雰囲気に真空引きし、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に維持した状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記不活性ガス供給部によって前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、前記熱処理板上から被処理基板又は支持基板を退避させるように、前記熱処理装置を制御してもよい。   The heat treatment apparatus includes a decompression unit that evacuates and depressurizes the inside of the heat treatment chamber, and an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the inside of the heat treatment chamber. In the first step, the inside of the heat treatment chamber is evacuated to a vacuum atmosphere by the decompression unit, and in the second step, the inside of the heat treatment chamber is maintained in a vacuum atmosphere on the heat treatment plate. A processing substrate or a support substrate is placed, and the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is heat-treated at a predetermined temperature, and after the second step, the inert gas supply unit causes the inside of the heat treatment chamber to be inside. The heat treatment apparatus may be controlled such that an inert gas is supplied and the substrate to be processed or the support substrate is retracted from the heat treatment plate.

本発明によれば、被処理基板と支持基板の熱処理を適切に行い、当該被処理基板と支持基板の接合を適切に行うことができる。   According to the present invention, it is possible to appropriately heat-treat the substrate to be processed and the support substrate and appropriately bond the substrate to be processed and the support substrate.

本実施の形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of the joining system concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる接合システムの内部構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of the internal structure of the joining system concerning this Embodiment. 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。It is a side view of a to-be-processed wafer and a support wafer. 接合装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a joining apparatus. 受渡部の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a delivery part. 受渡アームの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a delivery arm. 受渡アームの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a delivery arm. 反転部の構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of an inversion part. 反転部の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of an inversion part. 反転部の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of an inversion part. 保持アームと保持部材の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a holding | maintenance arm and a holding member. 受渡部と反転部の位置関係を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the positional relationship of a delivery part and an inversion part. 搬送部の構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a conveyance part. 搬送部が接合装置内に配置された様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the conveyance part was arrange | positioned in the joining apparatus. 第１の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a 1st conveyance arm. 第１の搬送アームの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 1st conveyance arm. 第２の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。It is a top view which shows the outline of a structure of a 2nd conveyance arm. 第２の搬送アームの構成の概略を示す側面図である。It is a side view which shows the outline of a structure of a 2nd conveyance arm. 第２の保持部に切り欠きが形成された様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the notch was formed in the 2nd holding | maintenance part. 接合部の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a junction part. 接合部の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a junction part. 塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating device. 塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of a coating device. 熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus. 熱処理装置の構成の概略を示す横断面図である。It is a cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus. 接合処理の主な工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main processes of a joining process. 熱処理室の内部を不活性ガス雰囲気に置換する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the inside of a heat processing chamber is substituted by inert gas atmosphere. 被処理ウェハ上の接着剤の表面を乾燥させる様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the surface of the adhesive agent on a to-be-processed wafer is dried. 被処理ウェハ上の接着剤を所定の温度に加熱する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the adhesive agent on a to-be-processed wafer is heated to predetermined temperature. 第１の保持部を上昇させた様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the 1st holding | maintenance part was raised. 第２の保持部の中心部が撓んだ様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the center part of the 2nd holding | maintenance part bent. 支持ウェハの接合面全面が被処理ウェハの接合面全面に当接した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the whole bonding surface of the support wafer contact | abutted to the whole bonding surface of the to-be-processed wafer. 被処理ウェハと支持ウェハを接合した様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the to-be-processed wafer and the support wafer were joined. 他の実施の形態にかかる熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of a structure of the heat processing apparatus concerning other embodiment. 熱処理室の内部を真空雰囲気にする様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the inside of a heat processing chamber is made into a vacuum atmosphere. 被処理ウェハ上の接着剤を所定の温度に加熱する様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the adhesive agent on a to-be-processed wafer is heated to predetermined temperature. 熱処理室の内部を常圧雰囲気にする様子を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a mode that the inside of a heat processing chamber is made into a normal pressure atmosphere.

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる接合システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、接合システム１の内部構成の概略を示す側面図である。   Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing the outline of the configuration of the joining system 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a side view illustrating the outline of the internal configuration of the joining system 1.

接合システム１では、図３に示すように例えば接着剤Ｇを介して、被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとを接合する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を表面としての「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を裏面としての「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を表面としての「接合面ＳＪ」といい、接合面ＳＪと反対側の面を裏面としての「非接合面ＳＮ」という。そして、接合システム１では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合して、重合基板としての重合ウェハＴを形成する。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪに複数の電子回路が形成されており、非接合面ＷＮが研磨処理される。また、支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。 In the bonding system 1, as shown in FIG. 3, for example, a processing target wafer W as a processing target substrate and a supporting wafer S as a supporting substrate are bonded via an adhesive G. Hereinafter, in the processing target wafer W, a surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as a “bonding surface W J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface W J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-bonding surface W N ”. Similarly, in the support wafer S, a surface bonded to the processing target wafer W via the adhesive G is referred to as a “bonding surface S J ” as a surface, and a surface opposite to the bonding surface S J is defined as a “back surface”. It is referred to as “non-joint surface S N ”. And in the joining system 1, the to-be-processed wafer W and the support wafer S are joined, and the superposition | polymerization wafer T as a superposition | polymerization board | substrate is formed. Note that wafer W is a wafer as a product, for example, joint surface W J A plurality of electronic circuit is formed on the non-bonding surface W N is polished. The support wafer S is a wafer having the same diameter as that of the wafer W to be processed and supporting the wafer W to be processed. In this embodiment, the case where a wafer is used as the support substrate will be described, but another substrate such as a glass substrate may be used.

接合システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the bonding system 1 includes cassettes C W , C S , and C T that can accommodate, for example, a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T, respectively. The loading / unloading station 2 for loading / unloading and the processing station 3 including various processing apparatuses for performing predetermined processing on the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are integrally connected. .

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、カセットの１つを不具合ウェハの回収用として用いてもよい。すなわち、種々の要因で被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接合に不具合が生じたウェハを、他の正常な重合ウェハＴと分離することができるカセットである。本実施の形態においては、複数のカセットＣＴのうち、１つのカセットＣＴを不具合ウェハの回収用として用い、他方のカセットＣＴを正常な重合ウェハＴの収容用として用いている。 The loading / unloading station 2 is provided with a cassette mounting table 10. The cassette mounting table 10 is provided with a plurality of, for example, four cassette mounting plates 11. The cassette mounting plates 11 are arranged in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1). These cassette mounting plates 11, cassettes C W to the outside of the interface system 1, C S, when loading and unloading the C T, a cassette C W, C S, can be placed on C T . Thus, the carry-in / out station 2 is configured to be capable of holding a plurality of wafers W to be processed, a plurality of support wafers S, and a plurality of superposed wafers T. The number of cassette mounting plates 11 is not limited to the present embodiment, and can be arbitrarily determined. One of the cassettes may be used for collecting defective wafers. That is, this is a cassette that can separate from a normal superposed wafer T a wafer in which a defect occurs in the joining of the processing target wafer W and the supporting wafer S due to various factors. In the present embodiment, among the plurality of cassettes C T, using a one cassette C T for the recovery of the fault wafer, and using the other cassette C T for the accommodation of a normal bonded wafer T.

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送部２０が設けられている。ウェハ搬送部２０には、Ｘ方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１１上のカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴと、後述する処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３のトランジション装置５０、５１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。 In the loading / unloading station 2, a wafer transfer unit 20 is provided adjacent to the cassette mounting table 10. The wafer transfer unit 20 is provided with a wafer transfer device 22 that is movable on a transfer path 21 extending in the X direction. The wafer transfer device 22 is also movable in the vertical direction and around the vertical axis (θ direction), and includes cassettes C W , C S , and C T on each cassette mounting plate 11 and a third of the processing station 3 to be described later. The to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the superposed wafer T can be transferred to and from the transition devices 50 and 51 of the processing block G3.

処理ステーション３には、各種処理装置を備えた複数例えば３つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。例えば処理ステーション３の正面側（図１中のＸ方向負方向側）には、第１の処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１中のＸ方向正方向側）には、第２の処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１中のＹ方向負方向側）には、第３の処理ブロックＧ３が設けられている。   The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, three processing blocks G1, G2, and G3 including various processing apparatuses. For example, a first processing block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (X direction negative direction side in FIG. 1), and on the back side of the processing station 3 (X direction positive direction side in FIG. 1). A second processing block G2 is provided. Further, a third processing block G3 is provided on the processing station 3 on the side of the loading / unloading station 2 (the Y direction negative direction side in FIG. 1).

例えば第１の処理ブロックＧ１には、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合装置３０〜３３が、搬入出ステーション２側からこの順でＹ方向に並べて配置されている。   For example, in the first processing block G1, bonding devices 30 to 33 for pressing and bonding the processing target wafer W and the supporting wafer S via the adhesive G are provided in this order from the loading / unloading station 2 side in the Y direction. They are arranged side by side.

例えば第２の処理ブロックＧ２には、図２に示すように被処理ウェハＷに接着剤Ｇを塗布する塗布装置４０と、接着剤Ｇが塗布された被処理ウェハＷを所定の温度に加熱する熱処理装置４１〜４３と、同様の熱処理装置４４〜４６とが、搬入出ステーション２側に向かう方向（図１中のＹ方向負方向）にこの順で並べて配置されている。熱処理装置４１〜４３と熱処理装置４４〜４６は、それぞれ下からこの順で３段に設けられている。なお、熱処理装置４１〜４６の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は任意に設定することができる。   For example, in the second processing block G2, as shown in FIG. 2, the coating apparatus 40 that applies the adhesive G to the wafer W to be processed and the wafer W to which the adhesive G is applied are heated to a predetermined temperature. Heat treatment apparatuses 41 to 43 and similar heat treatment apparatuses 44 to 46 are arranged in this order in the direction toward the loading / unloading station 2 (the negative direction in the Y direction in FIG. 1). The heat treatment apparatuses 41 to 43 and the heat treatment apparatuses 44 to 46 are provided in three stages in this order from the bottom. The number of heat treatment apparatuses 41 to 46 and the arrangement in the vertical direction and the horizontal direction can be arbitrarily set.

例えば第３の処理ブロックＧ３には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴのトランジション装置５０、５１が下からこの順で２段に設けられている。   For example, in the third processing block G3, transition devices 50 and 51 for the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are provided in two stages in this order from the bottom.

図１に示すように第１の処理ブロックＧ１〜第３の処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域６０が形成されている。ウェハ搬送領域６０には、例えばウェハ搬送装置６１が配置されている。なお、ウェハ搬送領域６０内の圧力は大気圧以上であり、当該ウェハ搬送領域６０において、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴのいわゆる大気系の搬送が行われる。   As shown in FIG. 1, a wafer transfer region 60 is formed in a region surrounded by the first processing block G1 to the third processing block G3. For example, a wafer transfer device 61 is disposed in the wafer transfer region 60. Note that the pressure in the wafer transfer region 60 is equal to or higher than atmospheric pressure, and the wafer to be processed W, the support wafer S, and the superposed wafer T are transferred in a so-called atmospheric system in the wafer transfer region 60.

ウェハ搬送装置６１は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置６１は、ウェハ搬送領域６０内を移動し、周囲の第１の処理ブロックＧ１、第２の処理ブロックＧ２及び第３の処理ブロックＧ３内の所定の装置に被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。   The wafer transfer device 61 has, for example, a transfer arm that can move around the vertical direction, horizontal direction (Y direction, X direction), and vertical axis. The wafer transfer device 61 moves within the wafer transfer region 60, and moves to a predetermined device in the surrounding first processing block G1, second processing block G2, and third processing block G3. S and superposed wafer T can be conveyed.

次に、上述した接合装置３０〜３３の構成について説明する。接合装置３０は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００のウェハ搬送領域６０側の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口１０１が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。   Next, the structure of the joining apparatuses 30 to 33 described above will be described. As shown in FIG. 4, the bonding apparatus 30 includes a processing container 100 that can seal the inside. A loading / unloading port 101 for the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T is formed on the side surface of the processing container 100 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port. Yes.

処理容器１００の内部は、内壁１０２によって、前処理領域Ｄ１と接合領域Ｄ２に区画されている。上述した搬入出口１０１は、前処理領域Ｄ１における処理容器１００の側面に形成されている。また、内壁１０２にも、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口１０３が形成されている。   The inside of the processing container 100 is partitioned by the inner wall 102 into a preprocessing region D1 and a joining region D2. The loading / unloading port 101 described above is formed on the side surface of the processing container 100 in the preprocessing region D1. In addition, a carry-in / out port 103 for the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T is also formed on the inner wall 102.

前処理領域Ｄ１には、接合装置３０の外部との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡すための受渡部１１０が設けられている。受渡部１１０は、搬入出口１０１に隣接して配置されている。また受渡部１１０は、後述するように鉛直方向に複数、例えば２段配置され、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴのいずれか２つを同時に受け渡すことができる。例えば一の受渡部１１０で接合前の被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを受け渡し、他の受渡部１１０で接合後の重合ウェハＴを受け渡してもよい。あるいは、一の受渡部１１０で接合前の被処理ウェハＷを受け渡し、他の受渡部１１０で接合前の支持ウェハＳを受け渡してもよい。   In the pretreatment region D <b> 1, a delivery unit 110 for delivering the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T to and from the outside of the bonding apparatus 30 is provided. The delivery unit 110 is disposed adjacent to the loading / unloading port 101. As will be described later, a plurality of, for example, two stages of delivery units 110 are arranged in the vertical direction, and any two of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T can be delivered at the same time. For example, the processing target wafer W or the support wafer S before bonding may be delivered by one delivery unit 110, and the superposed wafer T after joining may be delivered by another delivery unit 110. Alternatively, the wafer W to be processed before bonding may be delivered by one delivery unit 110 and the support wafer S before joining may be delivered by another delivery unit 110.

前処理領域Ｄ１のＹ方向負方向側、すなわち搬入出口１０３側において、受渡部１１０の鉛直上方には、例えば支持ウェハＳの表裏面を反転させる反転部１１１が設けられている。なお、反転部１１１は、後述するように支持ウェハＳの水平方向の向きを調節することもでき、また被処理ウェハＷの水平方向の水平方向の向きを調節することもできる。   On the Y direction negative direction side of the pretreatment region D1, that is, the loading / unloading port 103 side, an inversion unit 111 that reverses the front and back surfaces of the support wafer S, for example, is provided vertically above the delivery unit 110. Note that the reversing unit 111 can adjust the horizontal direction of the support wafer S as described later, and can also adjust the horizontal direction of the wafer W to be processed.

接合領域Ｄ２のＹ方向正方向側には、受渡部１１０、反転部１１１及び後述する接合部１１３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送部１１２が設けられている。搬送部１１２は、搬入出口１０３に取り付けられている。   On the Y direction positive direction side of the bonding region D2, a transfer unit 112 that transfers the wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T to the delivery unit 110, the reversing unit 111, and the bonding unit 113 described later is provided. ing. The transport unit 112 is attached to the loading / unloading port 103.

接合領域Ｄ２のＹ方向負方向側には、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと支持ウェハＳとを押圧して接合する接合部１１３が設けられている。   On the Y direction negative direction side of the bonding region D2, a bonding portion 113 that presses and bonds the processing target wafer W and the support wafer S via the adhesive G is provided.

次に、上述した受渡部１１０の構成について説明する。受渡部１１０は、図５に示すように受渡アーム１２０とウェハ支持ピン１２１とを有している。受渡アーム１２０は、接合装置３０の外部、すなわちウェハ搬送装置６１とウェハ支持ピン１２１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡すことができる。ウェハ支持ピン１２１は、複数、例えば３箇所に設けられ、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを支持することができる。   Next, the configuration of the delivery unit 110 described above will be described. As shown in FIG. 5, the delivery unit 110 includes a delivery arm 120 and wafer support pins 121. The delivery arm 120 can deliver the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T to the outside of the bonding apparatus 30, that is, between the wafer transfer device 61 and the wafer support pins 121. The wafer support pins 121 are provided in a plurality of, for example, three locations, and can support the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T.

受渡アーム１２０は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを保持するアーム部１３０と、例えばモータなどを備えたアーム駆動部１３１とを有している。アーム部１３０は、略円板形状を有している。アーム駆動部１３１は、アーム部１３０をＸ方向（図５中の上下方向）に移動させることができる。またアーム駆動部１３１は、Ｙ方向（図５中の左右方向）に延伸するレール１３２に取り付けられ、当該レール１３２上を移動可能に構成されている。かかる構成により、受渡アーム１２０は、水平方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動可能となっており、ウェハ搬送装置６１及びウェハ支持ピン１２１との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを円滑に受け渡すことができる。   The delivery arm 120 includes an arm unit 130 that holds the processing target wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T, and an arm driving unit 131 that includes, for example, a motor. The arm part 130 has a substantially disk shape. The arm drive unit 131 can move the arm unit 130 in the X direction (vertical direction in FIG. 5). Moreover, the arm drive part 131 is attached to the rail 132 extended | stretched to a Y direction (left-right direction in FIG. 5), and is comprised so that the movement on the said rail 132 is possible. With this configuration, the delivery arm 120 can move in the horizontal direction (X direction and Y direction), and the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlap between the wafer transfer device 61 and the wafer support pins 121. The wafer T can be delivered smoothly.

アーム部１３０上には、図６及び図７に示すように被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを支持するウェハ支持ピン１４０が複数、例えば４箇所に設けられている。またアーム部１３０上には、ウェハ支持ピン１４０に支持された被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの位置決めを行うガイド１４１が設けられている。ガイド１４１は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの側面をガイドするように複数、例えば４箇所に設けられている。   On the arm part 130, as shown in FIGS. 6 and 7, a plurality of, for example, four wafer support pins 140 for supporting the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T are provided. A guide 141 for positioning the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T supported by the wafer supporting pins 140 is provided on the arm unit 130. A plurality of guides 141 are provided, for example, at four locations so as to guide the side surfaces of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T.

アーム部１３０の外周には、図５及び図６に示すように切り欠き１４２が例えば４箇所に形成されている。この切り欠き１４２により、ウェハ搬送装置６１の搬送アームから受渡アーム１２０に被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを受け渡す際に、当該ウェハ搬送装置６１の搬送アームがアーム部１３０と干渉するのを防止できる。   On the outer periphery of the arm part 130, as shown in FIGS. 5 and 6, notches 142 are formed at, for example, four locations. The notch 142 causes the transfer arm of the wafer transfer device 61 to interfere with the arm unit 130 when the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T are transferred from the transfer arm of the wafer transfer device 61 to the transfer arm 120. Can be prevented.

アーム部１３０には、Ｘ方向に沿った２本のスリット１４３が形成されている。スリット１４３は、アーム部１３０のウェハ支持ピン１２１側の端面からアーム部１３０の中央部付近まで形成されている。このスリット１４３により、アーム部１３０がウェハ支持ピン１２１と干渉するのを防止できる。   The arm part 130 is formed with two slits 143 along the X direction. The slit 143 is formed from the end surface of the arm portion 130 on the wafer support pin 121 side to the vicinity of the center portion of the arm portion 130. The slit 143 can prevent the arm unit 130 from interfering with the wafer support pins 121.

次に、上述した反転部１１１の構成について説明する。反転部１１１は、図８〜図１０に示すように支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを保持する保持アーム１５０を有している。保持アーム１５０は、水平方向（図８及び図９中のＸ方向）に延伸している。また保持アーム１５０には、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを保持する保持部材１５１が例えば４箇所に設けられている。保持部材１５１は、図１１に示すように保持アーム１５０に対して水平方向に移動可能に構成されている。また保持部材１５１の側面には、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの外周部を保持するための切り欠き１５２が形成されている。そして、これら保持部材１５１は、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを挟み込んで保持することができる。   Next, the configuration of the reversing unit 111 described above will be described. As shown in FIGS. 8 to 10, the reversing unit 111 includes a holding arm 150 that holds the support wafer S and the wafer W to be processed. The holding arm 150 extends in the horizontal direction (X direction in FIGS. 8 and 9). The holding arm 150 is provided with, for example, four holding members 151 for holding the support wafer S and the wafer W to be processed. As shown in FIG. 11, the holding member 151 is configured to be movable in the horizontal direction with respect to the holding arm 150. Further, on the side surface of the holding member 151, a notch 152 for holding the outer periphery of the support wafer S and the wafer W to be processed is formed. These holding members 151 can sandwich and hold the support wafer S and the wafer W to be processed.

保持アーム１５０は、図８〜図１０に示すように例えばモータなどを備えた第１の駆動部１５３に支持されている。この第１の駆動部１５３によって、保持アーム１５０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向（図８及び図９中のＸ方向、図８及び図１０のＹ方向）に移動できる。なお、第１の駆動部１５３は、保持アーム１５０を鉛直軸周りに回動させて、当該保持アーム１５０を水平方向に移動させてもよい。第１の駆動部１５３の下方には、例えばモータなどを備えた第２の駆動部１５４が設けられている。この第２の駆動部１５４によって、第１の駆動部１５３は鉛直方向に延伸する支持柱１５５に沿って鉛直方向に移動できる。このように第１の駆動部１５３と第２の駆動部１５４によって、保持部材１５１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。   As shown in FIGS. 8 to 10, the holding arm 150 is supported by a first drive unit 153 provided with, for example, a motor. By this first drive unit 153, the holding arm 150 is rotatable about the horizontal axis and can move in the horizontal direction (X direction in FIGS. 8 and 9 and Y direction in FIGS. 8 and 10). The first drive unit 153 may rotate the holding arm 150 about the vertical axis to move the holding arm 150 in the horizontal direction. Below the first drive unit 153, for example, a second drive unit 154 including a motor or the like is provided. By this second driving unit 154, the first driving unit 153 can move in the vertical direction along the support pillar 155 extending in the vertical direction. As described above, the support wafer S and the wafer W to be processed held by the holding member 151 by the first drive unit 153 and the second drive unit 154 can rotate around the horizontal axis and move in the vertical and horizontal directions. it can.

支持柱１５５には、保持部材１５１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節する位置調節機構１６０が支持板１６１を介して支持されている。位置調節機構１６０は、保持アーム１５０に隣接して設けられている。   A position adjustment mechanism 160 that adjusts the horizontal direction of the support wafer S and the wafer W to be processed held by the holding member 151 is supported by the support column 155 via a support plate 161. The position adjustment mechanism 160 is provided adjacent to the holding arm 150.

位置調節機構１６０は、基台１６２と、支持ウェハＳ、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出する検出部１６３とを有している。そして、位置調節機構１６０では、保持部材１５１に保持された支持ウェハＳ、被処理ウェハＷを水平方向に移動させながら、検出部１６３で支持ウェハＳ、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して支持ウェハＳ、被処理ウェハＷの水平方向の向きを調節している。   The position adjustment mechanism 160 includes a base 162 and a detection unit 163 that detects the positions of the notches of the support wafer S and the wafer W to be processed. The position adjusting mechanism 160 detects the positions of the notch portions of the support wafer S and the wafer W to be processed by the detection unit 163 while moving the support wafer S and the wafer W to be processed held in the holding member 151 in the horizontal direction. Thus, the horizontal orientation of the support wafer S and the wafer W to be processed is adjusted by adjusting the position of the notch portion.

なお、図１２に示すように、以上のように構成された受渡部１１０は鉛直方向に２段に配置され、またこれら受渡部１１０の鉛直上方に反転部１１１が配置される。すなわち、受渡部１１０の受渡アーム１２０は、反転部１１１の保持アーム１５０と位置調節機構１６０の下方において水平方向に移動する。また、受渡部１１０のウェハ支持ピン１２１は、反転部１１１の保持アーム１５０の下方に配置されている。   As shown in FIG. 12, the delivery unit 110 configured as described above is arranged in two stages in the vertical direction, and the reversing unit 111 is arranged vertically above the delivery unit 110. That is, the delivery arm 120 of the delivery unit 110 moves in the horizontal direction below the holding arm 150 and the position adjustment mechanism 160 of the reversing unit 111. Further, the wafer support pins 121 of the delivery unit 110 are disposed below the holding arm 150 of the reversing unit 111.

次に、上述した搬送部１１２の構成について説明する。搬送部１１２は、図１３に示すように複数、例えば２本の搬送アーム１７０、１７１を有している。第１の搬送アーム１７０と第２の搬送アーム１７１は、鉛直方向に下からこの順で２段に配置されている。なお、第１の搬送アーム１７０と第２の搬送アーム１７１は、後述するように異なる形状を有している。   Next, the configuration of the transport unit 112 described above will be described. As shown in FIG. 13, the transport unit 112 has a plurality of, for example, two transport arms 170 and 171. The first transfer arm 170 and the second transfer arm 171 are arranged in two stages in this order from the bottom in the vertical direction. The first transfer arm 170 and the second transfer arm 171 have different shapes as will be described later.

搬送アーム１７０、１７１の基端部には、例えばモータなどを備えたアーム駆動部１７２が設けられている。このアーム駆動部１７２によって、各搬送アーム１７０、１７１は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム１７０、１７１とアーム駆動部１７２は、基台１７３に支持されている。   At the base end portions of the transfer arms 170 and 171, for example, an arm driving unit 172 having a motor or the like is provided. Each arm 170, 171 can be independently moved in the horizontal direction by the arm driving unit 172. The transfer arms 170 and 171 and the arm driving unit 172 are supported by the base 173.

搬送部１１２は、図４及び図１４に示すように処理容器１００の内壁１０２に形成された搬入出口１０３に設けられている。そして、搬送部１１２は、例えばモータなどを備えた駆動部（図示せず）によって搬入出口１０３に沿って鉛直方向に移動できる。   The conveyance part 112 is provided in the loading / unloading port 103 formed in the inner wall 102 of the processing container 100 as shown in FIG.4 and FIG.14. The transport unit 112 can be moved in the vertical direction along the loading / unloading port 103 by, for example, a driving unit (not shown) provided with a motor or the like.

第１の搬送アーム１７０は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの裏面（被処理ウェハＷ、支持ウェハＳにおいては非接合面ＷＮ、ＳＮ）を保持して搬送する。第１の搬送アーム１７０は、図１５に示すように先端が２本の先端部１８０ａ、１８０ａに分岐したアーム部１８０と、このアーム部１８０と一体に形成され、且つアーム部１８０を支持する支持部１８１とを有している。 The first transfer arm 170 holds and transfers the back surface of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T (non-bonding surfaces W N and S N in the processing target wafer W and the supporting wafer S). As shown in FIG. 15, the first transfer arm 170 has an arm portion 180 whose tip is branched into two tip portions 180 a and 180 a, and a support that is formed integrally with the arm portion 180 and supports the arm portion 180. Part 181.

アーム部１８０上には、図１５及び図１６に示すように樹脂製のＯリング１８２が複数、例えば４箇所に設けられている。このＯリング１８２が被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの裏面と接触し、当該Ｏリング１８２と被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの裏面との間の摩擦力によって、Ｏリング１８２は被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの裏面を保持する。そして、第１の搬送アーム１７０は、Ｏリング１８２上に被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを水平に保持することができる。   On the arm portion 180, as shown in FIGS. 15 and 16, a plurality of resin O-rings 182 are provided, for example, at four locations. The O-ring 182 is in contact with the back surface of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T, and the frictional force between the O-ring 182 and the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the back surface of the overlapping wafer T is The O-ring 182 holds the back surface of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T. The first transfer arm 170 can horizontally hold the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the superposed wafer T on the O-ring 182.

またアーム部１８０上には、Ｏリング１８２に保持された被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの外側に設けられたガイド部材１８３、１８４が設けられている。第１のガイド部材１８３は、アーム部１８０の先端部１８０ａの先端に設けられている。第２のガイド部材１８４は、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの外周に沿った円弧状に形成され、支持部１８１側に設けられている。これらガイド部材１８３、１８４によって、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴが第１の搬送アーム１７０から飛び出したり、滑落するのを防止することができる。なお、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴがＯリング１８２に適切な位置で保持されている場合、当該被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴはガイド部材１８３、１８４と接触しない。   On the arm portion 180, guide members 183 and 184 provided outside the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T held by the O-ring 182 are provided. The first guide member 183 is provided at the distal end of the distal end portion 180 a of the arm portion 180. The second guide member 184 is formed in an arc shape along the outer periphery of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T, and is provided on the supporting portion 181 side. These guide members 183 and 184 can prevent the wafer W to be processed, the support wafer S, and the overlapped wafer T from jumping out of the first transfer arm 170 or sliding down. In addition, when the to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T are held at appropriate positions on the O-ring 182, the to-be-processed wafer W, the support wafer S, and the overlapped wafer T are in contact with the guide members 183 and 184. do not do.

第２の搬送アーム１７１は、例えば支持ウェハＳの表面、すなわち接合面ＳＪの外周部を保持して搬送する。すなわち、第２の搬送アーム１７１は、反転部１１１で表裏面が反転された支持ウェハＳの接合面ＳＪの外周部を保持して搬送する。第２の搬送アーム１７１は、図１７に示すように先端が２本の先端部１９０ａ、１９０ａに分岐したアーム部１９０と、このアーム部１９０と一体に形成され、且つアーム部１９０を支持する支持部１９１とを有している。 Second transfer arm 171 carries for example the surface of the support wafer S, that is, holding the outer periphery of the joint surface S J. That is, the second transfer arm 171 holds and conveys the outer periphery of the joint surface S J of the support wafer S to the front and back surfaces by the reversing unit 111 has been reversed. As shown in FIG. 17, the second transfer arm 171 has an arm portion 190 whose front end branches into two front end portions 190 a and 190 a, and a support that is formed integrally with the arm portion 190 and supports the arm portion 190. Part 191.

アーム部１９０上には、図１７及び図１８に示すように第２の保持部材１９２が複数、例えば４箇所に設けられている。第２の保持部材１９２は、支持ウェハＳの接合面ＳＪの外周部を載置する載置部１９３と、当該載置部１９３から上方に延伸し、内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているテーパ部１９４とを有している。載置部１９３は、支持ウェハＳの周縁から例えば１ｍｍ以内の外周部を保持する。また、テーパ部１９４の内側面が下側から上側に向かってテーパ状に拡大しているため、例えば第２の保持部材１９２に受け渡される支持ウェハＳが水平方向に所定の位置からずれていても、支持ウェハＳはテーパ部１９４に円滑にガイドされて位置決めされ、載置部１９３に保持される。そして、第２の搬送アーム１７１は、第２の保持部材１９２上に支持ウェハＳを水平に保持することができる。 On the arm part 190, as shown in FIG.17 and FIG.18, the 2nd holding member 192 is provided in multiple, for example, four places. The second holding member 192 includes a mounting portion 193 for mounting the outer peripheral portion of the joint surface S J of the support wafer S, extending from the mounting portion 193 upwards, the inner surface from the lower side to the upper side And a taper portion 194 expanding in a taper shape. The mounting portion 193 holds an outer peripheral portion within 1 mm from the peripheral edge of the support wafer S, for example. Further, since the inner side surface of the tapered portion 194 is tapered from the lower side to the upper side, for example, the support wafer S delivered to the second holding member 192 is displaced from a predetermined position in the horizontal direction. In addition, the support wafer S is smoothly guided and positioned by the taper portion 194 and is held by the placement portion 193. The second transfer arm 171 can hold the support wafer S horizontally on the second holding member 192.

なお、図１９に示すように、後述する接合部１１３の第２の保持部２０１には切り欠き２０１ａが例えば４箇所に形成されている。この切り欠き２０１ａにより、第２の搬送アーム１７１から第２の保持部２０１に支持ウェハＳを受け渡す際に、第２の搬送アーム１７１の第２の保持部材１９２が第２の保持部２０１に干渉するのを防止することができる。   In addition, as shown in FIG. 19, the notch 201a is formed in the 2nd holding | maintenance part 201 of the junction part 113 mentioned later, for example in four places. When the support wafer S is transferred from the second transfer arm 171 to the second holding unit 201, the second holding member 192 of the second transfer arm 171 is moved to the second holding unit 201 by the notch 201a. Interference can be prevented.

次に、上述した接合部１１３の構成について説明する。接合部１１３は、図２０に示すように被処理ウェハＷを上面で載置して保持する第１の保持部２００と、支持ウェハＳを下面で吸着保持する第２の保持部２０１とを有している。第１の保持部２００は、第２の保持部２０１の下方に設けられ、第２の保持部２０１と対向するように配置されている。すなわち、第１の保持部２００に保持された被処理ウェハＷと第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳは対向して配置されている。   Next, the structure of the junction part 113 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 20, the bonding unit 113 includes a first holding unit 200 that holds and holds the processing target wafer W on the upper surface, and a second holding unit 201 that holds the supporting wafer S on the lower surface by suction. doing. The first holding unit 200 is provided below the second holding unit 201 and is disposed so as to face the second holding unit 201. That is, the wafer W to be processed held by the first holding unit 200 and the support wafer S held by the second holding unit 201 are arranged to face each other.

第１の保持部２００の内部には、被処理ウェハＷを吸着保持するための吸引管２１０が設けられている。吸引管２１０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第１の保持部２００には、後述する加圧機構２６０により荷重がかけられても変形しない強度を有する材料、例えば炭化ケイ素セラミックや窒化アルミセラミックなどのセラミックが用いられる。   Inside the first holding unit 200, a suction tube 210 for sucking and holding the processing target wafer W is provided. The suction pipe 210 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump. The first holding unit 200 is made of a material having a strength that does not deform even when a load is applied by a pressurizing mechanism 260 described later, for example, a ceramic such as silicon carbide ceramic or aluminum nitride ceramic.

また、第１の保持部２００の内部には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構２１１が設けられている。加熱機構２１１には、例えばヒータが用いられる。   A heating mechanism 211 that heats the wafer W to be processed is provided inside the first holding unit 200. For the heating mechanism 211, for example, a heater is used.

第１の保持部２００の下方には、第１の保持部２００及び被処理ウェハＷを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構２２０が設けられている。移動機構２２０は、第１の保持部２００を例えば±１μｍの精度で３次元移動させることができる。移動機構２２０は、第１の保持部２００を鉛直方向に移動させる鉛直移動部２２１と、第１の保持部２００を水平方向に移動させる水平移動部２２２とを有している。鉛直移動部２２１と水平移動部２２２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とをそれぞれ有している。   Below the first holding unit 200, a moving mechanism 220 that moves the first holding unit 200 and the wafer W to be processed in the vertical direction and the horizontal direction is provided. The moving mechanism 220 can move the first holding unit 200 three-dimensionally with an accuracy of, for example, ± 1 μm. The moving mechanism 220 includes a vertical moving unit 221 that moves the first holding unit 200 in the vertical direction and a horizontal moving unit 222 that moves the first holding unit 200 in the horizontal direction. The vertical moving unit 221 and the horizontal moving unit 222 each have, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that rotates the ball screw.

水平移動部２２２上には、鉛直方向に伸縮自在の支持部材２２３が設けられている。支持部材２２３は、第１の保持部２００の外側に例えば３箇所に設けられている。そして、支持部材２２３は、図２１に示すように第２の保持部２０１の外周下面から下方に突出して設けられた突出部２３０を支持することができる。   A support member 223 that is extendable in the vertical direction is provided on the horizontal moving part 222. The support member 223 is provided at, for example, three locations outside the first holding unit 200. As shown in FIG. 21, the support member 223 can support the protruding portion 230 provided to protrude downward from the lower surface of the outer periphery of the second holding portion 201.

以上の移動機構２２０では、第１の保持部２００上の被処理ウェハＷの水平方向の位置合わせを行うことができると共に、図２１に示すように第１の保持部２００を上昇させて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合するための接合空間Ｒを形成することができる。この接合空間Ｒは、第１の保持部２００、第２の保持部２０１及び突出部２３０に囲まれた空間である。また、接合空間Ｒを形成する際、支持部材２２３の高さを調整することにより、接合空間Ｒにおける被処理ウェハＷと支持ウェハＳ間の鉛直方向の距離を調整することができる。   In the above moving mechanism 220, the wafer W to be processed on the first holding unit 200 can be aligned in the horizontal direction, and the first holding unit 200 is raised as shown in FIG. A bonding space R for bonding the processing wafer W and the support wafer S can be formed. The joint space R is a space surrounded by the first holding part 200, the second holding part 201, and the protruding part 230. Further, when the bonding space R is formed, the vertical distance between the processing target wafer W and the supporting wafer S in the bonding space R can be adjusted by adjusting the height of the support member 223.

なお、第１の保持部２００の下方には、被処理ウェハＷ又は重合ウェハＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第１の保持部２００に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第１の保持部２００の上面から突出可能になっている。   In addition, below the 1st holding | maintenance part 200, the raising / lowering pin (not shown) for supporting and raising / lowering the to-be-processed wafer W or the superposition | polymerization wafer T from the downward direction is provided. The elevating pin is inserted through a through hole (not shown) formed in the first holding part 200 and can protrude from the upper surface of the first holding part 200.

第２の保持部２０１には、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。そして、第２の保持部２０１は、後述するように第２の保持部２０１の全面に所定の圧力、例えば０．７気圧（＝０．０７ＭＰａ）がかかると、その一箇所、例えば中心部が撓むように構成されている。   For the second holding unit 201, for example, aluminum which is an elastic body is used. Then, as will be described later, when a predetermined pressure, for example, 0.7 atmospheric pressure (= 0.07 MPa) is applied to the entire surface of the second holding unit 201, the second holding unit 201 has one place, for example, a central portion. It is comprised so that it may bend.

第２の保持部２０１の外周下面には、図２０に示すように当該外周下面から下方に突出する上述の突出部２３０が形成されている。突出部２３０は、第２の保持部２０１の外周に沿って形成されている。なお、突出部２３０は、第２の保持部２０１と一体に形成されていてもよい。   On the outer peripheral lower surface of the second holding portion 201, as shown in FIG. 20, the above-described protruding portion 230 protruding downward from the outer peripheral lower surface is formed. The protruding portion 230 is formed along the outer periphery of the second holding portion 201. Note that the protruding portion 230 may be formed integrally with the second holding portion 201.

突出部２３０の下面には、接合空間Ｒの気密性を保持するためのシール材２３１が設けられている。シール材２３１は、突出部２３０の下面に形成された溝に環状に設けられ、例えばＯリングが用いられる。また、シール材２３１は弾性を有している。なお、シール材２３１は、シール機能を有する部品であればよく、本実施の形態に限定されるものではない。   A sealing material 231 for maintaining the airtightness of the joining space R is provided on the lower surface of the protruding portion 230. The sealing material 231 is provided in an annular shape in a groove formed on the lower surface of the protruding portion 230, and for example, an O-ring is used. Moreover, the sealing material 231 has elasticity. Note that the sealing material 231 may be any component having a sealing function, and is not limited to this embodiment.

第２の保持部２０１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管２４０が設けられている。吸引管２４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。   A suction tube 240 for sucking and holding the support wafer S is provided inside the second holding unit 201. The suction tube 240 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.

また、第２の保持部２０１の内部には、接合空間Ｒの雰囲気を吸気するための吸気管２４１が設けられている。吸気管２４１の一端は、第２の保持部２０１の下面における支持ウェハＳが保持されない場所において開口している。また、吸気管２４１の他端は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。   In addition, an intake pipe 241 for taking in the atmosphere of the joint space R is provided inside the second holding unit 201. One end of the intake pipe 241 opens at a place where the support wafer S is not held on the lower surface of the second holding unit 201. The other end of the intake pipe 241 is connected to a negative pressure generator (not shown) such as a vacuum pump.

さらに、第２の保持部２０１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構２４２を有している。加熱機構２４２には、例えばヒータが用いられる。   Furthermore, a heating mechanism 242 for heating the support wafer S is provided inside the second holding unit 201. For the heating mechanism 242, for example, a heater is used.

第２の保持部２０１の上面には、当該第２の保持部２０１を支持する支持部材２５０と第２の保持部２０１を鉛直下方に押圧する加圧機構２６０が設けられている。加圧機構２６０は、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを覆うように設けられた圧力容器２６１と、圧力容器２６１の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管２６２と、を有している。また、支持部材２５０は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、圧力容器２６１の外側に例えば３箇所に設けられている。   A support member 250 that supports the second holding unit 201 and a pressurizing mechanism 260 that presses the second holding unit 201 vertically downward are provided on the upper surface of the second holding unit 201. The pressurizing mechanism 260 includes a pressure vessel 261 provided so as to cover the processing target wafer W and the support wafer S, and a fluid supply pipe 262 that supplies a fluid, for example, compressed air, to the inside of the pressure vessel 261. Yes. The support member 250 is configured to be extendable in the vertical direction, and is provided at, for example, three locations outside the pressure vessel 261.

圧力容器２６１は、例えば鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。圧力容器２６１は、その下面が第２の保持部２０１の上面に当接すると共に、上面が第２の保持部２０１の上方に設けられた支持板２６３の下面に当接している。流体供給管２６２は、その一端が圧力容器２６１に接続され、他端が流体供給源（図示せず）に接続されている。そして、圧力容器２６１に流体供給管２６２から流体を供給することで、圧力容器２６１が伸長する。この際、圧力容器２６１の上面と支持板２６３の下面とが当接しているので、圧力容器２６１は下方向にのみ伸長し、圧力容器２６１の下面に設けられた第２の保持部２０１を下方に押圧することができる。またこの際、圧力容器２６１の内部は流体により加圧されているので、圧力容器２６１は第２の保持部２０１を面内均一に押圧することができる。第２の保持部２０１を押圧する際の荷重の調節は、圧力容器２６１に供給する圧縮空気の圧力を調整することで行われる。なお、支持板２６３は、加圧機構２６０により第２の保持部２０１にかかる荷重の反力を受けても変形しない強度を有する部材により構成されているのが好ましい。なお、本実施の形態の支持板２６３を省略し、圧力容器２６１の上面を処理容器１００の天井面に当接させてもよい。   The pressure vessel 261 is configured by, for example, a stainless steel bellows that is extendable in the vertical direction. The lower surface of the pressure vessel 261 is in contact with the upper surface of the second holding unit 201, and the upper surface is in contact with the lower surface of the support plate 263 provided above the second holding unit 201. The fluid supply pipe 262 has one end connected to the pressure vessel 261 and the other end connected to a fluid supply source (not shown). Then, by supplying fluid from the fluid supply pipe 262 to the pressure vessel 261, the pressure vessel 261 extends. At this time, since the upper surface of the pressure vessel 261 and the lower surface of the support plate 263 are in contact with each other, the pressure vessel 261 extends only in the downward direction, and the second holding portion 201 provided on the lower surface of the pressure vessel 261 is moved downward. Can be pressed. At this time, since the inside of the pressure vessel 261 is pressurized by the fluid, the pressure vessel 261 can press the second holding part 201 uniformly in the surface. Adjustment of the load when pressing the second holding unit 201 is performed by adjusting the pressure of the compressed air supplied to the pressure vessel 261. Note that the support plate 263 is preferably formed of a member having a strength that does not deform even when the pressure mechanism 260 receives a reaction force of a load applied to the second holding unit 201. Note that the support plate 263 of this embodiment may be omitted, and the upper surface of the pressure vessel 261 may be in contact with the ceiling surface of the processing vessel 100.

なお、接合装置３１〜３３の構成は、上述した接合装置３０の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the joining apparatuses 31-33 is the same as that of the structure of the joining apparatus 30 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

次に、上述した塗布装置４０の構成について説明する。塗布装置４０は、図２２に示すように内部を密閉可能な処理容器２７０を有している。処理容器２７０のウェハ搬送領域６０側の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。   Next, the configuration of the coating apparatus 40 described above will be described. As shown in FIG. 22, the coating device 40 has a processing container 270 that can be sealed inside. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the processing container 270 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器２７０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２８０が設けられている。スピンチャック２８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理ウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理ウェハＷをスピンチャック２８０上に吸着保持できる。   A spin chuck 280 that holds and rotates the wafer W to be processed is provided at the center of the processing container 270. The spin chuck 280 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W to be processed is provided on the upper surface, for example. The wafer W to be processed can be sucked and held on the spin chuck 280 by suction from the suction port.

スピンチャック２８０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部２８１が設けられている。スピンチャック２８０は、チャック駆動部２８１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部２８１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック２８０は昇降自在になっている。   Below the spin chuck 280, for example, a chuck drive unit 281 provided with a motor or the like is provided. The spin chuck 280 can be rotated at a predetermined speed by the chuck driving unit 281. Further, the chuck driving unit 281 is provided with an elevating drive source such as a cylinder, and the spin chuck 280 can be moved up and down.

スピンチャック２８０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２８２が設けられている。カップ２８２の下面には、回収した液体を排出する排出管２８３と、カップ２８２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管２８４が接続されている。   Around the spin chuck 280, there is provided a cup 282 that receives and collects the liquid scattered or dropped from the wafer W to be processed. Connected to the lower surface of the cup 282 are a discharge pipe 283 for discharging the collected liquid and an exhaust pipe 284 for evacuating and exhausting the atmosphere in the cup 282.

図２３に示すようにカップ２８２のＸ方向負方向（図２３中の下方向）側には、Ｙ方向（図２３中の左右方向）に沿って延伸するレール２９０が形成されている。レール２９０は、例えばカップ２８２のＹ方向負方向（図２３中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２３中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２９０には、アーム２９１が取り付けられている。   As shown in FIG. 23, a rail 290 extending along the Y direction (left-right direction in FIG. 23) is formed on the negative side of the cup 282 in the X direction (downward direction in FIG. 23). The rail 290 is formed, for example, from the outside of the cup 282 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 23) side to the outside of the Y direction positive direction (right direction in FIG. 23) side. An arm 291 is attached to the rail 290.

アーム２９１には、図２２及び図２３に示すように被処理ウェハＷに液体状の接着剤Ｇを供給する接着剤ノズル２９３が支持されている。アーム２９１は、図２３に示すノズル駆動部２９４により、レール２９０上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル２９３は、カップ２８２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２９５からカップ２８２内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２９１は、ノズル駆動部２９４によって昇降自在であり、接着剤ノズル２９３の高さを調節できる。   As shown in FIGS. 22 and 23, the arm 291 supports an adhesive nozzle 293 that supplies a liquid adhesive G to the wafer W to be processed. The arm 291 is movable on the rail 290 by a nozzle driving unit 294 shown in FIG. As a result, the adhesive nozzle 293 can move from the standby unit 295 installed on the outer side of the cup 282 on the positive side in the Y direction to above the center of the wafer W to be processed in the cup 282, and further to the wafer W to be processed. It can move in the radial direction of the wafer W to be processed. The arm 291 can be moved up and down by a nozzle driving unit 294, and the height of the adhesive nozzle 293 can be adjusted.

接着剤ノズル２９３には、図２２に示すように当該接着剤ノズル２９３に接着剤Ｇを供給する供給管２９６が接続されている。供給管２９６は、内部に接着剤Ｇを貯留する接着剤供給源２９７に連通している。また、供給管２９６には、接着剤Ｇの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２９８が設けられている。   A supply pipe 296 for supplying the adhesive G to the adhesive nozzle 293 is connected to the adhesive nozzle 293 as shown in FIG. The supply pipe 296 communicates with an adhesive supply source 297 that stores the adhesive G therein. Further, the supply pipe 296 is provided with a supply device group 298 including a valve for controlling the flow of the adhesive G, a flow rate adjusting unit, and the like.

なお、スピンチャック２８０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。 Note that a back rinse nozzle (not shown) for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the processing target wafer W, that is, the non-bonding surface W N may be provided below the spin chuck 280. The non-bonded surface W N of the wafer to be processed W and the outer peripheral portion of the wafer to be processed W are cleaned by the cleaning liquid sprayed from the back rinse nozzle.

次に、上述した熱処理装置４１〜４６の構成について説明する。熱処理装置４１は、図２４に示すように内部を閉鎖可能な処理容器３００を有している。処理容器３００のウェハ搬送領域６０側の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。   Next, the structure of the heat processing apparatus 41-46 mentioned above is demonstrated. As shown in FIG. 24, the heat treatment apparatus 41 has a processing container 300 that can be closed. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W to be processed is formed on the side surface of the processing container 300 on the wafer transfer region 60 side, and an opening / closing shutter (not shown) is provided at the loading / unloading port.

処理容器３００の内部には、被処理ウェハＷを加熱処理する加熱部３１０と、被処理ウェハＷを温度調節する温度調節部３１１が設けられている。加熱部３１０と温度調節部３１１はＹ方向に並べて配置されている。   Inside the processing container 300, a heating unit 310 that heats the processing target wafer W and a temperature adjustment unit 311 that controls the temperature of the processing target wafer W are provided. The heating unit 310 and the temperature adjustment unit 311 are arranged side by side in the Y direction.

加熱部３１０は、熱処理板としての熱板３２０を収容して熱板３２０の外周部を保持する環状の保持部材３２１と、その保持部材３２１の外周を囲む略筒状のサポートリング３２２を備えている。熱板３２０は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理ウェハＷを載置して加熱することができる。また、熱板３２０には、例えばヒータ３２３が内蔵されている。熱板３２０の加熱温度は例えば制御部４００により制御され、熱板３２０上に載置された被処理ウェハＷが所定の温度に加熱される。   The heating unit 310 includes an annular holding member 321 that houses a hot plate 320 as a heat treatment plate and holds the outer peripheral portion of the hot plate 320, and a substantially cylindrical support ring 322 that surrounds the outer periphery of the holding member 321. Yes. The hot plate 320 has a thick, substantially disk shape, and can place and heat the wafer W to be processed. In addition, the heating plate 320 includes a heater 323, for example. The heating temperature of the hot plate 320 is controlled by the control unit 400, for example, and the wafer W to be processed placed on the hot plate 320 is heated to a predetermined temperature.

熱板３２０の上方には、上下動自在の蓋体３３０が設けられている。蓋体３３０は、下面が開口し、熱板３２０、保持部材３２１及びサポートリング３２２と一体となって熱処理室Ｋを形成する。そして、熱処理室Ｋは、その内部を密閉可能に構成されている。   Above the heat plate 320, a vertically movable lid 330 is provided. The lid 330 has an open bottom surface and forms a heat treatment chamber K together with the hot plate 320, the holding member 321 and the support ring 322. And the heat processing chamber K is comprised so that the inside can be sealed.

蓋体３３０の側面には、熱処理室Ｋの内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給部としての不活性ガス供給管３３１が接続されている。不活性ガス供給管３３１は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源３３２に連通している。また、不活性ガス供給管３３１には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群３３３が設けられている。   An inert gas supply pipe 331 as an inert gas supply unit that supplies an inert gas such as nitrogen gas to the inside of the heat treatment chamber K is connected to the side surface of the lid 330. The inert gas supply pipe 331 communicates with an inert gas supply source 332 that stores an inert gas therein. The inert gas supply pipe 331 is provided with a supply device group 333 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like.

熱板３２０の上方であって蓋体３３０の天井面の中央部には、熱処理室Ｋの内部を排気する排気部３３４が設けられている。排気部３３４には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置３３５に連通する排気管３３６が接続されている。また、排気部３３４の熱処理室Ｋ側の端部には、排気部３３４によって排気される熱処理室Ｋの内部の雰囲気の流れを調節するダンパ３３７が設けられている。ダンパ３３７は、排気部３３４の熱処理室Ｋ側の端部における開口部を開閉自在に構成されている。   An exhaust unit 334 that exhausts the inside of the heat treatment chamber K is provided above the heat plate 320 and in the center of the ceiling surface of the lid 330. An exhaust pipe 336 communicating with a negative pressure generator 335 such as a vacuum pump is connected to the exhaust unit 334. Further, a damper 337 for adjusting the flow of the atmosphere inside the heat treatment chamber K exhausted by the exhaust portion 334 is provided at the end of the exhaust portion 334 on the heat treatment chamber K side. The damper 337 is configured to be able to open and close the opening at the end of the exhaust part 334 on the heat treatment chamber K side.

熱板３２０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３４０が例えば３本設けられている。昇降ピン３４０は、昇降駆動部３４１により上下動できる。熱板３２０の中央部付近には、当該熱板３２０を厚み方向に貫通する貫通孔３４２が例えば３箇所に形成されている。そして、昇降ピン３４０は貫通孔３４２を挿通し、熱板３２０の上面から突出可能になっている。   Below the heat plate 320, for example, three elevating pins 340 for supporting the wafer W to be processed from below and elevating it are provided. The raising / lowering pin 340 can be moved up and down by the raising / lowering drive part 341. Near the central portion of the hot plate 320, through holes 342 that penetrate the hot plate 320 in the thickness direction are formed at, for example, three locations. The elevating pin 340 is inserted through the through hole 342 and can protrude from the upper surface of the heat plate 320.

温度調節部３１１は、温度調節板３５０を有している。温度調節板３５０は、図２５に示すように略方形の平板形状を有し、熱板３２０側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板３５０には、Ｙ方向に沿った２本のスリット３５１が形成されている。スリット３５１は、温度調節板３５０の熱板３２０側の端面から温度調節板３５０の中央部付近まで形成されている。このスリット３５１により、温度調節板３５０が、加熱部３１０の昇降ピン３４０及び後述する温度調節部３１１の昇降ピン３６０と干渉するのを防止できる。また、温度調節板３５０には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材（図示せず）が内蔵されている。温度調節板３５０の冷却温度は例えば制御部４００により制御され、温度調節板３５０上に載置された被処理ウェハＷが所定の温度に冷却される。   The temperature adjustment unit 311 has a temperature adjustment plate 350. As shown in FIG. 25, the temperature adjustment plate 350 has a substantially rectangular flat plate shape, and the end surface on the heat plate 320 side is curved in an arc shape. Two slits 351 along the Y direction are formed in the temperature adjustment plate 350. The slit 351 is formed from the end surface of the temperature adjustment plate 350 on the heat plate 320 side to the vicinity of the center portion of the temperature adjustment plate 350. The slit 351 can prevent the temperature adjustment plate 350 from interfering with the elevation pins 340 of the heating unit 310 and the elevation pins 360 of the temperature adjustment unit 311 described later. The temperature adjustment plate 350 incorporates a temperature adjustment member (not shown) such as a Peltier element. The cooling temperature of the temperature adjustment plate 350 is controlled by the control unit 400, for example, and the processing target wafer W placed on the temperature adjustment plate 350 is cooled to a predetermined temperature.

温度調節板３５０は、図２４に示すように支持アーム３５２に支持されている。支持アーム３５２には、駆動部３５３が取り付けられている。駆動部３５３は、Ｙ方向に延伸するレール３５４に取り付けられている。レール３５４は、温度調節部３１１から加熱部３１０まで延伸している。この駆動部３５３により、温度調節板３５０は、レール３５４に沿って加熱部３１０と温度調節部３１１との間を移動可能になっている。   The temperature adjustment plate 350 is supported by a support arm 352 as shown in FIG. A drive unit 353 is attached to the support arm 352. The drive unit 353 is attached to a rail 354 extending in the Y direction. The rail 354 extends from the temperature adjustment unit 311 to the heating unit 310. With this drive unit 353, the temperature adjustment plate 350 can move between the heating unit 310 and the temperature adjustment unit 311 along the rail 354.

温度調節板３５０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン３６０が例えば３本設けられている。昇降ピン３６０は、昇降駆動部３６１により上下動できる。そして、昇降ピン３６０はスリット３５１を挿通し、温度調節板３５０の上面から突出可能になっている。   Below the temperature control plate 350, for example, three elevating pins 360 for supporting the wafer W to be processed from below and elevating it are provided. The raising / lowering pin 360 can be moved up and down by the raising / lowering drive part 361. The elevating pin 360 is inserted through the slit 351 and can protrude from the upper surface of the temperature adjustment plate 350.

なお、熱処理装置４２〜４６の構成は、上述した熱処理装置４１の構成と同様であるので説明を省略する。   In addition, since the structure of the heat processing apparatuses 42-46 is the same as that of the heat processing apparatus 41 mentioned above, description is abbreviate | omitted.

また、熱処理装置４１〜４６では、重合ウェハＴの温度調節もすることができる。さらに、重合ウェハＴの温度調節をするために、温度調節装置（図示せず）を設けてもよい。温度調節装置は、上述した熱処理装置４１と同様の構成を有し、熱板３４０に代えて、温度調節板が用いられる。温度調節板の内部には、例えばペルチェ素子などの冷却部材が設けられており、温度調節板を設定温度に調節できる。   Moreover, in the heat treatment apparatuses 41 to 46, the temperature of the superposed wafer T can also be adjusted. Further, in order to adjust the temperature of the superposed wafer T, a temperature adjusting device (not shown) may be provided. The temperature adjustment device has the same configuration as the heat treatment device 41 described above, and a temperature adjustment plate is used instead of the hot plate 340. A cooling member such as a Peltier element is provided inside the temperature adjustment plate, and the temperature adjustment plate can be adjusted to a set temperature.

以上の接合システム１には、図１に示すように制御部４００が設けられている。制御部４００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、接合システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、接合システム１における後述の接合処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部４００にインストールされたものであってもよい。   The above joining system 1 is provided with a control unit 400 as shown in FIG. The control unit 400 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for controlling processing of the processing target wafer W, the supporting wafer S, and the overlapped wafer T in the bonding system 1. The program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing apparatuses and transfer apparatuses to realize the below-described joining process in the joining system 1. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), or a memory card. May have been installed in the control unit 400 from the storage medium H.

次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理方法について説明する。図２６は、かかる接合処理の主な工程の例を示すフローチャートである。   Next, a method for joining the processing target wafer W and the supporting wafer S performed using the joining system 1 configured as described above will be described. FIG. 26 is a flowchart showing an example of main steps of the joining process.

先ず、複数枚の被処理ウェハＷを収容したカセットＣＷ、複数枚の支持ウェハＳを収容したカセットＣＳ、及び空のカセットＣＴが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣＷ内の被処理ウェハＷが取り出され、処理ステーション３の第３の処理ブロックＧ３のトランジション装置５０に搬送される。このとき、被処理ウェハＷは、その非接合面ＷＮが下方を向いた状態で搬送される。 First, a cassette C W housing a plurality of the processed the wafer W, the cassette C S accommodating a plurality of support wafer S, and an empty cassette C T is a predetermined cassette mounting plate 11 of the carry-out station 2 Placed. Thereafter, the wafer W to be processed in the cassette CW is taken out by the wafer transfer device 22 and transferred to the transition device 50 of the third processing block G3 of the processing station 3. At this time, the wafer W to be processed is transported with its non-bonding surface W N facing downward.

次に被処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって塗布装置４０に搬送される。塗布装置４０に搬入された被処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１からスピンチャック２８０に受け渡され吸着保持される。このとき、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持される。 Next, the wafer W to be processed is transferred to the coating device 40 by the wafer transfer device 61. The wafer W to be processed loaded into the coating device 40 is transferred from the wafer transfer device 61 to the spin chuck 280 and is sucked and held. At this time, the non-bonding surface W N of the wafer W is held by suction.

続いて、アーム２９１によって待機部２９５の接着剤ノズル２９３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック２８０によって被処理ウェハＷを回転させながら、接着剤ノズル２９３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに接着剤Ｇを供給する。供給された接着剤Ｇは遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪに接着剤Ｇが塗布される（図２６の工程Ａ１）。 Subsequently, the adhesive nozzle 293 of the standby unit 295 is moved above the central portion of the wafer W to be processed by the arm 291. Thereafter, while rotating the wafer W by the spin chuck 280, and supplies the adhesive G from the adhesive nozzles 293 on the bonding surface W J of wafer W. Supplied adhesive G is diffused into the entire surface of the bonding surface W J of wafer W by the centrifugal force, the adhesive G on the bonding surface W J of the wafer W is applied (step of FIG. 26 A1 ).

次に被処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって熱処理装置４１に搬送される。熱処理装置４１に被処理ウェハＷが搬入されると、重合ウェハＴはウェハ搬送装置６１から予め上昇して待機していた昇降ピン３６０に受け渡される。続いて昇降ピン３６０を下降させ、被処理ウェハＷを温度調節板３５０に載置する。   Next, the wafer W to be processed is transferred to the heat treatment apparatus 41 by the wafer transfer apparatus 61. When the wafer W to be processed is loaded into the heat treatment apparatus 41, the superposed wafer T is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the lift pins 360 that have been lifted and waited in advance. Subsequently, the lift pins 360 are lowered, and the wafer W to be processed is placed on the temperature adjustment plate 350.

その後、駆動部３５３により温度調節板３５０をレール３５４に沿って熱板３２０の上方まで移動させ、被処理ウェハＷは予め上昇して待機していた昇降ピン３４０に受け渡される。   Thereafter, the temperature adjustment plate 350 is moved along the rails 354 to the upper side of the heat plate 320 by the drive unit 353, and the wafer W to be processed is transferred to the lift pins 340 that have been lifted and waited in advance.

その後、図２７に示すように昇降ピン３４０が上昇して被処理ウェハＷが熱板３２０と接触しない状態で、蓋体３３０を閉じて内部が密閉された熱処理室Ｋを形成する。続いて、ダンパ３３７を開いて排気部３３４から熱処理室Ｋの内部を排気すると共に、不活性ガス供給管３３１から熱処理室Ｋの内部に不活性ガスを供給する。そして、熱処理室Ｋの内部を不活性ガスの雰囲気に置換して無酸素雰囲気にする（図２６の工程Ａ２）。このように工程Ａ２において、熱処理室Ｋ内が無酸素雰囲気に維持されるので、その後被処理ウェハＷを加熱しても、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇが酸化するのを抑制することができる。なお、無酸素雰囲気は、酸素が全く無い状態の雰囲気に加えて、酸素が僅かに存在するがその影響は無視できる程度の雰囲気も含む。   Thereafter, as shown in FIG. 27, in the state where the lift pins 340 are raised and the wafer W to be processed is not in contact with the heat plate 320, the lid 330 is closed to form a heat treatment chamber K whose inside is sealed. Subsequently, the damper 337 is opened to evacuate the inside of the heat treatment chamber K from the exhaust part 334, and an inert gas is supplied from the inert gas supply pipe 331 to the inside of the heat treatment chamber K. Then, the inside of the heat treatment chamber K is replaced with an inert gas atmosphere to create an oxygen-free atmosphere (step A2 in FIG. 26). As described above, in step A2, the inside of the heat treatment chamber K is maintained in an oxygen-free atmosphere, so that even if the wafer to be processed W is heated thereafter, the adhesive G on the wafer to be processed W is prevented from being oxidized. Can do. Note that the oxygen-free atmosphere includes an atmosphere in which oxygen is slightly present but its influence is negligible, in addition to an atmosphere having no oxygen.

その後、図２８に示すように昇降ピン３４０が下降して、被処理ウェハＷが熱板３２０上に載置される。このとき、ダンパ３３７を閉じて排気部３３４からの熱処理室Ｋの内部の排気を停止すると共に、不活性ガス供給管３３１から熱処理室Ｋの内部への不活性ガスの供給を停止する。そして所定の時間が経過すると、所定の温度、例えば１００℃〜３００℃に加熱された熱板３２０によって、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの表面が加熱されて乾燥し硬化する（図２６の工程Ａ３）。このように工程Ａ３において、熱処理室Ｋの内部の排気と不活性ガスの供給を停止しているので、熱処理室Ｋの内部に気流が発生せず、接着剤Ｇの表面が乱れない。したがって、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇをウェハ面内で均一な膜厚に形成することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 28, the elevating pins 340 are lowered and the wafer W to be processed is placed on the hot plate 320. At this time, the damper 337 is closed to stop the exhaust of the heat treatment chamber K from the exhaust part 334, and the supply of the inert gas from the inert gas supply pipe 331 to the heat treatment chamber K is stopped. When a predetermined time elapses, the surface of the adhesive G on the wafer W to be processed is heated and dried and cured by a hot plate 320 heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 300 ° C. (FIG. 26). Step A3). In this way, in step A3, since the exhaust of the heat treatment chamber K and the supply of the inert gas are stopped, no airflow is generated inside the heat treatment chamber K, and the surface of the adhesive G is not disturbed. Therefore, the adhesive G on the processing target wafer W can be formed in a uniform film thickness within the wafer surface.

被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの表面Ｇが乾燥すると、図２９に示すようにダンパ３３７を開いて排気部３３４から熱処理室Ｋの内部を排気すると共に、不活性ガス供給管３３１から熱処理室Ｋの内部に不活性ガスを供給する。そして、熱処理室Ｋの内部は、接着剤Ｇから揮発した接着剤Ｇの溶剤が排気されて、不活性ガス雰囲気に置換される。また、このとき、熱板３２０上の被処理ウェハＷは、所定の温度、例えば１００℃〜３００℃に加熱されている。そして所定の時間が経過すると、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇがその内部まで加熱され、接着剤Ｇの溶剤が揮発して接着剤Ｇが硬化する（図２６の工程Ａ４）。このように工程Ａ４では、熱処理室Ｋの内部の排気と不活性ガスの供給を行い、熱処理室Ｋの内部に気流が発生するが、工程Ａ３において接着剤Ｇの表面が硬化しているので当該表面が乱れず、接着剤Ｇの膜厚をウェハ面内で均一に維持することができる。   When the surface G of the adhesive G on the wafer W to be processed is dried, as shown in FIG. 29, the damper 337 is opened to exhaust the inside of the heat treatment chamber K from the exhaust portion 334, and from the inert gas supply pipe 331 to the heat treatment chamber. An inert gas is supplied inside K. And the solvent of the adhesive G which volatilized from the adhesive G is exhausted, and the inside of the heat processing chamber K is substituted by the inert gas atmosphere. At this time, the wafer W to be processed on the hot plate 320 is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 300 ° C. When a predetermined time elapses, the adhesive G on the wafer W to be processed is heated to the inside thereof, the solvent of the adhesive G volatilizes, and the adhesive G is cured (step A4 in FIG. 26). As described above, in step A4, the inside of the heat treatment chamber K and the inert gas are supplied, and an air flow is generated in the heat treatment chamber K. However, since the surface of the adhesive G is cured in the step A3, The surface is not disturbed, and the film thickness of the adhesive G can be kept uniform in the wafer plane.

その後、昇降ピン３４０が上昇すると共に、温度調節板３５０が熱板３２０の上方に移動する。続いて被処理ウェハＷが昇降ピン３４０から温度調節板３５０に受け渡され、温度調節板３５０がウェハ搬送領域６０側に移動する。この温度調節板３５０の移動中に、被処理ウェハＷは所定の温度に温度調節される。   Thereafter, the elevating pins 340 are raised, and the temperature adjusting plate 350 is moved above the hot plate 320. Subsequently, the wafer W to be processed is transferred from the lift pins 340 to the temperature adjustment plate 350, and the temperature adjustment plate 350 moves to the wafer transfer region 60 side. During the movement of the temperature adjustment plate 350, the temperature of the processing target wafer W is adjusted to a predetermined temperature.

熱処理装置４１で熱処理された被処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１によって接合装置３０に搬送される。接合装置３０に搬送された被処理ウェハＷは、ウェハ搬送装置６１から受渡部１１０の受渡アーム１２０に受け渡された後、さらに受渡アーム１２０からウェハ支持ピン１２１に受け渡される。その後、被処理ウェハＷは、搬送部１１２の第１の搬送アーム１７０によってウェハ支持ピン１２１から反転部１１１に搬送される。   The wafer W to be processed that has been heat-treated by the heat treatment apparatus 41 is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer apparatus 61. The wafer W to be processed transferred to the bonding apparatus 30 is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the transfer arm 120 of the transfer unit 110 and then transferred from the transfer arm 120 to the wafer support pins 121. Thereafter, the wafer W to be processed is transferred from the wafer support pins 121 to the reversing unit 111 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.

反転部１１１に搬送された被処理ウェハＷは、保持部材１５１に保持され、位置調節機構１６０に移動される。そして、位置調節機構１６０において、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節して、当該被処理ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図２６の工程Ａ５）。   The wafer to be processed W transferred to the reversing unit 111 is held by the holding member 151 and moved to the position adjusting mechanism 160. Then, the position adjusting mechanism 160 adjusts the position of the notch portion of the wafer to be processed W to adjust the horizontal direction of the wafer to be processed W (step A5 in FIG. 26).

その後、被処理ウェハＷは、搬送部１１２の第１の搬送アーム１７０によって反転部１１１から接合部１１３に搬送される。接合部１１３に搬送された被処理ウェハＷは、第１の保持部２００に載置される（図２６の工程Ａ６）。第１の保持部２００上では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが上方を向いた状態、すなわち接着剤Ｇが上方を向いた状態で被処理ウェハＷが載置される。 Thereafter, the wafer W to be processed is transferred from the reversing unit 111 to the bonding unit 113 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112. The to-be-processed wafer W conveyed to the junction part 113 is mounted in the 1st holding | maintenance part 200 (process A6 of FIG. 26). On the first holding portion 200, a state where the bonding surface W J of wafer W is facing upward, i.e. wafer W in a state where the adhesive G is facing upward is placed.

被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ６の処理が行われている間、当該被処理ウェハＷに続いて支持ウェハＳの処理が行われる。支持ウェハＳは、ウェハ搬送装置６１によって接合装置３０に搬送される。なお、支持ウェハＳが接合装置３０に搬送される工程については、上記実施の形態と同様であるので説明を省略する。   While the processes A1 to A6 described above are performed on the processing target wafer W, the supporting wafer S is processed following the processing target wafer W. The support wafer S is transferred to the bonding apparatus 30 by the wafer transfer device 61. In addition, about the process in which the support wafer S is conveyed to the joining apparatus 30, since it is the same as that of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

接合装置３０に搬送された支持ウェハＳは、ウェハ搬送装置６１から受渡部１１０の受渡アーム１２０に受け渡された後、さらに受渡アーム１２０からウェハ支持ピン１２１に受け渡される。その後、支持ウェハＳは、搬送部１１２の第１の搬送アーム１７０によってウェハ支持ピン１２１から反転部１１１に搬送される。   The support wafer S transferred to the bonding apparatus 30 is transferred from the wafer transfer apparatus 61 to the transfer arm 120 of the transfer unit 110 and then transferred from the transfer arm 120 to the wafer support pins 121. Thereafter, the support wafer S is transferred from the wafer support pins 121 to the reversing unit 111 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112.

反転部１１１に搬送された支持ウェハＳは、保持部材１５１に保持され、位置調節機構１６０に移動される。そして、位置調節機構１６０において、支持ウェハＳのノッチ部の位置を調節して、当該支持ウェハＳの水平方向の向きが調節される（図２６の工程Ａ７）。水平方向の向きが調節された支持ウェハＳは、位置調節機構１６０から水平方向に移動され、且つ鉛直方向上方に移動された後、その表裏面が反転される（図２６の工程Ａ８）。すなわち、支持ウェハＳの接合面ＳＪが下方に向けられる。 The support wafer S transferred to the reversing unit 111 is held by the holding member 151 and moved to the position adjusting mechanism 160. Then, the position adjusting mechanism 160 adjusts the position of the notch portion of the support wafer S to adjust the horizontal direction of the support wafer S (step A7 in FIG. 26). The support wafer S whose horizontal direction has been adjusted is moved in the horizontal direction from the position adjustment mechanism 160 and moved upward in the vertical direction, and then the front and back surfaces thereof are reversed (step A8 in FIG. 26). That is, the bonding surface S J of the support wafer S is directed downward.

その後、支持ウェハＳは、鉛直方向下方に移動された後、搬送部１１２の第２の搬送アーム１７１によって反転部１１１から接合部１１３に搬送される。このとき、第２の搬送アーム１７１は、支持ウェハＳの接合面ＳＪの外周部のみを保持しているので、例えば第２の搬送アーム１７１に付着したパーティクル等によって接合面ＳＪが汚れることはない。接合部１１３に搬送された支持ウェハＳは、第２の保持部２０１に吸着保持される（図２６の工程Ａ９）。第２の保持部２０１では、支持ウェハＳの接合面ＳＪが下方を向いた状態で支持ウェハＳが保持される。 Thereafter, the support wafer S is moved downward in the vertical direction, and then transferred from the reversing unit 111 to the bonding unit 113 by the second transfer arm 171 of the transfer unit 112. In this case, second transfer arm 171, since it holds only the outer peripheral portion of the joint surface S J of the support wafer S, for example, that the joint surface S J is soiled by particles or the like adhering to the second transfer arm 171 There is no. The support wafer S transferred to the bonding unit 113 is sucked and held by the second holding unit 201 (step A9 in FIG. 26). In the second holding portion 201, the supporting wafer S is held in a state where the bonding surfaces S J is directed downward of the support wafer S.

接合装置３０において、被処理ウェハＷと支持ウェハＳがそれぞれ第１の保持部２００と第２の保持部２０１に保持されると、被処理ウェハＷが支持ウェハＳに対向するように、移動機構２２０により第１の保持部２００の水平方向の位置が調整される（図２６の工程Ａ１０）。なお、このとき、第２の保持部２０１と支持ウェハＳとの間の圧力は例えば０．１気圧（＝０．０１ＭＰａ）である。また、第２の保持部２０１の上面にかかる圧力は大気圧である１．０気圧（＝０．１ＭＰａ）である。この第２の保持部２０１の上面にかかる大気圧を維持するため、加圧機構２６０の圧力容器２６１内の圧力を大気圧にしてもよいし、第２の保持部２０１の上面と圧力容器２６１との間に隙間を形成してもよい。   In the bonding apparatus 30, when the processing target wafer W and the support wafer S are held by the first holding unit 200 and the second holding unit 201, respectively, a moving mechanism is provided so that the processing target wafer W faces the support wafer S. The horizontal position of the first holding unit 200 is adjusted by 220 (step A10 in FIG. 26). At this time, the pressure between the second holding unit 201 and the support wafer S is, for example, 0.1 atm (= 0.01 MPa). The pressure applied to the upper surface of the second holding unit 201 is 1.0 atmospheric pressure (= 0.1 MPa), which is atmospheric pressure. In order to maintain the atmospheric pressure applied to the upper surface of the second holding unit 201, the pressure in the pressure vessel 261 of the pressurizing mechanism 260 may be set to atmospheric pressure, or the upper surface of the second holding unit 201 and the pressure vessel 261 may be maintained. A gap may be formed between the two.

次に、図３０に示すように移動機構２２０によって第１の保持部２００を上昇させると共に、支持部材２２３を伸長させて第２の保持部２０１が支持部材２２３に支持される。この際、支持部材２２３の高さを調整することにより、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの鉛直方向の距離が所定の距離になるように調整される（図２６の工程Ａ１１）。なお、この所定の距離は、シール材２３１が第１の保持部２００に接触し、且つ後述するように第２の保持部２０１及び支持ウェハＳの中心部が撓んだ際に、支持ウェハＳの中心部が被処理ウェハＷに接触する高さである。このようにして、第１の保持部２００と第２の保持部２０１との間に密閉された接合空間Ｒが形成される。   Next, as shown in FIG. 30, the first holding unit 200 is raised by the moving mechanism 220 and the support member 223 is extended to support the second holding unit 201 on the support member 223. At this time, by adjusting the height of the support member 223, the vertical distance between the wafer to be processed W and the support wafer S is adjusted to a predetermined distance (step A11 in FIG. 26). Note that the predetermined distance is such that when the sealant 231 comes into contact with the first holding unit 200 and the center of the second holding unit 201 and the supporting wafer S is bent as described later, the supporting wafer S Is the height at which the central portion of the wafer contacts the wafer W to be processed. In this way, a sealed joint space R is formed between the first holding part 200 and the second holding part 201.

その後、吸気管２４１から接合空間Ｒの雰囲気を吸気する。そして、接合空間Ｒ内の圧力が例えば０．３気圧（＝０．０３ＭＰａ）に減圧されると、第２の保持部２０１には、第２の保持部２０１の上面にかかる圧力と接合空間Ｒ内の圧力との圧力差、すなわち０．７気圧（＝０．０７ＭＰａ）がかかる。そうすると、図３１に示すように第２の保持部２０１の中心部が撓み、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳの中心部も撓む。なお、このように接合空間Ｒ内の圧力を０．３気圧（＝０．０３ＭＰａ）まで減圧しても、第２の保持部２０１と支持ウェハＳとの間の圧力は０．１気圧（＝０．０１ＭＰａ）であるため、支持ウェハＳは第２の保持部２０１に保持された状態を保っている。   Thereafter, the atmosphere of the joint space R is sucked from the suction pipe 241. When the pressure in the bonding space R is reduced to, for example, 0.3 atm (= 0.03 MPa), the pressure applied to the upper surface of the second holding portion 201 and the bonding space R are applied to the second holding portion 201. A pressure difference from the internal pressure, that is, 0.7 atmospheric pressure (= 0.07 MPa) is applied. Then, as shown in FIG. 31, the center portion of the second holding portion 201 is bent, and the center portion of the support wafer S held by the second holding portion 201 is also bent. Even if the pressure in the bonding space R is reduced to 0.3 atm (= 0.03 MPa) in this way, the pressure between the second holding unit 201 and the support wafer S is 0.1 atm (= 0.01 MPa), the support wafer S keeps being held by the second holding unit 201.

その後、さらに接合空間Ｒの雰囲気を吸気し、接合空間Ｒ内を減圧する。そして、接合空間Ｒ内の圧力が０．１気圧（＝０．０１ＭＰａ）以下になると、第２の保持部２０１が支持ウェハＳを保持することができず、図３２に示すように支持ウェハＳは下方に落下して、支持ウェハＳの接合面ＳＪ全面が被処理ウェハＷの接合面ＷＪ全面に当接する。この際、支持ウェハＳは、被処理ウェハＷに当接した中心部から径方向外側に向かって順次当接する。すなわち、例えば接合空間Ｒ内にボイドとなりうる空気が存在している場合でも、空気は支持ウェハＳが被処理ウェハＷと当接している箇所より常に外側に存在することになり、当該空気を被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの間から逃がすことができる。こうしてボイドの発生を抑制しつつ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは接着剤Ｇにより接着される（図２６の工程Ａ１２）。 Thereafter, the atmosphere of the joining space R is further sucked and the inside of the joining space R is depressurized. When the pressure in the bonding space R becomes 0.1 atm (= 0.01 MPa) or less, the second holding unit 201 cannot hold the support wafer S, and the support wafer S as shown in FIG. is dropped down, the bonding surface S J entire support wafer S comes into contact with the bonding surface W J entire treated wafer W. At this time, the support wafer S sequentially comes into contact with the processing target wafer W from the central portion toward the radially outer side. That is, for example, even when air that can be a void exists in the bonding space R, the air is always present outside the portion where the support wafer S is in contact with the wafer W to be processed. It is possible to escape from between the processing wafer W and the support wafer S. In this way, the processing target wafer W and the support wafer S are bonded by the adhesive G while suppressing the generation of voids (step A12 in FIG. 26).

その後、図３３に示すように、支持部材２２３の高さを調整し、第２の保持部２０１の下面を支持ウェハＳの非接合面ＳＮに接触させる。このとき、シール材２３１が弾性変形し、第１の保持部２００と第２の保持部２０１が密着する。そして、加熱機構２１１、２４２により被処理ウェハＷと支持ウェハＳを所定の温度、例えば２００℃で加熱しながら、加圧機構２６０により第２の保持部２０１を所定の圧力、例えば０．５ＭＰａで下方に押圧する。そうすると、被処理ウェハＷと支持ウェハＳがより強固に接着され、接合される（図２６の工程Ａ１３）。 Thereafter, as shown in FIG. 33, the height of the support member 223 is adjusted, and the lower surface of the second holding unit 201 is brought into contact with the non-joint surface SN of the support wafer S. At this time, the sealing material 231 is elastically deformed, and the first holding unit 200 and the second holding unit 201 are in close contact with each other. And while heating the to-be-processed wafer W and the support wafer S with predetermined temperature, for example, 200 degreeC with the heating mechanism 211,242, the 2nd holding | maintenance part 201 is made into predetermined pressure, for example, 0.5 MPa with the pressurization mechanism 260. Press down. Then, the wafer W to be processed and the support wafer S are more firmly bonded and bonded (step A13 in FIG. 26).

被処理ウェハＷと支持ウェハＳが接合された重合ウェハＴは、搬送部１１２の第１の搬送アーム１７０によって接合部１１０から受渡部１１０に搬送される。受渡部１１０に搬送された重合ウェハＴは、ウェハ支持ピン１２１を介して受渡アーム１２０に受け渡され、さらに受渡アーム１２０からウェハ搬送装置６１に受け渡される。   The overlapped wafer T in which the processing target wafer W and the support wafer S are bonded is transferred from the bonding unit 110 to the delivery unit 110 by the first transfer arm 170 of the transfer unit 112. The overlapped wafer T transferred to the transfer unit 110 is transferred to the transfer arm 120 via the wafer support pins 121, and further transferred from the transfer arm 120 to the wafer transfer device 61.

次に重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置６１によって熱処理装置４２に搬送される。そして、熱処理装置４２において、重合ウェハＴは所定の温度、例えば常温（２３℃）に温度調節される。その後、重合ウェハＴは、ウェハ搬送装置６１によってトランジション装置５１に搬送され、その後搬入出ステーション２のウェハ搬送装置２２によって所定のカセット載置板１１のカセットＣＴに搬送される。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理が終了する。 Next, the superposed wafer T is transferred to the heat treatment device 42 by the wafer transfer device 61. In the heat treatment apparatus 42, the temperature of the superposed wafer T is adjusted to a predetermined temperature, for example, normal temperature (23 ° C.). Thereafter, bonded wafer T is transferred to the transition unit 51 by the wafer transfer apparatus 61, as by the wafer transfer apparatus 22 of the subsequent unloading station 2 is transported to the cassette C T of predetermined cassette mounting plate 11. In this way, a series of bonding processing of the processing target wafer W and the supporting wafer S is completed.

以上の実施の形態によれば、工程Ａ２において、熱処理室Ｋの内部を無酸素雰囲気にしている。しかも、このとき、被処理ウェハＷは熱板３２０と接触しておらず、熱処理されていない。したがって、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの酸化を抑制できる。その後、工程Ａ３において、熱板３２０上に被処理ウェハＷを載置して接着剤Ｇの表面を乾燥させて硬化させる際、熱処理室Ｋの内部の排気と不活性ガスの供給を停止し、熱処理室Ｋの内部に気流が生じないので、当該接着剤Ｇの表面が乱れない。また、その後の工程Ａ４において、熱処理室Ｋの内部の排気と不活性ガスの供給を行い、熱処理室Ｋの内部に気流が生じても、接着剤Ｇの表面は硬化しているので乱れることはない。したがって、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇがウェハ面内で均一な膜厚に形成することができる。以上のように本実施の形態によれば、被処理ウェハＷの熱処理を適切に行うことができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合を適切に行うことができる。   According to the above embodiment, in the process A2, the inside of the heat treatment chamber K is made an oxygen-free atmosphere. Moreover, at this time, the wafer W to be processed is not in contact with the hot plate 320 and is not heat-treated. Therefore, oxidation of the adhesive G on the processing target wafer W can be suppressed. Thereafter, in step A3, when the wafer W to be processed is placed on the hot plate 320 and the surface of the adhesive G is dried and cured, the exhaust of the heat treatment chamber K and the supply of the inert gas are stopped, Since no airflow is generated inside the heat treatment chamber K, the surface of the adhesive G is not disturbed. Further, in the subsequent step A4, even if an exhaust gas and an inert gas are supplied inside the heat treatment chamber K and an air flow is generated inside the heat treatment chamber K, the surface of the adhesive G is hardened and is disturbed. Absent. Therefore, the adhesive G on the processing target wafer W can be formed in a uniform film thickness within the wafer surface. As described above, according to the present embodiment, the heat treatment of the processing target wafer W can be appropriately performed. Therefore, the processing target wafer W and the support wafer S can be appropriately bonded.

以上の実施の形態では、熱処理室Ｋの内部を不活性ガス雰囲気にして無酸素雰囲気にしていたが、熱処理室Ｋの内部を真空雰囲気にして無酸素雰囲気にしてもよい。   In the above embodiment, the inside of the heat treatment chamber K is an inert gas atmosphere and an oxygen-free atmosphere, but the inside of the heat treatment chamber K may be a vacuum atmosphere and an oxygen-free atmosphere.

かかる場合、熱処理装置４１は、上述した蓋体３３０に代えて、図３４に示すように上下動自在の蓋体５００が設けられる。蓋体５００は、下面が開口し、熱板３２０、保持部材３２１及びサポートリング３２２と一体となって熱処理室Ｋを形成する。そして、熱処理室Ｋは、その内部を密閉可能に構成されている。   In such a case, the heat treatment apparatus 41 is provided with a vertically movable lid 500 as shown in FIG. 34 instead of the lid 330 described above. The lid 500 has an open bottom surface and forms a heat treatment chamber K together with the hot plate 320, the holding member 321 and the support ring 322. And the heat processing chamber K is comprised so that the inside can be sealed.

蓋体５００の一の側面には、熱処理室Ｋの内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給部としての不活性ガス供給管５１０が接続されている。不活性ガス供給管５１０は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源５１１に連通している。また、不活性ガス供給管５１１には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５１２が設けられている。   One side surface of the lid 500 is connected to an inert gas supply pipe 510 as an inert gas supply unit that supplies an inert gas such as nitrogen gas into the heat treatment chamber K. The inert gas supply pipe 510 communicates with an inert gas supply source 511 that stores an inert gas therein. Further, the inert gas supply pipe 511 is provided with a supply device group 512 including a valve for controlling the flow of the inert gas, a flow rate adjusting unit, and the like.

蓋体５００の他の側面には、熱処理室Ｋの内部を真空引きして減圧する減圧部としての吸気管５２０が設けられている。吸気管５２０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置５２１に連通している。   On the other side surface of the lid 500, an intake pipe 520 is provided as a decompression unit that evacuates and decompresses the inside of the heat treatment chamber K. The intake pipe 520 communicates with a negative pressure generator 521 such as a vacuum pump.

なお、熱処理装置４１のその他の構成は、上記実施の形態の熱処理装置４１の構成と同様であるので説明を省略する。また、熱処理装置４２〜４６の構成も熱処理装置４１の構成と同様である。   In addition, since the other structure of the heat processing apparatus 41 is the same as that of the heat processing apparatus 41 of the said embodiment, description is abbreviate | omitted. The configuration of the heat treatment apparatuses 42 to 46 is the same as that of the heat treatment apparatus 41.

そして、工程Ａ１において被処理ウェハＷ上に接着剤Ｇを塗布した後、被処理ウェハＷが熱処理装置４１に搬送される。熱処理装置４１に搬入された被処理ウェハＷは、温度調節板３５０を介して、予め上昇して待機していた昇降ピン３４０に受け渡される。その後、図３５に示すように被処理ウェハＷが熱板３２０と接触しない状態で、蓋体３３０を閉じて内部が密閉された熱処理室Ｋを形成する。続いて、吸気管５２０から熱処理室Ｋの内部を真空引きして減圧する。そして、熱処理室Ｋの内部を真空雰囲気、すなわち無酸素雰囲気にする（工程Ａ２）。このように工程Ａ２において、熱処理室Ｋ内が無酸素雰囲気に維持されるので、その後被処理ウェハＷを加熱しても、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇが酸化するのを抑制することができる。   And after apply | coating the adhesive agent G on the to-be-processed wafer W in process A1, the to-be-processed wafer W is conveyed to the heat processing apparatus 41. FIG. The wafer W to be processed loaded into the heat treatment apparatus 41 is transferred via the temperature adjustment plate 350 to the lift pins 340 that have been lifted and waited in advance. Thereafter, as shown in FIG. 35, in a state where the wafer W to be processed is not in contact with the hot plate 320, the lid 330 is closed to form a heat treatment chamber K whose inside is sealed. Subsequently, the inside of the heat treatment chamber K is evacuated from the intake pipe 520 to reduce the pressure. Then, the inside of the heat treatment chamber K is set to a vacuum atmosphere, that is, an oxygen-free atmosphere (step A2). As described above, in step A2, the inside of the heat treatment chamber K is maintained in an oxygen-free atmosphere, so that even if the wafer to be processed W is heated thereafter, the adhesive G on the wafer to be processed W is prevented from being oxidized. Can do.

また、工程Ａ２において、熱処理室Ｋの内部を真空雰囲気まで減圧しているので、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇに含まれる気泡が接着剤Ｇの外部に流出して除去される。したがって、接合される被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間のボイドを抑制することができる。   In step A2, since the inside of the heat treatment chamber K is depressurized to a vacuum atmosphere, bubbles contained in the adhesive G on the wafer W to be processed flow out of the adhesive G and are removed. Therefore, the void between the to-be-processed wafer W and the support wafer S to be bonded can be suppressed.

その後、図３６に示すように昇降ピン３４０が下降して、被処理ウェハＷが熱板３２０上に載置される。このとき、吸気管５２０からの真空引きを継続して、熱処理室Ｋの内部を真空雰囲気に維持する。すなわち、熱処理室Ｋの内部には気流が発生していない。そして、熱板３２０上の被処理ウェハＷは所定の温度、例えば１００℃〜３００℃に加熱される。所定の時間が経過すると、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇがその内部まで加熱され、接着剤Ｇの溶剤が揮発して接着剤Ｇが硬化する（工程Ａ３及び工程Ａ４）。このように工程Ａ３及び工程Ａ４において、熱処理室Ｋの内部に気流が生じないので、被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇが乱れず、当該接着剤Ｇをウェハ面内で均一な膜厚に形成することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 36, the elevating pins 340 are lowered and the wafer W to be processed is placed on the hot platen 320. At this time, evacuation from the intake pipe 520 is continued to maintain the inside of the heat treatment chamber K in a vacuum atmosphere. That is, no airflow is generated inside the heat treatment chamber K. Then, the wafer W to be processed on the hot plate 320 is heated to a predetermined temperature, for example, 100 ° C. to 300 ° C. When the predetermined time elapses, the adhesive G on the wafer W to be processed is heated to the inside thereof, the solvent of the adhesive G volatilizes, and the adhesive G is cured (step A3 and step A4). Thus, in step A3 and step A4, since no airflow is generated inside the heat treatment chamber K, the adhesive G on the wafer W to be processed is not disturbed, and the adhesive G is formed in a uniform film thickness within the wafer surface. can do.

その後、昇降ピン３４０が上昇して熱板３２０から被処理ウェハＷが退避する。このとき、吸気管５２０からの真空引きを停止して、不活性ガス供給管５１０から熱処理室Ｋの内部に不活性ガスを供給する。そして、熱処理室Ｋの内部を常圧に戻す。このとき、供給された不活性ガスによって、被処理ウェハＷを常温に調整してもよい。なお、その後の工程Ａ５〜Ａ１３については、上記実施の形態における工程Ａ５〜Ａ１３と同様であるので説明を省略する。   Thereafter, the raising / lowering pins 340 are raised and the wafer W to be processed is retracted from the hot plate 320. At this time, evacuation from the intake pipe 520 is stopped, and the inert gas is supplied from the inert gas supply pipe 510 into the heat treatment chamber K. Then, the inside of the heat treatment chamber K is returned to normal pressure. At this time, the wafer W to be processed may be adjusted to room temperature by the supplied inert gas. In addition, about subsequent process A5-A13, since it is the same as that of process A5-A13 in the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

以上のように本実施の形態によれば、工程Ａ２において接着剤Ｇの酸化を抑制すると共に被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間のボイドを抑制し、工程Ａ３及び工程Ａ４において被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇをウェハ面内で均一な膜厚に形成することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合を適切に行うことができる。   As described above, according to the present embodiment, the oxidation of the adhesive G is suppressed in the step A2, and the void between the wafer to be processed W and the support wafer S is suppressed, and the wafer to be processed W in the steps A3 and A4. The upper adhesive G can be formed in a uniform film thickness within the wafer surface. Therefore, the processing target wafer W and the support wafer S can be appropriately bonded.

以上の実施の形態では、被処理ウェハＷを下側に配置し、且つ支持ウェハＳを上側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを接合していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、上述した工程Ａ１〜Ａ６を支持ウェハＳに対して行い、当該支持ウェハＳの接合面ＳＪに接着剤Ｇを塗布する。また、上述した工程Ａ７〜Ａ９を被処理ウェハＷに対して行い、当該被処理ウェハＷの表裏面を反転させる。そして、上述した工程Ａ１０〜Ａ１３を行い、支持ウェハＳと被処理ウェハＷを接合する。但し、被処理ウェハＷ上の電子回路等を保護する観点から、被処理ウェハＷ上に接着剤Ｇを塗布するのが好ましい。 In the above-described embodiment, the wafer to be processed W and the support wafer S are bonded in a state where the wafer to be processed W is disposed on the lower side and the support wafer S is disposed on the upper side. The support wafer S may be disposed upside down. In such a case, a step A1~A6 described above relative to the support wafer S, applying an adhesive agent G on the bonding surface S J of the support wafer S. Further, the above-described steps A7 to A9 are performed on the processing target wafer W, and the front and back surfaces of the processing target wafer W are reversed. And the process A10-A13 mentioned above is performed, and the support wafer S and the to-be-processed wafer W are joined. However, from the viewpoint of protecting the electronic circuit and the like on the processing target wafer W, it is preferable to apply the adhesive G on the processing target wafer W.

また、以上の実施の形態では、塗布装置４０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳのいずれか一方に接着剤Ｇを塗布していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの両方に接着剤Ｇを塗布してもよい。   Further, in the above embodiment, the adhesive G is applied to either the processing target wafer W or the support wafer S in the coating apparatus 40, but the adhesive G is applied to both the processing target wafer W and the support wafer S. May be applied.

以上の実施の形態では、工程Ａ５において被処理ウェハＷを所定の温度１００℃〜３００℃に加熱していたが、被処理ウェハＷの熱処理を２段階で行ってもよい。例えば熱処理装置４１において、第１の熱処理温度、例えば１００℃〜１５０℃に加熱した後、熱処理装置４４において第２の熱処理温度、例えば１５０℃〜３００℃に加熱する。かかる場合、熱処理装置４１と熱処理装置４４における加熱機構自体の温度を一定にできる。したがって、当該加熱機構の温度調節をする必要がなく、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの接合処理のスループットをさらに向上させることができる。   In the above embodiment, the wafer W to be processed was heated to a predetermined temperature of 100 ° C. to 300 ° C. in the step A5. However, the heat treatment of the wafer W to be processed may be performed in two stages. For example, in the heat treatment apparatus 41, after heating to a first heat treatment temperature, for example, 100 ° C to 150 ° C, the heat treatment apparatus 44 is heated to a second heat treatment temperature, for example, 150 ° C to 300 ° C. In such a case, the temperature of the heating mechanism itself in the heat treatment apparatus 41 and the heat treatment apparatus 44 can be made constant. Therefore, it is not necessary to adjust the temperature of the heating mechanism, and the throughput of the bonding process between the processing target wafer W and the supporting wafer S can be further improved.

また、このように２段階で被処理ウェハの熱処理を行う場合、１回目の熱処理を行う熱処理装置４１と２回目の熱処理を行う熱処理装置４４の両方に本発明を適用してもよいし、２回目の熱処理を行う熱処理装置４４のみに本発明を適用してもよい。すなわち、２回目の熱処理の方が１回目の熱処理よりも熱処理温度が高いため、２回目の熱処理装置４４で被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇが酸化しやすい。この酸化を抑制するために、２回目の熱処理装置４４に本発明を適用するのが好ましい。   In addition, when performing heat treatment of the wafer to be processed in two stages as described above, the present invention may be applied to both the heat treatment apparatus 41 that performs the first heat treatment and the heat treatment apparatus 44 that performs the second heat treatment. The present invention may be applied only to the heat treatment apparatus 44 that performs the second heat treatment. That is, since the second heat treatment has a higher heat treatment temperature than the first heat treatment, the adhesive G on the wafer W to be processed is easily oxidized by the second heat treatment apparatus 44. In order to suppress this oxidation, it is preferable to apply the present invention to the second heat treatment apparatus 44.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、被処理基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。また、本発明は、支持基板がウェハ以外のガラス基板など他の基板である場合にも適用できる。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate to be processed is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask. The present invention can also be applied when the supporting substrate is another substrate such as a glass substrate other than the wafer.

１ 接合システム
３０〜３３ 接合装置
４０ 塗布装置
４１〜４６ 熱処理装置
３２０ 熱板
３３０ 蓋体
３３１ 不活性ガス供給管
３３４ 排気部
３３７ ダンパ
４００ 制御部
５００ 蓋体
５１０ 不活性ガス供給管
５２０ 吸気管
Ｋ 熱処理室
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Joining system 30-33 Joining apparatus 40 Coating apparatus 41-46 Heat processing apparatus 320 Hot plate 330 Cover body 331 Inert gas supply pipe 334 Exhaust part 337 Damper 400 Control part 500 Cover body 510 Inert gas supply pipe 520 Intake pipe K Heat treatment Chamber G Adhesive S Support wafer T Superposition wafer W Processed wafer

Claims (10)

被処理基板と支持基板を接合する接合方法であって、
被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布工程と、
その後、前記塗布工程において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を所定の温度に熱処理する熱処理工程と、
その後、前記熱処理工程において所定の温度に熱処理された被処理基板と接着剤が塗布されていない支持基板とを押圧して接合する、又は前記熱処理工程において所定の温度に熱処理された支持基板と接着剤が塗布されていない被処理基板とを押圧して接合する接合工程と、を有し、
前記熱処理工程は、
熱処理板を備えた熱処理室に被処理基板又は支持基板を収容して当該熱処理室の内部を密閉し、被処理基板又は支持基板が前記熱処理板と接触しない状態で、前記熱処理室の内部を無酸素雰囲気にする第１の工程と、
その後、前記熱処理室の内部に気流が生じない状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置し、少なくとも被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理する第２の工程と、を有することを特徴とする、接合方法。 A bonding method for bonding a substrate to be processed and a support substrate,
An application step of applying an adhesive to a substrate to be processed or a support substrate;
Thereafter, a heat treatment step of heat-treating the substrate to be processed or the support substrate to which the adhesive is applied in the application step to a predetermined temperature;
Thereafter, the substrate to be processed that has been heat-treated at a predetermined temperature in the heat treatment step and the support substrate to which the adhesive is not applied are pressed and bonded, or the substrate that has been heat-treated at the predetermined temperature in the heat treatment step is bonded. A bonding step of pressing and bonding the substrate to be processed to which the agent is not applied,
The heat treatment step includes
A substrate to be processed or a support substrate is accommodated in a heat treatment chamber provided with a heat treatment plate, and the inside of the heat treatment chamber is sealed, and the inside of the heat treatment chamber is left in a state where the substrate to be processed or the support substrate is not in contact with the heat treatment plate. A first step of creating an oxygen atmosphere;
Thereafter, in a state where no airflow is generated in the heat treatment chamber, the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate, and at least the surface of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is heat-treated at a predetermined temperature. And a second step of performing the bonding. 前記第１の工程において、前記熱処理室の内部を排気すると共に前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、当該熱処理室の内部を不活性ガス雰囲気に置換し、
前記第２の工程において、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を停止し、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理し、
前記第２の工程後、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を行い、前記熱処理板上に載置された被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理することを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。 In the first step, the inside of the heat treatment chamber is evacuated and an inert gas is supplied into the heat treatment chamber, and the inside of the heat treatment chamber is replaced with an inert gas atmosphere.
In the second step, the exhaust of the heat treatment chamber and the supply of the inert gas are stopped, the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate, and the substrate to be processed or the support substrate is placed. Heat-treat the surface of the adhesive to a predetermined temperature,
After the second step, the inside of the heat treatment chamber and the supply of inert gas are performed, and the substrate on the heat treatment plate or the adhesive on the support substrate is heat treated to a predetermined temperature. The bonding method according to claim 1, wherein: 前記熱処理工程において、前記熱処理室の内部の排気は、前記熱処理板の上方且つ前記熱処理室の天井面の中央部から行われることを特徴とする、請求項２に記載の接合方法。 3. The joining method according to claim 2, wherein in the heat treatment step, exhaust inside the heat treatment chamber is performed above the heat treatment plate and from a central portion of a ceiling surface of the heat treatment chamber. 前記第１の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に真空引きし、
前記第２の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に維持した状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理し、
前記第２の工程後、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、前記熱処理板上から被処理基板又は支持基板を退避させることを特徴とする、請求項１に記載の接合方法。 In the first step, the inside of the heat treatment chamber is evacuated to a vacuum atmosphere,
In the second step, in a state where the inside of the heat treatment chamber is maintained in a vacuum atmosphere, a substrate to be processed or a support substrate is placed on the heat treatment plate, and an adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is added. Heat treatment to a predetermined temperature,
2. The bonding method according to claim 1, wherein after the second step, an inert gas is supplied into the heat treatment chamber, and the substrate to be processed or the support substrate is retracted from the heat treatment plate. 請求項１〜４のいずかに記載の接合方法を接合システムによって実行させるために、当該接合システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。 A program that operates on a computer of a control unit that controls the joining system in order to cause the joining system to execute the joining method according to claim 1. 請求項５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 5. 被処理基板と支持基板を接合する接合システムであって、
被処理基板又は支持基板に接着剤を塗布する塗布装置と、
前記塗布装置において接着剤が塗布された被処理基板又は支持基板を収容して熱処理する熱処理室と、当該被処理基板又は支持基板を載置して所定の温度に熱処理する熱処理板とを備えた熱処理装置と、
前記熱処理装置において所定の温度に熱処理された被処理基板と接着剤が塗布されていない支持基板とを押圧して接合する、又は前記熱処理装置において所定の温度に熱処理された支持基板と接着剤が塗布されていない被処理基板とを押圧して接合する接合装置と、
前記熱処理室に被処理基板又は支持基板を収容して当該熱処理室の内部を密閉し、被処理基板又は支持基板が前記熱処理板と接触しない状態で、前記熱処理室の内部を無酸素雰囲気にする第１の工程と、その後、前記熱処理室の内部に気流が生じない状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置し、少なくとも被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理する第２の工程とを実行するように、前記熱処理装置を制御する制御部と、を有することを特徴とする、接合システム。 A bonding system for bonding a substrate to be processed and a support substrate,
A coating apparatus for applying an adhesive to a substrate to be processed or a support substrate;
A heat treatment chamber for accommodating and heat-treating a substrate to be treated or a support substrate coated with an adhesive in the coating apparatus, and a heat treatment plate for placing the substrate to be treated or the support substrate and heat-treating to a predetermined temperature. A heat treatment device;
The substrate to be processed that has been heat-treated at a predetermined temperature in the heat treatment apparatus and the support substrate to which the adhesive is not applied are pressed and bonded, or the support substrate and the adhesive that have been heat-treated at the predetermined temperature in the heat treatment apparatus A joining device that presses and joins a substrate to be treated that has not been applied;
The substrate to be processed or the support substrate is accommodated in the heat treatment chamber, the inside of the heat treatment chamber is sealed, and the inside of the heat treatment chamber is made oxygen-free while the substrate to be processed or the support substrate is not in contact with the heat treatment plate. In the first step and thereafter, in a state where no airflow is generated in the heat treatment chamber, the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate, and at least the surface of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate And a control unit that controls the heat treatment apparatus so as to perform a second step of heat-treating the substrate to a predetermined temperature. 前記熱処理装置は、前記熱処理室の内部を排気する排気部と、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記制御部は、前記第１の工程において、前記排気部によって前記熱処理室の内部を排気すると共に、前記不活性ガス供給部によって前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、当該熱処理室の内部を不活性ガス雰囲気に置換し、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を停止し、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤の表面を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記熱処理室の内部の排気と不活性ガスの供給を行い、前記熱処理板上に載置された被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理するように、前記熱処理装置を制御することを特徴とする、請求項７に記載の接合システム。 The heat treatment apparatus includes an exhaust unit that exhausts the inside of the heat treatment chamber, and an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the inside of the heat treatment chamber,
In the first step, the control unit exhausts the inside of the heat treatment chamber by the exhaust unit and supplies an inert gas to the inside of the heat treatment chamber by the inert gas supply unit. The inside is replaced with an inert gas atmosphere, and in the second step, the exhaust of the heat treatment chamber and the supply of the inert gas are stopped, and the substrate to be processed or the support substrate is placed on the heat treatment plate. The surface of the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is heat-treated at a predetermined temperature, and after the second step, the inside of the heat treatment chamber is exhausted and inert gas is supplied, The bonding system according to claim 7, wherein the heat treatment apparatus is controlled so as to heat-treat the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate to a predetermined temperature. 前記排気部は、前記熱処理板の上方且つ前記熱処理室の天井面の中央部に配置されていることを特徴とする、請求項８に記載の接合システム。 The joining system according to claim 8, wherein the exhaust portion is disposed above the heat treatment plate and at a center portion of a ceiling surface of the heat treatment chamber. 前記熱処理装置は、前記熱処理室の内部を真空引きして減圧する減圧部と、前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを備え、
前記制御部は、前記第１の工程において、前記減圧部によって前記熱処理室の内部を真空雰囲気に真空引きし、前記第２の工程において、前記熱処理室の内部を真空雰囲気に維持した状態で、前記熱処理板上に被処理基板又は支持基板を載置して、当該被処理基板又は支持基板上の接着剤を所定の温度に熱処理し、前記第２の工程後、前記不活性ガス供給部によって前記熱処理室の内部に不活性ガスを供給し、前記熱処理板上から被処理基板又は支持基板を退避させるように、前記熱処理装置を制御することを特徴とする、請求項７に記載の接合システム。 The heat treatment apparatus includes a decompression unit that evacuates and decompresses the interior of the heat treatment chamber, and an inert gas supply unit that supplies an inert gas to the inside of the heat treatment chamber,
In the first step, the control unit evacuates the inside of the heat treatment chamber to a vacuum atmosphere by the decompression unit, and in the second step, the inside of the heat treatment chamber is maintained in a vacuum atmosphere. A substrate to be processed or a support substrate is placed on the heat treatment plate, the adhesive on the substrate to be processed or the support substrate is heat-treated at a predetermined temperature, and after the second step, by the inert gas supply unit The bonding system according to claim 7, wherein the heat treatment apparatus is controlled so as to supply an inert gas into the heat treatment chamber and to retract the substrate to be processed or the support substrate from the heat treatment plate. .
JP2011195470A 2011-09-07 2011-09-07 Joining method, program, computer storage medium, and joining system Active JP5427856B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011195470A JP5427856B2 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Joining method, program, computer storage medium, and joining system
PCT/JP2012/071818 WO2013035599A1 (en) 2011-09-07 2012-08-29 Joining method, computer storage medium, and joining system
TW101132534A TW201332037A (en) 2011-09-07 2012-09-06 Bonding method and computer strage medium and bonding system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011195470A JP5427856B2 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Joining method, program, computer storage medium, and joining system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013058572A true JP2013058572A (en) 2013-03-28
JP5427856B2 JP5427856B2 (en) 2014-02-26

Family

ID=47832048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011195470A Active JP5427856B2 (en) 2011-09-07 2011-09-07 Joining method, program, computer storage medium, and joining system

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5427856B2 (en)
TW (1) TW201332037A (en)
WO (1) WO2013035599A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020155646A (en) * 2019-03-20 2020-09-24 東京応化工業株式会社 Heater, substrate processing system, and substrate processing method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6382769B2 (en) * 2014-08-07 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP2016129197A (en) * 2015-01-09 2016-07-14 東京エレクトロン株式会社 Bonding device, bonding system, bonding method, program and computer storage medium

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049441A (en) * 2004-08-02 2006-02-16 Honda Motor Co Ltd Device and method for injecting adhesives
JP2007142381A (en) * 2005-10-17 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd Laminating apparatus
JP2007158122A (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Bonding means, apparatus, and bonding method of support plate
JP2008166536A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Pasting apparatus
JP2009253110A (en) * 2008-04-08 2009-10-29 Shimadzu Corp Adhesive injecting device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049441A (en) * 2004-08-02 2006-02-16 Honda Motor Co Ltd Device and method for injecting adhesives
JP2007142381A (en) * 2005-10-17 2007-06-07 Tokyo Electron Ltd Laminating apparatus
JP2007158122A (en) * 2005-12-06 2007-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Bonding means, apparatus, and bonding method of support plate
JP2008166536A (en) * 2006-12-28 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Pasting apparatus
JP2009253110A (en) * 2008-04-08 2009-10-29 Shimadzu Corp Adhesive injecting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020155646A (en) * 2019-03-20 2020-09-24 東京応化工業株式会社 Heater, substrate processing system, and substrate processing method
JP7211862B2 (en) 2019-03-20 2023-01-24 東京応化工業株式会社 Heating device, substrate processing system, and substrate processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201332037A (en) 2013-08-01
JP5427856B2 (en) 2014-02-26
WO2013035599A1 (en) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101915441B1 (en) Bonding method and computer storage medium and bonding apparatus and bonding system
JP5547147B2 (en) Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP5752639B2 (en) Joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP5593299B2 (en) Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP5421967B2 (en) Joining method, program, computer storage medium, and joining system
JP5379171B2 (en) Bonding system, substrate processing system, bonding method, program, and computer storage medium
JP5478565B2 (en) Joining system
JP5538282B2 (en) Joining apparatus, joining method, program, and computer storage medium
JP5406257B2 (en) Joining method, program, computer storage medium, and joining system
JP2013062431A (en) Joining apparatus, joining method, joining system, program, and computer storage medium
JP5528405B2 (en) Joining method, program, computer storage medium, and joining system
JP5905509B2 (en) Joining apparatus, joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP5427856B2 (en) Joining method, program, computer storage medium, and joining system
JP5886783B2 (en) Sheet peeling apparatus, bonding system, peeling system, sheet peeling method, program, and computer storage medium
JP5869960B2 (en) Joining system, joining method, program, and computer storage medium
JP5905407B2 (en) Sheet peeling apparatus, bonding system, peeling system, sheet peeling method, program, and computer storage medium
JP5552466B2 (en) Joining method, program, computer storage medium, and joining system
JP2014056910A (en) Application processing device, joint system, application processing method, program, and computer storage medium

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5427856

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250