JP2013055387A - イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム - Google Patents

イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム Download PDF

Info

Publication number
JP2013055387A
JP2013055387A JP2011190381A JP2011190381A JP2013055387A JP 2013055387 A JP2013055387 A JP 2013055387A JP 2011190381 A JP2011190381 A JP 2011190381A JP 2011190381 A JP2011190381 A JP 2011190381A JP 2013055387 A JP2013055387 A JP 2013055387A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
image sensor
pixel
measurement
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011190381A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Kai
慎一 甲斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2011190381A priority Critical patent/JP2013055387A/ja
Priority to US13/592,429 priority patent/US9111825B2/en
Publication of JP2013055387A publication Critical patent/JP2013055387A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

【課題】 受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できるようにする。
【解決手段】 イメージセンサは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、イメージセンサが光量計測に用いられる場合、有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。本技術は、光量計測に用いられるイメージセンサに適用することができる。
【選択図】図4

Description

本技術は、イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システムに関し、特に、受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できる、イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システムに関する。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)やCCD(Charge Coupled Device)等のイメージセンサは、複数の画素群からなる受光面を有しており、画像を撮像する一般的な用途の他、光量を測定する用途で用いられる場合がある。
このようなイメージセンサの受光面には、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とが存在する。光量測定の用途で用いられるイメージセンサでは、有効画素領域内の画素の出力値からオプティカルブラック領域内の画素の出力値が減算されることにより、熱や回路構造に起因する画素の出力値のオフセットやノイズが除去される(特許文献1参照)。
特開2007−300179号公報
しかしながら、画素の出力値のオフセットやノイズの量は温度によって変化するため、イメージセンサの受光面に温度分布が存在する場合には、温度分布に応じて各画素の出力値のオフセットやノイズにばらつきが生じる。したがって、計測に使用される画素の位置がオプティカルブラック領域に近い場合には、オフセットやノイズの量は、当該計測に使用される画素とオプティカルブラック領域内の画素とでほぼ同一になるため、当該計測に使用される画素に照射される光量を一定の精度で計測することができる。これに対して、計測に使用される画素の位置がオプティカルブラック領域から離れている場合には、オフセットやノイズの量は、当該計測に使用される画素とオプティカルブラック領域内の画素とで差が大きくなるため、当該計測に使用される画素に照射される光量を精度よく計測することができない。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測できるようにしたものである。
本技術の第1の側面のイメージセンサは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有するイメージセンサであって、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。
前記遮光領域は、前記イメージセンサ内で温度勾配が現れる方向に基づいて配置することができる。
前記イメージセンサの列方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置することができる。
前記イメージセンサの行方向に温度勾配が現れる場合、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置することができる。
前記イメージセンサの2次元方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置されるとともに、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置することができる。
前記有効画素領域は、複数の前記計測用領域に区分することができる。
本技術の第2の側面の光量計測方法は、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを用いて光量を計測する装置の光量計測方法であって、前記装置は、前記計測用領域の各画素の出力値を取得し、前記遮光領域の各画素の出力値に基づいて、前記オフセットやノイズ成分の値を演算し、取得された前記計測領域の各画素の出力値から演算された前記オフセットやノイズ成分の値を減算し、減算された値を光量として出力する。
本技術の第1の側面のイメージセンサにおいては、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有するイメージセンサであって、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される。
本技術の第2の側面の光量計測方法においては、光が照射される画素群からなる有効画素領域と、遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有し、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットやノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを用いて光量を計測する装置の光量計測方法であって、前記装置により、前記計測用領域の各画素の出力値が取得され、前記遮光領域の各画素の出力値に基づいて、前記オフセットやノイズ成分の値が演算され、取得された前記計測領域の各画素の出力値から演算された前記オフセットまたはノイズ成分の値が減算され、減算された値が光量として出力される。
本技術の第3の側面の顕微鏡システムは、光が照射される画素群からなる有効画素領域と遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有するイメージセンサであって、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は光量計測に用いられる計測用領域とオフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを有する撮像装置と、前記撮像装置に接続され、標本が載置されるステージと前記標本の拡大像を前記イメージセンサに結像させる光学系とを有する顕微鏡と、前記撮像装置の出力から光量を算出する情報処理装置とを具備する。
以上のごとく、本技術によれば、受光面における配置位置によらず画素に照射される光量を精度よく計測することができる。
顕微鏡システムの構成例を示す図である。 イメージセンサの構成を示す上面図である。 ROIを有する、イメージセンサの受光面の構成を示す上面図である。 本技術の手法が適用されたイメージセンサの受光面の構成例を示す上面図である。 CPUの機能的構成例を示すブロック図である。 光量計測処理の流れについて説明するフローチャートである。 ROIが異なる位置に配置されたイメージセンサの受光面の構成例を示す上面図である。 ROIが複数配置されたイメージセンサの受光面の構成例を示す上面図である。 補正領域について説明する図である。 イメージセンサの近傍に発熱部品が配置されて構成される回路基板の上面図の例である。 イメージセンサの近傍に発熱部品が配置されて構成される他の回路基板の上面図の例である。
[顕微鏡システムの構成例]
図1は、本技術を適用した顕微鏡システム1の構成例を示す図である。
顕微鏡システム1は、顕微鏡11、撮像装置12、PC(Personal Computer)13、補助装置14、及びPSU(Power Supply Unit)15から構成される。
顕微鏡11は、例えば観察者の網膜上又は撮像装置12のイメージセンサ上に観察対象の標本の拡大像を結像させるための光学系21と、当該標本が載置されるステージ22とを有する。ステージ22は、XYステージ22−1と、Zステージ22−2とから構成される。XYステージ22−1は、PC13のCPU(Central Processing Unit)41の制御により、または観察者による図示せぬハンドルの操作に応じて、光学系21に対して相対的にXY平面(例えば水平面)に平行に移動する。これにより、ステージ22に載置された標本もXY平面に平行に移動する。また、Zステージ22−2は、PC13のCPU41の制御により、または観察者による図示せぬハンドルの操作に応じて、光学系21に対して相対的にZ軸方向(例えば垂直方向)に平行に移動する。これにより、ステージ22に載置された標本もZ軸方向に平行に移動する。
すなわち、観察者は、ステージ22に載置された標本の拡大像を、光学系21を介して視認することができる。この場合、観察者は、標本の拡大像を自身の網膜上で合焦させるために、PC13や図示せぬハンドルを操作して、XYステージ22−1やZステージ22−2を移動させることで、光学系21に対する標本の相対的な配置位置を、3次元空間上の任意の位置に移動させる。
また例えば、撮像装置12が顕微鏡11に対して装着されると、撮像装置12は、ステージ22に載置された標本の拡大像を、光学系21を介して撮像することができる。
撮像装置12は、後述するイメージセンサ(図2のイメージセンサ61)が実装される回路基板が、その一部として形成されるかまたは装着されたカメラボード31を有する。カメラボード31は、PC13による遠隔制御により、ステージ22に載置された標本の拡大像を光学系21を介して撮像する動作を行う。この場合、カメラボード31の各種動作のトリガとなる信号は補助装置14から供給される。
PC13は、CPU41とチップセット42を含むように構成される。CPU41は、PC13の全体の動作を制御する。チップセット42は、CPU41の制御の下、各種処理を実行するチップ群から構成され、このようなチップの1つとしてホストコントローラ51を有している。ホストコントローラ51は、USB(Universal Serial Bus)接続された機器の遠隔制御を行う。ここでは、ホストコントローラ51は、USB接続されたカメラボード31を遠隔制御することによって、上述の如く標本の拡大像を撮像させる。
PSU(Power Supply Unit)15は、顕微鏡システム1を構成する各部、例えばPC13やカメラボード31に電力を供給する。
[基礎となるイメージセンサの構成例]
このように、カメラボード31には、イメージセンサが実装される回路基板がその一部として形成されるかまたは装着される。このような回路基板に実装されるイメージセンサが、光量測定の用途で用いられる場合、有効画素領域内の配置位置によらず画素に照射される光量が精度よく計測されることが要求される。
したがって、本発明者等は、まず、一般的なイメージセンサを用いて、有効画素領域内の画素に照射される光量の計測について検討を行った。
図2は、イメージセンサの構成を示す上面図である。
イメージセンサ61の受光面71には、有効画素領域81及びオプティカルブラック領域82が形成されている。
有効画素領域81は、光が照射される画素群からなる矩形の領域であり、図2の例では、受光面71の略中央部に配置される。
オプティカルブラック領域82は、アルミニウム等の遮光膜で覆われた画素群からなるL字型の領域であり、有効画素領域81から一定の距離だけ離間した位置に配置されている。
このように遮光されたオプティカルブラック領域82の出力値は、イメージセンサ61が画像を撮像する用途(例えば、デジタルカメラ等)で用いられる場合には、画像の黒レベルの基準値として利用される。すなわち、画像データを構成する各画素値は、有効画素領域81を構成する各画素の出力値から、オプティカルブラック領域82の出力値の平均値(黒レベルの基準値)が一律に減算されることにより、算出されることが多い。
これに対して、オプティカルブラック領域82の出力値は、イメージセンサ61が光量計測の用途で用いられる場合には、オフセットやノイズ成分の値として用いられる。すなわち、有効画素領域81の一部の画素が光量の計測に用いられ、これらの一部の画素の出力値から、オプティカルブラック領域82の画素の出力値(オフセットやノイズ成分の値)が減算されることにより、画素の出力値のオフセットやノイズが除去された光量が計測される。
このような有効画素領域81の一部の領域を光量計測に用いる場合としては、イメージセンサ61上にレンズ等の結像光学系を用いて被写体の像を形成する場合や、レンズ等の結像光学系を用いずにイメージセンサ61の直近に光源等の被測定物が設置される場合がある。以下、このように光量計測に用いられる有効画素領域81の一部の領域のことを、ROI(Region Of Interest)と称する。
図3は、ROIを有する、イメージセンサの受光面の構成を示す上面図である。
図3に示されるように、ROI91は、有効画素領域81内の一部の領域であり、図3の場合、有効画素領域81の略中央部に配置されている。
ここで、有効画素領域81のうちROI91以外の領域92について注目すると、当該領域92は、オプティカルブラック領域82よりもROI91に近いことから、イメージセンサ61の受光面71に温度分布が存在する場合、当該領域92内の各画素の温度は、オプティカルブラック領域82内の各画素の温度よりも、ROI91内の各画素の温度に近い。したがって、当該領域92内の各画素の出力値のオフセットやノイズは、オプティカルブラック領域82内の各画素の出力値のオフセットやノイズよりも、ROI91内の各画素の出力値のオフセットやノイズに近い。
そこで、本発明者等は、有効画素領域81のうちROI91以外の領域92は、光量計測に用いられないことに着目して、当該領域92を遮光し、当該領域92内の各画素の出力値をROI91のオフセットやノイズ成分の値として用いる、という手法を開発した。このような手法を、以下、本技術の手法と称すると、本技術の手法を適用することで、ROI91の配置位置によらず、ROI91内の各画素に照射される光量を精度よく計測できるようになる。
[本技術のイメージセンサの受光面の構成例]
図4は、本技術の手法が適用されたイメージセンサの受光面の構成例を示す上面図である。
イメージセンサ101の受光面111には、有効画素領域121及びオプティカルブラック領域122が形成されている。有効画素領域121には、ROI131及び遮光領域132が形成されている。
有効画素領域121は、光が照射される画素群からなる矩形の領域であって、図4の例では、受光面111の略中央部に配置される。
オプティカルブラック領域122は、アルミニウム等の遮光膜で覆われた画素群からなるL字型の領域であり、有効画素領域121から一定の距離だけ離間した位置に配置されている。
ROI131は、光量計測に用いられる矩形の領域であって、図4の例では、有効画素領域121の略中央部に配置される。
遮光領域132は、有効画素領域121のうちROI131以外の領域であって、遮光された領域である。遮光領域132に対する遮光の手法は特に限定されず、例えば、イメージセンサ101に図示せぬカバーガラスが装着されている場合には、当該カバーガラスにアルミニウム等の遮光膜が付加されることにより、遮光領域132が遮光されてもよい。また、例えば、当該カバーガラスに金属等の不透明な部材(例えばチップ等)を接触させることにより、遮光領域132が遮光されてもよい。また、例えば、当該カバーガラスに液晶シャッタを配置し、液晶シャッタによって光の透過率を変化させることにより、遮光領域132が遮光されてもよい。一方、イメージセンサ101にカバーガラスが装着されていない場合には、遮光領域132にアルミニウム等の遮光膜を付加させたり、遮光領域132に不透明な部材を接触させることにより、遮光領域132が遮光されるようにしてもよい。
イメージセンサ101のカバーガラスまたは遮光領域132に遮光膜が付加されることにより、恒久的に遮光領域132を遮光させることができる。これに対して、不透明な部材が押し当てられる位置を変化させたり、液晶シャッタにより遮光される位置を変化させることにより、一時的(すなわち、光量計測時)に遮光領域132を遮光させることができる。
図4に示されるように、遮光領域132は、オプティカルブラック領域122よりもROI131に近いことから、イメージセンサ101の受光面111に温度分布が存在する場合、遮光領域132内の各画素の温度は、オプティカルブラック領域122内の各画素の温度よりも、ROI131内の各画素の温度に近い。したがって、遮光領域132内の各画素の出力値のオフセットやノイズは、オプティカルブラック領域122内の各画素の出力値のオフセットやノイズよりも、ROI131内の各画素の出力値のオフセットやノイズに近い。
そこで、ROI131に照射された光量は、当該ROI131内の各画素の出力値から、遮光領域132の各画素の出力値に基づいて演算されたオフセットやノイズ成分の値が減算されて求められる。このようにして、ROI131に照射された光量は、オフセットやノイズが適切に除去されることによって、精度よく計測される。ここで、オフセットやノイズ成分の値の演算手法は、遮光領域132の各画素の少なくとも一部の出力値を用いる手法であれば任意の手法を採用することが可能である。例えば本例では、遮光領域132の各画素の平均値が、オフセットやノイズ成分の値として演算されるという手法が採用されている。
[CPUの機能的構成例]
図5は、図1のCPU41が有する機能のうち、ROI131に照射される光量を計測するための各種機能を実現させるための機能的構成例を示すブロック図である。
CPU41は、ROI画素出力値取得部151、遮光領域画素出力値取得部152、減算部153、及び光量出力部154を有している。
ROI画素出力値取得部151は、ROI131の各画素の出力値を取得する。
遮光領域画素出力値取得部152は、遮光領域132の各画素の出力値を取得し、取得した出力値に基づいて、オフセットやノイズ成分の値を演算する。この場合、遮光領域画素出力値取得部152は、遮光領域132の各画素の出力値の平均値を、オフセットやノイズ成分の値として演算する。
減算部153は、ROI画素出力値取得部151により取得されたROI131の各画素の出力値から、遮光領域画素出力値取得部152により演算されたオフセットやノイズ成分の値を減算する。これにより、ROI131に照射された光量が算出される。
光量出力部154は、減算部153により算出されたROI131の画素に照射された光量を出力する。
次に、CPU41が実行する処理(以下、光量計測処理と称する)について説明する。
[光量計測処理]
図6は、光量計測処理の流れについて説明するフローチャートである。
ステップS1において、ROI画素出力値取得部151は、ROI131の各画素の出力値を取得する。
ステップS2において、遮光領域画素出力値取得部152は、遮光領域132の画素の出力値に基づいて、オフセットやノイズ成分の値を演算する。
ステップS3において、減算部153は、ステップS1において取得されたROI131の画素の出力値から、ステップS2において演算されたオフセットやノイズ成分の値を減算する。これにより、ROI131に照射された光量が算出される。
ステップS4において、光量出力部154は、ステップS3において算出されたROI131に照射された光量を出力する。
これにより、光量計測処理は終了する。
以上のように、有効画素領域121のうち光量計測に使用されない領域を遮光して遮光領域132として、遮光領域132内の各画素の出力値をROI131のオフセットやノイズ成分の値とする。これにより、イメージセンサ101の受光面111に温度分布が存在する場合であっても、ROI131の画素に照射される光量を精度よく計測することができる。
[ROIの配置の他の例]
上述の例では、ROI131は、有効画素領域121の略中央部に配置された。しかしながら、ROI131の配置位置はこれに限定されない。例えば、図7に示されるように、ROI131は、有効画素領域121の端に配置されてもよく、その配置位置は、有効画素領域121内であればよい。
また、上述の例では、ROI131は、有効画素領域121内に1つのみ配置された。しかしながら、有効画素領域121内に配置されるROI131の数はこれに限定されない。
図8は、ROI131が複数配置されたイメージセンサ101の受光面111の構成例を示す上面図である。
図8の例では、有効画素領域121内には、ROI131−1乃至ROI131−6が配置されている。この場合、有効画素領域121のうちROI131−1乃至ROI131−6以外の領域が遮光され、遮光領域132とされる。
ROI131の数を増やし、複数のROI131の間に遮光領域132が存在するようにすることで、ROI131と遮光領域132との距離がより近くなる。したがって、イメージセンサ101の受光面111に温度分布が存在する場合であっても、より精度よくROI131に照射される光量を計測することができる。
上述の例では、ROI131に照射される光量は、ROI131の各画素の出力値から遮光領域132の各画素の出力値の平均値が減算されることにより計測された。しかしながら、ROI131に照射される光量は、遮光領域132の一部の領域(以下、補正領域と称する)の画素の出力値を用いて計測されてもよい。
[補正領域]
図9は、補正領域について説明する図である。
補正領域171−1乃至171−4は、遮光領域132のうち、ROI131の上下左右に位置する、所定形状の閉領域、図9の例では矩形の領域をいう。補正領域171−1,171−2の各々は、ROI131の上下にそれぞれ位置しており、各画素の行方向の位置座標のそれぞれは、ROI131の各画素の行方向の位置座標のそれぞれに対応している。すなわち、補正領域171−1,171−2の各々は、列方向において、ROI131を挟み込むように、それぞれ配置される。補正領域171−3,171−4の各々は、ROI131の左右にそれぞれ位置しており、各画素の列方向の位置座標のそれぞれは、ROI131の各画素の列方向の位置座標のそれぞれに対応している。すなわち、補正領域171−3,171−4の各々は、行方向において、ROI131を挟み込むように、それぞれ配置される。なお、以下、補正領域171−1乃至171−4を個々に区別する必要がない場合、これらをまとめて補正領域171と称する。
イメージセンサ101の受光面111のうち、行方向または列方向の一次元的な温度分布が一様ではない場合、ROI131に照射された光量は、イメージセンサ101の同一行または同一列に配置される各画素の出力値に基づいて求められる。すなわち、ROI131内の所定の行または所定の列に配置される各画素の出力値から、補正領域171内の、同一行または同一列に配置される各画素の出力値に基づいて演算されたオフセットやノイズ成分の値が減算されて、ROI131に照射された光量が求められる。
例えば、イメージセンサ101の行方向に水平な軸をX軸として、イメージセンサ101の列方向に水平な軸をY軸として、ROI131内の、照射された光量の測定対象として注目すべき画素を注目画素と称するものとする。ここで、図9中のX軸方向の線LhとY軸方向の線Lvとの交点の座標が(xp,yp)であり、当該交点に配置されているROI131の画素が注目画素であるものとする。
この場合、Y軸方向(すなわち、列方向)に温度分布が一様でないときには、ROI131の注目画素の光量の測定の際には、補正領域171−1,171−2内の、当該注目画素と同一のX座標xpに配置されている各画素、すなわち図9の線Lv上に配置されている各画素の出力値に基づいて補正される。例えば、ROI131内の注目画素の出力値から、補正領域171−1,171−2内の、線Lv上に配置されている各画素の出力値の平均値が減算されるという補正が行われる。このように、ROI131内の注目画素の出力値から、補正領域171−1,171−2内の図9の線Lv上(X座標xp)に配置される各画素の出力値に基づいて演算されたオフセットやノイズ成分の値が減算されるという補正が行われて、ROI131の注目画素に照射された光量が求められる。
また例えば、X軸方向(すなわち、行方向)に温度分布が一様でないときには、ROI131の注目画素の光量の測定の際には、補正領域171−3,171−4内の、当該注目画素と同一のY座標ypに配置されている各画素、すなわち図9の線Lh上に配置されている各画素の出力値に基づいて補正される。例えば、ROI131内の注目画素の出力値から、補正領域171−3,171−4内の、線Lh上に配置されている各画素の出力値の平均値が減算されるという補正が行われる。このように、ROI131内の注目画素の出力値から、補正領域171−3,171−4内の図9の線Lh上(Y座標yp)に配置される各画素の出力値に基づいて演算されたオフセットやノイズ成分の値が減算されるという補正が行われて、ROI131の注目画素に照射された光量が求められる。
このような行方向または列方向の画素の出力値を用いた光量の補正をROI131内の各画素毎に行うことによって、イメージセンサ101の受光面111において、行方向または列方向に一次元的に温度分布が一様でない場合であっても、ROI131に照射される光量を精度よく計測できるようになる。
さらに、イメージセンサ101の受光面111の温度分布が2次元方向に一様ではない場合には、ROI131の注目画素の光量の補正には、補正領域171−1,171−2内のX座標xpに配置されている各画素(すなわち、図9の線Lv上に配置されている各画素)の出力値と、補正領域171−3,171−4内のY座標ypに配置されている各画素(すなわち、図9の線Lh上に配置されている各画素)の出力値とのそれぞれが組み合わされて用いられる。
このような行方向及び列方向の両方向の各画素の出力値を組み合わせて用いた光量の補正をROI131内の各画素毎に行うことによって、イメージセンサ101の受光面111において、2次元方向に温度分布が一様でない場合であっても、ROI131に照射される光量を精度よく計測できるようになる。
すなわち、補正領域171が、イメージセンサ101の受光面111内で温度勾配が現れる方向に基づいて配置されていることにより、イメージセンサ101の受光面111において、温度分布が一様でない場合であっても、ROI131に照射される光量を精度よく計測できるようになる。
[イメージセンサの回路基板への実装]
次に、イメージセンサ101が、回路基板181に実装される場合について説明する。
イメージセンサ101が、回路基板181に実装される場合、イメージセンサ101の周辺には、抵抗やIC(Integrated Circuit)等の様々な電気部品が配置される。このような電気部品の中には、DC-DCコンバータ等の熱を発生する電気部品(以下、発熱部品と称する)もある。また、回路基板181のサイズや回路形状の制約等により、イメージセンサ101の近傍に発熱部品が配置される場合もある。したがって、このような場合には、ROI131の温度分布が可能な限り一様になるような位置に、発熱部品が配置されるようにすると好適である。
図10は、イメージセンサ101の近傍に発熱部品が配置されて構成される回路基板181の上面図である。
図10の例では、イメージセンサ101の受光面111の温度分布が可能な限り一様になるように、発熱部品191−1,191−2は、線Lcで示されるイメージセンサ101の受光面111の中心線から左右対称の位置にそれぞれ配置されている。しかしながら、このように発熱部品191−1,191−2が配置された場合であっても、イメージセンサ101の受光面111の温度分布が一様にならなかった場合には、次のようにしてROI131に照射される光の量が計測されるとよい。
図10に示される位置に発熱部品191−1,191−2が配置された場合、イメージセンサ101の受光面111の温度分布としては、Y軸方向に温度勾配が弱く表れる一方、X軸方向に温度勾配が強く表れる傾向がある。したがって、この場合、ROI131に照射される光量の計測において、ROI131内の注目画素の補正に用いられる遮光領域132内の画素は、注目画素と同一のX座標に配置されている画素の出力値が用いられるようにするとよい。
例えば、ROI131内の、図10に示される線Lcの画素が注目画素になっている場合には、遮光領域132内の、同一の線Lc上に配置されている画素の出力値が、注目画素の光量の補正に用いられる。
このようなY軸方向(すなわち、列方向)の画素の出力値を用いた光量の補正をROI131内の各画素毎に行うことによって、図10の様な状態であっても、ROI131に照射される光量を精度よく計測できるようになる。
なお、当然のことながら、発熱部品191−1,191−2は、イメージセンサ101の上下対称となる位置にそれぞれ配置されてもよい。この場合であっても、イメージセンサ101の受光面111の温度分布が一様にならなかった場合には、ROI131に照射される光量の計測において、RO131内の注目画素の補正に用いられる遮光領域132内の画素は、注目画素と同一のY座標に配置されている画素の出力値が用いられるようにするとよい。
図10の例のように、イメージセンサ101の受光面111の温度分布が一様になるような位置に発熱部品191を配置することができない場合には、図11に示されるような位置に発熱部品191が配置されるようにする。
図11は、イメージセンサ101の近傍に発熱部品が配置されて構成される他の回路基板181の上面図の例である。
図11の例では、イメージセンサ101の所定の一辺に沿った向き(この場合、X軸方向)に温度分布が発生するように、発熱部品211が左辺の略中央に配置されている。この場合、イメージセンサ101の受光面111の温度分布としては、X軸方向に温度勾配が強く表れる一方、Y軸方向の温度勾配は一様となる。したがって、この場合、ROI131内の注目画素の補正に用いられる遮光領域132内の画素は、注目画素と同一のX座標に配置されている画素の出力値が用いられるようにするとよい。
例えば、ROI131内の、図11に示される線Lv上の画素が注目画素になっている場合には、遮光領域132内の、同一の線Lv上に配置されている画素の出力値が、注目画素の光量の補正に用いられる。
なお、当然のことながら、イメージセンサ101のY軸方向に温度分布が発生するように、発熱部品211が配置されてもよい。この場合、ROI131に照射される光量の計測において、RO131内の注目画素の補正に用いられる遮光領域132内の画素は、注目画素と同一のY座標に配置されている画素の出力値が用いられるようにするとよい。
以上のように、イメージセンサ101が回路基板181に実装される場合には、イメージセンサ101の受光面111に発生する温度分布を鑑みた位置に、発熱部品が配置されるようにする。これにより、遮光領域132の画素の出力値を用いてROI131の画素に照射される光量をより精度よく計測できるようになる。
本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
上述の例では、イメージセンサ101は、顕微鏡システム1の構成要素である撮像装置12のカメラボード31の一部として形成されるかまたは装着された回路基板に実装されるものとして説明した。しかしながら、これに限定されず、本技術のイメージセンサ101は、イメージセンサを光量計測の用途で用いる場合に広く適用することができる。
なお、本技術は、以下のような構成もとることができる。
(1)
光が照射される画素群からなる有効画素領域と、
遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域と
を有するイメージセンサであって、
前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、
前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットやノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される
イメージセンサ。
(2)
前記遮光領域は、前記イメージセンサ内で温度勾配が現れる方向に基づいて配置される
前記(1)に記載の情報処理装置。
(3)
前記イメージセンサの列方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
前記(1)または(2)に記載のイメージセンサ。
(4)
前記イメージセンサの行方向に温度勾配が現れる場合、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載のイメージセンサ。
(5)
前記イメージセンサの2次元方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置されるとともに、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載のイメージセンサ。
(6)
前記有効画素領域は、複数の前記計測用領域に区分される
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載のイメージセンサ。
(7)
光が照射される画素群からなる有効画素領域と、
遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域と
を有し、
前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、
前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットやノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを用いて光量を計測する装置の光量計測方法であって、
前記装置は、
前記計測用領域の各画素の出力値を取得し、
前記遮光領域の各画素の出力値に基づいて、前記オフセットやノイズ成分の値を演算し、
取得された前記計測領域の各画素の出力値から演算された前記オフセットやノイズ成分の値を減算し、
減算された値を光量として出力する
光量計測方法。
(8)
光が照射される画素群からなる有効画素領域と遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有するイメージセンサであって、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は光量計測に用いられる計測用領域とオフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを有する撮像装置と、
前記撮像装置に接続され、標本が載置されるステージと前記標本の拡大像を前記イメージセンサに結像させる光学系とを有する顕微鏡と、
前記撮像装置の出力から光量を算出する情報処理装置と
を具備する顕微鏡システム。
101 イメージセンサ, 111 受光面, 121 有効画素領域, 122 オプティカルブラック領域, 131 ROI, 132 遮光領域, 171 補正領域, 191 発熱部品

Claims (8)

  1. 光が照射される画素群からなる有効画素領域と、
    遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域と
    を有するイメージセンサであって、
    前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、
    前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分される
    イメージセンサ。
  2. 前記遮光領域は、前記イメージセンサ内で温度勾配が現れる方向に基づいて配置される
    請求項1に記載のイメージセンサ。
  3. 前記イメージセンサの列方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
    請求項2に記載のイメージセンサ。
  4. 前記イメージセンサの行方向に温度勾配が現れる場合、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
    請求項2に記載のイメージセンサ。
  5. 前記イメージセンサの2次元方向に温度勾配が現れる場合、前記列方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置されるとともに、前記行方向において前記計測用領域を挟み込むように、2つの遮光領域がそれぞれ配置される
    請求項2に記載のイメージセンサ。
  6. 前記有効画素領域は、複数の前記計測用領域に区分される
    請求項1に記載のイメージセンサ。
  7. 光が照射される画素群からなる有効画素領域と、
    遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域と
    を有し、
    前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、
    前記有効画素領域は、光量計測に用いられる計測用領域と、オフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる、遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを用いて光量を計測する装置の光量計測方法であって、
    前記装置は、
    前記計測用領域の各画素の出力値を取得し、
    前記遮光領域の各画素の出力値に基づいて、前記オフセットやノイズ成分の値を演算し、
    取得された前記計測領域の各画素の出力値から演算された前記オフセットやノイズ成分の値を減算し、
    減算された値を光量として出力する
    光量計測方法。
  8. 光が照射される画素群からなる有効画素領域と遮光された画素群からなるオプティカルブラック領域とを有するイメージセンサであって、前記イメージセンサが光量計測に用いられる場合、前記有効画素領域は光量計測に用いられる計測用領域とオフセットまたはノイズ成分の値の演算に用いられる遮光された遮光領域とを有するように区分されるイメージセンサを有する撮像装置と、
    前記撮像装置に接続され、標本が載置されるステージと前記標本の拡大像を前記イメージセンサに結像させる光学系とを有する顕微鏡と、
    前記撮像装置の出力から光量を算出する情報処理装置と
    を具備する顕微鏡システム。
JP2011190381A 2011-09-01 2011-09-01 イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム Withdrawn JP2013055387A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011190381A JP2013055387A (ja) 2011-09-01 2011-09-01 イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム
US13/592,429 US9111825B2 (en) 2011-09-01 2012-08-23 Image sensor, light quantity measurement method, and microscope system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011190381A JP2013055387A (ja) 2011-09-01 2011-09-01 イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013055387A true JP2013055387A (ja) 2013-03-21

Family

ID=47752378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011190381A Withdrawn JP2013055387A (ja) 2011-09-01 2011-09-01 イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9111825B2 (ja)
JP (1) JP2013055387A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3499871A1 (en) 2017-12-15 2019-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and method of driving imaging device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9560294B2 (en) * 2014-12-10 2017-01-31 Semiconductor Components Industries, Llc Systems and methods for pixel-level dark current compensation in image sensors
KR102550584B1 (ko) 2015-05-19 2023-06-30 매직 립, 인코포레이티드 세미-글로벌 셔터 이미저
KR102669696B1 (ko) 2019-09-16 2024-05-28 삼성전자주식회사 이미지 센서
DE102020120595A1 (de) 2019-09-16 2021-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Bildsensor
CN112702483B (zh) * 2020-12-22 2022-06-03 深圳市锐尔觅移动通信有限公司 感光芯片、摄像头模组与电子设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7345814B2 (en) * 2003-09-29 2008-03-18 Olympus Corporation Microscope system and microscope focus maintaining device for the same
JP4806584B2 (ja) 2006-04-27 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 画像処理方法及び画像処理回路
JP4619375B2 (ja) * 2007-02-21 2011-01-26 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3499871A1 (en) 2017-12-15 2019-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and method of driving imaging device
US10645316B2 (en) 2017-12-15 2020-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and method of driving imaging device

Also Published As

Publication number Publication date
US20130056616A1 (en) 2013-03-07
US9111825B2 (en) 2015-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013055387A (ja) イメージセンサ、光量計測方法及び顕微鏡システム
JP4652391B2 (ja) パターン検査装置、及び、パターン検査方法
KR101081538B1 (ko) 3차원 형상 측정장치 및 측정방법
JP5963514B2 (ja) 測距装置、測距方法及び撮像システム
EP2372651A1 (en) Image pickup apparatus and range determination system
CN111492201A (zh) 测距摄像机
KR20110089486A (ko) 실장기판 검사장치 및 검사방법
JP5580220B2 (ja) 放射線検査装置、放射線検査方法
JP2015049200A (ja) 計測装置、方法及びプログラム
TWI592628B (zh) Three-dimensional measuring device
JP6150497B2 (ja) 検出装置、及び、プログラム
TWI655496B (zh) 參照圖像確認方法、光罩檢測方法及光罩檢測裝置
EP3385663B1 (en) Height measuring and estimation method of uneven surface of microscope slide, and microscope
JP6792369B2 (ja) 回路基板の検査方法及び検査装置
JP5674453B2 (ja) 計測装置
US9774771B2 (en) Preparation, transparent plate, method for producing preparation, slide glass, imaging apparatus, imaging method, preparation producing apparatus, and preparation component set
CN107532889B (zh) 三维测量装置
JP6553011B2 (ja) 三次元計測装置
JP6147971B2 (ja) 画像処理装置及び画像処理方法
JP2006010312A (ja) 撮像装置
JP2019219357A (ja) 撮影装置、撮影方法および撮影プログラム
JP2015105897A (ja) マスクパターンの検査方法
JP4760072B2 (ja) X線検査装置及びx線検査方法
WO2013175590A1 (ja) 計測装置
US10080011B1 (en) Light field imaging apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20141104