JP2013051278A - ダイボンダ及び半導体製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
本発明は、ダイを確実にピックアップできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、ダイボンダまたは半導体製造方法において、ウェハ上のダイを囲むダインシング溝を第１の照度で撮像し第1の撮像データを得、前記第１の撮像データから前記ダイシングク溝を検出し、前記ダイの所定位置の粗位置決め位置を定める粗位置決めし、前記ダイを第２の照度で撮像し第２の撮像データを得、前記第２の撮像データから前記粗位置決めに基づいて検索エリアを切り出し、前記検索エリアと予め定めたテンプレートとのマッチング処理を行ない前記所定位置の精細位置決め位置を定め、前記精細位置決め位置に基づいてボンディングヘッドのピックアップ位置を補正し、前記ダイをウェハからピックアップし基板にボンディングする。
【選択図】図８

Description

本発明は、ダイボンダ及び半導体製造方法に係わり、特にダイを確実にピックアップできるダイボンダ及び半導体製造方法に関する。

半導体製造装置の一つに半導体チップ（ダイ）をリードフレームなどの基板にボンディングするダイボンダがある。ダイボンダでは、ボンディングヘッドでダイを真空吸着し、高速で上昇し、水平移動し、下降して基板に実装する。

ボンディングヘッドでダイを真空吸着する場合、確実にダイをピックアップする必要がある。昨今のダイの薄厚化に伴いその要求は高い。そのために、ダイの位置を認識してダイのズレを検出し、そしてボンディングヘッドの位置を補正し、ダイをピックアップする。

ダイの位置を認識する方法として、例えば特許文献１、２に示す技術がある。特許文献１には、図９（ａ）に示すように、ダイの位置合わせマークＭやパッドＤｐのユニークな部分Ｐｕにおける撮像データと予め倣い動作で得られたテンプレートとをパターンマッチングしてダイの位置を認識する方法が開示されている。一方、特許文献２には、図５に示すようにダイを有する撮像データを２値化処理などして、ウェハに多数形成されたダイを個々に分けるダイシングの溝を検出し、ダイの中心位置を求める方法が開示されている。

特開２００３−１８８１９３号公報 特開２０１１−０６１０６９号公報

しかしながら、特許文献１に開示されたパターンパッチングの方法は次に示す課題がある。第１に、図４に示すように、昨今、パッド配列Ｐｒや半導体パターンＨＰ等の模様が均一な品種が増加し、ユニークな部分を見つけることが困難である。そのようなダイでパターンマッチングを用いると類似ポイントが多く、本来見つけたい場所以外を誤検出する虞がある。第２に、図９（ｂ）に示すように、昨今のダイの薄厚化が進むとダイの反りが大きくなり、ユニークな部分が黒ずむ（斜線で示した部分）ことがある。その結果、ユニークな部分の検出が困難となり、パターンマッチングの一致率が著しく低下し、誤検出し易くなる。第３に、ウェハ上は同一のダイが配置しており、単独のダイでユニークな模様を有する部分を選んでも、隣接するダイに類似な模様がある場合があり、誤検出する虞がある。

一方、特許文献２に示すようなダイシング溝を検出による方法は、図９（ｃ）に示すようにダイシング溝がその凸凹で不安定である、或いはダイの位置決め精度がダイシングの状態/精度に依存する、ために検出精度が悪いという課題がある。

従って、本発明の目的は上記課題のうち少なくとも一つを解決し、ダイを確実にピックアップできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、ダイボンダまたは半導体製造方法において、ウェハ上のダイを囲むダインシング溝を第１の照度で撮像し第1の撮像データを得、前記第１の撮像データから前記ダイシングク溝を検出し、前記ダイの所定位置の粗位置決め位置を定める粗位置決めし、前記ダイを第２の照度で撮像し第２の撮像データを得、前記第２の撮像データから前記粗位置決めに基づいて検索エリアを切り出し、前記検索エリアと予め定めたテンプレートとのマッチング処理を行ない前記所定位置の精細位置決め位置を定め、前記精細位置決め位置に基づいてボンディングヘッドのピックアップ位置を補正し、前記ダイをウェハからピックアップし基板にボンディングすることを第１の特徴とする。

また、本発明は、前記テンプレートは前記ダイの規則的なパターンの配列に基づいて定めることを第２の特徴とする。
さらに、本発明は、前記検索エリアは前記テンプレートのサイズの二方向のそれぞれ対して、前記規則的なパターン配列のピッチより小さく、且つダイシング溝（ダイシング溝の精度によって得られる前記ダイの座標位置）の精度よりも大きな長さを加えたエリアとすることを第３の特徴とする。

また、本発明は、前記テンプレートは前記規則的なパターンのサイズより大きく２つ以上の前記規則的なパターンに跨って形成されることを第４の特徴とする。
さらに、本発明は、前記規則的なパターンの配列はパッド配列であることを第５の特徴とする。

また、本発明は、前記精細位置決め位置を異なる２箇所で定め、前記２箇所の前記精細位置決め位置に基づいて前記ダイの回転を補正することを第６の特徴とする。
さらに、本発明は、前記ピックアップ位置の補正のうち、少なくとも前記回転と前記ピックアップ位置から前記ボンディング位置に移動する方向の補正は、前記ボンディングヘッドで補正することを第７の特徴とする。

本発明によれば、少なくとも上述した課題の一つを解決し、ダイを確実にピックアップできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供できる。

本発明の一実施形態であるダイボンダを上から見た概念図である。 本実施形態における光学系構成図を示す図である。 本実施形態における制御系の概略構成図である。 ユニークなパッド配列を有しない本実施形態の第１の実施例が対象とするダイを示す図である。 第１の実施例で用いるダイシング溝（ダイシングライン）による粗位置決め方法を示す図である。 粗位置決めに基づいて精細位置決めする第１の実施例におけるパターンマッチングの説明図である。 テンプレートのサイズの条件を示した図である。 第１の実施例におけるボンディング処理フローを示す図である。 本発明の課題を説明する図であって図９（ｂ）はユニークなパッド配列を有しない本実施形態の第２の実施例が対象とするダイを示す図である。

以下、図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の一実施形態であるダイボンダ１０を上から見た概念図である。ダイボンダは大別してウェハ供給部１と、ワーク供給・搬送部２と、ダイボンディング部３とを有する。

ウェハ供給部１は、ウェハカセットリフタ１１と、ピックアップ装置１２とを有する。ウェハカセットリフタ１１はウェハリングが充填されたウェハカセット（図示せず）を有し，順次ウェハリングをピックアップ装置１２に供給する。ピックアップ装置１２は、所望するダイをウェハリングからピックアップできるように、ウェハリングを移動する。

ワーク供給・搬送部２はスタックローダ２１と、フレームフィーダ２２と、アンローダ２３とを有し、ワーク（リードフレーム等の基板）を矢印方向に搬送する。スタックローダ２１は、ダイを接着するワークをフレームフィーダ２２に供給する。フレームフィーダ２２は、ワークをフレームフィーダ２２上の２箇所の処理位置を介してアンローダ２３に搬送する。アンローダ２３は、搬送されたワークを保管する。
ダイボンディング部３はプリフォーム部（ペースト塗布ユニット）３１とボンディングヘッド部３２とを有する。プリフォーム部３１はフレームフィーダ２２により搬送されてきたワーク、例えばリードフレームにニードルでダイ接着剤を塗布する。ボンディングヘッド部３２は、ピックアップ装置１２からダイをピックアップして上昇し、ダイをフレームフィーダ２２上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド部３２はボンディングポイントでダイを下降させ、ダイ接着剤が塗布されたワーク上にダイをボンディングする。

ボンディングヘッド部３２は、ボンディングヘッド３５（図２参照）をＺ（高さ）方向に昇降させ、Ｙ方向に移動させるＺＹ駆動軸６０と、Ｘ方向に移動させＸ駆動軸７０とを有する。ＺＹ駆動軸６０は、矢印Ｃで示すＹ方向、即ちボンディングヘッドをピックアップ装置１２内のピックアップ位置とボンディングポイントとの間を往復するＹ駆動軸４０と、ダイをウェハからピックアップする又は基板Ｂにボンディングするために昇降させるＺ駆動軸５０とを有する。Ｘ駆動軸７０は、ＺＹ駆動軸６０全体を、ワークを搬送する方向であるＸ方向に移動させる。

図２は、本実施形態における光学系構成図を示す図である。光学系３８は、ニードル３６の塗布位置を把握するプリフォーム部光学系３３と、ボンディングヘッド３５が搬送されてきた基板Ｂにボンディングするボンディング位置を把握するボンディング部光学系３４と、ボンディングヘッド３５がウェハ１４からピックアップするダイＤのピックアップ位置を把握するウェハ部光学系１５とを有する。各部光学系は、対象に対して照明する照明装置とカメラを有する。ウェハ１４において網目状にダイシングされたダイＤは、ウェハリング１６に固定されたダイシングテープ１７に固定されている。

この構成によって、ダイ接着剤がニードル３６によって正確な位置に塗布され、ダイがボンディングヘッド３５によって確実にピックアップされ、基板Ｂの正確な位置にボンディングされる。

図３は上述した動作を制御する制御系４０の概略構成図である。制御系４０は、大別して、主としてＣＰＵで構成される制御・演算部４１と、記憶装置４２と、入出力装置４３と、バスライン４４と、電源部４５とを有する。記憶装置４２は、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭで構成されている主記憶装置４２ａと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤで構成されている補助記憶装置４２ｂとを有する。入出力装置４３は、装置状態や情報等を表示するモニタ４３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル４３ｂと、モニタを操作するマウス４３ｃと、光学系３８からの画像データを取り込む画像取込装置４３ｄと、ピックアップ装置１２のＸＹテーブル（図示せず）やＺＹ駆動軸６０等のモータ６５を制御するモータ制御装置４３ｅと、種々のセンサ信号や照明装置などのスイッチ等の信号部６６から信号を取り込み又は制御するＩ／Ｏ信号制御装置４３ｆとを有する。制御・演算部４１はバスライン４５４４を介して必要なデータを取込み、演算し、ボンディングヘッド３５等の制御や、モニタ４３ａ等に情報を送る。

次に、本発明の実施形態の特徴であるダイＤの位置を検出し、ダイボンディングヘッドとの相対位置を補正する方法を説明する。
本実施形態の基本的考え方は、ダイシング溝の精度（ダイシング溝の精度によって得られるダイの位置の精度）が、一般的にパッドピッチＰよりも良いことに基づいて得られたものである。本実施形態の基本的考え方は、ダイシング溝を検出してダイの位置を粗位置決めし、粗位置決め位置に基づいて検索エリアを設定し、予め決められたテンプレートとのマッチング処理により、ダイの位置を精細位置決めする。
本実施形態の第１の実施例は、図９に示すようなユニークなパット配列ＰｕやアライメントマークＭなどのユニークな部分がないダイＤを対象とし、図４に示すようにユニークでない一定のピッチで配列されたパット配列Ｐｒを用いてダイＤの位置を検出する。以下、第１の実施例のおけるダイＤの位置の検出方法を、図５、図６を用いて説明する。

図５は、ダイシング溝（ダイシングライン）ＤＬｘ、Ｄｌｙによる粗位置決め方法を示す図である。図６は、図４に示す太線Ｒ１領域内を切り出した位置において、図５で得られた粗位置決めに基づいて得られる検索エリアでパターンマッチングを行い、所定の精度を有する精細位置決め方法を示す図である。

まず、図５に示すように、ウェハ部光学系１５得られた撮像データから目的とするダイＤｍを囲むダイシング溝を検出し、ダイの中心位置Ｄｃ（ｘｄ、ｙｄ）の粗位置決めをする。なお、図５ではＸ方向のみを図示しているが、Ｙ方向も同様である。

次に、図６（ａ）に示すように、パターンマッチングする検索エリアＫｇ（Ｘｋ×Ｙｋ）を、図６（ｂ）で示す、パットＤｐを含むテンプレートＴｐのサイズ（Ｘｔ×Ｙｔ）よりもそれぞれＸ、Ｙ方向に高々パッドピッチＰ分広く取ることにで、テンプレートが一義的に入ることになる。テンプレートが一義的に入ることで、テンプレートマッチングでウェハ部光学系１５得られた撮像データにおけるテンプレートの中心位置Ｔｃ（ｘｔ、ｙｔ）を検出できる。なお、上述では、検索エリアを高々パッドピッチＰ分広く取るといったが、パッドピッチＰ分以下、ダイシング溝の精度（ダイシング溝の精度によって得られるダイの位置の精度）以上の間で広く取る。言い換えれば、前記検索エリアＫｇを、テンプレートのサイズのＸ、Ｙ方向のそれぞれ対して、前記規則的なパターン配列のピッチより小さく、且つダイシング溝（ダイシング溝の精度によって得られる前記ダイの位置）の精度よりも大きな長さを加えたエリアとする。

この結果、図６（c）に示すように、検索エリアＫｇの中心位置Ｋｃ（ｘｋ、ｙｋ）、即ち位置ズレが無い時のテンプレートの中心位置Ｔｃから補正値である位置ズレ（ΔＸ、ΔＹ）を検出できる。

この処理を図４に示すよう、他の１箇所、可能ならば太線枠内Ｒ１領域の対角位置の太線枠内Ｒ２領域にある位置で求めることにより回転ズレΔθも求めることができる。

図７は、テンプレートＴｐが検索エリアに一義的に入るサイズの条件を示した図である。一義的に入るテンプレートの条件として、検索エリアＫｇ内で同一又は類似のパターン（模様）が生じないことである。この観点から、図７（ａ）から図７（ｃ）は好ましくない例を、図７（ｄ）は好適な例を示す。

図７（ａ）は、テンプレートＴｐのＸ方向のサイズＸｔがパッドＤｐのサイズＸｐのサイズよりも小さく、マッチングした時にスコアが同じになり、一義的に決まらない例である。図７（ｂ）は、同様にテンプレートＴｐのＹ方向のサイズＹｔがパッドＤｐのサイズＹｐのサイズよりも小さく、一義的に決まらない例である。図７（ｃ）は、テンププレートＴｐの上下両端が撮像画像のパット間隔Ｐｐの領域に入り、上下両端が撮像画像のパット間隔Ｐｐの領域に入っている間はスコアが同じになり、一義的に決まらない例である。

図７（ｄ）は、図７（ａ）から図７（ｃ）の条件をクリアしたテンプレートＴｐの好適な例である。即ち、テンプレートＴｐは、そのサイズがパットＤｐのサイズより大きく、２つ以上のパットＤｐに跨って形成されている。図７（ｄ）においてパットＤｐに跨って関与する数は３である。

テンプレートＴｐに関与するパッドＤｐの数は、マッチング処理できるという点では関係ないが、多くなるとマッチ処理に時間がかかるで、最小数が最適である。最小数は、パッドＤｐのＹ方向のサイズＹｐがパッド間隔Ｐｐより長い場合は２個である。逆に短い場合は、パッド間隔Ｐｐが２個以上となり、パットＤｐ自体は１個となる。

以上の説明では一義的には入ることに拘ったが、必ずしも一義的でなくてもよい。例えば、図７（ａ）については、パットサイズＸｐとテンプレートサイズＸｔの差（Ｘｐ−Ｘｔ）の長さにマッチッグのスコア値が一定の部分ができる。そこで、その一定の部分の中心位置をマッチング位置、即ちテンプレートの中心位置Ｔｃとすることができる。図７（ｂ）のＹ方向についても同様である。また、図７（ｃ）においても、テンプレートの上端または下端がパッド間隔Ｐｐに存在する間はスコア値が一定となる。図７（ａ）の場合と同様に一定部分の中心位置をマッチング位置とすることができる。

次に、以上説明した第１の実施例におけるボンディング処理フローを図６に示すケースについて図８を用いて説明する。

まず、例えば、図４に示す領域Ｒ1、Ｒ２に図６（ａ）に示す検索エリアＫｇを設定する（ステップ１）。ダイシング溝を検出に適した照度で照明し（ステップ２）、図５に示すように、ピックアップするダイＤｍを囲むダイシング溝ＤＬｘ、ＤＬｙをウェハ部光学系１５のカメラで撮像し（ステップ３）、得られた撮像データからダイシング溝ＤＬｘ、ＤＬｙを検出し、ダイの中心位置Ｄｃ（ｘｄ、Ｙｄ）の粗位置決めする（ステップ４）。

次に、パターンマッチングに適した照度で照明し（ステップ５）、目的とするダイＤｍを撮像する（ステップ６）。その後、ステップ４で求めたダイの中心位置Ｄｃの粗位置決めに基づいて、ステップ１で定めた２箇所の検索エリアを切り出し、予め定めた図６（ｂ）に示すテンプレートＴｐでマッチング処理し、２箇所の検索エリアＫｇにおける精細位置決めをする。この場合は、最も高いスコアの位置を精細位置決め位置の精細座標とする（ステップ７）。

精細位置決め結果を再確認するために、２箇所の検索エリアの精細座標の相対的な関係がステップ１の設定時と所定の範囲で同じであることを確認する（ステップ８）。その後、２箇所の精細位置決め位置の精細座標から目的とする回転も含めたダイＤｍの中心位置（Ｘ,Ｙ,θ）を求める。なお、検索エリアの再確認の回数は、より精度を高めるのであれば３箇所以上でも構わない（ステップ９）。

次に、ダイＤｍの中心位置（Ｘ,Ｙ,θ）からボンディンヘッドの位置を補正し、ダイをピックアップし基板Ｂにボンディングする（ステップ１０）と共に、次のダイを検出できるようにウェハ１４を移動する（ステップ１１）。最後に、例えば所定枚数の基板に対して処理をしたかを判断し（ステップ１２）、処理を終了させる。

以上説明した第１の実施例によれば、ユニークな部分が存在しなくてもダイを確実にピックアップできる。

また、以上説明した第１の実施例によれば、ダイシング溝に粗位置決めをすることで検索エリアを小さくでき、検索エリアが隣接するダイに及ぶことがないので、隣接するダイに類似な模様がある場合でも誤検出することはない。
前述の隣接するダイに類似な模様がある場合でも誤検出することはないことに関しては、テンプレートとしてユニークな部分を用いても効果を得ることができる。

さらに、以上説明した第１の実施例によれば、ダイシング溝を得る撮像と、マッチングするための撮像とをそれぞれ適した照度で行なうことで、課題で示した図９（ｂ）に示す黒ずみの影響を低減でき、ダイの位置を精度よく検出できる。
しかしながら、同一照度でスクライブ溝と検索エリアの画像を１回の画像で得られれば、同一画像に基づいて、粗位置決め及び精細位置決めを行ってもよい。

図９（ｂ）は、本実施形態の第２の実施例の対象を示す図である。課題で示したように、昨今のダイの薄厚化が進みダイの反りが大きくなり、ユニークな部分が黒ずむ（斜線で示した部分）ことがある。そこで、検索エリアＫｇの撮像データのレベルから検索エリア黒ずんでいないかを判定し、黒ずんでいたら撮像データのうち黒ずんでいないエリアを探索する。そこで、例えば、黒ずんでいない部分のダイシング溝の検出結果やダイの寸法からダイ中心位置の粗位置決めを行なう。例えば、図９（ｂ）において、上部の左右の２本のダイシング溝ＤＬｙからＸ方向の中心位置を、上部のダイシング溝ＤＬｘとＹ方向のダイの寸法からＹ方向の中心位置をそれぞれ検出し、ダイ中止位置の粗位置決めを行なう。

次に、検索エリアＫｇを黒ずんでいない領域のパッド領域を検索し、その領域に検索エリアＫｇを写しパターンマッチングする。例えば、第１の実施例の領域Ｒ１に設定した検索エリアＫｇを上部に新たな検索エリアＫｇ’を設定する。２つの検索エリアの間隔は、その間に同一間隔で存在するパッドの数で簡単に得ることができる。即ち、ダイの中心位置と新たな検索エリアＫｇ’との関係を得ることができる。また、パッドピッチＰは同一であるから、図６（ｂ）で示したテンプレートＴｐは、新たな検索エリアＫｇ’にも適用できる。そこで、新たな検索エリアＫｇ’で精細位置決めをできる。

以上の説明した第２の実施例によれば、図９（ｂ）に示す黒ずみが存在しても、
ダイシング溝で粗位置決めし、ユニークな部分が存在しない部分をテンプレートとして詳細位置決めすることで、ダイを確実にピックアップできる。

以上の実施形態では、テンプレートをパッドＤｐで作成したが、ダイシング精度より短い間隔で半導体パターンがサイクリックに存在すれば、そのパターンでテンプレートを作成してもよい。

以上のように本発明の実施形態について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。

１：ウェハ供給部 ２：ワーク供給・搬送部
３：ダイボンディング部 １０：ダイボンダ
１２：ピックアップ装置 １４：ウェハ
１５：ウェハ部光学系 １６：ウェハリング
１７：ダイシングテープ ３２：ボンディングヘッド部
３３：プリフォーム光学系 ３４：ボンディング部光学系
３５：ボンディングヘッド ３８：光学系
４０：制御系 ４１：制御・演算部
４２：記憶装置 ４３：入出力装置
４４：バスライン ４５：電源部
Ｂ：基板 Ｄ：ダイ
Ｄｃ：ダイの中心位置 Ｄｍ：検査目的のダイ
Ｄｐ：パッド ＤＬｘ、ＤＬｙ：スクライブ溝
ＨＰ：半導体パターン Ｋｇ、Ｋｇ’：検索エリア
Ｍ：位置合わせマーク Ｐ：パッドピッチ
Ｐｒ：パッド配列 Ｐｕ：パッドのユニークな部分
Ｒ１、Ｒ２：検索エリアを含む領域 Ｔｐ：テンプレート

Claims (17)

1. ウェハ上のダイを囲むダインシング溝を第１の照度で撮像し第1の撮像データを得る第１の撮像手段と、
   前記第１の撮像データから前記ダイシングク溝を検出し、前記ダイの所定位置の粗位置決め位置を定める粗位置決め手段と、
   前記ダイを第２の照度で撮像し第２の撮像データを得る第２の撮像手段と、
   前記第２の撮像データから前記粗位置決めに基づいて検索エリアを切り出し、前記検索エリアと予め定めたテンプレートとのマッチング処理を行ない前記所定位置の精細位置決め位置を定める精細位置決め手段と、
   前記精細位置決め位置に基づいてボンディングヘッドのピックアップ位置を補正し、前記ダイをウェハからピックアップし基板にボンディングすること、
   を特徴とするダイボンダ。
2. 前記テンプレートは前記ダイの規則的なパターンの配列に基づいて定めることを特徴とする請求項１に記載のダイボンダ。
3. 前記検索エリアは前記テンプレートのサイズの二方向のそれぞれ対して、前記規則的なパターン配列のピッチより小さく、且つダイシング溝(ダイシング溝の精度によって得られる前記ダイの座標位置)の精度よりも大きな長さを加えたエリアとすることを特徴とする請求項２に記載のダイボンダ。
4. 前記テンプレートは前記規則的なパターンのサイズより大きく２つ以上の前記規則的なパターンに跨って形成されることを特徴とする請求項２に記載のダイボンダ。
5. 前記規則的なパターンの配列はパッド配列であることを特徴とする請求項２に記載のダイボンダ。
6. 前記テンプレートは前記ダイにユニークな部分に基づいて定めることを特徴とする請求項１に記載のダイボンダ。
7. 前記第１の撮像手段と前記第２の撮像手段は同一であることを特徴とする請求項１に記載のダイボンダ。
8. 前記精細位置決め位置を異なる複数箇所で定め、前記複数箇所の前記精細位置決め位置に基づいて前記ダイの回転を補正することを特徴とする請求項１に記載のダイボンダ。
9. 前記ピックアップ位置の補正のうち、少なくとも前記回転と前記ピックアップ位置から前記ボンディング位置に移動する方向の補正は、前記ボンディングヘッドで補正することを特徴とする請求項８に記載のダイボンダ。
10. ウェハ上のダイを囲むダインシング溝を第１の照度で撮像し第1の撮像データを得る第１の撮像ステップと、
    前記第１の撮像データから前記ダイシングク溝を検出し、前記ダイの所定位置の粗位置決め位置を定める粗位置決めステップと、
    前記ダイを第２の照度で撮像し第２の撮像データを得る第２の撮像ステップと、
    前記第２の撮像データから前記粗位置決めに基づいて検索エリアを切り出し、前記検索エリアと予め定めたテンプレートとのマッチング処理を行ない前記所定位置の精細位置決め位置を定める精細位置決めステップと、
    前記精細位置決め位置に基づいてボンディングヘッドのピックアップ位置を補正し、前記ダイをウェハからピックアップし基板にボンディングすること、
    を特徴とする半導体製造方法。
11. 前記テンプレートは前記ダイの規則的なパターンの配列に基づいて定めることを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造方法。
12. 前記検索エリアは前記テンプレートのサイズの二方向のそれぞれ対して、前記規則的なパターン配列のピッチより小さく、且つダイシング溝（ダイシング溝の精度によって得られる前記ダイの座標位置）の精度よりも大きな長さを加えたエリアとすることを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造方法。
13. 前記テンプレートは前記規則的なパターンのサイズより大きく２つ以上の前記規則的なパターンに跨って形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造方法。
14. 前記規則的なパターンの配列はパッド配列であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造方法。
15. 前記精細位置決め位置を異なる複数箇所で定め、前記複数箇所の前記精細位置決め位置に基づいて前記ダイの回転を補正することを特徴とする請求項１０に記載の半導体製造方法。
16. 前記ピックアップ位置の補正のうち、少なくとも前記回転と前記ピックアップ位置から前記ボンディング位置に移動する方向の補正は、前記ボンディングヘッドで補正することを特徴とする請求項１５に記載の半導体製造方法。
17. 前記第２の撮像データから前記検索エリアの黒ずみを検出する黒ずみ検出ステップと、前記検出ステップの結果前記検索エリアが黒ずんでいたら黒んでいないエリアを探索する探索ステップと、前記黒んでいないエリアの前記第２の撮像データから前記粗位置決めステップを行い、前記黒んでいないエリアの前記規則的なパターンに検索エリアを設定し、前記精細位置決めステップを行なうことを特徴とする請求項１１に記載の半導体製造方法。

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