JP2013051230A - 荷電粒子ビーム描画装置及びdacアンプの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブランキングアンプ33と、偏向器47,50,51に電圧を印加するDACアンプ34,35,36と、偏向制御部32と、制御計算機31と、DACアンプ34,35,36の評価を行うDACアンプテスター7と、を備え、DACアンプテスター7は、制御計算機31から試料Mに関するインデックス情報を受信するカウンタ7jと、偏向制御部32から荷電粒子ビームBによる試料Mへの照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニット7gと、DACアンプ34,35,36からの異常信号を受信した際に、インデックス情報と位置情報、及び、ブランキングアンプ33からのショット信号を基に、試料M上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットCとを備える。
【選択図】図3
Description
2 描画部
4 電子鏡筒
7 DACアンプテスター
7a CPU
7b ROM
7c RAM
7d 入出力インターフェイス
7e バス
7f 入力部
7g 表示ユニット
7h 通信制御部
7i 記憶部
7j カウンタ
31 制御計算機
32 偏向制御部
33 ブランキングアンプ
34 成形アンプ
35 副偏向アンプ
36 主偏向アンプ
37 ブランキングインターフェイス
38 DACアンプ診断回路
C コントロールユニット
Claims (5)
- 試料への荷電粒子ビームの照射の可否を制御するブランキングアンプと、
前記荷電粒子ビームの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するDACアンプと、
前記ブランキングアンプや前記DACアンプの制御を行う偏向制御部と、
前記偏向制御部を制御する制御計算機と、
前記DACアンプから出力される信号を基に前記DACアンプの評価を行うDACアンプテスターと、を備え、
前記DACアンプテスターは、
前記制御計算機から前記試料に関するインデックス情報を受信するカウンタと、
前記偏向制御部から前記荷電粒子ビームによる前記試料への照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニットと、
前記DACアンプからの異常信号を受信した際に、前記インデックス情報と前記位置情報、及び、前記ブランキングアンプからのショット信号を基に、前記試料上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットと、
を備えることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ショット信号は、前記偏向制御部から前記カウンタに入力されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記位置情報は、ストライプ位置に関する情報と、副偏向位置に関する情報と、ショット位置に関する情報とから構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 試料に対して描画処理が開始される際に、前記描画処理に関するインデックス情報が荷電粒子ビーム描画装置を制御する制御計算機からDACアンプテスターのカウンタに入力されるステップと、
前記試料に対して荷電粒子ビームが照射される位置に関する情報が、DACアンプの制御を行う偏向制御部からDACアンプテスターの表示ユニットに入力されるステップと、
前記描画処理が開始される際に、前記DACアンプからの出力信号が異常であるか否かの信号と、前記試料に照射される荷電粒子ビームに関するショット信号とがDACアンプテスターに入力されるステップと、
前記描画処理が終了した際、前記DACアンプからの出力信号の異常を示す信号が前記DACアンプテスターに入力された場合に、前記インデックス情報、前記位置に関する情報、及び前記ショット信号を基に前記試料上における異常発生箇所と特定するステップと、
を備えることを特徴とするDACアンプの評価方法。 - 前記描画処理が開始される際に、前記ショット信号が前記偏向制御部から前記カウンタに入力されることを特徴とする請求項4に記載のDACアンプの評価方法。
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