JP2013047798A - 3dトポグラフィウェーハ用のリソグラフィモデル - Google Patents
3dトポグラフィウェーハ用のリソグラフィモデル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013047798A JP2013047798A JP2012171799A JP2012171799A JP2013047798A JP 2013047798 A JP2013047798 A JP 2013047798A JP 2012171799 A JP2012171799 A JP 2012171799A JP 2012171799 A JP2012171799 A JP 2012171799A JP 2013047798 A JP2013047798 A JP 2013047798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- substrate
- scattering
- incident radiation
- calculating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】レジスト層内のある深さでの入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、レジスト層内の前記深さでの入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界からレジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、を含む方法が本明細書に記載されている。
【選択図】図3
Description
と後方伝搬電界
の概略図を示す。
で表され、ここで、Mはキルヒホッフの回折、M3D、FDTDなどの任意の好適な方法を用いて計算できるマスクの散乱をモデリングするテンソルであり、k及びksは波ベクトルであり、xは実空間内の場所であり、Esは波ベクトルksを有する光源sからの放射の電気的成分の振幅であり、jは仮想単位であり、j2=−1である。
で表され、ここで、
Pは、任意の好適な方法を用いて解析的に計算できる投影光学系の散乱をモデリングするテンソルであり、表面は露光中に入射放射線に対向する。
で表され、ここで、Wは基板、その上のフィーチャ及びレジスト層の散乱をモデリングするテンソルである。
ここで、
は、ディラックのデルタ関数であり、テンソルW0は、好ましくは平面状である基板とレジスト層との散乱をモデリングするものであり、テンソルSは、基板上のフィーチャの散乱をモデリングするものであってフィーチャの散乱関数である。テンソルW0は、FDTDなどの任意の好適な方法を用いて厳密に計算できる。
に分解でき、ここで、
である。
すなわち、テンソルSは、入射放射線の方向から独立して近似でき、露光中に入射放射線に対向するレジスト層の表面に垂直の方向の入射放射線の成分から計算できる。この近似は、テンソルS及び
の計算を簡略化する。各々の入射方向についてテンソルSを計算できることは言うまでもない。
と簡略化でき、ここで
である。
及び
であり、ここで、Oはフィーチャの領域関数、OVはフィーチャの垂直エッジ関数、OHはフィーチャの水平エッジ関数、OCはフィーチャのコーナー関数、o、oV、oH、oCはそれぞれO、OV、OH、OCのフーリエ変換、F、FV、FH及びFCはライブラリ内のフィーチャ要素の散乱関数、f、fV、fH及びfCはそれぞれF、FV、FH及びFCのフーリエ変換、及び
は畳み込みを示す。
と逆方向伝搬電界
の両方は、解析的に(例えば、マクスウェルの方程式を用いて)又はFDTD及び厳密結合波解析(RCWA)などの数値的方法を用いて計算できる。
と
の両方は、レジスト層の下の基板上の既存のフィーチャからの散乱からの寄与を有していてもよい。
と
との間の干渉を無視してレジスト層内の所与の深さでの放射電磁界(以下、「総放射電磁界」と呼ぶ)が
と
から計算される(すなわち、「インコヒーレント和」)。例えば、
だけからの放射電磁界(すなわち、
からの寄与がない)(以下、「順方向放射電磁界」と呼ぶ)を計算できる。また、
だけからの放射電磁界(すなわち、
からの寄与がない)(以下、「逆方向放射電磁界」と呼ぶ)を計算できる。総放射電磁界は、順方向放射電磁界と逆方向放射電磁界との総和である。あるいは、総放射電磁界は、順方向放射電磁界と逆方向放射電磁界とを明示的に計算することなく
及び
から計算できる。
として定義される。空間像AIは、
として表現できる。
及び
TCCa,k’,k”は、順方向伝搬光及び逆方向伝搬光のインコヒーレント和を表す。TCCb,k’,k”は、順方向伝搬光(順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界)と逆方向伝搬光(逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界)との間の干渉を表す。
である。
[0076] −放射投影ビームBを供給する放射システムEx、IL。この例では、放射システムは放射源SOをさらに含む。
[0077] −マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダを備え、投影システムPSに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段PMに接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MT。
[0078] −基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダを備え、投影システムPSに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段PWに接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WT。
[0079] −基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上にマスクMAの照射部分を結像する投影システム(「レンズ」)PS(例えば、屈折、反射光学、又は反射屈折光学システム)。
1.入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法であって、
前記レジスト層内のある深さでの前記入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記レジスト層内の前記深さでの前記入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界から前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、を含む、方法。
2.前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界のみから順方向放射電磁界を計算するステップと、前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界のみから逆方向放射電磁界を計算するステップとをさらに含む、条項1に記載の方法。
3.前記レジスト層内の空間強度分布をさらに含む、条項1又は2に記載の方法。
4.前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、条項1から3のいずれか1項に記載の方法。
5.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項4に記載の方法。
6.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記入射放射線の特性にさらに基づく、条項4に記載の方法。
7.前記入射放射線の前記特性は、前記レジスト層の表面の電磁界、前記レジスト層の表面の電界及び前記レジスト層の表面の磁界からなる群から選択される、条項6に記載の方法。
8.前記基板は、前記レジスト層内又はその下のフィーチャを有する、条項1から3のいずれか1項に記載の方法。
9.前記入射放射線は、前記極紫外線帯域内の波長を有する、条項1から3のいずれか1項に記載の方法。
10.前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、条項1から3のいずれか1項に記載の方法。
11.前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップは、透過交差係数(TCC)を用いて前記放射電磁界を計算することを含む、条項1から3のいずれか1項に記載の方法。
12.前記TCCは、投影光学系関数から計算される、条項11に記載の方法。
13.前記投影光学系関数は、前記レジスト層によって引き起こされる前記入射放射線の歪の関数である、条項12に記載の方法。
14.前記TCCは、前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を表さない、条項11に記載の方法。
15.前記フィーチャの少なくとも1つは、前記入射放射線の波長より小さい寸法を有する、条項8に記載の方法。
16.前記フィーチャの特性に基づいて1つ以上の散乱関数を用いて基板固有の散乱関数を決定するステップをさらに含み、前記基板固有の散乱関数は、前記フィーチャによって前記レジスト層内の前記入射放射線の散乱を特徴付ける、条項8に記載の方法。
17.前記フィーチャと1つ以上の散乱関数とに基づいて基板固有の散乱関数を計算するステップであって、前記1つ以上の散乱関数の各々が前記フィーチャの少なくとも1つに関連付けられた電磁散乱の特性である、ステップと、
前記基板固有の散乱関数と前記レジスト層に提供された電磁界とに基づいて前記レジスト層内の電磁界を計算するステップと、をさらに含む、条項8に記載の方法。
18.前記フィーチャ要素の特性に基づいてフィーチャのフィーチャ要素の散乱関数を決定するステップであって、前記散乱関数が前記フィーチャ要素によって前記レジスト層内の入射放射線の散乱を特徴付ける、ステップと、
基板固有の散乱関数を決定するステップであって、前記基板固有の散乱関数が前記レジスト層内の前記設計レイアウトのかなりの部分からの前記入射放射線の散乱を、前記設計レイアウトのかなりの部分の画像領域の下の前記フィーチャ要素によって特徴付ける、ステップと、をさらに含み、
前記基板固有の散乱関数の決定ステップは、前記フィーチャ要素の散乱関数を再利用するステップを含む、条項8に記載の方法。
19.基板固有の散乱関数の決定ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項16から18のいずれか1項に記載の方法。
20.基板固有の散乱関数を用いて前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、条項16から19のいずれか1項に記載の方法。
21.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項20に記載の方法。
22.前記レジスト層内に形成される前記像の計算ステップは、前記入射放射線の特性にさらに基づく、条項20に記載の方法。
23.前記入射放射線の特性は、前記レジスト層の表面の電磁界、前記レジスト層の表面の電界及び前記レジスト層の表面の磁界からなる群から選択される、条項22に記載の方法。
24.前記1つ以上の散乱関数は、フィーチャ要素の特性による放射の散乱を特徴付ける、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
25.前記1つ以上の散乱関数は、厳密なソルバを用いて計算される、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
26.放射源、設計レイアウトの少なくとも一部及び投影光学系のうち1つ以上の特性に基づいて前記入射放射線から発生する前記レジスト層の表面の電磁界を計算するステップをさらに含み、前記レジスト層の表面は、露光中に前記入射放射線に対向する、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
27.前記1つ以上の散乱関数は、前記入射放射線の方向から独立している、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
28.前記フィーチャ要素は、水平エッジ、垂直エッジ、領域、コーナー、又はこれらの組合せである、条項24に記載の方法。
29.前記入射放射線は、前記極紫外線帯域内の波長を有する、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
30.前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
31.前記フィーチャの少なくとも1つは、前記入射放射線の波長よりも小さい寸法を有する、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
32.前記1つ以上の散乱関数は、ライブラリ内で編集される、条項16から20のいずれか1項に記載の方法。
33.前記ライブラリは、インデックス情報を含む、条項32に記載の方法。
34.入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法であって、前記基板は前記レジスト層内又はその下のフィーチャを有し、該方法は、
前記フィーチャの特性に基づいて1つ以上の散乱関数を用いて基板固有の散乱関数を決定するステップであって、前記基板固有の散乱関数が前記フィーチャによって前記レジスト層内の前記入射放射線の散乱を特徴付けるステップを含む、方法。
35.基板固有の散乱関数の決定ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項34に記載の方法。
36.前記基板固有の散乱関数を用いて前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、条項34又は35に記載の方法。
37.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項36に記載の方法。
38.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記入射放射線の特性にさらに基づく、条項36に記載の方法。
39.前記入射放射線の特性は、前記レジスト層の表面の電磁界、前記レジスト層の表面の電界及びレジスト層の表面の磁界からなる群から選択される、条項38に記載の方法。
40.前記1つ以上の散乱関数は、フィーチャ要素の特性による放射の散乱を特徴付ける、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
41.前記1つ以上の散乱関数は、厳密なソルバを用いて計算される、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
42.放射源、設計レイアウトの少なくとも一部及び投影光学系のうち1つ以上の特性に基づいて前記入射放射線から発生する前記レジスト層の表面の電磁界を計算するステップをさらに含み、
前記レジスト層の表面は、露光中に前記入射放射線に対向する、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
43.前記1つ以上の散乱関数は、前記入射放射線の方向から独立している、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
44.前記フィーチャ要素は、水平エッジ、垂直エッジ、領域、コーナー、又はこれらの組合せである、条項40に記載の方法。
45.前記入射放射線は、前記極紫外線帯域内の波長を有する、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
46.前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
47.前記フィーチャの少なくとも1つは、前記入射放射線の波長よりも小さい寸法を有する、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
48.前記1つ以上の散乱関数は、ライブラリ内で編集される、条項34から36のいずれか1項に記載の方法。
49.前記ライブラリは、インデックス情報を含む、条項48に記載の方法。
50.基板上に配置されたレジスト層内の電磁界を決定する方法であって、前記基板、又は前記レジスト層、或いはその両方は、突起及び/又は凹部によって画定されるフィーチャを有し、該方法は、
前記フィーチャと1つ以上の散乱関数とに基づいて基板固有の散乱関数を計算するステップであって、前記1つ以上の散乱関数の各々が前記フィーチャの少なくとも1つに関連付けられた電磁散乱の特性である、ステップと、
前記基板固有の散乱関数と前記レジスト層に提供された電磁界とに基づいて前記レジスト層内の電磁界を計算するステップと、を含む、方法。
51.前記レジスト層の特性に基づいて、前記基板固有の散乱関数を計算するステップ及び/又は前記レジスト層内の電磁界を計算するステップをさらに含む、条項50に記載の方法。
52.前記1つ以上の散乱関数は、厳密なソルバを用いて計算される、条項50又は51に記載の方法。
53.前記電磁界は、前記レジスト層の表面の表面電磁界であり、前記表面電磁界のソース、パターニングデバイス及び/又は投影光学系からなる群から選択される1つ以上の特性に基づいて前記レジスト層の表面の表面電磁界を計算するステップをさらに含む、条項50から52のいずれかに記載の方法。
54.前記1つ以上の散乱関数は、前記基板上に入射放射線の方向から独立している、条項50から53のいずれかに記載の方法。
55.前記フィーチャ要素は、水平エッジ、垂直エッジ、領域、コーナー、又はこれらの組合せである、条項50から54のいずれかに記載の方法。
56.前記電磁界は、極紫外線帯域内の波長を有する、条項50から55のいずれかに記載の方法。
57.前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、条項50から56のいずれかに記載の方法。
58.前記レジスト層内の前記電磁界に基づいてレジスト像を決定するステップをさらに含む、条項50から57のいずれかに記載の方法。
59.前記フィーチャの少なくとも1つは、前記レジスト層内の前記電磁界の波長よりも小さい寸法を有する、条項50から58のいずれかに記載の方法。
60.前記1つ以上の散乱関数は、ライブラリ内で編集される、条項50から59のいずれかに記載の方法。
61.前記ライブラリは、インデックス情報を含む、条項60に記載の方法。
62.基板上のレジスト層内に形成される設計レイアウトのかなりの部分の像をシミュレートする方法であって、前記基板は前記レジスト層内又はその下のフィーチャを有し、該方法は、
フィーチャのフィーチャ要素の散乱関数を前記フィーチャ要素の特性に基づいて決定するステップであって、前記散乱関数が前記フィーチャ要素によって前記レジスト層内の入射放射線の散乱を特徴付ける、ステップと、
基板固有の散乱関数を決定するステップであって、前記基板固有の散乱関数が前記レジスト層内の設計レイアウトのかなりの部分からの前記入射放射線の散乱を、前記設計レイアウトのかなりの部分の画像領域の下の前記フィーチャ要素によって特徴付ける、ステップと、をさらに含み、
前記基板固有の散乱関数の決定ステップは、前記フィーチャ要素の散乱関数を再利用することを含む、方法。
63.前記レジスト層内又はその下の前記フィーチャは、特定の散乱関数を各々有する複数のフィーチャ要素を備える、条項62に記載の方法。
64.前記散乱関数の少なくとも幾つかは、厳密なソルバを用いて計算される、条項63に記載の方法。
65.前記1つ以上の散乱関数は、ライブラリ内で編集される、条項62から64のいずれか1項に記載の方法。
66.前記入射放射線に対向するレジスト層の表面の設計レイアウトの前記かなりの部分からの前記入射放射線を決定するステップをさらに含む、条項62から65のいずれか1項に記載の方法。
67.前記基板固有の散乱関数を用いて前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、条項62から66のいずれかに記載の方法。
68.前記1つ以上の散乱関数は、前記入射放射線の方向から独立している、条項62から67のいずれかに記載の方法。
69.前記設計レイアウトの前記かなりの部分は、回路設計の少なくとも20%を含む、条項62から68のいずれかに記載の方法。
70.コンピュータによって実行されると、条項1から69のいずれかに記載の方法を実施する命令を記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
71.基板上のレジスト層内又はその下のフィーチャの成分であるフィーチャ要素の散乱関数のライブラリを記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
72.前記ライブラリは、インデックス情報を含む、条項71に記載の方法。
73.前記レジスト層内のある深さでの前記入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記レジスト層内の前記深さでの前記入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界から前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップとをさらに含む、条項34、50及び62のいずれか1項に記載の方法。
74.前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界のみから順方向放射電磁界を計算するステップと、前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界のみから逆方向放射電磁界を計算するステップと、をさらに含む、条項73に記載の方法。
75.前記レジスト層内の空間強度分布をさらに含む、条項72から74のいずれか1項に記載の方法。
76.前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、条項72から74のいずれか1項に記載の方法。
77.前記レジスト層内に形成される前記レジスト像の計算ステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、条項76に記載の方法。
78.前記レジスト層内に形成される前記像の計算ステップは、前記入射放射線の特性にさらに基づく、条項76に記載の方法。
79.前記入射放射線の特性は、前記レジスト層の表面の電磁界、前記レジスト層の表面の電界及び前記レジスト層の表面の磁界からなる群から選択される、条項78に記載の方法。
80.前記入射放射線は、前記極紫外線帯域内の波長を有する、条項72から74のいずれか1項に記載の方法。
81.前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、条項72から74のいずれか1項に記載の方法。
82.前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップは、透過交差係数(TCC)を用いて前記放射電磁界を計算することを含む、条項72から74のいずれか1項に記載の方法。
83.TCCは、投影光学系関数から計算される、条項82に記載の方法。
84.前記投影光学系関数は、レジスト層によって引き起こされる前記入射放射線の歪の関数である、条項83に記載の方法。
85.TCCは、前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を表さない、条項82に記載の方法。
Claims (16)
- 入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法であって、前記基板は前記レジスト層内又はその下のフィーチャを有し、該方法は、
前記フィーチャの特性に基づいて1つ以上の散乱関数を用いて基板固有の散乱関数を決定するステップであって、前記基板固有の散乱関数が、前記フィーチャによる前記レジスト層内の前記入射放射線の散乱を特徴付ける、ステップを含む、方法。 - 前記基板固有の散乱関数を決定するステップは、前記レジスト層の特性にさらに基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記基板固有の散乱関数を用いて前記レジスト層内に形成されるレジスト像を計算するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記レジスト層内に形成される前記レジスト像を計算するステップは、前記レジスト層の特性及び/又は前記入射放射線の特性にさらに基づく、請求項3に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数がフィーチャ要素の特性による放射の散乱を特徴付け、及び/又は、前記1つ以上の散乱関数が厳密なソルバを用いて計算される、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数がフィーチャ要素の特性による放射の散乱を特徴付けるときに、前記フィーチャ要素は、水平エッジ、垂直エッジ、領域、コーナー、又はこれらの組合せである、請求項5に記載の方法。
- 放射源、設計レイアウトの少なくとも一部及び投影光学系のうち1つ以上の特性に基づいて前記入射放射線から発生するレジスト層の表面の電磁界を計算するステップをさらに含み、前記レジスト層の表面は、露光中に前記入射放射線に対向する、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数は、前記入射放射線の方向から独立している、請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、反射防止コーティングを備えていない、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の散乱関数は、ライブラリ内で編集される、請求項1に記載の方法。
- 前記レジスト層内のある深さでの前記入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記レジスト層内の前記深さでの前記入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、
前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界から前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記レジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップは、透過交差係数(TCC)を用いて前記放射電磁界を計算することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記TCCが投影光学系関数から計算され、及び/又は、前記TCCが前記順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と前記逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を表さない、請求項12に記載の方法。
- コンピュータによって実行されると請求項1から13のいずれか一項に記載の方法を実施する命令を記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
- 基板上のレジスト層内又はその下のフィーチャの成分であるフィーチャ要素の散乱関数のライブラリを記録したコンピュータ可読媒体を備える、コンピュータプログラムプロダクト。
- 前記ライブラリは、インデックス情報を含む、請求項15に記載のコンピュータプログラムプロダクト。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161521638P | 2011-08-09 | 2011-08-09 | |
US61/521,638 | 2011-08-09 | ||
US201161534670P | 2011-09-14 | 2011-09-14 | |
US61/534,670 | 2011-09-14 | ||
US201261606817P | 2012-03-05 | 2012-03-05 | |
US61/606,817 | 2012-03-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013047798A true JP2013047798A (ja) | 2013-03-07 |
JP5345235B2 JP5345235B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=47678330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012171799A Expired - Fee Related JP5345235B2 (ja) | 2011-08-09 | 2012-08-02 | 3dトポグラフィウェーハ用のリソグラフィモデル |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9835955B2 (ja) |
JP (1) | JP5345235B2 (ja) |
KR (1) | KR101394585B1 (ja) |
CN (1) | CN102955370B (ja) |
NL (1) | NL2009056A (ja) |
TW (1) | TWI495961B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2010163A (en) | 2012-02-07 | 2013-08-08 | Asml Netherlands Bv | Substrate-topography-aware lithography modeling. |
US9689923B2 (en) * | 2013-08-03 | 2017-06-27 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive electrical testing of wafers |
KR20160024552A (ko) | 2014-08-26 | 2016-03-07 | 삼성전자주식회사 | 입자로 구성된 변형체를 모델링하는 방법 및 장치 |
WO2016096333A1 (en) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Asml Netherlands B.V. | A lithography model for 3d features |
NL2016959A (en) | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method |
KR102498694B1 (ko) | 2018-05-07 | 2023-02-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 전산 리소그래피 마스크 모델과 관련된 전자계를 결정하는 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999046807A1 (fr) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition par balayage, procede de fabrication associe, dispositif et procede de fabrication associe |
JP2000162756A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像処理方法および装置と、これを用いた製版フィルム作成方法 |
JP2002184688A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-28 | Asml Masktools Netherlands Bv | 高速空中像シミュレーションのための方法および装置 |
JP2002313693A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの作成方法 |
JP2003076034A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | レジストシミュレータ |
JP2004029193A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Sony Corp | モデルベースの近接効果補正の検証方法 |
JP2005234571A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高速なモデルに基づく光学的近接効果補正 |
JP2011128137A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | 微細構造の電磁散乱特性をモデル化する方法及び装置及び微細構造を再構築する方法及び装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656182A (en) * | 1995-02-21 | 1997-08-12 | Lucent Technologies Inc. | Process for fabricating a device in which the process is controlled by near-field imaging latent features introduced into energy sensitive resist materials |
US5736281A (en) * | 1996-06-07 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Dose modification proximity effect compensation (PEC) technique for electron beam lithography |
US5825040A (en) * | 1996-12-23 | 1998-10-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Bright beam method for super-resolution in e-beam lithography |
TWI285295B (en) * | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
EP1249734B1 (en) * | 2001-04-11 | 2012-04-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Rectangle/lattice data conversion method for charged particle beam exposure mask pattern and charged particle beam exposure method |
WO2002095498A2 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lithographic method of manufacturing a device |
US7266480B2 (en) * | 2002-10-01 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Rapid scattering simulation of objects in imaging using edge domain decomposition |
US7030966B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations |
CN102662309B (zh) * | 2005-09-09 | 2014-10-01 | Asml荷兰有限公司 | 采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法 |
US7491479B2 (en) | 2005-10-07 | 2009-02-17 | Synopsys, Inc. | Compensating for effects of topography variation by using a variable intensity-threshold |
US7614034B2 (en) * | 2005-11-08 | 2009-11-03 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for generating OPC rules for placement of scattering bar features utilizing interface mapping technology |
US7921383B1 (en) * | 2006-01-11 | 2011-04-05 | Olambda, Inc | Photolithographic process simulation including efficient result computation for multiple process variation values |
US7788628B1 (en) * | 2006-01-11 | 2010-08-31 | Olambda, Inc. | Computational efficiency in photolithographic process simulation |
US7703069B1 (en) | 2007-08-14 | 2010-04-20 | Brion Technologies, Inc. | Three-dimensional mask model for photolithography simulation |
US7861196B2 (en) | 2008-01-31 | 2010-12-28 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for multi-exposure pattern decomposition |
US8181128B2 (en) | 2008-10-13 | 2012-05-15 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for determining a photolithography process model which models the influence of topography variations |
US8209161B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-06-26 | Cadence Design Systems, Inc. | Method, system, and computer program product for lithography simulation in electronic design automation |
NL2004276A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-06 | Asml Netherlands Bv | A method of measuring a characteristic. |
WO2011101192A1 (en) * | 2010-02-17 | 2011-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Estimating substrate model parameters for lithographic apparatus control |
SG183108A1 (en) * | 2010-02-19 | 2012-09-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8404403B2 (en) * | 2010-06-25 | 2013-03-26 | Intel Corporation | Mask design and OPC for device manufacture |
-
2012
- 2012-06-22 NL NL2009056A patent/NL2009056A/en not_active Application Discontinuation
- 2012-07-18 TW TW101125925A patent/TWI495961B/zh active
- 2012-07-27 CN CN201210264176.9A patent/CN102955370B/zh active Active
- 2012-08-02 JP JP2012171799A patent/JP5345235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-08 US US13/570,209 patent/US9835955B2/en active Active
- 2012-08-09 KR KR1020120087336A patent/KR101394585B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999046807A1 (fr) * | 1998-03-09 | 1999-09-16 | Nikon Corporation | Procede et appareil d'exposition par balayage, procede de fabrication associe, dispositif et procede de fabrication associe |
JP2000162756A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像処理方法および装置と、これを用いた製版フィルム作成方法 |
JP2002184688A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-06-28 | Asml Masktools Netherlands Bv | 高速空中像シミュレーションのための方法および装置 |
JP2002313693A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの作成方法 |
JP2003076034A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | レジストシミュレータ |
JP2004029193A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Sony Corp | モデルベースの近接効果補正の検証方法 |
JP2005234571A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高速なモデルに基づく光学的近接効果補正 |
JP2011128137A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-06-30 | Asml Netherlands Bv | 微細構造の電磁散乱特性をモデル化する方法及び装置及び微細構造を再構築する方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201312286A (zh) | 2013-03-16 |
KR20130018626A (ko) | 2013-02-25 |
NL2009056A (en) | 2013-02-12 |
CN102955370A (zh) | 2013-03-06 |
TWI495961B (zh) | 2015-08-11 |
JP5345235B2 (ja) | 2013-11-20 |
US9835955B2 (en) | 2017-12-05 |
CN102955370B (zh) | 2014-09-17 |
KR101394585B1 (ko) | 2014-05-12 |
US20130042211A1 (en) | 2013-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5789275B2 (ja) | 3dレジストプロファイルのシミュレーション用のリソグラフィモデル | |
US11544440B2 (en) | Machine learning based inverse optical proximity correction and process model calibration | |
JP5016585B2 (ja) | リソグラフィプロセスウィンドウをシミュレートするための方法及びシステム | |
US9489479B2 (en) | Rule and lithographic process co-optimization | |
US11580289B2 (en) | Method for determining patterning device pattern based on manufacturability | |
US10685158B2 (en) | Lithography model for 3D features | |
JP5666630B2 (ja) | 基板トポグラフィ認識リソグラフィモデリング | |
JP5345235B2 (ja) | 3dトポグラフィウェーハ用のリソグラフィモデル | |
TW202032255A (zh) | 用於在嵌塊邊界處產生圖案化器件圖案之方法 | |
US10796063B2 (en) | Mapping of patterns between design layout and patterning device | |
US20220276564A1 (en) | Method and apparatus for photolithographic imaging |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130729 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5345235 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |