JP2013042062A - Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2013042062A
JP2013042062A JP2011179425A JP2011179425A JP2013042062A JP 2013042062 A JP2013042062 A JP 2013042062A JP 2011179425 A JP2011179425 A JP 2011179425A JP 2011179425 A JP2011179425 A JP 2011179425A JP 2013042062 A JP2013042062 A JP 2013042062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control unit
substrate
unit
processing apparatus
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011179425A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takuya Saito
択弥 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2011179425A priority Critical patent/JP2013042062A/en
Publication of JP2013042062A publication Critical patent/JP2013042062A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method, which can control display objects to be displayed on a display part among a plurality of control parts connected to the display part.SOLUTION: A substrate processing apparatus comprises: an operation part 342 allowing an operator to operate the substrate processing apparatus; at least two control parts 302, 304, 312 connected to the operation part 342 for controlling the substrate processing apparatus; at least one display part 340 displaying signals output from the control parts 302, 304, 312; and a starting time control part 344 controlling, at start-up of the substrate processing apparatus, power activation timing of the control parts 302, 304, 312 so as to make starting times of at least two control parts 302, 304, 312 among the at least two control parts 302, 304, 312 different from each other.

Description

本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method.

例えば、特許文献１は、メインコントローラとしての機能を有する統括制御コントローラと、大気ロボットなどを制御する大気ロボットコントローラと、顧客側のホストコンピュータに接続され通信を制御するＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）コントローラを含む複数の制御部を有する半導体制御装置について開示する。   For example, Patent Document 1 includes a general controller having a function as a main controller, an atmospheric robot controller that controls an atmospheric robot, and a GEM (Generic Equipment Model) controller that is connected to a host computer on the customer side and controls communication. A semiconductor control device having a plurality of control units is disclosed.

特開２０１１−６１１３５号公報JP 2011-61135 A

複数の制御部からの出力を１つの表示部で出力する場合、表示を制御することができず、制御部ごとの起動時間の相違による影響を受けてしまい、所望の制御部の出力を表示部に表示できなかった。
本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 When output from a plurality of control units is output on a single display unit, the display cannot be controlled and is affected by the difference in start-up time for each control unit. Could not be displayed.
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of controlling a display object displayed on a display unit among a plurality of control units connected to the display unit, and a method for manufacturing a semiconductor device.

上記目的を達成するために、本発明にかかる基板処理装置は、基板を処理する処理室と、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室を排気する排気部と、前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、を有する基板処理装置であって、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、を有する。   In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention is provided with a processing chamber for processing a substrate, a substrate transfer unit for transferring the substrate, and the substrate transfer unit, and serves as a transfer space for the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a transfer chamber; a heating unit provided in the processing chamber for heating the substrate; an exhaust unit for exhausting the processing chamber; and a gas supply unit for supplying gas into the processing chamber. An operation unit operated by an operator operating the substrate processing apparatus, at least two or more control units connected to the operation unit and controlling the substrate processing apparatus, and signals output by the control unit are displayed. At least one display unit and at least two control units among the at least two control units at the time of startup of the substrate processing apparatus, the startup time of at least two control units is made different. Control the launch time It has a starting time control section for, a.

好適には、前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させる。   Preferably, the control unit is at least a first control unit that controls a recipe of the substrate processing apparatus, and at least a second control unit that detects an abnormality of the substrate processing apparatus, and the activation time control unit includes: The first control unit is activated before the second control unit.

また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、排気部が前記処理室内を排気するステップと、ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、加熱部が前記基板を加熱するステップと、を有する本処理工程と、少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、を有する制御工程と、起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、を有する制御部の起動工程と、を有する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a step in which a substrate transfer unit transfers a substrate in a transfer chamber; a step in which the substrate transfer unit carries a substrate into a processing chamber; A main processing step including a step of exhausting, a step of supplying a gas into the processing chamber by a gas supply unit, and a step of heating the substrate by a heating unit; and at least two or more control units at least transfer the substrate A step of outputting a signal for each operation while controlling operations of the unit, the exhaust unit, the gas supply unit, and the heating unit, and at least one or more display units receiving and displaying the signal; And a power supply to the control unit so that the start time of at least two or more control units among the at least two or more control units provided by the control process having the control process Having a start step of a control unit and a step of controlling the charged timely.

本発明は、表示部に接続された複数の制御部のうちいずれの制御部の出力を表示するかを制御でき、本構成を有していない場合と比べ、基板処理作業の作業効率を上げることができる。   The present invention can control which of the plurality of control units connected to the display unit displays the output, and can increase the work efficiency of the substrate processing work compared to the case where the present configuration is not provided. Can do.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the structural example of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す側面断面図である。It is side surface sectional drawing which shows the structural example of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る処理室の構成例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structural example of the process chamber which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the controller which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る起動時間制御部の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the starting time control part which concerns on one Embodiment of this invention.

（１）基板処理装置の構成
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す平面図であり、図２は、側面断面図である。 (1) Configuration of Substrate Processing Apparatus A schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a configuration example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side sectional view.

図１および図２において、本発明が適用される基板処理装置においては、基板を搬送するキャリアとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）として構成されたポッド１００が使用されている。ポッド１００内には、未処理の基板や処理済の基板がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。
また、以下の説明において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。 1 and 2, in a substrate processing apparatus to which the present invention is applied, a pod 100 configured as a FOUP (Front Opening Unified Pod) is used as a carrier for transporting a substrate. The pod 100 is configured to store a plurality of unprocessed substrates and processed substrates in a horizontal posture.
In the following description, the front, rear, left, and right are assumed to be right in the X1 direction, left in the X2 direction, front in the Y1 direction, and rear in the Y2 direction.

図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空搬送室（トランスファモジュール）１０３を備えている。真空搬送室１０３は真空状態等の大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る構造に構成されている。また、真空搬送室１０３はアルミニウムで形成されている。
真空搬送室１０３には負圧下で基板２００を移載する真空搬送ロボット１１２が設置されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus includes a vacuum transfer chamber (transfer module) 103. The vacuum transfer chamber 103 is configured to withstand a pressure (negative pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state. The vacuum transfer chamber 103 is made of aluminum.
In the vacuum transfer chamber 103, a vacuum transfer robot 112 for transferring the substrate 200 under a negative pressure is installed.

真空搬送ロボット１１２はフランジ１１５によって、真空搬送室１０３に固定されている。フランジ１１５は、アルミニウムで形成されている。真空搬送ロボット１１２はエレベータ１１６およびフランジ１１５によって真空搬送室１０３の機密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
また、真空搬送ロボット１１２に設けられたアーム１１２ａを未処理基板２００のみを搬送する専用アームとし、アーム１１２ｂを処理済基板２００のみを搬送する専用アームとしても良い。アーム１１２ａ，１１２ｂをそれぞれ、専用のアームとすることによって、処理済基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が未処理基板２００に付着することを防止することができる。また、未処理基板２００から微粒子が発生したとしても、微粒子が処理済基板２００に付着することを防止することができる。すなわち、処理済基板２００から未処理基板２００への汚染（コンタミネーション）と未処理基板２００から処理済基板２００への汚染を抑制することが可能となる。但し、本発明は、上述の形態に限定されず、アーム１１２ａ及び１１２ｂを未処理基板及び処理済み基板のいずれであっても搬送可能な非専用アームとしてもよい。 The vacuum transfer robot 112 is fixed to the vacuum transfer chamber 103 by a flange 115. The flange 115 is made of aluminum. The vacuum transfer robot 112 is configured to be lifted and lowered by the elevator 116 and the flange 115 while maintaining the confidentiality of the vacuum transfer chamber 103.
Further, the arm 112 a provided in the vacuum transfer robot 112 may be a dedicated arm that transfers only the unprocessed substrate 200, and the arm 112 b may be a dedicated arm that transfers only the processed substrate 200. By making each of the arms 112 a and 112 b a dedicated arm, even if fine particles are generated from the processed substrate 200, it is possible to prevent the fine particles from adhering to the unprocessed substrate 200. Further, even if fine particles are generated from the unprocessed substrate 200, the fine particles can be prevented from adhering to the processed substrate 200. That is, contamination from the processed substrate 200 to the unprocessed substrate 200 and contamination from the unprocessed substrate 200 to the processed substrate 200 can be suppressed. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the arms 112a and 112b may be non-dedicated arms that can carry any of the unprocessed substrate and the processed substrate.

筐体１０１の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室（ロードロックモジュール）１２２と、搬出用の予備室（ロードロックモジュール）１２３とがそれぞれゲートバルブ１６０，１６５を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。
さらに、予備室１２２には搬入室用の基板載置台１５０が設置され、予備室１２３には搬出室用の基板載置台１５１が設置されている。 Of the six side walls of the casing 101, two side walls positioned on the front side are provided with a carry-in spare chamber (load lock module) 122 and a carry-out spare chamber (load lock module) 123, respectively, as gate valves. They are connected via 160 and 165, and are configured to withstand negative pressure.
Further, a substrate placing table 150 for loading / unloading chamber is installed in the spare chamber 122, and a substrate placing table 151 for unloading chamber is installed in the spare chamber 123.

予備室１２２および予備室１２３の前側には、大気搬送室（フロントエンドモジュール）１２１がゲートバルブ１２８，１２９を介して連結されている。大気搬送室１２１は略大気圧下で用いられる。
大気搬送室１２１には基板２００を移載する大気搬送ロボット１２４が設置されている。図２に示されているように、大気搬送ロボット１２４は大気搬送室１２１に設置されたエレベータ１２６によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。 An atmospheric transfer chamber (front end module) 121 is connected to the front side of the preliminary chamber 122 and the preliminary chamber 123 via gate valves 128 and 129. The atmospheric transfer chamber 121 is used under substantially atmospheric pressure.
An atmospheric transfer robot 124 for transferring the substrate 200 is installed in the atmospheric transfer chamber 121. As shown in FIG. 2, the atmospheric transfer robot 124 is configured to be moved up and down by an elevator 126 installed in the atmospheric transfer chamber 121, and reciprocated in the left-right direction by a linear actuator 132. It is configured.

図２に示されているように、大気搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
図１に示されているように、大気搬送室１２１の左側には基板２００に形成されているノッチまたはオリエンテーションフラットを合わせる装置（以下、プリアライナという）１０６が設置されている。 As shown in FIG. 2, a clean unit 118 for supplying clean air is installed in the upper part of the atmospheric transfer chamber 121.
As shown in FIG. 1, a device (hereinafter referred to as a pre-aligner) 106 that aligns a notch or an orientation flat formed in the substrate 200 is installed on the left side of the atmospheric transfer chamber 121.

図１および図２に示されているように、大気搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を大気搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１０５が設置されている。
ポッドオープナ１０８はポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に、基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２とクロージャ１４２を駆動する駆動機構１０９とを備えている。ポッドオープナ１０８はＩＯステージ１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能とする。
ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって、ＩＯステージ１０５に対して、供給および排出される。 As shown in FIGS. 1 and 2, on the front side of the casing 125 of the atmospheric transfer chamber 121, a substrate loading / unloading port 134 for loading / unloading the substrate 200 to / from the atmospheric transfer chamber 121, and a pod opener. 108 is installed. An IO stage (load port) 105 is installed on the opposite side of the pod opener 108 across the substrate loading / unloading port 134, that is, on the outside of the housing 125.
The pod opener 108 includes a closure 142 that can close and close the substrate loading / unloading port 134 and a drive mechanism 109 that drives the closure 142 while opening and closing the cap 100 a of the pod 100. The pod opener 108 opens and closes the cap 100 a of the pod 100 placed on the IO stage 105, so that the substrate 200 can be taken in and out of the pod 100.
The pod 100 is supplied to and discharged from the IO stage 105 by an in-process transfer device (RGV) (not shown).

図１に示されているように、筐体１０１の六枚の側壁のうち後側（背面側）に位置する二枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第二処理室（プロセスモジュール）１３８と第三処理室（プロセスモジュール）１３９とが、ゲートバルブ１６２、１６３を介してそれぞれ隣接して連結されている。第二処理室１３８および第三処理室１３９はいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。
筐体１０１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第一処理室（プロセスモジュール）１３７と、第四処理室（プロセスモジュール）１４０とが、ゲートバルブ１６１，１６４を介してそれぞれ連結されている。第一処理室１３７および第四処理室１４０もいずれもコールドウォール式の処理室によって構成されている。 As shown in FIG. 1, a second processing chamber (process module) that performs desired processing on a substrate is provided on two side walls located on the rear side (rear side) among the six side walls of the casing 101. 138 and the third processing chamber (process module) 139 are connected to each other through gate valves 162 and 163, respectively. Each of the second processing chamber 138 and the third processing chamber 139 is a cold wall type processing chamber.
Among the six side walls of the casing 101, the remaining two side walls facing each other are provided with a first processing chamber (process module) 137 and a fourth processing chamber (process module) 140, with a gate valve 161, 164, respectively. Both the first processing chamber 137 and the fourth processing chamber 140 are constituted by cold wall processing chambers.

（２）処理室の構成
次に、本発明の一実施形態に係る各処理室１３７〜１４０の構成及び動作について図３
を用いて説明する。 (2) Configuration of Processing Chamber Next, the configuration and operation of each of the processing chambers 137 to 140 according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
Will be described.

図３は、各処理室１３７〜１４０として用いられるＭＭＴ装置の断面構成図である。ＭＭＴ装置とは、電界と磁界とにより高密度プラズマを発生できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ Ｔｙｐｅｄ Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅ）を用い、例えばシリコン基板等の基板２００を処理する装置である。   FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram of an MMT apparatus used as each of the processing chambers 137 to 140. The MMT apparatus is an apparatus that processes a substrate 200 such as a silicon substrate using a modified magnetron type plasma source that can generate high-density plasma by an electric field and a magnetic field.

ＭＭＴ装置は、基板２００をプラズマ処理する処理炉２０２を備えている。そして、処理炉２０２は、処理室２０１を構成する処理容器２０３と、サセプタ２１７と、ゲートバルブ１６１と、シャワーヘッド２３６と、ガス排気口２３５と、筒状電極２１５、上部磁石２１６ａ、下部電極２１６ｂと、を備えている。   The MMT apparatus includes a processing furnace 202 for plasma processing the substrate 200. The processing furnace 202 includes a processing vessel 203 constituting the processing chamber 201, a susceptor 217, a gate valve 161, a shower head 236, a gas exhaust port 235, a cylindrical electrode 215, an upper magnet 216a, and a lower electrode 216b. And.

処理室２０１を構成する処理容器２０３は、第一の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第二の容器である碗型の下部容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被せられることにより処理室２０１が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えばアルミニウム（Ａｌ）で形成されている。   The processing container 203 constituting the processing chamber 201 includes a dome-shaped upper container 210 that is a first container and a bowl-shaped lower container 211 that is a second container. Then, the processing chamber 201 is formed by covering the upper container 210 on the lower container 211. The upper container 210 is made of a non-metallic material such as aluminum oxide (Al 2 O 3) or quartz (SiO 2), and the lower container 211 is made of aluminum (Al), for example.

処理容器２０３の上面には後述する光透過性窓部２７８が配設され、この光透過性窓部２７８に対応する反応容器２０３外側にランプ加熱装置（光源）２８０が設けられている。ランプ加熱装置２８０は、基板２００を加熱可能なように構成されている。   A light transmissive window 278 (described later) is disposed on the upper surface of the processing vessel 203, and a lamp heating device (light source) 280 is provided outside the reaction vessel 203 corresponding to the light transmissive window 278. The lamp heating device 280 is configured to be able to heat the substrate 200.

処理室２０１内の底側中央には、基板２００を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、シリコン基板１００上に形成された膜の金属汚染を低減することが出来るように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。   A susceptor 217 that supports the substrate 200 is disposed at the bottom center in the processing chamber 201. The susceptor 217 is made of a non-metallic material such as aluminum nitride (AlN), ceramics, or quartz so as to reduce metal contamination of the film formed on the silicon substrate 100.

サセプタ２１７内の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており基板２００を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、基板２００表面を例えば２００℃〜７５０℃程度にまで加熱できるようになっている。   A heater 217b as a heating mechanism is integrally embedded inside the susceptor 217 so that the substrate 200 can be heated. When electric power is supplied to the heater 217b, the surface of the substrate 200 can be heated to about 200 ° C. to 750 ° C., for example.

主に、サセプタ２１７及びヒータ２１７ｂにより、本実施形態に係る基板支持部が形成されている。   The substrate support portion according to this embodiment is mainly formed by the susceptor 217 and the heater 217b.

サセプタ２１７は、下側容器２１１とは電気的に絶縁されている。サセプタ２１７の内部には、インピーダンスを変化させる電極としての第二の電極２１７ｃが装備されている。この第二の電極２１７ｃは、インピーダンス可変機構２７４を介して設置されている。インピーダンス可変機構２７４は、コイルや可変コンデンサを備えており、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することにより、第二の電極２１７ｃ及びサセプタ２１７を介して基板２００の電位を制御できるようになっている。   The susceptor 217 is electrically insulated from the lower container 211. Inside the susceptor 217, a second electrode 217c is provided as an electrode for changing impedance. The second electrode 217c is installed via an impedance variable mechanism 274. The impedance variable mechanism 274 includes a coil and a variable capacitor, and the potential of the substrate 200 can be controlled via the second electrode 217c and the susceptor 217 by controlling the number of coil patterns and the capacitance value of the variable capacitor. It has become.

サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させるサセプタ昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが設けられている。上述の下側容器２１１底面には、基板２００を突き上げる基板突き上げピン２６６が少なくとも３箇所設けられている。そして、貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６はサセプタ昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。   The susceptor 217 is provided with a susceptor lifting mechanism 268 that lifts and lowers the susceptor 217. The susceptor 217 is provided with a through hole 217a. At least three substrate push-up pins 266 that push up the substrate 200 are provided on the bottom surface of the lower container 211 described above. The through-hole 217a and the board push-up pin 266 are arranged so that the board push-up pin 266 penetrates the through-hole 217a in a non-contact state with the susceptor 217 when the susceptor 217 is lowered by the susceptor lifting mechanism 268. Yes.

下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ１６１が設けられている。ゲートバルブ１６１が開いている時には、搬送ロボット１１２を用いて処理室２０１内へ基板２００を搬入し、または処理室２０１外側へと基板２００を搬出することができるようになっている。ゲートバルブ１６１を閉めることにより、処理室２０１内を気密に閉塞することができるようになっている。   A gate valve 161 as a gate valve is provided on the side wall of the lower container 211. When the gate valve 161 is open, the substrate 200 can be carried into the processing chamber 201 using the transfer robot 112 or can be carried out to the outside of the processing chamber 201. By closing the gate valve 161, the inside of the processing chamber 201 can be hermetically closed.

処理室２０１の上部には、処理室２０１内へガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ上の蓋体２３３と、ガス導入口２３４と、バッファ室２３７と、開口２３８と、遮蔽プレート２４０と、ガス吹出口２３９とを備えている。   A shower head 236 that supplies gas into the processing chamber 201 is provided at the top of the processing chamber 201. The shower head 236 includes a cap 233 on the cap, a gas inlet 234, a buffer chamber 237, an opening 238, a shielding plate 240, and a gas outlet 239.

ガス導入口２３４には、バッファ室２３７内へガスを供給するガス供給管２３２の下流端が、封止部材としてのＯリング２０３ｂを介して接続されている。バッファ室２３７は、ガス導入口２３４より導入されるガスを分散する分散空間として機能する。   A downstream end of a gas supply pipe 232 that supplies gas into the buffer chamber 237 is connected to the gas inlet 234 via an O-ring 203b as a sealing member. The buffer chamber 237 functions as a dispersion space for dispersing the gas introduced from the gas introduction port 234.

ガス供給管２３２の上流側には、窒素原子含有ガスとしてのＮ２ガスを供給する窒素ガス供給管２３２ａの下流側と、水素原子含有ガスとしてのＨ２ガスを供給する水素ガス供給管２３２ｂの下流端と、希釈ガスとしての例えばヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスを供給する希ガス供給間２３２ｃの下流端と、が合流するように接続されている。   On the upstream side of the gas supply pipe 232, the downstream side of the nitrogen gas supply pipe 232 a that supplies N 2 gas as a nitrogen atom-containing gas and the downstream end of the hydrogen gas supply pipe 232 b that supplies H 2 gas as a hydrogen atom-containing gas And a downstream end of a rare gas supply interval 232c for supplying a rare gas such as helium (He) or argon (Ar) as a dilution gas so as to merge.

窒素ガス供給管２３２ａには、窒素ガスボンベ２５０ａ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ａ、開閉弁であるバルブ２５２ａが上流から順に接続されている。水素ガス供給管２３２ｂには、水素ガスボンベ２５０ｂ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２ｂが上流から順に接続されている。希ガス供給管２３２ｃには、希ガスボンベ２５０ｃ、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２５１ｃ、開閉弁であるバルブ２５２ｃが上流から順に接続されている。   A nitrogen gas cylinder 250a, a mass flow controller 251a as a flow rate control device, and a valve 252a as an on-off valve are connected to the nitrogen gas supply pipe 232a in order from the upstream side. A hydrogen gas cylinder 250b, a mass flow controller 251b as a flow control device, and a valve 252b as an on-off valve are connected to the hydrogen gas supply pipe 232b in order from the upstream side. A rare gas cylinder 250c, a mass flow controller 251c as a flow control device, and a valve 252c as an on-off valve are connected to the rare gas supply pipe 232c in order from the upstream side.

主に、ガス供給管２３４、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃ、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂ、希ガスボンベ２５０ｃ、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃ、及びバルブ２５２ａ〜２５２ｃにより、本実施形態に係るガス供給部が構成される。ガス供給管２３２、窒素ガス供給管２３２ａ、水素ガス供給管２３２ｂ、希ガス供給管２３２ｃは、例えば石英、酸化アルミニウム等の非金属材料及びＳＵＳ等の金属材料等により構成されている。これらのバルブ２５２ａ〜２５２ｃを開閉させることにより、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５２ｃにより流量制御しながら、バッファ室２３７を介して処理室２０１内にＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガスを自在に供給できるように構成されている。   Mainly by a gas supply pipe 234, a nitrogen gas supply pipe 232a, a hydrogen gas supply pipe 232b, a rare gas supply pipe 232c, a nitrogen gas cylinder 250a, a hydrogen gas cylinder 250b, a rare gas cylinder 250c, mass flow controllers 251a to 252c, and valves 252a to 252c. The gas supply unit according to this embodiment is configured. The gas supply pipe 232, the nitrogen gas supply pipe 232a, the hydrogen gas supply pipe 232b, and the rare gas supply pipe 232c are made of, for example, a non-metallic material such as quartz or aluminum oxide, a metallic material such as SUS, or the like. By opening and closing these valves 252a to 252c, the N2 gas, H2 gas, and rare gas can be freely supplied into the processing chamber 201 through the buffer chamber 237 while controlling the flow rate by the mass flow controllers 251a to 252c. Has been.

なお、ここではＮ２ガス、Ｈ２ガス、希ガス毎にガスボンベを設ける場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されるものではなく、窒素ガスボンベ２５０ａ、水素ガスボンベ２５０ｂに代えて、酸素（Ｏ２）ガスボンベを設けてもよい。また、処理室２０１内に供給する反応ガス中の窒素の割合を多くする場合には、ＮＨ３ガスボンベを更に設け、Ｎ２ガスにＮＨ３ガスを添加してもよい。   Here, the case where a gas cylinder is provided for each of the N 2 gas, the H 2 gas, and the rare gas has been described. ) A gas cylinder may be provided. Further, in the case where the ratio of nitrogen in the reaction gas supplied into the processing chamber 201 is increased, an NH3 gas cylinder may be further provided and the NH3 gas may be added to the N2 gas.

下側容器２１１の側壁下方には、処理室２０１内から反応ガス等を排気するガス排気口２３５が設けられている。ガス排気口２３５には、ガスを排気するガス排気管２３１の上流端が接続されている。ガス排気管２３１には、圧力調整器であるＡＰＣ２４２、開閉弁であるバルブ２４３ｂ、排気装置である真空ポンプ２４６が、上流から順に設けられている。主に、ガス排気口２３５、ガス排気管２３１、ＡＰＣ２４２、バルブ２４３ｂ、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気部が構成されている。真空ポンプ２４６を作動させ、バルブ２４３ｂを開けることにより、処理室２０１内を排気することが可能なように構成されている。また、ＡＰＣ２４２の開度を調整することにより、処理室２０１内の圧力値を調整できるように構成されている。   A gas exhaust port 235 for exhausting a reaction gas or the like from the processing chamber 201 is provided below the side wall of the lower container 211. An upstream end of a gas exhaust pipe 231 for exhausting gas is connected to the gas exhaust port 235. The gas exhaust pipe 231 is provided with an APC 242 as a pressure regulator, a valve 243b as an on-off valve, and a vacuum pump 246 as an exhaust device in order from the upstream. The gas exhaust port according to this embodiment is mainly configured by the gas exhaust port 235, the gas exhaust pipe 231, the APC 242, the valve 243b, and the vacuum pump 246. The inside of the processing chamber 201 can be exhausted by operating the vacuum pump 246 and opening the valve 243b. Further, the pressure value in the processing chamber 201 can be adjusted by adjusting the opening degree of the APC 242.

処理容器２０３（上側容器２１０）の外周には、処理室２０１内のプラズマ生成領域２２４を囲うように、第１の電極２１５が設けられている。第一の電極２１５は、筒状、例えば円筒状に形成されている。第一の電極２１５は、インピーダンスの整合を行う整合器２７２を介して、高周波電力を発生する高周波電源２７３に接続されている。第一の電極２１５は、処理室２０１内に供給されるガスを励起させてプラズマを発生させる放電機構として機能する。   A first electrode 215 is provided on the outer periphery of the processing container 203 (upper container 210) so as to surround the plasma generation region 224 in the processing chamber 201. The first electrode 215 is formed in a cylindrical shape, for example, a cylindrical shape. The first electrode 215 is connected to a high-frequency power source 273 that generates high-frequency power via a matching unit 272 that performs impedance matching. The first electrode 215 functions as a discharge mechanism that excites a gas supplied into the processing chamber 201 to generate plasma.

第一の電極２１５の外側表面の上下端部には、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂがそれぞれ取り付けられている。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、それぞれ筒状、例えばリング状に形成された永久磁石として構成されている。   An upper magnet 216a and a lower magnet 216b are attached to upper and lower ends of the outer surface of the first electrode 215, respectively. The upper magnet 216a and the lower magnet 216b are each configured as a permanent magnet formed in a cylindrical shape, for example, a ring shape.

上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂは、処理室２０１の半径方向に沿った両端（すなわち、各磁石の内周端と外周端）にそれぞれ磁極を有している。上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの磁極の向きは、互いに逆向きになるよう配置されている。すなわち、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂの内周部の磁極同士は異極となっている。これにより、筒状電極２１５の内側表面に沿って、円筒軸方向の磁力線が形成されている。   The upper magnet 216a and the lower magnet 216b have magnetic poles at both ends in the radial direction of the processing chamber 201 (that is, the inner peripheral end and the outer peripheral end of each magnet). The directions of the magnetic poles of the upper magnet 216a and the lower magnet 216b are arranged to be opposite to each other. In other words, the magnetic poles on the inner periphery of the upper magnet 216a and the lower magnet 216b are different polarities. Thereby, magnetic field lines in the cylindrical axis direction are formed along the inner surface of the cylindrical electrode 215.

主に、第一の電極２１５、整合器２７２、高周波電源２７３、上部磁石２１６ａ、下部磁石２１６ｂにより、本実施形態に係るプラズマ生成部が構成されている。処理室２０１内にＮ２ガスとＨ２ガスとの混合ガスを導入した後、第一の電極２１５に高周波電力を供給して電界を形成するとともに、上部磁石２１６ａ及び下部磁石２１６ｂを用いて磁界を形成することにより、処理室２０１内にマグネトロン放電プラズマが生成される。この際、放出された電子を上述の電磁界が周回運動させることにより、プラズマの電離生成率が高まり、長寿命の高密度プラズマを生成させることができる。   The plasma generation unit according to this embodiment is mainly configured by the first electrode 215, the matching unit 272, the high-frequency power source 273, the upper magnet 216a, and the lower magnet 216b. After introducing a mixed gas of N2 gas and H2 gas into the processing chamber 201, high frequency power is supplied to the first electrode 215 to form an electric field, and a magnetic field is formed using the upper magnet 216a and the lower magnet 216b. As a result, magnetron discharge plasma is generated in the processing chamber 201. At this time, by causing the above-described electromagnetic field to circulate around the emitted electrons, the ionization generation rate of the plasma is increased, and high-density plasma having a long lifetime can be generated.

なお、第一の電極２１５、上部磁石２１６ａ、及び下部磁石２１６ｂの周囲には、これらが形成する電磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、電磁界を有効に遮蔽する金属製の遮蔽板２２３が設けられている。   It should be noted that an electromagnetic field is effectively provided around the first electrode 215, the upper magnet 216a, and the lower magnet 216b so that the electromagnetic field formed by these does not adversely affect the external environment or other processing furnaces. A shielding plate 223 made of metal for shielding is provided.

（３）コントローラの構成
次に、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成について、説明する。図４は、本発明の一実施形態に係るコントローラの構成を示すブロック図である。 (3) Configuration of Controller Next, the configuration of the controller according to one embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a controller according to an embodiment of the present invention.

図４に示すように、基板処理装置を制御するコントローラとしてのコントローラ３００は、ＯＵ（Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ Ｕｎｉｔ）３０２、ＧＥＭ（Ｇｅｎｅｒｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｍｏｄｅｌ）３０４、主制御部（ＣＣ：Ｃｌｕｓｔｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ）３１０、及びＥＦＥＭ−ＰＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ−ＰＣ）３１２から構成されている。
以下、ＯＵ３０２を第１の制御部３０２と、ＧＥＭ３０４を第２の制御部３０４と、ＥＦＥＭ−ＰＣ３１２を第３の制御部３１２という。 As shown in FIG. 4, a controller 300 as a controller for controlling the substrate processing apparatus includes an OU (Operation Unit) 302, a GEM (Generic Equipment Model) 304, a main control unit (CC: Cluster Controller) 306, and a vacuum transfer robot controller. 308, a process module controller (PMC) 310, and an EFEM-PC (Equipment Front End Module-PC) 312.
Hereinafter, the OU 302 is referred to as a first control unit 302, the GEM 304 is referred to as a second control unit 304, and the EFEM-PC 312 is referred to as a third control unit 312.

第１の制御部３０２は、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第１の制御部３０２は、基板処理装置におけるプロセスレシピの制御を行うコンピュータであり、例えば、プロセスレシピを管理する作業者により操作される。   As shown in FIG. 1, the first control unit 302 is installed below the pre-aligner 106 in the housing 125. The first control unit 302 is a computer that controls a process recipe in the substrate processing apparatus, and is operated by an operator who manages the process recipe, for example.

第１の制御部３０２は、半導体製造工場内に設けられているホスト（統括制御部）３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第１の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。なお、ホスト３１４は、例えば基板処理装置の管理を行ない、複数設けられていてもよい。   The first control unit 302 is connected to a host (overall control unit) 314 provided in the semiconductor manufacturing factory via a LAN. Further, the first control unit 302 is connected to the main control unit 306, the vacuum transfer robot controller 308, and the process module controller 310, which are subordinate control units, via a LAN, and functions as an upper control unit. For example, the host 314 may manage a substrate processing apparatus, and a plurality of hosts may be provided.

第２の制御部３０４は、第１の制御部３０２と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第２の制御部３０４は、基板処理装置とホスト３１４との通信を制御するコンピュータであり、ロット処理の開始タイミング及び終了タイミングなどの通信を制御する。なお、通式方式としては、例えばＳＥＭＩ規格を用いている。
また、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応用のコンピュータとしても機能し、基板処理装置の異常を検知する機能も有する。なお、第２の制御部３０４は、基板処理装置の異常対応では、例えば、基板処理装置の操作者又はサポートエンジニアなどにより操作される。 Similar to the first control unit 302, the second control unit 304 is installed in the lower part of the pre-aligner 106 in the housing 125 as shown in FIG. The second control unit 304 is a computer that controls communication between the substrate processing apparatus and the host 314, and controls communication such as start timing and end timing of lot processing. For example, the SEMI standard is used as the general method.
The second control unit 304 also functions as a computer for handling an abnormality in the substrate processing apparatus, and also has a function of detecting an abnormality in the substrate processing apparatus. Note that the second control unit 304 is operated by, for example, an operator of the substrate processing apparatus or a support engineer in response to an abnormality in the substrate processing apparatus.

第１の制御部３０２と同様、第２の制御部３０４は、ホスト３１４とＬＡＮによる接続がされている。また、第２の制御部３０２は、下位制御部である、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、及びプロセスモジュールコントローラ３１０とＬＡＮによる接続がされており、上位制御部として機能する。   Similar to the first control unit 302, the second control unit 304 is connected to the host 314 via a LAN. The second control unit 302 is connected to the main control unit 306, the vacuum transfer robot controller 308, and the process module controller 310, which are lower-level control units, via a LAN, and functions as a higher-level control unit.

主制御部３０６は、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。主制御部３０６は、後述する第３の制御部３１２、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ＰＬＣ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）３２０、ゲートバルブコントローラ３２２を制御する。   The main control unit 306 is installed in the lower part of the vacuum transfer chamber 103 as shown in FIG. The main control unit 306 controls a third control unit 312, a gas flow rate controller 316, a pressure controller 318, a PLC (Programmable Logic Controller) 320, and a gate valve controller 322 to be described later.

ガス流量コントローラ３１６は、例えば図２に示す信号線Ｆを通じてクリーンユニット１１８を制御する。   The gas flow rate controller 316 controls the clean unit 118 through, for example, the signal line F shown in FIG.

圧力コントローラ３１８は、真空搬送室１０３，予備室１２２，１２３に設けられた図示しない排気部を制御する。   The pressure controller 318 controls an exhaust unit (not shown) provided in the vacuum transfer chamber 103 and the preliminary chambers 122 and 123.

ゲートバルブコントローラ３２２は、例えば図１に示す信号線Ｃ及び図３に示す信号線Ｉを通じて、ゲートバルブ１２８，１２９，１６０，１６１，１６２，１６３，１６４，１６５を制御する。   The gate valve controller 322 controls the gate valves 128, 129, 160, 161, 162, 163, 164, and 165 through, for example, the signal line C shown in FIG. 1 and the signal line I shown in FIG.

ＰＬＣ３２０は、ガス流量コントローラ３１６、圧力コントローラ３１８、ゲートバルブコントローラ３２２の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。   The PLC 320 monitors the operating state of each of the gas flow rate controller 316, the pressure controller 318, and the gate valve controller 322, and transmits a command to each controller.

真空搬送ロボットコントローラ３０８は、主制御部３０６と同様、図２に示すように真空搬送室１０３の下部に設置されている。真空搬送ロボットコントローラ３０８は、例えば図２に示す信号線Ａを通じて真空搬送ロボット１１２を制御する。   The vacuum transfer robot controller 308 is installed in the lower part of the vacuum transfer chamber 103 as shown in FIG. The vacuum transfer robot controller 308 controls the vacuum transfer robot 112 through, for example, the signal line A shown in FIG.

プロセスモジュールコントローラ３１０は、プロセスモジュール毎に設けられ、例えば図２に示すように処理室（プロセスモジュール）の下部に設置されている。プロセスモジュールコントローラ３１０は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ＰＬＣ３３２、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６を制御する。   The process module controller 310 is provided for each process module. For example, as illustrated in FIG. 2, the process module controller 310 is installed in a lower portion of the processing chamber (process module). The process module controller 310 controls the susceptor axis controller 324, the gas flow rate controller 326, the heater control controller 328, the pressure controller 330, the PLC 332, the lamp controller 334, and the plasma generation controller 336.

サセプタ軸コントローラ３２４は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７の上下動作を制御する。   The susceptor axis controller 324 controls the vertical movement of the susceptor 217 through, for example, the signal line H shown in FIG.

ガス流量コントローラ３２６は、例えば図３に示す信号線Ｋを通じて上述のガス供給部を制御する。   The gas flow rate controller 326 controls the above gas supply unit through, for example, the signal line K shown in FIG.

ヒータ制御コントローラ３２８は、例えば図３に示す信号線Ｈを通じてサセプタ２１７に設けられた抵抗加熱ヒータ２１７ｂを制御する。   The heater controller 328 controls the resistance heater 217b provided in the susceptor 217 through, for example, the signal line H shown in FIG.

圧力コントローラ３３０は、例えば図３に示す信号線Ｇを通じて上述のガス排気部を制御する。   The pressure controller 330 controls the gas exhaust unit described above through, for example, the signal line G shown in FIG.

ランプコントローラ３３４は、例えば図３に示す信号線Ｌを通じてランプ加熱装置２８０を制御する。   The lamp controller 334 controls the lamp heating device 280 through, for example, the signal line L shown in FIG.

プラズマ生成コントローラ３３６、例えば図３に示す信号線Ｊを通じて上述のプラズマ生成部を制御する。   A plasma generation controller 336, for example, the above-described plasma generation unit is controlled through a signal line J shown in FIG.

ＰＬＣ３３２は、サセプタ軸コントローラ３２４、ガス流量コントローラ３２６、ヒータ制御コントローラ３２８、圧力コントローラ３３０、ランプコントローラ３３４、プラズマ生成コントローラ３３６の各コントローラの動作状態を監視し、各コントローラへ命令を送信する。   The PLC 332 monitors the operating states of the susceptor axis controller 324, gas flow rate controller 326, heater control controller 328, pressure controller 330, lamp controller 334, and plasma generation controller 336, and transmits commands to the controllers.

第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４と同様、図１に示すように筐体１２５内のプリアライナ１０６の下部に設置されている。第３の制御部３１２は、半導体製造工場において、各工程の製造装置間でのポッド１００の受け渡しを制御するコンピュータであり、大気搬送ロボット１２４などの制御を行なう。第３の制御部３１２は、第１の制御部３０２とＬＡＮによる接続がされており、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８、及び図示しない搬送装置（ＧＶ）などを制御する。   Similar to the first control unit 302 and the second control unit 304, the third control unit 312 is installed in the lower part of the pre-aligner 106 in the housing 125 as shown in FIG. The third control unit 312 is a computer that controls delivery of the pod 100 between manufacturing apparatuses in each process in a semiconductor manufacturing factory, and controls the atmospheric transfer robot 124 and the like. The third control unit 312 is connected to the first control unit 302 via a LAN, and controls the atmospheric transfer robot 124, the pre-aligner 106, the load port 105, the pod opener 108, a transfer device (GV) (not shown), and the like. To do.

第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、切替器３３８を介して、図１に示すように大気搬送室１２１の筐体１２５の前側に設置された表示部３４０及び操作部３４２と入出力インタフェースにより接続されている。   The first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 are installed on the front side of the housing 125 of the atmospheric transfer chamber 121 as shown in FIG. The display unit 340 and the operation unit 342 are connected by an input / output interface.

切替器３３８は、例えば、ＫＶＭスイッチ（Ｋｅｙｂｏａｒｄ／Ｖｉｄｅｏ／Ｍｏｕｓｅスイッチ）であり、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のうち、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成となっている。また、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの入出力を選択することが可能に構成されている。なお、切替器３３８は、例えば表示部３４０及び操作部３４２と隣接して設置されている。   The switch 338 is, for example, a KVM switch (Keyboard / Video / Mouse switch), and the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312 that is activated first. The output signal is transmitted to the display unit 340, and the operation unit 342 is configured to be able to operate the control unit that is activated first. In addition, by selecting a switch provided in the switch 338, it is possible to select any input / output of the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312. It is configured. Note that the switch 338 is installed adjacent to the display unit 340 and the operation unit 342, for example.

表示部３４０は、例えばモニタであり、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかの出力を表示する。例えば、表示部３４０は、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかのうちいずれかの制御部が制御する制御対象の動作毎に制御部が出力する信号を表示する。   The display unit 340 is a monitor, for example, and displays the output of any of the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312 selected by the switch 338. For example, the display unit 340 includes a control unit for each control target operation controlled by any one of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312. Displays the output signal.

操作部３４２は、例えばマウス、キーボード、タッチパネル、ＵＳＢポートなどの記憶媒体読取口等の少なくともいずれかから構成されており、切替器３３８により選択された第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のいずれかへの操作が可能に構成されている。   The operation unit 342 includes at least one of a storage medium reading port such as a mouse, a keyboard, a touch panel, and a USB port, for example, and the first control unit 302 and the second control unit selected by the switch 338. Operation to either 304 or the 3rd control part 312 is possible.

また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２は、それぞれ、図４において点線で示した電力ケーブルにより起動時間制御部３４４と接続されており、後述の電源からの電気が起動時間制御部３４４を介して供給されることにより起動する。   Further, each of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 is connected to the activation time control unit 344 by a power cable indicated by a dotted line in FIG. The power supply is activated by being supplied through the activation time control unit 344.

なお、コントローラ３００を構成する各機器、切替器３３８、表示部３４０、及び操作部３４２の設置箇所は上記に限られず、適宜変更しても構わない。   In addition, the installation location of each apparatus, the switch 338, the display unit 340, and the operation unit 342 constituting the controller 300 is not limited to the above, and may be changed as appropriate.

（４）起動時間制御部の構成
起動時間制御部３４４は、操作部３４２に接続された少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、起動時間を互いにずらす。
図５は、本実施形態に係る起動時間制御部３４４の構成を示す回路図である。
起動時間制御部３４４は、電源３５０から第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２への電源の投入時機（通電開始時機）を制御し、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動時間を制御する。 (4) Configuration of Activation Time Control Unit Activation time control unit 344 shifts activation times of at least two or more control units among at least two or more control units connected to operation unit 342.
FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a configuration of the activation time control unit 344 according to the present embodiment.
The start-up time control unit 344 controls a power-on time (power-on start time) from the power source 350 to the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312 and performs the first control. The activation time of the unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 is controlled.

図５に示すように、起動時間制御部３４４は、オンディレー回路（遅延回路）３４６及び３４８から構成されている。オンディレー回路３４６は、電源３５０と第２の制御部３０４との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第２の制御部３０４に対して電気を供給する。第２の制御部３０４を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。   As shown in FIG. 5, the activation time control unit 344 includes on-delay circuits (delay circuits) 346 and 348. The on-delay circuit 346 is provided between the power supply 350 and the second control unit 304, and after an elapse of a delay time set after the supply of electricity from the power supply 350 is started (for example, after 5 seconds). ) To supply electricity to the second control unit 304. The computer constituting the second control unit 304 is activated when electricity is supplied.

オンディレー回路３４８は、電源３５０と第３の制御部３１２との間に設けられており、電源３５０からの電気の供給が開始されてから設定された遅延時間の経過後（例えば、５秒後）に、第３の制御部３１２に対して電気を供給する。第３の制御部３１２を構成するコンピュータは、電気が供給されると起動する。
なお、第２の制御部３０４と第３の制御部３１２とは、同時に起動してもよいが、上記の設定された時間として異なる時間を設定し、異なる時間に起動してもよい。 The on-delay circuit 348 is provided between the power supply 350 and the third control unit 312, and after a set delay time has elapsed since the start of power supply from the power supply 350 (for example, after 5 seconds). ) To supply electricity to the third control unit 312. The computer constituting the third control unit 312 is activated when electricity is supplied.
The second control unit 304 and the third control unit 312 may be activated at the same time, but may be activated at different times by setting different times as the set time.

一方、第１の制御部３０２と電源３５０との間には、オンディレー回路は設けられておらず、電源３５０からの電気の供給が開始されると、オンディレー回路による遅延が発生することなく、第１の制御部３０２に電気が供給され、第１の制御部３０２を構成するコンピュータが起動する。   On the other hand, an on-delay circuit is not provided between the first control unit 302 and the power supply 350, and when the supply of electricity from the power supply 350 is started, a delay due to the on-delay circuit does not occur. Electricity is supplied to the first control unit 302, and the computer constituting the first control unit 302 is started.

なお、遅延時間は、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動する時間として、実験的に決めてもよいし、他の方法により算出してもよい。   Note that the delay time may be determined experimentally as the time for the first control unit 302 to start before the second control unit 304 and the third control unit 312 or may be calculated by another method. May be.

例えば、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の各制御部の前回の起動に要した時間（電源の投入時機から切替部３３８が出力信号を受信するまでの時間）を記憶部に記録し、記録した時間から次回の起動に要する時間を予測する演算をし、予測結果をオンディレー回路に設定又は再設定するプログラムを設けてもよい。また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２の各制御部のシャットダウン時間から、起動時間を予測し、オンディレー回路の設定を更新するプログラムを設けてもよい。   For example, the time required for the previous activation of each of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 (the switching unit 338 receives the output signal from the power-on timing) A program for setting or resetting the prediction result in the on-delay circuit may be provided by calculating the time required for the next activation from the recorded time. In addition, a program is provided for predicting the startup time from the shutdown time of each control unit of the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312, and updating the setting of the on-delay circuit. Also good.

このようなプログラムを設けることで、例えば、基板処理装置の構成の変更、各制御部の構成の変更、基板処理装置の繰り返しの使用によるコンピュータ動作速度の低下、アプリケーションのインストール等による起動時間の変更、又はエラーによる動作不良などにより、各制御部の起動時間が変更されても、自動的に遅延時間の設定がなさ、起動順番を維持することが可能となる。なお、上述のプログラムは、基板処理装置に設けられた記憶部を有するコンピュータにより実行されてもよい。   By providing such a program, for example, a change in the configuration of the substrate processing apparatus, a change in the configuration of each control unit, a decrease in computer operating speed due to repeated use of the substrate processing apparatus, a change in startup time due to application installation, etc. Even if the activation time of each control unit is changed due to malfunction due to an error or the like, the delay time is not automatically set, and the activation order can be maintained. The above-described program may be executed by a computer having a storage unit provided in the substrate processing apparatus.

以上、説明したとおり、電源３５０からの電気の供給が開始されると、まず第１の制御部３０２が起動し、その後、設定された時間が経過すると、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。また、切替部３３８は、最初に起動した第１の制御部の出力信号を表示部３４０に出力し、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。なお、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２の起動後は、切替器３３８に設けられたスイッチを選択することにより、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２のいずれかへの入出力操作が可能となる。   As described above, when the supply of electricity from the power source 350 is started, the first control unit 302 is first activated, and then, after the set time has elapsed, the second control unit 304 and the third control unit The control unit 312 is activated. In addition, the switching unit 338 outputs the output signal of the first control unit activated first to the display unit 340, and the input / output operation to the first control unit by the display unit 340 and the operation unit 342 becomes possible. Note that, after the second control unit 304 or the third control unit 312 is activated, either the second control unit 304 or the third control unit 312 is selected by selecting a switch provided in the switch 338. I / O operations can be performed.

（５）基板処理工程
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用して、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として基板を処理する処理工程について説明する。なお、以下の説明おいて、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ３００により制御される。 (5) Substrate Processing Step Hereinafter, a processing step for processing a substrate as one step of a semiconductor device (device) manufacturing process using the substrate processing apparatus having the above configuration will be described. In the following description, the operation of each unit constituting the substrate processing apparatus is controlled by the controller 300.

基板処理装置の起動において、電源３５０からの電気の供給が開始されると、起動時間制御部３４４は、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２への通電開始を遅延させる。起動時間制御部３４４による制御により、まず第１の制御部３０２が起動し、第１の制御部の出力信号が表示部３４０に出力され、表示部３４０及び操作部３４２による第１の制御部への入出力操作が可能となる。その後、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２が起動する。   In the activation of the substrate processing apparatus, when the supply of electricity from the power supply 350 is started, the activation time control unit 344 delays the start of energization to the second control unit 304 and the third control unit 312. Under the control by the activation time control unit 344, the first control unit 302 is first activated, and the output signal of the first control unit is output to the display unit 340, and the display unit 340 and the operation unit 342 to the first control unit. I / O operations are possible. Thereafter, the second control unit 304 and the third control unit 312 are activated.

作業者は、表示部３４０及び操作部３４２を用いて、第１の制御部３０２への操作（例えば、プロセスレシピの調整など）を行い、基板処理を開始する指示を操作部３４２から第１の制御部３０２へと行なう。   The operator uses the display unit 340 and the operation unit 342 to perform an operation on the first control unit 302 (for example, adjustment of a process recipe) and gives an instruction to start substrate processing from the operation unit 342 to the first operation unit 342. This is performed to the control unit 302.

以下、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２が起動した状態で行なわれる処理工程の流れを説明する。   Hereinafter, a flow of processing steps performed in a state where the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 are activated will be described.

２５枚の未処理基板２００がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図１及び図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はＩＯステージ１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。 In a state where 25 unprocessed substrates 200 are accommodated in the pod 100, they are transported by the in-process transport apparatus to the substrate processing apparatus for performing the processing process.
As shown in FIGS. 1 and 2, the pod 100 that has been transported is delivered and placed on the IO stage 105 from the intra-process transport device.
The cap 100a of the pod 100 is removed by the pod opener 108, and the substrate outlet of the pod 100 is opened.

ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、大気搬送室１２１に設置された大気搬送ロボット１２４はポッド１００から基板２００をピックアップして予備室１２２に搬入し、基板２００を基板載置台１５０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の真空搬送室１０３側のゲートバルブ１６０は閉じられており、真空搬送室１０３内の負圧は維持されている。
ポッド１００に収納された所定枚数、例えば２５枚の基板２００の基板載置台１５０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。 When the pod 100 is opened by the pod opener 108, the atmospheric transfer robot 124 installed in the atmospheric transfer chamber 121 picks up the substrate 200 from the pod 100 and loads it into the spare chamber 122, and transfers the substrate 200 to the substrate mounting table 150. Included. During this transfer operation, the gate valve 160 on the vacuum transfer chamber 103 side of the preliminary chamber 122 is closed, and the negative pressure in the vacuum transfer chamber 103 is maintained.
When the transfer of a predetermined number of, for example, 25 substrates 200 stored in the pod 100 to the substrate mounting table 150 is completed, the gate valve 128 is closed, and the preliminary chamber 122 is negatively charged by an exhaust device (not shown). Exhausted.

予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１６０が開かれ、予備室１２２と真空搬送室１０３とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は基板載置台１５０から基板２００をピックアップして真空搬送室１０３に搬入する。
ゲートバルブ１６０が閉じられた後に、ゲートバルブ１６１が開かれて、真空搬送室１０３と第一処理室１３７とが連通される。
続いて、真空搬送ロボット１１２は、基板２００を真空搬送室１０３から第一処理室１３７へ搬入して、第一処理室１３７内の基板支持部２１７に移載する。
ゲートバルブ１６１が閉じられた後、第一処理室１３７で所望の熱処理を伴う基板処理が施される。 When the pressure in the preliminary chamber 122 reaches a preset pressure value, the gate valve 160 is opened, and the preliminary chamber 122 and the vacuum transfer chamber 103 communicate with each other.
Subsequently, the vacuum transfer robot 112 picks up the substrate 200 from the substrate mounting table 150 and carries it into the vacuum transfer chamber 103.
After the gate valve 160 is closed, the gate valve 161 is opened, and the vacuum transfer chamber 103 and the first processing chamber 137 are communicated.
Subsequently, the vacuum transfer robot 112 carries the substrate 200 from the vacuum transfer chamber 103 to the first processing chamber 137 and transfers it to the substrate support unit 217 in the first processing chamber 137.
After the gate valve 161 is closed, a substrate process with a desired heat treatment is performed in the first processing chamber 137.

ここで、基板の処理室への搬入、熱処理を伴う基板処理、基板を処理室から搬出する動作について図３を用いて説明する。   Here, the loading of the substrate into the processing chamber, the substrate processing with heat treatment, and the operation of unloading the substrate from the processing chamber will be described with reference to FIG.

最初、サセプタ２１７は下降しており、基板突上げピン２６６の先端がサセプタ２１７の貫通孔２１７ａを通してサセプタ２１７の表面より所定の高さ分だけ突き出た状態にある。まず、下側容器２１１に設けられたゲートバルブ１６１を開く。次に、真空搬送ロボット１１２によって基板２００を基板突上げピン２６６の先端に載置する。その後、真空搬送ロボット１１２を処理室２０１外へ退避させる。次に、ゲートバルブ１６１を閉め、サセプタ２１７をサセプタ昇降機構２６８により上昇させる。その結果、基板２００がサセプタ２１７表面に載置される。サセプタ２１７上に載置された基板２００を処理する位置まで上昇させる。   Initially, the susceptor 217 is lowered, and the tip of the substrate push-up pin 266 protrudes from the surface of the susceptor 217 by a predetermined height through the through hole 217a of the susceptor 217. First, the gate valve 161 provided in the lower container 211 is opened. Next, the substrate 200 is placed on the tip of the substrate push-up pin 266 by the vacuum transfer robot 112. Thereafter, the vacuum transfer robot 112 is retracted out of the processing chamber 201. Next, the gate valve 161 is closed, and the susceptor 217 is raised by the susceptor lifting mechanism 268. As a result, the substrate 200 is placed on the surface of the susceptor 217. The substrate 200 placed on the susceptor 217 is raised to a processing position.

サセプタ２１７に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂは予め加熱されている。基板２００は、抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって室温から７００℃の範囲内で基板処理温度に加熱される。真空ポンプ２４６及びＡＰＣバルブ２４２を用いて処理室２０１の圧力を０．１〜３００Ｐａの範囲内に維持する。   The resistance heater 217b embedded in the susceptor 217 is preheated. The substrate 200 is heated to the substrate processing temperature within the range of room temperature to 700 ° C. by the resistance heater 217b. The pressure of the processing chamber 201 is maintained within the range of 0.1 to 300 Pa using the vacuum pump 246 and the APC valve 242.

基板２００を基板処理温度に加熱した後、ガス導入口２３４からシャワープレート２４０のガス噴出孔２３４ａを介して、処理ガスを処理室２０１に配置されている基板２００の表面（処理面）に向けてシャワー状に供給する。同時に筒状電極２１５に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を供給する。供給する電力は、例えば１００〜１０００Ｗの範囲内とし、例えば８００Ｗである。なお、インピーダンス可変機構２７４は予め所望のインピーダンス値に設定されている。   After heating the substrate 200 to the substrate processing temperature, the processing gas is directed from the gas inlet 234 toward the surface (processing surface) of the substrate 200 disposed in the processing chamber 201 through the gas ejection holes 234a of the shower plate 240. Supply in shower form. At the same time, high frequency power is supplied to the cylindrical electrode 215 from the high frequency power supply 273 via the matching unit 272. The power to be supplied is within a range of 100 to 1000 W, for example, and is 800 W, for example. The impedance variable mechanism 274 is set to a desired impedance value in advance.

筒状磁石２１６ａ、２１６ｂの磁界によってマグネトロン放電が発生し、基板２００の上方空間に電荷がトラップされてプラズマ生成領域２２４に高密度プラズマが生成される。この高密度プラズマによって、サセプタ２１７上の基板２００の表面に酸化膜や窒化膜を形成したり、薄膜を形成したり、エッチングしたりする等のプラズマ処理が施される。処理が終わった基板２００は、搬送手段によって、基板２００の搬入と逆の動作で処理室２０１外へ搬送される。   Magnetron discharge is generated by the magnetic field of the cylindrical magnets 216 a and 216 b, charges are trapped in the space above the substrate 200, and high-density plasma is generated in the plasma generation region 224. By this high-density plasma, plasma processing such as forming an oxide film or a nitride film, forming a thin film, or etching on the surface of the substrate 200 on the susceptor 217 is performed. The substrate 200 that has been processed is transferred to the outside of the processing chamber 201 by the transfer means in an operation reverse to the loading of the substrate 200.

なお、コントローラ３００は、高周波電源２７３の電力ＯＮ・ＯＦＦ、整合器２７２の調整、バルブ２４３ａの開閉、マスフローコントローラ２５１ａ〜２５１ｃの流量、ＡＰＣバルブ２４２の弁開度、バルブ２４３ｂの開閉、真空ポンプ２４６の起動・停止、サセプタ昇降機構２６８の昇降動作、ゲートバルブ１６１の開閉、サセプタに埋め込まれた抵抗加熱ヒータ２１７ｂに高周波等の電力を供給する高周波電源のＯＮ・ＯＦＦを制御している。   The controller 300 turns on / off the power of the high-frequency power supply 273, adjusts the matching unit 272, opens / closes the valve 243a, the flow rate of the mass flow controllers 251a-251c, the valve opening of the APC valve 242, the opening / closing of the valve 243b, the vacuum pump 246. Is controlled to turn on / off a high-frequency power source that supplies high-frequency power to a resistance heater 217b embedded in the susceptor.

ところで、上述した構成の処理炉では、サセプタ２１７に埋めこまれている抵抗加熱ヒータ２１７ｂによって基板２００を加熱できる温度は、高々７００℃程度である。このため、抵抗加熱ヒータ２１７ｂだけでは、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理は困難である。   By the way, in the processing furnace having the above-described configuration, the temperature at which the substrate 200 can be heated by the resistance heater 217b embedded in the susceptor 217 is about 700 ° C. at most. For this reason, it is difficult to perform substrate processing that requires a processing temperature exceeding 700 ° C. with only the resistance heater 217b.

そこで、７００℃を超える処理温度を必要とする基板処理を行うために、基板加熱体として抵抗加熱ヒータ２１７ｂの他に、さらに赤外光を発する光源（ランプヒータ）２８０を補助ヒータとして処理炉に加えるようにしている。   Therefore, in order to perform substrate processing that requires a processing temperature exceeding 700 ° C., in addition to the resistance heater 217b as a substrate heater, a light source (lamp heater) 280 that emits infrared light is used as an auxiliary heater in the processing furnace. I try to add it.

第一処理室１３７での基板２００に対する基板処理が完了すると、基板２００の冷却が終わらない内に、ゲートバルブ１６１が開かれて処理済みの基板２００は真空搬送ロボット１１２によって真空搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１６１は閉じられる。   When the substrate processing on the substrate 200 in the first processing chamber 137 is completed, the gate valve 161 is opened and the processed substrate 200 is unloaded to the vacuum transfer chamber 103 by the vacuum transfer robot 112 before the cooling of the substrate 200 is finished. Is done. After unloading, the gate valve 161 is closed.

真空搬送ロボット１１２は第一処理室１３７から搬出した処理済の基板２００を予備室１２３へ搬送する。基板載置台１５１に移載した後に、予備室１２３はゲートバルブ１６５によって閉じられる。   The vacuum transfer robot 112 transfers the processed substrate 200 unloaded from the first processing chamber 137 to the preliminary chamber 123. After transferring to the substrate mounting table 151, the preliminary chamber 123 is closed by the gate valve 165.

以上の作動が繰り返されることにより、予備室１２２内に搬入された所定枚数、例えば２５枚の基板２００が順次処理されて行く。   By repeating the above operation, a predetermined number of, for example, 25 substrates 200 carried into the preliminary chamber 122 are sequentially processed.

予備室１２２内に搬入された全ての基板２００に対する基板処理が終了し、全ての処理済み基板２００が予備室１２３に収納され、予備室１２３がゲートバルブ１６５によって閉じられると、予備室１２３内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。
予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ＩＯステージ１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
続いて、大気搬送室１２１の大気搬送ロボット１２４は基板載置台１５１から基板２００をピックアップして大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通して大気搬送室１２１に搬出し、大気搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。
２５枚の処理済み基板２００のポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はＩＯステージ１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。 When the substrate processing on all the substrates 200 carried into the spare chamber 122 is completed, all the processed substrates 200 are stored in the spare chamber 123, and the spare chamber 123 is closed by the gate valve 165, the inside of the spare chamber 123 is stored. The pressure is returned to approximately atmospheric pressure by the inert gas.
When the inside of the preliminary chamber 123 is returned to approximately atmospheric pressure, the gate valve 129 is opened, and the cap 100 a of the empty pod 100 placed on the IO stage 105 is opened by the pod opener 108.
Subsequently, the atmospheric transfer robot 124 in the atmospheric transfer chamber 121 picks up the substrate 200 from the substrate mounting table 151 and carries it out to the atmospheric transfer chamber 121, and carries it out to the atmospheric transfer chamber 121 through the substrate loading / unloading port 134 of the atmospheric transfer chamber 121. Then, the substrate is stored in the pod 100 through the substrate loading / unloading port 134 of the atmospheric transfer chamber 121.
When the storage of the 25 processed substrates 200 into the pod 100 is completed, the cap 100 a of the pod 100 is closed by the pod opener 108. The closed pod 100 is transferred from the top of the IO stage 105 to the next process by the in-process transfer apparatus.

以上の動作は第一処理室１３７が使用される場合を例にして説明したが、第二処理室１３８、第三処理室１３９および第四処理室１４０が使用される場合についても同様の作動が実施される。
また、前述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としてもよい。 Although the above operation has been described by taking the case where the first processing chamber 137 is used as an example, the same operation is performed when the second processing chamber 138, the third processing chamber 139, and the fourth processing chamber 140 are used. To be implemented.
In the above-described substrate processing apparatus, the spare chamber 122 is used for carrying in and the spare chamber 123 is used for carrying out. However, the spare chamber 123 may be used for carrying in, and the spare chamber 122 may be used for carrying out.

また、第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０では、それぞれ同じ処理を行ってもよいし、別の処理を行ってもよい。第一処理室１３７、第二処理室１３８、第三処理室１３９、第四処理室１４０で別の処理を行う場合、例えば第一処理室１３７で基板２００にある処理を行った後、続けて第二処理室１３７で別の処理を行わせてもよい。また、第一処理室１３７で基板２００に処理を行った後に、第二処理室１３８で別の処理を行い、その後、第三処理室１３９や第四処理室１４０で、更に別の処理を行わせるようにしてもよい。   In the first processing chamber 137, the second processing chamber 138, the third processing chamber 139, and the fourth processing chamber 140, the same processing may be performed, or different processing may be performed. When another process is performed in the first process chamber 137, the second process chamber 138, the third process chamber 139, and the fourth process chamber 140, for example, after the process on the substrate 200 is performed in the first process chamber 137, the process continues. Another process may be performed in the second processing chamber 137. In addition, after processing the substrate 200 in the first processing chamber 137, another processing is performed in the second processing chamber 138, and then further processing is performed in the third processing chamber 139 and the fourth processing chamber 140. You may make it let.

上記の基板処理装置では、基板処理作業において作業者が使用するコンピュータである第１の制御部に対しての入出力操作が可能となり、作業者は切替器３３８で入出力を切り替える必要がなく、作業性が向上する。   In the above substrate processing apparatus, an input / output operation can be performed on the first control unit which is a computer used by the worker in the substrate processing work, and the worker does not need to switch the input / output with the switch 338. Workability is improved.

また、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２の起動タイミングをずらすことが可能となり、基板処理装置全体の起動時の消費電力のピークを小さくすることが可能となる。さらに、従来の基板処理装置では、起動時の起動タイミングを制御しておらず、基板処理装置各部の起動が重なり、突入電流の集中によって、電源部や配線などに負荷がかかり、電源部や配線の寿命が短くなることがあったが、上記の基板処理装置では、起動タイミングがずれ、突入電流を減少させることができる。   In addition, the start timing of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 can be shifted, so that the peak of power consumption during startup of the entire substrate processing apparatus can be reduced. It becomes possible. Furthermore, in the conventional substrate processing apparatus, the start timing at the time of start-up is not controlled, the start-up of each part of the substrate processing apparatus is overlapped, and a load is applied to the power supply unit and wiring due to the concentration of inrush current. However, in the above-described substrate processing apparatus, the start timing is shifted and the inrush current can be reduced.

上記の基板処理装置では、第１の制御部３０２が、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２よりも先に起動するため、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続する構成を示したが、第２の制御部３０４又は第３の制御部３１２が先に起動する構成としてもよい。   In the above substrate processing apparatus, since the first control unit 302 is activated before the second control unit 304 and the third control unit 312, in the second control unit 304 and the third control unit 312, Although the configuration in which the on-delay circuit is connected is shown, the second control unit 304 or the third control unit 312 may be activated first.

例えば、第２の制御部３０４を第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第３の制御部３１２においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、ホスト３１４との通信、又は異常対応を行うことが可能となる。   For example, in order to start the second control unit 304 before the first control unit 302 and the third control unit 312, an on-delay circuit is connected in the first control unit 302 and the third control unit 312. do it. In the case of such a configuration, it is possible to communicate with the host 314 or deal with an abnormality without performing a switching operation in the switching unit 338.

同様に、第３の制御部３１２を第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４よりも先に起動させるためは、第１の制御部３０２及び第２の制御部３０４においてオンディレー回路を接続すればよい。このような構成の場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく、第３の制御部３１２に接続されたロードポート１０５などの設定やメンテナンスを行うことが可能となる。   Similarly, in order to activate the third control unit 312 prior to the first control unit 302 and the second control unit 304, an on-delay circuit is provided in the first control unit 302 and the second control unit 304. Just connect. In such a configuration, setting and maintenance of the load port 105 and the like connected to the third control unit 312 can be performed without performing a switching operation in the switching unit 338.

また、上記の基板処理装置では、切替器３３８は、最初に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最初に起動した制御部への操作が可能な構成としたが、切替器３３８は、最後に起動した制御部の出力信号を表示部３４０に伝達し、操作部３４２では最後に起動した制御部への操作が可能な構成としてもよい。この場合、切替部３３８における切替操作を行なうことなく入出力を行いたい制御部に対して、オンディレー回路を接続し、該制御部が最後に起動するように構成すればよい。   In the substrate processing apparatus described above, the switch 338 transmits the output signal of the control unit activated first to the display unit 340, and the operation unit 342 is configured to be able to operate the control unit activated first. However, the switch 338 may transmit the output signal of the last activated control unit to the display unit 340, and the operation unit 342 may be configured to be able to operate the last activated control unit. In this case, an on-delay circuit may be connected to a control unit that performs input / output without performing a switching operation in the switching unit 338 so that the control unit is activated last.

また、起動時間制御部３４４に代え、又は起動時間制御部３４４とともに、シャットダウン時間制御部を設けてもよい。シャットダウン時間制御部は、少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部について、シャットダウン時間を互いにずらす。例えば、シャットダウン時間制御部は、電源から入力された電気が断たれてから設定された時間経過後に出力する電気を断つ回路であるオフディレー回路から構成されており、このオフディレー回路に接続された機器のシャットダウン時機、すなわち起動状態からの終了時機を遅らせる。   Further, a shutdown time control unit may be provided instead of the startup time control unit 344 or together with the startup time control unit 344. The shutdown time control unit shifts the shutdown time for at least two or more control units among at least two or more control units. For example, the shutdown time control unit is composed of an off-delay circuit that is a circuit that cuts off the electricity that is output after the set time has elapsed since the electricity input from the power supply was turned off, and was connected to the off-delay circuit. Delay the shutdown time of the equipment, that is, the end time from the startup state.

上位制御部と電源との間に、オフディレー回路を設けたシャットダウン時間制御部を構成することにより、下位制御部よりもシャットダウン時機を遅らせることができる。ここで、上位制御部とは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２をいい、下位制御部とは、上位制御部の制御対象をいい、例えば、主制御部３０６、真空搬送ロボットコントローラ３０８、プロセスモジュールコントローラ３１０、大気搬送ロボット１２４、プリアライナ１０６、ロードポート１０５、ポッドオープナ１０８が下位制御部となる。また、主制御部３０６の制御対象（例えば、ガス流量コントローラ３１６など）、プロセスモジュールコントローラ３１０の制御対象（例えば、サセプタ軸コントローラ３２４）も、さらに下位の下位制御部として位置づけられる。   By configuring a shutdown time control unit having an off-delay circuit between the upper control unit and the power supply, the shutdown timing can be delayed as compared with the lower control unit. Here, the upper control unit refers to the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312, and the lower control unit refers to a control target of the upper control unit. The main control unit 306, the vacuum transfer robot controller 308, the process module controller 310, the atmospheric transfer robot 124, the pre-aligner 106, the load port 105, and the pod opener 108 serve as lower control units. Further, the control target of the main control unit 306 (for example, the gas flow rate controller 316) and the control target of the process module controller 310 (for example, the susceptor axis controller 324) are also positioned as lower order lower level control units.

上位制御部のシャットダウン時機を下位制御部のシャットダウン時機よりも遅くすると、下位制御部の動作履歴（ログ）を最後まで取得することができ、シャットダウン時の異常に対する対応が容易となる。   If the shutdown timing of the upper control unit is set later than the shutdown timing of the lower control unit, the operation history (log) of the lower control unit can be acquired to the end, and it becomes easy to deal with an abnormality at the time of shutdown.

また、上位制御部のうち、第１の制御部３０２に接続されたオフディレー回路の遅延時間を他のオフディレー回路に設定された遅延時間よりも長く設定することで、第１の制御部３０２のシャットダウン時機を他の制御部よりも最も遅くすることができる。この場合、第１の制御部３０２は、下位制御部のみならず、第２の制御部３０４及び第３の制御部３１２の動作履歴を最後まで取得することができる。   In addition, by setting the delay time of the off-delay circuit connected to the first control unit 302 among the higher-order control units to be longer than the delay time set to other off-delay circuits, the first control unit 302 The shutdown time can be made slower than other control units. In this case, the first control unit 302 can acquire the operation history of not only the lower control unit but also the second control unit 304 and the third control unit 312 to the end.

次に、本発明の他の実施形態について説明する。上記の実施形態では、遅延回路を設けて起動順番を制御し、所望の制御部の入出力を可能にしたが、ソフトウェアによって、いずれの制御部について表示部３４０及び操作部３４２での入出力を行なうかを制御してもよい。   Next, another embodiment of the present invention will be described. In the above embodiment, a delay circuit is provided to control the startup order and input / output of a desired control unit is enabled. However, input / output at the display unit 340 and the operation unit 342 is performed for any control unit by software. You may control what to do.

例えば、表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、記憶媒体に記憶された情報に基づいて選択するプログラムを用いてもよい。   For example, a program that selects a control unit that inputs and outputs using the display unit 340 and the operation unit 342 based on information stored in a storage medium may be used.

この場合、例えば作業者を特定する情報及び作業内容の情報を予め記憶させておいたＵＳＢキーなどの記憶媒体を、操作部３４２に設けられた記憶媒体読取口に差込んだ後に、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２を起動させ、上記プログラムの選択により、表示部３４０及び操作部３４２の入出力対象を決定する。また、表示部３４０への表示において、上記プログラムは、記憶媒体に記憶された作業内容の情報に基づいて、作業内容に沿った画面を構成して表示するよう制御してもよい。   In this case, for example, after inserting a storage medium such as a USB key in which information for specifying the worker and information on the work content is stored in advance into the storage medium reading port provided in the operation unit 342, the first The control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 are activated, and input / output targets of the display unit 340 and the operation unit 342 are determined by the selection of the program. Further, in the display on the display unit 340, the program may be controlled to configure and display a screen according to the work content based on the work content information stored in the storage medium.

なお、上記プログラムは、記憶媒体に格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、上記プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。   Note that the program may be stored in a storage medium, or may be stored in another storage device connected to the substrate processing apparatus. The program may be executed by any of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312, and is executed by another computer constituting the substrate processing apparatus. May be.

また、次回の起動時において最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を、シャットダウン時に選択するプログラムを構成してもよい。   In addition, a program may be configured to select, at the time of shutdown, the control unit that is first input / output by the display unit 340 and the operation unit 342 at the next startup.

この場合、例えば、切替器３３８として、記憶部を有するＫＶＭスイッチを用い、次のように構成する。第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、又は第３の制御部３１２のシャットダウン時に、ＯＳ又はアプリケーションによって次回起動時に最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部を選択可能なプログラムを構成し、このプログラムは、いずれの制御部が選択されたかを示すデータをＫＶＭスイッチに出力し、ＫＶＭスイッチは、このデータを記憶する。次回起動時、ＫＶＭスイッチは、記憶されているデータに基づいて、最初に表示部３４０及び操作部３４２により入出力する制御部として、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれかの出力データを表示部３４０へ出力する。   In this case, for example, a KVM switch having a storage unit is used as the switch 338 and configured as follows. When the first control unit 302, the second control unit 304, or the third control unit 312 is shut down, it is possible to select a control unit to be input / output first by the display unit 340 and the operation unit 342 at the next startup by the OS or application. This program outputs data indicating which control unit has been selected to the KVM switch, and the KVM switch stores this data. At the next start-up, the KVM switch is based on the stored data, and the first control unit 302, the second control unit 304, and the second control unit are first input / output by the display unit 340 and the operation unit 342. The output data of any one of the three control units 312 is output to the display unit 340.

なお、プログラムは、ＫＶＭスイッチに格納されていてもよく、また、基板処理装置に接続された他の記憶装置に格納されていてもよい。また、プログラムは、第１の制御部３０２、第２の制御部３０４、及び第３の制御部３１２のいずれに実行されてもよく、また、基板処理装置を構成する他のコンピュータに実行されてもよい。   Note that the program may be stored in the KVM switch, or may be stored in another storage device connected to the substrate processing apparatus. The program may be executed by any of the first control unit 302, the second control unit 304, and the third control unit 312 and executed by another computer constituting the substrate processing apparatus. Also good.

以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.

本発明は、特許請求の範囲に記載した事項を特徴とするが、さらに次に記載した事項も本発明の望ましい態様として付記する。   The present invention is characterized by the matters described in the claims, but the following items are also added as desirable aspects of the present invention.

＜付記１＞
基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
少なくとも前記基板搬送部と前記加熱部と前記排気部と前記ガス供給部とを制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
前記少なくとも２つ以上設けられた制御部が出力する信号を受信して表示する表示部と、
前記表示部に設けられ、作業者が操作する操作部と、
を有する基板処理装置であって、
起動時間制御部が、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動を異ならせるように当該制御部に電源を投入する工程を有する基板処理装置の起動方法。 <Appendix 1>
A processing chamber for processing the substrate;
A substrate transport section for transporting the substrate;
A transfer chamber provided with the substrate transfer section and serving as a transfer space for the substrate;
A heating unit provided in the processing chamber for heating the substrate;
An exhaust section for exhausting the processing chamber;
A gas supply unit for supplying gas into the processing chamber;
At least two or more control units that control at least the substrate transport unit, the heating unit, the exhaust unit, and the gas supply unit;
A display unit that receives and displays a signal output from the at least two or more control units;
An operation unit provided on the display unit and operated by an operator;
A substrate processing apparatus comprising:
A step of turning on power to the control unit so that at least two or more control units among the at least two control units provided are activated when the start time control unit is activated; A method for starting a substrate processing apparatus comprising:

＜付記２＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 <Appendix 2>
A substrate transport unit transporting the substrate in the transport chamber;
The substrate transport unit carries the substrate into the processing chamber;
An exhaust section exhausting the processing chamber;
A gas supply unit supplying gas into the processing chamber;
A heating unit heating the substrate;
A main treatment process comprising:
At least two or more control units outputting signals for each operation while controlling at least the operations of the substrate transfer unit, the exhaust unit, the gas supply unit, and the heating unit;
At least one or more display units receiving and displaying the signal;
A control process comprising:
A step of controlling a power-on timing to the control unit so that the activation time control unit varies the activation time of at least two or more of the at least two control units provided; and
A starting step of the control unit having
A step of controlling a time of shutting off the power to the control unit so that the shutdown time control unit makes the shutdown time of at least two or more control units different among the at least two control units provided;
A shutdown process of the control unit having
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:

＜付記３＞
基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
表示切替部が、前記制御部の内、最初に起動した制御部からの出力の表示を保持するステップと、
記憶部が、前記制御部への電源の投入開始から前記表示切替部が制御部からの出力を受信するまでの時間を記録するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
シャットダウン時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部のシャットダウン時間を異ならせるように前記制御部への電源の遮断時機を制御するステップと、
を有する制御部のシャットダウン工程と、
演算部が、前記記憶部が記録した時間から前記制御部の起動時間間隔を演算し、前記起動時間制御部の時間間隔に再設定するステップを有する、起動時間間隔再設定工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 <Appendix 3>
A substrate transport unit transporting the substrate in the transport chamber;
The substrate transport unit carries the substrate into the processing chamber;
An exhaust section exhausting the processing chamber;
A gas supply unit supplying gas into the processing chamber;
A heating unit heating the substrate;
A main treatment process comprising:
At least two or more control units outputting signals for each operation while controlling at least the operations of the substrate transfer unit, the exhaust unit, the gas supply unit, and the heating unit;
At least one or more display units receiving and displaying the signal;
A control process comprising:
A step of controlling a power-on timing to the control unit so that the activation time control unit varies the activation time of at least two or more of the at least two control units provided; and
A step of holding a display of an output from the control unit that is first activated among the control units;
A step of recording a time from when the storage unit starts power-on to the control unit until the display switching unit receives an output from the control unit;
A starting step of the control unit having
A step of controlling a time of shutting off the power to the control unit so that the shutdown time control unit makes the shutdown time of at least two or more control units different among the at least two control units provided;
A shutdown process of the control unit having
The calculation unit has a step of calculating the activation time interval of the control unit from the time recorded by the storage unit, and resetting the time interval of the activation time control unit,
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:

＜付記４＞
少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部と、
少なくとも前記基板処理装置と他の装置との間で行なわれる基板が格納された容器の受け渡しを制御する第３の制御部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部の出力信号を表示する表示部と、
前記第１の制御部、前記第２の制御部、前記第３の制御部、及び前記表示部が接続され、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを切替える切替部と
を有する基板処理装置。 <Appendix 4>
A first control unit that controls at least a recipe of the substrate processing apparatus;
A second controller that detects at least an abnormality of the substrate processing apparatus;
A third control unit for controlling delivery of a container storing a substrate, which is performed at least between the substrate processing apparatus and another apparatus;
A display unit for displaying an output signal of the first control unit, the second control unit, or the third control unit;
The first control unit, the second control unit, the third control unit, and the display unit are connected, and the first control unit, the second control unit, or the third control unit A substrate processing apparatus comprising: a switching unit that switches which output signal is displayed on the display unit.

＜付記５＞
前記第１の制御部、前記第２の制御部、及び前記第３の制御部と電源との間に設けられたディレー回路により、前記第１の制御部、前記第２の制御部、又は前記第３の制御部のうちいずれの出力信号を前記表示部に表示するかを制御する
前記付記４に記載の基板処理装置。 <Appendix 5>
The first control unit, the second control unit, and a delay circuit provided between the third control unit and a power source, the first control unit, the second control unit, or the The substrate processing apparatus according to appendix 4, which controls which output signal of the third control unit is displayed on the display unit.

＜付記６＞
前記第２の制御部及び前記第３の制御部と電源との間にディレー回路を設け、前記第１の制御部を前記第２の制御部及び前記第３の制御部よりも先に起動させ、前記表示部に前記第１の制御部の出力信号を表示させる
付記５に記載の基板処理装置。 <Appendix 6>
A delay circuit is provided between the second control unit and the third control unit and a power source, and the first control unit is activated prior to the second control unit and the third control unit. The substrate processing apparatus according to appendix 5, wherein an output signal of the first control unit is displayed on the display unit.

＜付記７＞
基板処理装置を構成する機器を制御する、少なくとも２つ以上設けられた制御部と、
少なくとも１つ以上設けられ前記制御部の出力を表示する表示部と、
少なくとも２つ以上設けられた前記制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせる起動時間制御部と
を有する基板処理装置。 <Appendix 7>
At least two or more control units for controlling devices constituting the substrate processing apparatus;
At least one or more display units that display the output of the control unit;
A substrate processing apparatus comprising: an activation time control unit configured to vary activation times of at least two or more of the control units provided at least two.

＜付記８＞
前記制御部は、基板処理装置を構成する機器を制御する少なくとも１つ以上の下位制御部を制御する上位制御部と、基板処理装置と接続された１つ以上の統括制御部との通信を制御する通信制御部であり、
起動時間制御部は、前記上位制御部が前記通信制御部よりも先に起動するよう起動時間を制御する
付記７記載の基板処理装置。 <Appendix 8>
The control unit controls communication between an upper control unit that controls at least one lower control unit that controls devices constituting the substrate processing apparatus, and one or more general control units connected to the substrate processing apparatus. Communication control unit
The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the activation time control unit controls the activation time so that the host control unit is activated before the communication control unit.

３０２ 第１の制御部
３０４ 第２の制御部
３０６ 主制御部
３０８ 真空搬送ロボットコントローラ
３１０ プロセスモジュールコントローラ
３１２ 第３の制御部
３１４ ホスト
３３８ 切替器
３４０ 表示部
３４２ 操作部
３４４ 起動時間制御部
３５０ 電源 302 First control unit 304 Second control unit 306 Main control unit 308 Vacuum transfer robot controller 310 Process module controller 312 Third control unit 314 Host 338 Switch 340 Display unit 342 Operation unit 344 Startup time control unit 350 Power supply

Claims (3)

基板を処理する処理室と、
前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部が設けられ、前記基板の搬送空間となる搬送室と、
前記処理室に設けられ、前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室を排気する排気部と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
を有する基板処理装置であって、
基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部と、
前記操作部に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部と、
前記制御部が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部と、
前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御する起動時間制御部と、
を有する基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
A substrate transport section for transporting the substrate;
A transfer chamber provided with the substrate transfer section and serving as a transfer space for the substrate;
A heating unit provided in the processing chamber for heating the substrate;
An exhaust section for exhausting the processing chamber;
A gas supply unit for supplying gas into the processing chamber;
A substrate processing apparatus comprising:
An operation unit operated by an operator operating the substrate processing apparatus;
At least two or more control units connected to the operation unit and controlling the substrate processing apparatus;
At least one display unit for displaying a signal output from the control unit;
An activation time control unit that controls a power-on timing of the control unit so that the activation time of at least two or more of the at least two control units among the at least two or more control units is different when the substrate processing apparatus is activated. When,
A substrate processing apparatus. 前記制御部は、少なくとも基板処理装置のレシピを制御する第１の制御部と、少なくとも前記基板処理装置の異常を検知する第２の制御部であり、
前記起動時間制御部は、前記第２の制御部よりも前記第１の制御部を先に起動させることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 The control unit is at least a first control unit that controls a recipe of the substrate processing apparatus, and a second control unit that detects at least an abnormality of the substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the activation time control unit activates the first control unit before the second control unit. 基板搬送部が搬送室で基板を搬送するステップと、
前記基板搬送部が、処理室に基板を搬入するステップと、
排気部が前記処理室内を排気するステップと、
ガス供給部が前記処理室内にガスを供給するステップと、
加熱部が前記基板を加熱するステップと、
を有する本処理工程と、
少なくとも２以上の制御部が、少なくとも前記基板搬送部と前記排気部と前記ガス供給部と前記加熱部との動作を制御しつつ動作毎に信号を出力するステップと、
少なくとも１つ以上の表示部が、前記信号を受信して表示するステップと、
を有する制御工程と、
起動時間制御部が、前記少なくとも２つ以上設けられた制御部のうち、少なくとも２つ以上の制御部の起動時間を異ならせるように前記制御部への電源の投入時機を制御するステップと、
を有する制御部の起動工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 A substrate transport unit transporting the substrate in the transport chamber;
The substrate transport unit carries the substrate into the processing chamber;
An exhaust section exhausting the processing chamber;
A gas supply unit supplying gas into the processing chamber;
A heating unit heating the substrate;
A main treatment process comprising:
At least two or more control units outputting signals for each operation while controlling at least the operations of the substrate transfer unit, the exhaust unit, the gas supply unit, and the heating unit;
At least one or more display units receiving and displaying the signal;
A control process comprising:
A step of controlling a power-on timing to the control unit so that the activation time control unit varies the activation time of at least two or more of the at least two control units provided; and
A starting step of the control unit having
A method for manufacturing a semiconductor device comprising:
JP2011179425A 2011-08-19 2011-08-19 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method Withdrawn JP2013042062A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011179425A JP2013042062A (en) 2011-08-19 2011-08-19 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011179425A JP2013042062A (en) 2011-08-19 2011-08-19 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013042062A true JP2013042062A (en) 2013-02-28

Family

ID=47890175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011179425A Withdrawn JP2013042062A (en) 2011-08-19 2011-08-19 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013042062A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012042A (en) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社ダイフク Inert gas supply system
JP2015076433A (en) * 2013-10-07 2015-04-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer method
JP2018045612A (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 Controlling device and device to be controlled
WO2024037603A1 (en) * 2022-08-17 2024-02-22 Precision Robotics (Hong Kong) Limited Power supply control method, system, device and medium for surgical robot

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015012042A (en) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社ダイフク Inert gas supply system
JP2015076433A (en) * 2013-10-07 2015-04-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate transfer method
JP2018045612A (en) * 2016-09-16 2018-03-22 Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 Controlling device and device to be controlled
WO2024037603A1 (en) * 2022-08-17 2024-02-22 Precision Robotics (Hong Kong) Limited Power supply control method, system, device and medium for surgical robot

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160284581A1 (en) Method of Manufacturing Semiconductor Device
JP2009062604A (en) Vacuum treatment system, and method for carrying substrate
JP6318139B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
US20200234970A1 (en) Film etching method for etching film
JP2013042062A (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
KR102462379B1 (en) Substrate processing device, semiconductor device production method, and program
JP4541931B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP6956147B2 (en) Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs
JP2018088336A (en) Plasma processing apparatus and shower head
TWI682425B (en) Substrate processing device, manufacturing method and program of semiconductor device
JP2012216852A (en) Control device of substrate processing device
JP2013197475A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and method of manufacturing semiconductor device
JP5825948B2 (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2012174764A (en) Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US11823877B2 (en) Substrate processing system, substrate processing method, and controller
JP2010098247A (en) Substrate processing device
JP5269548B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate transfer method for substrate processing apparatus
US20220037124A1 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP2006005086A (en) Semiconductor manufacturing system
JPWO2019053869A1 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
JP6973956B2 (en) Substrate processing equipment, semiconductor device manufacturing methods, programs and recording media
JP6906559B2 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
JP2015185826A (en) substrate processing apparatus
JP2009260139A (en) Substrate processor
TW202144942A (en) Autoconfiguration of hardware components of various modules of a substrate processing tool

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20141104