JP2009260139A - Substrate processor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に処理を施すのに利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus. For example, in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) on which an integrated circuit including semiconductor elements is fabricated is processed. It is related to what is effective for use.
ICの製造方法において、ウエハにアッシング(ashing:酸化反応を用いてレジスト等の有機物を燃焼させ、ウエハ表面から除去すること)を施す基板処理装置(以下、アッシング装置という場合がある。)としては、ウエハにアッシングを施す処理室と、処理室内に設置されウエハにアッシングを施すステージとウエハを授受する授受ステージとを移動するサセプタと、授受ステージに対向した処理室の開口を開閉するゲートバルブと、サセプタの移動およびゲートバルブの開閉を制御するコントローラと、を備えたものがある。 In an IC manufacturing method, a substrate processing apparatus (hereinafter, sometimes referred to as an ashing apparatus) that performs ashing (ashing: burning an organic substance such as a resist using an oxidation reaction to remove it from the wafer surface) is used. A processing chamber for ashing a wafer; a susceptor that moves between a stage for ashing the wafer and a transfer stage for transferring the wafer; and a gate valve for opening and closing an opening of the processing chamber facing the transfer stage; And a controller that controls the movement of the susceptor and the opening and closing of the gate valve.
前述したアッシング装置においては、プロセスレシピはゲートが開口を閉じてから開始するために、ゲート閉じ動作時間とサセプタ移動時間とがシーケンシャルに現れてくる。また、プロセスレシピの終了時においても、サセプタが処理ステージから授受ステージに移動した後にゲートが開き始めるために、ゲート開き動作時間とサセプタ移動時間とがシーケンシャルに現れてくる。
その結果、本処理(アッシング)時間が比較的に短いアッシング装置においては、スループット(生産効率)が低下している。
In the ashing apparatus described above, the process recipe starts after the gate closes the opening, so that the gate closing operation time and the susceptor moving time appear sequentially. Also, at the end of the process recipe, the gate opening operation time and the susceptor movement time appear sequentially because the gate starts to open after the susceptor has moved from the processing stage to the transfer stage.
As a result, in the ashing apparatus in which the main processing (ashing) time is relatively short, the throughput (production efficiency) is lowered.
本発明の目的は、本処理時間に対する準備時間を短縮し、生産効率を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the preparation time for the main processing time and improving the production efficiency.
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板に処理を施す処理室と、
該処理室内に設置され、前記基板に処理を施すステージと前記基板を授受する授受ステージとを移動するサセプタと、
前記授受ステージに対向した前記処理室の開口を開閉するゲートバルブと、
前記サセプタの移動および前記ゲートバルブの開閉を制御するコントローラと、
、を備えた基板処理装置であって、
前記コントローラは、前記サセプタの移動と前記ゲートバルブの開閉とを並行処理させることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記(1)の基板処理装置を使用する基板処理方法であって、
前記サセプタの移動と前記ゲートバルブの開閉とが並行処理されることを特徴とする基板処理方法。
Typical means for solving the above-described problems are as follows.
(1) a processing chamber for processing a substrate;
A susceptor that is installed in the processing chamber and moves between a stage for processing the substrate and a transfer stage for transferring the substrate;
A gate valve that opens and closes the opening of the processing chamber facing the transfer stage;
A controller for controlling movement of the susceptor and opening and closing of the gate valve;
A substrate processing apparatus comprising:
The substrate processing apparatus, wherein the controller processes the movement of the susceptor and the opening and closing of the gate valve in parallel.
(2) A substrate processing method using the substrate processing apparatus of (1),
A substrate processing method, wherein the movement of the susceptor and the opening and closing of the gate valve are processed in parallel.
前記手段によれば、サセプタの移動と前記ゲートバルブの開閉を並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 According to the above means, since the preparation time for the main processing time can be shortened by performing parallel processing of the movement of the susceptor and the opening and closing of the gate valve, the production efficiency can be improved.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図1および図2に示されているように、マルチチャンバ型基板処理装置(以下、基板処理装置という。)として構成されている。この基板処理装置はICの製造方法にあってウエハにアッシングを施すアッシング工程に使用されるように構成されている。
なお、本実施の形態に係る基板処理装置においてはウエハ搬送用のキャリアとしては、FOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)が使用されている。
以下の説明において、前後左右は図1を基準とする。すなわち、ウエハ移載室40側が前側、その反対側すなわち第一ウエハ移載室10側が後側、第一予備室20側が左側、第二予備室30側が右側とする。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured as a multi-chamber type substrate processing apparatus (hereinafter referred to as a substrate processing apparatus) as shown in FIGS. This substrate processing apparatus is used in an ashing process for ashing a wafer in an IC manufacturing method.
In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) is used as a carrier for wafer transfer.
In the following description, front, rear, left and right are based on FIG. That is, the
図1および図2に示されているように、基板処理装置は搬送室としての第一ウエハ移載室10を備えており、第一ウエハ移載室10は大気圧未満の圧力(負圧)に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されている。
第一ウエハ移載室(以下、負圧移載室という。)10の筐体(以下、負圧移載室筐体という。)11は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus includes a first
A housing (hereinafter referred to as a negative pressure transfer chamber housing) 11 of a first wafer transfer chamber (hereinafter referred to as a negative pressure transfer chamber) 11 has a box shape in which a plan view is hexagonal and both upper and lower ends are closed. Is formed.
負圧移載室10の中央部には、ウエハを保持して搬送する搬送装置としてのウエハ移載装置12が設置されており、ウエハ移載装置12は負圧下においてウエハWを移載するように構成されている。ウエハ移載装置(以下、負圧移載装置という。)12は、スカラ形ロボット(selective compliance assembly robot arm SCARA)によって構成されており、負圧移載室筐体11の底壁に設置されたエレベータ13によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。
負圧移載装置12はウエハWを保持する保持部としての一対のアーム14、15を備えている。上側に位置する第一アーム(以下、上側アームという。)14の先端部には、二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ16が取り付けられており、下側に位置する第二アーム(以下、下側アームという。)15の先端部には、下側エンドエフェクタ17が取り付けられている。
At the center of the negative
The negative
負圧移載室筐体11の6枚の側壁のうち正面側に位置する2枚の側壁には、負圧移載室10に対してウエハWを搬入搬出する予備室としての第一予備室20と第二予備室30とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一予備室20の筐体(以下、第一予備室筐体という。)21および第二予備室30の筐体(以下、第二予備室筐体という。)31はいずれも、平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。
Of the six side walls of the negative pressure transfer chamber casing 11, two side walls located on the front side are first spare chambers as spare chambers for loading and unloading the wafers W with respect to the negative
Both the casing of the first preliminary chamber 20 (hereinafter referred to as the first preliminary chamber casing) 21 and the casing of the second preliminary chamber 30 (hereinafter referred to as the second preliminary chamber casing) 31 have a plan view. It is formed in a box shape in which both upper and lower ends are closed substantially in the shape of a rectangle, and has a load lock chamber structure that can withstand negative pressure.
互いに隣接した第一予備室筐体21の側壁および負圧移載室筐体11の側壁には搬入搬出口22、23がそれぞれ開設されており、負圧移載室10側の搬入搬出口23には搬入搬出口22、23を開閉するゲートバルブ24が設置されている。
第一予備室20には第一予備室用仮置き台25が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体31の側壁および負圧移載室筐体11の側壁には搬入搬出口32、33がそれぞれ開設されており、負圧移載室10側の搬入搬出口33には搬入搬出口32、33を開閉するゲートバルブ34が設置されている。
第二予備室30には第二予備室用仮置き台35が設置されている。
Loading /
The first
Loading /
The second
第一予備室20および第二予備室30の前側には、大気圧以上の圧力(正圧)を維持可能な構造に構成された第二ウエハ移載室(以下、正圧移載室という。)40が隣接して連結されており、正圧移載室40の筐体(以下、正圧移載室筐体という。)41は、平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
正圧移載室40には正圧下でウエハWを移載する第二ウエハ移載装置(以下、正圧移載装置という。)42が設置されており、正圧移載装置42はスカラ形ロボットによって2枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。
正圧移載装置42は正圧移載室40に設置されたエレベータ43によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ44によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
On the front side of the first
The positive
The positive
互いに隣接した第一予備室筐体21の側壁および正圧移載室筐体41の側壁には搬入搬出口26、27がそれぞれ開設されており、正圧移載室40側の搬入搬出口27には搬入搬出口26、27を開閉するゲートバルブ28が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体31の側壁および正圧移載室筐体41の側壁には搬入搬出口36、37がそれぞれ開設されており、正圧移載室40側の搬入搬出口37には搬入搬出口36、37を開閉するゲートバルブ38が設置されている。
図1に示されているように、正圧移載室40の左側にはノッチ合わせ装置45が設置されている。
また、図2に示されているように、正圧移載室40の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット46が設置されている。
Loading / unloading
Loading /
As shown in FIG. 1, a
Further, as shown in FIG. 2, a
図1および図2に示されているように、正圧移載室筐体41の正面壁には3つのウエハ搬入搬出口47、48、49が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口47、48、49はウエハWを正圧移載室40に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口47、48、49にはポッドオープナ50がそれぞれ設置されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, three wafer loading /
ポッドオープナ50はポッドPを載置する載置台51と、載置台51に載置されたポッドPのキャップを着脱するキャップ着脱機構52とを備えており、載置台51に載置されたポッドPのキャップをキャップ着脱機構52によって着脱することにより、ポッドPのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
ポッドオープナ50の載置台51に対してはポッドPが、図示しない工程内搬送装置(RGV)によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台51によってキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。
The
The pod P is supplied to and discharged from the mounting table 51 of the
図1に示されているように、負圧移載室筐体11の6枚の側壁のうち背面側に位置する2枚の側壁には、第一処理モジュール61と、第二処理モジュール62とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一処理モジュール61および第二処理モジュール62はいずれも、MMT(Modified Magnetron Typed)装置によってそれぞれ構成されている。MMT装置はウエハにアッシングを施すアッシング装置として構成されている。
また、負圧移載室筐体11における6枚の側壁のうちの残りの互いに対向する2枚の側壁には、第一クーリングモジュール63と、第二クーリングモジュール64とがそれぞれ連結されており、第一クーリングモジュール63および第二クーリングモジュール64はいずれも、処理済みのウエハWを冷却するように構成されている。
As shown in FIG. 1, two side walls located on the back side among the six side walls of the negative pressure transfer chamber housing 11 have a
Each of the
In addition, the first cooling module 63 and the
基板処理装置は図3に示された制御システム70を備えている。
図3に示されているように、制御システム70はパーソナルコンピュータ等から構成された第一制御装置としてのメインコントローラ71を備えている。
メインコントローラ71にはそれぞれLANシステム72を介して、負圧移載装置12を制御するサブコントローラ73、正圧移載装置42を制御するサブコントローラ74、第一処理モジュール61を制御するサブコントローラ75、第二処理モジュール62を制御するサブコントローラ76、第一クーリングモジュール63を制御するサブコントローラ77、第二クーリングモジュール64を制御するサブコントローラ78等が接続されている。
メインコントローラ71にはキーボード等によって構成された入力装置81、テレビモニタ等によって構成された表示装置82、フロッピディスク駆動装置等によって構成された外部記憶装置83等が接続されている。
また、メインコントローラ71はホストコンピュータ84に接続することができるように構成されている。
The substrate processing apparatus includes the
As shown in FIG. 3, the
The main controller 71 includes a sub controller 73 that controls the negative
Connected to the main controller 71 are an input device 81 composed of a keyboard, a display device 82 composed of a television monitor, an external storage device 83 composed of a floppy disk drive and the like.
The main controller 71 is configured to be connected to the host computer 84.
メインコントローラ71の一部(ソフトウエア)には、準備ステップを割り込ませるプログラム(以下、準備ステッププログラムという。)90がプログラミングされて組み込まれている。
図3に示されているように、準備ステッププログラム90は準備ステッププログラム記憶部91と、準備ステップレシピ記憶部92と、準備ステップ指定部93とを備えており、これらは後述する準備ステッププログラムフローを実行するように構成されている。
A program (hereinafter referred to as a preparation step program) 90 for interrupting a preparation step is programmed and incorporated in a part (software) of the main controller 71.
As shown in FIG. 3, the preparation step program 90 includes a preparation step program storage unit 91, a preparation step recipe storage unit 92, and a preparation step designation unit 93, which are described later. Is configured to run.
ここで、第一処理モジュール61および第二処理モジュール62に使用されたMMT装置を、図4および図5について説明する。
MMT装置は、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源(Modified Magnetron Typed Plasma Source)を用いてウエハ等の基板をプラズマ処理するプラズマ処理装置である。
MMT装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより、長寿命となって電離生成率を高めるので、高密度プラズマを生成することができる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理したり、基板表面に薄膜を形成したり、基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
Here, the MMT apparatus used for the
The MMT apparatus is a plasma processing apparatus that performs plasma processing on a substrate such as a wafer using a modified magnetron type plasma source that can generate high-density plasma by an electric field and a magnetic field.
In the MMT apparatus, a substrate is installed in a processing chamber that ensures airtightness, a reaction gas is introduced into the processing chamber via a shower head, the processing chamber is maintained at a certain pressure, and high-frequency power is supplied to the discharge electrode. As a result, an electric field and a magnetic field are formed, causing a magnetron discharge. Since the electrons emitted from the discharge electrode continue to circulate while continuing the cycloid motion while drifting, the lifetime is increased and the ionization generation rate is increased, so that high-density plasma can be generated. In this way, the plasma can be subjected to various plasma treatments such as diffusing treatment such as oxidation or nitridation by exciting and reacting the reaction gas, forming a thin film on the substrate surface, etching the substrate surface, etc. .
MMT装置200は処理容器203を有する。処理容器203は、第一の容器であるドーム型の上側容器210と、第二の容器である碗型の下側容器211とにより形成され、上側容器210は下側容器211の上に被せられている。上側容器210は酸化アルミニウムまたは石英等の非金属材料で形成されており、下側容器211はアルミニウムで形成されている。
また、後述するヒータ一体型の基板保持具(基板保持手段)であるサセプタ217を窒化アルミニウムや、セラミックスまたは石英等の非金属材料で構成することによって、処理の際に膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
The
Further, by forming a
シャワーヘッド236は、処理室201の上部に設けられ、キャップ状の蓋体233と、ガス導入口234と、バッファ室237と、開口238と、遮蔽プレート240と、ガス吹出口239とを備えている。バッファ室237は、ガス導入口234より導入されたガスを分散するための分散空間として設けられる。
The
ガス導入口234にはガスを供給するガス供給管232が接続されており、ガス供給管232は開閉弁であるバルブ243a、流量制御器(流量制御手段)であるマスフローコントローラ241を介して反応ガス230のガスボンベ(図示せず)に繋がっている。
シャワーヘッド236から反応ガス230が処理室201に供給され、また、サセプタ217の周囲から処理室201の底方向へ処理後のガスが流れるように、下側容器211の側壁にガスを排気するガス排気口235が設けられている。
ガス排気口235にはガスを排気するガス排気管231が接続されており、ガス排気管231は圧力調整器であるAPC242、開閉弁であるバルブ243bを介して排気装置である真空ポンプ246に接続されている。
A
A gas that exhausts the gas to the side wall of the
A
供給される反応ガス230を励起させる放電機構(放電手段)として、筒状、例えば円筒状に形成された第一の電極である筒状電極215が設けられる。筒状電極215は処理容器203(上側容器210)の外周に設置されて、処理室201内のプラズマ生成領域224を囲んでいる。筒状電極215にはインピーダンスの整合を行う整合器272を介して高周波電力を印加する高周波電源273が接続されている。
As a discharge mechanism (discharge means) that excites the supplied
筒状、例えば円筒状に形成された磁界形成機構(磁界形成手段)である筒状磁石216は筒状の永久磁石となっている。筒状磁石216は筒状電極215の外表面の上下端近傍に配置される。上下の筒状磁石216、216は、処理室201の半径方向に沿った両端(内周端と外周端)に磁極を持ち、上下の筒状磁石216、216の磁極の向きが逆向きに設定されている。したがって、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極215の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成するようになっている。
A
処理室201の底側中央には、基板であるウエハWを保持するための基板保持具(基板保持手段)としてサセプタ217が配置されている。サセプタ217は、例えば窒化アルミニウムやセラミックス、または石英等の非金属材料で形成され、内部に加熱機構 (加熱手段)としてのヒータ(図中省略)が一体的に埋め込まれており、ウエハWを加熱できるようになっている。ヒータは電力が印加されてウエハWを500℃程度にまで加熱することができる。
A
また、サセプタ217の内部には、さらにインピーダンスを変化させるための電極である第二の電極も装備されており、この第二の電極がインピーダンス可変機構274を介して接地されている。インピーダンス可変機構274は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、電極およびサセプタ217を介してウエハWの電位を制御する。
The
ウエハWをマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理するためのMMT装置200は、処理室201、処理容器203、サセプタ217、筒状電極215、筒状磁石216、シャワーヘッド236、および排気口235から構成されており、処理室201でウエハWをプラズマ処理する。
An
筒状電極215および筒状磁石216の周囲には遮蔽板223が設けられている。筒状電極215および筒状磁石216で形成される電界や磁界が外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさないように、遮蔽板223は電界や磁界を有効に遮蔽する。
A shielding
サセプタ217は下側容器211と絶縁され、サセプタ217を昇降させるサセプタ昇降機構(昇降手段)268が設けられている。すなわち、サセプタ昇降装置268はサセプタ217を授受ステージS1(図4参照)と処理ステージS2(図5参照)との間で昇降させる。
サセプタ217には貫通孔217aが設けられ、下側容器211底面にはウエハWを突上げるためのウエハ突上げピン266が少なくとも3箇所に設けられている。サセプタ昇降機構268によりサセプタ217が下降させられた時すなわち授受ステージS1に移動させられた時には、ウエハ突上げピン266がサセプタ217と非接触な状態で、貫通孔217aを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔217aおよびウエハ突上げピン266は配置されている。
The
The
下側容器211の側壁には仕切弁となるゲートバルブ244が設けられている。ゲートバルブ244がゲート(ウエハ搬入搬出口65、66に相当する)を開いている時には、負圧移載装置12(図1および図2参照)がウエハWを処理室201内に搬入したり、ウエハWを処理室201内から搬出したりすることができる。ゲートを閉じている時には、ゲートバルブ244は処理室201を気密に閉じる。
A
制御部(制御手段)としてのコントローラ121は信号線Aを通じてAPC242、バルブ243b、真空ポンプ246を、信号線Bを通じてサセプタ昇降機構268を、信号線Cを通じてゲートバルブ244を、信号線Dを通じて整合器272、高周波電源273を、信号線Eを通じてマスフローコントローラ241、バルブ243aを、さらに図示しない信号線を通じてサセプタに埋め込まれたヒータやインピーダンス可変機構274をそれぞれ制御する。
なお、このMMT装置200のコントローラ121は、図3に示されたサブコントローラ75、76を実質的に構成する。
The
The
以下、前記構成に係る基板処理装置が使用されたICの製造方法におけるアッシング工程を、第一処理モジュール61を使用して実施した場合について説明する。
Hereinafter, the case where the ashing process in the IC manufacturing method using the substrate processing apparatus according to the above configuration is performed using the
これからアッシングすべきウエハWは25枚がポッドPに収納された状態で、アッシング工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図1および図2に示されているように、搬送されて来たポッドPは基板処理装置におけるポッドオープナ50の載置台51上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
From now on, 25 wafers W to be ashed are transferred to the substrate processing apparatus for performing the ashing process by the in-process transfer apparatus in a state where 25 wafers are accommodated in the pod P.
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the pod P that has been transferred is delivered from the in-process transfer device and mounted on the mounting table 51 of the
載置されたポッドPはキャップをキャップ着脱機構52によって取り外され、ポッドPのウエハ出し入れ口が開放される。
ポッドPがポッドオープナ50によって開放されると、正圧移載室40に設置された正圧移載装置42はウエハ搬入搬出口47を通してポッドPからウエハWを1枚ずつピックアップし、第一予備室20に搬入搬出口26、27を通して搬入(ウエハローディング)し、ノッチ合わせ装置45を経由して、ウエハWを第一予備室用仮置き台25に移載して行く。
この移載作業により、正圧移載装置42のサブコントローラ74はポッドPの25枚のウエハWを第一予備室用仮置き台25に移し替る。
なお、移替作業中には、負圧移載室10側の搬入搬出口22、23はゲートバルブ24によって閉じられており、負圧移載室10の負圧は維持されている。
The placed pod P is removed by the cap attaching / detaching mechanism 52, and the wafer loading / unloading opening of the pod P is opened.
When the pod P is opened by the
By this transfer operation, the sub-controller 74 of the positive
During the transfer operation, the loading / unloading
ポッドP内のウエハWの第一予備室用仮置き台25への移載が完了すると、正圧移載室40側の搬入搬出口26、27がゲートバルブ28によって閉じられ、第一予備室20が排気装置(図示せず)によって負圧に排気される。
第一予備室20が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室10側の搬入搬出口22、23がゲートバルブ24によって開かれる。
When the transfer of the wafer W in the pod P to the temporary storage table 25 for the first preliminary chamber is completed, the loading / unloading
When the first
負圧移載室10の負圧移載装置12は搬入搬出口22、23を通して第一予備室用仮置き台25から1枚目のウエハWをピックアップして負圧移載室10に搬入し、第一処理モジュール61のウエハ搬入搬出口65に搬送して、ウエハ搬入搬出口65から処理室内へ搬入(ウエハローディング)する。
The negative
次に、第一処理モジュール61としてのMMT装置200において、図6(a)に示された本実施形態に係るプロセスレシピフローが実行される。
Next, in the
負圧移載装置12(図1参照)はウエハWを負圧移載室10内から処理室201内へ搬入し、サセプタ217上に移載する。この移載動作の詳細は、次の通りである。
図4に示されているように、サセプタ217は授受ステージS1に位置しており、ウエハ突上げピン266は先端がサセプタ217表面よりも所定高さ分だけ突き出ている。
ゲートバルブ244が開くと、負圧移載装置12はウエハWをウエハ突上げピン266の先端に載置する。
負圧移載装置12が処理室201外へ退避すると、ゲートバルブ244が閉じられる。
サセプタ昇降機構268はサセプタ217を上昇させることにより、ウエハWをウエハ突上げピン266の先端からサセプタ217上面にウエハWを移載する。
サセプタ昇降機構268は上昇し続け、図5に示されているように、ウエハWを載せたサセプタ217を処理ステージS2に移動させる。
図6(a)に示されているように、ゲートバルブ244の閉じ動作と、サセプタ217の授受ステージS1から処理ステージS2への移行動作は同時進行すなわち並行する。
The negative pressure transfer device 12 (see FIG. 1) carries the wafer W from the negative
As shown in FIG. 4, the
When the
When the negative
The
The
As shown in FIG. 6A, the closing operation of the
サセプタ217に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウエハWを室温〜500℃の範囲内の所定温度に加熱する。真空ポンプ246およびAPC242は処理室201の圧力を、0.1〜100Paの範囲内の所定圧力に維持する。
ウエハWの温度が所定温度に達し安定したら、アッシングガス(例えば、水素ガスと酸素ガスの混合ガス)がガス導入口234に導入されて、処理ステージS2に配置されたウエハW上面(処理面)に遮蔽プレート240のガス噴出孔239からシャワー状に供給される。
同時に、高周波電源273は高周波電力を筒状電極215に整合器272を介して印加する。印加する電力は150〜200Wの範囲内の所定出力値とする。このとき、インピーダンス可変機構274は予め所望インピーダンス値となるように制御しておく。
筒状磁石216、216の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハWの上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域224に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ217上のウエハWにプラズマ処理が施される。
The heater embedded in the
When the temperature of the wafer W reaches a predetermined temperature and stabilizes, an ashing gas (for example, a mixed gas of hydrogen gas and oxygen gas) is introduced into the
At the same time, the high
Magnetron discharge is generated under the influence of the magnetic field of the
アッシングの所定処理時間が経過すると、サセプタ昇降機構268はサセプタ217を下降させることにより、サセプタ217を図5に示された処理ステージS2から図4に示された授受ステージS1へ移動させ、ウエハWをサセプタ217上からウエハ突上げピン266の先端に移載する。
図6(a)に示されているように、サセプタ217の処理ステージS2から授受ステージS1への移行動作の間に、ゲートバルブ244が開き動作を行う。すなわち、ゲートバルブ244の開き動作と、サセプタ217の処理ステージS2から授受ステージS1への移行動作は同時進行すなわち並行する。
When a predetermined processing time for ashing elapses, the
As shown in FIG. 6A, the
ゲートバルブ244が開くと、負圧移載装置12は授受ステージS1のウエハWをピックアップして、処理室201内から負圧移載室10内へ搬出(ウエハアンローディング)し、第一予備室20の搬入搬出口23へ搬送し、搬入搬出口23を通して第一予備室用仮置き台25に戻す。
When the
次に、負圧移載室10の負圧移載装置12は第一予備室用仮置き台25から2枚目のウエハWをピックアップして負圧移載室10に搬入し、第一処理モジュール61の処理室内へ搬入(ウエハローディング)する。
Next, the negative
以降、前述した処理が繰り返すことにより、第一予備室用仮置き台25に移し替えられた25枚のウエハにアッシングが実施される。
なお、本実施形態では25枚を例に挙げたが、ウエハWの枚数は特に限定されない。
Thereafter, ashing is performed on the 25 wafers transferred to the first preliminary chamber temporary table 25 by repeating the above-described processing.
In the present embodiment, 25 sheets are taken as an example, but the number of wafers W is not particularly limited.
25枚目のウエハWが第一予備室20の第一予備室用仮置き台25に戻されると、正圧移載装置42のサブコントローラ74は25枚のウエハWをポッドPへ収納する。
すなわち、第一予備室20のロードロックが解除された後に、正圧移載室40の第一予備室20に対応したウエハ搬入搬出口47がポッドオープナ50によって開かれるとともに、載置台51に載置された空のポッドPのキャップがポッドオープナ50によって開かれる。
続いて、正圧移載室40の正圧移載装置42は第一予備室用仮置き台25からウエハWを搬入搬出口27を通してピックアップして正圧移載室40に搬出し、正圧移載室40のウエハ搬入搬出口47を通してポッドPに収納(チャージング)して行く。
When the 25th wafer W is returned to the first preliminary chamber temporary placement table 25 in the first
That is, after the load lock of the first
Subsequently, the positive
処理済の25枚のウエハWのポッドPへの収納が完了すると、ポッドPのキャップがポッドオープナ50のキャップ着脱機構52によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドPが閉じられる。
閉じられたポッドPは載置台51の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
When the storage of the 25 processed wafers W in the pod P is completed, the cap of the pod P is attached to the wafer loading / unloading port by the cap attaching / detaching mechanism 52 of the
The closed pod P is transported from the top of the mounting table 51 to the next process by the in-process transport device.
なお、以上の作動は、第一予備室20および第一処理モジュール61が使用される場合を例にして説明したが、第二予備室30および第二処理モジュール62が使用される場合についても、同様のフローが実施される。
さらに、第一クーリングモジュール63および第二クーリングモジュール64が使用される場合についても、同様のフローが実施される。
In addition, although the above operation | movement demonstrated as an example the case where the 1st preliminary |
Further, the same flow is performed when the first cooling module 63 and the
ところで、前述したMMT装置200によるアッシング工程の実施に際し、図6(b)に示されているように、ゲートバブル244の開閉動作とサセプタ217の移動動作とをシーケンシャルに実行すると、プロセスレシピフローの総時間が長期化する。
特に、本処理(アッシング)時間が比較的に短いアッシング工程においては、その前後準備時間であるゲートバルブ開閉動作時間の総時間に占める割合が大きくなるため、スループット(生産効率)の低下が顕著になる。
By the way, when performing the ashing process by the
In particular, in the ashing process in which the main processing (ashing) time is relatively short, the ratio of the gate valve opening / closing operation time, which is the pre- and post-preparation time, to the total time increases, so the throughput (production efficiency) decreases significantly. Become.
そこで、本実施形態においては、図7に示された準備ステッププログラムフローを実行して、図6(a)に示されたプロセスレシピフローを実施することにより、本処理(アッシング)の前後準備時間であるゲートバルブ開閉動作時間を短縮している。 Therefore, in the present embodiment, the preparation step program flow shown in FIG. 7 is executed, and the process recipe flow shown in FIG. The gate valve opening and closing operation time is shortened.
すなわち、前述したMMT装置200によるアッシング工程において、ウエハWが処理室201に搬入される時に、制御システム70は図7に示された準備ステッププログラムフローを開始する。
図7に示されているように、第一ステップA1において、準備ステッププログラム90はゲートバルブ244が閉じているか否かを、判断する。
ゲートバルブ244が閉じていない場合(NO)は、ゲートバルブ244を閉じさせる(第二ステップA2)。
ゲートバルブ244が閉じている場合(YES)は、第三ステップA3に進む。
第三ステップA3において、準備ステップ指定部93は搬入準備ステップが準備ステップ記憶部92に指定されているか否かを、判断する。
搬入準備ステップが指定されていない場合(NO)は、第五ステップA5に進む。
搬入準備ステップが指定されている場合(YES)は、サセプタ217を授受ステージS1から処理ステージS2へ移動させる(第四ステップA4)。
このサセプタ217の授受ステージS1への移動動作は、図6(a)について前述した通り、ゲートバルブ244の閉じ動作と同時に進行すなわち並行される。
That is, in the ashing process by the
As shown in FIG. 7, in the first step A1, the preparation step program 90 determines whether or not the
When the
When the
In the third step A <b> 3, the preparation step designation unit 93 determines whether or not the carry-in preparation step is designated in the preparation step storage unit 92.
When the carry-in preparation step is not designated (NO), the process proceeds to the fifth step A5.
When the carry-in preparation step is designated (YES), the
The movement of the
次に、第五ステップA5において、準備ステッププログラム90はゲートバルブ244が閉じたか否か、サセプタ217が処理ステージS2に移動したか否かを、判断する。
ゲートバルブ244が閉じていない場合または/およびサセプタ217が処理ステージS2に移動していない場合(NO)は、第五ステップA5を繰り返す。
ゲートバルブ244が閉じるとともに、サセプタ217が処理ステージS2に移動した場合(YES)は、アッシングを実行させる(第六ステップA6)。
Next, in the fifth step A5, the preparation step program 90 determines whether the
If the
When the
その後、第七ステップA7において、準備ステップ指定部93は搬出準備ステップが準備ステップ記憶部92に指定されているか否かを、判断する。
搬出準備ステップが指定されていない場合(NO)は、第九ステップA9に進む。
搬出準備ステップが指定されている場合(YES)は、サセプタ217を処理ステージS2から授受ステージS1へ移動させる(第八ステップA8)。
第九ステップA9においては、ゲートバルブ244を開かせる。
ゲートバルブ244の開き動作は、図6(a)について前述した通り、サセプタ217の授受ステージS1への移動動作と同時に進行すなわち並行される。
Thereafter, in the seventh step A7, the preparation step designation unit 93 determines whether or not the carry-out preparation step is designated in the preparation step storage unit 92.
When the unloading preparation step is not designated (NO), the process proceeds to the ninth step A9.
When the unloading preparation step is designated (YES), the
In the ninth step A9, the
As described above with reference to FIG. 6A, the opening operation of the
第十ステップA10において、準備ステッププログラム90はゲートバルブ244が開いたか否か、サセプタ217が授受ステージS1へ移動したか否かを、判断する。
ゲートバルブ244が開いていない場合または/およびサセプタ217が授受ステージS1へ移動していない場合(NO)は、第十ステップA10を繰り返す。
ゲートバルブ244が開くとともに、サセプタ217が授受ステージS1に移動した場合(YES)は、ウエハWを処理室201から搬出する。
In the tenth step A10, the preparation step program 90 determines whether or not the
When the
When the
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
(1)サセプタ移動とゲートバルブ開閉とを並行処理することにより、本処理時間に対する準備時間を短縮することができるので、生産効率を向上させることができる。 (1) Since the susceptor movement and the gate valve opening / closing process are performed in parallel, the preparation time for the main processing time can be shortened, so that the production efficiency can be improved.
(2)図6(b)に示されているように、ゲートバブルの開閉動作とサセプタの移動動作とをシーケンシャルに実行する従来例に比べて、図6(a)に示されているように、サセプタ移動とゲートバルブ開閉とを並行処理することにより、プロセスレシピフローの総時間を短縮することができる。 (2) As shown in FIG. 6 (b), as shown in FIG. 6 (a), the gate bubble opening / closing operation and the susceptor moving operation are executed sequentially. Since the susceptor movement and the gate valve opening / closing are performed in parallel, the total process recipe flow time can be shortened.
(3)ハードウエアを変更せずに、ソフトウエアの簡単なロジック追加によって、ゲートバブルの閉じ動作および開き動作を約3秒宛それぞれ短縮することができ、サセプタ移動時間10秒により1枚当たり6秒短縮することができる。その結果、1ロット(25枚)当たり150秒も生産効率を向上させることができる。 (3) The gate bubble closing operation and opening operation can be shortened to about 3 seconds by adding a simple logic of the software without changing the hardware, and the susceptor moving time is 10 seconds. Seconds can be shortened. As a result, the production efficiency can be improved by 150 seconds per lot (25 sheets).
(4)特に、原価に厳しくスループットが重要なアッシング装置等に適用して、優れた効果を得ることができる。 (4) In particular, it can be applied to an ashing device or the like that is strict in cost and important in throughput, and can obtain excellent effects.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、前記実施の形態においては、MMT装置によるアッシング工程について説明したが、本発明はこれに限らず、他の枚葉式基板処理装置による成膜工程、酸化工程、拡散工程、アニール工程、その他の熱処理工程等々の基板処理方法全般に適用することができる。 For example, in the above-described embodiment, the ashing process using the MMT apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this. It can be applied to all substrate processing methods such as the heat treatment step.
前記実施の形態においては、マルチチャンバ型基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限らず、シングルチャンバ型基板処理装置にも適用することができる。
また、本発明はIC等の半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理するLCD製造装置や露光装置、リソグラフィー装置、塗布装置およびプラズマ処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
In the above embodiment, the multi-chamber type substrate processing apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a single chamber type substrate processing apparatus.
The present invention is not limited to a semiconductor manufacturing apparatus such as an IC, but is applied to all substrate processing apparatuses such as an LCD manufacturing apparatus, an exposure apparatus, a lithography apparatus, a coating apparatus, and a plasma processing apparatus that process a glass substrate such as an LCD apparatus. be able to.
W…ウエハ(基板)、P…ポッド(基板キャリア)、10…負圧移載室(搬送室)、11…負圧移載室筐体、12…負圧移載装置(搬送装置)、13…エレベータ、14…上側アーム(保持部)、15…下側アーム(保持部)、16、17…エンドエフェクタ、
20…第一予備室、21…第一予備室筐体、22、23…搬入搬出口、24…ゲートバルブ、25…第一予備室用仮置き台、26、27…搬入搬出口、28…ゲートバルブ、
30…第二予備室、31…第二予備室筐体、32、33…搬入搬出口、34…ゲートバルブ、35…第二予備室用仮置き台、36、37…搬入搬出口、38…ゲートバルブ、
40…正圧移載室(ウエハ移載室)、41…正圧移載室筐体、42…正圧移載装置(ウエハ移載装置)、43…エレベータ、44…リニアアクチュエータ、45…ノッチ合わせ装置、46…クリーンユニット、
47、48、49…ウエハ搬入搬出口、50…ポッドオープナ、51…載置台、52…キャップ着脱機構、
61…第一処理モジュール、62…第二処理モジュール、63…第一クーリングモジュール(第三処理室)、64…第二クーリングモジュール(第四処理室)、65、66、67、68…ウエハ搬入搬出口、
70…制御システム(制御装置)、71…メインコントローラ、72…LANシステム、73〜78…サブコントローラ、
81…入力装置、82…表示装置、83…外部記憶装置、84…ホストコンピュータ、 90…準備ステッププログラム、91…準備ステップ記憶部、92…準備ステップレシピ記憶部、93…準備ステップ指定部、
121…コントローラ、
200…MMT装置、201…処理室、203…処理容器、215…筒状電極、216…筒状磁石、217…サセプタ、217a…貫通孔、224…プラズマ生成領域、230…アッシングガス、231…ガス排気管、232…ガス供給管、233…キャップ状の蓋体、234…ガス導入口、235…排気口、236…シャワーヘッド、237…バッファ室、238…開口、239…ガス噴出孔、240…遮蔽板、241…マスフローコントローラ、242…APC、244…ゲートバルブ、246…真空ポンプ、266…ウエハ突き上げピン、268…サセプタ昇降機構、272…整合器、273…高周波電源、274…インピーダンス可変機構。
W ... wafer (substrate), P ... pod (substrate carrier), 10 ... negative pressure transfer chamber (transfer chamber), 11 ... negative pressure transfer chamber casing, 12 ... negative pressure transfer device (transfer device), 13 ... Elevator, 14 ... Upper arm (holding part), 15 ... Lower arm (holding part), 16, 17 ... End effector,
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
47, 48, 49 ... Wafer loading / unloading port, 50 ... Pod opener, 51 ... Mounting table, 52 ... Cap attaching / detaching mechanism,
61 ... First processing module, 62 ... Second processing module, 63 ... First cooling module (third processing chamber), 64 ... Second cooling module (fourth processing chamber), 65, 66, 67, 68 ... Loading wafers Unloading port,
70 ... Control system (control device), 71 ... Main controller, 72 ... LAN system, 73 to 78 ... Sub controller,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 81 ... Input device 82 ... Display device 83 ... External storage device 84 ... Host computer 90 ... Preparation step program 91 ... Preparation step storage unit 92 ... Preparation step recipe storage unit 93 ... Preparation step designation unit
121 ... Controller,
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該処理室内に設置され、前記基板に処理を施すステージと前記基板を授受する授受ステージとを移動するサセプタと、
前記授受ステージに対向した前記処理室の開口を開閉するゲートバルブと、
前記サセプタの移動および前記ゲートバルブの開閉を制御するコントローラと、
、を備えた基板処理装置であって、
前記コントローラは、前記サセプタの移動と前記ゲートバルブの開閉とを並行処理させることを特徴とする基板処理装置。 A processing chamber for processing the substrate;
A susceptor that is installed in the processing chamber and moves between a stage for processing the substrate and a transfer stage for transferring the substrate;
A gate valve that opens and closes the opening of the processing chamber facing the transfer stage;
A controller for controlling movement of the susceptor and opening and closing of the gate valve;
A substrate processing apparatus comprising:
The substrate processing apparatus, wherein the controller processes the movement of the susceptor and the opening and closing of the gate valve in parallel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008109239A JP2009260139A (en) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | Substrate processor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008109239A JP2009260139A (en) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | Substrate processor |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2008109239A Pending JP2009260139A (en) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | Substrate processor |
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Country | Link |
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2008
- 2008-04-18 JP JP2008109239A patent/JP2009260139A/en active Pending
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