JP6973956B2 - Substrate processing equipment, semiconductor device manufacturing methods, programs and recording media - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus, a method for manufacturing a semiconductor apparatus, a program, and a recording medium.

半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えばリアクタを有するモジュールを備えた装置がある（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置においては、装置稼働情報等をディスプレイ等で構成される入出力装置に表示して、装置管理者が確認し得るようにしている。 As one aspect of the substrate processing apparatus used in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, there is an apparatus provided with a module having a reactor (see, for example, Patent Document 1). In such a board processing device, device operation information and the like are displayed on an input / output device composed of a display or the like so that the device manager can confirm it.

特開２０１７―１０３３５６号公報JP-A-2017-103356

本開示は、基板処理装置について効率のよい管理を実現するための技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for realizing efficient management of a substrate processing apparatus.

一態様によれば、
基板を処理する複数の基板処理装置と、複数の基板処理装置にそれぞれ設けられ基板処理装置を制御する第１制御部と、第１制御部から複数種類のデータを受信する中継部と、中継部からデータを受信する第２制御部と、を有し、中継部は、データの種類毎と第１制御部毎のいずれか又は両方の第２制御部へのデータの送信間隔を変更する技術が提供される。 According to one aspect
A plurality of board processing devices for processing boards, a first control unit provided in each of the plurality of board processing devices to control the board processing device, a relay unit for receiving a plurality of types of data from the first control unit, and a relay unit. It has a second control unit that receives data from, and the relay unit has a technology for changing the transmission interval of data to the second control unit of either or both of each type of data and each first control unit. Provided.

本開示に係る技術によれば、基板処理装置について効率のよい管理を行うことが可能になる。 According to the technique according to the present disclosure, it becomes possible to efficiently manage the substrate processing apparatus.

基板処理システムにおけるネットワークの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a network in a board processing system. 基板処理システムの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a board processing system. 基板処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the substrate processing apparatus. ガス供給部を説明する図である。It is a figure explaining the gas supply part. コントローラの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a controller. データ種別毎の重要度設定テーブルの例である。This is an example of the importance setting table for each data type. データ種別毎の割り込み可否設定テーブルの例である。This is an example of an interrupt enable / disable setting table for each data type. データ種別・重要度と負荷レベル毎の送信間隔の設定テーブルの例である。This is an example of a setting table for data type / importance and transmission interval for each load level. データ種別毎の送信先設定テーブル例である。This is an example of a destination setting table for each data type. データ種別毎の送信先設定テーブル例である。This is an example of a destination setting table for each data type. 基板処理のフロー図例である。It is an example of a flow diagram of substrate processing. 負荷データによる送信間隔変更処理のフロー図例である。It is an example of the flow diagram of the transmission interval change processing by load data.

以下に本開示の実施の形態について説明する。 The embodiments of the present disclosure will be described below.

＜一実施形態＞
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。 <One Embodiment>
Hereinafter, one embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.

まず、本開示が解決する課題について記す。複数の基板処理装置を運用する際に、少なくとも以下の課題を生じる場合がある。 First, the problems solved by this disclosure will be described. When operating a plurality of substrate processing devices, at least the following problems may occur.

（ａ）複数の基板処理装置を一つの操作部で操作する場合に、操作部に多大な負荷を与えることがある。この負荷により、操作部の処理の遅延、処理一時停止、等が生じることがある。なお、この様な現象は、取り扱うデータの量が、各部を接続する信号線のデータの送信速度/受信速度、記憶装置の容量、メモリの容量、各部の演算速度、等よりも多くなった時に発生する。基板処理装置で扱うデータ量は、増大する傾向にあり、単純に各部の性能を上げただけでは、解決できない課題がある。 (A) When a plurality of substrate processing devices are operated by one operation unit, a large load may be applied to the operation unit. Due to this load, processing delay of the operation unit, processing suspension, and the like may occur. Such a phenomenon occurs when the amount of data to be handled becomes larger than the transmission speed / reception speed of the data of the signal line connecting each part, the capacity of the storage device, the capacity of the memory, the calculation speed of each part, and the like. appear. The amount of data handled by the board processing device tends to increase, and there is a problem that cannot be solved by simply improving the performance of each part.

このような課題に対して、本開示の基板処理システムは、以下に記す様に構成されている。
（１）基板処理システムの構成
一実施形態に係る基板処理システムの概略構成を、図１、図２、図３、図４、図５を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理システムにおけるネットワークの概略構成例を示す図である。図２は基板処理システムの構成例である。図３は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す横断面図である。図４は本実施形態に係る基板処理装置のガス供給系の概略構成図である。図５は、基板処理装置に設けられた各部と第１制御部２６０との接続関係を示す概略構成図である。 To solve such a problem, the substrate processing system of the present disclosure is configured as described below.
(1) Configuration of Substrate Processing System A schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, 3, 4, and 5. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration example of a network in the substrate processing system according to the present embodiment. FIG. 2 is a configuration example of a substrate processing system. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a gas supply system of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a connection relationship between each unit provided in the substrate processing apparatus and the first control unit 260.

図１において、基板処理システム１０００は、複数の基板処理装置１００（例えば、１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。基板処理装置１００には、それぞれ、第１制御部２６０（２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ）と、第３制御部２８０（２８０ａ，２８０ｂ，２８０ｃ，２８０ｄ）と、データ送受信部２８５（２８５ａ，２８５ｂ，２８５ｃ，２８５ｄ）を有する。第１制御部２６０は、第３制御部２８０を介して、基板処理装置１００の各部の操作を実行可能に構成される。また、第１制御部２６０は、データ送受信部２８５とデータ送受信部２８５に接続されたシステム内ネットワーク２６８を介して、他の基板処理装置１００の第１制御部２６０や第２制御部（操作部）２７４、中継部２７５、等と送受信可能に構成される。第３制御部２８０は、基板処理装置１００に設けられた各部の動作を制御可能に構成される。第１制御部２６０と第３制御部２８０とデータ送受信部２８５はそれぞれ相互に通信可能に構成される。 In FIG. 1, the substrate processing system 1000 has a plurality of substrate processing devices 100 (for example, 100a, 100b, 100c, 100d). The substrate processing apparatus 100 includes a first control unit 260 (260a, 260b, 260c, 260d), a third control unit 280 (280a, 280b, 280c, 280d), and a data transmission / reception unit 285 (285a, 285b, respectively). It has 285c, 285d). The first control unit 260 is configured to be able to execute the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 via the third control unit 280. Further, the first control unit 260 is a first control unit 260 or a second control unit (operation unit) of another board processing device 100 via the in-system network 268 connected to the data transmission / reception unit 285 and the data transmission / reception unit 285. ) 274, relay unit 275, etc. can be transmitted and received. The third control unit 280 is configured to be able to control the operation of each unit provided in the substrate processing device 100. The first control unit 260, the third control unit 280, and the data transmission / reception unit 285 are configured to be able to communicate with each other.

次に、基板処理システム１０００の概略構成について、図２を用いて説明する。
（２）基板処理システムの構成
基板処理システム１０００は、少なくとも、基板処理装置１００（例えば、１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を有する。また、基板処理システム１０００は、図２に示す様に、ＩＯステージ１００１、大気搬送室１００３、ロードロック（Ｌ／Ｌ）１００４、真空搬送室１００６、等を有していても良い。以下にこれらの構成についてそれぞれ説明する。なお、図２の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。 Next, the schematic configuration of the substrate processing system 1000 will be described with reference to FIG.
(2) Configuration of Substrate Processing System The substrate processing system 1000 has at least a substrate processing apparatus 100 (for example, 100a, 100b, 100c, 100d). Further, as shown in FIG. 2, the substrate processing system 1000 may have an IO stage 1001, an atmospheric transport chamber 1003, a load lock (L / L) 1004, a vacuum transport chamber 1006, and the like. Each of these configurations will be described below. In the description of FIG. 2, the front-back and left-right directions are the right in the X1 direction, the left in the X2 direction, the front in the Y1 direction, and the back in the Y2 direction.

（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１００１が設置されている。ＩＯステージ１００１上には複数のポッド１００２が搭載されている。ポッド１００２は基板２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００２内には、未処理の基板２００や処理済の基板２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。 (Atmospheric transport room / IO stage)
An IO stage (load port) 1001 is installed in front of the board processing system 1000. A plurality of pods 1002 are mounted on the IO stage 1001. The pod 1002 is used as a carrier for transporting the substrate 200, and the pod 1002 is configured to store a plurality of unprocessed substrates 200 and treated substrates 200 in a horizontal posture.

ポッド１００２はポッドを搬送する搬送ロボット（不図示）によって、ＩＯステージ１００１に搬送される。 The pod 1002 is conveyed to the IO stage 1001 by a transfer robot (not shown) that conveys the pod.

ＩＯステージ１００１は大気搬送室１００３に隣接する。大気搬送室１００３は、ＩＯステージ１００１と異なる面に、後述するロードロック室１００４が連結される。 The IO stage 1001 is adjacent to the atmospheric transport chamber 1003. In the atmosphere transport chamber 1003, a load lock chamber 1004, which will be described later, is connected to a surface different from the IO stage 1001.

大気搬送室１００３内には基板２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１００５が設置されている。 In the atmosphere transfer chamber 1003, an atmosphere transfer robot 1005 as a first transfer robot for transferring the substrate 200 is installed.

（ロードロック（Ｌ／Ｌ）室）
ロードロック室１００４は大気搬送室１００３に隣接する。Ｌ／Ｌ室１００４内の圧力は、大気搬送室１００３の圧力と真空搬送室１００６の圧力に合わせて変動するため、負圧に耐え得る構造に構成されている。 (Road lock (L / L) room)
The load lock chamber 1004 is adjacent to the atmospheric transport chamber 1003. Since the pressure in the L / L chamber 1004 fluctuates according to the pressure in the atmospheric transport chamber 1003 and the pressure in the vacuum transport chamber 1006, the structure is configured to withstand negative pressure.

（真空搬送室）
複数の基板処理装置１００のそれぞれは、負圧下で基板２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）１００６を備えている。ＴＭ１００６を構成する筐体１００７は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、Ｌ／Ｌ室１００４及び基板２００を処理する基板処理装置１００が連結されている。ＴＭ１００６の略中央部には、負圧下で基板２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１００８が設置されている。なお、ここでは、真空搬送室１００６を五角形の例を示すが、四角形や六角形などの多角形であっても良い。 (Vacuum transfer room)
Each of the plurality of substrate processing devices 100 includes a vacuum transfer chamber (transfer module: TM) 1006 as a transfer chamber serving as a transfer space in which the substrate 200 is conveyed under negative pressure. The housing 1007 constituting the TM1006 is formed in a pentagonal view in a plan view, and an L / L chamber 1004 and a substrate processing device 100 for processing the substrate 200 are connected to each side of the pentagon. A vacuum transfer robot 1008 as a second transfer robot for transferring (transporting) the substrate 200 under negative pressure is installed in a substantially central portion of the TM1006. Although the vacuum transfer chamber 1006 is shown here as an example of a pentagon, it may be a polygon such as a quadrangle or a hexagon.

ＴＭ１００６内に設置される真空搬送ロボット１００８は、独立して動作が可能な二つのアーム１００９と１０１０を有する。真空搬送ロボット１００８は、上述のコントローラ２６０により制御される。 The vacuum transfer robot 1008 installed in the TM1006 has two arms 1009 and 1010 that can operate independently. The vacuum transfer robot 1008 is controlled by the controller 260 described above.

ゲートバルブ（ＧＶ）１４９は、図２に示されているように、基板処理装置１００毎に設けられる。具体的には、基板処理装置１００ａとＴＭ１００６との間にはゲートバルブ１４９ａが、基板処理装置１００ｂとの間にはＧＶ１４９ｂが設けられる。基板処理装置１００ｃとの間にはＧＶ１４９ｃが、基板処理装置１００ｄとの間にはＧＶ１４９ｄが設けられる。 As shown in FIG. 2, the gate valve (GV) 149 is provided for each substrate processing device 100. Specifically, a gate valve 149a is provided between the substrate processing apparatus 100a and the TM1006, and a GV149b is provided between the substrate processing apparatus 100b. A GV149c is provided between the substrate processing apparatus 100c and the GV149d, and a GV149d is provided between the substrate processing apparatus 100d and the substrate processing apparatus 100d.

各ＧＶ１４９によって解放・閉鎖することで、各基板処理装置１００に設けられた基板搬入出口１４８０を介した基板２００の出し入れを可能とする。 By opening and closing by each GV149, the substrate 200 can be taken in and out through the substrate loading / unloading outlet 1480 provided in each substrate processing apparatus 100.

次に、基板処理装置１００の概略構成について、図３を用いて説明する。
（３）基板処理装置の構成
基板処理装置１００は、例えば、基板２００に絶縁膜を形成するユニットであり、図３に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。ここでは、基板処理装置１００ａ（１００）について説明する。他の基板処理装置１００ｂ，１００ｃ，１００ｄについては同様の構成のため説明を省略する。基板処理装置１００に設けられる各部は、基板２００を処理する処理遂行部の一つとして構成される。 Next, the schematic configuration of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG.
(3) Configuration of Substrate Processing Device The substrate processing device 100 is, for example, a unit that forms an insulating film on the substrate 200, and is configured as a single-wafer processing device as shown in FIG. Here, the substrate processing apparatus 100a (100) will be described. Since the other substrate processing devices 100b, 100c, and 100d have the same configuration, the description thereof will be omitted. Each part provided in the board processing apparatus 100 is configured as one of the processing execution parts for processing the board 200.

図３に示すとおり、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば水平断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等の基板２００を処理する処理室２０１と、移載室２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切部２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切部２０４よりも上方の空間を処理室２０１と呼ぶ。また、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、ゲートバルブ１４９付近を移載室２０３と呼ぶ。 As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 includes a processing container 202. The processing container 202 is configured as a flat closed container having a circular horizontal cross section, for example. Further, the processing container 202 is made of a metal material such as aluminum (Al) or stainless steel (SUS) or quartz. In the processing container 202, a processing chamber 201 for processing a substrate 200 such as a silicon wafer as a substrate and a transfer chamber 203 are formed. The processing container 202 is composed of an upper container 202a and a lower container 202b. A partition portion 204 is provided between the upper container 202a and the lower container 202b. The space surrounded by the upper container 202a and above the partition portion 204 is referred to as a processing chamber 201. Further, the space surrounded by the lower container 202b and the vicinity of the gate valve 149 is referred to as a transfer chamber 203.

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、基板２００は基板搬入出口１４８０を介して図示しない搬送室と移載室２０３との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂは接地されている。 A substrate carry-in outlet 1480 adjacent to the gate valve 149 is provided on the side surface of the lower container 202b, and the substrate 200 moves between the transfer chamber and the transfer chamber 203 (not shown) via the substrate carry-in outlet 1480. A plurality of lift pins 207 are provided at the bottom of the lower container 202b. Further, the lower container 202b is grounded.

処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ載置台２１２、加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。また、基板載置台２１２には、基板２００や処理室２０１にバイアスを印加するバイアス電極２５６が設けられていても良い。ここで、ヒータ２１３には、温度制御部４００が接続され、温度制御部４００によってヒータ２１３の温度が制御される。なお、ヒータ２１３の温度情報は、温度制御部４００から第３制御部２８０に送信可能に構成される。また、バイアス電極２５６は、バイアス調整部２５７に接続され、バイアス調整部２５７によって、バイアスが調整可能に構成される。また、バイアス調整部２５７は、第３制御部２８０との間でバイアスデータを送受信可能に構成される。 A substrate support portion 210 that supports the substrate 200 is provided in the processing chamber 201. The substrate support portion 210 mainly includes a mounting surface 211 on which the substrate 200 is mounted, a mounting table 212 having the mounting surface 211 on the surface, and a heater 213 as a heating portion. The board mounting table 212 is provided with through holes 214 through which the lift pin 207 penetrates at positions corresponding to the lift pin 207. Further, the substrate mounting table 212 may be provided with a bias electrode 256 for applying a bias to the substrate 200 or the processing chamber 201. Here, a temperature control unit 400 is connected to the heater 213, and the temperature of the heater 213 is controlled by the temperature control unit 400. The temperature information of the heater 213 can be transmitted from the temperature control unit 400 to the third control unit 280. Further, the bias electrode 256 is connected to the bias adjusting unit 257, and the bias can be adjusted by the bias adjusting unit 257. Further, the bias adjusting unit 257 is configured to be able to transmit and receive bias data to and from the third control unit 280.

基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。昇降部２１８を作動させてシャフト２１７及び支持台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。なお、昇降部２１８は、第３制御部２８０との間で、基板載置台２１２の高さデータ（位置データ）を送受信可能に構成されていても良い。なお、基板載置台２１２の位置は、少なくとも２つ以上設定可能に構成される。例えば、第１処理位置と第２処理位置である。なお、第１処理位置や第２処理位置は、それぞれ調整可能に構成されている。 The board mounting table 212 is supported by the shaft 217. The shaft 217 penetrates the bottom of the processing container 202 and is further connected to the elevating portion 218 outside the processing container 202. By operating the elevating unit 218 to raise and lower the shaft 217 and the support base 212, it is possible to raise and lower the board 200 mounted on the board mounting surface 211. The periphery of the lower end of the shaft 217 is covered with a bellows 219, and the inside of the processing chamber 201 is kept airtight. The elevating unit 218 may be configured to be able to transmit and receive height data (position data) of the board mounting table 212 to and from the third control unit 280. The position of the board mounting table 212 can be set to at least two or more. For example, the first processing position and the second processing position. The first processing position and the second processing position are configured to be adjustable.

基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、ウエハ移載位置に移動し、基板２００の第１処理時には図３の実線で示した第１処理位置（ウエハ処理位置）に移動する。また、第２処理時には、図３の破線で示した第２処理位置に移動する。なお、ウエハ移載位置は、リフトピン２０７の上端が、基板載置面２１１の上面から突出する位置である。 The substrate mounting table 212 moves to the wafer transfer position during the transfer of the substrate 200, and moves to the first processing position (wafer processing position) shown by the solid line in FIG. 3 during the first processing of the substrate 200. Further, at the time of the second processing, it moves to the second processing position shown by the broken line in FIG. The wafer transfer position is a position where the upper end of the lift pin 207 protrudes from the upper surface of the substrate mounting surface 211.

具体的には、基板載置台２１２をウエハ移載位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。 Specifically, when the board mounting table 212 is lowered to the wafer transfer position, the upper end portion of the lift pin 207 protrudes from the upper surface of the board mounting surface 211, and the lift pin 207 supports the board 200 from below. ing. Further, when the substrate mounting table 212 is raised to the wafer processing position, the lift pin 207 is buried from the upper surface of the substrate mounting surface 211, and the substrate mounting surface 211 supports the substrate 200 from below. Since the lift pin 207 comes into direct contact with the substrate 200, it is desirable that the lift pin 207 is made of a material such as quartz or alumina.

（排気系）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の側面側には、処理室２０１の雰囲気を排気する第１排気部としての第１排気口２２１が設けられている。第１排気口２２１には排気管２２４ａが接続されており、排気管２２４ａには、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ等の圧力調整器２２７と真空ポンプ２２３が順に直列に接続されている。主に、第１排気口２２１、排気管２２４ａ、圧力調整器２２７により第一の排気系（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３も第一の排気系の構成としても良い。また、移載室２０３の側面側には、移載室２０３の雰囲気を排気する第２排気口１４８１が設けられている。また、第２排気口１４８１には排気管１４８が設けられている。排気管１４８には、圧力調整器２２８が設けられ、移載室２０３内の圧力を所定の圧力に排気可能に構成されている。また、移載室２０３を介して処理室２０１内の雰囲気を排気することもできる。また、圧力調整器２２７は、圧力データや、弁開度のデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。また、真空ポンプ２２３は、ポンプのＯＮ／ＯＦＦデータや負荷データ等を第３制御部２８０に送信可能に構成される。 (Exhaust system)
On the side surface side of the processing chamber 201 (upper container 202a), a first exhaust port 221 is provided as a first exhaust portion for exhausting the atmosphere of the processing chamber 201. An exhaust pipe 224a is connected to the first exhaust port 221, and a pressure regulator 227 such as an APC that controls the inside of the processing chamber 201 to a predetermined pressure and a vacuum pump 223 are connected in series to the exhaust pipe 224a in order. ing. The first exhaust system (exhaust line) is mainly composed of the first exhaust port 221, the exhaust pipe 224a, and the pressure regulator 227. The vacuum pump 223 may also be configured as the first exhaust system. Further, a second exhaust port 1481 for exhausting the atmosphere of the transfer chamber 203 is provided on the side surface side of the transfer chamber 203. Further, an exhaust pipe 148 is provided in the second exhaust port 1481. The exhaust pipe 148 is provided with a pressure regulator 228 so that the pressure in the transfer chamber 203 can be exhausted to a predetermined pressure. Further, the atmosphere in the processing chamber 201 can be exhausted via the transfer chamber 203. Further, the pressure regulator 227 is configured to be able to transmit and receive pressure data and valve opening data to and from the third control unit 280. Further, the vacuum pump 223 is configured to be able to transmit ON / OFF data of the pump, load data and the like to the third control unit 280.

（ガス導入口）
処理室２０１の上部に設けられるシャワーヘッド２３４の上面（天井壁）には、蓋２３１が設けられている。蓋２３１には処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス供給部であるガス導入口２４１に接続される各ガス供給ユニットの構成については後述する。 (Gas inlet)
A lid 231 is provided on the upper surface (ceiling wall) of the shower head 234 provided in the upper part of the processing chamber 201. The lid 231 is provided with a gas introduction port 241 for supplying various gases in the processing chamber 201. The configuration of each gas supply unit connected to the gas introduction port 241 which is the gas supply unit will be described later.

（ガス分散ユニット）
ガス分散ユニットとしてのシャワーヘッド２３４は、バッファ室２３２、分散板２４４ａを有する。なお、分散板２４４ａは、第１活性化部としての第１電極２４４ｂとして構成されていても良い。分散板２４４ａには、ガスを基板２００に分散供給する孔２３４ａが複数設けられている。シャワーヘッド２３４は、ガス導入口２４１と処理室２０１との間に設けられている。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３４のバッファ室２３２（分散部とも呼ぶ。）に供給され、孔２３４ａを介して処理室２０１に供給される。 (Gas dispersion unit)
The shower head 234 as a gas dispersion unit has a buffer chamber 232 and a dispersion plate 244a. The dispersion plate 244a may be configured as a first electrode 244b as a first activation unit. The dispersion plate 244a is provided with a plurality of holes 234a for distributing and supplying gas to the substrate 200. The shower head 234 is provided between the gas introduction port 241 and the processing chamber 201. The gas introduced from the gas introduction port 241 is supplied to the buffer chamber 232 (also referred to as a dispersion portion) of the shower head 234, and is supplied to the processing chamber 201 through the hole 234a.

なお、分散板２４４ａを第１電極２４４ｂとして構成した場合は、第１電極２４４ｂは、導電性の金属で構成され、処理室２０１内のガスを励起するための活性化部（励起部）の一部として構成される。第１電極２４４ｂには、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。なお、蓋２３１を導電性部材で構成する際には、蓋２３１と第１電極２４４ｂとの間に絶縁ブロック２３３が設けられ、蓋２３１と第１電極部２４４ｂの間を絶縁する構成となる。 When the dispersion plate 244a is configured as the first electrode 244b, the first electrode 244b is made of a conductive metal and is one of the activating portions (exciting portions) for exciting the gas in the processing chamber 201. It is composed as a part. The first electrode 244b is configured to be able to supply electromagnetic waves (high frequency power and microwaves). When the lid 231 is made of a conductive member, an insulating block 233 is provided between the lid 231 and the first electrode portion 244b, and the lid 231 and the first electrode portion 244b are insulated from each other.

（活性化部（プラズマ生成部））
活性化部としての第１電極２４４ｂが設けられている場合の構成について説明する。活性化部としての第１電極２４４ｂには、整合器２５１と高周波電源部２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成されている。これにより、処理室２０１内に供給されたガスを活性化させることができる。また、第１電極２４４ｂは、容量結合型のプラズマを生成可能に構成される。具体的には、第１電極２４４ｂは、導電性の板状に形成され、上部容器２０２ａに支持されるように構成される。活性化部は、少なくとも第１電極２４４ｂ、整合器２５１、高周波電源部２５２で構成される。なお、第１電極２４４ｂと高周波電源２５２との間に、インピーダンス計２５４を設けても良い。インピーダンス計２５４を設けることによって、測定されたインピーダンスに基づいて、整合器２５１、高周波電源２５２をフィードバック制御することができる。また、高周波電源２５２は、電力データを第３制御部２８０と送受信可能に構成され、整合器２５１は、整合データ（進行波データ、反射波データ）を第３制御部２８０と送受信可能に構成され、インピーダンス計２５４は、インピーダンスデータを第３制御部２８０と送受信可能に構成される。 (Activation part (plasma generation part))
The configuration when the first electrode 244b as the activating portion is provided will be described. A matching device 251 and a high frequency power supply unit 252 are connected to the first electrode 244b as the activation unit, and are configured to be able to supply electromagnetic waves (high frequency power and microwaves). As a result, the gas supplied into the processing chamber 201 can be activated. Further, the first electrode 244b is configured to be capable of generating a capacitively coupled plasma. Specifically, the first electrode 244b is formed in the shape of a conductive plate and is configured to be supported by the upper container 202a. The activation unit is composed of at least a first electrode 244b, a matching unit 251 and a high frequency power supply unit 252. An impedance meter 254 may be provided between the first electrode 244b and the high frequency power supply 252. By providing the impedance meter 254, the matching unit 251 and the high frequency power supply 252 can be feedback-controlled based on the measured impedance. Further, the high frequency power supply 252 is configured to be able to send and receive power data to and from the third control unit 280, and the matching unit 251 is configured to be able to send and receive matching data (traveling wave data, reflected wave data) to and from the third control unit 280. The impedance meter 254 is configured to be able to send and receive impedance data to and from the third control unit 280.

（供給系）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、管の内部で連通しており、共通ガス供給管２４２から供給されるガスは、ガス導入口２４１を介してシャワーヘッド２３４内に供給される。 (Supply system)
A common gas supply pipe 242 is connected to the gas introduction port 241. The common gas supply pipe 242 communicates inside the pipe, and the gas supplied from the common gas supply pipe 242 is supplied into the shower head 234 via the gas introduction port 241.

共通ガス供給管２４２には、図４に示す、ガス供給部が接続される。ガス供給部は、第１ガス供給管１１３ａ、第２ガス供給管１２３ａ、第３ガス供給管１３３ａが接続されている。 The gas supply unit shown in FIG. 4 is connected to the common gas supply pipe 242. The first gas supply pipe 113a, the second gas supply pipe 123a, and the third gas supply pipe 133a are connected to the gas supply unit.

第１ガス供給管１１３ａを含む第１ガス供給部からは第１元素含有ガス（第１処理ガス）が主に供給される。また、第２ガス供給管１２３ａを含む第２ガス供給部からは主に第２元素含有ガス（第２処理ガス）が供給される。また、第３ガス供給管１３３ａを含む第３ガス供給部からは主に第３元素含有ガスが供給される。 The first element-containing gas (first treatment gas) is mainly supplied from the first gas supply unit including the first gas supply pipe 113a. Further, the second element-containing gas (second treatment gas) is mainly supplied from the second gas supply unit including the second gas supply pipe 123a. Further, the third element-containing gas is mainly supplied from the third gas supply unit including the third gas supply pipe 133a.

（第１ガス供給部）
第１ガス供給管１１３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源１１３、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１５、及び開閉弁であるバルブ１１６が設けられている。 (1st gas supply unit)
The first gas supply pipe 113a is provided with a first gas supply source 113, a mass flow controller (MFC) 115 which is a flow rate controller (flow rate control unit), and a valve 116 which is an on-off valve in order from the upstream direction. ..

第１ガス供給管１１３ａから、第１元素含有ガスが、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。 The first element-containing gas is supplied from the first gas supply pipe 113a to the shower head 234 via the MFC 115, the valve 116, and the common gas supply pipe 242.

第１元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第１元素含有ガスはシリコン（Ｓｉ）を含むガスであり、例えば、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ２、略称：ＨＣＤＳ）、等のガスである。 The first element-containing gas is one of the treated gases. The first element-containing gas is a gas containing silicon (Si), and is, for example, a gas such as hexachlorodisilane (Si 2 Cl 2 , abbreviation: HCDS).

第１ガス供給部は、主に、第１ガス供給管１１３ａ、ＭＦＣ１１５、バルブ１１６により構成される。 The first gas supply unit is mainly composed of a first gas supply pipe 113a, an MFC 115, and a valve 116.

更には、第１ガス供給源１１３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ａのいずれか若しくは両方を第１ガス供給部に含めて考えてもよい。 Further, either or both of the first gas supply source 113 and the remote plasma unit (RPU) 180a that activates the first gas may be included in the first gas supply unit.

（第２ガス供給部）
第２ガス供給管１２３ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源１２３、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６が設けられている。 (2nd gas supply section)
The second gas supply pipe 123a is provided with a second gas supply source 123, an MFC 125, and a valve 126 in this order from the upstream direction.

第２ガス供給管１２３ａからは、第２元素含有ガスが、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３４内に供給される。 From the second gas supply pipe 123a, the second element-containing gas is supplied into the shower head 234 via the MFC 125, the valve 126, and the common gas supply pipe 242.

第２元素含有ガスは、処理ガスの一つである。第２元素含有ガスは窒素（Ｎ）を含むガスであり、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスや、窒素（Ｎ２）ガス等のガスである。 The second element-containing gas is one of the treated gases. The second element-containing gas is a gas containing nitrogen (N), for example, a gas such as ammonia (NH 3 ) gas or nitrogen (N 2 ) gas.

第２ガス供給部は、主に、第２ガス供給管１２３ａ、ＭＦＣ１２５、バルブ１２６で構成される。 The second gas supply unit is mainly composed of a second gas supply pipe 123a, an MFC 125, and a valve 126.

更には、第２ガス供給源１２３、第１ガスを活性化させるリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）１８０ｂのいずれか若しくは両方を第２ガス供給部に含めて考えてもよい。 Further, either or both of the second gas supply source 123 and the remote plasma unit (RPU) 180b that activates the first gas may be included in the second gas supply unit.

（第３ガス供給部）
第３ガス供給管１３３ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源１３３、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６が設けられている。 (3rd gas supply section)
The third gas supply pipe 133a is provided with a third gas supply source 133, an MFC 135, and a valve 136 in this order from the upstream direction.

第３ガス供給管１３３ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６、共通ガス供給管２４２を介してシャワーヘッド２３４に供給される。 From the third gas supply pipe 133a, the inert gas is supplied to the shower head 234 via the MFC 135, the valve 136, and the common gas supply pipe 242.

不活性ガスは、第１ガスと反応し難いガスである。不活性ガスは例えば、窒窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、等のガスである。 The inert gas is a gas that does not easily react with the first gas. The inert gas is, for example, a gas such as nitrogen nitrogen (N 2 ) gas, argon (Ar) gas, helium (He) gas, and the like.

第３ガス供給部は、主に、第３ガス供給管１３３ａ、ＭＦＣ１３５、バルブ１３６で構成される。 The third gas supply unit is mainly composed of a third gas supply pipe 133a, an MFC135, and a valve 136.

ここで、第１ガス供給部、第２ガス供給部、第３ガス供給部のそれぞれを構成するＭＦＣ、バルブは第３制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。ＭＦＣ：流量データ、バルブ：開度データ。なお、第１ガス供給部や、第２ガス供給部に気化器、ＲＰＵを含めて構成しても良い。気化器やＲＰＵも第３制御部２８０と送受信可能に構成され、それぞれ、以下のデータを送受信する。気化器：気化量データ、ＲＰＵ：電力データ。 Here, the MFCs and valves constituting each of the first gas supply unit, the second gas supply unit, and the third gas supply unit are configured to be able to transmit and receive to and from the third control unit 280, and each of them transmits and receives the following data. MFC: flow rate data, valve: opening data. The first gas supply unit and the second gas supply unit may include a vaporizer and an RPU. The vaporizer and RPU are also configured to be able to send and receive to and from the third control unit 280, and each of them sends and receives the following data. Vaporizer: Vaporization amount data, RPU: Power data.

（制御部）
次に、制御部について説明する。図１、図５に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部としての第１制御部２６０と第３制御部２８０を有している。 (Control unit)
Next, the control unit will be described. As shown in FIGS. 1 and 5, the substrate processing apparatus 100 has a first control unit 260 and a third control unit 280 as control units for controlling the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100.

コントローラの概略構成図を図５に示す。 A schematic configuration diagram of the controller is shown in FIG.

（第１制御部）
第１制御部２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６２、記憶装置２６３、Ｉ／Ｏポート２６４は、内部バス２６５を介して、ＣＰＵ２６１とデータ交換可能なように構成されている。なお、内部バス２６５には、送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９等が接続されている。これらの送受信部２８５，外部記憶装置２６７，入出力装置２６９の少なくともいずれかを、第１制御部２６０の構成に含めても良い。 (1st control unit)
The first control unit 260 is configured as a computer including a CPU (Central Processing Unit) 261, a RAM (Random Access Memory) 262, a storage device 263, and an I / O port 264. The RAM 262, the storage device 263, and the I / O port 264 are configured so that data can be exchanged with the CPU 261 via the internal bus 265. The transmission / reception unit 285, the external storage device 267, the input / output device 269, and the like are connected to the internal bus 265. At least one of these transmission / reception units 285, the external storage device 267, and the input / output device 269 may be included in the configuration of the first control unit 260.

記憶装置２６３は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６３には、装置データが読み出し可能に記録されている。 The storage device 263 is composed of, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive), or the like. Device data is readable and recorded in the storage device 263.

装置データは、以下のデータ種別のデータの内、少なくともいずれかを含む。例えば、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ、基板２００への処理に用いるプロセスレシピを設定するまでの過程で生じる演算データや処理データ、スケジュールデータ、プロセスデータ、負荷データ（稼働データ）、定期点検データ、装置接続データ、内部接続データ、ウエハ２００データ、アラームデータ、データ種別（種類）毎の重要度テーブルデータ、データ種別毎の割り込み可否テーブルデータ、送信間隔テーブルデータ、送信先設定テーブルデータ等である。 The device data includes at least one of the following data types. For example, a control program that controls the operation of the board processing device, a process recipe that describes the procedure and conditions for board processing described later, and arithmetic data generated in the process of setting the process recipe used for processing on the board 200. Processing data, schedule data, process data, load data (operation data), periodic inspection data, device connection data, internal connection data, wafer 200 data, alarm data, importance table data for each data type (type), each data type Interference availability table data, transmission interval table data, destination setting table data, etc.

なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順を第１制御部２６０に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム、上述のデータ、等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。 The process recipes are combined so that the first control unit 260 can execute each procedure in the substrate processing step described later and obtain a predetermined result, and functions as a program. Hereinafter, this process recipe, control program, the above-mentioned data, etc. are collectively referred to as a program. When the term program is used in the present specification, it may include only the process recipe alone, the control program alone, or both.

ここで、負荷データとは、第１制御部２６０に設けられたＣＰＵ２６１，ＲＡＭ２６２，記憶装置２６３の少なくともいずれかの負荷状態，エラー発生数，稼働時間，温度、各ネットワーク帯域データ、等の少なくともいずれかのデータである。なお、負荷データは、第１制御部２６０の他に、第２制御部２７４や、中継部２７５、第３制御部２８０、等が有する同種のデータで構成しても良い。 Here, the load data is at least one of the load state of at least one of the CPU 261 and the RAM 262 and the storage device 263 provided in the first control unit 260, the number of error occurrences, the operating time, the temperature, each network band data, and the like. That is the data. In addition to the first control unit 260, the load data may be composed of the same type of data possessed by the second control unit 274, the relay unit 275, the third control unit 280, and the like.

ネットワーク帯域データは、システム内ネットワーク２６８の帯域占有率を示すデータや、データ送受信部２８５の送信速度データ、第２制御部２７４の送信速度データ、第２制御部２７４の受信速度データ、中継部２７５の送信速度データ、中継部２７５の受信速度データ、等の、少なくともいずれかを含む。 The network band data includes data indicating the band occupancy rate of the network 268 in the system, transmission speed data of the data transmission / reception unit 285, transmission speed data of the second control unit 274, reception speed data of the second control unit 274, and relay unit 275. The transmission speed data of the relay unit 275, the reception speed data of the relay unit 275, and the like are included at least one of them.

プロセスデータは、処理室２０１内に供給されるガス流量データ、処理室２０１内の圧力データ、基板載置台２１０（ヒータ２１３）の温度データ、圧力調整器２２７の弁開度、等のデータである。 The process data is data such as gas flow rate data supplied in the processing chamber 201, pressure data in the processing chamber 201, temperature data of the substrate mounting table 210 (heater 213), valve opening degree of the pressure regulator 227, and the like. ..

ウエハ２００データは、基板処理装置１００に搬送されるウエハ２００に付随するデータである。 The wafer 200 data is data associated with the wafer 200 conveyed to the substrate processing apparatus 100.

スケジュールデータは、基板２００の処理スケジュールを示すデータである。 The schedule data is data indicating the processing schedule of the substrate 200.

次に各テーブルデータについて、図６〜図１０を基に説明する。 Next, each table data will be described with reference to FIGS. 6 to 10.

（重要度テーブルデータ）
データ種別毎の重要度テーブルデータは、図６に示すテーブルであり、データ種別毎の重要度が設定されたテーブルデータである。図６では、重要度を１，２，３，・・・Ｎ（Ｎは自然数）で表し、重要度は、自然数の小さい値が重要度高と設定されている。例えば、アラームデータや、プロセスデータ、等の、装置の稼働や、基板処理に影響のあるデータ種別は重要度高と設定されている。装置稼働データ、定期点検データ、等、常時確認する必要の無いデータ種別は、重要度低として設定される。なお、この重要度は、基板処理装置のユーザーや、基板処理システムのユーザーにより適宜設定変更が可能に構成される。 (Importance table data)
The importance table data for each data type is the table shown in FIG. 6, and is the table data in which the importance for each data type is set. In FIG. 6, the importance is represented by 1, 2, 3, ... N (N is a natural number), and the value with a small natural number is set as the high importance. For example, data types that affect the operation of the device and board processing, such as alarm data and process data, are set to have high importance. Data types that do not need to be checked at all times, such as device operation data and periodic inspection data, are set as low importance. It should be noted that this importance can be appropriately changed by the user of the board processing apparatus or the user of the board processing system.

（割り込み可否テーブルデータ）
データ種別毎の割り込み可否テーブルデータは、図７に示すテーブルであり、データ種別毎に、割り込み可否が設定テーブルデータである。割り込み可否テーブルデータは、データ種別毎に、割り込み可否（Ｙｅｓ／Ｎｏ）が設定されている。ここで、各データは、所定の送信間隔によって送信されている。例えば、装置稼働データについて割り込み可能（Ｙｅｓ）が設定されている場合について説明する。この場合、装置稼働データを所定間隔で送信している途中で、アラームデータが生成された時は、装置稼働データの送信を一時停止し、アラームデータの送信を優先的に行わせる。即ち、装置稼働データの送信途中で、アラームデータの送信を割り込ませる処理を行う。割り込み可否が不可（Ｎｏ）に設定されている場合は、この様な送信の一時停止を行わない。なお、ここでは、データ種別毎に割り込み可否を設定しているが、データの重要度毎に割り込み可否を設定しても良い。 (Interrupt enable / disable table data)
The interrupt enable / disable table data for each data type is the table shown in FIG. 7, and the interrupt enable / disable table data is set for each data type. In the interrupt enable / disable table data, interrupt enable / disable (Yes / No) is set for each data type. Here, each data is transmitted at a predetermined transmission interval. For example, a case where interrupt enable (Yes) is set for the device operation data will be described. In this case, when the alarm data is generated while the device operation data is being transmitted at predetermined intervals, the transmission of the device operation data is temporarily stopped, and the alarm data is preferentially transmitted. That is, a process of interrupting the transmission of the alarm data is performed during the transmission of the device operation data. If interrupt enable / disable is set to disabled (No), such transmission is not paused. Although interrupt enable / disable is set for each data type here, interrupt enable / disable may be set for each data importance.

（送信間隔テーブルデータ）
送信間隔テーブルデータは、図８に示すテーブルであり、データ種別（データの重要度）毎に、負荷レベル毎に送信間隔が設定されたテーブルである。送信間隔は、データ種別（データ重要度）、負荷レベルの少なくともいずれかに設定される。図８では、データ種別と負荷レベルの両方で設定したテーブルを示している。図８では送信間隔は、１，２，３・・・Ｘ（Ｘは自然数）で設定されている。Ｘは小さい程、送信間隔が狭く、Ｘが大きい程、送信間隔が広く設定される。ここで、送信間隔が狭いとは、リアルタイム通信に近いことを意味する。例えば、アラームデータ（重要度１）には、負荷レベルに関係無く、送信間隔が「１」に設定されている。この様に、重要度の高いデータを負荷レベルに関係無く、常に同じ間隔で送信される。例えば、定期点検データ（重要度４）では、負荷レベルに応じて、送信間隔が変化する様に設定されている。なお、この送信間隔は、基板処理装置１００のユーザーや、基板処理システム１０００のユーザーが設定可能に構成されていても良い。ユーザーが設定可能に構成されている場合、操作部２７４や、入出力装置２６９は、このテーブルを表示可能に構成される。 (Transmission interval table data)
The transmission interval table data is a table shown in FIG. 8, and is a table in which a transmission interval is set for each load level for each data type (importance of data). The transmission interval is set to at least one of the data type (data importance) and the load level. FIG. 8 shows a table set by both the data type and the load level. In FIG. 8, the transmission interval is set to 1, 2, 3 ... X (X is a natural number). The smaller X is, the narrower the transmission interval is, and the larger X is, the wider the transmission interval is set. Here, a narrow transmission interval means that it is close to real-time communication. For example, in the alarm data (importance 1), the transmission interval is set to "1" regardless of the load level. In this way, highly important data is always transmitted at the same interval regardless of the load level. For example, in the periodic inspection data (importance 4), the transmission interval is set to change according to the load level. The transmission interval may be configured to be configurable by the user of the board processing apparatus 100 or the user of the board processing system 1000. When the user is configured to be configurable, the operation unit 274 and the input / output device 269 are configured to be able to display this table.

ここで、負荷レベルは、上述の負荷データに基づいて設定される。負荷データが、ＣＰＵ２６１の負荷状態データを含む場合、例えば、以下の様に負荷レベルが設定される。負荷データが０〜２５％が負荷レベル１と設定される。負荷データが２６〜５０％の場合、負荷レベル２と設定される。負荷データが５１〜７５％の場合、負荷レベル３と設定される。負荷データが７６〜１００％の場合、負荷レベル４と設定される。この様に、負荷データの割合に応じて、負荷レベルが設定される。負荷データは、上述の様に、 Here, the load level is set based on the above-mentioned load data. When the load data includes the load state data of the CPU 261, for example, the load level is set as follows. The load data is set to 0 to 25% as the load level 1. When the load data is 26 to 50%, the load level is set to 2. When the load data is 51 to 75%, the load level is set to 3. When the load data is 76 to 100%, the load level is set to 4. In this way, the load level is set according to the ratio of the load data. The load data is as described above.

（送信先設定テーブルデータ）
送信先設定テーブルデータは、図９、図１０に示すテーブルであり、データ種別毎に、送信先が設定されたテーブルである。図９の送信先設定テーブルは、第１制御部２６０が送信するデータ種別毎の送信先を設定したテーブルである。図１０に示す送信先設定テーブルは、中継部２７５が送信するデータ種ベル毎の送信先を設定したテーブルである。第１制御部２６０や第３制御部２８０が有する各種データは、操作部２７４や中継部２７５に送信される。中継部２７５が有する各種データは、操作部２７４や上位装置５００、解析サーバー５０１等に送信される。ここで、送信される送信経路は、複数存在する場合がある。送信経路のネットワーク５０３の負荷や、各制御部の送受信部の負荷状態によっては、送信先を異ならせることで、負荷を分散させても良い。送信経路（送信先）は、送信先設定テーブルによって決定される。例えば、図９では、アラームデータやプロセスデータ等の重要度が高いデータについては、送信先１（操作部２７４）と送信先２（中継部２７５）の両方に送信し、比較的重要度が低いデータである、装置稼働データや定期点検データは、負荷が集中する送信先１（操作部２７４）に送信せず、送信先２（中継部２７５）に送信する様に設定する。この様に設定することで、操作部２７４への負荷の集中を抑制することが可能となる。また、図１０に示す様に、中継部２７５から送信されるデータについてもデータの重要度や、送信先でのデータの使用に応じて送信先を設定しても良い。 (Destination setting table data)
The destination setting table data is the table shown in FIGS. 9 and 10, and the destination is set for each data type. The destination setting table of FIG. 9 is a table in which the destination for each data type to be transmitted by the first control unit 260 is set. The destination setting table shown in FIG. 10 is a table in which the transmission destination for each data type bell transmitted by the relay unit 275 is set. Various data possessed by the first control unit 260 and the third control unit 280 are transmitted to the operation unit 274 and the relay unit 275. Various data possessed by the relay unit 275 are transmitted to the operation unit 274, the host device 500, the analysis server 501, and the like. Here, there may be a plurality of transmission routes to be transmitted. Depending on the load of the network 503 of the transmission path and the load state of the transmission / reception unit of each control unit, the load may be distributed by different transmission destinations. The transmission route (destination) is determined by the destination setting table. For example, in FIG. 9, highly important data such as alarm data and process data are transmitted to both the destination 1 (operation unit 274) and the destination 2 (relay unit 275), and the importance is relatively low. The device operation data and periodic inspection data, which are data, are set so as not to be transmitted to the destination 1 (operation unit 274) where the load is concentrated, but to be transmitted to the destination 2 (relay unit 275). By setting in this way, it is possible to suppress the concentration of the load on the operation unit 274. Further, as shown in FIG. 10, for the data transmitted from the relay unit 275, the destination may be set according to the importance of the data and the use of the data at the destination.

各データや各テーブルは、各制御部の記憶装置に記録されている。好ましくは、同様の内容を示す画面を操作部２７４や、入出力装置２６９に報知可能に構成されている。ここで、報知とは、画面に表示することや、送信を意味する。なお、画面で表示可能に構成されている場合、各テーブルは、画面上で、各テーブルのデータを書き換え可能に構成される。各制御部は、各テーブルデータの設定に基づき、各制御部が有する送受信部を制御する。なお、各テーブルは、上位装置（ＨＯＳＴ）５００や、解析サーバー５０１から、受信することによって取得しても良い。 Each data and each table is recorded in the storage device of each control unit. Preferably, a screen showing the same contents can be notified to the operation unit 274 and the input / output device 269. Here, the notification means displaying on the screen or transmitting. When it is configured to be displayable on the screen, each table is configured so that the data of each table can be rewritten on the screen. Each control unit controls the transmission / reception unit of each control unit based on the setting of each table data. It should be noted that each table may be acquired by receiving it from the host device (HOST) 500 or the analysis server 501.

演算部としてのＣＰＵ２６１は、記憶装置２６３からの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２６９からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６３からプロセスレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６３に記憶されたプロセスレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（プロセスレシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。演算データは、内部バス２６５，Ｉ／Ｏポート２６４，送受信部２８５の少なくともいずれかを介して、後述の第３制御部２８０に送受信される。各部の制御を行う際は、ＣＰＵ２６１内の送受信部が、プロセスレシピの内容に沿った制御情報を送信／受信することで制御する。 The CPU 261 as a calculation unit is configured to read and execute a control program from the storage device 263 and read a process recipe from the storage device 263 in response to input of an operation command from the input / output device 269 or the like. Further, the calculated data can be calculated by comparing and calculating the set value input from the transmission / reception unit 285 with the process recipe and control data stored in the storage device 263. In addition, it is configured to be able to execute the determination process of the corresponding processing data (process recipe) from the calculation data. The calculated data is transmitted / received to / from the third control unit 280 described later via at least one of the internal bus 265, the I / O port 264, and the transmission / reception unit 285. When controlling each unit, the transmission / reception unit in the CPU 261 controls by transmitting / receiving control information according to the contents of the process recipe.

ＲＡＭ２６２は、ＣＰＵ２６１によって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等のデータが一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。 The RAM 262 is configured as a memory area (work area) in which data such as programs, arithmetic data, and processing data read by the CPU 261 are temporarily held.

Ｉ／Ｏポート２６４は、後述の第３制御部２８０に接続される。 The I / O port 264 is connected to a third control unit 280, which will be described later.

入出力装置２６９は、ディスプレイや、タッチパネルとして構成される表示部を有する。 The input / output device 269 has a display unit configured as a display and a touch panel.

送受信部２８５は、システム内ネットワーク２６８を介して、操作部２７４と通信可能に構成され、中継部２７５は、操作部２７４と送受信部２８５との間に設けられる。 The transmission / reception unit 285 is configured to be communicable with the operation unit 274 via the in-system network 268, and the relay unit 275 is provided between the operation unit 274 and the transmission / reception unit 285.

（第２制御部（操作部））
第２制御部（操作部）２７４は、基板処理システム１０００を操作する操作部として構成されている。また、第２制御部２７４は、基板処理システム１０００が有する基板処理装置１００をそれぞれ制御可能に構成される。また、第２制御部２７４は、ネットワーク５０３を介して上位装置（ＨＯＳＴ）５００や解析サーバー５０１と、第１制御部２６０と第３制御部２８０のいずれか又は両方と通信可能に構成される。また、保守用ＰＣ５０２と接続可能に構成されていても良い。 (Second control unit (operation unit))
The second control unit (operation unit) 274 is configured as an operation unit for operating the substrate processing system 1000. Further, the second control unit 274 is configured to be able to control each of the substrate processing devices 100 included in the substrate processing system 1000. Further, the second control unit 274 is configured to be able to communicate with the host device (HOST) 500 and the analysis server 501 via the network 503, and either or both of the first control unit 260 and the third control unit 280. Further, it may be configured to be connectable to the maintenance PC 502.

（第３制御部）
第３制御部２８０は、基板処理装置の各部（処理遂行部）に接続され、各部の情報（データ）を収集可能に構成されている。例えば、ゲートバルブ１４９、昇降部２１８、温度制御部４００、圧力調整器２２７，２２８、真空ポンプ２２３、整合器２５１、高周波電源部２５２、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５、バルブ１１６，１２６，１３６、バイアス制御部２５７、等に接続されている。また、インピーダンス計２５４、ＲＰＵ１８０、等にも接続されていても良い。また、送受信部２８５と、ネットワーク２６８のいずれか又は両方に接続されていても良い。また、ＩＯステージ１００１、大気搬送ロボット１００５、Ｌ／Ｌ室１００４、ＴＭ１００６、真空搬送ロボット１００８等に接続されていても良い。 (Third control unit)
The third control unit 280 is connected to each unit (processing execution unit) of the substrate processing apparatus, and is configured to be able to collect information (data) of each unit. For example, gate valve 149, elevating unit 218, temperature control unit 400, pressure regulator 227,228, vacuum pump 223, matching unit 251 and high frequency power supply unit 252, MFC115, 125, 135, valve 116, 126, 136, bias control. It is connected to the unit 257, etc. It may also be connected to an impedance meter 254, RPU180, or the like. Further, it may be connected to either or both of the transmission / reception unit 285 and the network 268. Further, it may be connected to an IO stage 1001, an atmospheric transfer robot 1005, an L / L chamber 1004, a TM1006, a vacuum transfer robot 1008, or the like.

第３制御部２８０は、第１制御部２６０で演算されたプロセスレシピのデータに沿うように、ゲートバルブ１４９の開閉動作、昇降部２１８の昇降動作、温度制御部４００への電力供給動作、温度制御部４００による基板載置台２１２の温度調整動作、圧力調整器２２７，２２８の圧力調整動作、真空ポンプ２２３のオンオフ制御、ＭＦＣ１１５，１２５，１３５でのガス流量制御動作、ＲＰＵ１８０ａ，１８０ｂのガスの活性化動作、バルブ１１６，１２６，１３６でのガスのオンオフ制御、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源部２５２の電力制御、バイアス制御部２５７の制御動作、インピーダンス計２５４が測定した測定データに基づいた整合器２５１の整合動作や、高周波電源２５２の電力制御動作、等を制御するように構成されている。 The third control unit 280 operates the gate valve 149 to open / close, the elevating unit 218 to elevate, the power supply operation to the temperature control unit 400, and the temperature so as to follow the process recipe data calculated by the first control unit 260. Temperature adjustment operation of the board mount 212 by the control unit 400, pressure adjustment operation of the pressure regulators 227 and 228, on / off control of the vacuum pump 223, gas flow control operation of the MFC 115, 125 and 135, gas activity of the RPU 180a and 180b. Gas on / off control at valves 116, 126, 136, power matching operation of matching unit 251, power control of high frequency power supply unit 252, control operation of bias control unit 257, measurement data measured by impedance meter 254 It is configured to control the matching operation of the matching device 251 based on the above, the power control operation of the high frequency power supply 252, and the like.

なお、第１制御部２６０、第２制御部２７５、第３制御部２８０、操作部２７４は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラム（データ）を格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６７を用意し、係る外部記憶装置２６７を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給（記録）するための手段は、外部記憶装置２６７を介して供給する場合に限らない。例えば、送受信部２８５やネットワーク２６８（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６７を介さずにプログラム（データ）を供給するようにしても良い。なお、記憶装置２６３や外部記憶装置２６７は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６３単体のみを含む場合、外部記憶装置２６７単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合が有る。 The first control unit 260, the second control unit 275, the third control unit 280, and the operation unit 274 are not limited to the case where they are configured as a dedicated computer, but may be configured as a general-purpose computer. For example, an external storage device (for example, a magnetic tape, a magnetic disk such as a flexible disk or a hard disk, an optical disk such as a CD or a DVD, a magneto-optical disk such as an MO, a USB memory, a memory card, etc.) that stores the above-mentioned program (data). The controller 260 according to the present embodiment can be configured by preparing a semiconductor memory) 267 and installing a program on a general-purpose computer using the external storage device 267. The means for supplying (recording) the program to the computer is not limited to the case of supplying (recording) the program via the external storage device 267. For example, a communication means such as a transmission / reception unit 285 or a network 268 (Internet or a dedicated line) may be used to supply the program (data) without going through the external storage device 267. The storage device 263 and the external storage device 267 are configured as a computer-readable recording medium. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. In the present specification, when the term recording medium is used, it may include only the storage device 263, the external storage device 267 alone, or both of them.

（中継部２７５）
基板処理装置１００と第２制御部（操作部）２７４との間で送受信される各種データの中継を実行可能に構成される。中継部２７５は、第１制御部２６０や、その他接続された機器から、装置データを所定の間隔で受信可能に構成される。また、中継部２７５は、第２制御部２７４やその他接続された機器に対して、データを所定の間隔で送信可能に構成される。また、中継部２７５は、負荷レベルの判定、各種テーブルデータで設定された内容に従って、基板処理装置１００から第２制御部（操作部）２７４に送られる各種データの送信間隔の制御や、各種データの蓄積（記録）を実行する。即ち、中継部２７５は、受信するデータの受信間隔と、送信するデータの送信間隔を異ならせる様に構成される。ここで送信間隔は、送信速度（使用帯域）として設定しても良い。送信速度として設定した場合、システム内ネットワーク２６８の帯域を常に使用することとなるため、好ましくは、送信間隔で設定する。また、中継部２７５は、記憶装置を有し、受信したデータを蓄積（記録）可能に構成される。 (Relay unit 275)
It is configured to be able to relay various data transmitted and received between the board processing device 100 and the second control unit (operation unit) 274. The relay unit 275 is configured to be able to receive device data at predetermined intervals from the first control unit 260 and other connected devices. Further, the relay unit 275 is configured to be able to transmit data to the second control unit 274 and other connected devices at predetermined intervals. Further, the relay unit 275 determines the load level, controls the transmission interval of various data transmitted from the board processing device 100 to the second control unit (operation unit) 274 according to the contents set by various table data, and controls various data. Accumulation (recording) of. That is, the relay unit 275 is configured so that the reception interval of the received data and the transmission interval of the transmitted data are different. Here, the transmission interval may be set as the transmission speed (use band). When set as the transmission speed, the band of the network 268 in the system is always used, so it is preferably set at the transmission interval. Further, the relay unit 275 has a storage device and is configured to be able to store (record) the received data.

なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブルで繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。 The connection in the present disclosure includes the meaning that each part is connected by a physical cable, but also means that the signal (electronic data) of each part can be directly or indirectly transmitted / received. include.

（２）基板処理工程
次に、半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に絶縁膜を成膜する工程例について、上述の基板処理装置１００の処理フローついて図１１を参照して説明する。なお、ここで絶縁膜としては、例えば窒化膜としてのシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が成膜される。また、この製造工程の一工程は、なお、以下の説明において、各部の動作は第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかにより制御される。 (2) Substrate processing step Next, as one step of the manufacturing process of the semiconductor device (semiconductor device), refer to FIG. 11 for the processing flow of the above-mentioned substrate processing apparatus 100 for a process example of forming an insulating film on the substrate. I will explain. Here, as the insulating film, for example, a silicon nitride (SiN) film as a nitride film is formed. Further, in one step of this manufacturing process, in the following description, the operation of each unit is controlled by at least one of the first control unit 260 and the third control unit 280.

以下に、基板処理工程について説明する。 The substrate processing process will be described below.

（データ設定工程：Ｓ１０１）
先ず、データ設定工程Ｓ１０１について説明する。
データ設定工程Ｓ１０１では、各制御部に、データを送信する間隔の設定が行われる。第２制御部２７４が、各テーブルデータを有している場合、各テーブルデータを中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０の少なくともいずれかに送信する。中継部２７５、第１制御部２６０、第３制御部２８０は、受信したテーブルデータに基づき、送受信部の送信設定を変更する。 (Data setting process: S101)
First, the data setting step S101 will be described.
In the data setting step S101, the interval for transmitting data is set in each control unit. When the second control unit 274 has each table data, each table data is transmitted to at least one of the relay unit 275, the first control unit 260, and the third control unit 280. The relay unit 275, the first control unit 260, and the third control unit 280 change the transmission settings of the transmission / reception unit based on the received table data.

（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２）
次に、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、ＴＭ１００６から、容器２０２内に真空搬送ロボット１００８を用いてウエハ２００を搬入する。そして、容器２０２内にウエハ２００を搬入したら、真空搬送ロボット１００８を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハ２００を載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理室２０１内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハ２００を上昇させる。 (Substrate loading / heating process: S102)
Next, the substrate loading / heating step (S102) will be described.
In the substrate loading / heating step (S102), the wafer 200 is loaded into the container 202 from the TM1006 using the vacuum transfer robot 1008. Then, when the wafer 200 is carried into the container 202, the vacuum transfer robot 1008 is retracted to the outside of the container 202, the gate valve 149 is closed, and the inside of the container 202 is sealed. After that, the wafer 200 is placed on the board mounting surface 211 provided on the board mounting table 212 by raising the board mounting table 212, and the substrate mounting table 212 is further raised to raise the processing chamber 201 described above. The wafer 200 is raised to the processing position (board processing position) inside.

ウエハ２００が移載室２０３に搬入された後、処理室２０１内の処理位置まで上昇すると、バルブ２２８を閉状態とする。これにより、排気管１４８から移載室２０３の排気が終了する。一方、ＡＰＣ２２７を開き、処理室２０１と真空ポンプ２２３の間を連通させるさせる。ＡＰＣ２２７は、排気管２２４ａのコンダクタンスを調整することで、真空ポンプ２２３による処理室２０１の排気流量を制御し、処理空間２０１を所定の圧力（例えば１０−5〜１０−1Ｐａの高真空）に維持する。 After the wafer 200 is carried into the transfer chamber 203, when it rises to the processing position in the processing chamber 201, the valve 228 is closed. As a result, the exhaust from the exhaust pipe 148 to the transfer chamber 203 is completed. On the other hand, APC227 is opened to allow communication between the processing chamber 201 and the vacuum pump 223. The APC227 controls the exhaust flow rate of the processing chamber 201 by the vacuum pump 223 by adjusting the conductance of the exhaust pipe 224a, and brings the processing space 201 to a predetermined pressure (for example, a high vacuum of 10-5 to -1 Pa). maintain.

このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理室２０１内を所定の圧力となるように制御するとともに、ウエハ２００の表面温度が所定の温度となるように制御する。温度は、例えば室温以上５００℃以下であり、好ましくは室温以上であって４００℃以下である。圧力は例えば５０〜５０００Ｐａとすることが考えられる。 In this way, in the substrate loading / heating step (S102), the inside of the processing chamber 201 is controlled to have a predetermined pressure, and the surface temperature of the wafer 200 is controlled to be a predetermined temperature. The temperature is, for example, room temperature or higher and 500 ° C. or lower, preferably room temperature or higher and 400 ° C. or lower. The pressure may be, for example, 50 to 5000 Pa.

（成膜工程:Ｓ１０４）
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理室２０１内の処理位置にウエハ２００を位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理室２０１に供給することで、ウエハ２００上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理室２０１に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ１８０ｂを起動してもよい。また、第一処理ガスと第二処理ガスのいずれかを供給する熱処理、改質処理、等の基板処理が行われても良い。 (Film formation process: S104)
Subsequently, the film forming step (S104) will be described.
After the wafer 200 is positioned at the processing position in the processing chamber 201, the substrate processing apparatus 100 performs the film forming step (S104). In the film forming step (S104), the first treatment gas (first element-containing gas) and the second treatment gas (second element-containing gas), which are different treatment gases, are supplied to the treatment chamber 201 according to the process recipe. This is a step of forming a thin film on the wafer 200. In the film forming step (S104), the first treatment gas and the second treatment gas are simultaneously present in the treatment chamber 201 to perform CVD (chemical vapor deposition) treatment, or the first treatment gas and the second treatment gas are alternately alternated. A cyclic (alternate supply) process may be performed in which the process of supplying the gas to the device is repeated. Further, when the second processing gas is processed in the plasma state, the RPU 180b may be started. Further, a substrate treatment such as a heat treatment or a reforming treatment for supplying either the first treatment gas or the second treatment gas may be performed.

（基板搬出工程：Ｓ１０６）
次に、基板搬出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の搬送手順にて、処理済みのウエハ２００を容器２０２の外へ搬出する。なお、ウエハ２００の冷却は行わずに、搬出させても良い。 (Substrate carry-out process: S106)
Next, the substrate unloading step (S106) will be described.
After the film forming step (S104) is completed, the substrate processing apparatus 100 performs a substrate unloading step (S106). In the substrate carry-out step (S106), the processed wafer 200 is carried out of the container 202 by the reverse transfer procedure of the substrate carry-in / heating step (S102) described above. The wafer 200 may be carried out without being cooled.

（判定工程：Ｓ１０８）
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。即ち、所定枚数のウエハ２００を処理したか否かが判定される。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。 (Determination step: S108)
Next, the determination step (S108) will be described.
When the substrate unloading step (S106) is completed, the substrate processing apparatus 100 regards the series of processes (S102 to S106) described above as one cycle, and determines whether or not the one cycle has been executed a predetermined number of times. That is, it is determined whether or not a predetermined number of wafers 200 have been processed. Then, if it has not been carried out a predetermined number of times, one cycle from the substrate loading / heating step (S102) to the substrate unloading step (S106) is repeated. On the other hand, when it is carried out a predetermined number of times, the substrate processing step is terminated.

この基板処理工程の前と後のいずれかで、図１２に示す、送信間隔変更工程を含む、以下の工程が行われる。なお、以下の工程は、基板処理工程の間に行われても良いし、基板処理工程と所定期間並行して行われても良い。 Either before or after this substrate processing step, the following steps including the transmission interval changing step shown in FIG. 12 are performed. The following steps may be performed during the substrate processing step, or may be performed in parallel with the substrate processing step for a predetermined period.

（負荷データ 送信／受信 工程Ｓ２０１）
各制御部（第１制御部２６０、第２制御部２７４、第３制御部２８０）や、中継部２７５の間で、それぞれが保持している最新の負荷データの共有処理が行われる。具体的には、各制御部が保持している負荷データが中継部２７５に送信される。中継部２７５は、各制御部が保持している負荷データの受信を実行する。 (Load data transmission / reception process S201)
The latest load data held by each control unit (first control unit 260, second control unit 274, third control unit 280) and the relay unit 275 share the latest load data. Specifically, the load data held by each control unit is transmitted to the relay unit 275. The relay unit 275 executes reception of load data held by each control unit.

（負荷レベル設定工程Ｓ２０２）
次に、負荷レベルの設定工程Ｓ２０２が行われる。負荷レベルの設定は、中継部２７５が有するＣＰＵによって演算される。ここでは、受信した負荷データに基づき、各制御部やシステムネットワーク２６８の負荷がどのレベルにあるかが判定される。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルが、１〜Ｘのいずれに該当するのかが設定される。 (Load level setting process S202)
Next, the load level setting step S202 is performed. The load level setting is calculated by the CPU of the relay unit 275. Here, based on the received load data, it is determined at what level the load of each control unit or system network 268 is. For example, which of 1 to X the load level of the second control unit 274 corresponds to is set.

（負荷レベル判定工程Ｓ２０３）
各制御部とシステムネットワーク２６８の負荷レベルが、各制御部とシステムネットワーク２６８の少なくともいずれかが、規程値か否かが判定される。負荷レベルが規定値であれば、Ｙ（ＹＥＳ）判定、規程値で無ければ、Ｎ（ＮＯ）判定とする。Ｙ判定の場合は、送信間隔リセット工程Ｓ２０５を実行可能とし、Ｎ判定の場合は、送信間隔変更工程Ｓ２０４が実行可能となる。例えば、第２制御部２７４の負荷レベルの規定値が「１」に設定されている場合、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルが「１」であるか否かが判定される。 (Load level determination step S203)
It is determined whether or not the load level of each control unit and the system network 268 is a specified value at least one of the control unit and the system network 268. If the load level is a specified value, a Y (YES) determination is made, and if it is not a specified value, an N (NO) determination is made. In the case of Y determination, the transmission interval reset step S205 can be executed, and in the case of N determination, the transmission interval change step S204 can be executed. For example, when the specified value of the load level of the second control unit 274 is set to "1", it is determined whether or not the load level set in the load level setting step S202 is "1".

（送信間隔変更工程Ｓ２０４）
次に、負荷レベル判定工程Ｓ２０３で、Ｎ判定となった後に行われる、送信間隔変更工程Ｓ２０４について説明する。この工程では、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する送信間隔データを読み出し、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、図８に示す送信間隔テーブルを基に、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で設定された負荷レベルに対応する、データ種別毎の送信間隔データを読み出し、各制御部に、データ種別毎の送信間隔を設定させる。例えば、負荷レベル設定工程Ｓ２０２で、負荷レベルが「２」に設定されている場合、負荷レベル２に対応するデータ種別毎の送信間隔を読み出す。具体的には、アラームデータの送信間隔データとして「１」を読み出す。プロセスデータの送信間隔として、「１」を読み出す。装置稼働データの送信間隔として「２」を読み出す。定期点検データの送信間隔として「２」を読み出す。これら読み出した送信間隔データを基に、中継部２７５から第２制御部２７４に送信されるデータ種別毎の送信間隔を設定する。具体的には、アラームデータの送信間隔を「１」と設定し、プロセスデータの送信間隔を「１」と設定し、装置稼働データの送信間隔を「２」と設定し、定期点検データの送信間隔を「２」と設定する。 (Transmission interval changing step S204)
Next, the transmission interval changing step S204, which is performed after the N determination is made in the load level determination step S203, will be described. In this step, the transmission interval data corresponding to the load level set in the load level setting step S202 is read out, and the transmission interval for each data type transmitted from the relay unit 275 to the second control unit 274 is set. Specifically, based on the transmission interval table shown in FIG. 8, the transmission interval data for each data type corresponding to the load level set in the load level setting step S202 is read out, and each control unit is used for each data type. Set the transmission interval. For example, when the load level is set to "2" in the load level setting step S202, the transmission interval for each data type corresponding to the load level 2 is read out. Specifically, "1" is read out as the transmission interval data of the alarm data. Read "1" as the process data transmission interval. Read "2" as the transmission interval of the device operation data. Read "2" as the transmission interval of the periodic inspection data. Based on the read transmission interval data, the transmission interval for each data type transmitted from the relay unit 275 to the second control unit 274 is set. Specifically, the alarm data transmission interval is set to "1", the process data transmission interval is set to "1", the device operation data transmission interval is set to "2", and periodic inspection data transmission is performed. Set the interval to "2".

（データ蓄積工程Ｓ２０５）
送信間隔変更工程Ｓ２０４で、少なくとも、送信間隔データが「２」以上に設定されたデータ種別について、中継部２７５が受信したデータは、中継部２７５の記憶装置に記録（データ蓄積）が行われる。 (Data storage step S205)
In the transmission interval changing step S204, at least for the data type in which the transmission interval data is set to "2" or more, the data received by the relay unit 275 is recorded (data storage) in the storage device of the relay unit 275.

次に、負荷レベル判定工程Ｓ２０３で、負荷レベルが規定値内と判定（Ｙ判定）された後に実行される送信間隔リセット工程Ｓ２０６について説明する。 Next, the transmission interval reset step S206 executed after the load level is determined to be within the specified value (Y determination) in the load level determination step S203 will be described.

（送信間隔リセット工程Ｓ２０６）
送信間隔リセット工程Ｓ２０６では、図８に示す、送信間隔テーブルから、負荷レベル１に対応する送信間隔データが読み出され、データ種別毎の送信間隔を設定する。 (Transmission interval reset step S206)
In the transmission interval reset step S206, the transmission interval data corresponding to the load level 1 is read from the transmission interval table shown in FIG. 8, and the transmission interval for each data type is set.

（蓄積データ送信工程Ｓ２０７）
続いて、蓄積データ送信工程Ｓ２０７が行われても良い。蓄積データ送信工程Ｓ２０７では、少なくとも送信間隔が「２」以上に設定され、中継部２７５の記憶装置で記録（データ蓄積）が行われたデータを、第２制御部２７４に送信する工程である。 (Accumulated data transmission step S207)
Subsequently, the accumulated data transmission step S207 may be performed. In the stored data transmission step S207, at least the transmission interval is set to “2” or more, and the data recorded (data storage) in the storage device of the relay unit 275 is transmitted to the second control unit 274.

この様にして送信間隔変更工程を含む処理が行われる。 In this way, the process including the transmission interval changing step is performed.

なお、上述では、第１制御部２６０（第３制御部２８０）から送信される各種データを全て、中継部２７５を同じ送信間隔で受信し、中継部２７５は、設定された送信間隔で第２制御部２７４に各種データを送信する様に構成したが、これに限るものでは無い。例えば、中継部２７５は、第１制御部２６０と第３制御部２８０のいずれか若しくは両方に、図９に示す送信先設定テーブルに基づいて、データの送信先を変更させても良い。例えば、図９に示すテーブルに示す様に、第１制御部２６０に対して、アラームデータとプロセスデータについて、送信先２（中継部２７５）を介さずに、送信先１（操作部２７４）に送信する様に設定しても良い。中継部２７５を介さずに送信することで、データの遅延を抑制することが可能となる。 In the above description, all the various data transmitted from the first control unit 260 (third control unit 280) are received by the relay unit 275 at the same transmission interval, and the relay unit 275 receives the second at the set transmission interval. It is configured to transmit various data to the control unit 274, but the present invention is not limited to this. For example, the relay unit 275 may cause either or both of the first control unit 260 and the third control unit 280 to change the data transmission destination based on the transmission destination setting table shown in FIG. For example, as shown in the table shown in FIG. 9, for the first control unit 260, the alarm data and the process data are sent to the transmission destination 1 (operation unit 274) without going through the transmission destination 2 (relay unit 275). It may be set to send. By transmitting data without going through the relay unit 275, it is possible to suppress data delay.

また、上述では、基板処理システム１０００が有する複数の基板処理装置１００全てで、同じ送信間隔の設定や、送信先設定を行う例について説明したが、これに限るものでは無い。例えば、基板処理装置１００（１００ａ,１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）毎に、各種設定を異ならせても良い。複数の基板処理装置１００を有する基板処理システム１０００では、全ての基板処理装置１００で同じ処理を実行させていない場合がある。この場合、基板処理装置１００毎に設定を異ならせることにより、データ通信の効率を向上させることができる。また、基板処理装置１００毎の基板２００の処理タイミングが異なる場合についても、各種データの送信間隔の設定と送信先の設定のいずれか又は両方を基板処理装置１００毎に異ならせても良い。例えば基板２００の処理中は、データの量が増えるため、データ量が増える（負荷が上昇する）タイミングで上述の送信間隔変更工程を含む処理や、送信先変更工程を行わせても良い。 Further, in the above description, an example in which the same transmission interval setting and transmission destination setting are performed in all of the plurality of board processing devices 100 included in the board processing system 1000 has been described, but the present invention is not limited to this. For example, various settings may be different for each substrate processing apparatus 100 (100a, 100b, 100c, 100d). In the board processing system 1000 having a plurality of board processing devices 100, the same processing may not be executed by all the board processing devices 100. In this case, the efficiency of data communication can be improved by setting different settings for each of the board processing devices 100. Further, even when the processing timing of the substrate 200 is different for each substrate processing apparatus 100, either or both of the setting of the transmission interval of various data and the setting of the transmission destination may be different for each substrate processing apparatus 100. For example, since the amount of data increases during the processing of the substrate 200, the processing including the above-mentioned transmission interval changing step or the transmission destination changing step may be performed at the timing when the data amount increases (load increases).

なお、上述では、図９に示す送信先設定テーブルを一つに基づいて、送信先を設定
する旨を説明したが、これに限るものでは無く、送信先設定テーブルを複数設けて、負荷レベルに応じて、送信先設定テーブルを選択する様に構成しても良い。 In the above description, it has been explained that the destination is set based on one of the destination setting tables shown in FIG. 9, but the present invention is not limited to this, and a plurality of destination setting tables are provided to set the load level. Depending on the situation, the destination setting table may be selected.

なお、上述では、負荷レベルの設定や負荷レベル判定は、中継部２７５で行われたが、これらの工程を、第２制御部２７４、上位装置５００、解析サーバー５０１等で行わせても良い。 In the above description, the load level is set and the load level is determined by the relay unit 275, but these steps may be performed by the second control unit 274, the host device 500, the analysis server 501, and the like.

なお、基板処理装置１００や基板処理システム１０００のメンテナンス（保守）の実行中に、保守用ＰＣ５０２を用いて、中継部２７５の記憶装置から、蓄積データを読み出しても良い。また、中継部２７５から、上位装置５００、解析サーバー５０１、等に蓄積データを送信しても良い。 While the maintenance of the board processing device 100 or the board processing system 1000 is being executed, the stored data may be read from the storage device of the relay unit 275 by using the maintenance PC 502. Further, the accumulated data may be transmitted from the relay unit 275 to the host device 500, the analysis server 501, and the like.

以上、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。 Although one embodiment of the present disclosure has been specifically described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiment and can be variously modified without departing from the gist thereof.

また、上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程、太陽電池の製造工程、発光デバイスの製造工程、ガラス基板の処理工程、セラミック基板の処理工程、導電性基板の処理工程、などの基板処理が有る。 Further, although the manufacturing process of the semiconductor device has been described above, the invention according to the embodiment can be applied to other than the manufacturing process of the semiconductor device. For example, there are substrate processing such as a liquid crystal device manufacturing process, a solar cell manufacturing process, a light emitting device manufacturing process, a glass substrate processing process, a ceramic substrate processing process, and a conductive substrate processing process.

また、上述では、原料ガスとしてシリコン含有ガス、反応ガスとして窒素含有ガスを用いて、シリコン窒化膜を形成する例を示したが、他のガスを用いた成膜にも適用可能である。例えば、酸素含有膜、窒素含有膜、炭素含有膜、ホウ素含有膜、金属含有膜とこれらの元素が複数含有した膜等が有る。なお、これらの膜としては、例えば、ＡｌＯ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＡｌＯ膜、ＺｒＡｌＯ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＴｉＮ膜、ＴｉＣ膜、ＴｉＡｌＣ膜などが有る。 Further, in the above description, an example of forming a silicon nitride film by using a silicon-containing gas as a raw material gas and a nitrogen-containing gas as a reaction gas has been shown, but it can also be applied to film formation using other gases. For example, there are an oxygen-containing film, a nitrogen-containing film, a carbon-containing film, a boron-containing film, a metal-containing film, and a film containing a plurality of these elements. Examples of these films include AlO film, ZrO film, HfO film, HfAlO film, ZrAlO film, SiC film, SiCN film, SiBN film, TiN film, TiC film, TiAlC film and the like.

また、上述では、一つの処理室で一枚の基板を処理する装置構成を示したが、これに限らず、複数枚の基板を水平方向又は垂直方向に並べた装置であっても良い。 Further, in the above description, the apparatus configuration for processing one substrate in one processing chamber is shown, but the present invention is not limited to this, and an apparatus in which a plurality of substrates are arranged in a horizontal direction or a vertical direction may be used.

１００ 基板処理装置
２００ ウエハ（基板）
２６０ 第１制御部
２７４ 第２制御部（操作部）
２８０ 第３制御部




100 Board processing equipment 200 Wafer (board)
260 1st control unit 274 2nd control unit (operation unit)
280 3rd control unit

Claims (23)

基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更し、
前記第１制御部からの前記データの受信間隔と前記送信間隔とを異ならせることが可能に構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each of the first control units, or both.
A substrate processing system configured so that the reception interval of the data from the first control unit and the transmission interval can be made different. 前記中継部は、前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信する様に構成される請求項１に記載の基板処理システム。 The relay unit receives the plurality of types of data at predetermined intervals, and receives the plurality of types of data at predetermined intervals.
The transmission interval is changed for each type of data based on one or both of the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit. The substrate processing system according to claim 1, wherein the data is transmitted to the second control unit. 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルは、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定される
請求項２に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to claim 2, wherein the load level of the second control unit and one or both of the network load levels are determined by either or both of the relay unit and the second control unit. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更するとともに、
前記複数種類のデータの内、データの重要度データに基づいて、前記送信間隔を変更することが可能に構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each or both of the first control units, and at the same time.
A board processing system configured to be capable of changing the transmission interval based on the importance data of the data among the plurality of types of data. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更し、
前記データの種類を基に、前記第２制御部と前記中継部に接続された他の機器のそれぞれへの送信先を決定してデータを送信するように構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each of the first control units, or both.
A board processing system configured to determine a transmission destination to each of the second control unit and other devices connected to the relay unit based on the type of data and transmit the data. 前記中継部は、受信した前記複数種類のデータを記録するように構成される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate processing system according to any one of claims 1 to 5 , wherein the relay unit is configured to record the received plurality of types of data. 前記中継部は、
受信した前記複数種類のデータを記録する様に構成され、
前記負荷レベルが規定値内になった後、前記記録したデータを送信する様に構成される
請求項２に記載の基板処理システム。 The relay unit is
It is configured to record the received multiple types of data.
The substrate processing system according to claim 2, wherein the recorded data is transmitted after the load level is within the specified value. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更し、
前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータを有し、
前記テーブルデータに基づいて、前記第１制御部の送信先設定を更新する様に構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each of the first control units, or both.
The second control unit has table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded.
A board processing system configured to update the destination setting of the first control unit based on the table data. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更し、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に前記送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信し、
前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータを複数有し、前記負荷レベルに基づいて、前記テーブルデータを選択する様に構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each of the first control units, or both.
The plurality of types of data are received at predetermined intervals, and
The transmission interval is changed for each type of data based on one or both of the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit. Then, the data is transmitted to the second control unit, and the data is transmitted to the second control unit.
The second control unit has a plurality of table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded, and the table data is selected based on the load level. A board processing system configured in the same way. 基板を処理する複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部と、
前記第１制御部から送信される複数種類のデータを中継する中継部と、
前記中継部から前記データを受信する第２制御部と、を有し、
前記中継部は、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更する様に構成され、
前記第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータを有し、前記テーブルデータを変更可能に構成される
基板処理システム。 Multiple board processing devices that process boards,
A first control unit provided in each of the plurality of board processing devices and controlling the board processing device,
A relay unit that relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit, and a relay unit.
It has a second control unit that receives the data from the relay unit, and has.
The relay unit is
The data transmission interval to the second control unit is configured to be changed by either or both of the data type and the first control unit.
The second control unit has table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded, and the board processing system is configured so that the table data can be changed. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継する工程と、
前記中継部で中継する工程において、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更し、前記中継部における前記第１制御部からの前記データの受信間隔と前記送信間隔とを異ならせる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 The process of processing a board with each of multiple board processing devices,
A process of relaying a plurality of types of data transmitted from the first control unit to the second control unit provided in each of the board processing devices by the relay unit, and a process of relaying the data.
In the step of relaying by the relay unit, the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by either or both of the data type and the first control unit, and the relay is performed. A step of making the reception interval of the data from the first control unit and the transmission interval of the unit different from each other.
A method for manufacturing a semiconductor device having. 前記中継部で中継する工程では、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信する
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。 In the process of relaying at the relay unit,
The plurality of types of data are received at predetermined intervals, and
The transmission interval is changed for each type of data based on the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit, or both. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein the data is transmitted to the second control unit. 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルを、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定する工程と、
を有する請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。 A step of determining the level of either or both of the load level of the second control unit and the network load level by either or both of the relay unit and the second control unit.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 12. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継する工程と、
前記中継部で中継する工程において、
前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎とのいずれか又は両方で変更するとともに、
前記複数種類のデータの内、データの重要度データに基づいて、前記送信間隔を変更する
半導体装置の製造方法。 The process of processing a board with each of multiple board processing devices,
A process of relaying a plurality of types of data transmitted from the first control unit to the second control unit provided in each of the board processing devices by the relay unit, and a process of relaying the data.
In the process of relaying at the relay unit,
The transmission interval of the data to the second control unit is changed for each type of the data and for each or both of the first control units, and at the same time.
A method for manufacturing a semiconductor device that changes the transmission interval based on the importance data of the data among the plurality of types of data. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継する工程と、
前記中継部で中継する工程において、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更するとともに、
前記データの種類を基に、前記第２制御部と前記中継部に接続された他の機器のそれぞれへの送信先を決定してデータを送信する半導体装置の製造方法。 The process of processing a board with each of multiple board processing devices,
A process of relaying a plurality of types of data transmitted from the first control unit to the second control unit provided in each of the board processing devices by the relay unit, and a process of relaying the data.
In the step of relaying by the relay unit, the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by one or both of the data type and the first control unit, and at the same time.
A method for manufacturing a semiconductor device, which determines a transmission destination to each of the second control unit and other devices connected to the relay unit based on the type of data, and transmits the data. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継する工程と、
前記中継部で中継する工程において、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更するとともに、
第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータに基いて前記第１制御部の送信先設定を更新する
半導体装置の製造方法。 The process of processing a board with each of multiple board processing devices,
A process of relaying a plurality of types of data transmitted from the first control unit to the second control unit provided in each of the board processing devices by the relay unit, and a process of relaying the data.
In the step of relaying by the relay unit, the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by one or both of the data type and the first control unit, and at the same time.
The second control unit manufactures a semiconductor device that updates the destination setting of the first control unit based on the table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded. Method. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理する工程と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継する工程と、
前記中継部で中継する工程において、
前記中継部は、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信するとともに、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基いて、前記データの種類毎に前記送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信し、
前記第２制御部は、
前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータを複数有し、前記負荷レベルに基いて、前記テーブルデータを選択する
半導体装置の製造方法。 The process of processing a board with each of multiple board processing devices,
A process of relaying a plurality of types of data transmitted from the first control unit to the second control unit provided in each of the board processing devices by the relay unit, and a process of relaying the data.
In the process of relaying at the relay unit,
The relay unit is
The plurality of types of data are received at predetermined intervals, and the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by either or both of the data type and the first control unit. death,
The transmission interval is changed for each type of data based on one or both of the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit. Then, the data is transmitted to the second control unit, and the data is transmitted to the second control unit.
The second control unit
A method for manufacturing a semiconductor device having a plurality of table data in which the type of data and the destination of the data transmitted by the first control unit are recorded, and selecting the table data based on the load level. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理させる手順と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられ、前記基板処理装置を制御する第１制御部から、複数の前記第１制御部を制御する第２制御部へ送信される複数種類のデータを、前記第１制御部と前記第２制御部に接続された中継部で中継させる手順と、
前記中継部で中継させる手順において、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更し、前記中継部における前記第１制御部からの前記データの受信間隔と前記送信間隔とを異ならせる手順と、
をコンピュータによって基板処理システムに実行させるプログラム。 The procedure for processing a board with each of multiple board processing devices,
A plurality of types of data provided in each of the board processing devices and transmitted from a first control unit that controls the board processing device to a second control unit that controls a plurality of the first control units are transmitted to the first control unit. The procedure for relaying between the control unit and the relay unit connected to the second control unit,
In the procedure of relaying by the relay unit, the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by either or both of the data type and the first control unit, and the relay is performed. A procedure for making the data reception interval from the first control unit different from the transmission interval in the unit, and
A program that causes the board processing system to execute. 前記中継部で中継させる手順では、
前記複数種類のデータを所定間隔で受信し、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基づいて、前記データの種類毎に送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信させる手順と、
を有する請求項１８に記載のプログラム。 In the procedure of relaying by the relay unit,
The plurality of types of data are received at predetermined intervals, and
The transmission interval is changed for each type of data based on one or both of the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit. The procedure for transmitting the data to the second control unit and
18. The program of claim 18. 前記第２制御部の負荷レベルと前記ネットワーク負荷レベルのいずれか又は両方のレベルを、前記中継部と前記第２制御部のいずれか又は両方で判定させる手順と、
を有する請求項１９に記載のプログラム。 A procedure for determining either or both of the load level of the second control unit and the network load level by either or both of the relay unit and the second control unit.
19. The program of claim 19. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理させる手順と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継させる際に、
前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更させるとともに、
前記データの種類を基に、前記第２制御部と前記中継部に接続された他の機器のそれぞれへの送信先を決定してデータを送信させる手順と、
をコンピュータによって基板処理システムに実行させるプログラム。 The procedure for processing a board with each of multiple board processing devices,
When the relay unit relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit provided in each of the board processing devices to the second control unit.
The transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by either or both of the data type and the first control unit, and at the same time.
A procedure for determining a transmission destination for each of the second control unit and other devices connected to the relay unit based on the type of data, and a procedure for transmitting data.
A program that causes the board processing system to execute. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理させる手順と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継させる際に、
前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更させるとともに、
第２制御部は、前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録されたテーブルデータに基いて前記第１制御部の送信先設定を更新させる手順と、
をコンピュータによって基板処理システムに実行させるプログラム。 The procedure for processing a board with each of multiple board processing devices,
When the relay unit relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit provided in each of the board processing devices to the second control unit.
The transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit is changed by either or both of the data type and the first control unit, and at the same time.
The second control unit has a procedure for updating the transmission destination setting of the first control unit based on the table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded.
A program that causes the board processing system to execute. 複数の基板処理装置のそれぞれで基板を処理させる手順と、
前記基板処理装置のそれぞれに設けられた第１制御部から第２制御部へ送信される複数種類のデータを、中継部で中継させる際に、
前記中継部は前記複数種類のデータを所定間隔で受信するとともに、前記中継部から前記第２制御部への前記データの送信間隔を、前記データの種類毎と前記第１制御部毎のいずれか又は両方で変更させるとともに、
前記第２制御部の負荷レベルと、前記中継部と前記第２制御部との間のネットワーク負荷レベルと、のいずれか又は両方のレベルに基いて、前記データの種類毎に前記送信間隔を変更して前記第２制御部に前記データを送信し、
前記データの種類と前記第１制御部が送信する前記データの送信先とが記録された複数のテーブルデータから、前記負荷レベルに基いて、前記テーブルデータを選択させる手順と、
をコンピュータによって基板処理システムに実行させるプログラム。
The procedure for processing a board with each of multiple board processing devices,
When the relay unit relays a plurality of types of data transmitted from the first control unit provided in each of the board processing devices to the second control unit.
The relay unit receives the plurality of types of data at predetermined intervals, and sets the transmission interval of the data from the relay unit to the second control unit as either one of the data types or the first control unit. Or change it in both, and
The transmission interval is changed for each type of data based on one or both of the load level of the second control unit and the network load level between the relay unit and the second control unit. Then, the data is transmitted to the second control unit, and the data is transmitted to the second control unit.
A procedure for selecting the table data based on the load level from a plurality of table data in which the type of the data and the transmission destination of the data transmitted by the first control unit are recorded.
A program that causes the board processing system to execute.
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