JP2013041874A - 半導体レーザ構造 - Google Patents
半導体レーザ構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013041874A JP2013041874A JP2011176032A JP2011176032A JP2013041874A JP 2013041874 A JP2013041874 A JP 2013041874A JP 2011176032 A JP2011176032 A JP 2011176032A JP 2011176032 A JP2011176032 A JP 2011176032A JP 2013041874 A JP2013041874 A JP 2013041874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- semiconductor laser
- light guide
- type cladding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体レーザ構造10では、n型クラッド層2、n型光ガイド層4、多重量子井戸発光層5、p型光ガイド層6、及びp型クラッド層8を積層して構成された構造であって、n型クラッド層2内におけるn型光ガイド層4と当接する領域、及び、p型クラッド層8内におけるp型光ガイド層6と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、n型クラッド層2およびp型クラッド層4よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部3,7を設けるようにした。この構成では、駆動電流が無駄なく活性層に供給され、且つ、活性層内において、光が電流狭窄部3,7に遮られずに増幅される。
【選択図】図1
Description
即ち、特許文献2に記載の半導体レーザ構造は、イオン注入により結晶格子を破壊し、電気伝導性を失わせることで、電流狭窄部の絶縁化を図っているため、光ガイド層において、中央部と両端部との屈折率が異なることとなり、結晶格子の損傷、及び、原子密度の減少による屈折率の低下の少なくとも一方の理由により、発光特性異常の発生が懸念される。
[実施例]
<半導体レーザ構造の製造>
半導体レーザ構造10の製造方法を図1及び表1に基づいて説明する。n型InP基板1上に、MOCVD法により、キャリア濃度5×1017cm-3、厚さ0.8μmのInPからなるn型クラッド層2を積層する。なお、本実施例のn型クラッド層2は、不純物(ドーパント)としてSeがドープされた不純物半導体である。
上記のように製造した半導体レーザ構造10を用いて、図2に示す半導体レーザ素子100を製造した。
次に、n型InP基板1の膜厚が120μm程度となるように、#2000番手の砥石を用い、n型InP基板1を研削する。この場合、研削面はRa:10-15nm、Rmax:55-170程度となる。なお、この研削面にケミカルエッチングを行うと、転位の導入原因となる加工変質層(破砕層)を取り除くことができる。また、研削面を鏡面に仕上げずに用いることで、表面積が増すため、電極や半田の密着性が向上するメリットがある。
このように製造された半導体レーザ素子100では、半導体レーザ構造10の各層の厚み方向に、p電極部101からn電極部103へ順方向の電流(以下「順方向電流」という)が流れるように電圧を印加し、活性層内に「駆動電流」が到達すると、発生した光が低反射率膜113と反射層115との間を往復し、複数の導波モードの光が共振することで、光増幅が起き、これにより発生したレーザ光が低反射率膜113から出射される。
また、半導体レーザ構造10では、第1電流狭窄層3がInPノンドープ層3aであり、第2電流狭窄層7がAlGaInAsノンドープ層7aであるため、それぞれn型クラッド層2とp型クラッド層8の原子間隔(格子定数)が一致し、質の高い結晶層を作製することができる。
なお、本実施例において、第1電流狭窄層3および第2電流狭窄層7の少なくとも一方が電流狭窄部、p電極部101が電極部、絶縁膜105が絶縁層に相当する。
上記実施例では、半導体レーザ構造10において、第1電流狭窄層3がInPノンドープ層3aであり、第2電流狭窄層7がAlGaInAsノンドープ層7aである構成について説明した。例えば、第1電流狭窄層3がInPノンドープ層3aであることに代えて、AlGaInAsノンドープ層7aであってもよい。
半導体レーザ構造10の製造方法を図1及び表2に基づいて説明する。n型InP基板1上に、MOCVD法により、キャリア濃度5×1017cm-3、厚さ0.8μmのInPからなるn型クラッド層2を積層する。なお、n型クラッド層2は、不純物(ドーパント)としてSeがドープされた不純物半導体である。
また、上記実施例の第2電流狭窄層7がAlGaInAsノンドープ層7aであることに代えて、第2電流狭窄層7がInPノンドープ層3aであってもよい。
半導体レーザ構造10の製造方法を図1及び表3に基づいて説明する。なお、n型クラッド層2〜p型光ガイド層6を作製するところは、上記実施例と共通するため、説明を省略する。
さらに、上記変形例1及び2を組み合わせとして、第1電流狭窄層3がAlGaInAsノンドープ層7aであり、第2電流狭窄層7がInPノンドープ層3aであってもよい。なお、半導体レーザ構造10の製造については、上記変形例1及び2の単なる組み合わせであるため、説明を省略する。ちなみに、各層のキャリア濃度、厚さ、組成は、表3に示すとおりである。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
Claims (4)
- n型クラッド層、n型光ガイド層、発光層、p型光ガイド層、及びp型クラッド層を積層して構成された半導体レーザ構造であって、
前記n型クラッド層内において前記n型光ガイド層と当接する領域、及び、前記p型クラッド層内において前記p型光ガイド層と当接する領域のうち、少なくとも一方の領域の両端部にだけ、前記n型クラッド層および前記p型クラッド層よりも絶縁性の高い材質からなる電流狭窄部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ構造。 - 前記n型光ガイド層および前記p型光ガイド層は、不純物半導体であり、
前記電流狭窄部は、前記n型光ガイド層および前記p型光ガイド層と同じ組成であり、且つ、真性半導体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ構造。 - 前記n型クラッド層および前記p型クラッド層は、不純物半導体であり、
前記電流狭窄部は、前記n型クラッド層および前記p型クラッド層と同じ組成であり、且つ、真性半導体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ構造。 - 電極の下方両端側に絶縁層を隣接させてなるストライプ状の電極部を備え、
前記電流狭窄部は、前記絶縁層に対向するように配置されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体レーザ構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176032A JP2013041874A (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体レーザ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011176032A JP2013041874A (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体レーザ構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013041874A true JP2013041874A (ja) | 2013-02-28 |
Family
ID=47890041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011176032A Pending JP2013041874A (ja) | 2011-08-11 | 2011-08-11 | 半導体レーザ構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013041874A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255984A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPH05283792A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2007067432A (ja) * | 2006-10-30 | 2007-03-15 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体光素子 |
JP2008047672A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
-
2011
- 2011-08-11 JP JP2011176032A patent/JP2013041874A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255984A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPH05283792A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2008047672A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
JP2007067432A (ja) * | 2006-10-30 | 2007-03-15 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体光素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8073029B2 (en) | Semiconductor optical device | |
JP6152848B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5731084B2 (ja) | 半導体光素子、半導体レーザ素子、及びその製造方法、並びに半導体レーザモジュール及び半導体素子の製造方法 | |
US9001860B2 (en) | Laser diode device including a top electrode with first and second sections | |
JP2014027264A (ja) | 面発光レーザ | |
JP6664688B2 (ja) | 垂直共振器型発光素子 | |
JP5697907B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
CN102195232A (zh) | 锁模半导体激光器件及其驱动方法 | |
WO2002045223A1 (en) | Nitride compound semiconductor vertical-cavity surface-emitting laser | |
US9018641B2 (en) | Method for producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component | |
US20060093003A1 (en) | Semiconductor laser device and process for preparing the same | |
EP4089860A1 (en) | Vertical-resonator-type light-emitting element | |
JP2009158647A (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
JP2015041627A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20220069547A1 (en) | Semiconductor laser element | |
JP4904413B2 (ja) | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 | |
JP2004031925A (ja) | n型半導体分布ブラッグ反射器および面発光半導体レーザ素子および面発光レーザアレイおよび面発光レーザモジュールおよび光インターコネクションシステムおよび光通信システム | |
JP2010021430A (ja) | 半導体光素子 | |
WO2018020793A1 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2013041874A (ja) | 半導体レーザ構造 | |
WO2016024609A1 (ja) | 半導体素子 | |
JP2010034267A (ja) | ブロードエリア型半導体レーザ素子、ブロードエリア型半導体レーザアレイ、レーザディスプレイおよびレーザ照射装置 | |
US20240038932A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
US20230387662A1 (en) | Semiconductor laser element | |
JP2011044648A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140311 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150224 |