JP2013028733A - Liquid resin composition, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液状樹脂組成物および半導体装置に関する。 The present invention relates to a liquid resin composition and a semiconductor device.
近年、携帯電話などの電子機器の小型軽量化、薄型化、高機能化が著しく進む中で半導体パッケージ自体の小型薄型化、高集積化が必要不可欠となっており、それに伴い半導体パッケージを形成する材料について、これまで以上の特性の要求がなされてきている。その一つとして半導体パッケージの熱放散性が挙げられるが、これは半導体パッケージの小型化、高集積化に伴い半導体素子の発熱量の増加が見込まれるためであり、半導体パッケージを形成する各種材料で熱伝導率が高い材料が望まれている。 In recent years, as electronic devices such as mobile phones are becoming smaller, lighter, thinner, and more advanced, it is indispensable to make the semiconductor package smaller, thinner, and more integrated. There has been a demand for more properties than ever before for materials. One of them is the heat dissipation of semiconductor packages. This is because the heat generation of semiconductor elements is expected to increase with the miniaturization and high integration of semiconductor packages. A material having high thermal conductivity is desired.
なかでも、半導体素子を基材に接着するダイアタッチ材料は発熱する半導体素子に直接接触する材料の一つであり、他の半導体パッケージを形成する材料よりも熱放散性に対する期待度が大きい。ダイアタッチ材料としてはコストメリットなどの理由で液状のダイアタッチ材料がしばしば用いられており、この液状のダイアタッチ材料の熱伝導性を向上させるために金属フィラーである銀粉を高充填したものが開発されている(例えば、特許文献1参照)。 In particular, the die attach material for bonding the semiconductor element to the base material is one of the materials that directly contact the semiconductor element that generates heat, and has a higher expectation for heat dissipation than the material for forming other semiconductor packages. Liquid die attach materials are often used as die attach materials for reasons such as cost merit, and high-filled silver powder, a metal filler, has been developed to improve the thermal conductivity of this liquid die attach material. (For example, refer to Patent Document 1).
しかし、フィラーを高充填するには、ダイアタッチ材料の粘度が高くなりすぎることを避けるために比表面積の小さなフィラーを用いなければならず、沈降分離や作業性に関しての問題が絶えなかった。また、作業性を改善するために粒子径の小さいチキソ性付与剤を用いることもできるが、粒子径の小さい粒子は熱伝導性フィラー同士の間に分散してしまうため、熱伝導の阻害を引き起こし、高い熱伝導率を実現することはできなかった。 However, in order to fill the filler in a high amount, a filler having a small specific surface area must be used in order to avoid the viscosity of the die attach material from becoming too high, and problems relating to sedimentation separation and workability have ceased. In addition, a thixotropic agent having a small particle size can be used to improve workability, but the particles having a small particle size are dispersed between the thermally conductive fillers, thereby causing an inhibition of heat conduction. High thermal conductivity could not be realized.
液状のダイアタッチ材料は導電性と非導電性のタイプに大別され用途によって使い分けられているが、ここ最近非導電性タイプのダイアタッチ材料が導電性タイプと比較して非常に安価で、さらに絶縁性が要求されるチップスタックなどの特殊な用途にも使用できるため注目を集めている。このため、非導電性タイプで熱伝導性が良好な液状のダイアタッチ材料を求める声が多くなっているが、熱伝導率と作業性を同時に満足するものはなく、これらを両立した材料の開発が望まれていた。 Liquid die attach materials are roughly classified into conductive and non-conductive types and are used properly depending on the application. Recently, non-conductive type die attach materials are very cheap compared to conductive types. It is attracting attention because it can be used for special purposes such as chip stacks that require insulation. For this reason, there is an increasing demand for non-conductive type liquid die attach materials with good thermal conductivity, but none of them satisfy both thermal conductivity and workability at the same time. Was desired.
本発明の目的は、作業性と熱伝導性に優れた液状樹脂組成物および本発明を半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した際に熱放散性に優れ、高い信頼性を持つ半導体装置を提供することである。 The object of the present invention is to provide a liquid resin composition excellent in workability and thermal conductivity and excellent heat dissipation when the present invention is used as a die attach material for semiconductors or an adhesive for heat dissipation members, and has high reliability. A semiconductor device is provided.
このような目的は、下記[1]〜[5]に記載の本発明により達成される。
[1] 基材と半導体素子とを接着する液状樹脂組成物であって、
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラー
(C)チキソ性付与剤を含有し、
前記(B)の比表面積が5〜9m2/g、
前記(B)の含有量が35〜50vol%、
さらに(C)の含有量が1wt%以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
Such an object is achieved by the present invention described in the following [1] to [5].
[1] A liquid resin composition for bonding a substrate and a semiconductor element,
(A) a compound having a radical polymerizable functional group (B) a non-conductive heat conductive filler (C) a thixotropic agent,
The specific surface area of (B) is 5-9 m 2 / g,
The content of (B) is 35-50 vol%,
Furthermore, content of (C) is 1 wt% or less, The liquid resin composition characterized by the above-mentioned.
[2] 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が不飽和炭素−炭素結合である[1]に記載の液状樹脂組成物。 [2] The liquid resin composition according to [1], wherein the radically polymerizable functional group (A) is an unsaturated carbon-carbon bond.
[3] 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が、(メタ)アクリロイル基である[1]または[2]に記載の液状樹脂組成物。 [3] The liquid resin composition according to [1] or [2], wherein the radically polymerizable functional group (A) is a (meth) acryloyl group.
[4] 前記(B)が、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミニウムより選ばれる少なくとも1種である[1]〜[3]のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。 [4] The liquid resin composition according to any one of [1] to [3], wherein (B) is at least one selected from alumina, magnesia, boron nitride, and aluminum nitride.
[5] さらに、前記液状樹脂組成物が少なくとも1つ以上の低応力剤を含有する[1]〜[4]のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。 [5] The liquid resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the liquid resin composition further contains at least one low stress agent.
[6] さらに、前記液状樹脂組成物が少なくとも1つ以上の(D)(メタ)アクリル重合体または共重合体を含有する[1]〜[5]のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。 [6] The liquid resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the liquid resin composition further contains at least one (D) (meth) acrylic polymer or copolymer. object.
[7] 前記(メタ)アクリル重合体または共重合体がビニル基、(メタ)アリル基、(メタ)アクリロイル基、マレイミド基、エポキシ基、カルボキシ基、または水酸基からなる群から選ばれる少なくとも1つである[1]〜[6]のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。 [7] The (meth) acrylic polymer or copolymer is at least one selected from the group consisting of a vinyl group, a (meth) allyl group, a (meth) acryloyl group, a maleimide group, an epoxy group, a carboxy group, or a hydroxyl group. The liquid resin composition according to any one of [1] to [6].
[8] [1]〜[7]のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。 [8] A semiconductor device manufactured using the liquid resin composition according to any one of [1] to [7] as a die attach material or a heat dissipation member bonding material.
本発明の液状樹脂組成物は、作業性に優れ、かつ良好な熱伝導性を示すので、本発明を半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用することで熱放散性に優れ、高い信頼性を持つ半導体装置の提供が可能となる。 Since the liquid resin composition of the present invention has excellent workability and good thermal conductivity, it is excellent in heat dissipation by using the present invention as a die attach material for semiconductors or an adhesive for heat radiating members. A reliable semiconductor device can be provided.
本発明は、(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、(B)非導電性の熱伝導性フィラー、(C)チキソ性付与剤を含有する樹脂組成物であり、該非導電性の熱伝導性フィラーの比表面積が5〜9m2/g、含有量が35〜50vol%、さらに該チキソ性付与剤の含有量が1wt%以下であることによって、良好な作業性、かつ熱伝導性を実現できるので、本発明を半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用することで熱放散性に優れ、高い信頼性を持つ半導体装置の提供が可能となるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
The present invention is a resin composition containing (A) a compound having a functional group capable of radical polymerization, (B) a non-conductive heat conductive filler, and (C) a thixotropic agent, and the non-conductive heat When the specific surface area of the conductive filler is 5 to 9 m 2 / g, the content is 35 to 50 vol%, and the content of the thixotropic agent is 1 wt% or less, good workability and thermal conductivity can be obtained. Therefore, by using the present invention as a die attach material for a semiconductor or an adhesive for a heat radiating member, it is possible to provide a semiconductor device with excellent heat dissipation and high reliability.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に係る液状樹脂組成物は、硬化後の接着性や弾性率などにおいて良好な特性を示すことができるという観点から、(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物(以下、(A)成分ともいう)を含有する。さらに、硬化性の良さを考慮するとラジカル重合可能な官能基としては、不飽和炭素−炭素結合であることが好ましく、例えば(メタ)アクリロイル基、(メタ)アリル基、ビニル基、マレイミド基などが挙げられる。なかでも、(メタ)アクリロイル基を有する化合物は、保存安定性、硬化性、接着性の他に、非導電性の熱伝導性フィラーとの濡れ性が良いため、チキソ性が高くならず、良好なチップマウント後の濡れ広がり性を示すことから特に好ましい。また、本発明の目的を達成することが可能な範囲で、種類の異なるラジカル重合可能な官能基を有する化合物を併用したり、ラジカル重合可能な官能基を有する化合物と、例えばエポキシ樹脂等の種類の異なる樹脂を併用することも可能である。なお、(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物は液状樹脂組成物中に15〜45wt%含まれることが好ましい。これにより、リフローなどの高温処理に耐えうる接着強度を達成できるといった効果を奏する。 The liquid resin composition according to the present invention is a compound having a functional group capable of radical polymerization (hereinafter referred to as (A)) from the viewpoint that it can exhibit good properties in adhesiveness and elastic modulus after curing. Component)). Furthermore, in consideration of good curability, the radical polymerizable functional group is preferably an unsaturated carbon-carbon bond, such as (meth) acryloyl group, (meth) allyl group, vinyl group, maleimide group, etc. Can be mentioned. Among them, the compound having a (meth) acryloyl group has good thixotropy because it has good wettability with non-conductive heat conductive filler in addition to storage stability, curability and adhesiveness. This is particularly preferable because it exhibits wet spreadability after chip mounting. In addition, the compounds having different types of radically polymerizable functional groups may be used in combination as long as the object of the present invention can be achieved, or the compounds having radically polymerizable functional groups and the types of, for example, epoxy resins It is also possible to use different resins together. The compound (A) having a radical polymerizable functional group is preferably contained in the liquid resin composition in an amount of 15 to 45 wt%. Thereby, there exists an effect that the adhesive strength which can endure high temperature processes, such as reflow, can be achieved.
本発明で使用する(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物の一つである(メタ)アクリロイル基を有する化合物の具体的な例としては、例えば2−(メタ)アクリロイロキシエチルコハク酸、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルコハク酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルメチルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルメチルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイルキシエチルフタル酸、2−(メタ)アクリロイルキシプロピルフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルテトラヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルテトラヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルメチルテトラヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシプロピルメチルテトラヒドロフタル酸、2−ヒドロキシ1,3ジ(メタ)アクリロキシプロパン、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイロキシプロピル(メタ)アクリレート、1,4―シクロヘキサンジメタノールモノ(メタ)アクリレート、エチル−α−(ヒドロキシメチル)(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、ターシャルブチル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート、ベヘニル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、その他のアルキル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジンクモノ(メタ)アクリレート、ジンクジ(メタ)アクリレート、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフロロプロピル(メタ)アクリレート、2,2,3,3,4,4−ヘキサフロロブチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノ(メタ)アクリレート、N,N’−メチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,2−ジ(メタ)アクリルアミドエチレングリコール、ジ(メタ)アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、2−(メタ)アクリロイロキシエチル、N−(メタ)アクリロイロキシエチルマレイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルフタルイミド、N−ビニル−2−ピロリドン、エトキシ化ビスフェノールA(メタ)アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールA(メタ)アクリレート、スチレン誘導体、α−メチルスチレン誘導体などが挙げられるが特に限定しない。また、これらの(メタ)アクリロイル基を有する化合物は、硬化性、作業性、接着性、信頼性等の点より2種類以上を併用してもかまわない。
Specific examples of the compound having a (meth) acryloyl group, which is one of the compounds having a radical polymerizable functional group (A) used in the present invention, include, for example, 2- (meth) acryloyloxyethyl succinic acid 2- (meth) acryloyloxypropyl succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxypropyl hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl Methylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxypropyl methylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylphthalic acid, 2- (meth) acryloyloxypropylphthalic acid, 2- (meth) acryloyl Roxyethyl tetrahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxypropyl tetrahydrophthal 2- (meth) acryloyloxyethylmethyltetrahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxypropylmethyltetrahydrophthalic acid, 2-
本発明で使用する(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物の一つである(メタ)アリル基を有する化合物の具体的な例としては、例えばジアリルフタレート、ジアリルテレフタレート、ジアリルイソフタレート、トリアリルトリメリート、ジアリルマレート、アリルメタクリレート、アリルアセトアセタートなどの他に、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、5−ノルボルネン−endo−2,3−ジカルボン酸、1,4−ジシクロジカルボン酸、アジピン酸等のジカルボン酸やそのメチルエステル誘導体と炭素数2〜8であるアルキレンジオールにより合成されたポリエステルの末端にアリルアルコールをエステル化により付加した両末端アリルエステル系化合物などが挙げられるが特に限定しない。また、これらの(メタ)アリル基を有する化合物は、硬化性、作業性、接着性、信頼性等の点より2種類以上を併用してもかまわない。 Specific examples of the compound having a (meth) allyl group, which is one of the compounds having a radical polymerizable functional group (A) used in the present invention, include, for example, diallyl phthalate, diallyl terephthalate, diallyl isophthalate, In addition to allyl trimellitate, diallyl malate, allyl methacrylate, allyl acetoacetate, etc., terephthalic acid, isophthalic acid, phthalic acid, 5-norbornene-endo-2,3-dicarboxylic acid, 1,4-dicyclodicarboxylic acid In particular, there may be mentioned all-terminal allyl ester compounds in which allyl alcohol is added by esterification to the end of a polyester synthesized from a dicarboxylic acid such as adipic acid or a methyl ester derivative thereof and an alkylene diol having 2 to 8 carbon atoms. Not limited. These compounds having a (meth) allyl group may be used in combination of two or more from the viewpoints of curability, workability, adhesiveness, reliability, and the like.
本発明で使用する(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物の一つであるビニル基を有する化合物の具体的な例としては、例えば1,3−ブタジエン、p−メチルスチレン、スチレン、p−クロロスチレン、アクリロニトリルなどが挙げられるが特に限定しない。また、これらのビニル基を有する化合物は、硬化性、作業性、接着性、信頼性等の点より2種類以上を併用してもかまわない。 Specific examples of the compound having a vinyl group which is one of the radically polymerizable functional groups (A) used in the present invention include, for example, 1,3-butadiene, p-methylstyrene, styrene, p -Although chlorostyrene, acrylonitrile, etc. are mentioned, it does not specifically limit. These compounds having a vinyl group may be used in combination of two or more from the viewpoints of curability, workability, adhesiveness, reliability, and the like.
本発明で使用する(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物の一つであるマレイミド基を有する化合物の具体的な例としては、例えば1,2−ビス(マレイミド)エタン、1,6−ビスマレイミドヘキサン、4,4’−ビスマレイミドジフェニルメタン、6,7−メチレンジオキシ−4−メチルー3−マレイミドクマリン、ビス(3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン、N,N’−1,3−フェニレンジマレイミド、N,N’−1,4−フェニレンジマレイミド、N−(1−フェニル)マレイミド、N−(2,4,6−トリクロロフェニル)マレイミド、N−(4−アミノフェニル)マレイミド、N−(4−ニトロフェニル)マレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−ブロモメチル−2,3−ジクロロマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−メチルマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−スクシンイミジル3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル3−マレイミドプロピレート、N−スクシンイミジル3−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル3−マレイミドヘキサノアート、N−[4−(2−ベンズイミドリル)フェニル]マレイミド、炭酸9−フルオレニルメチルN−スクシンイミジル、炭酸2−ブロモベンジルスクシンイミジル 、3,3’−ジチオジプロピオン酸ジ(N−スクシンイミジル)、炭酸ジ(N−スクシンイミジル)、N,N,N’,N’−テトラメチル−O−(N−スクシンイミジル)ウロニウムテトラフルオロボラート、N−(1,2,2,2−テトラクロロエトキシカルボニルオキシ)こはく酸イミド、N−(2−クロロカルボベンゾキシオキシ)こはく酸イミド、N−(tert−ブトキシカルボニル)−O−ベンジル−L−セリンN−スクシンイミジル、N−アミノこはく酸イミド塩酸塩、N−ブロモこはく酸イミド、N−カルボベンゾキシオキシこはく酸イミド、N−クロロこはく酸イミド、N−エチルこはく酸イミド、N−ヒドロキシこはく酸イミド、N−ユードこはく酸イミド、N−フェニルこはく酸イミド、N−サクシニミジル6−(2,4−ジニトロアニリノ)ヘキサノエート、N−サクシニミジル6−マレイミドヘキサノアートなどが挙げられるが、好ましくは1分子中に2つのマレイミド環をもつビスマレイミドが硬化という観点からは好ましい。その2つのマレイミド環を脂肪族や芳香族の炭化水素やそれらの炭化水素からなるアルキレン基をエーテルやエステルなどを介し結合していても構わない。また、これらのマレイミド基を有する化合物は、硬化性、作業性、接着性、信頼性等の点より2種類以上を併用してもかまわない。 Specific examples of the compound having a maleimide group which is one of the radically polymerizable functional groups (A) used in the present invention include, for example, 1,2-bis (maleimido) ethane, 1,6- Bismaleimide hexane, 4,4′-bismaleimide diphenylmethane, 6,7-methylenedioxy-4-methyl-3-maleimidocoumarin, bis (3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane, N, N ′ -1,3-phenylene dimaleimide, N, N′-1,4-phenylene dimaleimide, N- (1-phenyl) maleimide, N- (2,4,6-trichlorophenyl) maleimide, N- (4- Aminophenyl) maleimide, N- (4-nitrophenyl) maleimide, N-benzylmaleimide, N-bromomethyl-2,3-dichloromaleimi N-cyclohexylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-methylmaleimide, N-phenylmaleimide, N-succinimidyl 3-maleimidobenzoate, N-succinimidyl 3-maleimide propyrate, N-succinimidyl 3-maleimide butyrate, N-succinimidyl 3-maleimidohexanoate, N- [4- (2-benzimidyl) phenyl] maleimide, 9-fluorenylmethyl carbonate N-succinimidyl, 2-bromobenzylsuccinimidyl carbonate, 3,3′-dithio Dipropionate di (N-succinimidyl), di (N-succinimidyl) carbonate, N, N, N ′, N′-tetramethyl-O- (N-succinimidyl) uronium tetrafluoroborate, N- (1, 2,2,2-tetrachloroethoxyca Rubonyloxy) succinimide, N- (2-chlorocarbobenzoxyoxy) succinimide, N- (tert-butoxycarbonyl) -O-benzyl-L-serine N-succinimidyl, N-aminosuccinimide hydrochloride N-bromosuccinimide, N-carbobenzoxyoxysuccinimide, N-chlorosuccinimide, N-ethylsuccinimide, N-hydroxysuccinimide, N-eusuccinimide, N-phenylsuccinimide Acid imide, N-succinimidyl 6- (2,4-dinitroanilino) hexanoate, N-succinimidyl 6-maleimide hexanoate, and the like. Preferably, bismaleimide having two maleimide rings in one molecule is cured. Is preferable. The two maleimide rings may be bonded via aliphatic or aromatic hydrocarbons or alkylene groups comprising these hydrocarbons via ethers or esters. Two or more of these maleimide group-containing compounds may be used in combination from the viewpoints of curability, workability, adhesiveness, reliability, and the like.
本発明に係る液状樹脂組成物は、絶縁性や熱伝導性において良好な特性を示すことができるという観点から、(B)非導電性の熱伝導性フィラー(以下、(B)成分ともいう)を含有する。ここでいう非導電性の熱伝導性フィラーとは、体積固有抵抗が1×1012Ω・cm以上であり、かつ熱伝導率が20W/m・K以上のフィラーを指し、特にセラミックス粉末が好ましい。このようなフィラーとしては、例えばアルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどが挙げられ、これらは単独または2種類以上を混合して用いることもできる。 From the viewpoint that the liquid resin composition according to the present invention can exhibit good characteristics in insulation and thermal conductivity, (B) non-conductive thermal conductive filler (hereinafter also referred to as (B) component). Containing. The non-conductive heat conductive filler here refers to a filler having a volume resistivity of 1 × 10 12 Ω · cm or more and a thermal conductivity of 20 W / m · K or more, and ceramic powder is particularly preferable. . Examples of such fillers include alumina, magnesia, boron nitride, and aluminum nitride, and these can be used alone or in admixture of two or more.
本発明で使用する(B)非導電性の熱伝導性フィラーの比表面積は、5m2/g以上9m2/g以下であることが好ましく、6m2/g以上8m2/g以下であることがより好ましい。これは比表面積がこれより小さい場合には液状樹脂組成物の粘度、チキソ比が低くなりすぎ、ディスペンス時にタレの問題が生じるからで、これより大きい場合には、添加量が多いと粘度、チキソ比が高くなりすぎてディスペンスに不具合が生じ、添加量が少ないと熱伝導率が悪くなるためである。なお、(B)成分の比表面積の測定方法としては、ごく一般的な気体吸着BET法により求めることができる。 The specific surface area of the (B) non-conductive thermally conductive filler used in the present invention is preferably 5 m 2 / g or more and 9 m 2 / g or less, and 6 m 2 / g or more and 8 m 2 / g or less. Is more preferable. This is because when the specific surface area is smaller than this, the viscosity and thixo ratio of the liquid resin composition become too low, and a problem of dripping occurs at the time of dispensing. This is because the ratio becomes too high, causing problems in dispensing, and if the addition amount is small, the thermal conductivity is deteriorated. In addition, as a measuring method of the specific surface area of (B) component, it can obtain | require by the very general gas adsorption BET method.
本発明で使用する(B)非導電性の熱伝導性フィラーの含有量は、35vol%以上50vol%以下であることが好ましく、37vol%以上47vol%であることがより好ましい。これは含有量がこれより小さい場合には熱伝導性フィラーを添加した効果が薄くなり、良好な熱伝導率を有する硬化物を得ることができず、これより大きい場合には、液状樹脂組成物の粘度、チキソ比が高くなりすぎ、良好なディスペンス性を得ることができないためである。 The content of the (B) non-conductive thermally conductive filler used in the present invention is preferably 35 vol% or more and 50 vol% or less, and more preferably 37 vol% or more and 47 vol%. If the content is smaller than this, the effect of adding the heat conductive filler is reduced, and a cured product having good thermal conductivity cannot be obtained. This is because the viscosity and the thixo ratio are too high, and good dispensing properties cannot be obtained.
本発明に係る液状樹脂組成物は、塗布作業性を向上させるために、特にタレ性や糸引き性に対して優れた効果を示す(C)チキソ性付与剤(以下、(C)成分ともいう)を含有することができる。ここでいうチキソ性付与剤とは、比表面積の大きなナノサイズの微粒子であり、樹脂の極性によって表面状態の異なる好適なチキソ性付与剤を用いることができる。比表面積が大きいほうがより効果的にチキソ性を付与することができ、特に、35m2/g以上の比表面積を有するチキソ性付与剤が好ましい。液状樹脂組成物のチキソ性付与に寄与するものであれば、材質は特に限定されないが、例えば、シリカのチキソ性付与剤等が挙げられる。 The liquid resin composition according to the present invention is a (C) thixotropic agent (hereinafter also referred to as (C) component) that exhibits an excellent effect on sagging properties and stringiness in order to improve the coating workability. ) Can be contained. The thixotropic agent referred to here is nano-sized fine particles having a large specific surface area, and a suitable thixotropic agent having a different surface state depending on the polarity of the resin can be used. A larger specific surface area can more effectively impart thixotropy, and a thixotropic agent having a specific surface area of 35 m 2 / g or more is particularly preferable. The material is not particularly limited as long as it contributes to imparting thixotropy to the liquid resin composition, and examples thereof include silica thixotropic agent.
本発明で使用する(C)チキソ性付与剤の含有量は、1wt%以下とし、望ましくは含有しないことである。これは、粒子径の小さいチキソ性付与剤を用いた場合には熱伝導性フィラー同士の間に分散し、熱伝導の阻害を引き起こすためで、1wt%より多くなると顕著に熱伝導率の低下が確認されるからである。 The content of the (C) thixotropic agent used in the present invention is 1 wt% or less, preferably not contained. This is because when a thixotropic agent having a small particle diameter is used, it is dispersed between the thermally conductive fillers and causes an inhibition of thermal conduction. When the amount exceeds 1 wt%, the thermal conductivity is remarkably lowered. This is because it is confirmed.
また、本発明の液状樹脂組成物は、低応力剤を含有することも可能である。低応力剤を使用することで液状樹脂組成物の硬化物に靭性や低応力性を付与することができ、これによって半導体素子と支持体との密着性が大幅に向上することになり剥離がより一層生じにくいものとなる。使用される低応力剤としては特に限定されないが、例えばポリイソプレン、ポリブタジエン、1,2−ポリブタジエン、スチレン−ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリ(オキシプロピレン)、ポリ(オキシテトラメチレン)グリコール、ポリオレフィングリコール、ポリ−ε−カプロラクトン、シリコーンゴム、ポリスルフィドゴム、フッ素ゴムなどが挙げられ、これらは単独または2種類以上を混合して用いることもできる。 Moreover, the liquid resin composition of this invention can also contain a low stress agent. By using a low-stress agent, it is possible to impart toughness and low-stress properties to the cured product of the liquid resin composition, thereby greatly improving the adhesion between the semiconductor element and the support, and more peeling. It becomes more difficult to occur. Although it does not specifically limit as a low stress agent to be used, For example, polyisoprene, polybutadiene, 1,2-polybutadiene, styrene-butadiene rubber, acrylonitrile-butadiene rubber, polychloroprene, poly (oxypropylene), poly (oxytetramethylene) Examples thereof include glycol, polyolefin glycol, poly-ε-caprolactone, silicone rubber, polysulfide rubber, and fluororubber, and these can be used alone or in combination of two or more.
前記低応力剤の配合量は、液状樹脂組成物中1重量%以上15重量%以下であることが好ましい。これは配合量がこれより小さい場合には目的とする靭性や低応力性を充分に付与することができず、これより大きい場合には液状樹脂組成物の粘度が高くなりすぎ作業性が悪化する原因となるためである。 The blending amount of the low stress agent is preferably 1% by weight or more and 15% by weight or less in the liquid resin composition. If the blending amount is smaller than this, the desired toughness and low stress cannot be sufficiently imparted, and if it is larger than this, the viscosity of the liquid resin composition becomes too high and the workability deteriorates. It is because it causes.
また、前記低応力剤は、他の樹脂との相溶性を高くする目的として、官能基を有している低応力剤を用いることがより好ましい。低応力剤が有する具体的な官能基としては、ビニル基、エポキシ基、カルボキシ基、水酸基または無水マレイン酸基などが挙げられる。これらの官能基の中でも、相溶性が高くなり、塗布作業性に優れた液状樹脂組成物が得られる点で無水マレイン酸基を有する低応力剤を使用することがより好ましい。 The low stress agent is more preferably a low stress agent having a functional group for the purpose of enhancing compatibility with other resins. Specific functional groups possessed by the low stress agent include vinyl groups, epoxy groups, carboxy groups, hydroxyl groups, or maleic anhydride groups. Among these functional groups, it is more preferable to use a low-stress agent having a maleic anhydride group in terms of obtaining a liquid resin composition having high compatibility and excellent coating workability.
本発明の液状樹脂組成物は、(D)(メタ)アクリル重合体または共重合体(以下、(D)成分ともいう)を含有することも可能である。(メタ)アクリル重合体または共重合体を含有することで液状樹脂組成物の硬化物に低応力性と高接着性を付与することができ、これによって高温下において低弾性率かつ高密着力を示すようになり、剥離がより一層生じにくくなる。(D)(メタ)アクリル重合体または共重合体の分子量としては、1000以上20000以下の重量平均分子量であることが好ましく、2000以上15000以下の重量平均分子量であることがより好ましい。分子量がこれよりも小さい場合には、目的とする低応力性を得ることができず、これより大きい場合には塗布作業性が悪化する原因となるためである。 The liquid resin composition of the present invention can also contain (D) (meth) acrylic polymer or copolymer (hereinafter also referred to as (D) component). By containing the (meth) acrylic polymer or copolymer, the cured product of the liquid resin composition can be imparted with low stress and high adhesion, thereby exhibiting low elastic modulus and high adhesion at high temperatures. As a result, peeling becomes even less likely to occur. (D) The molecular weight of the (meth) acrylic polymer or copolymer is preferably a weight average molecular weight of 1000 or more and 20000 or less, and more preferably 2000 or more and 15000 or less. This is because if the molecular weight is smaller than this, the desired low stress property cannot be obtained, and if it is larger than this, the coating workability is deteriorated.
また、前記(D)(メタ)アクリル重合体または共重合体は、より凝集力に優れた硬化物が得られるという観点から反応性官能基を有していることが好ましい。具体的な反応性官能基としては、ビニル基、(メタ)アリル基、(メタ)アクリロイル基、マレイミド基、エポキシ基、カルボキシ基、または水酸基などが挙げられるが、保存性および反応性の観点から、特に(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、または水酸基を有することが好ましい。 Moreover, it is preferable that the (D) (meth) acrylic polymer or copolymer has a reactive functional group from the viewpoint of obtaining a cured product having more excellent cohesive strength. Specific reactive functional groups include vinyl groups, (meth) allyl groups, (meth) acryloyl groups, maleimide groups, epoxy groups, carboxy groups, or hydroxyl groups, but from the viewpoint of storage stability and reactivity. In particular, it preferably has a (meth) acryloyl group, an epoxy group, or a hydroxyl group.
本発明は、(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物を含有しているため、重合反応を開始させる目的で重合開始剤を一緒に用いることが可能である。重合開始剤としては熱ラジカル重合開始剤が好ましく用いられるが、これは本発明の液状樹脂組成物は通常蛍光灯などの照明下で使用されるため光重合開始剤が含まれていると使用中に反応が進行し粘度上昇が生じるからである。このため、光重合開始剤は実質的に粘度上昇が観察されない程度で微量に存在してもよいが、好ましくは含有しないことである。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定されないが、望ましいものとしては、急速加熱試験(試料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温した時の分解開始温度)における分解温度が40〜140℃となるものが好ましい。分解温度が40℃未満だと、液状樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、140℃を越えると硬化時間が極端に長くなるため好ましくない。これを満たす熱ラジカル重合開始剤の具体的な例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロドデカン、n−ブチル4,4−ビス(t−ブチルパーオキシ)バレレート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、t−ブチルハイドロパーオキサイド、P−メンタンハイドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、α、α’−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、イソブチリルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、m−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ−3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−2−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−sec−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル)パーオキシジカーボネート、ジ(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス(ネオデカノイルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、1,1,3,3,−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルへキサノエート、1−シクロヘキシル−1−メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレイックアシッド、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどが挙げられるが、これらは単独あるいは硬化性を制御するために2種類以上を併用して用いることもできる。重合開始剤の好ましい配合量は液状樹脂組成物中に0.02重量%以上5重量%以下であり、より好ましくは0.05重量%以上2重量%以下である。 Since the present invention contains (A) a compound having a radical polymerizable functional group, a polymerization initiator can be used together for the purpose of initiating a polymerization reaction. As the polymerization initiator, a thermal radical polymerization initiator is preferably used. However, since the liquid resin composition of the present invention is usually used under illumination such as a fluorescent lamp, it is in use when a photopolymerization initiator is contained. This is because the reaction proceeds to increase the viscosity. For this reason, the photopolymerization initiator may be present in a trace amount to such an extent that no increase in viscosity is observed, but it is preferably not contained. Although it is not particularly limited as long as it is usually used as a thermal radical polymerization initiator, a desirable one is a rapid heating test (decomposition start temperature when a sample is placed on an electric heating plate and heated at 4 ° C./min. In which the decomposition temperature is 40 to 140 ° C. If the decomposition temperature is less than 40 ° C., the storage stability of the liquid resin composition at normal temperature is deteriorated, and if it exceeds 140 ° C., the curing time becomes extremely long. Specific examples of the thermal radical polymerization initiator satisfying this include methyl ethyl ketone peroxide, methylcyclohexanone peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3 , 5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butyl Peroxy) cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, n-butyl 4,4-bis ( t-Butylperoxy) valerate, 2,2-bis (t-butylperoxy) ) Butane, 1,1-bis (t-butylperoxy) -2-methylcyclohexane, t-butyl hydroperoxide, P-menthane hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexane, α, α'-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, t- Butyl cumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3, isobutyryl peroxide, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide Oxide, octanoyl peroxide, lauroyl peroxide, cinnamic acid peroxide M-toluoyl peroxide, benzoyl peroxide, diisopropyl peroxydicarbonate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, di-3-methoxybutylperoxydicarbonate, di-2-ethylhexylperoxide Oxydicarbonate, di-sec-butylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutyl) peroxydicarbonate, di (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, α, α′-bis (Neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxyneodecanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecano Eate, t-hexylpa Oxyneodecanoate, t-butylperoxyneodecanoate, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylper Oxy) hexane, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy-2- Ethyl hexanoate, t-butyl peroxy-2-ethyl hexanoate, t-butyl peroxyisobutyrate, t-butyl peroxymaleic acid, t-butyl peroxylaurate, t-butyl peroxy- 3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate t-butylperoxy-2-ethylhexyl monocarbonate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, t-hexylperoxybenzoate, t-butylperoxy- m-toluoylbenzoate, t-butylperoxybenzoate, bis (t-butylperoxy) isophthalate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxy Carbonyl) benzophenone and the like can be mentioned, but these can be used alone or in combination of two or more in order to control curability. A preferable blending amount of the polymerization initiator is 0.02 wt% or more and 5 wt% or less in the liquid resin composition, and more preferably 0.05 wt% or more and 2 wt% or less.
さらに、本発明の液状樹脂組成物はカップリング剤、消泡剤、界面活性剤などの添加剤を使用することも可能である。本発明の液状樹脂組成物は、例えば、各成分を予備混合した後3本ロールを用いて混練し、その後真空下脱泡することにより製造することができる。 Furthermore, the liquid resin composition of the present invention can use additives such as a coupling agent, an antifoaming agent, and a surfactant. The liquid resin composition of the present invention can be produced, for example, by premixing each component, kneading using a three roll, and then degassing under vacuum.
本発明の半導体装置の一実施形態について、図1に基づいて説明する。
図1の半導体装置10おいて、本発明の液状樹脂組成物は接着層1として用いられる。本実施の形態において、ダイパット2は、特に限定されないが、リードフレーム、他の半導体素子、回路基板を含む実装基板、半導体ウエハ等の各種基材を用いることができる。この中でも、接着層1の放熱機能を発揮することが可能となるため、リードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板が好ましい。
また、半導体素子3は、パッド7及びボンディングワイヤ6を介して、リード4に電気的に接続している。また、半導体素子3は、その周囲が封止材層5により封止されている。
An embodiment of a semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIG.
In the
The semiconductor element 3 is electrically connected to the lead 4 via the pad 7 and the bonding wire 6. Further, the periphery of the semiconductor element 3 is sealed with a sealing
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
[実施例1]
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてプロポキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPP−3、以下(A)成分1)、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル1、6HX、以下(A)成分2)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA、以下(A)成分3)、(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積7.5m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−502)、(C)チキソ性付与剤として一次粒子平均径12nmのシリル化シリカ(日本アエロジル(株)製、AEROSIL R805、以下(C)成分)、低応力剤としてポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(Satomer社製、Ricobond1731、数平均分子量5400、酸無水物当量583、以下低応力剤)、(メタ)アクリル(共)重合体としてグリシジル基を有するアクリル共重合体(東亞合成(株)製、ARUFON(アルフォン)UG−4035、重量平均分子量11000、エポキシ当量556、以下(D)成分)、添加剤としてメタクリル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−503P、以下カップリング剤1)、グリシジル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E、以下カップリング剤2)、重合開始剤としてジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD、以下重合開始剤)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し脱泡することで液状樹脂組成物を得た後、以下の評価方法にて評価を行った結果を表1に示す。なお配合割合は重量%である。
[Example 1]
(A) As a compound having a radical polymerizable functional group, propoxylated bisphenol A diacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., NK ester A-BPP-3, hereinafter (A) component 1), 1,6-hexanediol Dimethacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., light ester 1, 6HX, hereinafter (A) component 2), 1,4-cyclohexanedimethanol monoacrylate (manufactured by Nippon Kasei Chemical Co., Ltd., CHDMMA, hereinafter, component (A) 3 ), (B) Alumina particles having a specific surface area of 7.5 m 2 / g as non-conductive heat conductive filler (manufactured by Admatechs Co., Ltd., AO-502), (C) primary particle average diameter as thixotropic agent 12 nm silylated silica (manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., AEROSIL R805, hereinafter (C) component), polybutadiene and anhydrous male as low stress agent Maleic anhydride-modified polybutadiene obtained by reaction with acid (Satomer, Ricobond 1731, number average molecular weight 5400, acid anhydride equivalent 583, hereinafter low stress agent), glycidyl group as (meth) acrylic (co) polymer Acrylic copolymer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., ARUFON UG-4035, weight average molecular weight 11000, epoxy equivalent 556, component (D) below), silane coupling agent having methacrylic group as additive (Shin-Etsu) Chemical Industry Co., Ltd., KBM-503P, coupling agent 1), glycidyl group-containing silane coupling agent (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403E, coupling agent 2), polymerization initiator Dicumyl peroxide (Nippon Yushi Co., Ltd., Park Mill D, hereinafter polymerization) (Initiator) is blended as shown in Table 1, and after obtaining a liquid resin composition by kneading and defoaming using three rolls, the results of evaluation by the following evaluation methods are shown in Table 1. . The blending ratio is% by weight.
[実施例2〜5]
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお実施例4では(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積6m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−802)を用いた。
[Examples 2 to 5]
Evaluation was performed after blending at the ratio shown in Table 1 and obtaining a liquid resin composition in the same manner as in Example 1.
In Example 4, alumina particles (AO-802, manufactured by Admatechs Co., Ltd.) having a specific surface area of 6 m 2 / g were used as the (B) non-conductive heat conductive filler.
[比較例1〜7]
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお比較例4では(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積1.5m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−509)、比較例5では非導電性の熱伝導性フィラー(B)として比表面積0.6m2/gのアルミナ粒子(新日鉄マテリアルズ(株)マイクロン社製、AX3−15R)を用いた。
[Comparative Examples 1 to 7]
Evaluation was performed after blending at the ratio shown in Table 1 and obtaining a liquid resin composition in the same manner as in Example 1.
In Comparative Example 4, (B) alumina particles having a specific surface area of 1.5 m 2 / g (AO-509, manufactured by Admatechs Co., Ltd.) as a non-conductive heat conductive filler, and in Comparative Example 5, non-conductive heat As the conductive filler (B), alumina particles having a specific surface area of 0.6 m 2 / g (manufactured by Nippon Steel Materials Co., Ltd., Micron Corporation, AX3-15R) were used.
(評価方法)
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製直後に測定した。粘度の値が20±10Pa・Sのものを合格とした。粘度の単位はPa・Sである。
・タレ性:打点試験機(武蔵エンジニアリング(株)製、SHOTMASTER−300)にて21Gシングルノズル(内径0.57mm)を用いて塗布中に一旦停止した後、そのままの状態で1時間放置し、ニードルの先からペーストがたれるかどうか目視で確認した。
(Evaluation method)
-Viscosity: The value in 25 degreeC and 2.5 rpm was measured immediately after resin composition preparation using the E-type viscosity meter (3 degree cone). A viscosity value of 20 ± 10 Pa · S was accepted. The unit of viscosity is Pa · S.
Sagging property: After stopping once during coating using a 21G single nozzle (inner diameter 0.57 mm) with a spot tester (Musashi Engineering Co., Ltd., SHOTMASTER-300), it is left as it is for 1 hour, It was visually confirmed whether the paste was dripping from the tip of the needle.
・熱拡散率:表1に示す液状樹脂組成物に平均粒径20μmのスペーサー(積水化学工業(株)製、ミクロパールSP−220)を微量混合し、サイズの異なる2種類のシリコンチップ(7×7mm、厚み0.35mmと5×5mm、厚み0.35mm)を用いて三層構造の試験片を作製した。(硬化条件は175℃4時間。ただし175℃までは室温から30分間かけて昇温した。)得られた三層構造の試験片(チップ−硬化物−チップ)をレーザーフラッシュ法(t1/2法)にて熱拡散率を測定した。0.1cm2/sec以上の場合を合格とした。熱拡散率の単位はcm2/secである。 Thermal diffusivity: A liquid resin composition shown in Table 1 is mixed with a small amount of a spacer having an average particle diameter of 20 μm (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., Micropearl SP-220), and two types of silicon chips (7 A test piece having a three-layer structure was manufactured using 7 × 7 mm, 0.35 mm thickness, 5 × 5 mm, and 0.35 mm thickness. (Curing conditions were 175 ° C. for 4 hours. However, the temperature was increased from room temperature to 30 minutes over 175 ° C. over 30 minutes.) The obtained three-layered test piece (chip-cured product-chip) was laser-flashed (t1 / 2 The thermal diffusivity was measured by the method. The case of 0.1 cm 2 / sec or more was regarded as acceptable. The unit of thermal diffusivity is cm 2 / sec.
本発明により得られる液状樹脂組成物を用いると、作業性に優れているためダイボンディングの工程で不具合を起こすことなく、さらに熱伝導性が良好なため熱放散性に優れた高い信頼性を持つ半導体装置を得ることができる。 When the liquid resin composition obtained by the present invention is used, the workability is excellent, so there is no problem in the die bonding process, and the heat conductivity is good, so the heat dissipation is excellent and the reliability is high. A semiconductor device can be obtained.
1 接着層
2 ダイパッド
3 半導体素子
4 リード
5 封止材層
6 ボンディングワイヤ
7 パッド
10 半導体装置
1 Adhesive layer
2 Die Pad 3 Semiconductor Element 4
Claims (8)
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラー
(C)チキソ性付与剤を含有し、
前記(B)の比表面積が5〜9m2/g、
前記(B)の含有量が35〜50vol%、
さらに(C)の含有量が1wt%以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 A liquid resin composition for bonding a substrate and a semiconductor element,
(A) a compound having a radical polymerizable functional group (B) a non-conductive heat conductive filler (C) a thixotropic agent,
The specific surface area of (B) is 5-9 m 2 / g,
The content of (B) is 35-50 vol%,
Furthermore, content of (C) is 1 wt% or less, The liquid resin composition characterized by the above-mentioned.
A semiconductor device manufactured using the liquid resin composition according to any one of claims 1 to 7 as a die attach material or a heat dissipation member bonding material.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016159175A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 積水化成品工業株式会社 | Polymer particles, method for producing polymer particles, and use of same |
WO2017018459A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition, cured article, semiconductor device, and production method for same |
WO2017078087A1 (en) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition and structure |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09302313A (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Metallic foil with adhesive, bonding sheet and multilayered wiring board |
JP2004018715A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
JP2006111644A (en) * | 2002-05-02 | 2006-04-27 | Three M Innovative Properties Co | Composition for forming acrylic thermally conductive composition, thermally conductive sheet and its manufacturing method |
JP2009202567A (en) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Techno Polymer Co Ltd | Manufacturing method of composite comprising resin-made member and metallic member, substrate for mounting led and reflector for mounting led |
JP2010047696A (en) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced using resin composition |
JP2010202687A (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition, and semiconductor device produced by using the same |
JP2011037986A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Taiyo Holdings Co Ltd | Light-curable paste and cured product of the same |
WO2011065252A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 電気化学工業株式会社 | Adhesive sheet and electronic component |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011166129A patent/JP5909911B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09302313A (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-25 | Hitachi Chem Co Ltd | Metallic foil with adhesive, bonding sheet and multilayered wiring board |
JP2006111644A (en) * | 2002-05-02 | 2006-04-27 | Three M Innovative Properties Co | Composition for forming acrylic thermally conductive composition, thermally conductive sheet and its manufacturing method |
JP2004018715A (en) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Resin paste composition and semiconductor device using the same |
JP2009202567A (en) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Techno Polymer Co Ltd | Manufacturing method of composite comprising resin-made member and metallic member, substrate for mounting led and reflector for mounting led |
JP2010047696A (en) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced using resin composition |
JP2010202687A (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition, and semiconductor device produced by using the same |
JP2011037986A (en) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Taiyo Holdings Co Ltd | Light-curable paste and cured product of the same |
WO2011065252A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 電気化学工業株式会社 | Adhesive sheet and electronic component |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016159175A1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 積水化成品工業株式会社 | Polymer particles, method for producing polymer particles, and use of same |
CN107406547A (en) * | 2015-03-31 | 2017-11-28 | 积水化成品工业株式会社 | The manufacture method and application thereof of polymer particle, polymer particle |
JPWO2016159175A1 (en) * | 2015-03-31 | 2018-01-25 | 積水化成品工業株式会社 | POLYMER PARTICLE, METHOD FOR PRODUCING POLYMER PARTICLE, AND USE THEREOF |
WO2017018459A1 (en) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition, cured article, semiconductor device, and production method for same |
CN107849417A (en) * | 2015-07-29 | 2018-03-27 | 日立化成株式会社 | Adhesive composite, solidfied material, semiconductor device and its manufacture method |
JPWO2017018459A1 (en) * | 2015-07-29 | 2018-06-07 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition, cured product, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10947326B2 (en) | 2015-07-29 | 2021-03-16 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Adhesive composition, cured article, semiconductor device, and production method for same |
WO2017078087A1 (en) * | 2015-11-04 | 2017-05-11 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition and structure |
JPWO2017078087A1 (en) * | 2015-11-04 | 2018-09-06 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition and structure |
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Publication number | Publication date |
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