JP2013026342A - 窒化物半導体装置 - Google Patents

窒化物半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013026342A
JP2013026342A JP2011158160A JP2011158160A JP2013026342A JP 2013026342 A JP2013026342 A JP 2013026342A JP 2011158160 A JP2011158160 A JP 2011158160A JP 2011158160 A JP2011158160 A JP 2011158160A JP 2013026342 A JP2013026342 A JP 2013026342A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
nitride
semiconductor device
nitride semiconductor
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011158160A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Machida
修 町田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP2011158160A priority Critical patent/JP2013026342A/ja
Priority to CN2012102475330A priority patent/CN102891126A/zh
Publication of JP2013026342A publication Critical patent/JP2013026342A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13064—High Electron Mobility Transistor [HEMT, HFET [heterostructure FET], MODFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】リードフレーム上に搭載された窒化物ＦＥＴを備えスイッチング特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物ＦＥＴと、複数のリードを含むリードフレームと、を備え、前記窒化物ＦＥＴは少なくとも第１の主電極と第２の主電極と制御電極とを有し、前記リードフレームは、前記第１の主電極に接続される第１のリードと、前記第２の主電極に接続される第２のリード及び第３のリードと、前記制御電極に接続される第４のリードと、を有し、前記窒化物ＦＥＴは、前記第３のリードと前記第４のリードとの間に印加される電圧に応じて前記第１のリードと前記第２のリードとの間に電流を流すことを特徴とする窒化物半導体装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、窒化物ＦＥＴが複数のリードを含むリードフレーム上に搭載されてなる窒化物半導体装置に関する。
窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）等の窒化物半導体からなる電界効果トランジスタまたは双方向スイッチは、高周波用・高耐圧用の窒化物ＦＥＴ（Field Effect Transistor）として注目されている。一般的に窒化物ＦＥＴなどの半導体素子は、配線及び放熱板を兼ねるリードフレーム上に搭載された後にモールド樹脂により封止された形態で実用される。例えば、窒化物ＦＥＴを凸形状のリードフレーム上に配置することで、放熱性を改善できる窒化物半導体装置が知られる（特許文献１）。
特開２０１０−８０６３３号公報
ところで窒化物ＦＥＴは、非常に高速なスイッチング特性を有するデバイスであることが知られるが、特許文献１に記載される従来の窒化物半導体装置においては、スイッチング特性を引き出すための十分な検討がなされていなかった。
本発明は、リードフレーム上に搭載された窒化物ＦＥＴを備えスイッチング特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
本発明の一態様によれば、窒化物ＦＥＴと、複数のリードを含むリードフレームと、を備え、前記窒化物ＦＥＴは少なくとも第１の主電極と第２の主電極と制御電極とを有し、前記リードフレームは、前記第１の主電極に接続される第１のリードと、前記第２の主電極に接続される第２のリード及び第３のリードと、前記制御電極に接続される第４のリードと、を有し、前記窒化物ＦＥＴは、前記第３のリードと前記第４のリードとの間に印加される電圧に応じて前記第１のリードと前記第２のリードとの間に電流を流すことを特徴とする。
本発明によれば、リードフレーム上に搭載された窒化物ＦＥＴを備えスイッチング特性に優れた窒化物半導体装置を提供できる。
本発明の実施形態に係る窒化物半導体装置の構造を示す模式的な平面図である。 本発明の実施形態に係るスイッチング回路の構成を示す回路ブロック図である。
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
本発明の実施形態に係る窒化物半導体装置１０は、図１に示すように、窒化物ＦＥＴ１と、複数のリード２１を含むリードフレーム２と、を備える。窒化物ＦＥＴ１は少なくとも第１の主電極Ｄと第２の主電極Ｓと制御電極Ｇとを有し、リードフレーム２は、第１の主電極Ｄに接続される第１のリードＬＤと、第２の主電極Ｓに接続される第２のリードＬＳ１及び第３のリードＬＳ２と、制御電極Ｇに接続される第４のリードＬＧと、を有し、窒化物ＦＥＴ１は、第３のリードＬＳ２と第４のリードＬＧとの間に印加される電圧に応じて第１のリードＬＤと第２のリードＬＳ１との間に電流を流す。
窒化物ＦＥＴ（Field Effect
Transistor）１は、例えば周知のＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）からなる。すなわち、窒化物ＦＥＴはＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）で表わされる窒化物半導体層からなる活性領域１１を備え、活性領域１１の主面上に形成されたドレイン電極（第１の主電極）Ｄ、ソース電極（第２の主電極）Ｓ及びゲート電極（制御電極）Ｇを備える。活性領域１１は、Ｓｉからなる導電性基板上に緩衝層を介して配置される。ドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとは、活性領域１１上において互いに離間して配置されるとともに、平面的に見て、互いに入り組んだフィンガ型の電極構造を有する。ゲート電極Ｇは、ドレイン電極Ｄとソース電極Ｓとの間に配置され、上記フィンガ型の電極構造に合わせて折り返し構造を有する。また、窒化物ＦＥＴ１は、活性領域１１上に形成されたドレイン電極Ｄに電気的に接続されるドレインパッド１２、ソース電極Ｓに電気的に接続されるソースパッド１３及びゲート電極Ｇに電気的に接続されるゲートパッド１４を備える。なお、図示は省略するが、各電極並びにパッドが形成されない活性領域１１の主面と各電極の上面とは、絶縁物からなる保護膜により被覆される。
リードフレーム２は、破線で示すモールド樹脂内に封止されるインナーリード部２１と、インナーリード部２１に電気的に接続され且つモールド樹脂外部に露出するように延伸するアウターリード部２２と、を備える。またインナーリード部２１は、窒化物ＦＥＴ１が半田層を介して配置されるダイパッド部２３を備える。アウターリード部２２は、同一方向に延伸するドレインリードＬＤ、第１のソースリードＬＳ１、第２のソースリードＬＳ２及びゲートリードＬＧを有し、後述するように外部機器との接続端子及び放熱板として機能する。すなわち、窒化物半導体装置１０は窒化物ＦＥＴ１のソースが２つの個別なリード（ＬＳ１，ＬＳ２）に分割される。なお、ソースリードと同様にドレインリードを複数本設けることもできる。リードフレーム２の各部は、Ｃｕ等の導電性金属材料からなり、窒化物ＦＥＴ１とインナーリード部２１及びアウターリード部２２とはボンディングワイヤＢＷ等を介して電気的に接続される。第１のソースリードＬＳ１は、ダイパッド２３と機械的に一体化された構造を有する。各リードは、同一の幅・厚みに形成されても良く、互いに異なる幅・厚みに形成されても良い。本実施形態における窒化物半導体装置１０は、比較的幅広に形成されたドレインリードＬＤ及び第１のソースリードＬＳ１と比較的幅狭に形成された第２のソースリードＬＳ２及びゲートリードＬＧとを有する。また、図１に示すアウターリード部２２を構成する各リードは、全て同一方向（図１における下方向）に延伸するが、例えば上下方向のように互いに異なる方向に延伸するように配置されても良い。ボンディングワイヤＢＷは、Ｃｕ，Ａｌ又はＡｕ等の導電性金属材料からなり、平条形状を有するリボンワイヤにより置きかえられても良い。
本実施形態に係る窒化物半導体装置１０は、図２に示すようなスイッチング回路に利用される。本実施形態に係るスイッチング回路は、コイル（Ｌ負荷）に流れる電流を制御するリニアソレノイド駆動装置であり、直流電源３１とコイル３２と制御回路３３と窒化物半導体装置１０とから構成される。直流電源３１は、例えばバッテリであり、その正極は窒化物半導体装置１０のドレインリード（ドレイン端子）ＬＤと制御回路３３の電源端子３３１とに接続され、その負極は接地される。コイル３２の一端は窒化物半導体装置１０の第１のソースリード（第１のソース端子）ＬＳ１に接続され、他端は接地される。制御回路３３は、上述した電源端子と窒化物半導体装置１０のゲートリードＬＧに接続される端子３３２と第２のソースリードＬＳ２に接続される端子３３３と接地される端子とを少なくとも備える。また、制御回路３３はその外部機器（図示せず）から出力される信号に基づき、窒化物半導体装置１０の第２のソースリードＬＳ２とゲートリードＬＧとの間に、ソースリードＬＳ２の電位を基準とした電圧信号を出力し、窒化物半導体装置１０をオンオフ動作させる。窒化物半導体装置１０がオンすると、直流電源３１の正極→ドレインリードＬＤ→第１のソースリードＬＳ１→コイル３２という経路で電流が流れる。窒化物半導体装置１０がオフすると、ドレインリードＬＤと第１のソースリードＬＳ１との間の電流経路が遮断され、第１のソースリードＬＳ１の電位が上昇する。
上記の説明のように、図１に示した窒化物半導体装置１０は、電流経路用の第１のソースリードＬＳ１とゲートバイアス用の第２のソースリードＬＳ２とが個別のリードとして配置される。そのため、窒化物ＦＥＴ１をオンオフさせる際に電流経路における寄生インダクタンスの影響を受けにくく、窒化物ＦＥＴ１を高速に精度良くスイッチングすることができる。
また、第１のソースリードＬＳ１は、比較的幅広に形成されるため、電流経路における寄生インダクタンスを低減させることができるとともに、窒化物半導体装置１０の放熱性が改善される。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
１ 窒化物ＦＥＴ
２ リードフレーム
２１ インナーリード
２２ アウターリード
２３ ダイパッド
ＬＤ ドレインリード
ＬＳ１ 第１のソースリード
ＬＳ２ 第２のソースリード
ＬＧ ゲートリード

Claims (2)

  1. 窒化物ＦＥＴと、複数のリードを含むリードフレームと、を備え、
    前記窒化物ＦＥＴは少なくとも第１の主電極と第２の主電極と制御電極とを有し、
    前記リードフレームは、前記第１の主電極に接続される第１のリードと、前記第２の主電極に接続される第２のリード及び第３のリードと、前記制御電極に接続される第４のリードと、を有し、
    前記窒化物ＦＥＴは、前記第３のリードと前記第４のリードとの間に印加される電圧に応じて前記第１のリードと前記第２のリードとの間に電流を流すことを特徴とする窒化物半導体装置。
  2. 前記第２のリードは、前記第３のリード及び前記第４のリードよりも寄生インダクタンスが低くなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
JP2011158160A 2011-07-19 2011-07-19 窒化物半導体装置 Pending JP2013026342A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011158160A JP2013026342A (ja) 2011-07-19 2011-07-19 窒化物半導体装置
CN2012102475330A CN102891126A (zh) 2011-07-19 2012-07-17 氮化物半导体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011158160A JP2013026342A (ja) 2011-07-19 2011-07-19 窒化物半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013026342A true JP2013026342A (ja) 2013-02-04

Family

ID=47534589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011158160A Pending JP2013026342A (ja) 2011-07-19 2011-07-19 窒化物半導体装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2013026342A (ja)
CN (1) CN102891126A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11476197B2 (en) * 2019-06-11 2022-10-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US11955411B2 (en) 2019-01-18 2024-04-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072967A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社東芝 半導体素子、半導体装置、半導体素子の製造方法及び半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012602A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Nec Corp ボンディングワイヤ不良検出装置および検出方法
JP2004207563A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 負荷駆動装置
JP2006223016A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Renesas Technology Corp 電源システム、マルチチップモジュール、システムインパッケージ、および非絶縁型ｄｃ／ｄｃコンバータ
JP2006318282A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Ltd リニアソレノイド駆動回路
JP2008104348A (ja) * 2007-11-05 2008-05-01 Renesas Technology Corp 半導体装置および電源システム
JP2010002202A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology パラメータ抽出方法及び装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4115882B2 (ja) * 2003-05-14 2008-07-09 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP4810072B2 (ja) * 2004-06-15 2011-11-09 株式会社東芝 窒素化合物含有半導体装置
JP2008066553A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置
CN201017742Y (zh) * 2006-12-31 2008-02-06 江苏万工科技集团有限公司 用于喷气织机的电磁刹车控制电路
JP2011129875A (ja) * 2009-11-20 2011-06-30 Panasonic Corp 半導体装置及びそのリードフレーム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012602A (ja) * 1998-06-26 2000-01-14 Nec Corp ボンディングワイヤ不良検出装置および検出方法
JP2004207563A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 負荷駆動装置
JP2006223016A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Renesas Technology Corp 電源システム、マルチチップモジュール、システムインパッケージ、および非絶縁型ｄｃ／ｄｃコンバータ
JP2006318282A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Hitachi Ltd リニアソレノイド駆動回路
JP2008104348A (ja) * 2007-11-05 2008-05-01 Renesas Technology Corp 半導体装置および電源システム
JP2010002202A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology パラメータ抽出方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11955411B2 (en) 2019-01-18 2024-04-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US11476197B2 (en) * 2019-06-11 2022-10-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN102891126A (zh) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10607978B2 (en) Semiconductor device and electronic apparatus
US9583477B2 (en) Stacked half-bridge package
US9502388B2 (en) Switching element with a series-connected junction FET (JFET) and MOSFET achieving both improved withstand voltage and reduced on-resistance
US7884394B2 (en) III-nitride devices and circuits
JP5526179B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族トランジスタとｉｖ族横型トランジスタを含む積層複合デバイス
US9601418B2 (en) Stacked half-bridge package
US9443787B2 (en) Electronic component and method
US9899481B2 (en) Electronic component and switch circuit
JP5824135B2 (ja) 半導体装置
JP2013026342A (ja) 窒化物半導体装置
CN113826206A (zh) Iii-氮化物器件的集成设计
US20230081850A1 (en) Semiconductor device
CN109244057B (zh) 一种共源共栅级联结构的氮化镓器件
TWI844645B (zh) 用於三族氮化物元件的整合設計
WO2023145317A1 (ja) 半導体モジュールおよび半導体ユニット
JP2018195838A (ja) 半導体装置
JP2023041166A (ja) 半導体装置
JP2008177475A (ja) 電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140620

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150311

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150902

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160106