JP2013020954A5 - プラズマ・イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 - Google Patents

プラズマ・イオン源内において異なる処理ガスを迅速に切り替える方法および構造 Download PDF

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  1. プラズマを維持するプラズマ室と、
    前記プラズマ室にガスを供給するガス導管と、
    そこを通して前記プラズマ室からイオンが引き出されるアパーチャと、
    前記プラズマ室からのガス・コンダクタンスを選択的に増大させる弁であり、動作中は第1の位置に置かれており、前記プラズマ室からガスをより迅速に除去するために第2の位置に置かれる弁と
    を備えるプラズマ・イオン源。
  2. 前記弁が、前記源電極と同じ側の前記プラズマ室の端部に、開閉可能な開口を備える、請求項1に記載のプラズマ・イオン源。
  3. 前記弁が、変位可能な部材によって覆うことができる前記源電極の開口を備える、請求項2に記載のプラズマ・イオン源。
  4. 前記部材が、電場または磁場によって変位する、請求項3に記載のプラズマ・イオン源。
  5. 前記電場が、プラズマ電極電圧源または引出し電極電圧源によって供給された電圧によって提供される、請求項4に記載のプラズマ・イオン源。
  6. 前記弁が、前記ガス入口と同じ側の前記プラズマ室の端部に、開閉可能な開口を備える、請求項1に記載のプラズマ・イオン源。
  7. 前記弁が、第1の位置ではシールを形成し、第2の位置では前記プラズマ室内へガスを通過させる可動構造物を含む、請求項6に記載のプラズマ・イオン源。
  8. 前記プラズマ室に入るガスを調節する毛管をさらに備え、前記可動構造物が前記毛管を支持している、請求項7に記載のプラズマ・イオン源。
  9. 前記ガス入口の一部分が、前記プラズマ室をシールしまたは前記プラズマ室のシールを解除するように変位可能である、請求項6に記載のプラズマ・イオン源。
  10. ガス圧の差が、バイアス力に逆らい打ち勝って動作している間、前記可動構造物をシールされた位置に維持する、請求項6に記載のプラズマ・イオン源。
  11. 排気しているときに、前記弁を手動で移動させる必要なしに、前記バイアス力によって前記弁が開く、請求項10に記載のプラズマ・イオン源。
  12. ばねが前記バイアス力を提供する、請求項10または請求項11に記載のプラズマ・イオン源。
  13. 前記弁がラビリンス・シールを含む、請求項10から12のいずれかに記載のプラズマ・イオン源。
  14. 前記プラズマ室を排気しているときに、前記弁を自動的に開くバイアス手段をさらに備える、請求項1に記載のプラズマ・イオン源。
  15. プラズマ・イオン源システムから処理ガスを排出する方法であって、
    排気可能なプラズマ室、
    流量絞りを含むガス入口であり、前記プラズマ室にガスを供給するガス入口、
    そこを通して前記プラズマ室からイオンが引き出されるアパーチャ、および
    前記プラズマ室からの選択的な開閉式ガス通路であり、前記流量絞りおよび前記アパーチャ以外を通るガス通路
    を有するプラズマ・イオン源システムを提供するステップと、
    第1のガス源から前記プラズマ室内へ処理ガスを供給するステップと、
    前記プラズマ室内でプラズマに点火するステップと、
    源電極の前記アパーチャを通して前記プラズマ室からイオンを引き出すステップと、
    前記プラズマ室内の前記プラズマを消火するステップと、
    前記開閉式ガス通路を開くステップと、
    前記開閉式通路を通して前記プラズマから前記ガスをポンピングするステップと
    を含む方法。
  16. 前記開閉式通路を通して前記プラズマ室をポンピングする前記ステップの後に、
    前記開閉式通路を閉じるステップと、
    流量絞りを含む前記ガス入口を通して前記プラズマ室内へ第2の処理ガスを供給するステップと、
    前記プラズマ室内でプラズマに点火するステップと
    をさらに含む、請求項15に記載の方法。
  17. 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記源アパーチャの穴を露出させるステップを含む、請求項15または請求項16に記載の方法。
  18. 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記ガス入口を移動させて通路のシールを解除するステップを含む、請求項15または請求項16に記載の方法。
  19. 前記開閉式ガス通路を開く前記ステップが、前記ガス供給管路を通してガスを排出しているときに、前記ガス入口を自動的に開いて通路のシールを解除するステップを含む、請求項18に記載の方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8633452B2 (en) * 2011-07-13 2014-01-21 Fei Company Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source
US8716673B2 (en) 2011-11-29 2014-05-06 Fei Company Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis
US9053895B2 (en) 2011-11-30 2015-06-09 Fei Company System for attachment of an electrode into a plasma source
US8822913B2 (en) 2011-12-06 2014-09-02 Fei Company Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions
US9275823B2 (en) 2012-03-21 2016-03-01 Fei Company Multiple gas injection system
US9105438B2 (en) 2012-05-31 2015-08-11 Fei Company Imaging and processing for plasma ion source
JP6238978B2 (ja) 2012-06-29 2017-11-29 エフ・イ−・アイ・カンパニー 多種イオン源
JP6126425B2 (ja) * 2013-03-27 2017-05-10 株式会社日立ハイテクサイエンス 集束イオンビーム装置及びその制御方法
WO2014201285A1 (en) * 2013-06-12 2014-12-18 General Plasma, Inc. Linear duoplasmatron
JP6584786B2 (ja) * 2015-02-13 2019-10-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置
JP6753678B2 (ja) * 2016-03-25 2020-09-09 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置及びプラズマ点火方法
DE102016214146A1 (de) * 2016-08-01 2018-02-01 Kjellberg Stiftung Plasmabrenner
US9899181B1 (en) 2017-01-12 2018-02-20 Fei Company Collision ionization ion source
US9941094B1 (en) 2017-02-01 2018-04-10 Fei Company Innovative source assembly for ion beam production
US20230341341A1 (en) 2022-04-25 2023-10-26 Fei Company Particle-induced x-ray emission (pixe) using hydrogen and multi-species focused ion beams

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2581244B1 (fr) * 1985-04-29 1987-07-10 Centre Nat Rech Scient Source d'ions du type triode a une seule chambre d'ionisation a excitation haute frequence et a confinement magnetique du type multipolaire
JPH06101318B2 (ja) 1985-10-16 1994-12-12 株式会社日立製作所 イオンマイクロビ−ム装置
US5165954A (en) 1986-09-02 1992-11-24 Microbeam, Inc. Method for repairing semiconductor masks & reticles
US4737637A (en) 1986-10-15 1988-04-12 Hughes Aircraft Company Mass separator for ionized cluster beam
US4789787A (en) 1987-05-27 1988-12-06 Microbeam Inc. Wien filter design
US5188705A (en) 1991-04-15 1993-02-23 Fei Company Method of semiconductor device manufacture
JPH05314940A (ja) * 1992-05-08 1993-11-26 Hitachi Ltd イオンビ−ム応用装置のイオン源
JPH0660957U (ja) * 1993-12-16 1994-08-23 日新ハイボルテージ株式会社 負イオン源
US5438205A (en) * 1994-04-08 1995-08-01 National Electrostatics Corp. Ion source gaseous discharge initiation impulse valve
JPH07282993A (ja) * 1994-04-14 1995-10-27 Kawasaki Heavy Ind Ltd 電子ビーム励起プラズマ発生用電子ビーム発生装置
US6265717B1 (en) * 1998-07-15 2001-07-24 Agilent Technologies Inductively coupled plasma mass spectrometer and method
DE60041341D1 (de) * 1999-08-17 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd Gepulstes plasmabehandlungsverfahren und vorrichtung
US6995079B2 (en) * 2003-08-29 2006-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ion implantation method and method for manufacturing semiconductor device
US7241361B2 (en) 2004-02-20 2007-07-10 Fei Company Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system
JP5033314B2 (ja) 2004-09-29 2012-09-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム加工装置及び加工方法
EP1807859A2 (en) * 2004-10-25 2007-07-18 TEL Epion Inc. Ionizer and method for gas-cluster ion-beam formation
WO2008094297A2 (en) 2006-07-14 2008-08-07 Fei Company A multi-source plasma focused ion beam system
US8779380B2 (en) * 2008-06-05 2014-07-15 Hitachi High-Technologies Corporation Ion beam device
US8525419B2 (en) * 2008-11-25 2013-09-03 Oregon Physics, Llc High voltage isolation and cooling for an inductively coupled plasma ion source
US8253118B2 (en) 2009-10-14 2012-08-28 Fei Company Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes
EP2341525B1 (en) * 2009-12-30 2013-10-23 FEI Company Plasma source for charged particle beam system
CN103081054B (zh) 2010-08-31 2016-04-13 Fei公司 使用包含低质量种类和高质量种类二者的离子源的导航和样本处理
US8633452B2 (en) * 2011-07-13 2014-01-21 Fei Company Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source

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