JP2013016579A - 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置１２は、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷを保持する第１の保持部５０と、ダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面を保持する第２の保持部５１と、支持ウェハＳを保持する第３の保持部５２と、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第３の保持部５２の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構９０と、を有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、環状のフレームの内側に配置されて、フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態の重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。

特開平９−１６７７２４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、接合強度より大きい噴射圧で液体を噴射するので、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。

また、例えば接着剤を介してウェハと支持基板が接合されている場合、ウェハと支持基板の接合強度が大きいため、非常に大きい噴射圧の液体が必要となり、ウェハと支持基板を剥離するのに多大な時間を要する。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板を接着剤で接合した重合基板が、環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部と、支持基板を保持する第３の保持部と、前記第３の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第３の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴としている。なお、被処理基板の非接合面とは、重合基板の被処理基板において支持基板と接合されていない面をいう。

本発明によれば、第１の保持部で被処理基板を保持し、第２の保持部でフレームの表面を保持し、第３の保持部で支持基板を保持した状態で、第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することができる。かかる場合、重合基板を剥離する際に、被処理基板と支持基板に物理的な負荷が直接かかることがない。しかも、支持基板を被処理基板から連続的に剥離するので、被処理基板と支持基板を従来よりも小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理基板が損傷を受けることなく、被処理基板と支持基板を適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。

ここで、第１の保持部のみで被処理基板（フレーム及びテープを含む）を保持しようとすると、テープの厚みの分だけ第１の保持部とフレームとの間に隙間が生じる。すなわち、第１の保持部はフレームを直接保持することができない。そうすると、フレームが固定されていないため、被処理基板が第１の保持部に適切に保持されない場合がある。これに対して、本発明によれば、第２の保持部によってフレームが適切に保持されるので、第１の保持部によって被処理基板も適切に保持される。したがって、被処理基板がフレームとテープに保持されている場合でも、当該被処理基板と支持基板の剥離を適切に行うことができる。

以上のように本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。

前記移動機構は、前記第３の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第３の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させてもよい。

前記第１の保持部は前記第３の保持部の上方に配置され、前記移動機構は前記第３の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。

前記剥離装置は、前記第１の保持部と前記第３の保持部を相対的に回転させる回転機構を有していてもよい。

前記第１の保持部は被処理基板を加熱する加熱機構を有し、前記第３の保持部は支持基板を加熱する加熱機構を有していてもよい。

前記移動機構は、前記第３の保持部を保持し、且つ前記第３の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部と、前記第１の移動部を保持し、且つ前記第１の移動部と前記第３の保持部を鉛直方向に移動させる第２の移動部と、を有していてもよい。

前記第１の移動部は、前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、前記複数のシリンダによって前記第３の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第３の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第３の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。

前記第１の移動部は、前記第３の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第３の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第３の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第３の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有していてもよい。

別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。

また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板を接着剤で接合した重合基板が、環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、剥離装置を用いて当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離装置は、前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部と、支持基板を保持する第３の保持部と、前記第３の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第３の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、前記剥離方法は、前記第１の保持部で被処理基板を保持し、前記第２の保持部で前記フレームの表面を保持し、前記第３の保持部で支持基板を保持した状態で、前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離する第１の工程と、その後、第３の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第２の工程と、を有することを特徴としている。

前記第１の工程において、前記第３の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。

前記第１の保持部は前記第３の保持部の上方に配置され、前記第１の工程と前記第２の工程において、前記第３の保持部を鉛直下方に移動させてもよい。

前記剥離装置は、前記第１の保持部と前記第３の保持部を相対的に回転させる回転機構を有し、前記第１の工程において、前記第１の保持部と前記第３の保持部との相対的な回転を開始した後、前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離してもよい。

前記第１の保持部は被処理基板を加熱する加熱機構を有し、前記第３の保持部は支持基板を加熱する加熱機構を有し、前記第１の工程と前記第２の工程は、前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第３の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら行われてもよい。

また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの縦断面図である。 ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの平面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の保持部の構成の概略を示す平面図である。 第１の鉛直移動部の構成の概略を示す平面図である。 洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 洗浄治具の構成の概略を示す平面図である。 受渡アームの構成の概略を示す側面図である。 搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 第１の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第２の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 第１の鉛直移動部によって第３の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。 第２の鉛直移動部によって第３の保持部を鉛 直下方に移動させる様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 洗浄装置において被処理ウェハを洗浄する様子を示した説明図であり、（ａ）は洗浄治具を所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）は溶剤供給部から供給面と接合面との間の隙間に溶剤が供給される様子を示し、（ｃ）は上記隙間に溶剤が拡散した様子を示し、（ｄ）はリンス液供給部から上記隙間にリンス液が供給される様子を示し、（ｅ）は上記隙間に混合液が拡散した様子を示し、（ｆ）は不活性ガス供給部から上記隙間に不活性ガスが供給される様子を示す。 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる第１の鉛直移動部によって第３の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第１の保持部及び第２の保持部から搬送アームに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 搬送アームからウェハ保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。

剥離システム１では、図２及び図３に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面Ｗ_Ｊ」といい、当該接合面Ｗ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｗ_Ｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面Ｓ_Ｊ」といい、当該接合面Ｓ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｓ_Ｎ」という。被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面Ｗ_Ｊに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面Ｗ_Ｎが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。

重合ウェハＴには、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰが取り付けられている。ダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。またダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓと被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。なお、ダイシングテープＰは、製作の都合上、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓの端部までは貼り付けられておらず、ダイシングテープＰの厚みの分だけ、ダイシングフレームＦの外周部においてダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。

そして剥離システム１において、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。また、剥離された被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で搬送され、後続の処理が行われる。

剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔが搬入出される第１の搬入出ステーション１０と、外部との間で複数の被処理ウェハＳを収容可能なカセットＣ_Ｓが搬入出される第２の搬入出ステーション１１と、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置１３と、剥離システム１内で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送装置１４とを有している。第１の搬入出ステーション１０、第２の搬入出ステーション１１、剥離装置１２及び洗浄装置１３は、搬送装置１４の周囲に例えば平面視反時計回転方向においてこの順に並ぶように配置されている。

第１の搬入出ステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、例えば２つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に並べて配置されている。これらのカセット載置板２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように第１の搬入出ステーション１０は、複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、これら被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。また、第１の搬入出ステーション１０において、カセット載置板２１の個数は、本実施の形態に限定されず任意に決定することができる。

第２の搬入出ステーション１１には、カセット載置台３０が設けられている。カセット載置台３０には、例えば１つのカセット載置板３１が設けられている。カセット載置板３１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｓを搬入出する際に、カセットＣ_Ｓを載置することができる。このように第２の搬入出ステーション１１は、複数の支持ウェハＳを保有可能に構成されている。また、カセット載置板３１に隣接してＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転装置３２が配置されている。

次に、上述した剥離装置１２の構成について説明する。剥離装置１２は、図４に示すように処理容器４０を有している。処理容器４０の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器４０内には、搬送装置１４が設置された領域からの雰囲気が流入するようになっている。また、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

処理容器４０の底面には、当該処理容器４０の内部の雰囲気を吸引する吸気口４１が形成されている。吸気口４１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４２に連通する吸気管４３が接続されている。

処理容器４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部５０と、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持する第２の保持部５１と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第３の保持部５２とが設けられている。第１の保持部５０と第２の保持部５１はそれぞれ第３の保持部５２の上方に設けられ、第１の保持部５０は第３の保持部５２と対向するように配置されている。すなわち、処理容器４０の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。

第１の保持部５０は、図５に示すように略平板形状を有している。第１の保持部５０の内部には、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを吸着保持するための吸引管６０が設けられている。吸引管６０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。

また、第１の保持部５０の内部には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構６１が設けられている。加熱機構６１には、例えばヒータが用いられる。

第２の保持部５１は、第１の保持部５０の外周部において当該第１の保持部５０と一体に設けられている。すなわち、第２の保持部５１は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、第２の保持部５１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、第２の保持部５１はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持することができる。なお、図６に示すように、第２の保持部５１は複数個所、例えば４箇所に設けられている。４つの第２の保持部５１は、ダイシングフレームＦの各辺に等間隔に配置されている。

ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、ダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、第１の保持部５０でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該第１の保持部５０とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、第１の保持部５０はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、第２の保持部５１によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。

第３の保持部５２は、図５に示すように略平板形状を有している。第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管７０が設けられている。吸引管７０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第３の保持部５２は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。

また、第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構７１が設けられている。加熱機構７１には、例えばアルミニウムからなるヒータが用いられる。

図４に示すように第１の保持部５０の上面には、当該第１の保持部５０を支持する支持板８０が設けられている。支持板８０は、処理容器４０の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板８０を省略し、第１の保持部５０は処理容器４０の天井面に当接して支持されてもよい。

第３の保持部５２の下方には、第３の保持部５２及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構９０が設けられている。移動機構９０は、第３の保持部５２を保持し、且つ第３の保持部５２の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部としての第１の鉛直移動部９１と、第１の鉛直移動部９１を保持し、且つ第１の鉛直移動部９１と第３の保持部５２を鉛直方向に移動させる第２の移動部としての第２の鉛直移動部９２と、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させる水平移動部９３とを有している。第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２、水平移動部９３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。

第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ１００と、第３の保持部５２の中央部を支持する支持柱１０１と、シリンダ１００と支持柱１０１を支持する支持板１０２とを有している。図７に示すように６つのシリンダ１００は、支持板１０２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ１００は、第３の保持部５２の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱１０１は、支持板１０２の中央部であって、第３の保持部５２の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱１０１が配置されている。

第２の鉛直移動部９２は、図４に示すように支持板１０２を昇降させる駆動部１１０と、支持板１０２を支持する支持部材１１１とを有している。駆動部１１０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１１１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１０２と水平移動部９３との間に例えば３箇所に設けられている。

水平移動部９３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させることができる。

なお、第３の保持部５２の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第３の保持部５２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第３の保持部５２の上面から突出可能になっている。

次に、上述した洗浄装置１３の構成について説明する。洗浄装置１３は、図８に示すように処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器１２０内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられている。また、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

処理容器１２０内の中央部には、ウェハ保持部１３０が設けられている。ウェハ保持部１３０は、図９に示すようにダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３１と、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持する吸着パッド１３２とを有している。

スピンチャック１３１は水平な上面を有し、当該上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。またスピンチャック１３１は、少なくとも被処理ウェハＷを覆うよう設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷをスピンチャック１３１上に吸着保持できる。また被処理ウェハＷは、その接合面Ｗ_Ｊが上方を向くようにスピンチャック１３１に吸着保持される。

吸着パッド１３２は、スピンチャック１３１の外周部上に設けられている。すなわち、吸着パッド１３２は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、吸着パッド１３２には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、吸着パッド１３２はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持することができる。なお、図１０に示すように、吸着パッド１３２は複数個所、例えば８箇所に設けられている。

ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、図９に示すようにダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、スピンチャック１３１でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該スピンチャック１３１とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、スピンチャック１３１はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、吸着パッド１３２によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、ウェハ保持部１３０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。

ウェハ保持部１３０の下方には、図８に示すように例えばモータなどを備えたチャック駆動部１３３が設けられている。スピンチャック１３１は、チャック駆動部１３３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１３３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３１は昇降自在になっている。

ウェハ保持部１３０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３４が設けられている。カップ１３４の下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップ１３４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１３６が接続されている。

ウェハ保持部１３０の上方には、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄するための洗浄治具１４０が設けられている。洗浄治具１４０は、ウェハ保持部１３０に保持された被処理ウェハＷに対向して配置されている。

洗浄治具１４０は、図９及び図１１に示すように略円板形状を有している。洗浄治具１４０の下面には、少なくとも被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆うように供給面１４１が形成されている。なお、本実施の形態においては、供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊはほぼ同じ大きさである。

洗浄治具１４０の中央部には、供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、例えばシンナーを供給する溶剤供給部１５０と、隙間１４２に溶剤のリンス液を供給するリンス液供給部１５１と、隙間１４２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する不活性ガス供給部１５２とが設けられている。溶剤供給部１５０、リンス液供給部１５１、不活性ガス供給部１５２は、洗浄治具１４０の内部において合流し、洗浄治具１４０の供給面１４１に形成された供給口１５３に連通している。すなわち、溶剤供給部１５０から供給口１５３までの溶剤の流路、リンス液供給部１５１から供給口１５３までのリンス液の流路、不活性ガス供給部１５２から供給口１５３までの不活性ガスの流路は、それぞれ洗浄治具１４０の厚み方向に貫通している。なお、リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、例えば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。

溶剤供給部１５０には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源１５４に連通する供給管１５５が接続されている。供給管１５５には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５６が設けられている。リンス液供給部１５１には、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源１５７に連通する供給管１５８が接続されている。供給管１５８には、リンス液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５９が設けられている。不活性ガス供給部１５２には、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源１６０に連通する供給管１６１が接続されている。供給管１６１には、溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１６２が設けられている。

洗浄治具１４０の外周部には、供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２の溶剤やリンス液を吸引するための吸引部１７０が設けられている。吸引部１７０は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部１７０は、洗浄治具１４０と同一円周上に等間隔に複数、例えば８箇所に配置されている。各吸引部１７０には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１７１に連通する吸気管１７２が接続されている。

図８に示すように処理容器１２０の天井面であって、洗浄治具１４０の上方には、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１８０が設けられている。移動機構１８０は、洗浄治具１４０を支持する支持部材１８１と、支持部材１８１を支持し、洗浄治具１４０を鉛直方向及び水平方向に移動させるための治具駆動部１８２とを有している。

また処理容器１２０の内部には、図１０及び図１２に示すように搬送装置１４からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷを受け渡すための受渡アーム１９０を有している。受渡アーム１９０は、ダイシングフレームＦの外周部を保持できるように円環形状を有している。受渡アーム１９０の下面には、フレーム保持部１９１が複数個所、例えば４箇所に設けられている。フレーム保持部１９１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、フレーム保持部１９１は被処理ウェハＷが取り付けられたダイシングフレームＦを吸着保持することができる。

受渡アーム１９０は、一対の伸縮部材１９２、１９２に支持されている。伸縮部材１９２は、水平方向（図１０中のＸ方向）に伸縮自在に構成されている。また伸縮部材１９２は、図１０中のＹ方向に延伸する支持部材１９３に支持されている。支持部材１９３の両端部には、当該支持部材１９３を鉛直方向に昇降させる昇降機構１９４が設けられている。昇降機構１９４には、例えばシリンダ等が用いられる。かかる構成により、受渡アーム１９０は、水平方向に移動自在であると共に、鉛直方向に昇降自在に構成されている。

次に、上述した搬送装置１４の構成について説明する。搬送装置１４は、図１３に示すように重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム２００と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム２０１を有している。なお、第１の搬送アーム２００で搬送される重合ウェハＴと被処理ウェハＷは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

第１の搬送アーム２００は、図１４に示すように先端が２本の先端部２０２ａ、２０２ａに分岐したアーム部２０２と、このアーム部２０２と一体に形成され、且つアーム部２０２を支持する支持部２０３とを有している。アーム部２０２の各先端部２０２ａには、ダイシングフレームＦ又はダイシングテープＰを介して重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド２０４が設けられている。第１の搬送アーム２００は、このアーム部２０２上に重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを水平に保持することができる。

第２の搬送アーム２０１は、図１５に示すように支持ウェハＳよりも大きい径の略３／４円環状に構成されたアーム部２０５と、このアーム部２０５と一体に形成され、且つアーム部２０５を支持する支持部２０６とを有している。アーム部２０５には、内側に向かって突出し、支持ウェハＳの角部を保持する保持部２０７が例えば４箇所に設けられている。第２の搬送アーム２０１は、この保持部２０７上に支持ウェハＳを水平に保持することができる。

搬送アーム２００、２０１の基端部には、図１３に示すようにアーム駆動部２０８が設けられている。このアーム駆動部２０８により、各搬送アーム２００、２０１は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム２００、２０１とアーム駆動部２０８は、基台２０９に支持されている。基台２０９の下面には、シャフト２１０を介して回転駆動部２１１が設けられている。この回転駆動部２１１により、基台２０９及び搬送アーム２００、２０１はシャフト２１０を中心軸として回転でき、且つ昇降できる。

以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部２５０が設けられている。制御部２５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２５０にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣ_Ｔと空のカセットＣ_Ｗが、第１の搬入出ステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。また空のカセットＣ_Ｓが、第２の搬入出ステーション１１の所定のカセット載置板３１に載置される。その後、搬送装置１４の第１の搬送アーム２００によりカセットＣ_Ｔ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。

剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、第３の保持部５２に吸着保持される。その後、図１６に示すように移動機構９０の第２の鉛直移動部９２により第３の保持部５２を上昇させて、第１の保持部５０と第３の保持部５２で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部５０によりダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが吸着保持されると共に、第２の保持部５１にダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓが吸着保持され、また第３の保持部５２に支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎが吸着保持される。

その後、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。

続いて、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１７に示すように移動機構９０の第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、第３の保持部５２の中央部が支持柱１０１に支持され、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。

かかる場合、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面Ｗ_Ｊ、Ｓ_Ｊに多大な荷重がかかり、接合面Ｗ_Ｊ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面Ｗ_Ｊ、Ｓ_Ｊに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。

その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図１８に示すように第２の鉛直移動部９２によって第３の保持部５２全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図１９に示すように第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第３の保持部５２と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷと、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳとが剥離される。

その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２００によって反転装置３２に搬送され、当該反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面が反転される。すなわち、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが上方に向けられる。その後、被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２００によって洗浄装置１３に搬送される。なお、剥離装置１２から搬出され洗浄装置１３に搬入される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

一方、剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、搬送装置１４の第２の搬送アーム２０１によって第２の搬入出ステーション１１のカセットＣ_Ｓに搬送される。その後、支持ウェハＳは、第２の搬入出ステーション１１から外部に搬出され回収される。なお、支持ウェハＳが第２の搬入出ステーション１１に搬送されるタイミングは、任意に設定できる。支持ウェハＳの搬送は、例えば被処理ウェハＷを反転装置３２に搬送する前であってもよいし、反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面の反転中であってもよいし、被処理ウェハＷを洗浄装置１３に搬送した後であってもよい。

洗浄装置１３に搬入された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム１９０から受渡アーム１９０に受け渡される。続いて、受渡アーム１９０によって、被処理ウェハＷはウェハ保持部１３０に受け渡され保持される。具体的には、被処理ウェハＷはダイシングテープＰを介してスピンチャック１３１に吸着保持される。同時に、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓは吸着パッド１３２に吸着保持される。続いて、移動機構１８０によって洗浄治具１４０の水平方向の位置を調整すると共に、図２０（ａ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊとの間の所定の距離Ｑは、後述するように供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散できる距離になっている。

その後、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図２０（ｂ）に示すように溶剤供給源１５４から溶剤供給部１５０に溶剤Ｌを供給する。溶剤Ｌは、供給口１５３から供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２に供給され、当該隙間１４２において溶剤Ｌの表面張力と被処理ウェハＷの回転による遠心力により、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。このとき、吸引部１７０によって隙間１４２の溶剤Ｌの吸引を行い、溶剤Ｌが被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入しないようにする。こうして、図２０（ｃ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌが被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に供給される。

その後、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを溶剤Ｌに浸した状態を所定の時間、例えば数分間維持する。そうすると、接合面Ｗ_Ｊに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤Ｌによって除去される。

その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、吸引部１７０による隙間１４２の溶剤Ｌの吸引を引き続き行った状態で、図２０（ｄ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置、すなわち隙間１４２にリンス液Ｒを供給できる位置まで上昇させる。続いて、リンス液供給源１５７からリンス液供給部１５１にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒは、供給口１５３から隙間１４２に供給されて溶剤Ｌと混合されつつ、当該隙間１４２において表面張力と遠心力により、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。こうして、図２０（ｅ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃが、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に供給される。

その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、吸引部１７０による隙間１４２の溶剤Ｌと混合液Ｃの吸引を引き続き行った状態で、図２０（ｆ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給部１６０から不活性ガス供給部１５２と供給口１５３を介して隙間１４２に、不活性ガスが供給される。不活性ガスは、隙間１４２に充填されていた混合液Ｃを当該隙間１４２の外部に押し流す。すなわち、混合液Ｃは、吸引部１７０から吸引される。こうして、隙間１４２の混合液Ｃが除去される。

なお、上述したように隙間１４２に不活性ガスを供給する際に洗浄治具１４０を下降させるのは、隙間１４２の鉛直方向の距離を小さくして不活性ガスの流速を速くするためである。これによって、隙間１４２の混合液Ｃを迅速に除去することができる。また、不活性ガスによって押し流された混合液Ｃは、僅かに被処理ウェハＷとダイシングフレームＦとの間の段部ＡのダイシングテープＰ上に流入する可能性もあるが、この場合であっても混合液Ｃ中の溶剤Ｌは希釈されているため、ダイシングテープＰが損傷を被ることはない。

隙間１４２の混合液Ｃが除去された後も、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、隙間１４２への不活性ガスの供給を引き続き行う。そして、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが乾燥される。こうして、洗浄装置１３において被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。

その後、洗浄装置１３で洗浄された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２００によって第１の搬入出ステーション１０のカセットＣ_Ｗに搬送される。その後、被処理ウェハＷは、第１の搬入出ステーション１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム１における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。

以上の実施の形態の剥離装置１２によれば、第１の保持部５０で被処理ウェハＷを加熱しながら保持し、第２の保持部５１でダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを保持し、第３の保持部５２で支持ウェハＳを加熱しながら保持した状態で、第３の保持部５２の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離することができる。かかる場合、重合ウェハＴを剥離する際に、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに物理的な負荷が直接かかることがない。また、このように加熱することで被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの間の接着剤Ｇを軟化させることができ、しかも支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離するので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを従来よりも小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理ウェハＷが損傷を受けることなく、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。したがって、本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。

また、ダイシングフレームＦの外周部にはダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在しているので、第１の保持部５０はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。この点、本実施の形態では、第２の保持部５１によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。したがって、被処理ウェハＷがダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている場合でも、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切に行うことができる。

また、移動機構９０は第１の鉛直移動部９１と第２の鉛直移動部９２を有しているので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を段階的に行うことができる。すなわち、第１の鉛直移動部９１によって外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離した後、第２の鉛直移動部９２によって被処理ウェハＷと支持ウェハＳを完全に剥離することができる。このように段階的に剥離処理を行うことで、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを均一に剥離することができる。しかも、第１の鉛直移動部９１は第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直下方に移動させるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをより均一に剥離することができる。

以上の実施の形態の剥離装置１２において、第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２を保持し、且つ第３の保持部５２の外周部のみを鉛直方向に移動させる構成であればよく、種々の構成を取り得る。例えば第１の鉛直移動部９１のシリンダ１００と支持柱１０１に代えて、図２１に示すように第１の鉛直移動部２７０は、ベローズ２７１と支持柱２７２を有していてもよい。

ベローズ２７１は、鉛直方向に伸縮自在の例えばステンレス製のベローズにより構成されている。ベローズ２７１は、その上面において第３の保持部５２を保持すると共に、その下面が支持板１０２に支持されている。ベローズ２７１には、当該ベローズ２７１の内部に流体、例えば圧縮空気を供給する流体供給管２７３が接続されている。流体供給管２７３は、流体供給源（図示せず）に接続されている。そして、ベローズ２７１に流体供給管２７３から流体を供給することで、ベローズ２７１が伸長するようになっている。

支持柱２７２は、ベローズ２７１の内部に設けられている。また、支持柱２７２は、第３の保持部５２の中央部を支持している。

なお、剥離装置１２のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置１２の構成と同様であるので説明を省略する。

かかる場合、図２２に示すように第１の鉛直移動部２７０によって第３の保持部５２の外周部のみを円環状に鉛直下方が移動する。すなわち、ベローズ２７１によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、第３の保持部５２の中央部が支持柱１０１に支持され、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。そうすると、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。したがって、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。

以上の実施の形態の剥離装置１２は、第１の保持部５０と第３の保持部５１を相対的に回転させる回転機構を有していてもよい。例えば図２３に示すように第１の保持部５０を回転させる回転機構２８０を有していてもよい。回転機構２８０は、第１の保持部５０と支持板８０との間に設けられている。また、回転機構２８０は、第１の保持部５０を回転させるためのモータ（図示せず）を有している。

かかる場合、上述したように剥離装置１２において、重合ウェハＴを第１の保持部５０、第２の保持部５１、第３の保持部５２で保持した後、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴを加熱して重合ウェハＴ中の接着剤Ｇを軟化させると共に、回転機構２８０によって第１の保持部５０を回転させる。その後、第３の保持部５２の外周部を鉛直下方に移動させて、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離した後、第３の保持部５２全体を鉛直下方に移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する。なお、この被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。

本実施の形態によれば、第１の保持部５０を回転させているので、接着剤Ｇによる被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの平衡状態を崩すことができる。そうすると、その後第３の保持部５２の外周部を円滑に移動させることができ、支持ウェハＳの外周部を被処理ウェハＷから円滑に剥離することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理をより効率よく行うことができる。

なお、上記実施の形態では、回転機構２８０は第１の保持部５０を回転させていたが、回転機構２８０に代えて、第３の保持部５２を回転させる回転機構（図示せず）を設けてもよい。あるいは、第１の保持部５０を回転させる回転機構２８０と第３の保持部５２を回転させる回転機構を両方設けてもよい。

以上の実施の形態の剥離装置１２では、第２の保持部５１は第１の保持部５０と一体に設けられていたが、第１の保持部５０と独立して設けられていてもよい。

また、以上の実施の形態の剥離装置１２では、第１の保持部５０と第３の保持部５２の内部には、それぞれ加熱機構６１、７１が設けられていたが、これら加熱機構尾６１、７１を省略してもよい。かかる場合、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する際に、重合ウェハＴは加熱されず、常温の状態を維持している。この場合であっても、上述したように支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離できる。また、例えば接着剤Ｇの種類によっては当該接着剤Ｇを軟化させるのに加熱が必要ないものもあり、かかる場合に本実施の形態は特に有用である。

また、以上の実施の形態の剥離装置１２では、移動機構９０の第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直方向に移動させていたが、第３の保持部５２の外周部の一端部側を鉛直方向に移動させてもよい。そして、外周部の一端部から他端部に向けて支持ウェハＳを被処理ウェハＷから剥離してもよい。かかる場合でも、被処理ウェハＷと支持ウェハＳは連続的に剥離されるので、当該被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。

また、以上の実施の形態の剥離装置１２では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。かかる場合、移動機構９０は第３の保持部５２を鉛直上方に移動させてもよい。

以上の実施の形態の重合ウェハＴの剥離処理は、上記剥離システム１と異なる剥離システムで行ってもよい。

例えば図２４に示すように剥離システム３００は、外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔが搬入出される搬入出ステーション３１０と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３１１と、剥離処理ステーション３１１に隣接する後処理ステーション３１２との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション３１３とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

搬入出ステーション３１０と剥離処理ステーション３１１は、Ｘ方向（図２４中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション３１０と剥離処理ステーション３１１との間には、ウェハ搬送領域３１４が形成されている。インターフェイスステーション３１３は、剥離処理ステーション３１１のＹ方向負方向側（図２４中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション３１３のＸ方向正方向側（図２４中の上方向側）には、後処理ステーション３１２に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置３１５が配置されている。また、インターフェイスステーション３１３を挟んで検査装置３１５の反対側、すなわちインターフェイスステーション３１３のＸ方向負方向側（図２４中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置３１６が配置されている。

搬入出ステーション３１０には、カセット載置台３２０が設けられている。カセット載置台３２０には、複数、例えば３つのカセット載置板３２１が設けられている。カセット載置板３２１は、Ｙ方向（図２４中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板３２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように搬入出ステーション３１０は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板３２１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション３１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

ウェハ搬送領域３１４には、第１の搬送装置３３０が配置されている。第１の搬送装置３３０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な２本の搬送アームを有している。これら２本の搬送アームは、上記実施の形態における重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム２００と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム２０１とそれぞれ同様の構成を有している。第１の搬送装置３３０は、ウェハ搬送領域３１４内を移動し、搬入出ステーション３１０と剥離処理ステーション３１１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。

剥離処理ステーション３１１は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２を有している。剥離装置１２のＹ方向負方向側（図２４中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置１３が配置されている。剥離装置１２と第１の洗浄装置１３との間には、第２の搬送装置３４０が設けられている。また、剥離装置１２のＹ方向正方向側（図２４中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３４１が配置されている。このように剥離処理ステーション３１１には、第１の洗浄装置１３、第２の搬送装置３４０、剥離装置１２、第２の洗浄装置３４１が、インターフェイスステーション３１３側からこの順で並べて配置されている。なお、剥離装置１２は、上記実施の形態の剥離システム１における剥離装置１２と同様の構成を有する。また、第１の洗浄装置１３も剥離システム１における洗浄装置１３と同様の構成を有するが、第２の洗浄装置３４１と区別するため、便宜上、第１の洗浄装置１３と呼称する。

検査装置３１５では、剥離装置１２により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置３１６では、検査装置３１５で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置３１６は、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄する接合面洗浄部３１６ａ、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを洗浄する非接合面洗浄部３１６ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部３１６ｃを有している。なお、接合面洗浄部３１６ａと非接合面洗浄部３１６ｂは、第１の洗浄装置１３と同様の構成を有する。

インターフェイスステーション３１３には、Ｙ方向に延伸する搬送路３５０上を移動自在な第３の搬送装置３５１が設けられている。第３の搬送装置３５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３１１、後処理ステーション３１２、検査装置３１５及び検査後洗浄装置３１６との間で被処理ウェハＷを搬送できる。

なお、後処理ステーション３１２では、剥離処理ステーション３１１で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理としては、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理などが行われる。

次に、上述した第２の搬送装置３４０の構成について説明する。第２の搬送装置３４０は、図２５に示すように被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム３６０を有している。なお、搬送アーム３６０で搬送される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

搬送アーム３６０は、図２６に示すように先端が２本の先端部３６０ａ、３６０ａに分岐した形状を有している。搬送アーム３６０には、ダイシングフレームＦ（又はダイシングテープＰ）を介して被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド３６１が設けられている。これにより搬送アーム３６０は、当該搬送アーム３６０上に被処理ウェハＷを水平に保持することができる。

搬送アーム３６０は、図２５に示すように支持アーム３６２に支持されている。支持アーム３６２は、第１の駆動部３６３に支持されている。この第１の駆動部３６３により、支持アーム３６２は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部３６３の下方には、第２の駆動部３６４が設けられている。この第２の駆動部３６４により、第１の駆動部３６３は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。

なお、第３の搬送装置３５１は、上述した第２の搬送装置３４０と同様の構成を有している。但し、第３の搬送装置３５１の第２の駆動部３６４は、図２４に示した搬送路３５０に取り付けられ、第３の搬送装置３５１は搬送路３５０上を移動可能になっている。

次に、上述した第２の洗浄装置３４１の構成について説明する。第１の洗浄装置１３は、図２７に示すように処理容器３７０を有している。処理容器３７０の側面には、支持ウェハＳの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器３７０内の中央部には、支持ウェハＳを保持して回転させるスピンチャック３８０が設けられている。スピンチャック３８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック３８０上に吸着保持できる。

スピンチャック３８０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部３８１が設けられている。スピンチャック３８０は、チャック駆動部３８１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部３８１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック３８０は昇降自在になっている。

スピンチャック３８０の周囲には、支持ウェハＳから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ３８２が設けられている。カップ３８２の下面には、回収した液体を排出する排出管３８３と、カップ３８２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管３８４が接続されている。

図２８に示すようにカップ３８２のＸ方向負方向（図２８中の下方向）側には、Ｙ方向（図２８中の左右方向）に沿って延伸するレール３９０が形成されている。レール３９０は、例えばカップ３８２のＹ方向負方向（図２８中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２８中の右方向）側の外方まで形成されている。レール３９０には、アーム３９１が取り付けられている。

アーム３９１には、図２７及び図２８に示すように支持ウェハＳに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル３９２が支持されている。アーム３９１は、図２８に示すノズル駆動部３９３により、レール３９０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル３９２は、カップ３８２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３９４からカップ３８２内の支持ウェハＳの中心部上方まで移動でき、さらに当該支持ウェハＳ上を支持ウェハＳの径方向に移動できる。また、アーム３９１は、ノズル駆動部３９３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル３９２の高さを調節できる。

洗浄液ノズル３９２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル３９２には、図２７に示すように当該洗浄液ノズル３９２に洗浄液を供給する供給管４００が接続されている。供給管４００は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源４０１に連通している。供給管４００には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４０２が設けられている。また、洗浄液ノズル３９２には、当該洗浄液ノズル３９２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管４０３が接続されている。供給管４０３は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源４０４に連通している。供給管４０３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４０５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル３９２内で混合され、当該洗浄液ノズル３９２から支持ウェハＳに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。

なお、スピンチャック３８０の下方には、支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック３８０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック３８０の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック３８０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック３８０との間で支持ウェハＳの受け渡しが行われる。

また、第２の洗浄装置３４１において、スピンチャック３８０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面Ｓ_Ｎに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。

次に、以上のように構成された剥離システム３００を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣ_Ｔ、空のカセットＣ_Ｗ、及び空のカセットＣ_Ｓが、搬入出ステーション３１０の所定のカセット載置板３２１に載置される。第１の搬送装置３３０によりカセットＣ_Ｔ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３１１の剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。

剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。この剥離装置１２における被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。

その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３４０によって第１の洗浄装置１３に搬送される。ここで、第２の搬送装置３４０による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。なお、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

図２９に示すように支持アーム３６２を伸長させて、搬送アーム３６０を第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、搬送アーム３６０を上昇させ、第１の保持部５０における吸引管６０からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部５０から搬送アーム３６０に被処理ウェハＷが受け渡される。

次に図３０に示すように、支持アーム３６２を回動させて搬送アーム３６０を第１の洗浄装置１３のウェハ保持部１３０の上方に移動させると共に、搬送アーム３６０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ウェハ保持部１３０をカップ１３４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、搬送アーム３６０からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。

このようにウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ウェハ保持部１３０を所定の位置まで下降させる。続いて、洗浄治具１４０によって被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。なお、この第１の洗浄装置１３における被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの洗浄方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。

ここで、上述したように搬入出ステーション３１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、第３の搬送装置３５１によって検査装置３１５に搬送される。なお、この第３の搬送装置３５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３４０による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。

検査装置３１５においては、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置３１５において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置３５１により検査後洗浄装置３１６の接合面洗浄部３１６ａに搬送され、接合面洗浄部３１６ａで接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。接合面Ｗ_Ｊが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置３５１によって反転部３１６ｃに搬送され、反転部３１６ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部３１６ａに搬送されることなく反転部３１６ｃにて反転される。

その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置３５１により再び検査装置３１５に搬送され、非接合面Ｗ_Ｎの検査が行われる。そして、非接合面Ｗ_Ｎにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置３５１によって非接合面洗浄部３１６ｃに搬送され、非接合面Ｗ_Ｎの洗浄が行われる。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置３５１によって後処理ステーション３１２に搬送される。なお、検査装置３１５で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部３１６ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション３１２に搬送される。

その後、後処理ステーション３１２において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。

一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、第１の搬送装置３３０によって搬入出ステーション３１０のカセットＣ_Ｗに搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション３１０から外部に搬出され回収される。

剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷに上述した処理が行われている間、当該剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置３３０によって第２の洗浄装置３４１に搬送される。

第２の洗浄装置３４１に搬入された支持ウェハＳは、スピンチャック３８０に吸着保持される。その後、スピンチャック３８０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム３９１によって待機部３９４の洗浄液ノズル３９２を支持ウェハＳの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック３８０によって支持ウェハＳを回転させながら、洗浄液ノズル３９２から支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊの全面に拡散されて、当該支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊが洗浄される。

その後、第２の洗浄装置３４１で洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置３３０によって搬入出ステーション３１０のカセットＣ_Ｓに搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション３１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム３００における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。

以上の実施の形態の剥離システム３００によれば、剥離装置１２において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置１３において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３４１において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム３００内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置３４１において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置１２において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置３４１において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。

以上の実施の形態の剥離システム３００において、剥離装置１２で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。

また、以上の実施の形態では、後処理ステーション３１２において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

１ 剥離システム
１０ 第１の搬入出ステーション
１１ 第２の搬入出ステーション
１２ 剥離装置
１３ 洗浄装置（第１の洗浄装置）
１４ 搬送装置
５０ 第１の保持部
５１ 第２の保持部
５２ 第３の保持部
６１ 加熱機構
７１ 加熱機構
９０ 移動機構
９１ 第１の鉛直移動部
９２ 第２の鉛直移動部
９３ 水平移動部
１００ シリンダ
１０１ 支持柱
１０２ 支持板
１１０ 駆動部
１１１ 支持部材
２５０ 制御部
２７０ 第１の鉛直移動部
２７１ ベローズ
２７２ 支持柱
２７３ 流体供給管
２８０ 回転機構
３００ 剥離システム
３１０ 搬入出ステーション
３１１ 剥離処理ステーション
３１４ ウェハ搬送領域
３３０ 第１の搬送装置
３４０ 第２の搬送装置
３４１ 第２の洗浄装置
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ

Claims (16)

1. 被処理基板と支持基板を接着剤で接合した重合基板が、環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、
   前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、
   前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部と、
   支持基板を保持する第３の保持部と、
   前記第３の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第３の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、剥離装置。
2. 前記移動機構は、前記第３の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、当該第３の保持部に保持された支持基板を、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離させることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
3. 前記第１の保持部は前記第３の保持部の上方に配置され、
   前記移動機構は前記第３の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離装置。
4. 前記第１の保持部と前記第３の保持部を相対的に回転させる回転機構を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の剥離装置。
5. 前記第１の保持部は被処理基板を加熱する加熱機構を有し、
   前記第３の保持部は支持基板を加熱する加熱機構を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の剥離装置。
6. 前記移動機構は、
   前記第３の保持部を保持し、且つ前記第３の保持部の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の移動部と、
   前記第１の移動部を保持し、且つ前記第１の移動部と前記第３の保持部を鉛直方向に移動させる第２の移動部と、を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離装置。
7. 前記第１の移動部は、
   前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させる複数のシリンダと、
   前記複数のシリンダによって前記第３の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第３の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第３の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項６に記載の剥離装置。
8. 前記第１の移動部は、
   前記第３の保持部を保持し、鉛直方向に伸縮自在のベローズと、
   前記ベローズの内部に設けられ、前記ベローズが収縮して前記第３の保持部の外周部が鉛直方向に移動する際、前記第３の保持部の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、当該第３の保持部の中央部を支持する支持柱と、を有することを特徴とする、請求項６に記載の剥離装置。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
   前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
   前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
   前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
10. 被処理基板と支持基板を接着剤で接合した重合基板が、環状のフレームの内側に配置されて、前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、剥離装置を用いて当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
    前記剥離装置は、
    前記テープを介して被処理基板を保持する第１の保持部と、
    前記テープの外側において前記フレームの表面を保持する第２の保持部と、
    支持基板を保持する第３の保持部と、
    前記第３の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第３の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、
    前記剥離方法は、
    前記第１の保持部で被処理基板を保持し、前記第２の保持部で前記フレームの表面を保持し、前記第３の保持部で支持基板を保持した状態で、前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離する第１の工程と、
    その後、第３の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離する第２の工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
11. 前記第１の工程において、前記第３の保持部の外周部を円環状に鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することを特徴とする、請求項１０に記載の剥離方法。
12. 前記第１の保持部は前記第３の保持部の上方に配置され、
    前記第１の工程と前記第２の工程において、前記第３の保持部を鉛直下方に移動させることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の剥離方法。
13. 前記剥離装置は、前記第１の保持部と前記第３の保持部を相対的に回転させる回転機構を有し、
    前記第１の工程において、前記第１の保持部と前記第３の保持部との相対的な回転を開始した後、前記第３の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離することを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれかに記載の剥離方法。
14. 前記第１の保持部は被処理基板を加熱する加熱機構を有し、
    前記第３の保持部は支持基板を加熱する加熱機構を有し、
    前記第１の工程と前記第２の工程は、前記第１の保持部に保持された被処理基板と前記第３の保持部に保持された支持基板とを加熱しながら行われることを特徴とする、請求項１０〜１３のいずれかに記載の剥離方法。
15. 請求項１０〜１４のいずかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
16. 請求項１５に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

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